KR20070012952A - 기판 가공 장치 - Google Patents
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Abstract
신속하게 기판을 가공할 수 있는 기판 가공 장치는, 프로세스 챔버, 제1 가공 공정에 투입될 기판들이 수납된 제1 카세트가 배치되는 제1 로딩 스테이지, 제1 카세트로부터 프로세스 챔버로 기판을 로딩하는 이송암, 제1 가공 공정에 연이어 수행되는 제2 가공 공정에 투입될 기판들이 수납된 제2 카세트가 배치되는 제2 로딩 스테이지, 그리고 제1 로딩 스테이지에 제1 카세트를 제2 카세트로 교체 배치하기 위한 캐리어를 포함한다. 제1 가공 공정이 완료된 기판들을 수납하기 위한 제3 카세트가 배치되는 제1 언로딩 스테이지, 프로세스 챔버로부터 기판들을 인출하여 제3 카세트에 수납하는 제2 이송암, 제2 가공 공정이 완료된 기판들을 수납하기 위한 제4 카세트가 배치되는 제2 언로딩 스테이지, 및 제1 언로딩 스테이지에 제3 카세트를 제4 카세트로 교체 배치하기 위한 제2 캐리어가 구비될 수 있다. 후속 기판 및 카세트를 미리 준비해둠으로써, 신속하게 기판을 가공할 수 있다.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 가공 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100:기판 가공 장치 110:프로세스 챔버
112:척 115:진공 펌프
120:제1 로드락 챔버 125:제2 로드락 챔버
130:제1 로딩 스테이지 135:제2 로딩 스테이지
140:제1 이송암 145:제2 이송암
150:제1 캐리어 155:제2 캐리어
160:얼라이너 161:제1 게이트
162:제2 게이트 163:제3 게이트
164:제4 게이트 170:제1 언로딩 스테이지
175:제2 언로딩 스테이지 181:제1 카세트
182:제2 카세트 183:제3 카세트
184:제4 카세트 185:제1 레일
186:제2 레일 190:로드 포트
195:언로드 포트 W:기판
본 발명은 기판 가공 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 로트(Lot) 단위로 기판 가공 공정을 수행하는 반도체 기판 가공 장치에 관한 것이다.
현재의 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다. 일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판 상에 사진, 식각, 증착, 확산, 이온 주입, 금속 증착 등의 가공 공정들을 통하여 제조된다.
상기 가공 공정들을 통하여 반도체 장치로 제조되기까지 반도체 기판들은 일정 매수 단위로 관리된다. 보다 상세하게 설명하면, 반도체 기판들은 25매 수용 가능한 로트 박스에 보관되어 가공 장치로 이동된다. 반도체 기판들은 가공 장치에서도 25매의 로트 단위로 가공된다.
로트 박스는 캐리어 박스, 카세트, 및 커버로 구성된다. 카세트에는 25개의 슬롯이 형성되고, 각 슬롯 상에 반도체 기판이 배치된다. 반도체 기판들이 삽입된 카세트는 캐리어 박스에 수용된다. 커버는 캐리어 박스의 개구부를 덮도록 캐리어 박스 상부에 결합되어, 반도체 기판들을 외부 오염원으로부터 보호한다.
반도체 기판들은 로트 박스에 수용되어 가공 장치로 이동된 후, 카세트에 삽입된 상태로 로트 박스로부터 분리된다. 이후, 반도체 기판들은 카세트에 삽입된 상태로 가공 장치에 로딩된다. 로트 단위의 반도체 기판들에 대한 가공 공정이 모두 완료된 후, 상기 반도체 기판들 다시 카세트에 삽입된 상태로 가공 장치로부터 언로딩된다. 반도체 기판들은 카세트에 삽입된 상태로 다시 로트 박스에 수용되어 다음 가공 공정을 수행하기 위한 가공 장치로 이송된다.
현재 일반적인 기판 가공 장치는 단일 프로세스 챔버를 포함하고 있다. 단일 프로세스 챔버에는 로드 포트와 언로드 포드가 각각 하나씩 설치된다. 로드 포트에 배치된 카세트에 수납된 기판들이 모두 가공 공정에 투입되면, 작업자는 로드 포트로부터 빈 카세트를 반출하고, 기판들이 수납된 새로운 카세트를 로드 포트에 배치한다. 또한, 가공 공정이 완료후 언로드 포트에 배치된 카세트에 기판들이 모두 수납되면, 작업자는 언로드 포트로부터 기판들이 수납된 카세트를 반출하고 빈 카세트를 언로드 포트에 배치한다. 단일 프로세스 챔버를 갖는 기판 가공 장치에서 전술한 바와 같은 카세트들의 교체 작업은 수동을 수행되고 있다. 따라서 작업자의 실수 및 교체 지연으로 인한 공정 사고가 종종 발생되고 있다. 예를 들면, 작업자의 로드 포트 또는 언로드 포트에 후속 카세트를 제시간에 교체 배치하지 않을 경우, 가공 공정이 중단된다. 신속한 카세트 교체 작업을 위하여 작업자가 서두를 경우, 엉뚱한 카세트를 로드 포트 또는 언로드 포트에 배치하기도 하였다. 뿐만 아니라, 수동으로 로드 포트 또는 언로드 포트에 후속 카세트를 교체할 경우, 로봇을 이용하는 경우보다 더 소요 시간을 필요로 하게 되어 생산 수율이 저조한 실정이다.
현재 반도체 기판은 대구경화 추세에 따라 그 단가가 계속 상승하고 있으며, 반도체 장치까지 형성된 반도체 기판의 가격은 상당한 고가이다. 상기 고가의 반도체 기판이 잘못된 가공 공정에 투입될 경우, 상당한 재정적, 시간적 손실이 발생된다. 또한, 현재 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되는 반도체 장치의 연구 추세에 비추어볼 때, 제조 공정 이는 반드시 해결해야할 문제점으로 부각되고 있다.
본 발명은 전술한 바와 같은 종래 기술의 문제점들을 해소하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판에 대한 가공 공정을 신속하게 수행할 수 있는 기판 가공 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 관점에 따른 기판 가공 장치는, 기판 가공 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버, 프로세스 챔버에서 수행되는 제1 가공 공정에 투입될 기판들이 수납된 제1 카세트가 배치되는 제1 로딩 스테이지, 제1 카세트로부터 기판들을 인출하여 프로세스 챔버에 로딩하는 이송암, 제1 가공 공정에 연이어 프로세스 챔버에서 수행되는 제2 가공 공정에 투입될 기판들이 수납된 제2 카세트가 배치되는 제2 로딩 스테이지, 그리고 제1 로딩 스테이지에 제1 카세트를 제2 카세트로 교체 배치하기 위한 캐리어를 포함한다. 이 경우, 이송암은 제1 로딩 스테이지로부터 프로세스 챔버에 투입될 기판이 대기되는 로드락 챔버에 설치될 수 있다. 제1 로딩 스테이지와 제2 로딩 스테이지 사이에는 캐리어의 이동 경로를 가이드하는 레일이 설치될 수 있다. 또한, 제1 가공 공정이 완료된 기판들을 수납하기 위한 제3 카세트가 배치되는 제1 언로딩 스테이지, 프로세스 챔버로부터 기판들을 인출하여 제3 카세트에 수납하는 제2 이송암, 제2 가공 공정이 완료된 기판들을 수납하기 위한 제4 카세트가 배치되는 제2 언로딩 스테이지, 및 제1 언로딩 스테이지에 제3 카세트를 제4 카세트로 교체 배치하기 위한 제2 캐리어가 구비될 수 있다. 이 경우, 제2 이송암은 프로세스 챔버로부터 제1 언로딩 스테이지로로 이송될 기판이 대기되는 제2 로드락 챔버에 설치될 수 있다. 제1 언로딩 스테이지와 제2 언로딩 스테이지 사이에는 제2 캐리어의 이동 경로를 가이드하는 제2 레일이 설치될 수 있다. 제1 로딩 스테이지와 제1 로딩 스테이지 사이에는 제1 로딩 스테이지로부터 프로세스 챔버에 투입될 기판을 정렬하는 얼라이너가 설치될 수 있다.
본 발명에 따르면 기판 가공 공정을 실질적으로 연속되게 그리고 정확하게 수행할 수 있다. 따라서 생산수율을 극대화할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 장치의 생산단가를 크게 절감할 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 관점들에 따른 기판 가공 장치의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 기판 가공 장치(100)는 프로세스 챔버(110), 제1 로드락 챔버(120), 제2 로드락 챔버(125), 제1 로딩 스테이지(130), 제2 로딩 스테이지(135), 제1 이송암(140), 제2 이송암(145), 제1 캐리어(150), 제2 캐리어(155), 얼라이너(160) 제1 언로딩 스테이지(170), 및 제2 언로딩 스테이지(175)를 포함한다.
프로세스 챔버(110)는 기판 가공 공정을 수행하기 위한 장치로서, 기판(W)을 가공하기 위한 공간을 한정하며, 내부에는 기판(W)을 지지하기 위한 척(112)이 배치된다. 프로세스 챔버(110) 내부에는 증착 공정, 식각 공정, 노광 공정, 에싱 공정, 이온 주입 공정, 베이크 공정 등과 같은 기판 가공 공정이 수행될 수 있다. 프로세스 챔버(110)에서 수행되는 기판 가공 공정은 로트 단위로 수행된다. 상기 로트 단위는 일 카세트에 수용되는 기판(W)의 개수를 의미한다. 일반적으로 일 로트는 기판(W) 25매이다. 프로세스 챔버(110)는 제1 로드락 챔버(120)를 통하여 기판(W)을 제공받는다.
제1 로드락 챔버(120)는 프로세스 챔버(110)의 일측에 설치되어 프로세스 챔버(110)에 투입될 기판이 대기되는 공간을 제공한다. 제1 로드락 챔버(120)는 제1 게이트(161)에 의하여 프로세스 챔버(110)와 선택적으로 연통된다. 제1 로드락 챔버(120) 내부에는 프로세스 챔버(110)에 기판(W)을 로딩하기 위한 제1 이송암(140)이 설치된다.
제1 이송암(140)은 제1 로딩 스테이지(130)에 배치된 카세트로부터 기판(W)을 인출하여 프로세스 챔버(110)에 기판(W)을 로딩한다. 제1 이송암(140)은 제2 게이트(162)에 의하여 제1 로드락 챔버(120) 내외부를 왕래하며 기판(W)을 이송한다. 보다 자세하게 설명하면, 기판(W)을 파지한 제1 이송암(140)은 제1 로드락 챔버 (120)로 귀환한다. 진공 펌프(115)에 의하여 제1 로드락 챔버(120) 내부가 진공으로 조성되면 제1 게이트(161)가 개방되고, 제1 이송암(140)은 프로세스 챔버(110) 내부로 기판(W)을 제공한다. 기판(W)은 프로세스 챔버(110) 내부에서 가공된다. 이 경우, 프로세스 챔버(110) 내부는 공정 정밀도를 향상시키기 위하여 진공 펌프(115)에 의하여 고진공 상태로 유지된다. 또한, 프로세스 챔버(110)는 낱장으로 기판(W)을 가공하는 매엽식 챔버일 수 있다. 기판 가공 장치(100)는 한개의 프로세스 챔버(110)를 포함할 수 있다.
제2 게이트(162)에 인접하게는 제1 로딩 스테이지(130)가 설치되고, 제2 게이트(162)와 제1 로딩 스테이지(130) 사이에는 얼라이너(160)가 설치된다.
우선 얼라이너(160)에 대하여 설명하면, 얼라이너(160)는 기판(W)을 정렬하기 위한 장치로서, 기판(W)이 제1 로딩 스테이지(130)로부터 제1 로드락 챔버(120)에 투입되기 전 단계에서 기판(W)을 정렬한다. 얼라이너(160)는 기판(W)에 형성된 플랫존(flat zone)을 기준으로 정렬할 수 있다.
이어서, 제1 로딩 스테이지(130)는 프로세스 챔버(110)에서 수행되는 기판 가공 공정에 투입될 기판(W)들이 수납된 카세트가 준비되는 장소로서, 제일 먼저 제1 카세트(181)가 배치된다. 제1 카세트(181)에는 프로세스 챔버(110)에서 가장 먼저 수행되는 제1 가공 공정에 투입될 기판(W)들이 수납된다.
제1 이송암(140)이 제1 카세트(181)로부터 기판(W)을 모두 인출하여 프로세스 챔버(110)에 로딩하면, 제1 로딩 스테이지(130)의 제1 카세트(181)는 제2 카세트(182)로 교체된다.
제2 카세트(182)에는 상기 제1 가공 공정에 연이어 프로세스 챔버(110)에서 수행되는 제2 가공 공정에 투입될 기판들이 수납된다. 제2 카세트(182)는 제1 로딩 스테이지(130)에 인접하게 설치된 제2 로딩 스테이지(135) 상에 배치된다.
제2 로딩 스테이지(135)는 프로세스 챔버(110)에서 연이어 수행되는 가공 공정에 투입될 기판(W)들이 수납된 카세트가 대기되는 장소로서, 제일 먼저 제2 카세트(182)가 배치된다. 제2 카세트(182)는 제1 캐리어(150)에 의하여 제1 로딩 스테이지(130) 상의 제1 카세트(181)와 교체된다.
제1 캐리어(150)는 제1 로딩 스테이지(130)에서 모든 기판(W)이 인출된 제1 카세트(181)를 로드 포트(190)로 이동시키고, 제2 로딩 스테이지(135)에서 대기 중인 제2 카세트(182)를 제1 로딩 스테이지(130)로 이동시킨다. 즉, 제1 캐리어(150)는 제1 카세트(181)로부터 마지막 기판(W)이 인출된 직후, 제1 카세트(181)를 제2 카세트(182)로 교체하여 프로세스 챔버(110)에 기판(W)이 실질적으로 연속적으로 공급될 수 있도록 한다. 이 경우, 제1 캐리어(150)는 제1 로딩 스테이지(130)와 제2 로딩 스테이지(135) 사이에 설치된 제1 레일(185)을 따라 이동할 수 있다.
이후, 제2 가공 공정에 연이어 프로세스 챔버(110)에서 수행되는 제3 가공 공정에 투입될 기판들이 수납된 후속 카세트(도시되지 않음)가 로드 포트(190)로 배치되면, 제1 캐리어(150)는 상기 후속 카세트를 제2 로딩 스테이지(135)로 이동시킨다. 이와 같은 원리로 프로세스 챔버(110)에는 기판(W)이 실질적으로 연속적으로 공급된다.
프로세스 챔버(110)에서는 고진공 상태의 분위기 하에서 기판(W)에 대한 제1 가공 공정이 수행된다. 제1 가공 공정 중 프로세스 챔버(110)의 양측에 설치된 제1 및 제2 게이트들(161,163)을 폐쇄된다. 프로세스 챔버(110)에서 제1 가공 공정이 완료된 기판들(W)은 제2 로드락 챔버(125)를 통하여 제1 언로딩 스테이지(170)로 반출된다.
제2 로드락 챔버(125)는 프로세스 챔버(110)의 타측에 설치되어 프로세스 챔버(110)로부터 언로딩된 기판이 대기되는 공간을 제공한다. 제2 로드락 챔버(125)는 제3 게이트(163)에 의하여 프로세스 챔버(110)와 선택적으로 연통된다. 제2 로드락 챔버(125) 내부에는 프로세스 챔버(110)로부터 기판(W)을 언로딩하기 위한 제2 이송암(145)이 설치된다.
제2 이송암(145)은 프로세스 챔버(110)로부터 기판(W)을 인출하여 제1 언로딩 스테이지(170)에 배치된 카세트에 수납한다. 제2 이송암(145)은 제4 게이트(164)에 의하여 제2 로드락 챔버(125) 내외부를 왕래하며 기판(W)을 이송한다. 보다 자세하게 설명하면, 프로세스 챔버(110)에서 일 기판(W)에 대한 가공이 완료되면, 제2 이송암(145)은 프로세스 챔버(110) 내부의 기판(W)을 반출하기 위하여 제3 게이트(163)를 통해 프로세스 챔버(110) 내부로 들어간다. 기판(W)을 파지한 제2 이송암(145)은 제2 로드락 챔버(125)로 귀환한다. 이 경우, 제2 로드락 챔버(125) 내부는 진공 상태이다. 제2 로드락 챔버(125) 내부는 진공 펌프(115)에 의하여 진공 분위기가 조성된다.
제4 게이트(164)가 개방되면, 제2 이송암(145)은 기판(W)을 제1 언로딩 스테이지(170) 상의 제3 카세트(183)에 수납한다. 제1 언로딩 스테이지(170)는 제4 게 이트(164)에 인접하게 설치된다.
제1 언로딩 스테이지(170)는 프로세스 챔버(110)에서 수행되는 기판 가공 공정이 완료된 기판(W)들을 수납하기 위한 카세트가 준비되는 장소로서, 제일 먼저 제3 카세트(183)가 배치된다. 제3 카세트(181)에는 프로세스 챔버(110)에서 가장 먼저 수행된 제1 가공 공정이 완료된 기판(W)들이 수납된다.
제2 이송암(145)이 프로세스 챔버(110)로부터 기판(W)을 모두 인출하여 제3 카세트(181)에 수납하면, 제1 언로딩 스테이지(170)의 제3 카세트(183)는 제4 카세트(184)로 교체된다.
제4 카세트(184)는 상기 제1 가공 공정에 연이어 프로세스 챔버(110)에서 수행되는 제2 가공 공정이 완료된 기판들을 수납 대기한다. 제4 카세트(184)는 제1 언로딩 스테이지(170)에 인접하게 설치된 제2 언로딩 스테이지(175) 상에 배치된다.
제2 언로딩 스테이지(175)는 프로세스 챔버(110)에서 연이어 수행되는 가공 공정에 투입될 기판(W)들이 수납된 카세트가 대기되는 장소로서, 제일 먼저 제4 카세트(184)가 배치된다. 제4 카세트(182)는 제2 캐리어(155)에 의하여 제1 언로딩 스테이지(170) 상의 제3 카세트(183)와 교체된다.
제2 캐리어(150)는 제1 언로딩 스테이지(170)에서 기판(W) 수납이 완료된 제3 카세트(183)를 언로드 포트(195)로 이동시키고, 제2 언로딩 스테이지(175)에서 대기 중인 제4 카세트(184)를 제1 언로딩 스테이지(170)로 이동시킨다. 즉, 제2 캐리어(155)는 제3 카세트(183)에 마지막 기판(W)이 수납된 직후, 제3 카세트(183)를 제4 카세트(184)로 교체하여 프로세스 챔버(110)로부터 기판(W)의 언로딩이 실질적으로 연속적으로 수행될 수 있도록 한다. 이 경우, 제2 캐리어(155)는 제1 언로딩 스테이지(170)와 제2 언로딩 스테이지(175) 사이에 설치된 제2 레일(186)을 따라 이동할 수 있다.
이후, 제2 가공 공정에 연이어 프로세스 챔버(110)에서 수행되는 제3 가공을 완료 후 언로딩되는 기판들을 수납하기 위한 후속 카세트(도시되지 않음)가 언로드 포트(195)로 배치되면, 제2 캐리어(155)는 상기 후속 카세트를 제2 언로딩 스테이지(175)로 이동시킨다. 이와 같은 원리로 프로세스 챔버(110)로부터 기판(W)이 실질적으로 연속적으로 언로딩된다.
전술한 바와 같은 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버(110)에 기판(W)을 실질적으로 연속되게 로딩할 수 있고, 프로세스 챔버(110)로부터 기판(W)을 실질적으로 연속되게 언로딩할 수 있어, 생산수율을 극대화할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 장치의 생산단가를 크게 절감할 수 있다. 또한 기판 및 카세트를 미리 준비해둠으로써, 작업자의 실수로 인한 공정 사고도 효과적으로 예방할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판 가공 공정을 실질적으로 연속되게 그리고 정확하게 수행할 수 있다. 생산수율을 극대화할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 장치의 생산단가를 크게 절감할 수 있다. 또한 작업자의 실수로 인한 공정 사고도 효과적으로 예방할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (7)
- 기판 가공 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버;상기 프로세스 챔버에서 수행되는 제1 가공 공정에 투입될 기판들이 수납된 제1 카세트가 배치되는 제1 로딩 스테이지;상기 제1 카세트로부터 기판들을 인출하여 상기 프로세스 챔버에 로딩하는 이송암;상기 제1 가공 공정에 연이어 상기 프로세스 챔버에서 수행되는 제2 가공 공정에 투입될 기판들이 수납된 제2 카세트가 배치되는 제2 로딩 스테이지; 및상기 제1 로딩 스테이지에 상기 제1 카세트를 상기 제2 카세트로 교체 배치하기 위한 캐리어를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 이송암이 설치되며, 상기 제1 로딩 스테이지로부터 상기 프로세스 챔버에 투입될 기판이 대기되는 로드락 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 로딩 스테이지와 상기 제2 로딩 스테이지 사이에는 레일이 더 설치되며, 상기 캐리어는 상기 레일을 따라 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 가공 공정이 완료된 기판들을 수납하기 위한 제3 카세트가 배치되는 제1 언로딩 스테이지;상기 프로세스 챔버로부터 기판들을 인출하여 상기 제3 카세트에 수납하는 제2 이송암;상기 제2 가공 공정이 완료된 기판들을 수납하기 위한 제4 카세트가 배치되는 제2 언로딩 스테이지; 및상기 제1 언로딩 스테이지에 상기 제3 카세트를 상기 제4 카세트로 교체 배치하기 위한 제2 캐리어를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제2 이송암이 설치되며, 상기 프로세스 챔버로부터 상기 제1 언로딩 스테이지로 이송될 기판이 대기되는 로드락 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제1 언로딩 스테이지와 상기 제2 언로딩 스테이지 사이에는 레일이 더 설치되며, 상기 제2 캐리어는 상기 레일을 따라 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 로딩 스테이지와 상기 제1 로딩 스테이지 사이에 설치되어 상기 제1 로딩 스테이지로부터 상기 프로세스 챔버에 투입될 기판을 정렬하는 얼라이너를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050067221A KR20070012952A (ko) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | 기판 가공 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050067221A KR20070012952A (ko) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | 기판 가공 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070012952A true KR20070012952A (ko) | 2007-01-30 |
Family
ID=38012855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050067221A KR20070012952A (ko) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | 기판 가공 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070012952A (ko) |
-
2005
- 2005-07-25 KR KR1020050067221A patent/KR20070012952A/ko not_active Application Discontinuation
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