KR20070048751A - Ｒｆ 선택 스위치 회로, 튜닝 시스템 및 ｒｆ 신호 수신장치 - Google Patents

Ｒｆ 선택 스위치 회로, 튜닝 시스템 및 ｒｆ 신호 수신장치 Download PDF

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KR20070048751A
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쿠이 와이 림
시위 케이 옹
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코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

다수의 입력으로부터 RF 신호를 선택하는 기술로부터 RF 스위치가 알려져 있다. 예컨대, TV 튜너 및 TV 전단(front-end)은 둘 이상의 안테나 입력을 가질 수 있지만, 비교적 불량한 비용 성능으로 구현된다. 본 발명은 RF 선택 스위치 회로(200)에 관한 것이다. 스위치는 RF 입력 포트 및 공통의 RF 출력 포트를 갖는 제 1 스위치(202) 및 제 2 스위치(204)와, 제어 신호 회로(206)를 포함한다. 바람직한 실시예에서, 스위치는 핀 다이오드(pin-diode)를 포함한다. RF 출력 포트는 2개의 트랜지스터(T1, T2)를 포함하며, 그 중 하나는 소정의 시간에 비선택 스위치를 저임피던스 레벨이 되도록 하여, 공통 출력 포트의 신호 누설을 최소화한다.

Description

ＲＦ 선택 스위치 회로, 튜닝 시스템 및 ＲＦ 신호 수신 장치{RF SELECTION SWITCH FOR MULTIPLE ANTENNA INPUT}
본 발명은 다수의 입력 및 적어도 하나의 출력을 갖는 RF 스위치를 구비하고, 입력들 사이의 우수한 분리, 우수한 감도를 가지며, 저비용으로 제공되는 RF(Radio Frequency) 입력 회로에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 케이블 TV용 안테나 입력 및 지상파 TV용 안테나 입력과 같이, 둘 이상의 안테나 입력을 갖는 TV 튜너 및 TV 전단(front-end)과 관련된 것이다.
다수의 입력으로부터 RF 신호를 선택하는 기술로부터 RF 스위치가 알려져 있다. 예컨대, TV 튜너 및 TV 전단은 케이블 TV용 안테나 입력 및 지상파 TV용 안테나 입력, 또는, 2 케이블 TV 입력(A/B)이 제공되는 안테나 입력과 같이, 둘 이상의 안테나 입력을 갖는다.
오늘날, RF 스위치에 대해 두 가지의 해결책이 알려져 있는데, 즉, 전기 기계 스위치 및 전자 스위치이다. 전기 기계 스위치는 전자 수단에 비해, 부피가 크 고, 비교적 고가(BOM)이며, 높은 전압 및 전류가 필요하다. 전자 해결책에서, 우수한 분리가 요구된다면(예를 들면, FCC 요건), 분리 요건을 만족시키기 위해, 캐스케이드로 된 하나보다 많은 RF 스위치가 필요할 수 있다.
두 경우의 RF 스위치에 있어서, 제어 회로가 필요하다. 도 1은 MOSFET SPDT(Single Pole Double Throw) 스위치와 캐스케이드된 2x 다이오드 RF 스위치를 갖는 종래의 전자 스위치의 예를 도시한다. IC가 스위칭 제어 회로를 구현할 수 있다.
RF 스위치의 예에 대해서는, 미국 특허 제 4,400,735 호("Multi-component video system controller" 라는 제목을 가지며, Stramello에 의해 기술됨), 제 3,047,741 호("Multiple channel electronic switching circuit" 라는 제목을 가지며, Snow에 의해 기술됨), 제 4,742,249 호("RF switch with diode network and control latch sharing common element" 라는 제목을 가지며, Alpaiwalla에 의해 기술됨) 및 제 6,650,199 호("RF A/B switch with substantial isolation" 이라는 제목을 가지며, Dobrovolny에 의해 기술됨)로부터 찾을 수 있다.
RF 모듈이 2개의 안테나 입력, 예를 들면, 케이블 및 지상파 입력에 접속되는 응용에서, 장치가 파워 온 또는 오프될 때, 2개의 입력 신호들을 통한 바람직하지 않은 신호 누설 또는 그들 사이의 바람직하지 않은 교차 간섭이 발생되지 않도록 보장하기 위해서는, 소정의 분리가 필요하다. 이용하기 위한 적합성 외에도, 그것은 FCC 권고와 같은 관리 요건이다. FCC는 2개의 입력들 사이에 다음과 같은 분리를 요구한다.
54MHz 내지 216MHz ---- 80dBmin
216MHz 내지 550MHz ---- 60dBmin
550MHz 내지 806MHz ---- 55dBmin
상기 요건을 만족시키기 위해, 종래 기술에서는, 비교적 고가이며 복잡한 RF 스위치가 개발되어 왔다. 분리 요건 외에도, 우수한 RF 스위치는 우수한 감도가 여전히 나타날 수 있도록 보장하기 위해, 가급적 최소한의 삽입 손실을 가져야 한다.
본 발명은 필립스의 TUV1236D, 즉, TUV1236D RF 스위치에서 이용되는 현존하는 RF 스위치 해결책과 같은 비교적 고가이며 복잡한 스위치에 대한 대안을 제안한다.
발명의 개요
따라서, 본 발명의 목적은 입력들 사이에 우수한 분리를 제공하기에 충분하며, 작은 삽입 손실을 갖는 RF 스위치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 작은 인쇄 회로 기판 공간을 필요로 하는 저비용 RF 스위치를 개시 및 실시하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 입력들 사이에 우수한 분리를 제공하기에 충분하며, 작은 삽입 손실을 갖는 RF 스위치를 포함하는 튜너 또는 튜닝 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 입력들 사이에 우수한 분리를 제공하기에 충분하며, 작은 삽입 손실을 갖는 RF 스위치를 포함하는, 다수의 소스로부터 RF 신호를 수신하는 장치를 제공하는 것이다.
일실시예에서, 2개의 신호 입력들 사이의 스위칭을 위해 듀얼 다이오드 스위치가 적용된다. 오프 상태에서의 스위치, 및 그로 인한 비선택 입력 신호는 저임피던스로 만들어진다. 이것은 저임피던스로 스위칭되고 오프 상태에서의 스위치에 접속되는 출력을 갖는 트랜지스터를 이용하여 달성되어, 스위치의 출력에 대해 최소 비선택 입력 신호 누설을 제공한다. 관련된 실시예에서, 핀 다이오드 스위치를 적용하여, 입력들 사이에 우수한 분리를 제공한다.
본 발명의 이들 및 다른 양상은 이하에 기술된 실시예들로부터 명백할 것이며, 그러한 실시예들을 참조하여 설명될 것이다.
본 발명은 첨부 도면을 참조하여, 예를 통해, 보다 상세히 기술될 것이다.
도 1은 종래의 RF 스위치 회로의 회로도를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 RF 스위치 회로의 회로도를 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 RF 스위치 회로를 포함하는 튜닝 시스템을 도시한다.
도 4a 및 4b는 다수의 RF 스위치 회로를 포함하는 본 발명에 따른 확장된 스위치의 예들을 도시한다.
도 5는 확장된 수의 다이오드를 포함하는 본 발명에 따른 RF 스위치의 회로도를 도시한다.
도 6은 확장된 수의 트랜지스터를 포함하는 본 발명에 따른 RF 스위치의 회로도를 도시한다.
도 7은 본 발명에 따라 확장된 수의 트랜지스터 및 다이오드를 포함하는 RF 스위치의 회로도를 도시한다.
도면 전체를 통해, 동일한 참조 번호는 동일한 요소, 또는, 실질적으로 동일한 기능을 수행하는 요소를 나타낸다.
도 1은 종래의 RF 스위치 회로의 회로도를 도시한다.
도 1은 2x 다이오드(102, 104), 스위칭 제어 회로(106) 및 순회(Peregrine) MOSFET 스위치(108)를 포함하는 TUV1236D RF 스위치 회로(100)를 도시한다. RF 입력 신호는 Off-Air 및 Cable이고, RF 출력 신호는 RF_SW_OUT이다.
일반적으로, 신호 분리는 2x 다이오드와 순회 MOSFET 스위치를 캐스케이딩함으로써 실현된다. 순회 MOSFET 스위치(108)는 SPDT 스위치이거나 또는 하나의 출력 포트를 갖는 2 입력 포트이다. 제어 신호 RFSW의 상태에 따라, 출력 포트/핀이 한 번에 입력 포트/핀들 중 어느 하나에서 접속된다. MOSP-8-핀 IC는 순회 MOSFET 스위치(108)를 실현할 수 있다.
도 1로부터, 동작 스위치는 비교적 단순하다. 사용자가 오프 에어 신호 Off-Air를 수신하고자 하는 경우, 오프 에어 신호 경로에서의 대응하는 2x 다이오드(102)가 스위칭 온되고, 순회 MOSFET 스위치(108)는 원하는 입력 포트/핀으로(도 1에서, 상부 입력 위치로) 스위칭되어, Off-Air 신호 경로가 최소의 삽입 손실로 출력(RF_SW_OUT)에서 나타나도록 할 것이다. 동시에, Cable 신호 경로는, 사용자가 오프 에어 신호 수신 모드에 있는 경우, 최대한으로 감쇠/분리되어야 한다. 이러한 경우, 케이블 신호 경로에서의 2x 다이오드(104)는 오프 상태에 있고, 순회 MOSFET 스위치는 케이블 입력 포트/핀(도 1에서, 하부 입력 위치)이 접속해제되도록 할 것이다. MOPLL IC 또는 회로는 제어 신호 RFSW를 공급할 수 있다.
반대로, 사용자가 케이블 안테나 입력 Cable을 수신하고자 하는 경우, 2x 다이오드(102)는 스위칭 오프되고, 2x 다이오드(104)는 스위칭 온될 것이며, 순회 MOSFET 스위치(108)는 Cable 신호 경로로부터 하부 입력 신호를 통과시킬 것이고, Off-Air 신호 경로에는 최대 감쇠가 주어질 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 RF 스위치 회로(200)의 회로도를 도시한다. RF 스위치 회로(200)는 2x 다이오드(202)(다이오드 D1, D2를 포함), 2x 다이오드(204)(다이오드 D3, D4를 포함) 및 제어 신호 회로(206)를 포함한다. 도 2는 RF 입력 신호 포트 Off-Air 및 Cable과, 출력 신호 포트 RF_SW_OUT을 도시한다. 제어 신호 회로(206)는 비선택 입력과 출력 RF_SW_OUT 사이의 분리 기능의 일부를 수행한다. 본 발명에 따라 제안된 회로는 2개의 종래 RF 스위치를 캐스케이딩하는 것과 비교하여, 유사하거나 더욱 우수한 분리 및 삽입 손실 성능을 나타낸다.
동작시에, 포인트(210)(D1의 음극)는 저항기 R1, R2를 이용하여 공급 전압의 대략 절반(도 2에서, 약 2.5V)의 DC 레벨로 설정된다. 포인트(212(D2, D3의 음극들) 및 214(D4의 음극))는 유사한 방식으로 공급 전압의 약 절반의 DC 레벨로 설정된다.
하나의 동작 상태에서, 제어 입력 포트 RFSW가 하이(high) 상태(전형적으로 공급 전압 레벨)로 설정될 때, 트랜지스터 T1은 도전을 시작하며, 그의 콜렉터 출력을 로우(low) 상태(접지에 근접함)로 만들며, 따라서, 포인트(216)(D1, D2의 양극)은 로우로 된다. 이것은 2x 다이오드(202)에서의 다이오드들이 비도전성으로 되며, 포트 Off-Air로부터 2x 다이오드(202)를 통과하여 포인트(212)로 들어오는 신호를 효율적으로 차단할 것임을 의미한다. 더욱이, 포인트(216)는 도전 상태인 트랜지스터 T1을 통해 저임피던스 포인트로 된다. 저임피던스는 신호 포트 Off-Air로부터 출력 포트 RF_SW_OUT로의 보다 우수한 분리를 제공할 것이다. 트랜지스터 T1의 콜렉터가 로우이므로, 트랜지스터 T2의 베이스 또한 로우로 되고, 트랜지스터 T2는 비도전 상태일 것이다. 따라서, 트랜지스터 T2의 콜렉터는 부동(float)일 것이며, 저항기 R8을 통해 하이 상태로 될 것이다. 따라서, 2x 다이오드(204)에서의 다이오드들은 도전 상태로 되고, 신호 포트 Cable로부터 들어오는 RF 신호를 포인트(212)로 통과시킬 것이다. 신호 포트 Cable로부터 들어오는 신호는 신호 출력 포트 RF_SW_OUT으로 통과될 것이다. 캐패시터 C1, C2, C3은 임의의 DC가 통과하는 것을 차단하지만, RF 신호를 통과시키기에 충분히 클 것이다.
다른 동작 상태에서, RFSW가 로우 상태(전형적으로, 접지 레벨)로 설정될 때, 트랜지스터 T1은 비도전성으로 되고, 그의 콜렉터 출력을 부동 상태로 만들 것이며, 따라서, 포인트(216)는 저항기 R7을 통해 하이로 된다. 이것은 2x 다이오드(202)에서의 다이오드들이 도전성으로 되며, 포트 Off-Air로부터 2x 다이오드(202)를 통과하여 포인트(212)로 들어오는 신호를 효율적으로 통과시킬 것임을 의미한다. 트랜지스터 T1의 콜렉터가 하이이므로, 트랜지스터 T2의 베이스 또한 하이로 되고, 트랜지스터 T2는 도전 상태일 것이다. 따라서, 트랜지스터 T2의 콜렉터는 로우 상태일 것이다. 따라서, 2x 다이오드(204)에서의 다이오드들은 비도전 상태로 되고, 신호 포트 Cable로부터 들어오는 RF 신호를 포인트(212)로 통과시키지 않을 것이다. 더욱이, 포인트(218)(D3, D4의 양극)는, 이제 도전 상태에 있는 트랜지스터 T2를 통해 저임피던스 포인트로 된다. 저임피던스는 신호 포트 Cable로부터 출력 포트 RF_SW_OUT으로의 보다 우수한 분리를 제공할 것이다. 캐패시터 C1, C2, C3은 임의의 DC가 통과하는 것을 차단하지만, RF 신호를 통과시키기에 충분히 클 것이다.
제어 신호 회로(206)는 각각의 선택된 RF 입력 신호를 RF 신호 출력 포트로 통과시키기 위해, 2x 다이오드 스위치(202) 및 2x 다이오드 스위치(204) 중 하나를 선택하도록 배열된다. 또한, 제어 신호 회로(206)는 비선택 RF 입력 신호로부터 RF 신호 출력 포트로의 누화를 최소화하기 위해, 2x 다이오드 스위치(202) 및 2x 다이오드 스위치(204) 중 비선택된 하나에 대해 저임피던스 모드를 설정하도록 배열된다.
요약하면, 하이 온 제어 입력 포트 RFSW는 입력 포트 Cable로부터의 신호가 출력 포트 RF_SW_OUT으로 통과되도록 할 것이며, 로우 온 제어 입력 포트 RFSW는 입력 포트 Off-Air로부터의 신호가 출력 포트 RF_SW_OUT으로 통과되도록 할 것이다. 스위칭은 입력으로부터 출력으로의 최소 삽입 손실과, 2개의 입력 포트들 사이의 높은 분리로 실행된다.
RF 스위치 회로(200)는, 예를 들면, SPDT MOSFET 스위치(108) 및 그의 관련된 구성요소들이 제거되고, 제어 신호 회로(106)가 간략화되었기 때문에, 종래의 RF 스위치 회로(100)에 비해 명백하게 더 단순하다. 이것은 훨씬 더 낮은 BOM(Bill Of Materials) 및 더 높은 신뢰도를 초래하며, 또한, PCB 영역을 절약함으로써, 소형화와 관련하여, 보다 콤택트한 설계를 가능하게 한다.
본 발명자는, 2x 다이오드 스위치(202) 및 2x 다이오드 스위치(204)에 대해 핀 다이오드를 적용하는 경우, 스위치는, 예를 들면, 입력들 사이에, 예를 들면, 우수한 분리 동작을 제공함을 발견하였다. 그러나, 본 발명자는 기술 향상이 진행됨에 따라 우수한 스위칭 동작을 갖는 다른 유형의 다이오드가 출현하여, 본 발명의 사상에 적용될 수 있음을 고려한다.
도 3은 본 발명에 따른 RF 스위치 회로(310)를 포함하는 튜닝 시스템(300)을 도시한다. 더욱이, 튜닝 시스템(300)은 지상파 입력 포트(302)와, 케이블 입력 포트(304)와, LNA(306)와, 하이브리드 튜너(322)를 포함하는 튜너 부분(320)과, 아날로그 IF(332) 및 아날로그 IF 복조(334)를 포함하는 아날로그 부분(330)과, 디지털 IF(342) 및 디지털 IF 복조(채널 디코더)(344)를 포함하는 디지털 부분(340)과, OOB 튜너(350)와, 출력 포트 CVBS/SIF(360)와, 출력 포트 TS/POD(370)를 포함한다. RF 스위치(310)는 도 2의 RF 스위치 회로(200)를 포함한다.
튜닝 시스템(300)은 다수의 소스로부터 RF 신호를 수신하는 장치에서 이용될 수 있다. 그러한 소스는 케이블 TV 소스, 오프 에어 TV 소스, 가정내 TV 신호 분배 소스, RF 데이터 소스, RF 오디오 소스 등을 포함할 수 있다. 그러한 장치의 예로는, 텔레비전 수신기, 멀티미디어 수신기, 개인용 컴퓨터 등이 포함된다.
도 4a 및 4b는 다수의, 도 2의 RF 스위치 회로(200) (및/또는 도 5, 6, 7의 RF 스위치 회로들(500, 600, 700) 각각 또는 당업자가 고려할 수 있는 그것의 파생물)을 포함하는 확장된 스위치의 예를 도시한다. 도 4a는 3 RF 입력-2 RF 출력 스위치를 도시한다. 도 4b는 3 RF 입력-1 RF 출력 스위치를 도시한다. 당업자라면, 다른 구성을 마찬가지로 용이하게 구성할 수 있음을 이해할 것이다.
도 5는 입력 신호 분리 성능을 향상시킬 주변 회로를 갖는 확장된 수의 (바람직하게 핀) 다이오드(D5, D6, D7, D8)를 포함하는 RF 스위치의 회로도를 도시한다.
도 6은 입력 신호 분리 성능을 또한 향상시킬 주변 회로를 갖는 확장된 수의 트랜지스터(T3, T3)를 포함하는 RF 스위치의 회로도를 도시한다.
마지막으로, 도 7은 입력 신호 분리를 더욱 향상시킬 확장된 수의 트랜지스터(T3, T4) 및 (바람직하게 핀) 다이오드(D5, D6, D7, D8)를 포함하는 RF 스위치의 회로도를 도시한다.
당업자라면, RF 스위치를 설계하는 대안적인 방안이 고안될 수 있음을 알 것이다. 예컨대, (핀) 다이오드 대신에, (핀) 트랜지스터를 이용하거나, 또는 유사한 방식으로 동작하는 다른 장치를 이용할 수 있다. 이와 달리, 5V가 아닌 전원 전압을 이용할 수도 있다. 또한, 본 발명은 RF 스위칭이 아닌 다른 것, 예를 들면, TV-IF 신호 스위칭, 오디오 및/또는 비디오 베이스 밴드, 다른 변조 신호(아날로그, 오디오를 위한 디지털, 비디오 및/또는 디지털 신호)에 대해서도 유용하다.
전술한 내용은 단지 본 발명의 원리를 예시하는 것이다. 따라서, 당업자라면, 본 명세서에서 명시적으로 기술되거나 도시되지 않았지만, 본 발명의 원리를 구현하며, 따라서 본 발명의 사상 및 영역내에 속하는 다양한 구성들을 고안할 수 있음을 이해할 수 있다. 또한, 당업자라면, 커플링 또는 디커플링 캐패시터와 같은 소정의 구성요소들은, 스위칭 회로 이외의 설계 또는 소정의 설계 및 성능 기준에 따라, 추가되거나 제외될 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (14)

  1. RF 선택 스위치 회로(200, 310, 500, 600, 700)에 있어서,
    제 1 스위치(202)와,
    제 2 스위치(204)와,
    제어 신호 회로(206)를 포함하되,
    상기 제 1 스위치(202)는,
    제 1 RF 신호 입력 포트에 접속된 제 1 스위치 입력 포트(210)와,
    RF 신호 출력 포트에 접속된 제 1 스위치 출력 포트(212)와,
    제 1 스위치 제어 포트(216)를 포함하고,
    상기 제 2 스위치(204)는,
    제 2 RF 신호 입력 포트에 접속된 제 2 스위치 입력 포트(214)와,
    상기 RF 신호 출력 포트에 접속된 제 2 스위치 출력 포트(212)와,
    제 2 스위치 제어 포트(218)를 포함하고,
    상기 제어 신호 회로(206)는,
    입력 제어 포트에 접속된 베이스 DC, 접지에 접속된 에미터 DC, 및 상기 제 1 다이오드 스위치 제어 포트 및 공급 전압에 접속된 DC에 접속된 콜렉터 DC를 갖는 제 1 트랜지스터(T1)와,
    상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 베이스 DC, 접지에 접속된 에미터 DC, 및 상기 제 2 다이오드 스위치 제어 포트 및 공급 전압에 접속된 DC에 접속된 콜렉터 DC를 갖는 제 2 트랜지스터(T2)를 포함하며,
    상기 제 1 스위치 출력 포트, 상기 제 2 스위치 출력 포트 및 상기 RF 신호 출력 포트는 접속되고, 접지와 공급 전압 사이의 DC 레벨로 설정되는
    RF 선택 스위치 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치(202)는 핀 다이오드를 포함하고, 상기 제 2 스위치(204)는 핀 다이오드를 포함하는 RF 선택 스위치 회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터는 NPN 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 트랜지스터는 NPN 트랜지스터를 포함하는 RF 선택 스위치 회로.
  4. RF 선택 스위치 회로(200, 310, 500, 600, 700)를 포함하는 튜닝 시스템(300)에 있어서,
    제 1 스위치(202)와,
    제 2 스위치(204)와,
    제어 신호 회로(206)를 포함하되,
    상기 제 1 스위치(202)는,
    제 1 RF 신호 입력 포트에 접속된 제 1 스위치 입력 포트(210)와,
    RF 신호 출력 포트에 접속된 제 1 스위치 출력 포트(212)와,
    제 1 스위치 제어 포트(216)를 포함하고,
    상기 제 2 스위치(204)는,
    제 2 RF 신호 입력 포트에 접속된 제 2 스위치 입력 포트(214)와,
    상기 RF 신호 출력 포트에 접속된 제 2 스위치 출력 포트(212)와,
    제 2 스위치 제어 포트(218)를 포함하고,
    상기 제어 신호 회로(206)는,
    입력 제어 포트에 접속된 베이스 DC, 접지에 접속된 에미터 DC, 및 상기 제 1 다이오드 스위치 제어 포트 및 공급 전압에 접속된 DC에 접속된 콜렉터 DC를 갖는 제 1 트랜지스터(T1)와,
    상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 베이스 DC, 접지에 접속된 에미터 DC, 및 상기 제 2 다이오드 스위치 제어 포트 및 공급 전압에 접속된 DC에 접속된 콜렉터 DC를 갖는 제 2 트랜지스터(T2)를 포함하며,
    상기 제 1 스위치 출력 포트, 상기 제 2 스위치 출력 포트 및 상기 RF 신호 출력 포트는 접속되고, 접지와 공급 전압 사이의 DC 레벨로 설정되는
    튜닝 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치(202)는 핀 다이오드를 포함하고, 상기 제 2 스위치(204)는 핀 다이오드를 포함하는 튜닝 시스템.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터는 NPN 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 트랜지스터는 NPN 트랜지스터를 포함하는 튜닝 시스템.
  7. RF 선택 스위치 회로(200, 310, 500, 600, 700)를 포함하는, 다수의 소스로부터 RF 신호를 수신하는 장치에 있어서,
    제 1 스위치(202)와,
    제 2 스위치(204)와,
    제어 신호 회로(206)를 포함하되,
    상기 제 1 스위치(202)는,
    제 1 RF 신호 입력 포트에 접속된 제 1 스위치 입력 포트(210)와,
    RF 신호 출력 포트에 접속된 제 1 스위치 출력 포트(212)와,
    제 1 스위치 제어 포트(216)를 포함하고,
    상기 제 2 스위치(204)는,
    제 2 RF 신호 입력 포트에 접속된 제 2 스위치 입력 포트(214)와,
    상기 RF 신호 출력 포트에 접속된 제 2 스위치 출력 포트(212)와,
    제 2 스위치 제어 포트(218)를 포함하고,
    상기 제어 신호 회로(206)는,
    입력 제어 포트에 접속된 베이스 DC, 접지에 접속된 에미터 DC, 및 상기 제 1 다이오드 스위치 제어 포트 및 공급 전압에 접속된 DC에 접속된 콜렉터 DC를 갖는 제 1 트랜지스터(T1)와,
    상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 베이스 DC, 접지에 접속된 에미터 DC, 및 상기 제 2 다이오드 스위치 제어 포트 및 공급 전압에 접속된 DC에 접속된 콜렉터 DC를 갖는 제 2 트랜지스터(T2)를 포함하며,
    상기 제 1 스위치 출력 포트, 상기 제 2 스위치 출력 포트 및 상기 RF 신호 출력 포트는 접속되고, 접지와 공급 전압 사이의 DC 레벨로 설정되는
    RF 신호 수신 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치(202)는 핀 다이오드를 포함하고, 상기 제 2 스위치(204)는 핀 다이오드를 포함하는 RF 신호 수신 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터는 NPN 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 트랜지스터는 NPN 트랜지스터를 포함하는 RF 신호 수신 장치.
  10. RF 선택 스위치 회로(200, 310, 500, 600, 700)에 있어서,
    제어 신호 회로(206)와,
    제 1 RF 신호 입력 포트와 접속되고, RF 신호 출력 포트와 접속되고, 상기 제어 신호 회로(206)와 접속되는 제 1 다이오드 스위치(202)와,
    제 2 RF 신호 입력 포트와 접속되고, 상기 RF 신호 출력 포트와 접속되고, 상기 제어 신호 회로(206)와 접속되는 제 2 다이오드 스위치(204)를 포함하되,
    상기 제어 신호 회로(206)는 각각의 선택된 RF 입력 신호를 상기 RF 신호 출력 포트로 통과시키기 위해, 상기 제 1 다이오드 스위치(202) 및 상기 제 2 다이오드 스위치(204) 중 하나를 선택하도록 배열되고,
    상기 제어 신호 회로(206)는 비선택 RF 입력 신호로부터 상기 RF 신호 출력 포트로의 누화를 최소화하기 위해, 상기 제 1 다이오드 스위치(202) 및 상기 제 2 다이오드 스위치(204) 중 비선택된 하나에 대해 저임피던스 모드를 설정하도록 또한 배열되는
    RF 선택 스위치 회로.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 다이오드 스위치(202)는 그들의 양극이 함께 접속되는 2개의 핀 다이오드(D1, D2)를 포함하고, 상기 제 2 핀 다이오드 스위치(204)는 그들의 양극이 함께 접속되는 2개의 핀 다이오드(D3, D4)를 포함하는 RF 선택 스위치 회로.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 핀 다이오드 스위치(202)는 제 3 다이오드(D5, D6)를 포함하되, 상기 제 3 다이오드의 양극은 상기 2개의 핀 다이오드의 음극들 중 하나와 직렬로 되는 RF 선택 스위치 회로.
  13. 3-2(three-to-two) RF 선택 스위치 회로(400)에 있어서,
    RF 입력 포트(1), RF 입력 포트(2) 및 RF 입력 포트(3)와,
    RF 출력 포트(1) 및 RF 출력 포트(2)와,
    제 10 항의 제 1 RF 선택 스위치 회로―상기 제 1 RF 선택 스위치 회로는 상기 RF 입력 포트(1)에 접속된 제 1 입력과, 상기 RF 입력 포트(2)에 접속된 제 2 입력과, 상기 RF 출력 포트(1)에 접속된 제 1 출력을 가짐―와,
    제 10 항의 제 2 RF 선택 스위치 회로―상기 제 2 RF 선택 스위치 회로는 상 기 RF 입력 포트(2)에 접속된 제 1 입력과, 상기 RF 입력 포트(3)에 접속된 제 2 입력과, 상기 RF 출력 포트(2)에 접속된 제 1 출력을 가짐―를 포함하는
    3-2 RF 선택 스위치 회로.
  14. 3-1(three-to-one) RF 선택 스위치 회로(460)에 있어서,
    RF 입력 포트(1), RF 입력 포트(2) 및 RF 입력 포트(3)와,
    RF 출력 포트와,
    제 10 항의 제 1 RF 선택 스위치 회로―상기 제 1 RF 선택 스위치 회로는 상기 RF 입력 포트(1)에 접속된 제 1 입력과, 상기 RF 입력 포트(2)에 접속된 제 2 입력과, 중간 RF 출력 포트(1)에 접속된 제 1 출력을 가짐―와,
    제 10 항의 제 2 RF 선택 스위치 회로―상기 제 2 RF 선택 스위치 회로는 상기 RF 입력 포트(2)에 접속된 제 1 입력과, 상기 RF 입력 포트(3)에 접속된 제 2 입력과, 중간 RF 출력 포트(2)에 접속된 제 1 출력을 가짐―와,
    제 10 항의 제 3 RF 선택 스위치 회로―상기 제 3 RF 선택 스위치 회로는 상기 중간 RF 출력 포트(1)에 접속된 제 1 입력과, 상기 중간 RF 출력 포트(2)에 접속된 제 2 입력과, 상기 RF 출력 포트에 접속된 출력을 가짐―를 포함하는
    3-1 RF 선택 스위치 회로.
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