KR20070030618A - Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method using the apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 열전사 방법에 의한 유기막층 전사시, 도너필름에서 발생되는 열이 유기막층으로 전달되는 것을 효과적으로 조절하기 위한 레이저 열전사 장치 및 그 장치를 사용하는 레이저 열전사 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치는 챔버 내에 적재되어 있는 기판받침대 상에 형성된 기판과; 상기 기판과 대향하도록 상기 기판 상부에 위치된 도너필름과; 상기 도너필름과 소정 간격을 두고 상기 도너필름 상부에 설치된 레이저 발진부와; 상기 레이저 발진부의 일영역에 설치된 적어도 하나의 노즐을 가지는 저온가스 분사부와; 상기 기판 상부에서 상기 도너필름을 향하도록 설치된 적어도 하나의 노즐을 가지는 고온가스 분사부;를 포함한다. 이러한 구성에 의하여, 유기막층이 열에 의해 손상되는 것을 방지함과 동시에 유기막층과 기판 사이의 접착력을 증가시킬 수 있다.The present invention relates to a laser thermal transfer apparatus for effectively controlling transfer of heat generated from a donor film to an organic layer during transfer of an organic film layer by a laser thermal transfer method, and a laser thermal transfer method using the apparatus. A laser thermal transfer apparatus according to the present invention includes a substrate formed on a substrate support loaded in a chamber; A donor film positioned on the substrate so as to face the substrate; A laser oscillation unit disposed above the donor film at a predetermined distance from the donor film; A low temperature gas injector having at least one nozzle installed in one region of the laser oscillator; And a hot gas injector having at least one nozzle installed on the substrate to face the donor film. By such a configuration, it is possible to prevent the organic film layer from being damaged by heat and to increase the adhesive force between the organic film layer and the substrate.

고온가스 분사부, 저온가스 분사부 Hot Gas Injector, Cold Gas Injector

Description

레이저 열전사 장치 및 그 장치를 사용하는 레이저 열전사 방법 {LASER INDUCED THERMAL IMAGING APPARATUS AND LASER INDUCED THERMAL IMAGING METHOD USING THE APPARATUS}LASER INDUCED THERMAL IMAGING APPARATUS AND LASER INDUCED THERMAL IMAGING METHOD USING THE APPARATUS}

도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열전사 장치의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a laser thermal transfer apparatus according to the prior art.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 레이저 열전사 방법에 따른 단계별 개략적인 사시도이다.2A to 2E are schematic step-by-step perspective views of the laser thermal transfer method of the present invention.

♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣♣ Explanation of symbols for the main parts of the drawing ♣

200 : 챔버 204 : 레이저 발진부200: chamber 204: laser oscillation unit

205 : 기판 209 : 도너필름205: substrate 209: donor film

210 : 저온가스 분사부 211 : 고온가스 분사부210: low temperature gas injection unit 211: hot gas injection unit

본 발명은 레이저 열전사 장치 및 그 장치를 사용하는 레이저 열전사 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 유기막층 전사시, 도너필름에서 발생되는 열이 유기막층으로 전달되는 것을 효과적으로 조절할 수 있는 레이저 열전사 장치 및 그 장치를 사용하는 레이저 열전사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser thermal transfer apparatus and a laser thermal transfer method using the apparatus, and more particularly, laser thermal transfer that can effectively control the transfer of heat generated from a donor film to an organic layer during transfer of an organic layer. A device and a method of laser thermal transfer using the device.

일반적으로, 유기전계 발광표시소자는 절연기판 상에 하부전극인 애노드전극이 형성되고, 애노드전극 상에 유기막층이 형성되며, 유기막층 상에 상부전극인 캐소드전극이 형성된다. 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층 중 적어도 하나를 포함한다.In general, in the organic light emitting display device, an anode electrode, which is a lower electrode, is formed on an insulating substrate, an organic layer is formed on the anode electrode, and a cathode electrode, which is an upper electrode, is formed on the organic layer. The organic layer includes at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole suppression layer, an electron transport layer, an electron injection layer.

유기막층을 형성하는 방법으로는 증착법과 리소그라피법이 있다. 증착법은 섀도우 마스크를 이용하여 유기발광물질을 진공증착하여 유기막층을 형성하는 방법으로, 마스크의 변형 등에 의해 고정세의 미세패턴을 형성하기 어렵고, 대면적 표시장치에 적용하기 어렵다. 리소그라피법은 유기발광물질을 증착한 다음 포토레지스트를 이용해서 패터닝하여 유기막층을 형성하는 방법으로, 고정세의 미세패턴을 형성하는 것은 가능하지만, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상액 또는 유기발광물질의 식각액 등에 의해 유기막층의 특성이 저하되는 문제점이 있다.As a method of forming an organic film layer, there exist a vapor deposition method and the lithography method. The deposition method is a method of forming an organic layer by vacuum depositing an organic light emitting material by using a shadow mask, it is difficult to form a high-definition fine pattern due to deformation of the mask, it is difficult to apply to a large area display device. The lithography method is a method of forming an organic layer by depositing an organic light emitting material and then patterning the photoresist using a photoresist, but it is possible to form a high-definition fine pattern. There is a problem that the characteristics of the organic film layer is lowered by the etchant.

증착법과 리소그라피법의 문제점을 해결하기 위하여, 직접 유기막층을 패터닝하는 잉크젯 방식이 제안되었다. 잉크젯 방식은 발광재료를 용매에 용해 또는 분산시켜 토출액으로 잉크젯 프린트 장치의 헤드로부터 토출시켜 유기막층을 형성하는 방법이다. 잉크젯 방식은 공정이 비교적 간단하지만, 수율저하나 막두께의 불균일성이 발생되고, 대면적의 표시장치에 적용하기 어려운 문제점이 있다.In order to solve the problems of the deposition method and the lithography method, an inkjet method of directly patterning the organic film layer has been proposed. The inkjet method is a method in which an organic film layer is formed by dissolving or dispersing a light emitting material in a solvent and discharging it from a head of an inkjet printing apparatus with a discharge liquid. The inkjet method has a relatively simple process, but has a problem of low yield and nonuniformity in film thickness, which is difficult to apply to a large-area display device.

한편, 레이저 열전사 방법을 이용하여 유기막층을 형성하는 방법이 제안되었는데, 레이저 열전사 방법은 전사층의 용해성 특성에 영향을 받지 않는다는 장점이 있다. 레이저 열전사 방법은 레이저에서 나온 빛을 열에너지로 변환하고, 변환된 열에너지에 의해 전사층을 유기 발광표시장치의 기판으로 전사시켜 R, G, B 유기막 층을 형성하는 방법이다. 레이저 열전사 방법은 레이저로 유도된 이미징 프로세스로 고해상도의 패턴 형성, 필름 두께의 균일성, 멀티레이어 적층 능력, 대형 마더글래스로의 확장성과 같은 고유한 이점을 가지고 있다.On the other hand, a method of forming an organic film layer using a laser thermal transfer method has been proposed, the laser thermal transfer method has the advantage that the solubility characteristics of the transfer layer is not affected. The laser thermal transfer method converts light emitted from a laser into thermal energy and transfers the transfer layer to a substrate of an organic light emitting diode display by using the converted thermal energy to form R, G, and B organic film layers. The laser thermal transfer method has inherent advantages such as high resolution pattern formation, film thickness uniformity, multilayer stacking capability, and scalability to large mother glass in a laser induced imaging process.

이러한 레이저 열전사 방법은 액정표시소자용 컬러필터 제조에 이용되기도 하며, 또한 발광물질의 패턴을 형성하기 위하여 이용되는 경우도 있다.(미국특허 제 5,998,085호)The laser thermal transfer method may be used to manufacture color filters for liquid crystal display devices, and may also be used to form patterns of light emitting materials. (US Patent No. 5,998,085)

이하에서는 도면을 참조하여 종래의 레이저 열전사 방법을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a conventional laser thermal transfer method will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열전사 장치의 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 레이저 열전사 장치는 챔버(100) 내부에 레이저 발진부(102)가 설치되어 있으며, 레이저 발진부(102)와 대향하도록 레이저 발진부(102)의 하부에 설치된 기판받침대(101)가 있다. 레이저 발진부(102)와 기판받침대(101) 사이에는 도너필름(108)이 삽입되며, 도너필름(108)과 대향하도록 도너필름(108)의 하부에 기판(104)이 삽입되어 있다. 도너필름(108)은 기재기판(107), 광-열 변환층(106), 유기막층(105)으로 구성되어 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a laser thermal transfer apparatus according to the prior art. Referring to FIG. 1, in the conventional laser thermal transfer apparatus, a laser oscillation unit 102 is installed inside a chamber 100, and a substrate support 101 installed under the laser oscillation unit 102 to face the laser oscillation unit 102. There is). The donor film 108 is inserted between the laser oscillator 102 and the substrate support 101, and the substrate 104 is inserted below the donor film 108 to face the donor film 108. The donor film 108 is composed of a base substrate 107, a light-to-heat conversion layer 106, and an organic film layer 105.

또한, 기판(104)의 하부에는 플레이트(103)가 형성되어 있는데, 고온 플레이트(hot plate) 또는 저온 플레이트(cool plate)가 형성될 수 있다. 고온 플레이트는 도너필름(108)과 기판(104)을 라미네이션 하기 전에 접착력을 향상시켜 주며, 저온 플레이트는 레이저 조사시 유기막층(105)이 열에 의해 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다.In addition, a plate 103 is formed below the substrate 104, and a hot plate or a cool plate may be formed. The high temperature plate improves adhesion before laminating the donor film 108 and the substrate 104, and the low temperature plate prevents the organic layer 105 from being damaged by heat during laser irradiation.

그러나, 이러한 종래 기술에 따른 레이저 열전사 장치는 기판 하부에 고온 플레이트 또는 저온 플레이트(cool plate) 중 어느 하나만을 사용하여야 하므로, 각각의 플레이트 사용에 대한 효과를 동시에 얻을 수 없게 된다. 또한, 기판 하부에 고온 플레이트가 위치하게 되는 경우, 기판 상에 증착되어 있는 유기막층이 고온 플레이트에서 발생하는 열에 의해 손상을 입게 되는 문제점이 있다.However, since the laser thermal transfer apparatus according to the related art should use only one of a hot plate or a cool plate at the bottom of the substrate, the effect on the use of each plate cannot be obtained at the same time. In addition, when the high temperature plate is positioned below the substrate, there is a problem that the organic layer deposited on the substrate is damaged by heat generated from the high temperature plate.

따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해결하기 위해 고안된 발명으로, 본 발명의 목적은 레이저 열전사 방법에 의한 라미네이션시 및 유기막층을 전사하기 위한 레이저 조사시, 도너필름에서 발생되는 열이 유기막층으로 전달되는 것을 효과적으로 조절하기 위한 레이저 열전사 장치 및 그 장치를 사용하는 레이저 열전사 방법을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention is an invention designed to solve the above-mentioned conventional problems, the object of the present invention is the lamination by the laser thermal transfer method and during the laser irradiation for transferring the organic film layer, the heat generated in the donor film is organic The present invention provides a laser thermal transfer apparatus and a laser thermal transfer method using the apparatus for effectively controlling the transfer to the film layer.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치는 챔버 내에 적재되어 있는 기판받침대 상에 위치된 기판과, 상기 기판과 대향하도록 상기 기판 상부에 위치된 도너필름과, 상기 도너필름과 소정 간격을 두고 상기 도너필름 상부에 설치된 레이저 발진부와, 상기 레이저 발진부의 일영역에 설치된 적어도 하나의 노즐을 가지는 저온가스 분사부와, 상기 도너필름을 향하도록 설치된 적어도 하나의 노즐을 가지는 고온가스 분사부를 포함한다.In order to achieve the above object, the laser thermal transfer apparatus according to the present invention comprises a substrate positioned on a substrate support stacked in a chamber, a donor film positioned on the substrate so as to face the substrate, and the donor film; Hot gas injection having a laser oscillation unit provided above the donor film at a predetermined interval, a low temperature gas injection unit having at least one nozzle installed in one region of the laser oscillation unit, and at least one nozzle provided to face the donor film Contains wealth.

바람직하게, 상기 저온가스 분사부 및 상기 고온가스 분사부에서 분사되는 가스는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)이며, 상기 챔버 내부의 온도는 80℃ 내지 100℃의 범위를 유지하도록 한다. 상기 저온가스 분사부에 형성된 적어도 하나의 노즐은 레이저가 조사되는 방향을 따라 일렬로 배열되며, 레이저가 조사되는 속도에 맞추어 순차적으로 노즐을 열어주면서 저온가스를 분사한다. 또는, 레이저가 조사되는 라인 전체에 동시에 저온가스를 분사한다. 그리고, 상기 고온가스 분사부는 이동수단이 구비된다.Preferably, the gas injected from the low temperature gas injector and the high temperature gas injector is nitrogen (N 2 ) or argon (Ar), and the temperature inside the chamber is maintained in a range of 80 ° C. to 100 ° C. At least one nozzle formed in the low temperature gas injection unit is arranged in a line along the direction in which the laser is irradiated, and injects the low temperature gas while sequentially opening the nozzles in accordance with the speed at which the laser is irradiated. Alternatively, the low temperature gas is simultaneously injected to the entire line to which the laser is irradiated. Then, the hot gas injection unit is provided with a moving means.

본 발명에 따른 레이저 열전사 방법은 챔버 내에 적재되어 있는 기판받침대 상에 기판 및 상기 기판과 대향하도록 도너필름을 삽입하는 단계와, 고온가스 분사부를 통해 상기 도너필름이 상기 기판에 라미네이션되는 면에 고온가스(hot gas)를 분사하는 단계와, 상기 도너필름과 상기 기판을 라미네이션(lamination)하는 단계와, 상기 도너필름 상에 레이저 조사시에, 저온가스(cool gas)를 분사하여 상기 기판 상에 유기막층을 전사시키는 단계를 포함한다.Laser thermal transfer method according to the present invention comprises the step of inserting the donor film to face the substrate and the substrate on the substrate support that is loaded in the chamber, and a high temperature on the surface where the donor film is laminated on the substrate through a hot gas injection Spraying a hot gas, laminating the donor film and the substrate, and spraying a cool gas upon the laser irradiation on the donor film to form an organic material on the substrate. Transferring the membrane layer.

상기 저온가스 분사부는 상기 유기막층이 전사되는 영역에만 국부적으로 저온가스를 분사하는 것이 바람직하다.Preferably, the low temperature gas injection unit injects low temperature gas only into a region where the organic layer is transferred.

이하에서는 본 발명의 실시예를 도시한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치 및 그 장치를 사용하는 레이저 열전사 방법을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a laser thermal transfer apparatus according to the present invention and a laser thermal transfer method using the apparatus will be described in detail with reference to the drawings showing an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 레이저 열전사 방법에 따른 단계별 개략적인사시도이다.2A to 2E are schematic step-by-step perspective views according to the laser thermal transfer method of the present invention.

도 2a에 도시된 바와 같이, 챔버(200)를 준비한다. 상기 챔버(200) 내에는 기판받침대(201)가 적재되어 있으며, 상기 기판받침대(201) 상에는 기판(205)이 위치하고 있다. 그리고, 상기 기판(205)과 대향하도록 상기 기판(205) 상부에 위치하는 도너필름(209)과, 상기 도너필름(209)과 소정 간격을 두며, 상기 도너필름(209) 상부에 형성된 레이저 발진부(204)가 있다. 상기 레이저 발진부(204)는 레이저 발진기(202)와 상기 레이저 발진기(202)를 좌우로 이동시키는 가이드바(203)로 구성되어 있다. 또한, 상기 레이저 발진기(202) 하부에는 저온가스 분사부(210)가 형성되어 있으며, 상기 기판(205) 상부에서 상기 도너필름(209)이 라미네이션되는 면을 향하도록 고온가스 분사부(211)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 2A, the chamber 200 is prepared. The substrate support 201 is loaded in the chamber 200, and the substrate 205 is positioned on the substrate support 201. The donor film 209 positioned on the substrate 205 so as to face the substrate 205, and the laser oscillation unit formed on the donor film 209 at a predetermined distance from the donor film 209. 204). The laser oscillator 204 includes a laser oscillator 202 and a guide bar 203 for moving the laser oscillator 202 from side to side. In addition, a low temperature gas injector 210 is formed under the laser oscillator 202, and the hot gas injector 211 is disposed on the substrate 205 to face a surface on which the donor film 209 is laminated. Formed.

상기와 같은 구성에서, 상기 챔버(200) 내부는 80℃ 내지 100℃의 온도 범위로 유지한다. 유기막층(206)이 적당량의 열을 받게 되면, 어닐링(annealing)의 효과가 나타나지만, 과도한 양의 열을 받게 되면 손상(damage)을 받게 되기 때문이다.In the above configuration, the chamber 200 is maintained in a temperature range of 80 ℃ to 100 ℃. This is because when the organic layer 206 receives an appropriate amount of heat, annealing effects appear, but when an excessive amount of heat is received, damage occurs.

또한, 상기 레이저 발진기(202)는 상기 레이저 발진부(204)에 형성된 상기 가이드바(203)에 의해 이동되는데, 상기 레이저 발진기(209)는 상기 유기막층이 전사되는 라인(line)별로 이동하면서 레이저를 조사시킨다.In addition, the laser oscillator 202 is moved by the guide bar 203 formed on the laser oscillator 204, the laser oscillator 209 moves the laser while moving for each line (line) to which the organic film layer is transferred. Investigate.

그리고, 상기 도너필름(209)은 기재기판(base film;208), 상기 기재기판(208) 상에 형성된 광-열 변환층(LTHC:light to heat conversion;207), 상기 광-열 변환층(207) 상에 상기 유기막층(206)이 형성되어 있다. 상기 광-열 변환층(207)과 상기 유기막층(206) 사이에 층간삽입층을 더 포함할 수 있다.The donor film 209 may include a base film 208, a light-to-heat conversion layer (LTHC) formed on the base substrate 208, and the light-to-heat conversion layer ( The organic layer 206 is formed on 207. An interlayer insertion layer may be further included between the light-to-heat conversion layer 207 and the organic layer 206.

상기 기재기판(208)은 지지체 역할을 하며, 광투과율이 90% 이상인 기판을 사용한다. 상기 기재기판(208)을 형성하는 물질로는 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리올레핀, 폴리비닐수지 등을 사용하는데, 그 중에서도 투명성이 우수한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)가 가장 많이 사용된다.The substrate 208 serves as a support and uses a substrate having a light transmittance of 90% or more. Polyester, polycarbonate, polyolefin, polyvinyl resin, or the like is used as a material for forming the base substrate 208. Among them, polyethylene terephthalate (PET) having excellent transparency is most used.

상기 광-열 변환층(207)은 상기 유기막층(206)이 상기 기판(205) 등과 같은 수용체 상에 전사될 수 있는 전사에너지를 제공하는 역할을 하며, 레이저를 흡수하여 열에너지로 변환시켜 주는 광흡수재(radiation absorber)를 포함한다. 상기 광-열 변환층(207)이 너무 얇게 형성되는 경우에는 에너지 흡수율이 낮아 광이 열로 변화되는 에너지 양이 작게 되어 팽창압력이 낮아지고, 투과되는 에너지가 커지게 되어 유기전계 발광표시소자의 기판 회로에 손상을 주게 되므로, 1㎛ 내지 5㎛ 정도로 형성한다.The light-to-heat conversion layer 207 serves to provide the transfer energy that the organic layer 206 can be transferred onto a receptor such as the substrate 205, and the light absorbs the laser and converts it into thermal energy. And a radiation absorber. In the case where the light-to-heat conversion layer 207 is formed too thin, the energy absorption rate is low so that the amount of energy converted into heat is small, so that the expansion pressure is lowered, and the energy transmitted is increased to increase the substrate of the organic light emitting display device. Since damage to a circuit is formed, it forms about 1 micrometer-about 5 micrometers.

상기 도너필름(209)의 가장 하부에 위치한 상기 유기막층(206)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층 중 적어도 하나의 단층막 또는 복수의 다층막이다. 그리고, 상기 광-열 변환층(207)을 보호하기 위한 상기 층간삽입층은 상기 광-열 변환층(207)의 이물질이 상기 유기막층에 들어가지 않도록 한다.The organic layer 206 located at the bottom of the donor film 209 may be a single layer film or a plurality of multilayer films of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. The interlayer insertion layer for protecting the light-to-heat conversion layer 207 does not allow foreign substances of the light-to-heat conversion layer 207 to enter the organic layer.

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 챔버(200)의 일영역에 배출구가 형성될 수 있다. 배출구는 상기 챔버(200) 내부에 존재하는 파티클(particle)을 외부로 배출시키는 역할을 한다. 배출구는 상기 챔버(200) 내부의 분위기를 변화시키지 않는 범위 내에서 상기 챔버(200)의 일영역에 형성될 수 있다.Although not shown in the drawing, an outlet may be formed in one region of the chamber 200. The outlet port serves to discharge particles existing in the chamber 200 to the outside. The outlet may be formed in one region of the chamber 200 within a range that does not change the atmosphere inside the chamber 200.

도 2b 내지 도 2e는 도 2a 이후에 진행되는 레이저 열전사 방법을 단계별로 보여주는 개략적인 사시도로, 설명의 편의상, 전술한 도 2a와 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 특히, 상기 챔버 및 상기 레이저 발진부에 대한 구체적인 설명은 생략한다.2B to 2E are schematic perspective views illustrating a laser thermal transfer method performed step by step after FIG. 2A. For convenience of description, detailed descriptions of the same components as those of FIG. 2A will be omitted. In particular, detailed descriptions of the chamber and the laser oscillator will be omitted.

그 다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(205)의 상부에 위치한 상기 고온가스 분사부(211)에서 상기 도너필름(209)의 하부 영역에 고온가스를 분사한다.Next, as shown in FIG. 2B, the hot gas is injected into the lower region of the donor film 209 by the hot gas injector 211 positioned on the substrate 205.

상기 고온가스 분사부(211)에서 분사되는 고온가스는 상기 기판(205)과 상기 도너필름(209)의 접착력을 증가시키는 역할을 한다. 고온가스는 상기 도너필름(209)이 기판(205)에 라미네이션되는 면을 향하도록 분사된다. 또한, 상기 유기막층(206)이 산소(O2) 및 수분(H2O)에 취약하므로, 상기 유기막층(206)이 손상되는 것을 방지하기 위하여, 상기 챔버(200) 내부에는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)으로 구성된 고온가스가 분사된다. 상기 고온가스 분사부(211)에는 별도의 이동수단이 연결되어 있어, 상기 도너필름이 기판에 라미네이션되는 면에 고온가스를 분사하므로, 노즐(213)을 하나만 설치하여도 된다.The hot gas injected from the hot gas injector 211 increases the adhesion between the substrate 205 and the donor film 209. The hot gas is sprayed to face the surface on which the donor film 209 is laminated to the substrate 205. In addition, since the organic layer 206 is vulnerable to oxygen (O 2 ) and moisture (H 2 O), in order to prevent the organic layer 206 from being damaged, nitrogen (N 2 ) is formed inside the chamber 200. ) Or hot gas composed of argon (Ar) is injected. A separate moving means is connected to the hot gas injector 211, so that the hot gas is injected onto a surface on which the donor film is laminated to the substrate, so that only one nozzle 213 may be installed.

이어서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 기판받침대(201) 상에 상기 기판(205)과 상기 도너필름(209)을 라미네이션시킨다.Subsequently, as illustrated in FIG. 2C, the substrate 205 and the donor film 209 are laminated on the substrate support 201.

상기 도너필름(209)과 상기 기판(205)을 라미네이션하기 전에 고온가스를 상기 도너필름(209)의 하부 영역에 분사하였기 때문에 상기 도너필름(209)의 상기 유 기막층(206)과 상기 기판(205)과의 접착력을 증가시킬 수 있다.Since the hot gas was injected into the lower region of the donor film 209 before laminating the donor film 209 and the substrate 205, the organic film layer 206 and the substrate ( 205 may increase adhesion.

이후, 도 2d에 도시된 바와 같이, 레이저를 조사하여 상기 도너필름(209)의 상기 유기막층(206)을 상기 기판(205)으로 전사시킨다. 동시에 상기 레이저 발진기(202) 하부에 형성된 상기 저온가스 분사부(210)에서는 상기 유기막층(206)이 전사되는 영역에만 국부적으로 저온가스를 분사한다.Thereafter, as shown in FIG. 2D, the organic film layer 206 of the donor film 209 is transferred to the substrate 205 by irradiating a laser. At the same time, the low temperature gas injector 210 formed under the laser oscillator 202 locally injects low temperature gas only to a region where the organic layer 206 is transferred.

저온가스는 상기 도너필름(209)에서 발생하는 열에 의한 상기 유기막층(206)의 손상을 방지하는 역할을 한다. 고온가스와 마찬가지로, 상기 유기막층(206)이 산소(O2) 및 수분(H2O)에 취약하므로, 상기 유기막층이 손상되는 것을 방지하기 위하여, 상기 챔버 내부에는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)으로 구성된 저온가스가 분사된다.The low temperature gas serves to prevent damage to the organic layer 206 due to heat generated from the donor film 209. Like the hot gas, since the organic layer 206 is vulnerable to oxygen (O 2 ) and moisture (H 2 O), in order to prevent the organic layer from being damaged, nitrogen (N 2 ) or argon inside the chamber. Low temperature gas composed of (Ar) is injected.

상기 도너필름(209)에 레이저를 조사하면, 광-열 변환층(207)이 레이저광을 열로 변환시켜 열을 방출하면서 팽창한다. 이에 따라, 전사층인 상기 유기막층(206)도 팽창되어 상기 도너필름(209)으로부터 분리되면서 상기 기판(205) 상에 상기 유기막층(206)을 형성하게 된다. 이 때, 패터닝된 물질이 레이저가 전사되는 방향에 따라 상기 기판(205)에 부착되는 것이다.When the donor film 209 is irradiated with a laser, the light-to-heat conversion layer 207 expands while converting the laser light into heat to release heat. Accordingly, the organic layer 206, which is a transfer layer, is also expanded to be separated from the donor film 209 to form the organic layer 206 on the substrate 205. At this time, the patterned material is attached to the substrate 205 in the direction in which the laser is transferred.

상기 저온가스 분사부(210)에는 적어도 하나의 노즐(212)이 형성되어 있다. 국부적으로 저온가스를 분사할 때에는, 상기 저온가스 분사부(210)에 형성된 노즐(212)이 레이저가 조사되는 방향을 따라 일렬로 배열되어, 레이저가 조사되는 속도에 맞추어 순차적으로 노즐(212)을 열어주면서 가스를 분사한다. 또는, 레이저 조 사시 상기 유기막층(206)이 전사되는 라인 전체에 가스를 분사한다. 레이저가 조사되는 속도가 매우 빠르므로, 전사되는 상기 유기막층(206)에 저온가스를 분사하기 위해서 상기 저온가스 분사부(210)에 형성되는 노즐(212)은 필연적으로 적어도 하나가 형성되어야 한다.At least one nozzle 212 is formed in the low temperature gas injection unit 210. When locally injecting low-temperature gas, the nozzles 212 formed in the low-temperature gas injection unit 210 are arranged in a line along the direction in which the laser is irradiated, so that the nozzles 212 are sequentially arranged in accordance with the speed at which the laser is irradiated. Inject gas while opening. Alternatively, gas is injected into the entire line to which the organic layer 206 is transferred during laser irradiation. Since the rate at which the laser is irradiated is very fast, at least one nozzle 212 formed in the low temperature gas injection unit 210 inevitably needs to be formed in order to inject low temperature gas into the organic layer 206 to be transferred.

마지막으로, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 유기막층(206)이 상기 기판(205)에 전사되면, 상기 도너필름(209)과 상기 기판(205)을 분리시킨다. 상기 도너필름(209)은 상기 기재기판(208)과 상기 광-열 변환층(207)만 남게 되며, 상기 기판(205) 상에는 각각의 R, G, B 화소들이 전사되어 있다.Lastly, as shown in FIG. 2E, when the organic layer 206 is transferred to the substrate 205, the donor film 209 and the substrate 205 are separated. In the donor film 209, only the substrate substrate 208 and the light-to-heat conversion layer 207 remain, and respective R, G, and B pixels are transferred onto the substrate 205.

전술한 실시예에서는 국부적으로 고온가스 및 저온가스를 분사하였지만, 챔버 내부에 전체적으로 분사할 수 있음은 물론이다. 또한, 저온가스 분사부가 한 라인만 설치되어 별도의 이동수단에 의해 레이저가 조사되는 영역을 따라 이동하며 저온가스를 분사할 수 있다. 고온가스 분사부에는 적어도 하나의 노즐이 형성될 수 있으며, 도너필름이 기판에 라미네이션되는 면에 골고루 고온가스를 분사할 수 있도록 이동수단을 구비한 형상이면 된다.In the above-described embodiment, the hot and cold gas are locally injected, but of course it can be injected entirely inside the chamber. In addition, only one line of the low-temperature gas injection unit is installed along the area irradiated with the laser by a separate moving means to inject low-temperature gas. At least one nozzle may be formed in the hot gas injector, and the donor film may have a shape including a moving unit so as to spray the hot gas evenly on the surface of the donor film laminated on the substrate.

그리고, 전술한 실시예에서는 유기막층이 산소(O2) 및 수분(H2O)에 취약하므로 챔버 내부에 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)으로 구성된 가스를 주입하였으나, 전술한 실시예 외에도 유기막층에 영향을 미치지 않는 가스이면 가능하다.In the above-described embodiment, since the organic layer is vulnerable to oxygen (O 2 ) and moisture (H 2 O), a gas composed of nitrogen (N 2 ) or argon (Ar) is injected into the chamber, but in addition to the above-described embodiment If it is a gas which does not affect an organic film layer, it is possible.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해 야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 레이저 열전사 방법을 이용하여 유기막층을 전사할시, 도너필름에서 발생되는 열이 유기막층으로 전달되는 것을 효과적으로 조절할 수 있도록 하기 위하여, 도너필름과 기판을 라미네이션 하기 전에 도너필름 하부에 고온가스를 분사함으로써, 유기막층과 기판의 접착력(adhesion)을 향상시킬 수 있으며, 레이저 조사시 저온가스를 분사함으로써, 유기막층이 열에 의한 손상을 받지 않도록 할 수 있다.As described above, in order to effectively control the transfer of heat generated from the donor film to the organic film layer when the organic film layer is transferred using the laser thermal transfer method according to the present invention, lamination of the donor film and the substrate By spraying a hot gas on the lower portion of the donor film before, it is possible to improve the adhesion (adhesion) of the organic film layer and the substrate, and by injecting a low-temperature gas during laser irradiation, it is possible to prevent the organic film layer from being damaged by heat.

Claims (8)

챔버 내에 적재되어 있는 기판받침대 상에 위치된 기판과;A substrate located on the substrate support loaded in the chamber; 상기 기판과 대향하도록 상기 기판 상부에 위치된 도너필름과;A donor film positioned on the substrate so as to face the substrate; 상기 도너필름과 소정 간격을 두고 상기 도너필름 상부에 설치된 레이저 발진부와;A laser oscillation unit disposed above the donor film at a predetermined distance from the donor film; 상기 레이저 발진부의 일영역에 설치된 적어도 하나의 노즐을 가지는 저온가스 분사부와;A low temperature gas injector having at least one nozzle installed in one region of the laser oscillator; 상기 도너필름을 향하도록 설치된 적어도 하나의 노즐을 가지는 고온가스 분사부;를 포함하는 레이저 열전사 장치.And a hot gas injector having at least one nozzle installed to face the donor film. 제1항에 있어서, 상기 저온가스 분사부 및 상기 고온가스 분사부에서 분사되는 가스는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)인 레이저 열전사 장치.The laser thermal transfer apparatus of claim 1, wherein the gas injected from the low temperature gas injector and the high temperature gas injector is nitrogen (N 2 ) or argon (Ar). 제1항에 있어서, 상기 챔버 내부의 온도는 80℃ 내지 100℃의 범위를 유지하는 레이저 열전사 장치.The laser thermal transfer apparatus of claim 1, wherein a temperature in the chamber is maintained in a range of 80 ° C. to 100 ° C. 7. 제1항에 있어서, 상기 저온가스 분사부에 형성된 적어도 하나의 노즐은 레이저가 조사되는 방향을 따라 일렬로 배열되며, 레이저가 조사되는 속도에 맞추어 순 차적으로 노즐을 열어주면서 저온가스를 분사하는 레이저 열전사 장치.The laser beam of claim 1, wherein the at least one nozzle formed in the low temperature gas injection unit is arranged in a line along a direction in which the laser is irradiated, and the low temperature gas is sprayed by sequentially opening the nozzles at a speed at which the laser is irradiated. Thermal transfer device. 제1항에 있어서, 상기 저온가스 분사부는 레이저가 조사되는 라인 전체에 동시에 저온가스를 분사하는 레이저 열전사 장치.The laser thermal transfer apparatus of claim 1, wherein the low temperature gas injection unit simultaneously injects low temperature gas to the entire line to which the laser is irradiated. 제1항에 있어서, 상기 고온가스 분사부는 이동수단이 구비된 레이저 열전사 장치.The laser thermal transfer apparatus according to claim 1, wherein the hot gas injection unit is provided with a moving unit. 챔버 내에 적재되어 있는 기판받침대 상에 기판 및 상기 기판과 대향하도록 도너필름을 삽입하는 단계와;Inserting a donor film on the substrate support loaded in the chamber to face the substrate and the substrate; 고온가스 분사부를 통해 상기 도너필름이 상기 기판에 라미네이션되는 면에고온가스(hot gas)를 분사하는 단계와;Spraying hot gas onto a surface of the donor film laminated to the substrate through a hot gas injection unit; 상기 도너필름과 상기 기판을 라미네이션(lamination)하는 단계와;Laminating the donor film and the substrate; 상기 도너필름 상에 레이저 조사시에, 저온가스(cool gas)를 분사하여 상기 기판 상에 유기막층을 전사시키는 단계를 포함하는 레이저 열전사 방법.When the laser irradiation on the donor film, the step of spraying a cool gas (cool gas) comprising the step of transferring the organic film layer on the substrate. 제7항에 있어서, 상기 저온가스 분사부는 상기 유기막층이 전사되는 영역에만 국부적으로 저온가스를 분사하는 레이저 열전사 방법.The method of claim 7, wherein the low temperature gas injection unit locally injects low temperature gas only to a region where the organic layer is transferred.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140078268A (en) * 2012-12-17 2014-06-25 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
US9324974B2 (en) 2013-05-09 2016-04-26 Samsung Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method using the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100342653B1 (en) * 2000-08-24 2002-07-03 김순택 Method for manufacturing organic electroluminescence device
JP4433722B2 (en) * 2003-08-12 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 Pattern forming method and wiring pattern forming method
KR100563059B1 (en) * 2003-11-28 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 Electroluminescence display device and laser induced thermal imaging donor film for the electroluminescence display device
KR100611159B1 (en) * 2003-11-29 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 Oled

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140078268A (en) * 2012-12-17 2014-06-25 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
KR101960744B1 (en) * 2012-12-17 2019-03-21 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
US9324974B2 (en) 2013-05-09 2016-04-26 Samsung Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method using the same

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