KR20070056918A - 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원 - Google Patents
형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070056918A KR20070056918A KR1020060070599A KR20060070599A KR20070056918A KR 20070056918 A KR20070056918 A KR 20070056918A KR 1020060070599 A KR1020060070599 A KR 1020060070599A KR 20060070599 A KR20060070599 A KR 20060070599A KR 20070056918 A KR20070056918 A KR 20070056918A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- fiber
- light source
- laser light
- wavelength
- light
- Prior art date
Links
- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- -1 rare-earth ion Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 41
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 37
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- WCWKKSOQLQEJTE-UHFFFAOYSA-N praseodymium(3+) Chemical compound [Pr+3] WCWKKSOQLQEJTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrafluoride Chemical compound F[Zr](F)(F)F OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910003439 heavy metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
- G02B6/036—Optical fibres with cladding with or without a coating core or cladding comprising multiple layers
- G02B6/03616—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference
- G02B6/03622—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference having 2 layers only
- G02B6/03627—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference having 2 layers only arranged - +
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08086—Multiple-wavelength emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1613—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth praseodymium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/17—Solid materials amorphous, e.g. glass
- H01S3/173—Solid materials amorphous, e.g. glass fluoride glass, e.g. fluorozirconate or ZBLAN [ ZrF4-BaF2-LaF3-AlF3-NaF]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Abstract
본 발명에 따른 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원은 여기 광(a)을 방사하는 청색 반도체 레이저 소자(2) 그리고 제1 측면 섬유 단부 표면 및 제2 측면 섬유 표면을 갖는 광 섬유(17)를 포함하며, 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터의 여기 광(a)은 제1 측면 섬유 단부 표면에 입사하게 되고, 제1 측면 섬유 단부 표면에 이와 같이 입사하게 되는 여기 광(a)은 제2 측면 섬유 표면을 통해 방사되며, 여기에서 광 섬유(17)는 각각 그 제1 및 제2 측면 섬유 단부 표면 내에서 레이저 공진기(3)를 구성하는 색 선별 거울 부분을 가지며 광 섬유(17)의 코어는 여기 광(a)에 의해 여기됨으로써 파장 변환 광을 방사하는 3가의 희토류 이온으로서 적어도 프라세오디뮴 이온을 내부에 함유하는 저 포논 유리를 포함하는 파장-변환 부재로 제조된다.
형광 섬유, 다중 파장 레이저 광원, 청색 반도체 레이저 소자, 광 섬유, 색 선별 거울 부분, 프라세오디뮴 이온
Description
도1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원으로서의 발광 장치를 설명하는 평면도.
도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 청색 반도체 레이저 소자를 설명하는 사시도 및 단면도.
도3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 형광 섬유를 설명하는 단면도.
도4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치로부터 방사되는 출력 광의 스펙트럼 다이어그램.
도5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치의 형광 섬유를 설명하는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
a: 여기 광
b: 출력 광
1: 발광 장치
2: 청색 반도체 레이저 소자
3: 레이저 공진기
4: 광학 렌즈
17: 형광 섬유
18, 19: 유전체 거울
[문헌 1] 일본특허공개 제2001-264662호
[문헌 2] 광학 통신89 (1991년) (제333면 내지 제340면)
본 출원은 일본특허출원 제2005-346839호를 기초로 하며, 그 전체의 내용은 참조로 여기에 합체되어 있다.
본 발명은 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원에 관한 것으로, 특히 액정 텔레비전을 위한 역광선 광원 등의 다양한 종류의 광원으로서 사용되는 데 적절한 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원에 관한 것이다.
근년에 들어, 백열광 램프의 경우와 비교될 때 소형화, 우수한 전력 효율 그리고 긴 수명 면에서 유리하기 때문에 발광 다이오드(LED: light-emitting diode) 소자 등의 반도체 발광 소자 또는 복사선의 자극 방사에 의한 광 증폭(LASER: light amplification by stimulated emission of radiation) 소자를 사용하는 발광 장치가 다양한 종류의 광원으로서 널리 이용되어 왔다.
이러한 광원이 예컨대 조사 광(다중 파장 레이저 광)을 얻기 위해 컬러 레이저 디스플레이 장치를 위한 역광선 광원으로서 사용될 때, 3개의 종류의 반도체 발광 소자 즉 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자가 사용된다.
지금까지, 반도체 발광 소자로서 3개의 종류의 레이저 광원 즉 적색, 녹색 및 청색 레이저 광원 그리고 이들 3개의 레이저 광원 중에서 적어도 1개의 레이저 광원으로부터 방사되는 여기 광에 의해 여기되는 3가의 프라세오디뮴 이온(Pr3+)이 코어에 첨가되는 광 섬유를 포함하는 광원이 이러한 종류의 광원으로서 공지되어 있었다. 이러한 광원은 예컨대 일본특허공개 제2001-264662호에 개시되어 있다.
추가로, 아르곤 이온 레이저로부터 방사되는 여기 광(그 파장은 476.5 ㎚)에 의해 광 섬유의 코어를 구성하는 지르코늄 불화물 시스템 유리 내에 함유되는 3가의 프라세오디뮴 이온을 여기시키는 기능을 갖는 아르곤 이온 레이저 장치가 또한 또 다른 광원으로서 공지되어 있었다. 이러한 아르곤 이온 레이저 장치는 예컨대 광학 통신89(optics communication89)(1991년)(제333면 내지 제340면)에 개시되어 있다.
그러나, 일본특허공개 제2001-264662호에 개시되어 있는 광원의 경우에, 3개의 레이저 광원은 각각 3개의 종류의 레이저 빔(적색, 녹색 및 청색 레이저 빔)을 방사한다. 결과적으로, 구성 요소 및 부품의 개수가 증가하여 비용을 증가시킬 뿐만 아니라 전체적인 광원이 대형화된다는 문제점에 직면된다.
반면에, 광학 통신89(1991년)(제333면 내지 제340면)에 개시되어 있는 아르 곤 이온 레이저 장치의 경우에, 광 섬유의 코어는 지르코늄 불화물 시스템 유리로 제조된다. 결과적으로, 광 섬유의 기계적 강도가 낮고 손상되기 쉬울 뿐만 아니라 광 섬유의 화학적 내구성이 불량하며 대기 중에서 사용될 때 광 섬유가 습기를 흡수하며 그 결과 열화되기 쉽다는 불편이 있다. 추가로, 아르곤 이온 레이저로부터 방사되는 476.5 ㎚의 파장을 갖는 여기 광이 사용된다. 결과적으로, 여기 광이 청색-녹색 색상을 나타내며 이와 같이 원하는 (순수) 청색 광이 광 섬유의 광 방사 표면을 통해 방사되는 광으로서 얻어질 수 없다는 불편이 또한 있다.
위의 기재 내용에 비추어, 본 발명의 목적은 전체적인 다중 파장 레이저 광원의 저비용 판촉 및 소형화가 실현될 수 있으며 광 섬유가 손상 및 열화되는 것이 방지될 수 있으며 원하는 청색 광이 광 섬유로부터 방사되는 광으로서 얻어질 수 있는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원을 제공하는 것이다.
전술된 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 하나의 태양에 따르면, 여기 광을 방사하는 청색 반도체 레이저 소자와; 제1 측면 섬유 단부 표면 및 제2 측면 섬유 단부 표면을 갖는 광 섬유를 포함하며, 청색 반도체 레이저 소자로부터 방사되는 여기 광은 제1 측면 섬유 단부 표면에 입사하게 되고, 제1 측면 섬유 단부 표면에 이와 같이 입사하게 되는 여기 광은 제2 측면 섬유 표면을 통해 방사되며, 여기에서 광 섬유는 각각 그 제1 및 제2 섬유 측면 단부 표면 내에서 레이저 공진기를 구성하는 색 선별 거울 부분을 가지며 광 섬유의 코어는 여기 광에 의해 여기됨으로써 파장 변환 광을 방사하는 3가의 희토류 이온으로서 적어도 프라세오디뮴 이온을 내부에 함유하는 저 포논 유리를 포함하는 파장-변환 부재로 제조되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원이 제공된다.
전술된 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 여기 광을 방사하는 청색 반도체 레이저 소자와; 제1 측면 섬유 단부 표면 및 제2 측면 섬유 단부 표면을 갖는 광 섬유를 포함하며, 청색 반도체 레이저 소자로부터 방사되는 여기 광은 제1 측면 섬유 단부 표면에 입사하게 되고, 제1 측면 섬유 단부 표면에 이와 같이 입사하게 되는 여기 광은 제2 측면 섬유 단부 표면을 통해 방사되며, 여기에서 광 섬유는 각각 그 제1 및 제2 측면 섬유 단부 표면 내에서 레이저 공진기를 구성하는 색 선별 거울 부분을 가지며 광 섬유의 코어는 여기 광으로서 440 내지 460 ㎚의 파장을 갖는 여기 광에 의해 여기됨으로써 파장 변환 광을 방사하는 인을 내부에 함유하는 저 포논 유리를 포함하는 파장-변환 부재로 제조되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원이 제공된다.
본 발명에 따르면, 전체적인 다중 파장 레이저 광원의 저비용 판촉 및 소형화가 실현될 수 있으며, 광 섬유가 손상 및 열화되는 것이 방지될 수 있으며, 원하는 청색 광이 광 섬유로부터 방사되는 광으로서 얻어질 수 있다.
전술된 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 추가의 태양에 따르면, 레이저 광을 방사하는 청색 반도체 레이저 소자와; 저 포논 유리 그리고 3가의 희토류 이온으로서의 적어도 프라세오디뮴 이온을 함유하는 파장-변환 부재를 위한 코어, 레이저 광이 공급되는 제1 섬유 단부 표면, 그리고 다중 파장 레이저 광을 위한 광원인 제2 섬유 단부 표면을 갖는 광 섬유와; 광 섬유의 제2 섬유 단부 표면으로부터 다 중 파장 레이저 광을 방사하는 레이저 공진기를 제공하기 위해 광 섬유의 제1 및 제2 섬유 단부 표면 상에 각각 제공되는 제1 및 제2 색 선별 거울 부분을 포함하는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원이 제공된다.
[제1 실시예]
도1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원으로서의 발광 장치를 설명하는 평면도이다. 도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 청색 반도체 레이저 소자를 설명하는 사시도 및 단면도이다. 또한, 도3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 형광 섬유를 설명하는 단면도이다.
[발광 장치(1)의 전체적인 구성]
도1을 참조하면, 발광 장치(1)는 여기 광원으로서의 청색 반도체 레이저 소자(2), 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터 방사되는 여기 광(청색 광)("a") 그리고 유도된 방사에 따라 여기 광("a")에 의한 파장 변환을 통해 얻어지는 파장 변환 광을 증폭시키는 레이저 공진기(3), 그리고 레이저 공진기(3)와 청색 반도체 레이저 소자(2) 사이에 개재되는 광학 렌즈(4)를 대체로 포함한다.
[청색 반도체 레이저 소자(2)의 구조]
도2a 및 도2b에 도시된 바와 같이, 청색 반도체 레이저 소자(2)는 사파이어 기판(5), 공진 리지 부분(A) 및 홀 주입 리지 부분(B)을 갖고, 여기 광(a)으로서 442 ㎚의 파장을 갖는 청색 광을 방사하는 역할을 한다. 약 50 ㎚의 두께를 갖고 알루미늄 질화물(AlN)로 제조되는 버퍼 층(6)이 사파이어 기판(5) 상에 형성된다. 더욱이, GaN, GaInN 또는 AlGaN이 또한 버퍼 층(6)을 위한 재료로서 사용될 수 있다.
약 4.0 ㎛의 두께를 갖고 1×1018 ㎝-3의 전자 농도를 갖는 실리콘(Si)-도핑된 GaN으로 제조되는 n-형 층(7), 약 500 ㎚의 두께를 갖고 1×1018 ㎝-3의 전자 농도를 갖는 Si-도핑된 Al0.1Ga0.9N으로 제조되는 n-형 클래딩 층(8), 약 100 ㎚의 두께를 갖고 1×1018 ㎝-3의 전자 농도를 갖는 Si-도핑된 GaN으로 제조되는 n-형 안내 층(9), 그리고 약 35 Å의 두께를 갖고 GaN으로 제조되는 차폐 층(62) 그리고 35 Å의 두께를 갖고 Ga0.95In0.05N으로 제조되는 웰 층(61)이 교대로 피착되는 다중-양자 웰(MQW: multi-quantum well) 구조를 갖는 활성 층(10)이 버퍼 층(6) 상에 이러한 순서로 형성된다.
약 100 ㎚의 두께를 갖고 5×1017 ㎝-3의 홀 농도를 갖는 마그네슘(Mg)-도핑된 GaN으로 제조되는 p-형 안내 층(11), 약 50 ㎚의 두께를 갖고 5×1017 ㎝-3의 홀 농도를 갖는 Mg-도핑된 Al0.25Ga0.75N으로 제조되는 p-형 층(12), 약 500 ㎚의 두께를 갖고 5×1017 ㎝-3의 홀 농도를 갖는 Mg-도핑된 Al0.1Ga0.9N으로 제조되는 p-형 클래딩 층(13) 그리고 약 200 ㎚의 두께를 갖고 5×1017 ㎝-3의 홀 농도를 갖는 Mg-도핑된 GaN으로 제조되는 p-형 접촉 층(14)이 활성 층(10) 상에 이러한 순서로 형성된다. 더욱이, AlGaN 또는 GaInN이 또한 p-형 접촉 층(14)을 위한 재료로서 사용될 수 있다.
5 ㎛의 폭을 갖고 니켈(Ni)로 제조되는 전극(15)이 p-형 접촉 층(14) 상에 형성된다. 추가로, 알루미늄(Al)으로 제조되는 전극(16)이 n-형 층(7) 상에 형성된다.
공진 리지 부분(A)은 n-형 클래딩 층(8), n-형 안내 층(9), 활성 층(10), p-형 안내 층(11) 및 p-형 층(12)을 포함한다. 추가로, 홀 주입 리지 부분(B)은 p-형 클래딩 층(13), p-형 접촉 층(14) 및 전극(15)을 포함한다.
[레이저 공진기(3)의 구조]
레이저 공진기(3)는 레이저 매체로서 형광 섬유(17)를 포함하고, 광학 렌즈(4)를 통해 청색 반도체 레이저 소자(2)에 광학적으로 연결된다. 전술된 바와 같이, 레이저 공진기(3)는 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터 방사되는 여기 광(청색 광)("a") 그리고 유도된 방사에 따라 여기 광에 의한 파장 변환을 통해 얻어지는 파장 변환 광을 증폭시키는 역할을 한다.
도3에 도시된 바와 같이, 형광 섬유(17)는 코어(17A) 및 클래딩 부재(17B)를 갖는다. 형광 섬유(17)는 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터의 청색 광이 입사하게 되는 하나의 측면 단부 표면(입사 표면) 그리고 청색 광의 일부가 그대로 방사되고 예컨대 코어(17A) 내에서의 청색 광의 일부의 파장 변환을 통해 얻어지는 녹색, 오렌지색 및 적색 파장 변환 광이 각각 방사되는 다른 측면 단부 표면(방사 표 면)을 갖는다. 형광 섬유(17)는 ZrF4, HfF4, ThF4 등 중 임의의 물질을 내부에 함유하지 않지만 주 성분으로서 AlF3를 내부에 함유하는 형광 유리로 제조된다. 이와 같이, 가시 광선 범위로부터 적외선 범위까지의 광선 범위에 대해 투과성이고 우수한 화학적 내구성 그리고 큰 기계적 강도를 갖는 안정한 유리가 얻어진다. 이러한 종류의 유리는 포논 에너지(phonon energy)가 작다는 형광 유리에 가장 중요한 장점을 갖는다.
형광 섬유(17)의 섬유 길이는 형광 섬유(17)가 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터의 모든 여기 광("a")을 흡수하지 않지만 레이저 진동에 따라 녹색 광, 오렌지색 광, 적색 광을 그로부터 방사하도록 약 20 ㎜의 크기로 설정된다. 실리콘 이산화물(SiO2) 층 및 티타늄 이산화물(TiO2) 층이 각각 적층되고 레이저 공진기(3)를 구성하는 각각의 색 선별 거울 부분(dichroic mirror portion)으로서 역할을 하는 유전체 거울(18, 19)이 각각 형광 섬유(17)의 섬유 단부 표면 내에 배치된다. 하나의 유전체 거울(18)이 입력 거울로서 기능하며, 다른 유전체 거울(19)이 출력 거울로서 기능한다.
코어(17A)는 약 500 ppm만큼 3가의 희토류 이온으로서 적어도 프라세오디뮴 이온(Pr3+)을 내부에 함유하는 적외선 복사 투과성 형광 유리 등의 저 포논 유리를 포함하는 파장-변환 부재로 형성된다. 또한, 코어(17A)는 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터의 여기 광(청색 광)("a")의 일부에 의해 여기됨으로써 녹색, 오렌지색 및 적색 파장 변환 광을 방사하는 역할을 한다. 코어(17A)의 코어 직경은 약 6 ㎛ 의 크기로 설정된다. 더욱이, 적외선 복사 투과성 형광 유리에 추가하여, 중금속 산화물 유리가 저 포논 유리로서 사용된다.
클래딩 부재(17B)는 코어(17A)의 주연에서 형성되며, 전체적인 클래딩 부재(17B)는 유리 또는 투명 수지로 제조된다. 클래딩 부재(17B)의 굴절률(n1)은 코어(17A)의 굴절률(n2)(n2≒1.5)보다 작은 굴절률(n1≒1.45)로 설정된다. 클래딩 부재(17B)의 클래딩 직경[형광 섬유(17)의 외경]은 약 200 ㎛의 크기로 설정된다. 클래딩 부재(17B)의 주연 표면에는 광-투과성 수지 또는 광-비투과성 수지로 제조되는 커버 부재(18)가 덮인다.
[광학 렌즈(4)의 구조]
광학 렌즈(4)는 이중-볼록 렌즈에 의해 구성되고, 전술된 바와 같은 방식으로 청색 반도체 레이저 소자(2)와 레이저 공진기(3) 사이에 배치된다. 또한, 광학 렌즈(4)는 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터 유전체 거울(18)의 입사 측면 단부 표면 내에 위치되는 부분 즉 형광 섬유(17)의 입력 측면 단부 표면[코어(17A)]으로 방사되는 여기 광(a)을 집광하는 역할을 한다.
[발광 장치(1)의 작동]
우선, 적절한 전압이 전원으로부터 청색 반도체 레이저 소자(2)로 인가될 때, 청색 반도체 레이저 소자(2)의 발광 층이 청색 광("a")을 방사하며, 청색 광("a")은 광학 렌즈(4)측으로 복사된다. 그 다음에, 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터 방사되는 청색 광("a")은 광학 렌즈(4)를 통해 레이저 공진기(3)의 유전체 거울(18)에 입사하게 된다. 레이저 공진기(3) 내에서, 청색 광(a)은 그 다음에 유 전체 거울(18)을 관통하여 형광 섬유(17)의 코어(17A)에 입사하게 되고, 그 전체 반사가 코어(17A) 내에서 행해지면서 유전체 거울(18)로 안내된다. 그 다음에, 유전체 거울(19)에 도달할 때, 청색 광("a")은 유전체 거울(19)에 의해 반사되어 그 전체 반사가 코어(17A) 내에서 행해지면서 유전체 거울(18)로 안내된다. 이러한 경우에, 청색 광("a")은 코어(17A) 내에서의 유전체 거울(18, 19)의 양쪽 모두 사이에서 반사되고, 프라세오디뮴 이온을 여기시키며, 그에 의해 녹색, 오렌지색 및 적색 파장 변환 광이 각각 방사된다. 그 후, 청색 광("a") 그리고 녹색, 오렌지색 및 적색 파장 변환 광은 유전체 거울(19)을 관통하여 레이저 공진기(3)의 외부측으로 다중 파장 출력 광("b")의 형태로 방사된다.
다음에, 본 발명의 이러한 실시예에 따른 발광 장치(1)로부터 방사되는 다중 파장 출력 광("b")을 관찰하는 실험의 결과에 대해 기술될 것이다.
이러한 실험은 청색 광("a")을 투과시켰지만 99%만큼 오렌지색 및 적색 광을 반사시킨 유전체 거울(18)이 입력 거울로서 준비되며 90%만큼 오렌지색 광 및 적색 광을 반사시키는 유전체 거울(18)이 출력 거울로서 준비되며 (20 ㎽ 및 35 ㎽의 여기 조건 하에서의) 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터의 청색 광(그 파장은 442 ㎚)이 레이저 공진기(3)에 입사하게 되도록 행해졌다. 실험의 결과로서, 파장 변환 광으로서 635 ㎚의 파장을 갖는 적색 광은 20 ㎽의 여기 조건 하에서 여기 광("a")으로서 442 ㎚의 파장을 갖는 청색 광과 함께 확인되었으며, 파장 변환 광으로서 635 ㎚의 파장을 갖는 적색 광 그리고 파장 변환 광으로서 606 ㎚의 파장을 갖는 오렌지색 광이 또한 35 ㎽의 여기 조건 하에서 여기 광("a")으로서 442 ㎚의 파장을 갖는 청색 광과 함께 확인되었다. 적색 및 오렌지색 광의 방사 동안의 방사된 광이 측정된 때, 여기 광으로서의 청색 광 그리고 파장 변환 광으로서의 적색 및 오렌지색 광의 예리한 방사 파장 피크를 갖는 방사 스펙트럼이 관찰되었다. 관찰 결과는 도4에 스펙트럼 다이어그램의 형태로 도시되어 있다. 도4에서, 세로 좌표의 축이 광도를 나타내며, 가로 좌표의 축이 파장을 나타낸다.
지금까지 기술된 바와 같은 제1 실시예에 따르면, 다음의 효과가 얻어진다.
(1) 단일의 레이저 광원[청색 반도체 레이저 소자(2)]은 다중 파장 레이저 광을 출력하므로, 구성 요소 또는 부품의 개수는 감소될 수 있으며, 이와 같이 전체적인 발광 장치의 저비용 판촉 및 소형화가 실현될 수 있다.
(2) 형광 섬유(17)는 ZrF4, HfF4, ThF4 등 중 임의의 물질을 내부에 함유하지 않지만 주 성분으로서 AlF3를 내부에 함유하는 불화물 유리를 포함하는 저 포논 유리로 제조되므로, 형광 섬유(17)의 기계적 강도 및 화학적 내구성은 향상되며, 이와 같이 형광 섬유(17)는 손상 및 열화되는 것이 방지될 수 있다.
(3) 442 ㎚의 파장을 갖는 청색 광이 여기 광("a")으로서 사용되므로, 원하는 (순수) 청색 광이 형광 섬유(17)의 광 방사 표면을 통해 방사되는 광으로서 얻어질 수 있다.
[제2 실시예]
도5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치의 형광 섬유를 설명하는 단면도이다. 도5에서, 도3에 도시된 것과 동일한 부재는 동일한 도면 부호로 지정되 며, 그 상세한 설명은 여기에서 생략된다.
도5에 도시된 바와 같이, 제2 실시예에서의 (도1에 도시된 바와 같은) 발광 장치(1)의 특징은 발광 장치(1)가 코어(17A)의 주연 표면에 인접하게 형성되는 제1 클래딩 부재(51A) 그리고 제1 클래딩 부재(51A)의 주연 표면에 인접하게 형성되는 제2 클래딩 부재(51B)를 포함하는 클래딩 부재(51)를 갖는 형광 섬유(50)를 포함한다는 것이다.
이러한 이유 때문에, 제1 클래딩 부재(51A)의 굴절률(n1)은 코어(17A)의 굴절률(n2)(n2≒1.50)보다 작지만 제2 클래딩 부재(51B)의 굴절률(n3)(n3≒1.45)보다 큰 굴절률(n1≒1.48)로 설정된다.
지금까지 기술된 바와 같은 제2 실시예에 따르면, 제1 실시예의 효과 (1) 내지 (3)에 추가하여, 다음의 효과가 얻어진다.
제1 클래딩 부재(51A)는 광 도파관으로서 기능할 수 있다. 또한, 녹색, 오렌지색 및 적색 파장 변환 광은 코어(17A) 내로 제1 클래딩 부재(51A)로 안내되는 여기 광("a")을 유도함으로써 얻어질 수 있다.
본 발명의 발광 장치는 전술된 제1 및 제2 실시예에 따라 기술되었지만, 본 발명은 전술된 제1 및 제2 실시예에 제한되도록 해석되지 않고 그 요지를 벗어나지 않고도 다양한 종류의 태양의 형태로 실시될 수 있다는 것이 주목되어야 한다. 예컨대, 다음의 변화가 행해질 수 있다.
(1) 제1 및 제2 실시예에서, 레이저 공진기(3)를 구성하는 색 선별 거울 부분이 각각 형광 섬유(17)의 섬유 단부 표면 내에 유전체 거울(18, 19)을 배치함으 로써 형성되는 경우에 대해 기술되었지만, 본 발명은 그에 제한되지 않는다. 즉, 색 선별 거울 부분은 또한 각각 광 섬유의 섬유 단부 표면 상으로 반사 필름을 증발시킴으로써 형성될 수 있다. 추가로, 색 선별 거울 부분은 또한 각각 시준 렌즈를 통해 형광 섬유의 섬유 단부 표면과 대면하는 위치 내에 반사 거울을 배치함으로써 형성될 수 있다.
(2) 제1 및 제2 실시예에서, 442 ㎚의 파장을 갖는 청색 광이 청색 반도체 레이저 소자(2)로부터 방사되는 여기 광("a")으로서 사용되는 경우에 대해 기술되었지만, 본 발명은 그에 제한되지 않는다. 즉, 높은 여기 효율을 갖고 청색 광이 있는 그대로 출력 광으로서 사용될 수 있는 440 내지 460 ㎚의 범위 내에 속하는 파장을 갖는 청색 광이 여기 광("a")으로서 사용될 수 있다.
(3) 제1 및 제2 실시예에서, 3가의 프라세오디뮴 이온(Pr3+)의 함량(m)이 500 ppm으로 설정되는 경우에 대해 기술되었지만, 본 발명은 그에 제한되지 않는다. 즉, 3가의 프라세오디뮴 이온의 함량(m)은 100 ppm≤m≤10,000 ppm의 범위 내에 속하는 함량으로 설정될 수 있다. 이러한 경우에, 함량(m)이 100 ppm 미만일 때, 어떠한 파장 변환 광도 코어(17A) 내에서 얻어지지 않는다. 반면에, 함량(m)이 10,000 ppm을 초과할 때, 코어(17A) 내에서의 광-투과성 성질은 불량해진다.
본 발명에 따르면, 전체적인 다중 파장 레이저 광원의 저비용 판촉 및 소형화가 실현될 수 있으며 광 섬유가 손상 및 열화되는 것이 방지될 수 있으며 원하는 청색 광이 광 섬유로부터 방사되는 광으로서 얻어질 수 있는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원이 제공된다.
Claims (15)
- 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원이며,여기 광을 방사하는 청색 반도체 레이저 소자와,제1 측면 섬유 단부 표면 및 제2 측면 섬유 표면을 갖는 광 섬유를 포함하고,청색 반도체 레이저 소자로부터 방사되는 여기 광은 제1 측면 섬유 단부 표면에 입사하게 되고, 제1 측면 섬유 단부 표면에 이와 같이 입사하게 되는 여기 광은 제2 측면 섬유 표면을 통해 방사되며,광 섬유는 각각 그 제1 및 제2 측면 섬유 단부 표면 내에서 레이저 공진기를 구성하는 색 선별 거울 부분을 가지며 광 섬유의 코어는 여기 광에 의해 여기됨으로써 파장 변환 광을 방사하는 3가의 희토류 이온으로서 적어도 프라세오디뮴 이온을 내부에 함유하는 저 포논 유리를 포함하는 파장-변환 부재로 제조되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제1항에 있어서, 3가의 프라세오디뮴 이온의 함량 m은 100 ppm≤m≤10,000 ppm의 범위로 설정되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제1항에 있어서, 광 섬유의 클래딩 부재는 코어의 주연 표면에 인접하게 형성되는 제1 클래딩 부재 그리고 제1 클래딩 부재의 주연 표면에 인접하게 형성되는 제2 클래딩 부재를 포함하며, 제1 클래딩 부재의 굴절률은 코어의 굴절률보다 작지만 제2 클래딩 부재의 굴절률보다 큰 굴절률로 설정되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제1항에 있어서, 색 선별 거울 부분은 각각 광 섬유의 제1 및 제2 측면 섬유 단부 표면 내에 반사 거울을 배치함으로써 형성되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제1항에 있어서, 색 선별 거울 부분은 각각 광 섬유의 제1 및 제2 측면 섬유 단부 표면 상으로 반사 필름을 증발시킴으로써 형성되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원이며,여기 광을 방사하는 청색 반도체 레이저 소자와;제1 측면 섬유 단부 표면 및 제2 측면 섬유 단부 표면을 갖는 광 섬유를 포함하며, 청색 반도체 레이저 소자로부터 방사되는 여기 광은 제1 측면 섬유 단부 표면에 입사하게 되고, 제1 측면 섬유 단부 표면에 이와 같이 입사하게 되는 여기 광은 제2 측면 섬유 단부 표면을 통해 방사되며,광 섬유는 각각 그 제1 및 제2 측면 섬유 단부 표면 내에서 레이저 공진기를 구성하는 색 선별 거울을 가지며, 광 섬유의 코어는 여기 광으로서 440 내지 460 ㎚의 파장을 갖는 여기 광에 의해 여기됨으로써 파장 변환 광을 방사하는 인을 내부에 함유하는 저 포논 유리를 포함하는 파장-변환 부재로 제조되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제6항에 있어서, 광 섬유의 클래딩 부재는 코어의 주연 표면에 인접하게 형성되는 제1 클래딩 부재 그리고 제1 클래딩 부재의 주연 표면에 인접하게 형성되는 제2 클래딩 부재를 포함하며, 제1 클래딩 부재의 굴절률은 코어의 굴절률보다 작지만 제2 클래딩 부재의 굴절률보다 큰 굴절률로 설정되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제6항에 있어서, 색 선별 거울 부분은 각각 광 섬유의 제1 및 제2 측면 섬유 단부 표면 내에 반사 거울을 배치함으로써 형성되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제6항에 있어서, 색 선별 거울 부분은 각각 광 섬유의 제1 및 제2 측면 섬유 단부 표면 상으로 반사 필름을 증발시킴으로써 형성되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원이며,레이저 광을 방사하는 청색 반도체 레이저 소자와,저 포논 유리 그리고 3가의 희토류 이온으로서의 적어도 프라세오디뮴 이온을 함유하는 파장-변환 부재를 위한 코어, 레이저 광이 공급되는 제1 섬유 단부 표면, 그리고 다중 파장 레이저 광을 위한 광원인 제2 섬유 단부 표면을 갖는 광 섬유와,광 섬유의 제2 섬유 단부 표면으로부터 다중 파장 레이저 광을 방사하는 레이저 공진기를 제공하기 위해 광 섬유의 제1 및 제2 섬유 단부 표면 상에 각각 제공되는 제1 및 제2 색 선별 거울 부분을 포함하는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제10항에 있어서, 프라세오디뮴 이온의 함량은 100 ppm 내지 10,000 ppm의 범위 내에 있는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제10항에 있어서, 청색 반도체 레이저 소자는 440 ㎚ 내지 460 ㎚의 범위 내에 있는 파장의 레이저 광을 방사하는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제10항에 있어서, 광 섬유는 코어의 주연 표면 상에 제공되는 제1 클래딩 부재 그리고 제1 클래딩 부재의 주연 표면 상에 제공되는 제2 클래딩 부재를 포함하며, 제1 클래딩 부재는 코어의 굴절률보다 작고 제2 클래딩 부재의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제10항에 있어서, 제1 및 제2 색 선별 거울 부분은 광 섬유의 제1 및 제2 섬유 단부 표면 상에 각각 제1 및 제2 반사 거울을 위치시킴으로써 제공되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
- 제10항에 있어서, 제1 및 제2 색 선별 거울 부분은 광 섬유의 제1 및 제2 섬유 단부 표면 상에 각각 제1 및 제2 반사 필름을 증발시킴으로써 제공되는 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005346839A JP2007157764A (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 蛍光ファイバを用いた多波長レーザ光源 |
| JPJP-P-2005-00346839 | 2005-11-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070056918A true KR20070056918A (ko) | 2007-06-04 |
Family
ID=38037886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060070599A KR20070056918A (ko) | 2005-11-30 | 2006-07-27 | 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070121684A1 (ko) |
| JP (1) | JP2007157764A (ko) |
| KR (1) | KR20070056918A (ko) |
| CN (1) | CN1975487A (ko) |
| DE (1) | DE102006033336A1 (ko) |
| TW (1) | TW200721617A (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009050876A1 (ja) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Panasonic Corporation | 短波長光源及び光学装置 |
| KR101038853B1 (ko) | 2008-04-18 | 2011-06-02 | 삼성엘이디 주식회사 | 레이저 시스템 |
| JP2010141283A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-06-24 | Central Glass Co Ltd | 広帯域な波長可変レーザ装置 |
| CN102171511B (zh) | 2008-10-02 | 2013-05-22 | 夏普株式会社 | 线状光源以及电子设备 |
| JP5597270B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-10-01 | 有限会社オルサ | 波長選択レーザ光源装置 |
| CN106471332B (zh) * | 2014-06-27 | 2019-07-09 | 株式会社基恩士 | 多波长共焦测量装置 |
| CN107561783B (zh) * | 2017-10-25 | 2020-07-31 | 海信视像科技股份有限公司 | 背光模组及液晶显示装置 |
| JP6842725B2 (ja) * | 2019-07-09 | 2021-03-17 | 株式会社金門光波 | レーザー装置およびレーザー発振方法 |
| CN111240096B (zh) * | 2020-03-13 | 2021-07-06 | Tcl华星光电技术有限公司 | 背光模组及具有该背光模组的显示装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4782491A (en) * | 1987-04-09 | 1988-11-01 | Polaroid Corporation | Ion doped, fused silica glass fiber laser |
| JP2908680B2 (ja) * | 1993-12-08 | 1999-06-21 | セントラル硝子株式会社 | アップコンバージョンレーザ材料 |
| JP3371343B2 (ja) * | 1994-07-25 | 2003-01-27 | 日本電信電話株式会社 | 光増幅用フッ化物ガラスおよび光ファイバ |
| US5856882A (en) * | 1995-02-15 | 1999-01-05 | Hoya Corporation | Optical fibers and optical fiber amplifiers |
| JPH11204862A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
| JP3250609B2 (ja) * | 1998-07-01 | 2002-01-28 | 日本電気株式会社 | レーザ発振装置、レーザメス |
| US6363088B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-03-26 | Sarnoff Corporation | All solid-state power broadband visible light source |
| US6347100B1 (en) * | 1999-01-04 | 2002-02-12 | Sdl, Inc. | Short wavelength fiber laser |
| JP2001036168A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
| JP2001264662A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | カラーレーザディスプレイ |
| JP2003198013A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-07-11 | Toshiba Corp | ファイバレーザ装置およびその光合分波器と映像表示装置 |
| US7006550B2 (en) * | 2002-09-18 | 2006-02-28 | Orbits Lightwave, Inc. | Traveling-wave lasers with a linear cavity |
| JP2004165396A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Toshiba Corp | アップコンバージョンファイバレーザ装置、映像表示装置 |
-
2005
- 2005-11-30 JP JP2005346839A patent/JP2007157764A/ja active Pending
-
2006
- 2006-07-07 US US11/456,164 patent/US20070121684A1/en not_active Abandoned
- 2006-07-19 DE DE102006033336A patent/DE102006033336A1/de not_active Withdrawn
- 2006-07-24 TW TW095126947A patent/TW200721617A/zh unknown
- 2006-07-27 CN CNA2006100991029A patent/CN1975487A/zh active Pending
- 2006-07-27 KR KR1020060070599A patent/KR20070056918A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200721617A (en) | 2007-06-01 |
| US20070121684A1 (en) | 2007-05-31 |
| CN1975487A (zh) | 2007-06-06 |
| JP2007157764A (ja) | 2007-06-21 |
| DE102006033336A1 (de) | 2007-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7277618B2 (en) | White light-emitting device using fluorescent fiber | |
| KR20070056918A (ko) | 형광 섬유를 사용한 다중 파장 레이저 광원 | |
| US20170159911A1 (en) | Phosphor optical element and light-emitting device using the same | |
| JP3434726B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR101540828B1 (ko) | 광전 모듈 및 광전 모듈을 포함한 프로젝션 장치 | |
| US20070217473A1 (en) | Laser equipment | |
| US11868023B2 (en) | Light-emitting device and optical fiber | |
| US20110216554A1 (en) | Light emitting device | |
| US11165223B2 (en) | Semiconductor light source | |
| JP2006278458A (ja) | 発光素子とその製造方法および照明装置 | |
| US10344947B2 (en) | Light emitter and light emitting device | |
| KR20050024243A (ko) | 발광 장치 | |
| Nourry-Martin et al. | Light recycling in LED-pumped Ce: YAG luminescent concentrators | |
| JP2006286783A (ja) | 発光素子とその製造方法および照明装置 | |
| JP2007258466A (ja) | 照明装置及び発光装置 | |
| JP2006261222A (ja) | 発光素子および照明装置 | |
| CN115004075A (zh) | 光源装置 | |
| CN116209953A (zh) | 高cri高亮度光源中增加的红色含量 | |
| KR101038853B1 (ko) | 레이저 시스템 | |
| JP3091342B2 (ja) | ガラス発光素子 | |
| KR101018147B1 (ko) | 레이저 시스템 | |
| WO2023199703A1 (ja) | 発光装置 | |
| JP2004259466A (ja) | 照明装置および表示装置 | |
| JP2023533026A (ja) | ３ｄコンセントレータ | |
| JPH05323402A (ja) | 青色発光光源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |