KR20070040940A - 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자 방출부의 형상 균일도를 높일 수 있는 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는, 기판 위에 캐소드 전극들과 절연층 및 게이트 전극들을 형성하고, 게이트 전극들과 절연층에 각자의 개구부를 형성하고, 기판에 제공된 구조물 표면 전체에 마스크층을 형성한 다음 이를 패터닝하는 과정을 2회 이상 실시하여 전자 방출부 형성 부위에 개구부를 형성하고, 마스크층의 개구부에 전자 방출 물질을 채워 마스크층 개구부 형상에 대응하는 전자 방출부를 형성하고, 마스크층을 제거하는 단계들을 포함한다.

전자방출부, 기판, 캐소드전극, 절연층, 게이트전극, 마스크층

Description

전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 {ELECTRON EMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE DEVICE}

도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.

본 발명은 전자 방출 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자 방출부의 형상 균일도를 높일 수 있는 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식으로 분류된다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체 (Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.

이 중 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극으로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 구성 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 카본과 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어지는 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.

즉 통상의 전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 더불어 주사 전극들과 데이터 전극들로 기능하는 복수의 구동 전극들을 구비하여 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 화소별 전자 방출의 온/오프와 전자 방출량을 제어한다. 그리고 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 이루게 된다.

전자 방출 디바이스는 구동 전극들과 절연층 및 전자 방출부가 적층된 형태로 이루어질 수 있다. 가령 공지의 FEA형 전자 방출 디바이스는 기판 위에 캐소드 전극들과 절연층 및 게이트 전극들이 순차적으로 형성되고, 게이트 전극들과 절연층에 개구부가 형성되어 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키며, 개구부 내측으로 캐소드 전극들 위에 전자 방출부가 배치된 형태로 이루어진다.

이러한 FEA형 전자 방출 디바이스에 있어서, 전자 방출부를 형성하는 공정으로 전자 방출 물질을 캐소드 전극 위에 직접 성장시키는 방법과, 전자 방출 물질을 함유하는 페이스트상 혼합물을 캐소드 전극 위에 스크린 인쇄하는 방법 등이 알려져 있다.

이 중, 스크린 인쇄법은 기판에 제공된 구조물 표면 전체에 마스크층을 형성하고 이를 패터닝하여 전자 방출부 형성 위치에 개구부를 형성하고, 기판 위 전체에 상기 혼합물을 스크린 인쇄하고, 개구부에 채워진 혼합물을 선택적으로 경화시킨 다음 경화되지 않은 혼합물을 제거하고, 마스크층을 박리하는 과정들로 이루어진다. 이때 마스크층은 통상 포토레지스트층으로 이루어지며, 노광과 현상에 의해 패터닝되어 개구부를 형성한다.

그런데 상기 마스크층은 절연층의 개구부 측벽에 걸쳐 형성되고, 노광시 빛의 산란 또는 간섭에 의해 의도하지 않은 부위가 함께 노광되므로 마스크층의 개구부는 기판으로부터 수직한 측벽을 형성하지 못하고 소정의 경사면, 특히 기판으로부터 멀어질수록 폭이 점진적으로 커지는 측벽을 형성하게 된다.

그 결과, 전자 방출부 또한 기판으로부터 멀어질수록 폭이 확대되는 단면 형상을 가지게 되며, 전자 방출부의 상부 가장자리가 게이트 전극에 걸쳐 형성될 수 있어 캐소드 전극과 게이트 전극의 단락을 유발할 수 있다. 그리고 마스크층의 개구부들간 형상 균일도가 우수하지 못하므로 전자 방출부의 형상 균일도가 저하되고, 화소별 에미션 특성이 불균일해지는 문제가 발생한다.

이러한 문제는 게이트 전극들 상부에 추가 절연층과 전자빔 집속을 위한 집속 전극을 형성하는 경우 더욱 빈번하게 발생한다.

따라서 본 발명의 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전자 방출부 형상 균일도를 높이고, 캐소드 전극과 게이트 전극 간 단락 발생을 억제할 수 있는 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

기판 위에 캐소드 전극들과 절연층 및 게이트 전극들을 형성하고, 게이트 전극들과 절연층에 각자의 개구부를 형성하고, 기판에 제공된 구조물 표면 전체에 마스크층을 형성한 다음 이를 패터닝하는 과정을 2회 이상 실시하여 전자 방출부 형성 부위에 개구부를 형성하고, 마스크층의 개구부에 전자 방출 물질을 채워 마스크층 개구부 형상에 대응하는 전자 방출부를 형성하고, 마스크층을 제거하는 단계들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자 방출 디바이스를 제공한다.

상기 마스크층은 2차 이상의 개별 마스크층으로 이루어지고, 각각의 개별 마스크층은 포토레지스트층으로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 마스크층을 형성할 때 나중에 형성하는 마스크층 일수록 낮은 점도를 갖는 물질로 형성할 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 개략도이다.

먼저 도 1a를 참고하면, 기판(2) 위에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 스트라이프 형상의 캐소드 전극들(4)을 형성하고, 캐소드 전극들(4) 위로 기판(2) 전체에 절연 물질을 증착 혹은 스크린 인쇄하여 제1 절연층(6)을 형성한다. 그리고 제1 절연층(6) 위로 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 캐소드 전극(4)과 직교하는 스트라이프 형상의 게이트 전극들(8)을 형성한다.

이어서 게이트 전극들(8) 위로 기판(2) 전체에 절연 물질을 증착 혹은 스크린 인쇄하여 제2 절연층(10)을 형성하고, 제2 절연층(10) 위에 도전 물질을 코팅하여 집속 전극(12)을 형성한다. 그리고 집속 전극(12)과 제2 절연층(10), 게이트 전극(8)과 제1 절연층(6)을 순차적으로 부분 식각하여 개구부(14)를 형성함으로써 전자 방출부가 위치할 캐소드 전극(4)의 일부 표면을 노출시킨다.

이때, 제2 절연층(10)과 집속 전극(12)은 선택적인 추가 사항이므로 제1 기판(2) 위에 캐소드 전극(4), 제1 절연층(6) 및 게이트 전극(8)만 형성하여도 무방하다.

다음으로 도 1b에 도시한 바와 같이, 기판(2)에 제공된 구조물 위 전체에 1차 마스크층(16)을 형성한다. 1차 마스크층(16)은 포토레지스트층으로 이루어지며, 일례로 노광 부위가 용해되어 제거되는 포지티브(positive) 타입의 포토레지스트층으로 이루어질 수 있다.

이어서 상기 기판(2)의 후면에 전자 방출부 형성 부위에 개구부(18a)를 갖는 노광 마스크(18)를 배치하고, 기판(2)의 후면으로부터 자외선을 조사하여 1차 마스크층(16)을 부분 노광하고, 현상을 통해 노광 부위를 제거하여 도 1c에 도시한 바와 같이 1차 마스크층 개구부(16a)를 형성한다.

이때 1차 마스크층(16)의 개구부(16a)는 구조물에 제공된 개구부(14) 형상을 따라 소정의 경사진 측벽을 갖게 되며, 더욱이 노광시 빛의 산란 또는 간섭 등에 의해 기판(2)으로부터 멀어질수록 큰 폭으로 형성된다.

이어서 도 1d와 1e에 도시한 바와 같이, 상기 1차 마스크층(16)이 형성된 기판(2) 위 전체에 2차 마스크층(20)을 형성하고, 1차 마스크층(16)과 동일한 방법으로 2차 마스크층(20)을 패터닝하여 전자 방출부 형성 부위에 개구부(20a)를 형성한다.

그러면 먼저 형성된 1차 마스크층(16)이 2차 마스크층(20) 노광시 자외선의 산란이나 간섭을 억제하므로 2차 마스크층(20)은 1차 마스크층(16) 위에서 1차 마스크층(16)의 개구부(16a)보다 수직한 측벽의 개구부(20a)를 형성하게 된다. 즉 2차 마스크층(20)은 1차 마스크층(16)의 개구부(16a) 측벽에서 기판으로부터 멀어질수록 점진적으로 큰 두께로 형성되어 1차 마스크층(16)의 개구부(16a)보다 수직한 측벽의 개구부(20a)를 형성한다.

도 1e에서 부호 22은 1차 마스크층(16)과 2차 마스크층(20)을 포함하는 마스크층을 나타내고, 22a는 마스크층(22)의 개구부를 나타낸다. 상기 과정을 마친 마스크층(22)은 기판(2)으로부터 멀어질수록 폭이 확대되는 개구부(22a)를 형성하지만, 1차와 2차에 걸쳐 개구부(22a) 측벽의 수직성을 높였기 때문에, 추후 전자 방 출부가 형성될 개구부(22a) 아래 부분은 실직적으로 수직한 측벽을 형성하게 된다.

상기 2차 마스크층(20) 위로 복수의 마스크층을 더욱 형성할 수 있다. 마스크층(22)은 여러 번에 걸쳐 형성될수록 더욱 수직한 측벽을 갖는 개구부(22a)를 형성한다.

한편, 상기 마스크층(22)은 형성 순서에 따라 다른 점도를 적용할 수 있다. 일례로, 1차 마스크층(16)을 형성할 때에는 점도가 낮은 포토레지스트층을 사용하여 기판(2)에 제공된 구조물의 개구부를 용이하게 채울 수 있도록 하고, 2차 마스크층(20)은 상대적으로 점도가 높은 포토레지스트층을 사용하여 마스크층 개구부(22a)가 보다 수직한 측벽을 확보할 수 있도록 한다.

이어서, 마스크층 개구부(22a)에 전자 방출 물질을 채워 도 1f에 도시한 바와 같이 전자 방출부(24)를 형성하고, 남은 마스크층(22)을 제거한다.

전자 방출부(24) 형성에는 ①분말 상의 전자 방출 물질과 비히클, 바인더 등의 유기물을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 갖는 혼합물을 제작하고, ②상기 혼합물을 마스크층(22)의 개구부(22a)에 선택적으로 인쇄하고, ③인쇄된 혼합물을 건조 및 소성하는 과정이 적용될 수 있다.

다른 한편으로, 전자 방출부(24)를 형성할 때에는 도 1g에 도시한 바와 같이, ①분말 상의 전자 방출 물질과 비히클, 바인더 등의 유기물 및 감광성 물질을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 갖는 혼합물(26)을 제작하고, ②마스크층(22) 위에 상기 혼합물(26)을 스크린 인쇄하고(점선 표시 참고), ③기판(2)의 후면을 통해 자외선을 조사하여 마스크층(22)의 개구부(22a)에 채워진 혼합물(26)을 선택적으로 경화시키고, ④경화되지 않은 혼합물(26)을 제거한 다음 건조 및 소성하는 과정이 적용될 수 있다.

도 1g에 도시한 과정이 적용되는 경우, 기판(2)은 투명 기판으로 준비하고, 캐소드 전극(4)은 ITO와 같은 투명 도전막으로 형성한다.

이어서 도 1h에 도시한 바와 같이, 기판(2)에 제공된 구조물 위 전체에 점착성 테이프(28)를 부착하고, 점착성 테이프(28)를 구조물로부터 떼어내는 표면 활성화 단계를 진행한다. 이 단계를 통해 전자 방출부(24)는 상부 표면층이 제거되어 전자 방출 물질들이 표면으로 노출됨과 아울러, 각각의 전자 방출 물질이 기판(2) 면에 대해 수직한 방향으로 정렬되어 그 뾰족한 끝단을 노출시킴에 따라 전자 방출 효율을 배가시킬 수 있다.

이와 같이 본 실시예의 제조 방법에 따르면, 전자 방출부들(24)은 마스크층(22)의 개구부(22a) 형상을 따라 기판에 대해 수직한 측면을 가지며, 형상 균일성이 우수한 전자 방출부들(24)을 용이하게 형성할 수 있다. 따라서 화소별 에미션 특성을 균일하게 할 수 있고, 전자 방출부(24)와 게이트 전극(8)간 거리를 균일하게 유지할 수 있어 캐소드 전극(4)과 게이트 전극(8)의 단락을 방지할 수 있다.

이하, 도 2를 참고하여 전술한 방법을 통해 제작된 전자 방출 디바이스를 이용한 전자 방출 표시 디바이스의 구성에 대해 설명한다.

도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(30)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(30)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시 키며, 내부 공간이 대략 10^-6 torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(2)과 제2 기판(30) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.

상기 제1 기판(2) 중 제2 기판(30)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 디바이스(100)를 구성하고, 전자 방출 디바이스(100)가 제2 기판(30) 및 제2 기판(30)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.

먼저, 제1 기판(2) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(4)이 제1 기판(2)의 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(4)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(6)이 형성된다. 제1 절연층(6) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(8)이 캐소드 전극(4)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

본 실시예에서 캐소드 전극(4)과 게이트 전극(8)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극(4) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(24)가 형성되고, 제1 절연층(6)과 게이트 전극(8)에는 각 전자 방출부(24)에 대응하는 개구부(6a,8a)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(24)가 노출되도록 한다.

전자 방출부(24)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(24)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C_60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 전술한 스 크린 인쇄법으로 형성된다.

도면에서는 전자 방출부들(24)이 원형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 캐소드 전극(4)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전자 방출부(24)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.

그리고 게이트 전극(8)과 제1 절연층(6) 위로 제3 전극인 집속 전극(12)이 형성될 수 있다. 집속 전극(12) 하부에는 제2 절연층(10)이 위치하여 게이트 전극(8)과 집속 전극(12)을 절연시키며, 제2 절연층(10)과 집속 전극(12)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(10a,12a)가 마련된다. 도 2에서는 화소 영역마다 하나의 개구부(10a,12a)가 구비되어 집속 전극(12)이 한 화소 영역에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하는 구성을 도시하였다.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(32), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(32R,32G,32B)이 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(32) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(34)이 형성된다. 형광층(32)은 제1 기판(2)에 설정되는 화소 영역에 한가지 색의 형광층(32R,32G,32B)이 대응하도록 형성된다.

형광층(32)과 흑색층(34) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(36)이 형성된다. 애노드 전극(36)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(32)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(30) 측으로 반사시켜 휘도를 높이는 역할을 한다.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(30)을 향한 형광층(32)과 흑색층(34)의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 투명 도전막과 금속막이 형광층(32)과 흑색층(34)의 양면에 동시에 형성되는 구조도 가능하다.

상기 제1 기판(2)과 제2 기판(30) 사이에는 스페이서들(도시하지 않음)이 배치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고, 두 기판의 간격을 일정하게 유지시킨다. 스페이서들은 형광층(32)을 침범하지 않도록 흑색층(34)에 대응하여 위치한다.

상기 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(4), 게이트 전극들(8), 집속 전극(12) 및 애노드 전극(36)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.

일례로 캐소드 전극들(4)과 게이트 전극들(8) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다. 그리고 집속 전극(12)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(36)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다.

그러면 캐소드 전극(4)과 게이트 전극(8)간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(24) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출 된 전자들은 집속 전극(12)의 개구부(12a)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되며, 애노드 전극(36)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층(32)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 디바이스는 전자 방출부의 형상 균일도가 높아짐에 따라 각 전자 방출부에서 방출되는 방출 전류 균일도가 향상된다. 또한, 전자 방출부의 형상이 개선되어 전자 방출부와 게이트 전극이 충분한 거리를 확보할 수 있으며, 이에 따라 캐소드 전극과 게이트 전극 간 단락을 방지하는 효과가 있다.

Claims (9)

1. 기판 위에 캐소드 전극들과 절연층 및 게이트 전극들을 형성하고;

   상기 게이트 전극들과 절연층에 각자의 개구부를 형성하고;

   상기 기판에 제공된 구조물 표면 전체에 마스크층을 형성한 다음 이를 패터닝하는 과정을 2회 이상 실시하여 전자 방출부 형성 부위에 개구부를 형성하고;

   상기 마스크층의 개구부에 전자 방출 물질을 채워 마스크층 개구부 형상에 대응하는 전자 방출부를 형성하고;

   상기 마스크층을 제거하는 단계들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 마스크층이 2차 이상의 개별 마스크층으로 이루어지고, 각각의 개별 마스크층이 포토레지스트층으로 이루어지는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 마스크층을 형성할 때, 나중에 형성하는 마스크층 일수록 낮은 점도를 갖는 물질로 형성하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출 물질이 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C_60, 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부를 형성하는 단계가,

   전자 방출 물질과 유기물을 혼합하여 전자 방출부 형성용 혼합물을 제작하고, 이 혼합물을 상기 마스크층의 개구부에 선택적으로 인쇄하고, 인쇄된 혼합물을 건조 및 소성하는 과정들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부를 형성하는 단계가,

   전자 방출 물질과 유기물 및 감광성 물질을 혼합하여 전자 방출부 형성용 혼합물을 제작하고, 상기 마스크층 위에 이 혼합물을 인쇄하고, 기판의 후면으로부터 자외선을 조사하여 마스크층의 개구부에 채워진 혼합물을 선택적으로 경화시키고, 경화되지 않은 혼합물을 제거하는 과정들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
7. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부를 형성한 다음,

   상기 기판에 제공된 구조물 위에 점착성 테이프를 부착하고;

   이 점착성 테이프를 상기 구조물로부터 떼어내어 전자 방출부의 표면을 활성화하는 과정을 더욱 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
8. 제1항에 있어서,

   상기 마스크층을 형성하기 전,

   상기 게이트 전극들 상부에 추가 절연층과 집속 전극을 형성하고, 집속 전극과 추가 절연층에 각자의 개구부를 형성하는 과정을 더욱 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 전자 방출 디바이스.

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