KR20070015945A - 물품 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

물품을 진공-보조 처리하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 이에 따르면 물품이 스테이징 챔버(15)와 처리 챔버(11) 사이에서 이동하고, 시스템 효율 및 제품 품질을 향상시키기 위해 상기 양 챔버는 실질적으로 동일한 낮은 압력으로 유지되며, 처리 전후에 물품을 위치시키기 위해 자기 결합식 구동 기구(43)가 사용된다.
챔버, 직선 운반 어레이, 캐리어, 게이트 밸브, 도크 스테이션, 진공 펌프, 레일 가이드, 자동화 수단

Description

물품 처리 방법 및 장치{METHODS AND APPARATUSES FOR TRANSFERRING ARTICLES THROUGH A LOAD LOCK CHAMBER UNDER VACUUM}
본 발명은 일반적으로 저압 환경에서의 물품 제조 분야에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 예를 들어 증착, 기상 증착(vapor deposition), 스퍼터링, 플라즈마 에칭 등에 의해서 진공 챔버 내에서 처리되는 집적회로(IC) 웨이퍼와 같은 소형 부품을 운반 및 취급(handling)하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
실리콘(Si) 반도체 또는 갈륨비소(GaAs) 및 질화갈륨과 같은 화합물 반도체 웨이퍼 기판에 가장 보편적으로 형성되는 집적회로는, 일반적으로 각 웨이퍼 상에 다수의 집적회로 복제물(replica)을 형성하는 도중에 진공 챔버 내에서 하나 이상의 처리 단계에 놓이게 된다. 하나 이상의 웨이퍼가 처리 챔버에 로딩되거나 제거될 때마다 진공 처리 챔버를 비효율적으로 계속 통풍(vent)시킨 후 처리가 계속될 수 있기 전에 진공을 회복(re-establish)시킬 필요가 없도록, 웨이퍼는 종종 중간 로드 로크 챔버를 통해서 이동된다.
처리될 웨이퍼 및 기타 물품은, 두 챔버를 연결하는 게이트 밸브가 폐쇄 위 치로 유지되는 동안 먼저 로드 로크 챔버 내로 그 외부 게이트 밸브를 통해서 이동됨으로써 처리 챔버에 로딩된다. 이런 식으로, 처리 챔버는 물품 로딩 및 언로딩 중에 그 처리 압력으로 또는 그에 매우 근사한 압력으로 유지된다. 외부 게이트 밸브는 이후 처리될 물품이 로드 로크 챔버 내에 있는 상태에서 폐쇄되며, 로드 로크 챔버 내의 압력이 이후 감소된다. 처리 챔버와 로드 로크 챔버 사이의 게이트가 이후 개방되고, 처리될 물품은 로드 로크 챔버로부터 처리 챔버 내로 이동된다. 이들 단계는 로드 로크 챔버가 처리 챔버와 유사하게 감소된 압력에 있을 때 처리된 물품을 처리 챔버로부터 제거할 때 역순으로 이루어진다. 일부 공지의 진공 처리 기계는 처리되는 물품의 처리량(throughput)을 증가시키기 위해 별도의 게이트 밸브에 의해 처리 챔버에 연결되는 두 개의 로드 로크 챔버를 갖는 바, 하나의 로드 로크 챔버는 로딩 목적으로 사용되고 다른 하나는 언로딩 목적으로 사용된다. 동일 출원인에 의한 미국 특허 제 6,609,877 호 및 2003년 7월 17일자로 출원되어 계류중인 분할출원 제 10/621,700 호는 그 전체가 본원에 본 발명의 일부처럼 원용된다. 상기 특허는 증착 챔버 내에서의 특정한 제한적 물품 이송을 통해서 물품 처리량을 증가시키기 위해 물품을 증착 챔버 내에서 이동시키기 위한 유용한 방법 및 장치를 개시하고 있다. 그러나, 보다 높은 시스템 효율과 생산성, 및 제품 품질에 대한 추구는 향상된 실용적이고 확장가능한 해결책을 요한다.
진공 처리를 위한 처리 챔버 또는 로드 로크 챔버의 "펌프 다운(pump down)" 속도는 챔버의 체적, 전체 표면적에 종속되며, 일반적으로 시스템 생산성, 작동 효율, 및 소유 비용에 있어서 이롭지 않다. 상기 미국 특허와 같은 공지의 처리 챔 버는 물품이 처리를 수용하기 위해 그 위에 배치되는 캐리어의 회전 위치설정을 요한다. 이 회전 위치설정은 다수 캐리어의 "교환(swap)", 즉 처리된 물품을 보유하는 캐리어를 처리될 물품을 보유하는 캐리어로 교환하는 것을 포함한다. 이러한 회전식 동시 교환은 챔버 내의 처리 및 스테이징 영역에 상당한 면적을 필요로 한다. 챔버의 작동상 필요 체적을 감소시키는 물품 이송 시스템이 대단히 유리할 것이다.
본 발명은 필요 챔버 체적을 현저히 감소시킴으로써 처리 시스템의 진공 또는 "펌프 다운" 요건을 적당히 감소시키는 처리 챔버용 물품 이송 시스템에 관한 것이다. 이러한 감소된 펌프 다운 시간은 시스템 사이클 시간을 비례적으로 감소시키며, 이는 시스템 다운 시간을 감소시키고, 시스템 출력 및 생산성을 현저히 증대시킨다.
본 발명은 챔버 내에서 대형 시스템 부품의 완전한 회전을 요하지 않는 인-라인 직선 물품 이송 장치 또는 직선 운반 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 처리된 물품은 인-라인 물품 이송 장치를 통해서 처리될 물품으로 대체되며, 그 결과 전체적 및 특정 시스템 크기, 생산성, 작동 효율, 및 소유 비용에 있어서 유익한 효과가 얻어진다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 물품을 진공 처리하기 위한 방법으로서, 직선 운반 어레이 및 상기 직선 운반 어레이와 이동가능하게 연결되는 캐리어를 포함하는 물품 처리를 위한 제 1 진공 챔버를 제공하는 단계를 포함하는 방법이 개시된다. 제 2 진공 챔버는, 물품을 제 1 진공 챔버 내로 향하도록 스테이징하거나 또는 제 1 및 제 2 챔버 사이에 이들 챔버와 협력 작동하도록 배치되는 직선 운반 어레이를 통해서 제 1 챔버로부터 제 2 챔버 내로 향하도록 스테이징하기 위해 제공된다. 상기 제 1 및 제 2 챔버 사이에는 제 1 게이트 밸브가 이들 챔버와 연통하여 제공된다. 제 1 게이트 밸브는 제 1 챔버를 밀봉하고 제 1 챔버를 제 2 챔버로부터 분리하기 위한 폐쇄 위치, 및 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에 통로를 허용하기 위한 개방 위치를 갖는다. 물품을 로딩 및 언로딩하기 위한 도크 스테이션이 제공된다. 또한, 제 2 챔버와 도크 스테이션 사이에는 제 2 게이트 밸브가 연통 관계로 배치되며, 상기 제 2 게이트 밸브는 제 2 챔버를 밀봉하고 도크 스테이션으로부터 분리하기 위한 폐쇄 위치, 및 제 2 챔버와 도크 스테이션 사이에 통로를 허용하기 위한 개방 위치를 갖는다. 상기 제 1 또는 제 2 챔버와 연통하여 적어도 하나의 진공 펌프가 제공되며, 진공 증착 챔버 내에서 처리될 물품을 지지하기 위한 캐리어가 제공된다. 상기 캐리어는 직선 운반 어레이와 연통하며, 그 위에는 적어도 하나의 처리용 물품이 로딩된다. 처리 사이클 중에는, 저압이 제 1 및 제 2 챔버에 형성되어 진공에 의해 유지되고, 적어도 하나의 캐리어를 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 운반한다. 제 2 챔버(스테이징 챔버)로부터 제 1 챔버(처리 챔버)로의 방향으로 이동할 때, 미처리 물품은 처리를 위해 제 1 챔버로 이동된다. 제 1 챔버로부터 제 2 챔버로의 방향으로 이동할 때, 처리된 물품은 처리 챔버(제 1 챔버)로부터 스테이징 챔버(제 2 챔버)로 이동되어 캐리어로부터 제거된다. 시스템 효율을 증대시키고 사이클 시간을 단축하고 제품 산출을 증가시키기 위해, 적어도 제 1 및 제 2 챔버는 실질적으로 유사한 압력으로 유지된다. 또한, 본 발명의 특징은 게이트 밸브, 특히 시스템 작동 중에 제 1 챔버(처리 챔버)를 펌프-다운된 저압 상태로 유지하도록 배치되는 제 1 게이트 밸브의 작동이다. 이런 식으로, 처리될 물품을 수용하고 신규 처리된 물품을 배출할 때 적은 체적의 제 1 챔버가 실질적으로 변화된 압력에 놓이게 될 필요가 없으므로 물품 처리는 모든 공지 시스템을 넘어서 훨씬 유효하며, 신규 직선 운반 어레이는 물품 운반의 안내를 책임진다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 하나의 바람직한 방법은 추가로, 제 1 게이트 밸브를 폐쇄 위치에 위치설정하고 진공 펌프를 작동시켜 제 1 챔버 내의 압력을 감소시키는 단계를 포함한다. 이후 제 2 게이트 밸브가 개방되고 이어서 적어도 하나의 물품이 로딩된 캐리어를 도크 스테이션으로부터 제 2 챔버 내로 안내한다. 이후 제 2 게이트 밸브가 폐쇄되고, 제 2 챔버 내의 압력은 시스템의 "펌프 다운"에 의해 제 1 챔버 내의 압력과 실질적으로 유사한 압력으로 감소된다. 사이클에서의 이 시점에서, 처리될 물품을 보유하는 캐리어는 물품 처리를 위해 제 2 챔버로부터 제 1 챔버로 향한다. 바람직하게, 이 캐리어 이송은 이미 처리된 물품이 다른 캐리어 상에서 제 1 (처리) 챔버로부터 제 2 (스테이징) 챔버로 이송하는 것과 협력하여 이루어진다. 제 1 챔버에서 제 2 챔버로 그리고 제 2 챔버에서 제 1 챔버로의 캐리어의 운반은, 본 발명의 직선 운반 시스템을 사용하여 캐리어를 실질적으로 유사하게 압력이 조성된 챔버 사이에서 레일 가이드를 따라서 운반함으로써 이루어진다.
본 발명의 또 다른 바람직한 태양에 따르면, 직선 운반 시스템은 자기 결합식(magnetic coupled) 구동 기구를 포함하며, 처리될 물품은 바람직하게는 폐쇄된 환경에서 로봇과 같은 자동화 수단에 의해 캐리어로 향하게 된다. 이런 식으로, 자동화 수단은 또한 처리된 물품을 바람직하게는 폐쇄된 환경에서 캐리어로부터 제거한다. 또한, 본 발명의 추가적인 태양에서, 처리될 물품의 배치 및 제거뿐 아니라 처리된 물품의 제거 및 보관은 각각, 제1 및 제 2 챔버와 연통하고 제 1 및 제 2 챔버 내의 유지 압력과 실질적으로 유사한 압력 하에 있을 수 있는 도크 스테이션에서 이루어진다.
또한, 본원은 물품을 처리하기 위한 제 1 챔버를 포함하는, 물품을 저압 환경에서 처리하기 위한 장치에 관한 것이다. 상기 제 1 챔버는 직선 운반 어레이, 및 상기 직선 운반 어레이와 이동가능하게 연결되는 캐리어를 포함한다. 상기 장치는 추가로, 처리된 물품을 제 1 챔버로부터 수용하기 위해 물품을 제 1 챔버 내로 향하도록 스테이징하기 위한 제 2 챔버를 포함한다. 제 2 챔버는 또한 제 1 챔버로부터의 어레이와 협력하여 작동하는 직선 운반 어레이를 포함한다. 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에는 이들 챔버와 연통하여 제 1 게이트 밸브가 배치된다. 제 1 게이트 밸브는 제 1 챔버를 밀봉하기 위한 폐쇄 위치, 및 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이의 통로를 허용하기 위한 개방 위치를 갖는다. 물품을 로딩 및 언로딩하기 위한 도크 스테이션이 제 2 게이트 밸브 근처에 배치되며, 따라서 제 2 게이트 밸브는 제 2 챔버와 도크 스테이션 사이에서 이들과 연통하여 배치된다. 제 2 게이트 밸브는 제 2 챔버를 밀봉하기 위한 폐쇄 위치, 및 제 2 챔버와 로딩 도크 사이의 통로를 허용하기 위한 개방 위치를 갖는다. 적어도 하나의 진공 펌프가 상기 제 1 또는 제 2 챔버와 연통하며, 캐리어가 직선 운반 어레이와 연통한다. 제 1 및 제 2 챔버에는 낮은 압력이 조성되어 유지되고, 적어도 하나의 캐리어를 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 운반하며 캐리어에 보유된 물품을 제 1 챔버에서 처리한다. 바람직하게, 직선 운반 어레이는 자기 결합식 구동 기구, 유압식 구동 기구, 공압식 구동 기구, 전자기계식 구동 기구, 및 기계식 구동 기구를 포함하는 구동 기구를 구비한다. 추가적인 바람직한 실시예에서, 캐리어에는 처리될 물품이 자동화 수단, 가장 바람직하게는 로봇에 의해 로딩된다. 이 자동화 수단은 또한 처리될 물품의 로딩 뿐 아니라 처리 이후 처리된 물품을 캐리어로부터 언로딩하는 데에도 사용된다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 장치는 펌프 다운될 수 있고 진공 펌핑에 의해 얻어질 수 있는 것과 같은 실질적으로 동일한 낮은 압력으로 유지될 수 있는 제 1 (처리) 챔버 및 제 2 (스테이징) 챔버를 포함한다. 선택적으로, 도크 스테이션 또한 저압 환경에서 유지될 수 있다.
도 1은 처리 챔버, 로드 로크 챔버, 및 물품 로딩 전단의 사시도로서, 그 내부의 캐리어 이송 기구를 도시하기 위해 측방 패널을 제거한 상태의 도면,
도 2는 도 1의 설비의 측면도,
도 3a 내지 도 3j는 물품을 처리 챔버, 로드 로크 챔버, 물품 로딩 전단 사 이에서 이동시키기 위한 도 1 및 도 2의 설비의 작동 순서를 개략 도시하는 도면,
도 4는 자기 결합식 구동 기구의 통합 사시도,
도 5는 자기 결합식 구동 기구의 분해 사시도,
도 6은 자기 결합식 구동 기구의 일 태양의 확대 도시도,
도 7은 작동 중에 있는 자기 결합식 구동 기구의 확대 사시도.
본 발명의 추가적인 특징, 장점 및 상세는 첨부 도면을 참조한 본 발명의 예시적인 실시예에 대한 하기 설명에 나타나 있다.
도 1 및 도 2는, 본 발명의 일 실시예에서, 그 구조 및 작동이 후술되는 물품 캐리어 운반 기구를 구비하는 본 발명의 장치를 도시한다. 이 경우의 물품은 반도체 웨이퍼이며, 이는 로드 로크 챔버(15)쪽으로 개방되었을 때 게이트 밸브(13)를 통해서 캐리어(29) 상에서 진공 처리 챔버(11) 내외로 이동된다. 선택적으로, 캐리어 상에 배치되는 다른 형태의 기판이 같은 방식으로 취급될 수도 있다. 진공 처리 챔버(11)에서 실행되는 공정에는, 웨이퍼 또는 기타 기판 상에 예를 들어 증착 소스(17)로부터의 재료를 증착하는 것이 포함될 수 있다. 선택적으로, 진공 처리 챔버(11)에서는 기판의 다른 처리가 이루어질 수도 있다. 진공 펌프(19) 및 관련 밸브는 게이트 밸브(13)가 폐쇄될 때 챔버(11) 내의 압력을 처리 수행을 위한 소정 레벨로 감소시킨다. 웨이퍼는 도크 스테이션(27)으로부터 게이트 밸브(25)를 통해서 로드 로크 챔버(15)에 로딩 및 언로딩된다. 진공 펌프 및 관련 밸브(21, 23)는 게이트 밸브(25)가 폐쇄될 때 로드 로크 챔버(15) 내의 압력을 감소시키도록 작동된다.
진공 처리 챔버(11) 내에서 아직 처리되지 않은 웨이퍼는 두 웨이퍼 캐리어(29, 31) 중 하나의 위에서 로드 로크 챔버(15)로부터 진공 처리 챔버 내로 이동된다. 웨이퍼는 또한 진공 처리 챔버(11) 내에서 이들 캐리어중 하나 위에서 처리된 후 진공 처리 챔버로부터 제거된다. 캐리어(29, 31)는 두 챔버(11, 15) 사이에서 전후로 순환한다. 다른 캐리어가 필요치는 않지만, 본 발명은 임의 개수의 캐리어의 사용을 고려한다. 캐리어는 주기적인 클리닝을 제외하고는 챔버(11, 15)로부터 제거될 필요가 없다. 캐리어는 도 1 및 도 2에 도시하듯이, 운반 및 처리되는 웨이퍼에 의해 커버되는 원형 개구를 갖는 뒤집어진 돔(상방으로 볼록한) 형상을 갖는다. 본 발명은 그 기술 사상을 감안할 때 기상 증착 분야의 당업자에게 명백한 임의 구조의 캐리어의 사용을 고려한다. 진공 처리 챔버(11) 내에서의 기상 증착 공정에서는, 예를 들어 기체가 이들 개구를 통해서 웨이퍼를 타격한다. 캐리어(29, 31)의 형상은 웨이퍼를 소정의 증착 각도로 유지한다. 따라서, 캐리어는 수행되는 특정 처리의 요건에 따라 상이한 형상 및/또는 구조를 갖도록 만들어질 수 있다.
웨이퍼는 로딩 도크(27)에 설치되는 6축 완전 관절형 클린룸 로봇과 같은 로봇(33)에 의해 캐리어들중 하나 위에 로딩 및 제거된다. 선택적으로, 로봇은 개별 웨이퍼를 뒤집기 위해 플립 모션(flip motion) 능력을 갖는 4축 로봇일 수도 있다. 일 실시예에서, 풀 캐리어가 도크 스테이션으로 복귀되고 따라서 캐리어가 다수의 처리된 웨이퍼를 보유하고 있는 것으로 추정되면, 로봇의 아암은 웨이퍼를 캐리어(31)로부터 제거하고 이를 도크에 설치되어 있는 웨이퍼 카세트(35)(도 3a 내지 3j)에 배치한다. 이후 미처리 웨이퍼를 카세트로부터 픽업하고, 이를 처리된 웨이퍼가 그로부터 제거된 동일 위치에서 캐리어 상에 배치한다. 바람직하게, 이후 인덱스 기구(39)는 웨이퍼 로딩 및 언로딩 처리 중에 캐리어(31)가 얹혀져 결합되는 홀더(41)를 회전시킨다. 캐리어(31)는 회전가능하게 인덱싱되어 그것이 운반하고 있는 다른 처리된 웨이퍼를 로봇(33)에 의해 픽업되기 위한 위치에 배치한다. 이 다른 웨이퍼는 이후 카세트로 이동되고 카세트로부터 새 웨이퍼가 캐리어(31) 상의 동일 위치로 이동된다. 이는 캐리어(31) 상의 모든 처리된 웨이퍼들이 미처리 웨이퍼로 교체될 때까지 계속되며, 이후 캐리어(31)는 로드 로크 챔버(15)로부터 진공 처리 챔버(11)로 이동되고, 가장 최근에 처리된 웨이퍼를 보유하는 캐리어(29)는 그 웨이퍼가 나중에 로봇(33)에 의해 신규 미처리 웨이퍼와 교환될 수 있도록 챔버(15)로 이동된다. 선택적으로, 모든 처리된 웨이퍼는 캐리어 상에 일체의 신규 웨이퍼가 배치되기 전에 제거될 수도 있다.
카세트(35)가 처리된 웨이퍼로 다 채워지면, 이 카세트는 로딩 도크(27)로부터 제거되고 미처리 웨이퍼로 가득찬 카세트로 교체되며, 교환은 신규 카세트의 웨이퍼로 계속된다. 임의의 여러가지 표준형 카세트가 채용될 수 있다. 선택적으로, SMIF(Standard Mechanical InterFace) 호환형 카세트가 사용될 수도 있다. 또한, 예비-정렬기(pre-aligner)(도시되지 않음)는, 처리된 웨이퍼의 회전을 이 웨이퍼를 카세트 내에 배치하기 전에 웨이퍼 상의 다른 특징에 대해 정렬하기 위해 로 딩 도크(27)에 추가로 구비될 수 있는 다른 옵션이다. 로딩 도크(27)는 깨끗한 환경을 유지하기 위해 ULP A Filter FFU(Fan Filter Unit)를 구비하는 것이 바람직하다. 추가 실시예에서는, 도크 스테이션 또한 저압 환경으로 유지될 수 있다.
캐리어(29, 31)는 운반 기구(43)에 의해 챔버(11, 15) 내에서 이들 챔버 사이를 전후로 이동한다. 이 실시예에서, 이 기구는 두 세트의 레일을 구비하는 바, 도면에는 한 세트에서의 하나의 레일(45)과 다른 세트에서의 하나의 레일(47)이 도시되어 있고, 두 세트의 다른 레일은 도면에 감춰져 있다. 각 세트의 레일들은 챔버(11 또는 15) 중 어느 하나 또는 양자 내에서 캐리어를 상승 또는 하강시키도록 웨이퍼 캐리어의 양측에 배치되어 있다. 두 세트의 레일은 적절한 동력원(도시되지 않음)에 의해 수직 프레임(49)을 따라서 상승 또는 하강(z-축)된다. 본 예에서, 이들 레일은 그 움직임 내내 일정 간격 이격되어 유지된다. 이는 한 세트의 레일이 다른 레일 세트에 의해 유지되는 캐리어 상의 웨이퍼 내로 우연히 밀려들어가는 것을 방지하는데 있어서 어느 정도의 안전성을 제공하며, 따라서 고가의 웨이퍼가 손상될 가능성을 감소시킨다. 각각의 레일 세트는 다른 세트와 독립적으로, 챔버(11, 15) 사이에서 직선 운반 시스템을 따라서 측방으로(x-축) 이동할 수 있다. 설명되는 특정 예에서, 상측 세트의 두 레일은 추가적으로 상호 간에 짧은 거리를 근접 및 이격 이동(y-축)할 수 있으며, 이러한 움직임은 하측 레일 세트에서는 불필요하다. 이 복잡한 움직임은 캐리어(29, 31)를 챔버(11, 15) 내의 그 사이에서 결합, 해제 및 이동시키는데 필요한 운동을 제공한다.
캐리어(29)(도 2 참조)는 그것이 운반하는 웨이퍼의 처리 중에 진공 처리 챔 버(11) 내에서 래치(51)로부터 현수된다. 래치(51)는 또한 동력 소스를 포함하는 기구(53)에 의해 회전될 수 있으며, 따라서 그로부터 현수되는 캐리어를 회전시킨다. 이 기구(53)는 또한 래치(51)를 작동시켜 캐리어(29)를 운반 기구(43)로부터 제거되어야 할 때 캐리어를 해제하고, 캐리어를 챔버(11) 내로 이동시키는 운반 기구(43)에 의해 그것에 대해 배치될 때 캐리어를 파지한다.
캐리어(29, 31)를 이동시키기 위한 도 1 및 도 2의 운반 기구(43)의 작동은 도 3a 내지 도 3j의 시간 순서도에 의해 도시된다. 도 3a에 도시된 사이클 중의 포인트는 캐리어(29) 상의 웨이퍼가 진공 챔버(11) 내에서 처리되는 포인트이다. 게이트 밸브(13)가 폐쇄된다. 동시에, 웨이퍼(55)와 같은 개별 웨이퍼가 전술한 방식으로 로봇(33)(도 1 및 도 2)에 의해 캐리어(31)와 카세트(35) 사이에서 교환된다. 교환 중에 게이트 도어(25)는 개방되어 있다.
이 웨이퍼 교환이 완료된 후, 게이트 도어(25)는 폐쇄되고, 펌프(21, 23)가 사용되어 로드 로크 챔버(15) 내의 압력을 그 밸브를 개방함으로써 감소시킨다. 펌프는 통상 관련 밸브들이 로드 로크 챔버(15)에 대한 그 연결부를 개폐하도록 작동되는 동안 지속적으로 가동된다. 압력이 감소되는 동안, 레일(45, 47)은 도 3b에 도시된 위치로 상승된다. 레일(47)은 처음에 캐리어(31)와 결합하여 이를 인덱싱된 홀더(41)로부터 들어올린다. 레일(45, 47)은 상측 레일(45)이 처리 챔버(11)로 측방 이동되기 위한 정확한 높이(도 3b에 도시된 위치)에 도달할 때까지 계속 상방 이동된다. 이 위치는 레일이 캐리어(29)를 결합 유지하게 될 위치로부터 약간 아래이다.
챔버(15) 내의 압력이 챔버(11) 내의 압력과 근사한 레벨까지 감소된 후, 게이트 밸브(13)가 개방되고 상측 레일(45)은 도 3c에 도시된 위치로 이동된다. 레일(45)의 수직 위치는 캐리어(29)와 결합될 위치보다 약간 아래이다. 일단 측방향으로 위치되면, 레일(45, 47)은 레일(45)이 캐리어(29)를 결합 유지하도록 도 3d에 도시하듯이 짧은 거리를 상방 이동한다. 캐리어(29)는 이후 기구(53)에 의해 지지 래치(51)로부터 해제된다. 이후 레일(45)은 짧은 거리를 하방 이동하여 캐리어(29)를 래치(51)로부터 제거하고, 이후 캐리어와 함께 로드 로크 챔버(15) 내로 도3e에 도시된 위치로 측방 이동된다. 선택적으로, 래치를 결합해제하기 위해 사용되는 짧은 수직 이동은 기구(53)에 의해 래치(51)에 제공될 수 있다. 이 단계에서, 양 웨이퍼 캐리어는 챔버(15) 내에 위치한다. 캐리어(29)는 처리 챔버(11)로부터 제거된 최근에 처리된 웨이퍼를 가지며, 캐리어(31)는 미처리 웨이퍼를 보유하고 있다.
게이트 밸브(13)가 개방되고 양 챔버(11, 15)가 낮은 압력에 있는 상태에서, 미처리 웨이퍼를 보유한 캐리어(31)는 처리 챔버(11) 내로 이동된다. 이 이동에서의 제 1 단계가 도 3f에 도시되어 있으며, 여기에서 양 레일은 하측 레일(47)이 캐리어(31)를 챔버(11) 내로 이동시키기에 적당한 높이에 위치할 때까지 로드 로크 챔버(15) 내에서 상향 이동된다. 다음으로, 도 3g에 도시하듯이, 레일(47)은 진공 처리 챔버(11) 내로 측방 이동하고, 이후 래치(51)가 기구(53)에 의해 작동되어 캐리어(31)를 결합 지지할 수 있도록 짧은 거리를 상향 이동한다. 선택적으로, 래치(51)를 캐리어(31)에 결합하기 위해 사용되는 짧은 수직 이동은 기구(53)에 의해 래치에 제공될 수 있다. 이들 레일(45, 47)은 이후 도 3h에 도시하듯이 레일(47)이 캐리어(31)로부터 분리되도록 짧은 거리를 하강한다. 이후 레일(47)은 로드 로크 챔버(15)내로 도 3i에 도시된 그 위치로 측방향으로 되돌아간다.
이후 게이트 밸브(13)가 폐쇄되며, 그 후 진공 처리 챔버 내에서 캐리어(31) 상의 웨이퍼의 처리가 시작될 수 있다. 로드 로크 챔버(15) 내의 압력은 이후 외부 압력으로 증가되며, 게이트 밸브(25)는 개방된다. 이것이 일어나는 동안, 레일은 도 3i에 도시된 위치로부터 도 3j에 도시된 위치로 하향 이동한다. 도 3j에서, 캐리어(29)는 홀더(41) 상에 얹혀있으며, 더 이상 레일(45)에 의해 지지되지 않는다. 캐리어(29)는 이후 전술한 캐리어(29)와 카세트(35) 사이에서의 웨이퍼 교환 도중에 캐리어(29)가 안착되는 홀더(41)를 통해서 인덱서(indexer)(39)에 의해 회전될 수 있다.
웨이퍼 교환 이전, 도중 또는 이후에, 레일(45, 47)은 도 3j에 도시된 그 최저 위치로부터, 교환이 완료된 후 하측 레일(47)이 다른 캐리어(29)와의 결합을 준비하는 도 3a에 도시된 위치로 상승된다. 도 3a 내지 도 3j의 처리는 이후 캐리어(29, 31)의 위치를 역전한 상태로 반복된다. 레일(45)은 레일(45)이 홀더(41)에 안착되어 있는 캐리어(29)를 지나서 상승함에 따라 캐리어(29)를 클리어하도록 짧은 거리를 (y-축을 따라서) 측방 이동할 수 있도록 만들어진다.
(본 특정 예에서) 레일(45)은 처리된 웨이퍼를 보유한 캐리어를 항상 이동시키지만 레일(47)은 미처리 웨이퍼를 보유한 캐리어를 이동시키는 것을 알 수 있다. 이는 다른 캐리어로부터 그 위로 오염물질이 떨어질 수 없도록 처리된 웨이퍼를 상 측 캐리어 상에 유지하는 장점을 갖는다.
도 3a 내지 도 3j는 따라서 도 1 및 도 2의 설비에 의해 실행될 수 있는 웨이퍼 캐리어 이동의 완전한 1사이클을 나타낸다. 진공 처리 챔버(11)가 낮은 압력(고진공)으로 유지되고 캐리어 교환을 위해 게이트 밸브(13)가 단기간 동안만 개방될 필요가 있기 때문에 웨이퍼 처리량이 크다. 교환될 웨이퍼 전체가 단지 두 개의 캐리어 상에 위치하기 때문에, 교환은 신속히 이루어질 수 있으며 따라서 이들 웨이퍼가 진공 처리 챔버(11)에서 처리되는 시간의 백분율을 증가시킬 수 있다. 처리된 웨이퍼(모두 제 1 단일 캐리어 상에 위치)와 미처리 웨이퍼(모두 제 2 단일 캐리어 상에 위치)의 이러한 교환에 의해 처리는 최소한으로 중단된다. 또한, 다른 캐리어 상의 웨이퍼가 처리되는 것과 병행하여 하나의 캐리어 상에는 신규 웨이퍼가 로딩된다.
캐리어 운반 기구(43)는 간단하다는 장점을 갖는다. 하나의 검토된 설계에서, 네 개의 레일(상측의 한 쌍의 레일(45)과 다른 레일, 및 하측의 한 쌍의 레일(47)과 다른 레일)의 각각은, 그 길이를 따라서 하나가 다른 하나로부터 신축되는 두 개의 세그먼트로 만들어질 수 있다. 각 세그먼트의 길이는, 이들 세그먼트가 서로의 내부에 절첩될 때 레일이 로드 로크 챔버(15) 내에 끼워질 수 있도록 선택된다. X축을 따른 이동을 제공하기 위해 레일 상에는 진공 호환형 직선 전동 모터 및 가이드가 장착될 수 있다. 예를 들어, 하나의 이러한 모터는 신축적 세그먼트를 다른 세그먼트에 대해 이동시키기 위해 레일 상에 장착되며, 다른 모터는 양 세그먼트를 프레임(49)에 대해 이동시키기 위해 레일 상에 장착된다. 이는 도 3a 내지 3j에 대해 전술한 x축에서의 이동 범위를 제공한다.
각 세트의 레일은 프레임(49)의 내측에 있는 포스트 및 캐리어의 대향 측부에 있는 유사 프레임 상의 다른 포스트(도시되지 않음)와 같은, 포스트에 의해 수직으로 이격 유지될 수 있다. 레일의 수직 이동은 이후 각각의 포스트에 진공 호환형 직선 전동 모터 및 가이드를 장착함으로써 제공될 수 있다. y축을 따르는 상측 레일의 상호 근접 및 이격 이동은 레일과 프레임(49) 사이에 장착된 미니 공압식 액추에이터에 의해 제공될 수 있다.
도 4는 본 발명의 추가적인 바람직한 태양을 도시하며, 이에 따르면, 각각의 캐리어에 보유되는 처리될 샘플과 기처리된 샘플(예를 들면 웨이퍼)을 로드 로크 챔버 및 처리 챔버 내의 소정 위치 사이에 배치하도록 직선 운반 어레이를 구동하기 위한 자기 결합식 구동 기구가 설치된다. 이 바람직한 실시예에서, 처리 챔버(60)와 로드 로크 챔버(62) 양자는 독립적인 자기 결합식 구동 유닛(64, 66)을 각각 구비한다. 자기 결합식 구동 유닛은 진공 밀봉되는 스테인레스 튜브(도시되지 않음)에 수용되는 것이 바람직하다. 게이트 밸브(68)는 챔버(60, 62) 사이에 진공 밀봉을 제공한다. 자기 구동 유닛은 대기압으로 유지되는 것이 바람직하다. 직선 가이드(72) 상에서 안내되는 캐리지(70)는, 가이드 지지체로부터의 결합해제 없이 또한 일체의 불연속적인 "덜컹거림(jerk)"없이 처리 챔버와 로드 로크 챔버 사이의 "갭을 점핑(jump the gap)"하도록 설계 및 배향된다. 캐리지(70)는 자기 결합식 드라이브를 수용하는 스테인레스 스틸 튜브의 곡률에 합치되는 두 개의 고정 자석(74, 76)을 구비한다. 크레이들(cradle)(78)이 캐리지(70)에 부착되며, 크 레이들 지지체(80)에 부착 도시된다. 크레이들(78)은 캐리어(82) 상의 돔 플랜지(83) 상의 크레이들 결합 슬롯에서 캐리어(82)와 결합된다. 돔 플랜지(83) 상의 스핀들 결합 슬롯은 로드 로크 챔버 내에서 스핀들(84)과 결합하거나 처리 챔버 내에서 스핀들(85)과 결합한다.
도 5는 본 발명의 직선 운반 시스템의 자기 결합식 구동 기구의 분해도이다. 스크루 레일 작동 레버(90)는 스크루 레일(111)을 180도 시계방향 또는 반시계방향으로 회전시켜 구동 자석(116)을 캐리지(96) 상의 종동 자석(98 또는 99)과 결합 또는 결합해제시키며, 이는 레일(102)을 따라서 이동한다. 캐리지(96)는 추가로 베어링(92)을 포함한다. 자석(98, 99) 사이의 거리는 처리 챔버 자기 결합식 구동부와 로드 로크 자기 구동부 사이에서의 "덜컹거림없는 주고받기(jerk free handshake)"를 촉진한다. 자기 결합식 구동부(100)는 O-링 시일에 의해 진공 플랜지(101)를 통해서 진공으로부터 격리된 스테인레스 튜브에 수용되는 것이 바람직하다. 구동 자석(116)은 캐리지(96) 상의 전방 종동 자석(99)과 결합하는 것으로 도시되어 있다. 리드 스크루(112)가 예를 들어 전동 모터(도시되지 않음)에 의해 회전되면, 스크루 레일 너트(114)는 스크루 레일(111)에 의해 안내됨에 따라 구동 자석(116)과 함께 직선으로 전진 또는 후퇴한다. 구동 자석은 캐리지(96)에 부착된 종동 자석(99)과 결합하여, 캐리지(96)에 직선 운동을 제공한다.
도 6은 자기 결합식 구동부(110)의 일 태양의 분해도이다. 구동 기구는 제로 백래쉬(backlash) 스플릿 너트(114)를 갖는 리드 스크루(112)를 구비한 스크루 레일(111), 및 자기 홀더에 부착된 자석 홀더(118)의 곡률에 합치되는 구동 자 석(116)을 포함한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예의 분해 사시도이다. 이 도면은, 캐리지(144){돔(148)을 갖는 크레이들(146)을 지지}가 게이트 밸브(도시되지 않음)를 통해서 가이드 레일(150) 상에서 챔버 사이를 이동할 때, 로드 로크 챔버 내의 자기 결합식 구동 유닛(140)과 처리 챔버 내의 자기 결합식 구동 유닛(142) 사이의 "주고받기"의 개념을 도시한다. 작동 시에, 로드 로크 자기 결합식 구동 유닛 내의 구동 자석은 로드 로크 자기 드라이브 상의 스크루 레일 작동 레버를 작동시킴으로써 캐리지 상의 자석과 결합해제된다. 처리 챔버 자기 결합식 구동 유닛 내의 구동 자석은 처리 챔버 자기 결합식 드라이브 상의 스크루 레일 작동 레버를 작동시킴으로써 캐리지의 먼 쪽에서 자석과 결합된다. 캐리지는 가이드 레일(152) 상에서 롤러 베어링 세트에 의해 종방향 및 수직 방향으로 잘 지지된다.
도 7에 도시하듯이, 물품 캐리어 또는 "돔"(148)은 웨이퍼 또는 다른 처리될 물품을 보유하도록 설계된다. 본 발명의 일 실시예에서, 물품은 깨지기 쉬운 웨이퍼이다. 따라서, 웨이퍼들을 처리 중에 스테이션에서 스테이션으로의 운반 중에 직접 접촉시키기 보다는 웨이퍼가 부착된 웨이퍼 캐리어 또는 "돔"을 이동시키는 것이 바람직하다. 캐리어 상의 적소에 유지되는 웨이퍼 또는 처리될 물품의 개수는 캐리어의 수용 영역의 수에 종속된다. 이어서, 수용 영역 또는 개소(절취부 또는 "구멍"으로 나타남)의 개수는 웨이퍼 또는 기타 물품의 치수에 종속된다. 따라서, 150mm 또는 200mm 직경의 원형 웨이퍼는 캐리어 상에서 50mm 웨이퍼보다 많은 공간을 차지할 것이 명백하다. 원형 리셉터클(154)은 처리를 위한 유사 치수의 물 품을 수용하도록 설계된다. 물품 배치 및 제거를 위해 챔버 주위로 이동하기에는 돔 캐리어가 꽤나 크고 보기싫기 때문에, 본 발명의 추가 태양에 따르면, 돔 표면은 원형 프레임 상에 제거가능하게 보유되는 쐐기형 세그먼트로 분할될 수 있으며 따라서 모든 세그먼트가 적소에 있을 때 완성된 돔형 캐리어가 달성된다. 따라서, 돔(148)은 또한, 세그먼트들이 적소에 있을 때 완전한 돔이 원형대로(intact)이도록 스프링 클립(156)과 같은 체결구에 의해 함께 유지되는 다수의 분리된 제거가능한 세그먼트로 구성되도록 설계된다. 완전 조립된 돔은 처리 챔버와 로드 로크 챔버 사이에서 이동된다.
이들 세그먼트는 각각 물품 로딩 및 언로딩을 위해 로드 로크 챔버로부터 "전단"으로 이동될 수 있다. 이러한 배치는 150mm 직경을 갖는 웨이퍼와 같은 소형 물품의 배치 및 제거를 위해 취급되는 캐리어 부품의 중량 및 크기를 감소시킨다. 200mm 직경 웨이퍼와 같은 대형 웨이퍼는 도크 스테이션에 설치되는 로봇과 같은 자동화 수단에 의해 도크 스테이션을 통해서 로드 로크 챔버로부터 각각 로딩 및 언로딩되는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 두 개의 돔 세그먼트의 위치를 스왑시키는데 필요한 면적을 더 최소화하려면, 세그먼트의 첨단은, 돔 상에서의 웨이퍼 또는 물품 운반 성능의 현저한 손실 없이 절취될 수 있다. 돔은 도시하듯이 이중 슬롯 플랜지(158)를 갖는다. 하측 슬롯은 크레이들(146)과 결합되고, 상측 슬롯은 처리 챔버(도 4에서의 84)와 로드 로크 챔버(도 4에서의 85)에서 스핀들과 결합된다. 또한 돔은 처리될 물품을 오목하거나 볼록한 또는 심지어 편평한 배향으로 유지하도록 역전된 상태에서 배치될 수 있음을 알아야 한다. 증착 이외의 처리가 처 리 챔버 내에서 수행되면, 캐리어의 다른 형태 및 형상이 사용될 수 있다. 웨이퍼가 편평면 상에서 운반되는 평판, 또는 웨이퍼가 비평면 배향으로 유지되는 "보트"는 본 발명에 의해 검토되는 다른 가능성이다. 또한, 선택적으로 각각의 웨이퍼 또는 물품은 개별적으로 이송 및 처리될 수 있다. 그러나, 이는 비교적 비효율적이며, 대개는 갈륨비소 웨이퍼 처리와 같은 대부분의 웨이퍼 처리에 있어서 적합하지 않다. 전술했듯이, 200mm 직경의 웨이퍼와 같은 대직경 물품에 있어서, 돔은 다수의 세그먼트를 정확히 위치시키고 결합시키기 위한 정밀 가공된 소켓 및 태브를 구비하는 다수의 개별 세그먼트를 포함한다. 이러한 세그먼트들은 스프링 클립과 같은 체결구에 의해 함께 유지되는 것이 바람직하다. 바람직하게, 세그먼트 상에는 돔을 정확히 인덱싱시킴으로써 물품의 자동화된 로딩 및 언로딩을 촉진하기 위한 기계가공된 특징이 존재한다. 돔은 스테인레스 스틸로 제조되는 것이 바람직하지만, 돔은 지탱되는 처리 환경의 혹독함을 견딜 수 있는 임의의 유용한 재료로 구성될 수 있으며, 이는 본원의 내용을 감안할 때 진공 증착 챔버 분야의 당업자에 의해 쉽게 이해될 것이다.
본 발명은 소정 효과를 달성할 임의의 자기 결합식 구동 유닛의 사용을 검토한다. 이러한 바람직한 유닛은 Transfer Engineering(미국 캘리포니아주 프레몬트 소재)에 의해 제조되지만 다른 실행가능한 유닛이 사용될 수 있는 바, 이는 본원의 내용을 감안할 때 자기 구동 유닛 분야의 당업자에 의해 쉽게 자명할 것이다.
전술했듯이, 처리 챔버 내에서 유지되는 낮은 압력은, 처리 챔버를 로드 로크 챔버로부터 밀봉하는 게이트 밸브를 개방하기 전에 로드 로크 챔버의 압축으로 인해 기본적으로 보존된다. 이런 식으로, 처리 챔버는 결코 청소되지 않으며, 이는 처리 챔버를 계속 청소하고 다시 펌프 다운할 필요를 없게 한다. 처리 챔버 내에서 유지되는 통상적인 처리 압력은 약 10-6 내지 약 10-7 torr이다. 본 발명의 일 실시예에서, 로드 로크 챔버는 캐리어/물품 로딩 중에 주위 조건에 노출된다. 제 2 게이트 밸브가 폐쇄 위치에 있을 때, 로드 로크 챔버는 이후 약 3분 미만 내에 대기압으로부터 약 10-5 torr로 펌프 다운된다. 이 시점에서 제 1 게이트 밸브가 개방되고 조합된 로드 로크 챔버 및 처리 챔버는 약 10-6 내지 약 10-7 torr의 소정 작동 압력으로 펌프 다운된다. 전체 펌프 다운 시간은 진공 펌프의 설계 및 챔버들, 특히 로드 로크 챔버의 소정의 저체적 설계에 기초하여 약 5분 미만이다. 이는 펌프 다운 시간이 약 17 내지 약 20분을 초과하고 본 발명의 처리보다 상당히 긴 다운 시간을 생성하는 공지의 처리 시스템과 상당히 대조적이다. 본 발명의 처리에 사용하기 위해 설계된 로드 로크 챔버의 바람직한 체적은 약 20 cfm이며, 보다 바람직하게는 약 10 내지 약 15 cfm 범위의 체적을 갖는다. 이 제한된 로드 로크 챔버 체적은 단축된 펌프 다운 사이클을 허용하며, 그 결과 효율 및 제품 처리량이 증가된다.
또한, 본 발명에 따르면, 다른 캐리어가 처리 챔버를 차지하고 있을 때 물품 처리 사이클 도중에 처리될 물품을 구비하는 캐리어를 대기 위치에 유지하여 캐리어 스왑 타임을 최소로 유지함으로써 시스템 효율이 생성 및 보존된다. 또한, 시스템은 제품 처리량 수요를 충족하기 위해 로드 로크 챔버와 처리 챔버중 어느 하 나 또는 양자에서 다수의 캐리어를 수용하도록 변경될 수 있다.
본원의 목적을 위해, "직선 또는 인-라인 운반 어레이"와 "직선 또는 인-라인 운반 시스템"은 등가의 개념이며 상호교환가능한 용어임을 알아야 한다. 또한, 본원에서 설명했듯이, 본 발명의 직선 운반 시스템은 캐리어를 한 지점에서 다른 지점으로 직선 방향으로 구동할 수 있는 임의의 구동 시스템을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 직선 운반 시스템은 처리 시스템과 스테이징 챔버 내에 지지 시스템, 통상은 레일 가이드를 포함하는 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명은 지지체 또는 레일 가이드가 고정되지 않지만 구동 시스템의 부품을 포함하는 실시예를 검토한다. 이런 식으로, 레일 가이드는 처음에 하나의 챔버 내에만 설치될 수 있지만, 작동되면 시스템의 필요에 따라 하나 이상의 챔버 내로 신장 또는 수축될 수 있다. 이러한 시스템은 구동 유닛에 의해 캐리어에 움직임을 공급하도록 요망되는 "신축" 시스템, 및 캐리어의 이동에 앞서 또는 그와 동시에 소정 위치로 이동되는 레일 가이드와 함께 사용될 수 있다.
본 발명의 다양한 태양을 그 특정한 예 및 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 청구범위의 전체 범위 내에서 보호될 권리가 있음을 알아야 한다.

Claims (30)

  1. 물품을 처리하기 위한 방법에 있어서,
    물품을 처리하기 위한 제 1 챔버로서, 직선 운반 어레이 및 상기 직선 운반 어레이와 이동가능하게 연결되는 캐리어를 포함하는 상기 제 1 챔버를 제공하는 단계,
    물품을 스테이징하기 위한 제 2 챔버로서, 제 2 직선 운반 어레이를 포함하는 상기 제 2 챔버를 제공하는 단계,
    상기 제 1 및 제 2 챔버 사이에 이들 챔버와 연통하여 배치되는 제 1 게이트 밸브로서, 제 1 챔버를 밀봉하기 위한 폐쇄 위치와, 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에 통로를 허용하기 위한 개방 위치를 갖는 상기 제 1 게이트 밸브를 제공하는 단계,
    물품을 로딩 및 언로딩하기 위한 도크 스테이션을 제공하는 단계,
    상기 제 2 챔버와 도크 스테이션 사이에 이들과 연통하여 배치되는 제 2 게이트 밸브로서, 제 2 챔버를 밀봉하기 위한 폐쇄 위치와, 제 2 챔버와 로딩 도크 사이에 통로를 허용하기 위한 개방 위치를 갖는 상기 제 2 게이트 밸브를 제공하는 단계,
    상기 제 1 또는 제 2 챔버와 연통하는 적어도 하나의 진공 펌프를 제공하는 단계,
    물품을 지지하는 캐리어로서 직선 운반 어레이와 연통하는 상기 캐리어를 제공하는 단계,
    상기 캐리어 상에 적어도 하나의 물품을 로딩하는 단계,
    적어도 하나의 캐리어를 상기 제 1 및 제 2 챔버 사이에서 직선 운반 어레이를 통해서 운반하는 동안 상기 제 1 및 제 2 챔버 내에 낮은 압력을 조성하여 유지하는 단계, 및
    캐리어에 유지된 물품을 제 1 챔버 내에서 처리하는 단계를 포함하는
    물품 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도크 스테이션은 물품 로더(loader) 및 언로더(unloader)를 포함하는
    물품 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 직선 운반 어레이는 유압 시스템, 전자기계 시스템, 및 자기 결합식 구동 시스템으로 구성되는 그룹에서 선택되는 구동 시스템을 포함하는
    물품 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 직선 운반 어레이는 자기 결합식 구동 시스템을 포함하는
    물품 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    제 1 게이트 밸브를 폐쇄 위치에 위치설정하고 진공 펌프를 작동시켜 제 1 챔버 내의 압력을 감소시키는 단계,
    제 2 게이트 밸브를 개방하고 적어도 하나의 물품이 로딩된 캐리어를 도크 스테이션으로부터 제 2 챔버 내로 안내하는 단계,
    제 2 게이트 밸브를 폐쇄하고 제 2 챔버 내의 압력을 제 1 챔버 내의 압력과 실질적으로 유사한 압력으로 감소시키는 단계, 및
    제 1 게이트 밸브를 개방하고 캐리어를 제 2 챔버로부터 제 1 챔버 내로 안내하여 물품을 처리하는 단계를 추가로 포함하는
    물품 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    제 1 게이트가 개방되기 전에 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에는 소정의 압력 차이가 존재하는
    물품 처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 소정의 압력 차이는 약 10-1 torr 미만인
    물품 처리 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    직선 운반 어레이를 사용하여 실질적으로 유사하게 압력이 조성된 챔버 사이에서 레일 가이드를 따라서 캐리어를 운반하는 단계를 추가로 포함하는
    물품 처리 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    캐리어 상으로의 물품 로딩은 로봇에 의해 이루어지는
    물품 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    물품 공급원으로부터 캐리어 상에 로딩될 다수의 물품을 제공하는 단계, 및
    로봇을 사용하여 물품을 캐리어 상에 로딩하는 단계를 추가로 포함하는
    물품 처리 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    물품 처리 후, 제 2 게이트 밸브를 폐쇄 위치로 안내하고, 제 1 게이트 밸브를 개방 위치로 안내하는 단계,
    캐리어를 제 1 챔버로부터 제 2 챔버로 안내하는 단계,
    제 1 게이트 밸브를 폐쇄 위치로 안내하는 단계, 및
    제 2 게이트 밸브를 개방하고, 처리된 물품을 캐리어로부터 제거하도록 로봇을 안내하는 단계를 추가로 포함하는
    물품 처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    직선 운반 시스템은 자기 결합식 구동 기구를 포함하는
    물품 처리 방법.
  13. 물품을 저압 환경에서 처리하기 위한 방법에 있어서,
    개재된 제 1 게이트 밸브를 구비하는 제 1 및 제 2 챔버를 제공하는 단계,
    처리될 물품을 도크 스테이션에 제공하는 단계,
    상기 물품을 도크 스테이션으로부터 제 2 게이트 밸브를 통해서 제 2 챔버로 이동시키는 단계,
    상기 제 1 및 제 2 챔버를 실질적으로 유사한 압력으로 실질적으로 평형화시키고, 측방 지지된 레일 가이드를 포함하는 직선 운반 시스템을 따라서 제 2 챔버로부터 제 1 게이트 밸브를 통해서 제 1 챔버로 물품을 운반하는 단계,
    물품을 처리하는 단계, 및
    측방 지지된 레일 가이드를 포함하는 직선 운반 시스템을 따라서 제 1 챔버로부터 제 1 게이트 밸브를 통해서 제 2 챔버로 물품을 운반하는 단계를 포함하는
    물품 처리 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    물품이 실질적으로 일정한 압력을 받는 상태에서 제 1 챔버 내외로의 물품 운반을 용이하게 하기 위해 제 1 및 제 2 게이트 밸브를 개방 또는 폐쇄 위치로 안내하는 단계를 추가로 포함하는
    물품 처리 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    제 1 챔버에서의 물품 처리 중에 제 1 게이트 밸브를 폐쇄 위치로 안내하면서, 처리될 적어도 하나의 물품을 제 2 챔버에 동시에 도입하는 단계,
    적어도 하나의 물품을 제 2 챔버에 도입한 후, 제 2 게이트 밸브를 폐쇄 위치로 안내하고 제 1 게이트 밸브를 개방 위치로 안내하는 단계,
    적어도 하나의 물품을 직선 운반 시스템을 따라서 제 1 챔버로부터 제 1 게이트 밸브를 통해서 제 2 챔버로 운반하는 단계, 및
    적어도 하나의 물품을 직선 운반 시스템을 따라서 제 2 챔버로부터 제 1 게이트 밸브를 통해서 제 1 챔버로 운반하는 단계를 추가로 포함하는
    물품 처리 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 직선 운반 시스템은 자기 결합식 구동 시스템을 포함하는
    물품 처리 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 도크 스테이션을 제 1 및 제 2 챔버와 실질적으로 유사한 압력으로 유지하는 단계를 추가로 포함하는
    물품 처리 방법.
  18. 물품을 저압 분위기에서 처리하기 위한 장치에 있어서,
    물품을 처리하기 위한 제 1 챔버로서, 제 1 직선 운반 어레이 및 상기 제 1 직선 운반 어레이와 이동가능하게 연결되는 캐리어를 포함하는, 상기 제 1 챔버,
    물품이 제 1 챔버로 향하도록 또는 제 1 챔버로부터 멀어안내록 스테이징하기 위한 제 2 챔버로서, 캐리어와 이동가능하게 연결되는 제 2 직선 운반 어레이를 포함하는, 상기 제 2 챔버,
    상기 제 1 및 제 2 챔버 사이에 이들 챔버와 연통하여 배치되는 제 1 게이트 밸브로서, 제 1 챔버를 밀봉하기 위한 폐쇄 위치와, 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에 통로를 허용하기 위한 개방 위치를 갖는, 상기 제 1 게이트 밸브,
    물품을 로딩 및 언로딩하기 위한 도크 스테이션,
    상기 제 2 챔버와 도크 스테이션 사이에 이들과 연통하여 배치되는 제 2 게이트 밸브로서, 제 2 챔버를 밀봉하기 위한 폐쇄 위치와, 제 2 챔버와 로딩 도크 사이에 통로를 허용하기 위한 개방 위치를 갖는, 상기 제 2 게이트 밸브,
    상기 제 1 또는 제 2 챔버와 연통하는 적어도 하나의 진공 펌프를 포함하는
    물품 처리 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    적어도 하나의 캐리어를 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 운반하고 캐리어에 보유된 물품을 제 1 챔버 내에서 처리하는 동안 제 1 및 제 2 챔버 내에 낮은 압력이 조성되어 유지되는
    물품 처리 장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 캐리어는 다수의 물품을 지지하는
    물품 처리 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 물품에는 다수의 웨이퍼를 포함하는
    물품 처리 장치.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 캐리어는 돔 형상인
    물품 처리 장치.
  23. 제 18 항에 있어서,
    상기 직선 운반 어레이는 자기 결합식 구동 기구, 유압식 구동 기구, 공압식 구동 기구, 전자기계식 구동 기구, 및 기계식 구동 기구로 구성되는 그룹에서 선택되는 구동 기구를 포함하는
    물품 처리 장치.
  24. 제 18 항에 있어서,
    상기 직선 운반 어레이는 적어도 하나의 자기 결합식 구동 기구를 포함하는
    물품 처리 장치.
  25. 제 18 항에 있어서,
    웨이퍼의 처리 이전에 웨이퍼를 캐리어로 안내하기 위한 자동화 수단을 추가로 포함하는
    물품 처리 장치.
  26. 제 18 항에 있어서,
    처리된 웨이퍼를 캐리어로부터 제거하기 위한 자동화 수단을 추가로 포함하는
    물품 처리 장치.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 자동화 수단은 로봇을 포함하는
    물품 처리 장치.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 자동화 수단은 로봇을 포함하는
    물품 처리 장치.
  29. 제 18 항에 있어서,
    제 1 스테이션과 제 2 스테이션은 실질적으로 동일한 압력으로 유지되는
    물품 처리 장치.
  30. 제 18 항에 있어서,
    상기 도킹 스테이션은 제 1 및 제 2 챔버와 실질적으로 유사한 압력으로 유지되는
    물품 처리 장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102414782B (zh) * 2009-02-22 2014-11-05 迈普尔平版印刷Ip有限公司 用于光刻机的准备单元
GB2469112A (en) 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer
CN101958231A (zh) * 2010-05-06 2011-01-26 东莞宏威数码机械有限公司 气体环境缓冲装置
US8936994B2 (en) 2011-04-28 2015-01-20 Mapper Lithography Ip B.V. Method of processing a substrate in a lithography system
DE102017100507B4 (de) * 2017-01-12 2021-11-25 Ald Vacuum Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Werkstücken
CN114990512B (zh) * 2022-05-19 2024-01-26 国家电投集团氢能科技发展有限公司 用于真空镀膜的挂装载具、上下料设备和连续真空镀膜系统
CN117966103B (zh) * 2024-02-04 2024-06-18 浙江晟霖益嘉科技有限公司 一种蒸发真空设备生产线

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3568632A (en) * 1969-03-24 1971-03-09 Gary F Cawthon Lens coating apparatus
US3656454A (en) * 1970-11-23 1972-04-18 Air Reduction Vacuum coating apparatus
US3641973A (en) * 1970-11-25 1972-02-15 Air Reduction Vacuum coating apparatus
US4047624A (en) 1975-10-21 1977-09-13 Airco, Inc. Workpiece handling system for vacuum processing
JPS5256041U (ko) * 1975-10-22 1977-04-22
JPS5738367Y2 (ko) * 1978-04-28 1982-08-24
US4699555A (en) * 1986-05-08 1987-10-13 Micrion Limited Partnership Module positioning apparatus
ATE208961T1 (de) * 1988-05-24 2001-11-15 Unaxis Balzers Ag Vakuumanlage
JPH06100164A (ja) * 1992-08-27 1994-04-12 Hitachi Ltd 磁気的に結合された搬送装置
US6447232B1 (en) * 1994-04-28 2002-09-10 Semitool, Inc. Semiconductor wafer processing apparatus having improved wafer input/output handling system
US5881649A (en) * 1996-08-13 1999-03-16 Anelva Corporation Magnetic transfer system, power transmission mechanism of the magnetic transfer system, and rotational driving member used for the system
US6042623A (en) * 1998-01-12 2000-03-28 Tokyo Electron Limited Two-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
US6217272B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-17 Applied Science And Technology, Inc. In-line sputter deposition system
JP2001135704A (ja) * 1999-11-09 2001-05-18 Sharp Corp 基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法
US6609877B1 (en) 2000-10-04 2003-08-26 The Boc Group, Inc. Vacuum chamber load lock structure and article transport mechanism
JP2003092329A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

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Publication number Publication date
TWI502694B (zh) 2015-10-01
TWI394242B (zh) 2013-04-21
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JP2007537606A (ja) 2007-12-20
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EP1749116A1 (en) 2007-02-07
CN101871096B (zh) 2012-09-05

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