JPH07122540A - Etching system - Google Patents
Etching systemInfo
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- JPH07122540A JPH07122540A JP26615693A JP26615693A JPH07122540A JP H07122540 A JPH07122540 A JP H07122540A JP 26615693 A JP26615693 A JP 26615693A JP 26615693 A JP26615693 A JP 26615693A JP H07122540 A JPH07122540 A JP H07122540A
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- JP
- Japan
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- processing chamber
- etching
- etching processing
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング装置に関す
る。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an etching apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体デバイスの製造工程等
においては、エッチング処理室内を所定のエッチングガ
ス雰囲気とするとともに、このエッチング処理室内に設
けた電極間に高周波電力を印加してプラズマを生成し、
このプラズマによって、半導体ウエハ等にエッチング処
理を施すエッチング装置が多く使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor device manufacturing process or the like, an etching chamber is kept at a predetermined etching gas atmosphere, and high frequency power is applied between electrodes provided in the etching chamber to generate plasma. ,
An etching apparatus that performs etching processing on a semiconductor wafer or the like with this plasma is often used.
【０００３】このようなエッチング装置において、一般
にエッチング処理室は、表面にアルマイト処理を施され
たアルミニウム等から構成されている。しかしながら、
近年では、エッチングガスとして、例えばＣｌ2 ＋ＢＣ
ｌ3 等の塩素系のガスを使用することが多くなってお
り、チャンバ内壁が劣化するとともに、半導体ウエハ等
がアルミニウム等によって汚染されるという問題が発生
していた。このため、例えば、特公平４−２９２２１号
公報等に開示されているように、エッチング処理室内の
電極や内壁に炭素板を取り付ける等の対策が行われてい
る。In such an etching apparatus, the etching chamber is generally made of aluminum or the like whose surface is anodized. However,
In recent years, as an etching gas, for example, Cl 2 + BC is used.
Since chlorine-based gas such as l 3 is often used, the inner wall of the chamber is deteriorated and the semiconductor wafer and the like are contaminated with aluminum and the like. Therefore, for example, as disclosed in Japanese Examined Patent Publication No. 4-29221 and the like, measures such as attaching a carbon plate to electrodes and inner walls in the etching processing chamber are taken.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のエッチング装置では、エッチング処理室内の電極や内
壁に炭素板を取り付けることによって、腐食性ガスによ
るエッチング処理室の劣化および半導体ウエハ等の汚染
を防止している。しかしながら、このようなエッチング
装置においても、さらに確実にエッチング処理室の劣化
を防止するとともに、金属による半導体ウエハ等の汚染
を確実に防止できるようにすることが当然要求される。As described above, in the conventional etching apparatus, the carbon plate is attached to the electrodes and the inner wall in the etching processing chamber, so that the etching processing chamber is deteriorated by the corrosive gas and the semiconductor wafer is contaminated. Is being prevented. However, even in such an etching apparatus, it is naturally required to more surely prevent the deterioration of the etching processing chamber and surely prevent the contamination of the semiconductor wafer or the like by the metal.
【０００５】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べてさらに確実にエッチング処
理室の劣化を防止するとともに、金属による半導体ウエ
ハ等の汚染を確実に防止することのできるエッチング装
置を提供しようとするものである。The present invention has been made in response to such a conventional situation, and more reliably prevents deterioration of an etching processing chamber as compared with the conventional one and surely prevents contamination of a semiconductor wafer or the like by metal. The present invention intends to provide an etching apparatus capable of performing the above.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の本発明のエッチング装置は、被処理基板を搬入、搬出
するための開口が形成され、内壁面をカーボンによって
被覆されたエッチング処理室と、前記開口の外側に配設
され、前記エッチング処理室との間を気密に閉塞可能な
開閉機構を有するロードロック室と、前記エッチング処
理室内に互いに対向する如く配設された電極と、前記エ
ッチング処理室内に設けられ、前記開口を開閉自在に覆
う如く構成され、少なくともエッチング処理室内側に向
く面がカーボンによって被覆されたシャッタ機構と、前
記エッチング処理室内に所定のエッチングガスを導入す
るためのガス導入機構と、前記エッチング処理室内から
排気するための排気機構とを具備したことを特徴とす
る。[Means for Solving the Problems] That is, an etching apparatus of the present invention according to claim 1 is an etching chamber having an opening for loading and unloading a substrate to be processed and an inner wall surface of which is covered with carbon. A load lock chamber provided outside the opening and having an opening / closing mechanism capable of airtightly closing the etching treatment chamber; electrodes arranged to face each other in the etching treatment chamber; A shutter mechanism that is provided in the processing chamber and is configured to openably and closably cover the opening, and at least a surface facing the inside of the etching processing chamber is covered with carbon, and a gas for introducing a predetermined etching gas into the etching processing chamber. It is characterized by comprising an introduction mechanism and an exhaust mechanism for exhausting from the etching processing chamber.
【０００７】また、請求項２記載の本発明のエッチング
装置は、被処理基板を搬入、搬出するための開口が形成
され、内壁面をカーボンによって被覆されたエッチング
処理室と、前記開口の外側に配設され、前記エッチング
処理室との間を気密に閉塞可能な開閉機構を有するロー
ドロック室と、前記エッチング処理室内に互いに対向す
る如く配設された電極と、前記エッチング処理室内に設
けられ、前記開口を開閉自在に覆う如く構成され、少な
くともエッチング処理室内側に向く面がカーボンによっ
て被覆されたシャッタ機構と、多数の透孔から前記被処
理基板に向けてエッチングガスを供給するよう構成さ
れ、前記透孔内側面がカーボンによって被覆されたガス
導入機構と、前記エッチング処理室内から排気するため
の排気機構とを具備したことを特徴とする。Further, in the etching apparatus of the present invention according to claim 2, an opening for loading and unloading the substrate to be processed is formed, and an etching processing chamber whose inner wall surface is covered with carbon and an outside of the opening. A load lock chamber having an opening / closing mechanism capable of airtightly closing the etching treatment chamber, an electrode arranged to face each other in the etching treatment chamber, and provided in the etching treatment chamber, A shutter mechanism configured to openably and closably cover the opening, at least a surface facing the inside of the etching processing chamber being covered with carbon, and configured to supply an etching gas toward the substrate to be processed from a large number of through holes, A gas introducing mechanism in which the inner surface of the through hole is covered with carbon, and an exhaust mechanism for exhausting from the etching processing chamber are provided. Characterized in that was.
【０００８】また、請求項３記載のエッチング装置は、
請求項１〜２記載のエッチング装置において、前記エッ
チング処理室が、略円筒状に構成され、前記シャッタ機
構が、該エッチング処理室の内壁面と略同様な曲面を有
する如く構成されていることを特徴とする。Further, the etching apparatus according to claim 3 is
3. The etching apparatus according to claim 1, wherein the etching processing chamber has a substantially cylindrical shape, and the shutter mechanism has a curved surface substantially similar to an inner wall surface of the etching processing chamber. Characterize.
【０００９】[0009]
【作用】エッチング装置のエッチング処理室には、通
常、半導体ウエハ等を搬入、搬出するための開口が設け
られており、この開口の外側には、開口を気密に閉塞す
るゲートバルブを介して、ロードロック室が設けられて
いる。このため、従来のエッチング装置では、この開口
部分において露出したアルミニウム等の金属が腐食さ
れ、汚染等の原因となっていた。The etching chamber of the etching apparatus is usually provided with an opening for loading and unloading semiconductor wafers and the like, and an opening outside the opening is provided with a gate valve for hermetically closing the opening. A load lock room is provided. Therefore, in the conventional etching apparatus, the metal such as aluminum exposed at the opening is corroded, which causes contamination.
【００１０】そこで、本発明のエッチング装置では、エ
ッチング処理室内に、開口を開閉自在に覆う如く構成さ
れ、少なくともエッチング処理室内側に向く面がカーボ
ンによって被覆されたシャッタ機構を設けることによっ
て、半導体ウエハ等の搬入、搬出用開口部分の金属の腐
食を防止し、半導体ウエハ等の汚染を防止する。Therefore, in the etching apparatus of the present invention, a semiconductor wafer is provided in the etching processing chamber so as to openably and closably cover the opening and at least a surface facing the inside of the etching processing chamber is covered with carbon. And the like, prevent metal corrosion at the opening for loading and unloading, and prevent contamination of semiconductor wafers and the like.
【００１１】また、請求項２記載のエッチング装置で
は、さらに、多数の透孔から被処理基板に向けてエッチ
ングガスを供給するよう構成されたガス導入機構の、透
孔内側面をカーボンによって被覆する。Further, in the etching apparatus according to the second aspect, the inner surface of the through hole of the gas introducing mechanism configured to supply the etching gas from the plurality of through holes toward the substrate to be processed is coated with carbon. .
【００１２】これによって、さらに、金属の腐食を防止
し、半導体ウエハ等の汚染を防止することができる。As a result, metal corrosion can be prevented, and semiconductor wafers and the like can be prevented from being contaminated.
【００１３】さらに、請求項３記載のエッチング装置で
は、シャッタ機構が、略円筒状に構成されたエッチング
処理室の内壁面と略同様な曲面を有する如く構成されて
いるので、エッチング処理室内に生起されたプラズマ
が、エッチング処理室の内壁面に沿って均一、かつ、均
等なプラズマ密度になり、被処理体の処理が均一化さ
れ、歩留まりが向上する。Further, in the etching apparatus according to the third aspect, since the shutter mechanism is configured to have a curved surface substantially similar to the inner wall surface of the etching processing chamber having a substantially cylindrical shape, it occurs in the etching processing chamber. The generated plasma has a uniform and uniform plasma density along the inner wall surface of the etching processing chamber, which makes the processing of the object to be processed uniform and improves the yield.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１５】図１は、本発明の一実施例のエッチング装
置の構成を示すもので、同図に示すように、本実施例の
エッチング装置は、円筒状のエッチング処理室１を備え
ている。このエッチング処理室１は、材質例えば表面に
アルマイト処理を施したアルミニウムからなる有底円筒
状のエッチング処理室下部１ａと、このエッチング処理
室下部１ａの上部開口を気密に閉塞する如く配置され、
同様な材質から円板状に形成されたエッチング処理室上
部１ｂとから構成されている。なお、これらの当接部に
は、内部を気密に保持するためのＯリング２が配設され
ている。FIG. 1 shows the structure of an etching apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the etching apparatus of this embodiment includes a cylindrical etching processing chamber 1. The etching processing chamber 1 is arranged so as to hermetically close an etching processing chamber lower portion 1a having a cylindrical shape with a bottom and made of a material such as aluminum whose surface is anodized, and an upper opening of the etching processing chamber lower portion 1a.
It is composed of a disk-shaped upper portion 1b of the etching processing chamber made of the same material. An O-ring 2 for keeping the inside airtight is arranged at these contact portions.
【００１６】エッチング処理室下部１ａの側壁部には、
図２にも示すように、半導体ウエハＷを搬入、搬出する
ための開口３が対向する如く両側に形成されており、こ
れらの開口３の外側には、それぞれゲートバルブ４を介
して、ロードロック室５が配設されている。これらのロ
ードロック室５内には、それぞれ半導体ウエハＷを搬
入、搬出するための搬送機構６が配設されており（一方
のみ図示する。）、通常、一方のロードロック室５が搬
入専用、他方のロードロック室５が搬出専用とされる。
なお、図中７は、各ロードロック室５と外部とを遮断、
解放するためのゲートバルブである。On the side wall of the lower portion 1a of the etching processing chamber,
As shown in FIG. 2, openings 3 for loading and unloading the semiconductor wafer W are formed on both sides so as to face each other. Outside the openings 3, load locks are provided via gate valves 4, respectively. A chamber 5 is provided. A transfer mechanism 6 for loading and unloading the semiconductor wafer W is arranged in each of the load lock chambers 5 (only one is shown in the figure), and normally one of the load lock chambers 5 is dedicated for loading. The other load lock chamber 5 is exclusively used for unloading.
In addition, 7 in the drawing blocks each load lock chamber 5 from the outside,
It is a gate valve for opening.
【００１７】エッチング処理室１内には、材質例えばセ
ラミックスからなる支持部材８に支持される如く、材質
例えば表面にアルマイト処理を施したアルミニウムから
なり、円板状に形成された下部電極９が配設されてい
る。この下部電極９は、マッチング回路１０を介して高
周波電源１１に接続されており、下部電極９内には、冷
却のための冷媒循環経路１２が配設されている。また、
下部電極９の上面は、半導体ウエハＷを例えば静電チャ
ック等により吸着保持可能な如く平面状に形成されてい
る。A disk-shaped lower electrode 9 made of aluminum whose surface is anodized so as to be supported by a supporting member 8 made of a material such as ceramics is arranged in the etching chamber 1. It is set up. The lower electrode 9 is connected to a high frequency power source 11 via a matching circuit 10, and a cooling medium circulation path 12 for cooling is arranged in the lower electrode 9. Also,
The upper surface of the lower electrode 9 is formed in a flat shape so that the semiconductor wafer W can be attracted and held by, for example, an electrostatic chuck.
【００１８】一方、エッチング処理室上部１ｂの上記下
部電極９に対向する部位は上部電極１４とされている。
この上部電極１４には、図示しないガス供給源から導出
されたガス供給配管１５が接続されており、ガス供給配
管１５から供給された所定のエッチングガスは、上部電
極１４内に形成されたガス拡散用の空隙１５内で、多数
の透孔を形成されたガス拡散板によって拡散され、上部
電極１４の下側面に形成された多数の透孔１６から、下
部電極９上に載置された半導体ウエハＷに向けて均一に
供給されるよう構成されている。On the other hand, a portion of the upper portion 1b of the etching processing chamber facing the lower electrode 9 is an upper electrode 14.
A gas supply pipe 15 derived from a gas supply source (not shown) is connected to the upper electrode 14, and the predetermined etching gas supplied from the gas supply pipe 15 is a gas diffusion gas formed in the upper electrode 14. A semiconductor wafer placed on the lower electrode 9 through a large number of through holes 16 formed on the lower surface of the upper electrode 14 by being diffused by a gas diffusion plate having a large number of through holes formed therein It is configured to be uniformly supplied toward W.
【００１９】エッチング処理室１の下部には、排気ポン
プ１７に接続された排気配管１８が接続されており、下
部電極９の周囲には、下部電極９の周囲から均一な排気
が行われるよう、図２にも示すように多数の透孔が形成
されたバッフル板１９が配設されている。An exhaust pipe 18 connected to an exhaust pump 17 is connected to the lower portion of the etching processing chamber 1, and the periphery of the lower electrode 9 is uniformly exhausted from the periphery of the lower electrode 9. As shown in FIG. 2, a baffle plate 19 having a large number of through holes is arranged.
【００２０】上記バッフル板１９は、カーボンから構成
されており、排気配管１８は、エッチング処理室１から
所定距離、例えば数十センチ〜１メートル程度、その内
部がカーボンのコーティング被膜１８ａにより被覆され
ている。また、上部電極１４の下側面は、カーボン製の
板２０によって覆われており、上部電極１４の透孔１６
内は、カーボンのコーティング被膜１６ａによって被覆
されている。さらに、エッチング処理室１内には、その
内側壁面を覆う如く、カーボン製の円筒２１が配設され
ている。The baffle plate 19 is made of carbon, and the exhaust pipe 18 is covered with a carbon coating film 18a at a predetermined distance from the etching chamber 1, for example, about several tens of centimeters to 1 meter. There is. In addition, the lower surface of the upper electrode 14 is covered with a carbon plate 20, and the through hole 16 of the upper electrode 14 is provided.
The inside is covered with a carbon coating film 16a. Further, in the etching processing chamber 1, a carbon cylinder 21 is arranged so as to cover the inner wall surface thereof.
【００２１】上記カーボン製の円筒２１には、２つの開
口３に応じてそれぞれ開口部２２が形成されており、こ
れらの開口部２２を開閉自在に覆う如く、それぞれカー
ボン製のシャッタ板２３が配設されている。これらのシ
ャッタ板２３は、図２に示すように、エッチング処理室
内壁面と略同様な曲率を有する円弧状の板体からなり、
これらのシャッタ板２３は、シャフト２４を介してエッ
チング処理室１の外部に設けられたエアシリンダ２５に
接続されており、このエアシリンダ２５の伸縮動作によ
って上下動するよう構成されている。また、エッチング
処理室１のシャフト２４貫通部には、これらの部材の間
の気密を維持するための機構として、例えば蛇腹機構
（図示せず）が設けられている。Openings 22 are formed in the carbon cylinder 21 corresponding to the two openings 3, and carbon shutter plates 23 are arranged so as to cover the openings 22 so as to be openable and closable. It is set up. As shown in FIG. 2, these shutter plates 23 are arc-shaped plate bodies having substantially the same curvature as the inner wall surface of the etching processing chamber,
These shutter plates 23 are connected via a shaft 24 to an air cylinder 25 provided outside the etching processing chamber 1, and are configured to move up and down by the expansion and contraction operation of the air cylinder 25. Further, the shaft 24 penetrating portion of the etching processing chamber 1 is provided with, for example, a bellows mechanism (not shown) as a mechanism for maintaining airtightness between these members.
【００２２】なお、上記各カーボン製部材、すなわち、
バッフル板１９、板２０、円筒２１、シャッタ板２３
は、厚さ例えば１〜２０ｍｍに設定されている。The above carbon members, that is,
Baffle plate 19, plate 20, cylinder 21, shutter plate 23
Is set to have a thickness of, for example, 1 to 20 mm.
【００２３】このように構成された本実施例のエッチン
グ装置では、予め排気ポンプ１７を作動させてエッチン
グ処理室１内を所定の真空度に設定しておく。In the etching apparatus of this embodiment having such a configuration, the exhaust pump 17 is operated in advance to set the inside of the etching processing chamber 1 to a predetermined degree of vacuum.
【００２４】そして、どちらか一方のロードロック室５
のゲートバルブ７を開け、搬送機構６によって半導体ウ
エハＷをロードロック室５内に搬入し、この後、ゲート
バルブ７を閉じてロードロック室５内を所定の真空度に
設定し、しかる後、ゲートバルブ４を開けるとともにシ
ャッタ板２３を開口２の前から移動させて、搬送機構６
により下部電極９上に半導体ウエハＷを載置する。Then, either one of the load lock chambers 5
The gate valve 7 is opened, the semiconductor wafer W is loaded into the load lock chamber 5 by the transfer mechanism 6, and then the gate valve 7 is closed to set the load lock chamber 5 to a predetermined vacuum degree. When the gate valve 4 is opened and the shutter plate 23 is moved from the front of the opening 2, the transfer mechanism 6 is moved.
Thus, the semiconductor wafer W is placed on the lower electrode 9.
【００２５】次に、搬送機構６をエッチング処理室１内
から退避させ、ゲートバルブ４を閉じるとともにシャッ
タ板２３を開口２の前に位置させ、この状態で、ガス供
給配管１５から所定のエッチングガス、例えばＣｌ2 ＋
ＢＣｌ3 を供給し、これとともに、高周波電源１１から
例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給してエッチ
ングガスをプラズマ化し、いわゆるリアクティブイオン
エッチングにより、半導体ウエハＷにエッチング処理を
施す。Next, the transport mechanism 6 is retracted from the etching processing chamber 1, the gate valve 4 is closed and the shutter plate 23 is positioned in front of the opening 2. In this state, a predetermined etching gas is supplied from the gas supply pipe 15. , For example Cl 2 +
BCl 3 is supplied, and together with this, high frequency power of, for example, 13.56 MHz is supplied from the high frequency power supply 11 to turn the etching gas into plasma, and the semiconductor wafer W is subjected to etching processing by so-called reactive ion etching.
【００２６】この時、本実施例のエッチング装置におい
ては、エッチング処理室１内のプラズマに晒される部位
は、半導体ウエハＷの表面を除いて、全てカーボンとさ
れている。このため、例えば、開口２のゲートバルブ４
や上部電極１４の透孔１６内等が腐食され、アルミニウ
ム等によって、半導体ウエハＷが汚染されることを防止
することができる。また、カーボン製の板２０、円筒２
１、シャッタ板２３等は、エッチングされて消耗する
が、比較的安価に製造可能なこれらの部材を交換するこ
とによって対処することができ、エッチング処理室下部
１ａ、エッチング処理室上部１ｂ等の劣化を防止するこ
とができる。At this time, in the etching apparatus of this embodiment, all the parts of the etching processing chamber 1 exposed to the plasma are carbon except the surface of the semiconductor wafer W. Therefore, for example, the gate valve 4 of the opening 2
It is possible to prevent the semiconductor wafer W from being contaminated by aluminum or the like due to corrosion inside the through holes 16 of the upper electrode 14, or the like. Also, the carbon plate 20 and the cylinder 2
1, the shutter plate 23 and the like are etched and consumed, but can be dealt with by replacing these members that can be manufactured at a relatively low cost, and the deterioration of the etching processing chamber lower portion 1a, the etching processing chamber upper portion 1b, and the like. Can be prevented.
【００２７】さらに、アルミニウムのエッチングを行う
場合、板２０、円筒２１、シャッタ板２３等からエッチ
ングされたカーボンの作用により、半導体ウエハＷの選
択比の向上を図ることができる。すなわち、上部にマス
クとしてのフォトレジストが形成された非エッチング部
分の側壁部にカーボンのポリマーからなる側壁保護膜が
形成され易くなり、側壁部のいわゆるアンダーカットが
抑制され、選択比の向上を図ることができる。Further, when aluminum is etched, the selection ratio of the semiconductor wafer W can be improved by the action of carbon etched from the plate 20, the cylinder 21, the shutter plate 23 and the like. That is, the side wall protective film made of carbon polymer is easily formed on the side wall of the non-etched portion where the photoresist as the mask is formed on the upper side, so-called undercut of the side wall is suppressed, and the selection ratio is improved. be able to.
【００２８】また、シャッタ板２３が、エッチング処理
室内壁面と略同様な曲率を有する円弧状の板体から構成
されているので、エッチング処理室内に生起されたプラ
ズマが、エッチング処理室の内壁面に沿って均一、か
つ、均等なプラズマ密度になり、半導体ウエハＷの処理
が均一化され、歩留まりが向上する。Further, since the shutter plate 23 is composed of an arc-shaped plate having a curvature substantially similar to the wall surface of the etching processing chamber, the plasma generated in the etching processing chamber is applied to the inner wall surface of the etching processing chamber. A uniform and uniform plasma density is achieved along the same, the processing of the semiconductor wafer W is made uniform, and the yield is improved.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ装置によれば、従来に較べてさらに確実にエッチング
処理室の劣化を防止することができるとともに、金属に
よる半導体ウエハ等の汚染を確実に防止することができ
る。As described above, according to the etching apparatus of the present invention, deterioration of the etching processing chamber can be prevented more reliably than in the conventional case, and contamination of the semiconductor wafer or the like with metal can be ensured. Can be prevented.
【図１】本発明の一実施例のエッチング装置の構成を示
す図。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のエッチング装置の要部横断面の構成を示
す図。FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a main part of the etching apparatus of FIG.
１ エッチング処理室 ３ 開口 ４ ゲートバルブ ５ ロードロック室 ９ 下部電極 １４ 上部電極 １５ ガス供給配管 １６ 透孔 １８ 排気配管 １６ａ、１８ａ カーボンのコーティング被膜 １９ カーボン製のバッフル板 ２０ カーボン製の板 ２１ カーボン製の円筒 ２２ 開口部 ２３ カーボン製のシャッタ板 ２４ シャフト ２５ エアシリンダ 1 Etching Process Chamber 3 Opening 4 Gate Valve 5 Load Lock Chamber 9 Lower Electrode 14 Upper Electrode 15 Gas Supply Pipe 16 Through Hole 18 Exhaust Pipe 16a, 18a Carbon Coating Film 19 Carbon Baffle Plate 20 Carbon Plate 21 Carbon Cylinder 22 Opening 23 Shutter plate made of carbon 24 Shaft 25 Air cylinder
Claims (3)
が形成され、内壁面をカーボンによって被覆されたエッ
チング処理室と、 前記開口の外側に配設され、前記エッチング処理室との
間を気密に閉塞可能な開閉機構を有するロードロック室
と、 前記エッチング処理室内に互いに対向する如く配設され
た電極と、 前記エッチング処理室内に設けられ、前記開口を開閉自
在に覆う如く構成され、少なくともエッチング処理室内
側に向く面がカーボンによって被覆されたシャッタ機構
と、 前記エッチング処理室内に所定のエッチングガスを導入
するためのガス導入機構と、 前記エッチング処理室内から排気するための排気機構と
を具備したことを特徴とするエッチング装置。1. An etching processing chamber in which an opening for loading and unloading a substrate to be processed is formed, and an inner wall surface is covered with carbon, and between the etching processing chamber, which is arranged outside the opening, A load lock chamber having an opening / closing mechanism that can be airtightly closed, electrodes arranged to face each other in the etching processing chamber, provided in the etching processing chamber, and configured to openably and closably cover the opening. A shutter mechanism having a surface facing the inside of the etching processing chamber covered with carbon, a gas introducing mechanism for introducing a predetermined etching gas into the etching processing chamber, and an exhaust mechanism for exhausting from the etching processing chamber. An etching apparatus characterized in that
が形成され、内壁面をカーボンによって被覆されたエッ
チング処理室と、 前記開口の外側に配設され、前記エッチング処理室との
間を気密に閉塞可能な開閉機構を有するロードロック室
と、 前記エッチング処理室内に互いに対向する如く配設され
た電極と、 前記エッチング処理室内に設けられ、前記開口を開閉自
在に覆う如く構成され、少なくともエッチング処理室内
側に向く面がカーボンによって被覆されたシャッタ機構
と、 多数の透孔から前記被処理基板に向けてエッチングガス
を供給するよう構成され、前記透孔内側面がカーボンに
よって被覆されたガス導入機構と、 前記エッチング処理室内から排気するための排気機構と
を具備したことを特徴とするエッチング装置。2. An etching processing chamber having an opening for loading and unloading a substrate to be processed and having an inner wall surface coated with carbon, and an etching processing chamber provided outside the opening and between the etching processing chamber and the etching processing chamber. A load lock chamber having an opening / closing mechanism that can be airtightly closed, electrodes arranged to face each other in the etching processing chamber, provided in the etching processing chamber, and configured to openably and closably cover the opening. A shutter mechanism whose surface facing the inside of the etching processing chamber is covered with carbon, and a gas which is configured to supply etching gas toward the substrate to be processed from a large number of through holes, and whose inner surface is covered with carbon. An etching apparatus comprising an introduction mechanism and an exhaust mechanism for exhausting the inside of the etching processing chamber.
いて、 前記エッチング処理室が、略円筒状に構成され、前記シ
ャッタ機構が、該エッチング処理室の内壁面と略同様な
曲面を有する如く構成されていることを特徴とするエッ
チング装置。3. The etching apparatus according to claim 1, wherein the etching processing chamber has a substantially cylindrical shape, and the shutter mechanism has a curved surface substantially similar to an inner wall surface of the etching processing chamber. An etching apparatus characterized by being provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26615693A JPH07122540A (en) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | Etching system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26615693A JPH07122540A (en) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | Etching system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122540A true JPH07122540A (en) | 1995-05-12 |
Family
ID=17427072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26615693A Withdrawn JPH07122540A (en) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | Etching system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122540A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970070243A (en) * | 1996-04-22 | 1997-11-07 | 모치즈키 아키히로 | Plasma processing apparatus and protective member for plasma processing apparatus |
| JP2007012663A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Shibaura Mechatronics Corp | Pressure reduction treating apparatus and pressure reduction treatment method |
| KR100843957B1 (en) * | 2003-10-30 | 2008-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Plasma treatment apparatus |
| JP4547119B2 (en) * | 1999-06-02 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Vacuum processing equipment |
| JP2015088624A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing device and shutter member |
| CN110473814A (en) * | 2019-09-03 | 2019-11-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Inner lining structure, reaction chamber and semiconductor processing equipment |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP26615693A patent/JPH07122540A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970070243A (en) * | 1996-04-22 | 1997-11-07 | 모치즈키 아키히로 | Plasma processing apparatus and protective member for plasma processing apparatus |
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| KR100843957B1 (en) * | 2003-10-30 | 2008-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Plasma treatment apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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