KR20070021362A - 반도체 노광설비 - Google Patents

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KR20070021362A
KR20070021362A KR1020050075547A KR20050075547A KR20070021362A KR 20070021362 A KR20070021362 A KR 20070021362A KR 1020050075547 A KR1020050075547 A KR 1020050075547A KR 20050075547 A KR20050075547 A KR 20050075547A KR 20070021362 A KR20070021362 A KR 20070021362A
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문연진
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Abstract

본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 노광설비를 개시한다. 그의 설비는 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 소정의 광을 생성하는 광원; 상기 광원에서 생성된 광을 전달하는 광학계; 상기 광학계에서 전달되는 광이 웨이퍼에 수직하는 방향으로 입사되도록 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지; 상기 광학계 사이에 형성되어 상기 웨이퍼 스테이지에 지지되는 웨이퍼 상에 입사되는 상기 광을 투영시키는 소정의 패턴이 형성된 레티클; 및 상기 레티클을 수평상태로 지지하여 고정시키고, 상기 웨이퍼에 투영되는 패턴의 종류에 따라 복수개의 레티클이 탑재되도록 형성된 레티클 스테이지를 포함함에 의해 종래의 레티클 라이브러리에서 레티클 스테이지로 이동되는 레티클의 이동시간을 단축시킬 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
웨이퍼(wafer), 레티클(reticle), 파티클(particle), 플레이트(plate), 회전

Description

반도체 노광설비{Equipment for photo exposing wafer}
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 노광설비를 개략적으로 나타낸 다이아 그램.
도 2는 도 1의 레티클 라이브러리를 나타낸 사시도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 노광설비를 개략적으로 나타낸 다이아그램.
도 4는 도 3의 레티클 스테이지를 나타낸 평면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 광원 120 : 셔터
130 : 광학계 140 : 광분리 수단
150 : 레티클 마스킹 블레이드 160 : 레티클
162 : 레티클 스테이지 164 : 회전판
166 : 회전수단
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼의 노광공정에 패턴 마스크로 사용되는 복수개의 레티클(reticle)을 탑재하는 레티클 스테이지를 구비하여 선택된 레티클이 이동되는 시간을 줄이고, 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 노광설비에 관한 것이다.
최근, 반도체 제조 업계에서는 반도체 칩의 동작 속도를 증대시키고 단위 면적당 정보 저장 능력을 증가시키기 위하여 반도체 집적 회로 공정에 적용되는 최소 선폭이 꾸준히 줄어드는 추세에 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 상에 집적화 되는 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 크기가 서브 하프 마이크론 이하로 축소되고 있는 시점에서 이에 따른 새로운 기술과 반도체 제조 공정이 계속적으로 도입되고 있다.
예컨대, KrF 또는 ArF와 같은 단파장의 레이저광을 광원으로 사용한 노광공정의 도입으로 반도체 소자의 선폭 축소 고집적화가 가능하여졌다. 이와 같은 단파장의 광원을 사용하는 스테퍼(Stepper) 또는 스케너(scanner)와 같은 반도체 노광설비는 반송되는 웨이퍼(Wafer) 상부에 레티클(Reticle)의 마스크 패턴(Mask Pattern)을 정렬 위치시켜 조명광 및 포커스 렌즈(Focus Lens)를 이용하여 조사시킴으로써 웨이퍼 상에 회로 패턴을 형성시킬 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 노광설비를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 노광설비를 개략적으로 나타낸 다이아 그램이고, 도 2는 도 1의 레티클 라이브러리(70)를 나타낸 사시도이다.
도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 노광설비는 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 소정 파장의 광을 생성하는 광원(10)과, 상기 광원(10)에서 생성된 광을 웨이퍼에 전달하는 광학계(30)와, 상기 광학계(30)에서 전달되는 광이 상기 웨이퍼(W)에 수직으로 입사되도록 상기 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 스테이지(12)와, 상기 웨이퍼 스테이지(12) 상에 지지되는 상기 웨이퍼(W)에 상기 광을 투영시키는 소정의 패턴이 형성된 레티클(60)과, 상기 레티클(60)을 지지하여 레티클 스테이지(62)와, 상기 레티클 스테이지(62)에서 소정 거리 이상 이격되도록 형성되어 상기 레티클 스테이지(62)에서 선택되어 지지될 복수개의 레티클(60)을 저장하는 레티클 라이브러리(reticle library, 70)와, 상기 레티클 라이브러리(70)에서 상기 레티클(60)을 취출하고 상기 레티클 스테이지(62)에 탑재하는 로봇암(robot arm, 72) 또는 레티클 로딩 플레이트 암(74)을 포함하여 구성된다.
또한, 상기 광학계(30)에서 상기 레티클(60)로 인가되는 상기 광의 일부를 분리 추출하는 빔 스플리터와 같은 광분리 수단(40)과, 상기 광분리 수단(40)에서 추출되지 않고 상기 레티클 마스킹 블레이드(50)를 더 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 레티클 라이브러리(70)는 상기 웨이퍼(W)에 형성될 패턴에 대응되는 다양한 종류의 상기 레티클(60)을 저장한다. 상기 레티클(60)은 상기 레티클 라이브러리(70)에서 개별 낱장으로 각각의 카세트(cassette)에 탑재되어 저장된다. 이때, 상기 레티클(60)은 일반적으로 투명한 유리 재질의 정사각형 모양으로 형성되어 있으며, 상기 웨이퍼(W)에 구현하고자 하는 축소 또는 확대된 패턴을 갖도록 상기 정사각형 모양 내에 상기 광학계(30)에서 조사되는 상기 광을 상기 선택 적으로 흡수할 수 있는 흡광물질로 처리되어 있다. 따라서, 상기 레티클(60)은 스크래칭(scratching)과 같은 물리적인 충돌에 의해 상기 흡광물질이 손상되지 않도록 안전하게 보관 및 이송되어야 한다.
또한, 상기 로봇암(20)은 상기 레티클 라이브러리(70)에 저장된 상기 레티클(60)을 선택적으로 취출하여 상기 레티클 로딩 플레이트 암(74)에 전달하거나, 상기 레티클 스테이지(62)에서 언로딩되어 상기 레티클 로딩 플레이트(74) 암에 위치된 상기 레티클(60)을 상기 레티클 라이브러리(70)에 전달한다.
그리고, 상기 레티클 스테이지(62)는 예컨대, 레티클 플레이트(reticle plate)라 칭하기도 하며, 상기 레티클(60)이 상기 웨이퍼(W)의 패턴에 대응될 수 있도록 각종 구동모터와, 광학모듈을 이용하여 X, Y 평면정렬하고, 상기 레티클(60)을 진공흡착 고정한다.
이때, 상기 레티클 스테이지(62)가 상기 레티클(60) 하부에서 상기 레티클(60)을 지지하면서 고정할 경우, 상기 레티클 스테이지(62)에 먼지(dust)와 같은 파티클(particle, 60)이 쉽게 유발될 수 있기 때문에 상기 레티클(60) 상부에서 상기 레티클(60)을 진공흡착하여 상기 파티클에 기인하는 상기 레티클(60) 기울어짐에 의한 레티클(60) 정렬불량을 최소화할 수 있다.
상기 레티클 로딩 플레이트 암(74)은 상기 로봇암(20)에서 지지되는 상기 레티클(60)을 상부에서 진공흡착하여 상기 레티클 스테이지(62)로 이송시킨다. 이때, 상기 레티클 로딩 플레이트 암(74)은 'ㄷ'자 형상으로 형성되어 상기 레티클(60)의 가장자리를 진공 흡착시키기 위한 복수개의 진공홀(도시하지 않음)을 구비하여 형 성된다. 또한, 상기 진공홀은 상기 노광설비 외부의 진공펌프에서 상기 레티클 로딩 플레이트 암(40)에 연결되는 진공튜브에 연결되어 있다.
따라서, 종래 기술에 따른 반도체 노광설비는, 레티클 라이브러리(70)에 저장된 복수개의 레티클 중 선택된 레티클(60)을 로봇암(72) 및 레티클 로딩 플레이트 암(74)을 이용하여 레티클 스테이지(62)로 이동시켜 노광공정을 수행토록 할 수 있다.
하지만, 종래 기술에 따른 반도체 노광설비는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래의 반도체 노광설비는 다양한 종류의 레티클(60)을 저장하는 레티클 라이브러리(70)에서 선택된 레티클(60)을 로봇암(72) 및 레티클 로딩 플레이트 암(74)을 통해 레티클 스테이지(62)에 이송시키는 동안 다수의 이동시간이 소요되기 때문에 생산성이 떨어지는 단점이 있었다.
상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 레티클(60)의 이동시간을 줄여 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 노광설비를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태(aspect)에 따른 반도체 노광설비는, 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 소정의 광을 생성하는 광원; 상기 광원에서 생성된 광을 전달하는 광학계; 상기 광학계에서 전달되는 광이 웨이퍼에 수직하는 방향으로 입사되도록 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지; 상기 광학계 사 이에 형성되어 상기 웨이퍼 스테이지에 지지되는 웨이퍼 상에 입사되는 상기 광을 투영시키는 소정의 패턴이 형성된 레티클; 및 상기 레티클을 수평상태로 지지하여 고정시키고, 상기 웨이퍼에 투영되는 패턴의 종류에 따라 복수개의 레티클이 탑재되도록 형성된 레티클 스테이지를 포함함을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 노광설비를 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 노광설비를 개략적으로 나타낸 다이아그램이고, 도 4는 도 3의 레티클 스테이지(162)를 나타낸 평면도이다.
도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 노광설비는, 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 소정의 광을 생성하는 광원(110)과, 상기 광원(110)에서 생성된 광을 전달하는 광학계(130)와, 상기 광학계(130)에서 전달되는 광이 웨이퍼(W)에 수직하는 방향으로 입사되도록 상기 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 스테이지(102)와, 상기 광학계(130) 사이에 형성되어 상기 웨이퍼 스테이지(102)에 지지되는 웨이퍼(W) 상에 입사되는 상기 광을 투영시키는 소정의 패턴이 형성된 레 티클(160)과, 상기 레티클(160)을 수평상태로 지지하여 고정시키고, 상기 웨이퍼(W)에 투영되는 패턴의 종류에 따라 복수개의 레티클(160)이 탑재되도록 형성된 레티클 스테이지(162)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 광원(110)은 외부 또는 전원전압 공급부(power supply)에서 인가되는 전원전압에 의해 소정 강도의 광을 생성하는 램프(lamp, 112)와, 상기 레티클(160) 또는 웨이퍼(W)에 입사시키기 위해 집광시키는 집광 커버(114)를 포함하여 이루어진다. 도시되지는 않았지만, 상기 램프(112)는 상기 집광 커버(114)의 가장자리에 형성된 제 1 광센서에서 감지된 감지신호를 입력받아 상기 전원전압 공급부의 출력을 제어하는 제어 신호를 발생시키는 광원 제어부 또는 노광 제어부에 의해 광세기가 조절될 수 있다. 또한, 상기 노광 제어부는 상기 램프(112)에서 발광되는 광의 세기를 조절하기 위해 인가되는 전원전압을 조절하는 전원공급장치(power supply)에 상기 제어 신호를 출력한다. 이때, 상기 광원(110)에서 생성되어 상기 광학계(130)으로 전달되는 광은 셔터(shutter, 120)에 의해 차페될 수 있다.
예컨대, 상기 램프(112)는 특정 물질의 최외곽 전자가 준안정 상태에서 안정 상태로 천이되면서 일정한 파장의 광을 방출하는 i-line(365nm), KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm), 플로라이드 디머(F2, 157nm)와, 가속 입자의 충돌로부터 광을 방출하는 극자외선(EUV, 13nm)등이 사용될 수 있다.
또한, 상기 광원(110)에서 생성된 광은 셔터(shutter)와 같은 차폐 수단(120)에 의해 상기 레티클(160)에 선택적으로 입사되어야만 상기 웨이퍼(W)의 노광 공정이 완료되면 노광공정을 종료시킬 수 있다.
그리고, 상기 광원(110)에서 생성된 광을 상기 레티클 마스킹장치(150), 레티클(160) 및 웨이퍼(W)로 전달하기 위해 도광관(optic tube), 볼록렌즈, 오목렌즈 또는 반사경(mirror)과 같은 광학장치를 포함한 광학계(130)를 이용하여 상기 광원(110)에서 일정 거리 이상으로 떨어진 상기 레티클(160)과 웨이퍼(W)에까지 상기 광을 전달시키거나, 광의 경로를 변경시킬 수 있다. 예컨대, 상기 광학계(130)는 석영 또는 유리와 같은 물질로 이루어진 소정 공간을 통해 상기 광이 전달되는 것으로, 상기 광원(110)에서 상기 레티클(160)과 상기 웨이퍼(W)에 전달되는 상기 광이 이상적으로는 손실이 없도록 설계되고, 상기 광학계(130)의 개수가 도 3에서 보다 증가되거나 감소되어도 무방하다. 따라서, 상기 광을 손실없이 이상적으로 전달하는 상기 광학계(130)는 상기 광원((110)에서 상기 웨이퍼(W)의 표면까지 각 요부사이에서 개수에 상관없이 동일 또는 유사한 부호로 표시하기로 한다.
도시되지는 않았지만, 상기 광학계(130)는 상기 광원(110)에서 생성된 광이 상기 광원(110)을 기준으로 소정의 공간으로 발산(emanation)되기 때문에 상기 차폐 수단(120)의 후단에 설치되어 0차, ±1차 회절광의 결상(結像)원리를 이용하여 상기 광원(110)에서 생성된 광을 회절시키고, 상기 회절된 광 중에서 직진성이 높은 광을 선택적으로 추출하는 조명계를 더 포함하여 이루어진다. 상기 조명계는 상기 광원(110)에서 생성된 광의 광축을 중심으로 대칭적으로 입사되는 일반 조명계(conventional illumination)와, 상기 노광이 광축을 중심으로 비대칭적으로 사입사 조명계(off-axis illumination)로 분류되며, 일반적으로 변형조명방법을 이용한 사입사 조명계가 상기 일반 조명계에 비해 해상도 및 초심도(DOF : Depth Of Focus)를 증대시킬 수 있다. 이때, 상기 사입사 조명계는 상기 광축을 중심으로 대칭적으로 형성된 구멍의 개수에 따라 고리 조명계 (Annula Aperture), 쌍극자 조명계(Dipole Aperture), 사극자 조명계(quadrupole Aperture)를 포함하여 이루어진다.
상기 조명계(132)에 의해 회절광으로부터 분리되어 직선성이 높아진 상기 광은 상기 광원(110)으로부터 공급된 광에 비해 다량이 손실될 수 있기 때문에 상기 도광관과 같은 적어도 하나 이상의 광학계(130)를 통해 상기 레티클 마스킹장치(150)로 전달되는 과정에서 상기 광의 세기가 확인되도록 설계된다.
예컨대, 복수개의 상기 광학계(130) 사이에 빔 스플리터(beam splitter)와 같은 광분리 수단(140)으로부터 상기 레티클 마스킹장치(150)로 진행되는 광의 일부가 추출되고, 상기 광분리 수단(140)에서 추출된 상기 광의 일부는 복수개의 광학계(130)사이의 일측에 형성된 제 2 광센서에 공급되어 상기 제 2 광센서를 통해 상기 광의 일부를 감지함으로써 상기 광분리 수단(140)을 통과하여 상기 레티클 마스킹장치(150)에 전달되는 광의 세기가 파악되도록 할 수 있다. 이때, 상기 제 2 광센서(174)는 상기 광분리 수단(140)으로부터 추출된 상기 광의 일부를 감지한 감지신호를 상기 노광 제어부에 출력하여 상기 노광 제어부로 하여금 상기 광원(110)에서 상기 조명계를 통해 입사되어야할 광의 세기를 결정토록 할 수 있다. 또한, 상기 광분리 수단(140)은 상기 제 2 센서로 반사되는 상기 광의 세기와 상기 광분리 수단(140)을 통과하여 상기 레티클 마스킹 블레이드(150)로 전달되는 광의 세기 가 미리 계산되어진 설정값을 가지고 있고, 상기 설정값이 상기 노광 제어부에 제공됨에 의해 상기 광원(110)의 발광 세기를 결정하는 요인으로 적용될 수 있다. 이후, 상기 광분리 수단(140)을 통과한 광은 다시 광학계(130)를 통해 레티클 마스킹 블레이드(150)로 입사된다.
이때, 상기 광학계(130)에 의해 전달되는 광이 상기 레티클 마스킹 블레이드(150)로 입사되지 않고, 패턴 이미지가 형성된 레티클(160)에 상기 광학계(130)를 통해 상기 광이 직접 상기 레티클(160)로 입사되면 상기 레티클(160)의 패턴 이미지가 모두 상기 웨이퍼(W)의 표면으로 전사되어야만 하고, 상기 레티클(160)과 상기 웨이퍼(W)사이에서 상기 패턴 이미지를 축소시키는 광학계(130)(예를 들어, 대물렌즈)의 직경이 사각형 모양으로 설계되는 상기 패턴 이미지의 대각선 대응되는 것보다 커야만 하는 제약이 수반된다. 예컨대, 상기 레티클(160)과 웨이퍼(W) 사이에 형성된 상기 광학계(130)는 상기 레티클(160)에 형성된 상기 패턴 이미지를 1/4정도로 축소시켜 상기 웨이퍼(W)의 표면에 입사시킨다. 또한, 일반적인 노광설비에 있어 대물렌즈와 같은 광학계(130)의 직경 변경은 상기 패턴 이미지가 투영되어 패터닝되는 반도체 소자의 임계치수와 직결되는 중요한 요소로서 노광공정의 상당한 비용을 수반할 수도 있기 때문에 상기 광학계(130)의 직경 변경은 쉽게 이루어지가 용이하지 않다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 노광설비는 상기 대물렌즈와 같은 상기 광학계(130)의 직경을 상기 패턴 이미지의 종단면으로 사용하여 상기 웨이퍼(W)와 레티클(160)을 횡방향으로 이동시키면서 상기 광에 의해 상기 레티클(160)에 형 성된 패턴 이미지가 상기 웨이퍼(W)의 표면에 스캔되도록 함으로서 노광공정이 수행될 수 있기 때문에 광학계(130)의 직경의 증가 없이 상기 광학계(130)가 효율적으로 사용될 수 있으며, 보다 증가된 크기를 갖는 패턴 이미지의 노광공정이 용이하게 수행될 수 있다.
한편, 상기 레티클(160)에는 상기 웨이퍼(W) 상에 투영되는 다수개의 패턴이 형성되어 있다. 또한, 상기 웨이퍼(W) 상에 형성되는 다층박막의 종류에 따라 변화되는 상기 다수개의 패턴의 종류에 대응하여 다양한 종류의 레티클(160)이 상기 레티클 스테이지(162) 상에 대기된다.
상기 레티클 스테이지(162)는 상기 복수개의 레티클(160)을 회전시켜 소정의 레티클(160)을 통과한 상기 웨이퍼(W)에 투영될 수 있도록 일측을 중심으로 회전하는 원형으로 형성된 회전판(164)과, 상기 회전판(164)을 회전시키는 모터와 같은 회전수단(166)을 포함하여 이루어진다. 예컨대, 상기 회전판(164)은 상기 복수개의 레티클(160)을 각기 설정된 위치에 로딩시킬 수 있도록 정사각형 또는 직사각형 모양으로 형성된 복수개의 홈이 형성되어 있다. 또한, 상기 회전수단(166)은 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 상기 회전판(164)을 구동시키도록 형성된 스텝핑 모터로 이루어진다.
여기서, 상기 복수개의 레티클(160)은 상기 회전판(164)의 가장자리에 형성되어 상기 회전판(164)의 중심을 기준으로 대칭적으로 형성되어 있다. 또한, 상기 회전판(164)의 지름이 증가됨에 따라 상기 회전판(164) 상에 지지되는 레티클(160)의 개수가 증가될 수 있다.
이때, 상기 레티클 스테이지(162)는 상기 회전판(164)을 회전시켜 선택된 레티클(160)을 상기 레티클 마스킹 블레이드(150)와 상기 대물렌즈와 같은 광학계(130)사이에 위치시킬 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 노광설비는 복수개의 레티클(160)이 탑재된 레티클 스테이지(162)가 회전하여 설정된 위치에 선택된 레티클(160)을 단번에 로딩시킬 수 있기 때문에 종래의 레티클 라이브러리에서 레티클 스테이지간에서 로봇암 또는 레티클 로딩 플레이트암에 의해 이동되는 레티클(160) 이동시간에 비해 레티클(160) 이동시간을 줄일 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 레티클 스테이지(162)는, 상기 레티클 마스킹 블레이드(150)에서 상기 대물렌즈와 같은 상기 광학계(130)에 입사되도록 선택된 하나의 레티클(160) 이외의 복수개의 레티클(160)을 커버링하여 주위의 먼지 또는 파티클과 같은 오염물질로부터 상기 복수개의 레티클(160)을 보호하는 커버를 더 포함하여 이루어진다.
결국, 본 발명에 따른 반도체 노광설비는, 회전되는 회전판(164) 상에 복수개의 레티클(160)이 탑재되는 레티클 스테이지(162)를 구비하여 선택되는 레티클(160)을 상기 회전판(164)을 회전시켜 설정된 위치에 이동되도록 하여 레티클(160)의 이동시간을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 본 발명에서 개시된 발명 개념과 실시예가 본 발명의 동일 목적을 수행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로서 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 사용되어질 수 있을 것이다. 그리고, 당해 기술 분야의 숙 련된 사람에 의한 그와 같은 수정 또는 변경된 등가 구조는 특허 청구 범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변화, 치환 및 변경이 가능하다. 예컨대, 레티클 스테이지(162)의 크기에 따라 레티클 스테이지(162)에 탑재되는 레티클(160)의 개수가 가감되어도 무방하다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 회전되는 회전판 상에 복수개의 레티클이 탑재되는 레티클 스테이지를 구비하여 선택되는 레티클을 상기 회전판을 회전시켜 설정된 위치에 이동되도록 하여 레티클의 이동시간을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 외부에서 인가되는 전원전압에 의해 소정의 광을 생성하는 광원;
    상기 광원에서 생성된 광을 전달하는 광학계;
    상기 광학계에서 전달되는 광이 웨이퍼에 수직하는 방향으로 입사되도록 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지;
    상기 광학계 사이에 형성되어 상기 웨이퍼 스테이지에 지지되는 웨이퍼 상에 입사되는 상기 광을 투영시키는 소정의 패턴이 형성된 레티클; 및
    상기 레티클을 수평상태로 지지하여 고정시키고, 상기 웨이퍼에 투영되는 패턴의 종류에 따라 복수개의 레티클이 탑재되도록 형성된 레티클 스테이지를 포함함을 특징으로 하는 반도체 노광설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지는 상기 복수개의 레티클을 회전시켜 소정의 레티클을 통과한 상기 웨이퍼에 투영될 수 있도록 일측을 중심으로 회전하는 회전판과, 상기 회전판을 회전시키는 모터와 같은 회전수단을 포함함을 특징으로 하는 반도체 노광설비.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지는 선택된 하나의 레티클 이외의 복수개의 레티클을 커버링하여 주위의 먼지 또는 파티클과 같은 오염물질로부터 상기 복수개의 레티클을 보호하는 커버를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 노광설비.
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