KR20070020279A - 전방향으로 방사되는 광대역 안테나 - Google Patents

전방향으로 방사되는 광대역 안테나 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판(201) 상에 위치된 두 개의 전도성 암(202, 203)을 포함하며 전방향으로 방사되는 광대역 안테나에 관한 것이며, 이러한 광대역 안테나는 두 암 중 하나, 소위 제 2 암(203)은 다른 한 암, 소위 제 1 암(202)을 사용하여 차폐된 선(206)에 의해 전원공급되는 것을 특징으로 한다.

Description

전방향으로 방사되는 광대역 안테나{WIDEBAND ANTENNA WITH OMNI-DIRECTIONAL RADIATION}
본 발명은 고속 비트율 통신 분야에서 사용될 수 있는 전자기 신호를 수신 및/또는 송신하고자, 좀더 상세하게는 UWB(Ultra WideBand) 타입의 광대역 펄스 방식에 사용되기 위해 전방향으로 방사되는 광대역 안테나에 관한 것이다. 이러한 통신은 예컨대 WLAN, WPAN, WBAN 타입이 있다.
펄스 방식에서, 정보는 대략 ns 동안 예컨대 매우 짧은 펄스인 펄스 트레인에서 전달된다. 이로 인해, 결국 광대역 주파수가 된다.
원래는 군용 응용으로 예비되었던 초광대역 송신이 점차적으로 민간 원격통신 영역에 도입되고 있다. 그러므로, 주파수 대역[3.1; 10.6]GHz는 미국 FFC 협회에 의해 최근에 채택되어, 표준이 현재 구성중인 UWB 통신 응용을 개발할 수 있게 하였다.
많은 응용은 등방성 안테나를 필요로 하며, 이러한 안테나는 회전 대칭되는 방사 패턴을 갖는다. 이러한 경우는 특히 이론적으로 특별히 어떠한 고정 위치도 갖지 않으며, 액세스 점과 UWB 무선 링크를 통해 통신해야 하는 휴대용 제품이 사용되는 응용에 해당한다. 그러므로, 예컨대, Video Lyra, 이동 PCs 타입 등의 제품 이 필요하다. 이러한 경우는 또한 특정한 품질(QoS)을 제공하기 위해 영구적인 링크가 필요한 고정된 점-대-점 응용에 해당한다. 사실, 이동중인 사람(들)은 두 개의 높은 지향성을 갖는 안테나 사이에서 빔을 차단할 수 있으며, 송신 및/또는 수신용으로 전방향 안테나를 사용하는 것이 선호될 수 있다. 여기서, 예컨대, 고선명 텔레비전 수신기와 통신하는 비디오 서버가 필요하다.
가장 잘 알려진 전방향 안테나 중 하나로 다이폴이 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이러한 안테나는 서로 정반대 방향에 배치되며 발전기(103)로부터 차동적으로 전원공급되는 λ/4 길이의 두 개의 동일한 암(arm)(101 및 102)을 포함한다. 이러한 타입의 방사 요소는 충분히 연구되어 왔고, 주로 그 구현이 간단하지만 특히 그 전자기 메커니즘을 지배하는 수학식이 간단하기 때문에 전자기기술의 초기부터 사용되어왔다. "Antennas"(J.D. Kraus 저, 2판, Mac Graw Hill 출판사)의 5장은 이러한 타입의 방사 요소의 메커니즘을 설명하고 있는 수학식을 포함한다. 특히, 장거리 방사계는 다이폴의 중간 수직면(midperpendicular plane)(평면 x Oz)에서 최대치이며, 그 이론적인 임피던스는 대략 75Ω이다. 이것은 원래 아마추어 무선, UHF 수신 및 심지어는 좀더 최근에는 WLAN 타입의 무선 네트워크에서와 같은 다양한 응용을 위한 유선 기술에서 사용되었다. 인쇄 회로의 출현으로, 그 실현은 또한 더 간략화되었었으며, 안테나는 이제 인쇄회로의 집적부가 되었다.
이러한 타입의 방사 요소에 관련된 문제점은 한편으론 그 작은 대역폭이며, 다른 한편으로는 그 공급전력이며, 이것은 일반적으로 구조의 대칭성을 방해한다. 이로 인해, 근거리 계는 비대칭이 되며, 결국 원거리 계의 패턴이 저하되었다. 결 국, 이는 더 이상 전방향성이 아니다.
차동적으로 전원공급된 두 전도성 원의 결합에 기반한 광대역 구조는 이미 알려져 있다. 특허(US6,642,903)는 그러한 구조를 기술한다. 복잡한 구조가 전도성 원에 전원공급하여 방사 요소가 등방성 방사 패턴을 제공할 수 있기 위해 제안된다.
본 발명은 방사 패턴을 방해하지 않고 간단히 통합된 전원공급부를 갖는, 전방향으로 방사되는 광대역 안테나를 제안한다. 게다가, 이러한 안테나는 펄스 방식 무선 통신을 가능케 한다.
본 발명은 기판 상에 위치된 두 개의 전도성 암을 포함하며 전방향으로 방사되는 광대역 안테나에 관한 것이며, 이러한 안테나는 두 암 중 하나, 소위 제 2 암은 다른 한 암, 소위 제 1 암을 통해 차폐된 선에 의해 전원공급되는 것을 특징으로 한다.
사실, 제 1 암은 전도성 물질로 실현되기 때문에, 이러한 암은 매칭된 구조를 갖게 되어 급전선의 차폐를 실현되게 한다. 그러한 차폐는 급전선에 의해 공급된 전자기장(field lines)의 전자기적인 격리를 실현한다. 그러므로, 안테나 방사는 전원공급에 의해 차단되지 않는다.
일실시예에서, 두 암은 두 면을 갖는 기판 상에 놓이며, 적어도 제 1 암은 기판의 두 면 상에서 정반대 방향에 위치한 동일한 기하학적 모양의 두 전도성 요소를 포함하며, 제 2 암은 제 1 암 아래에서 기판에 위치한 선에 의해 전원공급된다.
사실, 두 전도성 요소 사이를 지나는 선은 그에 따라 안테나에 대해 "감춰진다". 그러므로, 암에서 유도된 임의의 기생 전류(any spurious current)가 방지된다. 이것은 근거리 및 원거리 계 레벨에서 대칭성을 제공하며, 그러므로, 암 사이를 지나가는 중간 수직면에서 전방향성 패턴을 제공한다.
본 발명의 한 실현에 따라, 두 전도성 요소는 기판을 통과하도록 제조되고 전도성 물질로 채워진 홀(hole)에 의해 링크된다.
이러한 특징은 기판에서 표면파의 형태로 급전선에 의해 생성된 누설을 가능케 한다.
본 발명의 일실현에 따라, 홀은 전도성 요소의 주변 영역에 제조된다.
이러한 특징은 서로 정반대 방향에 있는 전도성 요소의 두 부분은 동일한 전위를 갖게 한다.
일실시예에서, 동일한 기하학적 모양의 두 전도성 요소를 포함하는 제 2 암은 기판의 두 면 상에서 정반대 방향에 위치한다.
이러한 제 2 암의 제조는 제 1 암의 제조와 동시에 달성되며, 안테나에서 중간수직면에 대해 대칭적인 구조를 얻게 한다. 당연히, 전도성 홀은, 특히 전도성 요소의 주변 영역에서, 또한 제 2 암 상에서 제조될 수 있다.
일실시예에서, 이러한 암 중 적어도 하나는 원형 전도성 요소를 포함한다.
원형 전도성 요소는 종래기술에서 광대역 안테나를 실현될 수 있게 한다고 알려져 있다. 다른 기하학적 모양, 특히 타원형이 도 9에 도시된 바와 같이 사용될 수 있다.
유리한 일실시예에서, 회로는 적어도 한 암 하에서 통합된다.
본 발명의 다른 특징 및 장점은 다른 실시예의 설명을 읽음으로써 드러날 것이며, 이러한 설명은 첨부된 도면을 참조하여 이뤄질 것이다.
도 1은 다이폴의 개념적인 구조를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 안테나의 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 안테나에 전원을 공급하는 신호의 주파수의 함수로서 반사 계수를 제공하는 곡선을 도시한 도면.
도 4a 내지 도 4i는 도 3의 안테나의 3D 방사 패턴을 도시한 도면.
도 5는 도 2에 도시된 안테나의 효율을 제공하는 두 곡선을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 유리한 일실시예에 따른 안테나의 개략적인 평면도.
도 7은 도 2에 도시된 안테나의 전도성 요소(202)의 중심을 통과하는 평면(xz)에 따른 단면을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 일 변형에 따른 안테나의 전도성 요소의 중심을 통과하는 평면(xz)의 등가면에 따른 단면을 도시한 도면.
도 9는 본 발명에 따른 하나의 안테나에 대한 기하학적 모양의 변형을 도시한 도면.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 부합하는, 전방향으로 방사되는 광대 역 안테나의 실시예를 먼저 기술할 것이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 안테나는 다이폴을 구성하는 두 암(202 및 203)을 포함한다. 이들 암(각각 202 및 203) 각각은 두 원형 전도성 요소(각각 204 및 205와, 208 및 209)를 포함한다. 원형 전도성 요소는 기판(201) 상에 쌍을 이뤄 정반대 방향에 위치한다. 예컨대, 이들 전도성 요소는 기판(201) 상에 새겨지고, 놓여지고, 접착되어, 인쇄될 수 있다. 전도성 요소는 금속 물질로 실현된다. 예컨대, 이들 전도성 요소는 또한 구리로 제조될 수 있다. 표면이 도금된 (예컨대, 알루미늄 시트로) 플라스틱 물질{"디본(dibbon)"} 이나 금속 폼(foam)을 또한 사용할 수 있다.
기판(201)은 여러 탄력성이 있거나 단단한 물질로 실현될 수 있다. 예컨대, 기판은 탄력성이 있거나 단단한 인쇄 회로판이나 임의의 다른 유전 물질(유리판, 플라스틱판 등)에 의해 구성될 수 있다. 그러므로, 유리한 속성을 갖는 평평한 안테나가 본 발명에 따라 쉽게 실현된다.
도 2의 실시예에 따라, 전도성 요소는 금속 홀(예컨대 207 및 210)에 의해 연결된다.
다이폴의 전원공급은 제 1 암(202)의 레벨에서 제 1 접점(211)과, 제 2 암(203)의 레벨에서 제 2 접점(212)에 의해 실현된다. 제 2 접점(212)은 제 1 암(202) 아래를 통과하는 숨겨진 선(206)을 사용하여 발전기에 연결된다. 발전기는 보통 RF 회로에 속해 있으며, 이러한 RF 회로로부터 에너지가 안테나에 공급된다. 그러므로, 선(206)은 스트립 선(strip line)이다. 이로 인해, 이 선은 안테나에 대 해 감춰질 수 있다. 이것은 또한 여러 기생 전류가 암에서 유도되는 것을 막을 수 있다. 그러므로, 안테나의 동작은 전원공급에 의해 영향 받지 않는다. 이로 인해 결국 근거리 계와 원거리 계의 레벨에서, 따라서 중간수직면에서 전방향 방사 패턴에 의해 대칭성을 유도한다. 종래기술에서, 방사 패턴의 회전 대칭성을 파괴하는 전원공급은 그에 따라 본 발명에 따라 대칭성을 제공한다.
도 7은 도 2에 도시된 안테나의 전도성 요소(202)의 중심을 통과하는 평면(xz)에 따른 단면을 도시한다. 개략적으로 도시된 전도성 요소(204, 205)와 금속 홀(207) 모두는 제 1 전도체를 나타내며, 제 2 전도체를 나타내는 급전선(206)은 스트립 선을 형성함을 볼 수 있다. 두 전도체 사이의 전계선은 이 도면에서 화살표로 도시되어 있다. 이들 계가 전파되는 유전 환경은 균일하다. 스트립 선은, 전계 및 자계만이 하나의 횡방향 성분(즉, 절단면)을 가지는 소위 TEM(Transverse Electric and Magnetic) 모드를 전파하는 송신선이다. 이 선은 그러므로 전자기파가 인도되며 방사되지 않음에 따라 차폐된다. 이들은 그러므로 방사 패턴을 차단하지 않는다.
얻은 결과를 시뮬레이트하기 위해, 도 2에 도시된 안테나는 상대유전율(εr) 및 높이(h=1mm)의 타입 FR4의 기판의 두 면 상에서 서로 정반대 방향에서 새겨진 직경 19.5mm의 두 원형 전도성 요소를 각각 포함하는 두 암을 사용하여 실현되었다. 이들 암은 거리(d=1mm)만큼 분리된다. 마주보는 전도성 요소는 쌍단위로 금속 홀에 의해 연결된다. 선(206)의 폭은 0.4mm이다. 이 선은 제 1 암의 "내부"를 통과 하며, 제 1 암을 제 2 암에 연결하는 도금 비아에서 종료된다. 이 구조는 전자기 소프트 HFSS(Ansoft) 및 IE3D(Zeland)를 사용하여 시뮬레이트되었다. 이러한 시뮬레이션의 결과가 도 3 내지 도 5에 제공되었다.
도 3에서 곡선(301)에 도시된 바와 같이, 50Ω의 임피던스에 대한 직접 매칭이 달성된다. 이러한 임피던스는 기판의 단일 면상에 전도성 요소를 각각 포함하는 두 암을 갖는 다이폴에 대해 실현된 곡선(302)에 대한 임피던스보다 더 낮다. 이러한 임피던스 감소는 금속도금을 두껍게 함에 따라 초래된 임피던스를 병렬로 놓음으로써 유래된다. 도 3에서 곡선(301)에 의해 도시된 바와 같이, 이러한 속성은 대역(2.65-12GHz)을 커버하는 매우 큰 대역폭 상에서 -10dB보다 더 낮은 매칭을 갖는 안테나를 얻을 수 있게 한다.
그러므로, 안테나의 가장 큰 차원은 (19.5*2+1)=40mm, 즉 2.65GHz에서 0.35λ이다. 곡선(301)에서 관찰한, 본 발명에 따른 안테나의 장점 중 하나는, 그러므로 이러한 낮은 주파수가, 75Ω의 매칭에 대해 기판의 단일 면 상에 전도성 요소를 각각 포함하는 두 암을 갖는 다이폴에 대한 주파수보다 더 낮다는 점이다. -8.6%의 주파수 오프셋이 달성된다(2.9GHz에서 2.65GHz까지).
또 다른 장점은 50Ω 직접 매칭에 관한 것이며, 이는 안테나와 RF 급전 회로 사이에 어떠한 75Ω-50Ω 임피던스 변환기가 필요치 않기 때문이다. 그러므로, 선 강하(line drops)는 제한된다. 이점이 가장 유리하며, 이는 이러한 타입의 변환기가 주파수 왜곡을 생성하는 그러한 대역폭에서 실현하기가 어렵기 때문이다.
도 4는 다른 주파수{2.65GHz(4a), 3GHz(4b), 4GHz(4c), 5GHz(4d), 6GHz(4e), 7GHz(4f), 8GHz(4g), 9GHz(4h), 10GHz(4i)에서 방사 패턴을 도시한다. 이들 패턴의 전방향성은 매우 큰 주파수 대역에 대해 검증된다. 대역의 상위 주파수에 대해(f>9GHz), 대략 8dB의 패턴 리플(ripple)이 방위면에서 관찰된다. 이러한 리플은 방출된 신호의 형태, 즉 방위면에서 등방적으로 방출되지 않을 높은 주파수 성분(신호의 신속한 변경)만을 매우 적게 저하시킬 것이다. 이러한 리플을 보상하기 위해, 인자(3.1GHz/2.65GHz=1.17)에 의해 이들 차원을 감소시킴으로써, 전체 구조의 크기를 약간 더 높은 주파수에서 재조정하는 것으로도 충분하다. 그러면, 9GHz에서 나타나는 리플은 거의 유용한 대역 외부에 있는 1.17x9=10.5GHz에서 나타날 것이다.
다음의 표는 이득의 값이 주파수 대역 전체에서 거의 일정함을 도시한다.
주파수(GHz) 이득(dBi)
2.65 2.3
3 2.2
4 2.5
5 2.9
6 3.7
7 3.7
8 2.5
9 2.7
10 2.6
11 2.8
도 5는 다이폴의 예시적인 효율(502) 및 안테나의 일반적인 효율(501)을 도시한다. 이러한 효율은 전체 3.1 내지 10.6GHz 대역에 대해 91%보다 더 크다. 이 점이 특히 UWB 기술에 대해 흥미로운 점이며, 여기서, 최소 전력은 임의의 증폭단을 사용하지 않고도 송신될 수 있다.
본 발명은 그 기하학적 형태 및 그 집적된 급전 시스템으로 인해 펄스 시스템에 의해 부과된 시간 제약에 특히 잘 응답한다. 게다가, 이러한 안테나는 50Ω의 임피던스에 매칭되며, 이러한 50Ω 임피던스는 무선 주파수 회로에 대한 임피던스 표준이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 유리한 또 다른 실시예가 이제 기술될 것이다. 이 도면은 방위면에 대해 비대칭적인 암을 갖는 다이폴을 나타낸다. 사실, 본 발명에 따라, 두 암은 서로 다른 형태를 가질 수 있다. 특히, 도 6에 따라, 제 2 암(603)의 급전선(606)이 그 아래에서 통과하는 제 1 암(602)은 더 크며, 안테나 아래에 위치한 하나 이상의 회로(들)(611)에 대한 접지면 역할을 한다. 이러한 회로(611)는 예컨대 RF 회로 및/또는 디지털 회로일 수 있다.
시뮬레이션 결과에 의해 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 안테나는 다음의 장점을 갖는다:
- 광대역 주파수 대역 상의 방위면에서 방사 패턴의 전방향 특성.
- 광대역 주파수 대역에 대한 양호한 레벨의 매칭.
- 평평한 프로파일로 인해, 가전제품에서 이러한 타입의 안테나를 집적하기 손쉬움.
- 안테나와 동일한 기판 상(인쇄 회로 기술)에서 무선주파수 회로의 집적.
- 임의의 저가 기판 상의 인쇄 회로 기술에서와 같은 저가의 해결책.
- 작은 차원의 구조: 가장 큰 차원은 최저 주파수에서 0.35λ임.
본 발명은 기술된 실시예로 제한되지 않으며, 당업자는 예컨대 제 1 암과 통합된 동축 케이블을 사용하여 실현된 차폐선의 실현과 같은 다양한 변경 실시예가 존재함을 인식할 것이다. 이 경우, 동축 케이블은 기판의 한 면 상에 있는 전도성 요소에 납땜된다. 그러한 전도성 요소는 예컨대 도 2에 도시된 204의 전도성 요소와 유사하다. 유리하게, 도 8에 도시된 바와 같이, 동축 케이블(813)은 방위면(xz)에 수직한 직경을 따라 납땜되며, 전도성 요소(804)에 속하게 된다.
게다가, 도 9에 도시된 바와 같이, 전도성 요소는 수직 또는 수평 주축에서 (도 2에서처럼) 원형 형태일 뿐만 아니라, 타원 형태일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 고속 비트율 통신 분야에서 사용될 수 있는 전자기 신호를 수신 및/또는 송신하고자, 좀더 상세하게는 UWB(Ultra WideBand) 타입의 광대역 펄스 방식에 사용되기 위해 전방향으로 방사되는 광대역 안테나에 이용된다.

Claims (7)

  1. 기판(201) 상에 위치된 두 개의 전도성 암(202, 203)을 포함하며 전방향으로 방사되는 광대역 안테나에 있어서,
    두 암 중 하나, 소위 제 2 암(203)은 다른 한 암, 소위 제 1 암(202)을 사용하여 차폐된 선(206)에 의해 전원공급되는 것을
    특징으로 하는, 광대역 안테나.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 두 암(202, 203)은 두 면을 제공하는 기판(201) 상에 위치하므로, 적어도 제 1 암(202)은 상기 기판(201)의 두 면 상에서 각각 정반대 방향에 위치한 동일한 기하학적 모양의 두 전도성 요소(204, 205)를 포함하며, 상기 제 2 암(203)은 상기 제 1 암(202) 아래의 상기 기판(201)에 위치한 선(206)에 의해 전원공급되는, 광대역 안테나.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 두 전도성 요소(204, 205)는 상기 기판(201)을 통과하는 홀(207)에 의해 연결되고 전도성 물질로 채워지는 것을 특징으로 하는, 광대역 안테나.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 홀(207)은 상기 전도성 요소(204, 205)의 주변에 제조되는 것을 특징으로 하는, 광대역 안테나.
  5. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 암(203)은 상기 기판(201)의 두 면 상에서 각각 정반대 방향에서 위치한 동일한 기하학적 모양의 두 전도성 요소(208, 209)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광대역 안테나.
  6. 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 회로(611)가 적어도 하나의 암(602)에 집적되는 것을 특징으로 하는, 광대역 안테나.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 암(202, 203) 중 적어도 하나는 원형 전도성 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광대역 안테나.
KR1020067025690A 2004-06-09 2006-12-06 전방향으로 방사되는 광대역 안테나 KR101149885B1 (ko)

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