KR20100021150A - Load lock chamber and substrate processing apparatus including the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A load lock chamber and a substrate processing apparatus including the same are provided to minimize the wear of a vacuum sealing unit by arranging a shock absorbing plate between the load lock chamber and a door. CONSTITUTION: A lower plate(331) and an upper plate(332) are opposed each other and spaced apart. A side wall is connected to the lower plate and the upper plate and defines an inner space. The side wall forms an entrance/exit for a substrate. A shock absorbing plate(370) is arranged on the outside the entrance/exit. A first vacuum sealing unit(374) is inserted between the shock absorbing plate and the side wall. The cross section for the first vacuum sealing unit is a ring shape. A door is arranged on the outside of the shock absorbing plate.

Description

로드락 챔버 및 그를 포함하는 기판처리장비 {Load Lock Chamber And Substrate Processing Apparatus Including The Same}Load Lock Chamber and Substrate Processing Apparatus Including The Same}

본 발명은 로드락 챔버를 포함하는 기판처리장비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 완충판 및 개곡선 형태의 진공밀폐수단을 포함하는 로드락 챔버 및 로드락 챔버를 포함하는 반도체소자 또는 평판표시장치용 기판처리장비에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus including a load lock chamber, and more particularly, a substrate for a semiconductor device or a flat panel display device including a load lock chamber and a load lock chamber including a buffer plate and a vacuum sealing means in the form of a curved line. It relates to processing equipment.

일반적으로 반도체소자 또는 평면표시장치를 제조하기 위해서는, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각(etching) 공정 등을 거치게 되며, 이들 공정의 대부분은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장비의 챔버 내부에서 진행된다. In general, to manufacture a semiconductor device or a flat panel display device, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photolithography process for exposing or hiding selected areas of the thin films using a photosensitive material, and a selected area After removing the thin film and patterning as desired, the etching (etching) process, etc., most of these processes are carried out in the chamber of the substrate processing equipment designed to the optimum environment for the process.

특히 최근에는 기판처리능력을 높이기 위해 공정챔버(process chamber), 로드락챔버(load lock chamber), 상기 로드락챔버와 공정챔버 사이에서 기판을 이송 하는 이송챔버(transfer chamber) 등이 일체로 연결된 형태의 기판처리장치가 많이 사용되고 있으며, 기판처리장치의 챔버 배치형태는 다수의 기판을 독립적으로 병렬로 처리하는 클러스트형(cluster type)과 다수의 기판을 일련의 순차적인 공정을 거치게 하여 직렬로 처리하는 인라인형(in-line type)으로 나눌 수 있다. In particular, in recent years, a process chamber, a load lock chamber, and a transfer chamber for transferring a substrate between the load lock chamber and the process chamber are integrally connected in order to increase substrate processing capability. The substrate processing apparatus of the substrate is widely used, and the chamber arrangement of the substrate processing apparatus is a cluster type for processing a plurality of substrates independently and in parallel and a series of sequential processes for processing a plurality of substrates in series. It can be divided into in-line type.

도 1은 종래의 클러스트형 기판처리장비의 평면도이다.1 is a plan view of a conventional cluster type substrate processing equipment.

도 1에 도시한 바와 같이, 클러스트형 기판처리장비(60)는 이송챔버(10), 공정챔버(20), 로드락챔버(30), 이송부(40) 및 로드포트(load port: 50)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the cluster type substrate processing equipment 60 includes a transfer chamber 10, a process chamber 20, a load lock chamber 30, a transfer unit 40, and a load port 50. Include.

다수의 공정챔버(20)와 다수의 로드락챔버(30)는 이송챔버(10)의 둘레에 방사형으로 결합되며, 이송부(40)의 일 측부는 로드락챔버(30)와 연결되고, 이송부(40)의 타 측부는 장비 외부와 기판(S)을 교환하는 로드포트(50)와 연결된다. The plurality of process chambers 20 and the plurality of load lock chambers 30 are radially coupled around the transfer chamber 10, one side of the transfer unit 40 is connected to the load lock chamber 30, and the transfer unit ( The other side of the 40 is connected to the load port 50 for exchanging the substrate (S) with the outside of the equipment.

공정챔버(20)는 각각 고진공(저압) 상태를 유지하면서 기판(S)에 대한 박막증착, 식각 등의 공정을 수행하는 공간이고, 이송챔버(10)는 내부에 위치하는 이송챔버 로봇(12)에 의해 공정챔버(20)와 공정챔버(20) 사이 또는 공정챔버(20)와 로드락챔버(30) 사이에서 기판(S)을 이송하는 공간으로서 진공 상태를 유지한다. The process chamber 20 is a space for performing processes such as thin film deposition and etching on the substrate S while maintaining a high vacuum (low pressure) state, and the transfer chamber 10 is a transfer chamber robot 12 located therein. The vacuum state is maintained as a space for transferring the substrate S between the process chamber 20 and the process chamber 20 or between the process chamber 20 and the load lock chamber 30.

이송챔버(10)와 공정챔버(20)의 사이에는 기판출입과정에서 개폐되는 제1슬롯밸브(22)가 설치되며, 이송챔버(10)와 로드락챔버(30)의 사이에는 제2슬롯밸브(32)가 설치된다. A first slot valve 22 is opened and closed between the transfer chamber 10 and the process chamber 20 to open and close the substrate. The second slot valve is between the transfer chamber 10 and the load lock chamber 30. 32 is installed.

이송부(40)는 내부의 이송부 로봇(42)을 이용하여 미처리 기판(S)을 로드락챔버(30)로 반입하거나 공정을 끝낸 기판(S)을 로드락챔버(30)로부터 로드포트(50)로 반출하는 공간으로서, 대기압 상태를 유지하며, 로드포트(50)에는 기판(S)을 적 재한 카세트(미도시)가 놓여진다. The transfer unit 40 loads the unprocessed substrate S into the load lock chamber 30 or transfers the substrate S from the load lock chamber 30 to the load port 50 using the internal transfer robot 42. As a space to be carried out, the atmospheric pressure is maintained, and a cassette (not shown) loaded with the substrate S is placed in the load port 50.

로드락챔버(30)는 진공상태인 이송챔버(10)와 대기압 상태인 이송부(40)와의 사이에서 완충역할을 하기 위해 이송챔버(10)와 연결될 때는 진공상태로 전환되고 이송부(40)와 연결될 때는 대기압상태로 전환되므로, 기판교환과정에서 진공상태와 대기압상태를 반복한다. When the load lock chamber 30 is connected with the transfer chamber 10 to play a buffer role between the transfer chamber 10 in a vacuum state and the transfer unit 40 in atmospheric pressure, the load lock chamber 30 is converted into a vacuum state and connected to the transfer unit 40. In this case, the vacuum state and the atmospheric state are repeated during the substrate exchange process.

그리고 기판처리속도를 높이기 위해서 2개 이상의 로드락챔버(30)가 이송챔버(10)의 측면에 연결되기도 하며, 로드락챔버(30)의 내부에는 기판(S)을 안치하는 슬롯이 하나 이상 설치된다. In order to increase the substrate processing speed, two or more load lock chambers 30 may be connected to the side of the transfer chamber 10, and at least one slot may be installed in the load lock chamber 30 to set the substrate S therein. do.

도 2는 종래의 인라인형 기판처리장비의 평면도이다. 2 is a plan view of a conventional inline substrate processing equipment.

도 2에 도시한 바와 같이, 인라인형 기판처리장비(160)는 이송챔버(110), 공정챔버(120) 및 로드락챔버(130)를 포함한다. As shown in FIG. 2, the inline substrate processing apparatus 160 includes a transfer chamber 110, a process chamber 120, and a load lock chamber 130.

다수의 공정챔버(120)와 로드락챔버(130)는 장방형의 이송챔버(110)의 장변을 따라 일렬로 연결된다. 따라서 클러스터형 기판처리장비(도 1의 60)와는 달리 이송챔버(110)에 연결되는 공정챔버(120) 및 로드락챔버(130)의 개수를 용이하게 늘릴 수 있다. 다만 이송챔버(110) 내부의 이송챔버로봇(112)의 이동속도나 거리 등을 감안하여 연결되는 공정챔버(120) 및 로드락챔버(130)의 개수가 제한될 수 있다. The plurality of process chambers 120 and the load lock chamber 130 are connected in a line along the long side of the rectangular transfer chamber 110. Therefore, unlike the cluster type substrate processing equipment (60 of FIG. 1), the number of process chambers 120 and the load lock chamber 130 connected to the transfer chamber 110 can be easily increased. However, the number of process chambers 120 and the load lock chamber 130 connected in consideration of the moving speed or distance of the transfer chamber robot 112 in the transfer chamber 110 may be limited.

이송챔버(110) 내부의 이송챔버 로봇(112)의 직선왕복운동을 위해 가이드레일(114)이 설치되고, 이송챔버 로봇(112)은 상기 가이드레일(114)을 따라 이동하면 서 공정챔버(120) 또는 로드락챔버(130)와 기판(S)을 교환한다. The guide rail 114 is installed for the linear reciprocating motion of the transfer chamber robot 112 in the transfer chamber 110, and the transfer chamber robot 112 moves along the guide rail 114. ) Or exchange the load lock chamber 130 and the substrate (S).

이러한 기판처리장비에서, 이송챔버(10, 110)의 주위에 연결되는 로드락챔버(30, 130)는 단일 슬롯을 갖도록 제조되는 경우도 있지만, 도 3에 도시된 바와 같이 2개 이상의 슬롯을 갖도록 제조되는 경우도 있다. In such substrate processing equipment, the load lock chambers 30 and 130 connected around the transfer chambers 10 and 110 may be manufactured to have a single slot, but may have two or more slots as shown in FIG. 3. It may be manufactured.

도 3은 종래의 기판처리장비의 로드락챔버의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a load lock chamber of a conventional substrate processing equipment.

도 3에 도시한 바와 같이, 로드락챔버(230)는, 각각 서로 마주보며 이격되어 바닥 및 덮게 역할을 하는 하판 (231) 및 상판(232)과, 하판 및 상판(231, 232)과 연결되어 내부공간을 정의하는 측벽(233)과, 그 내부 중앙부에 형성되어 내부공간을 하부의 제1슬롯(230a) 및 상부의 제2슬롯(230b)으로 분리 정의하는 내벽(234)을 포함한다. 여기서 하판, 상판, 측벽 및 내벽(231, 232, 233, 234)은 일체형으로 이루어진다. As shown in FIG. 3, the load lock chamber 230 is connected to the lower plate 231 and the upper plate 232, which are spaced apart from each other facing each other and serve as a bottom and a cover, and the lower plate and the upper plate 231 and 232, respectively. A side wall 233 defining an inner space and an inner wall 234 formed at an inner central portion thereof to separate and define an inner space into a lower first slot 230a and an upper second slot 230b. Here, the lower plate, the upper plate, the side wall, and the inner wall 231, 232, 233, 234 is formed in one piece.

제1 및 제2슬롯(230a, 230b)의 일 측벽에는 대기압상태의 이송부와 연결되는 제1기판출입구(236)가 각각 형성되고, 제1 및 제2슬롯(230a, 230b)의 타 측벽에는 진공상태의 이송챔버와 연결되는 제2기판출입구(235)가 각각 형성된다.A first substrate entrance 236 is formed on one sidewall of the first and second slots 230a and 230b, respectively, and is connected to the transfer part at atmospheric pressure, and a vacuum is formed on the other sidewalls of the first and second slots 230a and 230b. Second substrate entrances 235 connected to the transfer chamber in a state are respectively formed.

제1기판출입구(236)에는 제1 및 제2슬롯(230a, 230b)과 외부의 연통을 제어하는 도어(237)가 각각 형성되는데, 제1 및 제2슬롯(230a, 230b)이 진공상태인 경우 도어(237)는 제1기판출입구(236)를 밀폐하며 이를 위하여 제1기판출입구(236) 쪽의 측벽(233)과 각 도어(237) 사이에는 오-링(O-ring) 등의 진공밀폐(vacuum sealing) 수단(미도시)이 개재된다. First and second slots 230a and 230b and doors 237 for controlling communication with the outside are formed at the first substrate entrance 236, respectively, and the first and second slots 230a and 230b are in a vacuum state. In this case, the door 237 seals the first substrate entrance 236 and a vacuum such as an O-ring between the side wall 233 of the first substrate entrance 236 and each door 237 for this purpose. A sealing means (not shown) is interposed.

또한 제1 및 제2슬롯(230a, 230b) 각각의 내부에는 외부에서 반입된 기판을 일시 안치하는 기판안치대(238)가 형성되는데, 기판과 기판안치대(238) 사이에 로봇암의 출입공간을 확보하기 위하여 기판안치대(238)의 상면에는 기판을 거치하는 리프트핀(미도시)이 돌출된다. 기판안치대(238)는 하나의 슬롯 내에 2개 이상이 설치될 수도 있다. In addition, inside each of the first and second slots 230a and 230b, a substrate support 238 is formed to temporarily set the substrate loaded from the outside. An access space of the robot arm is provided between the substrate and the substrate support 238. In order to secure the upper surface of the substrate support 238, a lift pin (not shown) for mounting the substrate protrudes. Two or more substrate support 238 may be installed in one slot.

그리고 제1 및 제2슬롯(230a, 230b) 각각은 진공상태와 대기압상태를 교대로 반복하여 유지하는데, 이를 위하여 제1 및 제2슬롯(230a, 230b) 각각에는 진공으로 감압하는 배기라인(미도시)과 대기압으로 가압하는 흡기라인(미도시)이 연결된다. In addition, each of the first and second slots 230a and 230b alternately maintains a vacuum state and an atmospheric pressure state. For this purpose, each of the first and second slots 230a and 230b has an exhaust line for reducing the vacuum pressure (not shown). C) and an intake line (not shown) pressurized to atmospheric pressure.

기판처리장비의 로드락챔버(230)는 대기압상태와 진공상태를 교대로 반복하여 갖게 되는데, 이에 따라 로드락챔버(230)의 하판, 상판, 측벽 및 내벽(231, 232, 233, 234)은 로드락챔버(230) 내외부의 압력차이의 변동에 의하여 주기적으로 변하는 힘을 받게 된다. The load lock chamber 230 of the substrate processing equipment alternately has an atmospheric pressure state and a vacuum state alternately. Accordingly, the lower plate, the upper plate, the side walls, and the inner walls 231, 232, 233, and 234 of the load lock chamber 230 are alternately provided. The load lock chamber 230 receives a force that is periodically changed by a change in the pressure difference inside and outside.

즉, 로드락챔버(230)가 진공상태인 경우에는 하판, 상판 및 측벽(231, 232, 233)이 외부에서 내부로 압축력(compressive force)을 받게 되고, 로드락챔버(230)가 대기압상태인 경우에는 하판, 상판 및 측벽(231, 232, 233)에 가해졌던 압축력이 해소된다. That is, when the load lock chamber 230 is in a vacuum state, the lower plate, the upper plate, and the side walls 231, 232, and 233 receive a compressive force from the outside to the inside, and the load lock chamber 230 is at atmospheric pressure. In this case, the compressive force applied to the lower plate, the upper plate and the side walls 231, 232, and 233 is eliminated.

또한, 제1 및 제2슬롯(230a, 230b)은 서로 격리되어 독립적으로 동작하는 공간이므로, 제1슬롯(230a)이 진공상태이고 제2슬롯(230b)이 대기압상태인 경우에는 내벽(234)이 상부로 힘을 받게 되고, 제1슬롯(230a)이 대기압상태이고 제2슬롯(230b)이 진공상태인 경우에는 내벽(234)이 하부로 힘을 받게 된다. In addition, since the first and second slots 230a and 230b are spaces that are separated from each other and operate independently, the inner wall 234 when the first slot 230a is in a vacuum state and the second slot 230b is in an atmospheric pressure state. When the first slot 230a is at atmospheric pressure and the second slot 230b is in a vacuum state, the inner wall 234 is forced downward.

대면적 평판표시장치의 크기 증가 및 그에 따른 기판과 기판처리장비의 크기 증가에 따라 이러한 반복적인 힘이 기판처리장비의 로드락챔버에 미치는 영향은 더욱 증가하는데, 예를 들어 압력차이 변동에 의한 반복적인 힘의 변화에 따라 로드락챔버의 하판, 상판 및 내벽에 휨과 같은 변형이 발생한다. As the size of a large area flat panel display device increases, and thus the size of the substrate and the substrate processing equipment increases, the effect of this repetitive force on the load lock chamber of the substrate processing equipment increases, for example, due to variations in the pressure difference. According to the change of the phosphorous force, deformation such as bending occurs in the lower plate, the upper plate and the inner wall of the load lock chamber.

도 4는 도 3의 로드락챔버가 변형된 경우를 도시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view illustrating a case in which the load lock chamber of FIG. 3 is deformed.

도 4에 도시한 바와 같이, 기판처리장비의 로드락챔버(230)의 제1슬롯(230a)은 대기압상태이고 제2슬롯(230b)은 진공상태인 경우, 제2슬롯(230b)을 이루는 상판(232), 측벽(233) 및 내벽(234)은 제2슬롯(230b) 내부를 향하는 압축력을 받게 되고, 이에 의하여 상대적으로 넓은 면적을 갖는 상판(232) 및 내벽(234)의 중앙부가 제2슬롯(230b) 내부를 향하여 휘는 현상이 발생한다. As shown in FIG. 4, when the first slot 230a of the load lock chamber 230 of the substrate processing equipment is at atmospheric pressure and the second slot 230b is in a vacuum state, the upper plate forming the second slot 230b is formed. 232, the side wall 233, and the inner wall 234 are subjected to a compressive force toward the inside of the second slot 230b, whereby a center portion of the upper plate 232 and the inner wall 234 having a relatively large area are second to the second. Bend phenomenon occurs toward the inside of the slot (230b).

그 후, 다시 제1 및 제2슬롯(230a, 230b)이 모두 대기압상태인 경우에는 압축력이 해소되어 도 3의 형태로 복원되는데, 이에 따라 기판처리장비의 동작 중에 로드락챔버(230)의 하판(231), 상판(232) 및 내벽(234)은 변형과 복원을 반복하게 되고, 이러한 변형 및 복원에 의하여 측벽(233)이 상하방향의 힘을 받아 상하로 이동하게 되며 도어(237)와 측벽(233) 사이가 원하지 않은 거리로 이격되어 진공상태 유지에 악영향을 미친다. Thereafter, when the first and second slots 230a and 230b are both at atmospheric pressure, the compressive force is released and restored to the shape of FIG. 3. Accordingly, the lower plate of the load lock chamber 230 during the operation of the substrate processing equipment is performed. 231, the top plate 232 and the inner wall 234 are repeatedly deformed and restored, and by the deformed and restored, the side wall 233 is moved up and down by the force in the vertical direction, and the door 237 and the side wall. (233) spaced at an undesired distance, adversely affects the maintenance of the vacuum.

또한, 도어(237)와 측벽(233) 사이에 개재되는 진공밀폐수단인 단면이 O자 형태인 오-링은 수평방향의 힘에는 높은 내마모성을 가지나, 수직방향의 힘에 대해서는 내마모성이 매우 낮다. 오-링은 각각 일점에서 도어(237) 및 측벽(233)과 접촉하는데, 도어(237) 및 측벽(233)의 상하 이동에 의하여 각 접촉점은 서로 반대방 향으로 힘을 받고, 오-링은 반대방향의 힘에 의하여 오-링 중심을 기준으로 하는 회전력을 받게 된다. 오-링은 회전에 의하여 도어(237) 및 측벽(233)과 마찰하고 그 결과 마모된다. In addition, the O-ring having an O-shaped cross section, which is a vacuum sealing means interposed between the door 237 and the side wall 233, has high abrasion resistance to the horizontal force but very low abrasion resistance to the vertical force. The o-rings are in contact with the door 237 and the side wall 233 at one point, respectively, and the contact points are forced in opposite directions by the vertical movement of the door 237 and the side wall 233. The force in the opposite direction receives the rotational force about the center of the o-ring. The o-ring rubs against the door 237 and the side walls 233 by rotation and as a result wears.

즉, 로드락챔버(230) 측벽(233)의 주기적인 상하방향의 이동은 오-링 손상 및 로드락챔버(230)의 진공상태 파괴를 초래하고, 오-링의 교체를 위한 기판처리장비의 가동 중단에 의한 생산 원가 증가를 유발한다. That is, the periodic vertical movement of the sidewall 233 of the load lock chamber 230 causes the o-ring damage and the vacuum breakage of the load lock chamber 230, and the substrate processing equipment for replacing the o-ring. It causes production costs to increase due to downtime.

도시하지는 않았지만, 인-라인 타입의 기판처리장비의 경우에도 로드락챔버의 형태는 동일하며, 위의 문제점은 동일하게 존재한다.Although not shown, in the case of the in-line type substrate processing equipment, the shape of the load lock chamber is the same, and the above problems are the same.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 압력차이 변동에 의한 로드락챔버 측벽의 상하이동에도 안정적으로 압력을 유지하고 진공밀폐수단의 마모를 최소화할 수 있는 로드락챔버 및 그를 포함하는 기판처리장비를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the above problems, and includes a load lock chamber and a load lock chamber capable of maintaining a stable pressure and minimizing wear of the vacuum sealing means even in the shanghai of the load lock chamber side wall caused by the pressure difference fluctuations Its purpose is to provide substrate processing equipment.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 서로 마주보며 이격된 하판 및 상판과; 상기 하판 및 상판에 연결되어 내부공간을 정의하고, 기판출입구가 형성된 측벽과; 상기 기판출입구 외부에 배치되는 완충판과; 상기 완충판과 상기 측벽 사이에 개재되고, 단면이 개곡선인 링 형태의 제1진공밀폐수단과; 상기 완충판 외부에 배치되는 도어를 포함하는 기판처리장비용 로드락챔버를 제공한다. The present invention is to achieve the above object, and the lower and spaced apart facing each other; A side wall connected to the lower plate and the upper plate to define an inner space and having a substrate entrance; A buffer plate disposed outside the substrate entrance; A first vacuum sealing means interposed between the buffer plate and the side wall and having a ring-shaped cross section; It provides a load lock chamber for a substrate processing equipment including a door disposed outside the buffer plate.

상기 제1진공밀폐수단은 그 단면이 U자 또는 V자이고, 상기 제1기판출입구 둘레에 대응되도록 배치되고, 상기 완충판에는 상기 기판출입구에 대응되는 개구부가 형성되고, 상기 완충판은 체결수단 또는 그 양단에 연결되는 한쌍의 지지대에 의하여 고정된다. The first vacuum sealing means has a U-shaped or V-shaped cross section and is arranged to correspond to the circumference of the first substrate entrance, the buffer plate is formed with an opening corresponding to the substrate entrance, and the buffer plate is a fastening means or its It is fixed by a pair of supports connected to both ends.

그리고, 상기 기판처리장비용 로드락챔버는 상기 완충판과 상기 측벽 사이에 개재되어 이격간격을 유지하는 간격유지수단과, 상기 도어와 상기 완충판 사이에 개재되는 제2진공밀폐수단을 더욱 포함할 수 있다. The load lock chamber for substrate processing equipment may further include a gap holding means interposed between the buffer plate and the side wall to maintain a separation gap, and a second vacuum sealing means interposed between the door and the buffer plate.

또한, 상기 기판처리장비용 로드락챔버는 상기 기판 출입구 둘레의 상기 측벽으로부터 수평 방향으로 돌출된 돌출부를 더욱 포함하고, 상기 완충판은 상기 기판출입구에 대응되는 개구부가 형성된 수직부와, 상기 수직부로부터 수평 방향으로 돌출되어 상기 돌출부에 대응되는 수평부로 이루어질 수 있다. In addition, the load lock chamber for the substrate processing equipment further includes a protrusion projecting in the horizontal direction from the side wall around the substrate entrance, the buffer plate is a vertical portion formed with an opening corresponding to the substrate entrance, and horizontal from the vertical portion Protruding in the direction may be made of a horizontal portion corresponding to the protrusion.

이 경우, 상기 진공밀폐수단은 상기 수평부와 상기 돌출부 사이에 개재된다. In this case, the vacuum sealing means is interposed between the horizontal portion and the protrusion.

상기 기판처리장비용 로드락챔버는 상기 내부공간 중앙부에 형성되어 상기 내부공간을 적어도 둘의 슬롯으로 분리 정의하는 적어도 하나의 내벽을 더욱 포함한다. The load lock chamber for the substrate processing equipment further includes at least one inner wall formed at a central portion of the inner space to separate and define the inner space into at least two slots.

다른 한편, 본 발명은, 외부와 기판을 교환하는 로드포트와; 상기 로드포트에 연결되며 대기압상태인 이송부와; 상기 이송부에 연결되며 진공상태와 대기압상태를 반복하는 로드락챔버로서, 서로 마주보며 이격된 하판 및 상판과, 상기 하판 및 상판에 연결되어 내부공간을 정의하고, 제1기판출입구가 형성된 측벽과, 상기 제1기판출입구 외부에 배치되는 완충판과, 상기 완충판과 상기 측벽 사이에 개재되고, 단면이 개곡선인 링 형태의 제1진공밀폐수단과, 상기 완충판 외부에 배치되는 도어를 포함하는 상기 로드락챔버와; 상기 로드락챔버에 연결되어 상기 기판을 이송하는 이송챔버와; 상기 이송챔버에 연결되어 상기 기판을 처리하는 적어도 하나의 공정챔버를 포함하는 기판처리장비를 제공한다. On the other hand, the present invention, the load port for exchanging the substrate with the outside; A transfer part connected to the load port and at atmospheric pressure; A load lock chamber connected to the transfer unit and repeating a vacuum state and an atmospheric pressure state, the lower plate and the upper plate facing each other and spaced apart from each other, connected to the lower plate and the upper plate to define an inner space, and a sidewall on which a first substrate entrance is formed; The load lock including a buffer plate disposed outside the first substrate entrance, a ring-shaped first vacuum sealing means interposed between the buffer plate and the side wall, and having an open cross section, and a door disposed outside the buffer plate. A chamber; A transfer chamber connected to the load lock chamber to transfer the substrate; Provided is a substrate processing apparatus including at least one process chamber connected to the transfer chamber to process the substrate.

본 발명에 의하면, 로드락챔버의 슬롯과 도어 사이에 완충판을 배치하고 슬 롯과 완충판 사이에 단면이 U자 또는 V자인 링 형태의 진공밀폐수단을 개재함으로써, 압력차이 변동에 의한 슬롯 측벽의 상하 이동이 도어로 전달되는 것을 방지하고, 진공밀폐수단 교체를 위한 기판처리장비의 가동 중단을 최소화 할 수 있다. 또한, 슬롯 측벽에 수평 방향의 돌출부를 형성하고 완충판의 수평부와 대응시킴으로써, 로드락챔버의 진공을 더욱 안정적으로 유지함과 동시에 진공밀폐수단의 마모를 더욱 방지할 수 있다. According to the present invention, by placing a buffer plate between the slot of the load lock chamber and the door, and through the vacuum sealing means of the U-shaped or V-shaped cross section between the slot and the buffer plate, the upper and lower sides of the slot side wall due to the pressure difference fluctuation The movement can be prevented from being transferred to the door, and the downtime of the substrate processing equipment for replacing the vacuum sealing means can be minimized. In addition, by forming a projection in the horizontal direction on the side wall of the slot and corresponding to the horizontal portion of the buffer plate, it is possible to maintain the vacuum of the load lock chamber more stably and to further prevent wear of the vacuum sealing means.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 살펴보면 다음과 같은데, 동일한 부분에 대해서는 도면부호만 달리할 뿐 동일한 명칭을 사용하기로 한다.Referring to the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings in detail as follows, for the same parts only the reference numerals will be used the same name.

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장비의 로드락챔버의 사시도이고, 도 6은 도 5의 절단선 VI-VI에 따른 단면도이고, 도 7은 도 6의 A부분의 확대도이다. 5 is a perspective view of a load lock chamber of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 5, and FIG. 7 is an enlarged view of portion A of FIG. 6. to be.

도 5, 6 및 7에 도시하지는 않았지만, 제1실시예에 따른 클러스터 타입 기판처리장비에서는, 로드락챔버(330)의 양단에 이송부 및 이송챔버가 연결되고, 이송부의 타측에 로드포트가 연결되고, 이송챔버 둘레로 다수의 공정챔버가 연결되며, 인-라인 타입 기판처리장비의 경우에도 도 5, 6 및 7의 로드락챔버(330)를 적용할 수 있다. Although not shown in Figures 5, 6 and 7, in the cluster type substrate processing apparatus according to the first embodiment, the transfer portion and the transfer chamber is connected to both ends of the load lock chamber 330, the load port is connected to the other side of the transfer portion A plurality of process chambers are connected around the transfer chamber, and the load lock chamber 330 of FIGS. 5, 6 and 7 may be applied to the in-line type substrate processing equipment.

도 5, 6 및 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장비의 로드락챔버(330)는, 서로 마주보며 이격되어 각각 바닥 및 덮게 역할을 하는 하판(331) 및 상판(332)과, 하판 및 상판(331, 332)과 연결되어 내부공간을 정의하는 측벽(333)과, 그 내부 중앙부에 형성되어 내부공간을 하부의 제1슬롯(330a) 및 상부의 제2슬롯(330b)으로 분리 정의하는 내벽(334)을 포함한다. 5, 6 and 7, the load lock chamber 330 of the substrate processing equipment according to the first embodiment of the present invention, the bottom plate 331 facing each other and spaced apart and serve as a floor and cover respectively; The upper plate 332, the side wall 333 connected to the lower plate and the upper plate 331, 332 to define an inner space, and formed in an inner central portion thereof to form the lower first slot 330a and the upper second portion. Slot 330b includes an inner wall 334 that defines separation.

여기서 하판, 상판, 측벽 및 내벽(331, 332, 333, 334)은 일체형으로 이루어지지만, 다른 실시예에서는 내벽을 두 부분으로 형성하여 제1 및 제2슬롯이 2개의 독립적 챔버가 되도록 구성할 수도 있다. 또한 제1실시예에서는 로드락챔버에 하나의 내벽에 의하여 2개의 슬롯이 구성된 것을 도시하였으나, 다른 실시예에서는 내벽을 제거하여 하나의 슬롯으로 구성할 수도 있고 내벽을 추가하여 로드락챔버가 포함하는 슬롯의 수를 셋 이상으로 구성할 수 있다. Here, the lower plate, the upper plate, the side wall, and the inner wall 331, 332, 333, and 334 are formed in one piece, but in another embodiment, the inner wall may be formed in two parts to configure the first and second slots to be two independent chambers. have. In addition, although the first embodiment shows that two slots are formed in the load lock chamber by one inner wall, in another embodiment, the inner wall may be configured as one slot by removing the inner wall, and the load lock chamber may be included by adding the inner wall. The number of slots can be configured more than three.

하판, 상판 및 내벽(331, 332, 334)은 기판의 크기에 대응되는 크기를 가지므로, 상대적으로 측벽(333)보다 큰 면적을 가진다. The lower plate, the upper plate, and the inner walls 331, 332, and 334 have a size corresponding to the size of the substrate, and thus have a larger area than the side wall 333.

제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 일 측벽(333)에는 대기압상태의 이송부(미도시)와 연결되는 제1기판출입구(336)가 각각 형성되고, 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 타 측벽(333)에는 진공상태의 이송챔버(미도시)와 연결되는 제2기판출입구(335)가 각각 형성된다.First sidewalls 333 of the first and second slots 330a and 330b are formed with first substrate entrances 336 connected to a transfer unit (not shown) at atmospheric pressure, respectively, and the first and second slots 330a, The second sidewall 333 of 330b is formed with a second substrate entrance 335 connected to a transfer chamber (not shown) in a vacuum state, respectively.

제1 및 제2슬롯(330a, 330b) 각각의 내부에는 외부에서 반입된 기판을 일시 안치하는 기판안치대(338)가 형성되는데, 기판과 기판안치대(338) 사이에 로봇암의 출입공간을 확보하기 위하여 기판안치대(338)의 상면에는 기판을 거치하는 리프트핀(미도시)이 돌출된다. 기판안치대(338)는 하나의 슬롯 내에 2개 이상이 설치될 수 있다. In each of the first and second slots 330a and 330b, a substrate support 338 is formed to temporarily set a substrate loaded from the outside. An entrance space of the robot arm is formed between the substrate and the substrate support 338. In order to secure the upper surface of the substrate support 338, a lift pin (not shown) for mounting the substrate protrudes. Two or more substrate support units 338 may be installed in one slot.

제1 및 제2슬롯(330a, 330b) 각각은 진공상태와 대기압상태를 교대로 반복하여 유지하는데, 이를 위하여 제1 및 제2슬롯(330a, 330b) 각각에는 진공으로 감압하는 배기라인(미도시)과 대기압으로 가압하는 흡기라인(미도시)이 연결된다. Each of the first and second slots 330a and 330b alternately maintains a vacuum state and an atmospheric pressure state, and for this purpose, an exhaust line (not shown) to depressurize the vacuum to each of the first and second slots 330a and 330b. ) And an intake line (not shown) pressurized to atmospheric pressure.

제1기판출입구(336) 외부로는 완충판(370)이 각각 배치되고, 완충판(370) 외부로는 도어(337)가 배치된다. The buffer plate 370 is disposed outside the first substrate entrance 336, and the door 337 is disposed outside the buffer plate 370.

완충판(370)은 한쌍의 지지대(378)에 그 양단이 연결되어 지지 고정되며, 완충판(370)에는 제1기판출입구(336)에 대응되는 개구부(372)가 형성된다. 이러한 완충판(370)은 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 압력차이 변동에 의한 하판, 상판 및 내벽(331, 332, 334)의 상하이동을 흡수 완충하여 도어(337)로 전달되는 것을 방지하는 역할을 한다. 한편, 다른 실시예에서는 완충판을 스크류 등의 체결수단을 이용하여 지지대 없이 챔버 측벽에 직접 고정할 수도 있다. Both ends of the buffer plate 370 are connected to and fixed to a pair of supports 378, and an opening 372 corresponding to the first substrate entrance 336 is formed in the buffer plate 370. The buffer plate 370 absorbs and buffers the shankdong of the lower plate, the upper plate, and the inner walls 331, 332, and 334 due to the pressure difference between the first and second slots 330a and 330b and is delivered to the door 337. Prevents. Meanwhile, in another embodiment, the buffer plate may be directly fixed to the chamber side wall without a support using a fastening means such as a screw.

도어(337)는 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)과 외부와의 연통을 제어하는데, 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)이 진공상태인 경우 도어(337)는 완충판(370)의 개구부(372)를 밀폐하고, 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)이 대기압상태인 경우 도어(337)는 완충판(370)의 개구부(372)를 개방한다. The door 337 controls communication between the first and second slots 330a and 330b and the outside. When the first and second slots 330a and 330b are in a vacuum state, the door 337 is a buffer plate 370. The opening 372 is sealed, and when the first and second slots 330a and 330b are at atmospheric pressure, the door 337 opens the opening 372 of the buffer plate 370.

이러한 압력 밀폐를 위하여 완충판(370)과 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 측 벽(333) 사이에는 제1진공밀폐수단(374)이 개재되며, 도어(337)와 완충판(370) 사이에는 제2진공밀폐수단(339)이 개재된다. 그리고, 제1 및 제2진공밀폐수단(374, 339)의 고정을 위하여 완충판(370)과 도어(337)에는 각각 제1 및 제2요입부(370a, 337a)가 형성된다. The first vacuum sealing means 374 is interposed between the buffer plate 370 and the side walls 333 of the first and second slots 330a and 330b to seal the pressure, and the door 337 and the buffer plate 370 are interposed therebetween. A second vacuum sealing means 339 is interposed therebetween. In addition, first and second recesses 370a and 337a are formed in the buffer plate 370 and the door 337 to fix the first and second vacuum sealing means 374 and 339.

또한, 완충판(370)과 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 측벽(333) 사이에 균일한 이격간격(d: 예를 들어, 약 3 mm)을 유지하기 위하여 간격유지수단(376)이 개재될 수 있는데, 간격유지수단(376)을 고정하기 위하여 완충판(370)에 제3요입부(370b)가 형성될 수 있다. In addition, the spacing means 376 maintains a uniform spacing d (e.g., about 3 mm) between the buffer plate 370 and the side walls 333 of the first and second slots 330a and 330b. It may be interposed, the third recessed portion 370b may be formed in the buffer plate 370 to fix the gap holding means 376.

여기서, 제1진공밀폐수단(374)은 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 측벽(333)의 상하방향의 이동에도 마모되지 않고 진공을 유지할 수 있도록 단면이 U자 또는 V자인 링 형태인 것을 특징으로 한다. 즉, 단면적으로 볼 때, 제1진공밀폐수단(374)은 한쪽이 떨어진 개곡선 형상을 가짐으로써, 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 측벽(333)과 접촉하는 제1접촉점(374a)이 상하로 이동한다고 하더라도 상하 이동에 의한 힘은 제1진공밀폐수단(374)에 흡수되어 완충판(370)과 접촉하는 제2접촉점(374b)은 상하로 이동하지 않는다. 따라서, 제1 진공밀폐수단(374)은 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 측벽(333)의 상하 이동에 강한 내마모성을 가지며 진공을 유지한다. 그리고 내마모성의 확보를 위하여 제1진공밀폐수단(374)은 예를 들어 수소화 니트릴 부타디엔 공중합 고무(hydrogenated nitrile butadiene rubber: HNBR) 등의 고분자 물질로 형성할 수 있다.Here, the first vacuum sealing means 374 has a U-shaped or V-shaped ring shape so as to maintain a vacuum without abrasion even in the vertical movement of the side walls 333 of the first and second slots 330a and 330b. It is characterized by that. That is, in cross-sectional view, the first vacuum sealing means 374 has an open curved shape in which one side is separated, thereby contacting the first contact point 374a in contact with the side walls 333 of the first and second slots 330a and 330b. Even if) moves up and down, the force due to the up and down movement is absorbed by the first vacuum sealing means 374 so that the second contact point 374b contacting the buffer plate 370 does not move up and down. Accordingly, the first vacuum sealing means 374 has abrasion resistance to the vertical movement of the side walls 333 of the first and second slots 330a and 330b and maintains a vacuum. In order to secure wear resistance, the first vacuum sealing means 374 may be formed of a polymer material such as hydrogenated nitrile butadiene rubber (HNBR).

또한, 제2진공밀폐수단(339)은 단면이 원형인 오-링으로 형성하거나, 단면이 U자 또는 V자인 링 형태로 형성하여 완충판(370)에 의한 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 측벽(333)의 상하 이동의 흡수 완충이 미흡할 경우에 대비할 수도 있다. In addition, the second vacuum sealing means 339 is formed in the shape of a ring having a circular cross-section or a U-shaped or V-shaped cross-section to the first and second slots 330a, 330b by the buffer plate 370 It is also possible to prepare for the case where the absorption buffer of the vertical movement of the side wall 333 of the () is insufficient.

따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장비에서는, 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 측벽(333)과 도어(337) 사이에 완충판(370)을 배치하고, 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 측벽(333)과 완충판(370) 사이에 단면이 U자 또는 V자인 링 형태의 제1진공밀폐수단(374)을 개재함으로써, 압력차이 변동에 의한 제1 및 제2슬롯(330a, 330b)의 측벽(333)의 상하 이동이 도어로 전달되는 것을 방지하고, 진공밀폐수단 교체를 위한 기판처리장비의 가동 중단을 최소화 할 수 있다. Therefore, in the substrate processing equipment according to the first embodiment of the present invention, the buffer plate 370 is disposed between the side walls 333 and the door 337 of the first and second slots 330a and 330b, Between the sidewalls 333 of the second slots 330a and 330b and the buffer plate 370, the first vacuum sealing means 374 having a U-shaped or V-shaped cross section is interposed, whereby the first and The vertical movement of the side walls 333 of the second slots 330a and 330b may be prevented from being transferred to the door, and the downtime of the substrate processing equipment for replacing the vacuum sealing means may be minimized.

한편, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장비에서는 완충판과 로드락챔버의 밀폐부가 수평으로 배치되도록 하여 로드락챔버의 상하이동에 대하여 더욱 안정적인 진공밀폐가 이루어진다. On the other hand, in the substrate processing equipment according to the second embodiment of the present invention, the sealing portions of the buffer plate and the load lock chamber are horizontally arranged, thereby achieving a more stable vacuum sealing for the shandong of the load lock chamber.

도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장비의 단면도이고, 도 9는 도 8의 B부분의 확대도이다.8 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is an enlarged view of a portion B of FIG. 8.

도 8 및 9에 도시하지는 않았지만, 제2실시예에 따른 클러스터 타입 기판처리장비에서는, 로드락챔버(430)의 양단에 이송부 및 이송챔버가 연결되고, 이송부의 타측에 로드포트가 연결되고, 이송챔버 둘레로 다수의 공정챔버가 연결되며, 인-라인 타입 기판처리장비의 경우에도 도 8 및 9의 로드락챔버(430)를 적용할 수 있다.Although not shown in Figures 8 and 9, in the cluster type substrate processing apparatus according to the second embodiment, the transfer portion and the transfer chamber is connected to both ends of the load lock chamber 430, the load port is connected to the other side of the transfer portion, the transfer A plurality of process chambers are connected around the chamber, and the load lock chamber 430 of FIGS. 8 and 9 may be applied to the in-line type substrate processing equipment.

도 8 및 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장비의 로드락챔버(430)는, 서로 마주보며 이격되어 각각 바닥 및 덮게 역할을 하는 하판(431) 및 상판(432)과, 하판 및 상판(431, 432)과 연결되어 내부공간을 정의하는 측벽(433)과, 그 내부 중앙부에 형성되어 내부공간을 하부의 제1슬롯(430a) 및 상부의 제2슬롯(430b)으로 분리 정의하는 내벽(434)을 포함한다. 8 and 9, the load lock chamber 430 of the substrate processing equipment according to the second embodiment of the present invention, the bottom plate 431 and the top plate facing each other are spaced apart and serve as a bottom and a cover, respectively ( 432, sidewalls 433 connected to the lower and upper plates 431 and 432 to define an inner space, and formed at an inner central portion thereof to form a lower first slot 430a and an upper second slot ( 430b) includes an inner wall 434 that defines separation.

여기서 하판, 상판, 측벽 및 내벽(431, 432, 433, 434)은 일체형으로 이루어지지만, 다른 실시예에서는 내벽을 두 부분으로 형성하여 제1 및 제2슬롯이 2개의 독립적 챔버가 되도록 구성할 수도 있다. 또한, 다른 실시예에서는 내벽을 제거하여 하나의 슬롯으로 구성할 수도 있고 내벽을 추가하여 로드락챔버가 포함하는 슬롯의 수를 셋 이상으로 구성할 수 있다. Here, the lower plate, the upper plate, the side wall, and the inner wall 431, 432, 433, 434 are formed in one piece, but in other embodiments, the inner wall may be formed in two parts so that the first and second slots are configured as two independent chambers. have. In another embodiment, the inner wall may be removed to form one slot, or the inner wall may be added to configure the number of slots included in the load lock chamber to three or more slots.

하판, 상판 및 내벽(431, 432, 434)은 기판의 크기에 대응되는 크기를 가지므로, 상대적으로 측벽(433)보다 큰 면적을 가진다. The lower plate, the upper plate, and the inner walls 431, 432, and 434 have a size corresponding to the size of the substrate, and thus have a larger area than the side wall 433.

제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 일 측벽(433)에는 대기압상태의 이송부(미도시)와 연결되는 제1기판출입구(436)가 각각 형성되고, 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 일 측벽(433)에는 진공상태의 이송챔버(미도시)와 연결되는 제2기판출입구(435)가 각각 형성된다.At one side wall 433 of the first and second slots 430a and 430b, a first substrate entrance 436 connected to a transfer unit (not shown) under atmospheric pressure is formed, respectively, and the first and second slots 430a, Second sidewalls 433 of 430b are each formed with a second substrate entrance 435 connected to a transfer chamber (not shown) in a vacuum state.

또한, 이송부(미도시)와 연결되는 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 타 측벽(433)의 제1기판출입구(436) 둘레에는 수평 방향으로 돌출된 돌출부(433a)가 형성된다. In addition, a protrusion 433a protruding in the horizontal direction is formed around the first substrate entrance 436 of the other sidewall 433 of the first and second slots 430a and 430b connected to the transfer unit (not shown).

제1 및 제2슬롯(430a, 430b) 각각의 내부에는 외부에서 반입된 기판을 일시 안치하는 기판안치대(438)가 형성되는데, 기판과 기판안치대(438) 사이에 로봇암의 출입공간을 확보하기 위하여 기판안치대(438)의 상면에는 기판을 거치하는 리프트핀(미도시)이 돌출된다. 기판안치대(438)는 하나의 슬롯 내에 2개 이상이 설치될 수 있다. Inside each of the first and second slots 430a and 430b, a substrate support 438 for temporarily placing a substrate loaded from the outside is formed. An entrance space of the robot arm is formed between the substrate and the substrate support 438. In order to secure the upper surface of the substrate support 438, a lift pin (not shown) for mounting the substrate protrudes. Two or more substrate support 438 may be installed in one slot.

제1 및 제2슬롯(430a, 430b) 각각은 진공상태와 대기압상태를 교대로 반복하여 유지하는데, 이를 위하여 제1 및 제2슬롯(430a, 430b) 각각에는 진공으로 감압하는 배기라인(미도시)과 대기압으로 가압하는 흡기라인(미도시)이 연결된다. Each of the first and second slots 430a and 430b alternately maintains a vacuum state and an atmospheric pressure state, and for this purpose, an exhaust line (not shown) to depressurize the vacuum to each of the first and second slots 430a and 430b. ) And an intake line (not shown) pressurized to atmospheric pressure.

제1기판출입구(436) 외부로는 완충판(470)이 각각 배치되고, 완충판(470) 외부로는 도어(437)가 배치된다. A buffer plate 470 is disposed outside the first substrate entrance 436, and a door 437 is disposed outside the buffer plate 470.

완충판(470)은 한쌍의 지지대(미도시)에 그 양단이 연결되어 지지 고정되며, 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 압력차이 변동에 의한 하판, 상판 및 내벽(431, 432, 434)의 상하이동을 흡수 완충하여 도어(437)로 전달되는 것을 방지하는 역할을 한다. 한편, 다른 실시예에서는 완충판을 스크류 등의 체결수단을 이용하여 지지대 없이 챔버 측벽에 직접 고정할 수도 있다.Both ends of the buffer plate 470 are connected to and fixed to a pair of supports (not shown), and the lower plate, the upper plate, and the inner wall 431, 432, 434 due to the pressure difference between the first and second slots 430a and 430b. Absorbs and buffers the shangdong of the () to prevent the transfer to the door (437). Meanwhile, in another embodiment, the buffer plate may be directly fixed to the chamber side wall without a support using a fastening means such as a screw.

완충판(470)은 제1기판출입구(436)에 대응되는 개구부(472)가 형성된 수직부(477)와, 수직부(477)로부터 수평방향으로 돌출된 수평부(478)를 포함한다. 수평부(478)는 측벽(433)의 돌출부(433a)에 대응되어 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 진공밀폐를 유지하는 부분이다. 즉, 제2실시예에 따른 기판처리장비의 로드락챔버(430)에서는 진공밀폐를 유지하는 돌출부(433a)와 수평부(478)가 수평으로 배치되며, 압력차이 변동에 따른 측벽(433)의 상하이동에 의한 힘이 돌출부(433a)에 전 달되는 경우에도 수평부(478)가 이를 받치는 역할을 함으로써 더욱 안정적으로 진공을 유지할 수 있다. The buffer plate 470 includes a vertical portion 477 having an opening 472 corresponding to the first substrate entrance 436, and a horizontal portion 478 protruding horizontally from the vertical portion 477. The horizontal portion 478 corresponds to the protrusion 433a of the side wall 433 to maintain the vacuum sealing of the first and second slots 430a and 430b. That is, in the load lock chamber 430 of the substrate processing apparatus according to the second embodiment, the protrusion 433a and the horizontal portion 478 are arranged horizontally to maintain the vacuum tightness, and the sidewalls 433 of the sidewalls according to the pressure difference change. Even when the force due to the shangdong is transmitted to the protrusion 433a, the horizontal portion 478 serves to support it, thereby maintaining the vacuum more stably.

도어(437)는 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)과 외부와의 연통을 제어하는데, 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)이 진공상태인 경우 도어(437)는 완충판(470)의 개구부(472)를 밀폐하고, 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)이 대기압상태인 경우 도어(437)는 완충판(470)의 개구부(472)를 개방한다. The door 437 controls communication between the first and second slots 430a and 430b and the outside. When the first and second slots 430a and 430b are in a vacuum state, the door 437 is a buffer plate 470. The opening 472 is sealed, and when the first and second slots 430a and 430b are at atmospheric pressure, the door 437 opens the opening 472 of the buffer plate 470.

이러한 압력 밀폐를 위하여 완충판(470)의 수평부(478)와 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 측벽(433)의 돌출부(433a) 사이에는 제1진공밀폐수단(474)이 개재되며, 도어(437)와 완충판(470)의 수직부(477) 사이에는 제2진공밀폐수단(439)이 개재된다. 그리고, 제1 및 제2진공밀폐수단(474, 439)의 고정을 위하여 완충판(470)의 수평부(478)와 도어(437)에는 각각 제1 및 제2요입부(470a, 437a)가 형성된다. The first vacuum sealing means 474 is interposed between the horizontal portion 478 of the buffer plate 470 and the protrusion 433a of the side walls 433 of the first and second slots 430a and 430b to seal the pressure. The second vacuum sealing means 439 is interposed between the door 437 and the vertical portion 477 of the buffer plate 470. First and second recesses 470a and 437a are formed in the horizontal portion 478 and the door 437 of the buffer plate 470 to fix the first and second vacuum sealing means 474 and 439, respectively. do.

또한, 완충판(470)의 수평부(478)와 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 측벽(433)의 돌출부(433a) 사이에 균일한 이격간격(d: 예를 들어, 약 3 mm)을 유지하기 위하여 간격유지수단(476)이 개재될 수 있는데, 간격유지수단(476)을 고정하기 위하여 완충판(470)의 수평부(478)에 제3요입부(470b)가 형성될 수 있다. In addition, a uniform spacing d between the horizontal portion 478 of the buffer plate 470 and the protrusion 433a of the side walls 433 of the first and second slots 430a and 430b may be, for example, about 3 mm. The gap holding means 476 may be interposed to maintain the gap, and a third recess 470b may be formed in the horizontal portion 478 of the buffer plate 470 to fix the gap holding means 476. .

여기서, 제1진공밀폐수단(374)은 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 측벽(433)의 돌출부(433a)의 상하방향의 이동에도 마모되지 않고 진공을 유지할 수 있도록 단면이 U자 또는 V자인 링 형태인 것을 특징으로 한다. 압력차이 변동에 의한 측벽(433)의 상하이동의 일부 성분은 돌출부(433a)의 좌우이동으로 변할 수 있는데, 제1진공밀폐수단(474)은, 단면적으로 볼 때, 한쪽이 떨어진 개곡선 형상을 가짐으로써, 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 측벽(433)의 돌출부(433a)와 접촉하는 제1접촉점(474a)이 좌우로 이동한다고 하더라도 좌우 이동에 의한 힘은 제1진공밀폐수단(474)에 흡수되어 완충판(470)의 수평부(478)와 접촉하는 제2접촉점(474b)은 좌우로 이동하지 않는다. 따라서, 제1 진공밀폐수단(474)은 제1 및 제2슬롯(430a, 330b)의 측벽(433)의 돌출부(433a)의 좌우 이동에 강한 내마모성을 가지며 진공을 유지한다. 그리고 내마모성의 확보를 위하여 제1진공밀폐수단(474)은 예를 들어 수소화 니트릴 부타디엔 공중합 고무(hydrogenated nitrile butadiene rubber: HNBR) 등의 고분자 물질로 형성할 수 있다.Here, the first vacuum sealing means 374 has a U-shaped cross section to maintain the vacuum without abrasion even in the vertical movement of the protrusions 433a of the side walls 433 of the first and second slots (430a, 430b) Or a V-shaped ring. Some components of the shanghai copper of the side wall 433 due to the pressure difference can be changed by the left and right movement of the protrusion 433a. The first vacuum sealing means 474 has a curved shape in which one side is separated in cross section. Thus, even if the first contact point 474a in contact with the protruding portion 433a of the side walls 433 of the first and second slots 430a and 430b moves left and right, the force due to the left and right movement is not limited to the first vacuum sealing means ( The second contact point 474b absorbed by the 474 and contacting the horizontal portion 478 of the buffer plate 470 does not move left and right. Accordingly, the first vacuum sealing means 474 has abrasion resistance to the left and right movement of the protrusion 433a of the side walls 433 of the first and second slots 430a and 330b and maintains a vacuum. In order to secure wear resistance, the first vacuum-sealing means 474 may be formed of a polymer material such as hydrogenated nitrile butadiene rubber (HNBR).

또한, 제2진공밀폐수단(439)은 단면이 원형인 오-링으로 형성하거나, 단면이 U자 또는 V자인 링 형태로 형성하여 완충판(470)에 의한 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 측벽(433)의 상하 이동의 흡수 완충이 미흡할 경우에 대비할 수도 있다. In addition, the second vacuum sealing means 439 is formed in the shape of a ring having a circular cross-section or a U-shaped or V-shaped cross-section first and second slots 430a, 430b by the buffer plate 470 It is also possible to prepare for the case where the absorption buffer of the vertical movement of the side wall 433 of the () is insufficient.

따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장비에서는, 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 측벽(433)과 도어(437) 사이에 완충판(470)을 배치하고, 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 측벽(433)의 돌출부(433a)와 완충판(470)의 수평부(478) 사이에 단면이 U자 또는 V자인 링 형태의 제1진공밀폐수단(474)을 개재함으로써, 압력차이 변동에 의한 제1 및 제2슬롯(430a, 430b)의 측벽(433)의 상하 이동이 도어로 전달되는 것을 방지하고, 진공밀폐수단 교체를 위한 기판처리장비의 가동 중단을 최소화 할 수 있다. Therefore, in the substrate processing equipment according to the second embodiment of the present invention, the buffer plate 470 is disposed between the side walls 433 and the door 437 of the first and second slots 430a and 430b, Between the protrusion 433a of the side walls 433 of the second slots 430a and 430b and the horizontal portion 478 of the buffer plate 470, a first vacuum sealing means 474 having a U-shaped or V-shaped cross section is formed. By interposing, the vertical movement of the side walls 433 of the first and second slots 430a and 430b due to the pressure difference is prevented from being transferred to the door, and the downtime of the substrate processing equipment for replacing the vacuum sealing means is minimized. can do.

도 1은 종래의 클러스트형 기판처리장비의 평면도.1 is a plan view of a conventional cluster type substrate processing equipment.

도 2는 종래의 인라인형 기판처리장비의 평면도.Figure 2 is a plan view of a conventional inline substrate processing equipment.

도 3은 종래의 기판처리장비의 로드락챔버의 단면도.3 is a cross-sectional view of a load lock chamber of a conventional substrate processing equipment.

도 4는 도 3의 로드락챔버가 변형된 경우를 도시한 단면도.4 is a cross-sectional view illustrating a case in which the load lock chamber of FIG. 3 is deformed.

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장비의 로드락챔버의 사시도.5 is a perspective view of the load lock chamber of the substrate processing equipment according to the first embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 절단선 VI-VI에 따른 단면도.6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 5.

도 7은 도 6의 A부분의 확대도.7 is an enlarged view of a portion A of FIG. 6.

도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장비의 단면도.8 is a cross-sectional view of a substrate processing equipment according to a second embodiment of the present invention.

도 9는 도 8의 B부분의 확대도.9 is an enlarged view of a portion B of FIG. 8.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Description of the symbols for the main parts of the drawings *

330, 430: 로드락챔버 370, 470: 완충판330, 430: load lock chamber 370, 470: buffer plate

337, 437: 도어 374, 474: 제1진공밀폐수단337, 437: doors 374, 474: first vacuum sealing means

339, 439: 제2진공밀폐수단 378, 478: 간격유지수단339, 439: Second vacuum sealing means 378, 478: Spacing means

Claims (8)

서로 마주보며 이격된 하판 및 상판과;A bottom plate and a top plate spaced apart from each other; 상기 하판 및 상판에 연결되어 내부공간을 정의하고, 기판출입구가 형성된 측벽과;A side wall connected to the lower plate and the upper plate to define an inner space and having a substrate entrance; 상기 기판출입구 외부에 배치되는 완충판과;A buffer plate disposed outside the substrate entrance; 상기 완충판과 상기 측벽 사이에 개재되고, 단면이 개곡선인 링 형태의 제1진공밀폐수단과;A first vacuum sealing means interposed between the buffer plate and the side wall and having a ring-shaped cross section; 상기 완충판 외부에 배치되는 도어A door disposed outside the buffer plate 를 포함하는 기판처리장비용 로드락챔버. Load lock chamber for substrate processing equipment comprising a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1진공밀폐수단은 그 단면이 U자 또는 V자이고, 상기 제1기판출입구 둘레에 대응되도록 배치되는 기판처리장비용 로드락챔버. The first vacuum sealing means is a U-shaped or V-shaped cross section, the load lock chamber for substrate processing equipment disposed to correspond to the circumference of the first substrate entrance. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 완충판에는 상기 기판출입구에 대응되는 개구부가 형성되고, 상기 완충판은 체결수단 또는 그 양단에 연결되는 한쌍의 지지대에 의하여 고정되는 기판처 리장비용 로드락챔버. The buffer plate is formed with an opening corresponding to the substrate entrance, the buffer plate is a load lock chamber for substrate processing equipment is fixed by a pair of supports connected to the fastening means or both ends thereof. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 완충판과 상기 측벽 사이에 개재되어 이격간격을 유지하는 간격유지수단과, 상기 도어와 상기 완충판 사이에 개재되는 제2진공밀폐수단을 더욱 포함하는 기판처리장비용 로드락챔버. And a second vacuum sealing means interposed between the buffer plate and the side wall to maintain a spaced interval, and a second vacuum sealing means interposed between the door and the buffer plate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기판 출입구 둘레의 상기 측벽으로부터 수평 방향으로 돌출된 돌출부를 더욱 포함하고, 상기 완충판은 상기 기판출입구에 대응되는 개구부가 형성된 수직부와, 상기 수직부로부터 수평 방향으로 돌출되어 상기 돌출부에 대응되는 수평부로 이루어지는 기판처리장비용 로드락챔버. Further comprising a projection protruding in the horizontal direction from the side wall around the substrate entrance, the buffer plate is a vertical portion formed with an opening corresponding to the substrate entrance, the horizontal portion protrudes in the horizontal direction from the vertical portion corresponding to the projection Load lock chamber for substrate processing equipment consisting of a portion. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 진공밀폐수단은 상기 수평부와 상기 돌출부 사이에 개재되는 기판처리장비용 로드락챔버. The vacuum sealing means is a load lock chamber for substrate processing equipment interposed between the horizontal portion and the protrusion. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 내부공간 중앙부에 형성되어 상기 내부공간을 적어도 둘의 슬롯으로 분리 정의하는 적어도 하나의 내벽을 더욱 포함하는 기판처리장비용 로드락챔버. And at least one inner wall formed in a central portion of the inner space to define and separate the inner space into at least two slots. 외부와 기판을 교환하는 로드포트와;A load port for exchanging a substrate with an outside; 상기 로드포트에 연결되며 대기압상태인 이송부와;A transfer part connected to the load port and at atmospheric pressure; 상기 이송부에 연결되며 진공상태와 대기압상태를 반복하는 로드락챔버로서, 서로 마주보며 이격된 하판 및 상판과, 상기 하판 및 상판에 연결되어 내부공간을 정의하고, 제1기판출입구가 형성된 측벽과, 상기 제1기판출입구 외부에 배치되는 완충판과, 상기 완충판과 상기 측벽 사이에 개재되고, 단면이 개곡선인 링 형태의 제1진공밀폐수단과, 상기 완충판 외부에 배치되는 도어를 포함하는 상기 로드락챔버와;A load lock chamber connected to the transfer unit and repeating a vacuum state and an atmospheric pressure state, the lower plate and the upper plate facing each other and spaced apart from each other, connected to the lower plate and the upper plate to define an inner space, and a sidewall on which a first substrate entrance is formed; The load lock including a buffer plate disposed outside the first substrate entrance, a ring-shaped first vacuum sealing means interposed between the buffer plate and the side wall, and having an open cross section, and a door disposed outside the buffer plate. A chamber; 상기 로드락챔버에 연결되어 상기 기판을 이송하는 이송챔버와;A transfer chamber connected to the load lock chamber to transfer the substrate; 상기 이송챔버에 연결되어 상기 기판을 처리하는 적어도 하나의 공정챔버At least one process chamber connected to the transfer chamber to process the substrate 를 포함하는 기판처리장비. Substrate processing equipment comprising a.
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