KR20070007895A - Radiation-sensitive resin composition, spacer, and method of forming the same - Google Patents

Radiation-sensitive resin composition, spacer, and method of forming the same Download PDF

Info

Publication number
KR20070007895A
KR20070007895A KR1020067023101A KR20067023101A KR20070007895A KR 20070007895 A KR20070007895 A KR 20070007895A KR 1020067023101 A KR1020067023101 A KR 1020067023101A KR 20067023101 A KR20067023101 A KR 20067023101A KR 20070007895 A KR20070007895 A KR 20070007895A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
radiation
resin composition
copolymer
ether
Prior art date
Application number
KR1020067023101A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101084384B1 (en
Inventor
도루 가지따
다이고 이찌노헤
히로시 시호
Original Assignee
제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이에스알 가부시끼가이샤 filed Critical 제이에스알 가부시끼가이샤
Publication of KR20070007895A publication Critical patent/KR20070007895A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101084384B1 publication Critical patent/KR101084384B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/32Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
    • C08F220/325Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals containing glycidyl radical, e.g. glycidyl (meth)acrylate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain

Abstract

A radiation-sensitive resin composition which has high sensitivity and high resolution, can readily form a patterned thin film excellent in various performances including pattern shape, compression strength, rubbing resistance, and adhesion to transparent substrates, and is inhibited from emitting sublimates upon burning; a spacer formed from the composition; and a method of forming the spacer. The radiation-sensitive resin composition is characterized by comprising (A) a polymer which has carboxy and epoxy groups and in which the ratio of the weight-average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene to the number-average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene both measured by gel permeation chromatography, (Mw/Mn), is 1. 7 or lower, (B) a polymerizable unsaturated compound, and (C) a radiation- sensitive polymerization initiator. ® KIPO & WIPO 2007

Description

감방사선성 수지 조성물, 스페이서 및 그의 형성 방법 {RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, SPACER, AND METHOD OF FORMING THE SAME}Radiation-sensitive resin composition, spacer and formation method thereof {RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, SPACER, AND METHOD OF FORMING THE SAME}

본 발명은 감방사선성 수지 조성물, 스페이서 및 그의 형성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a radiation sensitive resin composition, a spacer and a method for forming the same.

액정 표시 소자에는, 종래부터 2매의 투명 기판간의 간격을 일정하게 유지하기 위해, 소정의 입경을 갖는 유리 비드 및 플라스틱 비드 등의 스페이서 입자가 사용되고 있지만, 이들 스페이서 입자는 유리 기판 등의 투명 기판 위에 불규칙하게 산포되기 때문에, 화소 형성 영역에 스페이서 입자가 존재하면 스페이서 입자가 찍혀 들어가는 현상이 발생하거나 입사광이 산란을 받아 액정 표시 소자의 콘트라스트가 저하된다는 문제점이 있었다. Conventionally, in the liquid crystal display element, spacer particles such as glass beads and plastic beads having a predetermined particle diameter are used in order to maintain a constant gap between two transparent substrates, but these spacer particles are placed on a transparent substrate such as a glass substrate. Since irregularly dispersed, when the spacer particles are present in the pixel formation region, there is a problem that the spacer particles are taken out or incident light is scattered and the contrast of the liquid crystal display element is lowered.

따라서, 이들의 문제점을 해결하기 위해, 스페이서를 포토 리소그래피에 의해 형성하는 방법이 이용되고 있다. 이 방법은 감방사선성 수지 조성물을 기판 위에 도포하고, 소정의 마스크를 통해 자외선을 노광한 후 현상하여, 도트상 또는 스트라이프상의 스페이서를 형성하는 것이며, 화소 형성 영역 이외의 소정의 장소에만 스페이서를 형성할 수 있기 때문에, 상술한 바와 같은 문제점은 기본적으로 해결된다. Therefore, in order to solve these problems, the method of forming a spacer by photolithography is used. In this method, a radiation-sensitive resin composition is applied onto a substrate, and then exposed to ultraviolet rays through a predetermined mask, followed by development to form spacers in the shape of dots or stripes, and the spacers are formed only at predetermined places other than the pixel formation region. Since it can be done, the above-mentioned problem is basically solved.

그런데, 포토 리소그래피에서의 광원으로서 사용되는 수은 램프로부터의 방사선은, 통상적으로 436 ㎚ 부근(g선), 404 ㎚ 부근(h선), 365 ㎚ 부근(i선), 335 ㎚ 부근, 315 ㎚ 부근(j선) 및 303 ㎚ 부근 등에서 강도가 강한 스펙트럼을 나타내기 때문에, 감방사선성 수지 조성물의 구성 성분인 감방사선성 중합 개시제로서는, 이들의 강도가 강한 스펙트럼의 파장 영역에서 최대 흡수 파장을 갖는 것을 선택하여 사용하는 것이 보통이며, 대부분의 경우, 투명성의 관점에서 파장이 i선 이하의 영역에서 최대 흡수 파장을 갖는 감방사선성 중합 개시제가 사용되고 있다(일본 특허 공개 제2001-261761호 공보 참조). 파장이 i선보다 긴 g선 및 h선 부근에서 최대 흡수 파장을 갖는 감방사선성 중합 개시제를 사용하면, 이 감방사선성 중합 개시제는 가시광선에 가까운 파장 영역에서 흡수할 수 있기 때문에, 그것을 함유하는 감방사선성 수지 조성물이 착색되어, 형성된 피막의 투명성이 저하된다. 피막의 투명성이 낮으면, 노광시에 막 표면에서 경화 반응이 진행되어 피막의 깊이 방향에 대한 경화 반응이 불충분해지며, 그 결과 현상 후에 얻어지는 스페이서의 형상이 역테이퍼(단면 형상으로서 막 표면의 변이 기판측의 변보다 긴 역삼각형상)가 되기 때문에, 이후의 배향막의 러빙 (rubbing) 처리시에 스페이서가 박리되는 원인이 된다. By the way, the radiation from a mercury lamp used as a light source in photolithography is usually near 436 nm (g line), near 404 nm (h line), around 365 nm (i line), near 335 nm, and near 315 nm. Since the intensity | strength strong spectrum is shown in (j line | wire), 303 nm vicinity, etc., as a radiation sensitive polymerization initiator which is a structural component of a radiation sensitive resin composition, what has the largest absorption wavelength in the wavelength range of these intensity | strength strong spectrums It is common to select and use, and in most cases, the radiation sensitive polymerization initiator which has the maximum absorption wavelength in the area | region below i line | wire from a viewpoint of transparency is used (refer Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-261761). When a radiation sensitive polymerization initiator having a maximum absorption wavelength in the vicinity of g- and h-rays whose wavelength is longer than i-rays is used, the radiation-sensitive polymerization initiator can absorb in a wavelength range close to visible light, and therefore The radiation resin composition is colored, and transparency of the formed film falls. When the transparency of the film is low, the curing reaction proceeds on the surface of the film at the time of exposure, and the curing reaction in the depth direction of the film is insufficient. As a result, the shape of the spacer obtained after development is reverse tapered (cross-sectional shape as a cross-sectional shape). Since an inverted triangle is longer than the side of the substrate side, the spacer may be peeled off during the subsequent rubbing treatment of the alignment film.

그러나, 일본 특허 공개 제2001-261761호 공보에 기재된 것도 포함시켜, 종래의 감방사선성 수지 조성물은 스페이서를 형성하기 위한 소성시에 발생하는 승화물이 공정 라인 또는 장치를 오염시킬 염려가 있기 때문에, 발생하는 승화물이 감소된 감방사선성 수지 조성물이 요망되고 있다. However, including the one disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-261761, the conventional radiation-sensitive resin composition may cause contamination of the process line or apparatus due to the sublimation generated during firing for forming the spacer. There is a desire for a radiation sensitive resin composition having reduced sublimation generated.

본 발명은 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것이다. 그 때문에, 본 발명의 목적은 고감도 및 고해상도이고, 한편 패턴 형상, 압축 강도, 러빙 내성 및 투명 기판과의 밀착성 등 여러 가지 성능이 우수한 패턴상 박막을 용이하게 형성할 수 있으며, 소성시의 승화물의 발생이 억제된 감방사선성 수지 조성물, 그로부터 형성된 스페이서 및 그의 형성 방법을 제공하는 것에 있다. This invention is made | formed based on the above circumstances. Therefore, the object of the present invention is high sensitivity and high resolution, while it is possible to easily form a patterned thin film excellent in various performances such as pattern shape, compressive strength, rubbing resistance and adhesion to a transparent substrate, It is providing the radiation sensitive resin composition in which generation | occurrence | production was suppressed, the spacer formed therefrom, and its formation method.

본 발명의 상기 목적은 첫 번째로, The above object of the present invention firstly,

(A) 카르복실기 및 에폭시기를 가지며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)과 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하인 중합체, (B) 중합성 불포화 화합물 및 (C) 감방사선성 중합 개시제(A) A polymer which has a carboxyl group and an epoxy group, and ratio (Mw / Mn) of the polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) and the polystyrene reduced number average molecular weight (Mn) measured by gel permeation chromatography is 1.7 or less, (B) polymerizability Unsaturated compound and (C) radiation sensitive polymerization initiator

를 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물에 의해 달성된다. It is achieved by the radiation sensitive resin composition characterized by containing.

본 발명에서 말하는 "방사선"이란, 자외선, 원자외선, X선, 전자선, 분자선, γ선, 싱크로트론 방사선 및 양성자빔선 등을 포함하는 것을 의미한다. The term "radiation" in the present invention means ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X rays, electron beams, molecular rays, gamma rays, synchrotron radiation, and proton beam rays.

본 발명의 상기 목적은 두 번째로,The above object of the present invention is second,

(1) 상기 감방사선성 수지 조성물의 도막을 기판 위에 형성하는 공정, (1) forming a coating film of the radiation-sensitive resin composition on a substrate;

(2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, (2) irradiating at least a part of the coating film with radiation;

(3) 현상 공정, 및(3) developing process, and

(4) 가열 공정(4) heating process

을 상기 기재된 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 스페이서의 형성 방법에 의해 달성된다Is achieved by the method of forming a spacer, which is carried out in the order described above.

본 발명의 상기 목적은 세 번째로, 상기 방법에 의해 형성된 스페이서에 의해 달성된다. The above object of the present invention is thirdly achieved by a spacer formed by the method.

도 1은 스페이서의 단면 형상을 예시하는 모식도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a cross-sectional shape of a spacer.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention

감방사선성Radiation 수지 조성물 Resin composition

이하, 본 발명의 감방사선성 수지 조성물의 각 성분에 대하여 상술한다. Hereinafter, each component of the radiation sensitive resin composition of this invention is explained in full detail.

공중합체 (A)Copolymer (A)

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서의 공중합체 (A)는, 바람직하게는 (a1) 불포화 카르복실산 및/또는 불포화 카르복실산 무수물(이하, 이들을 통합하여 "화합물 (a1)"이라고 함), (a2)에폭시기 함유 불포화 화합물(이하, "화합물 (a2)"라고 함) 및 (a3) 기타 불포화 화합물(이하, "화합물 (a3)"이라고 함)을 함유하는 중합성 혼합물을 리빙 라디칼 (living radical) 중합시켜 유리하게 얻어진다. The copolymer (A) in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably (a1) unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride (hereinafter collectively referred to as "compound (a1)") (a2) living radicals containing a polymerizable mixture containing an epoxy group-containing unsaturated compound (hereinafter referred to as "compound (a2)") and (a3) other unsaturated compound (hereinafter referred to as "compound (a3)") radical) polymerization to obtain advantageously.

예를 들면, 공중합체 (A)는 화합물 (a1), 화합물 (a2) 및 화합물 (a3)을 함유하는 중합성 혼합물을 용매 중 중합 개시제의 존재하에 리빙 라디칼 중합함으로써 제조할 수 있다. For example, copolymer (A) can be produced by living radical polymerization of a polymerizable mixture containing compound (a1), compound (a2) and compound (a3) in the presence of a polymerization initiator in a solvent.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체 (A)가 갖는 카르복실기 및 에폭시기는 각각 화합물 (a1) 및 화합물 (a2)에서 유래한다. The carboxyl group and epoxy group which the copolymer (A) thus obtained have are derived from the compound (a1) and the compound (a2), respectively.

리빙 라디칼 중합의 개시제계로서는, 예를 들면 조지 (Georges) 등에 의해 발견된 템포 (TEMPO)계, 마티야제위스키 (Matyjaszewski) 등에 의해 제안되어 있는 브롬화 구리, 브롬 함유 에스테르 화합물의 조합으로 구성되는 개시제계, 히가시무라 (Higashimura) 등에 의해 제안되어 있는 사염화탄소와 루테늄(II) 착체의 조합으로 구성되는 개시제계, 일본 특허 공표 제2000-515181호 공보, 일본 특허 공표 제2002-500251호 공보 및 일본 특허 공표 제2004-518773호 공보에 기재된 티오카르보닐티오 화합물과 라디칼 개시제의 조합 등이 바람직하게 사용된다. As an initiator system of living radical polymerization, for example, an initiator system composed of a combination of a copper bromide and a bromine-containing ester compound proposed by TEMPO system, Matyjaszewski, etc. found by George et al. , An initiator system composed of a combination of carbon tetrachloride and ruthenium (II) complexes proposed by Higashimura et al., Japanese Patent Publication No. 2000-515181, Japanese Patent Publication No. 2002-500251 and Japanese Patent Publication Combinations of thiocarbonylthio compounds and radical initiators described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-518773 are preferably used.

본 발명의 중합체 (A)를 얻기 위한 바람직한 리빙 중합 개시제계로서는, 사용되는 단량체 종류에 따라 성장 말단이 실활(失活)되지 않는 계가 적절하게 선택되지만, 중합 효율 등으로부터 고려하면, 바람직하게는 티오카르보닐티오 화합물과 라디칼 개시제의 조합이다. 여기서, 티오카르보닐티오 화합물로서는 예를 들면 디티오에스테르류, 디티오카르보네이트류, 트리티오카르보네이트류 및 크산테이트류 등을 들 수 있다. As a preferable living polymerization initiator system for obtaining the polymer (A) of the present invention, a system in which the growth terminal is not deactivated is appropriately selected depending on the type of monomer used, but in view of polymerization efficiency or the like, preferably It is a combination of a carbonylthio compound and a radical initiator. Here, as a thiocarbonylthio compound, dithio ester, dithiocarbonate, trithiocarbonate, xanthate, etc. are mentioned, for example.

그의 구체예로서는, 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. As the specific example, the compound represented by a following formula is mentioned.

Figure 112006080652887-PCT00001
Figure 112006080652887-PCT00001

Figure 112006080652887-PCT00002
Figure 112006080652887-PCT00002

Figure 112006080652887-PCT00003
Figure 112006080652887-PCT00003

이들 중에서 쿠밀디티오벤조에이트, S-시아노메틸-S-도데실트리티오카르보네이트, 피라졸-1-디티오카르복실산페닐-메틸에스테르, 하기 합성예 5에서 사용되는 디티오에스테르 및 하기 합성예 6에서 사용되는 크산테이트를 들 수 있다. Of these, cumyldithiobenzoate, S-cyanomethyl-S-dodecyltrithiocarbonate, pyrazole-1-dithiocarboxylic acid phenyl-methyl ester, dithio ester used in Synthesis Example 5 below and the following The xanthate used by the synthesis example 6 is mentioned.

또한, 라디칼 개시제로서는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴) 및 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물; 벤조일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시피발레이트 및 1,1'-비스-(t-부틸퍼옥시)시클로헥산 등의 유기 과산화물; 과산화수소; 이들의 과산화물과 환원제를 포함하는 산화 환원형 개시제 등을 예로 들 수 있다. Moreover, as a radical initiator, what is generally known as a radical polymerization initiator can be used, For example, 2,2'- azobisisobutyronitrile, 2,2'- azobis- (2, 4- dimethylvalero Azo compounds such as nitrile) and 2,2'-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile); Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxy pivalate and 1,1'-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; Hydrogen peroxide; Examples thereof include redox initiators containing these peroxides and reducing agents.

이들의 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. These polymerization initiators can be used individually or in mixture of 2 or more types.

상기 티오카르보닐티오 화합물의 사용량은, 중합 개시제 100 중량부 당 바람직하게는 1 내지 10,000 중량부, 더욱 바람직하게는 10 내지 1,000 중량부이다. 또한, 라디칼 중합 개시제의 사용량은, 에폭시기 함유 중합성 불포화 화합물을 함유하는 단량체 혼합물 100 중량부 당 바람직하게는 0.01 내지 100 중량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부이다. 상기 리빙 라디칼 중합시의 중합 온도는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 0 ℃ 내지 100 ℃, 더욱 바람직하게는 10 ℃ 내지 85 ℃이다. The amount of the thiocarbonylthio compound to be used is preferably 1 to 10,000 parts by weight, more preferably 10 to 1,000 parts by weight per 100 parts by weight of the polymerization initiator. The amount of the radical polymerization initiator used is preferably 0.01 to 100 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the monomer mixture containing the epoxy group-containing polymerizable unsaturated compound. Although the polymerization temperature at the time of the said living radical polymerization is not restrict | limited, Preferably it is 0 degreeC-100 degreeC, More preferably, it is 10 degreeC-85 degreeC.

개시제계에 따라서는, 중합 개시제가 실활하지 않도록 화합물 (a1)의 카르복실기를 적절한 보호기에 의해 보호한 에스테르 화합물 (a1')를 사용하여 중합한 후, 탈보호함으로써 공중합체 (A)를 얻을 수도 있다. Depending on the initiator system, the copolymer (A) may be obtained by polymerizing with an ester compound (a1 ') in which the carboxyl group of the compound (a1) is protected with an appropriate protecting group so as not to deactivate the polymerization initiator. .

화합물 (a1)로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 헥사히드로프탈산모노(2-아크릴로일옥시에틸) 및 헥사히드로프탈산모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등의 모노카르복실산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산 및 이타콘산 등의 디카르복실산; 이들의 디카르복실산의 무수물류를 들 수 있다. Examples of the compound (a1) include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, mono succinate (2-acryloyloxyethyl), mono succinate (2-methacryloyloxyethyl), and hexahydrophthalic acid (2- Monocarboxylic acids such as acryloyloxyethyl) and hexahydrophthalic acid mono (2-methacryloyloxyethyl); Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid; And anhydrides of these dicarboxylic acids.

이들의 화합물 (a1) 중, 아크릴산, 메타크릴산 및 무수 말레산 등이 공중합 반응성 및 입수가 용이하다는 점에서 바람직하다. Among these compounds (a1), acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride, and the like are preferable in terms of copolymerization reactivity and availability.

상기 화합물 (a1)은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다 The said compound (a1) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

공중합체 (A)에서 화합물 (a1)로부터 유도되는 구성 단위의 함유율은, 바람직하게는 5 내지 50 중량%, 특히 바람직하게는 10 내지 40 중량%이다. 이 경우, 상기 구성 단위의 함유율이 5 중량% 미만이면 얻어지는 스페이서의 압축 강도, 내열성 또는 내약품성이 저하되는 경향이 있으며, 한편 50 중량%를 초과하면 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하될 우려가 있다. The content of the structural units derived from the compound (a1) in the copolymer (A) is preferably 5 to 50% by weight, particularly preferably 10 to 40% by weight. In this case, when the content rate of the structural unit is less than 5% by weight, the compressive strength, heat resistance or chemical resistance of the spacer obtained tends to decrease, whereas when it exceeds 50% by weight, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition may be lowered. There is.

또한, 화합물 (a2)로서는 예를 들면 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시부틸, 메타크릴산 3,4-에폭시부틸, α-에틸아크릴산 3,4-에폭시부틸, 아크릴산 6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산 6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산 6,7-에폭시헵틸, 아크릴산 β-메틸글리시딜, 메타크릴산 β-메틸글리시딜, 아크릴산 β-에틸글리시딜, 메타크릴산 β-에틸글리시딜, 아크릴산 β-n-프로필글리시딜, 메타크릴산 β-n-프로필글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실 및 메타크릴 산 3,4-에폭시시클로헥실 등의 카르복실산에스테르; o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르 및 p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 에테르류 등을 들 수 있다. As the compound (a2), for example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, α-ethyl acrylate glycidyl, α-n-propyl acrylate glycidyl, α-n-butyl acrylate glycidyl, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, α-ethyl acrylate 3,4-epoxybutyl acrylate, 6,7-epoxyheptyl acrylate, 6,7-epoxyheptyl methacrylate, α-ethyl 6,7-epoxyheptyl acrylate, β-methylglycidyl acrylate, β-methylglycidyl methacrylate, β-ethylglycidyl acrylate, β-ethylglycidyl methacrylate, β-n-propyl acrylate Carboxylic acid esters such as glycidyl, methacrylic acid β-n-propylglycidyl, acrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl and methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl; ethers such as o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, and p-vinyl benzyl glycidyl ether.

이러한 화합물 (a2) 중, 메타크릴산글리시딜, 메타크릴산 6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실, 메타크릴산 β-메틸글리시딜, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르 및 p-비닐벤질글리시딜에테르 등이 공중합 반응성 및 얻어지는 스페이서의 강도를 높인다는 점에서 바람직하다. Of these compounds (a2), methacrylic acid glycidyl, methacrylic acid 6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl, methacrylic acid β-methylglycidyl, o-vinylbenzyl glycine Cydyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, and the like are preferred in terms of increasing the copolymerization reactivity and the strength of the spacer obtained.

상기 화합물 (a2)는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The said compound (a2) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

공중합체 (A)에서 화합물 (a2)로부터 유도되는 구성 단위의 함유율은 바람직하게는 10 내지 70 중량%, 특히 바람직하게는 20 내지 60 중량%이다. 이 경우, 상기 구성 단위의 함유율이 10 중량% 미만이면 얻어지는 스페이서의 압축 강도, 내열성 또는 내약품성이 저하되는 경향이 있으며, 한편 70 중량%를 초과하면 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하되는 경향이 있다. The content of the structural units derived from the compound (a2) in the copolymer (A) is preferably 10 to 70% by weight, particularly preferably 20 to 60% by weight. In this case, when the content rate of the structural unit is less than 10% by weight, the compressive strength, heat resistance or chemical resistance of the spacer obtained tends to decrease, whereas when it exceeds 70% by weight, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition tends to decrease. There is this.

또한, 화합물 (a3)으로서는 예를 들면 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, i-프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, i-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트 및 t-부틸아크릴레이트 등의 아크릴산알킬에스테르; 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-프로필메타크릴레이트, i-프로필메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, i-부틸메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트 및 t-부틸메타크릴레이트 등의 메타크릴산알킬에스테르; 시클로헥실아크릴레이 트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트(이하, "트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일"을 "디시클로펜타닐"이라고 함), 2-디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트 및 테트라히드로푸릴아크릴레이트 등의 아크릴산의 지환족 에스테르; 시클로헥실메타크릴레이트, 2-메틸시클로헥실메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 2-디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트 및 테트라히드로푸릴메타크릴레이트 등의 메타크릴산의 지환족 에스테르; 페닐아크릴레이트 및 벤질아크릴레이트 등의 아크릴산아릴에스테르; 페닐메타크릴레이트 및 벤질메타크릴레이트 등의 메타크릴산아릴에스테르; 말레산디에틸, 푸마르산디에틸 및 이타콘산디에틸 등의 디카르복실산디에스테르; 2-히드록시에틸아크릴레이트 및 2-히드록시프로필아크릴레이트 등의 아크릴산히드록시알킬에스테르; 2-히드록시에틸메타크릴레이트 및 2-히드록시프로필메타크릴레이트 등의 메타크릴산히드록시알킬에스테르; 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌 및 p-메톡시스티렌 등의 방향족 비닐 화합물 또는 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 아세트산비닐, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, N-시클로헥실말레이미드, N-페닐말레이미드, N-벤질말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트 및 N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다. As the compound (a3), for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, i-propyl acrylate, n-butyl acrylate, i-butyl acrylate, sec-butyl acrylate and t- Acrylic acid alkyl esters such as butyl acrylate; Methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-propyl methacrylate, i-propyl methacrylate, n-butyl methacrylate, i-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate and t-butyl methacrylate Methacrylic acid alkyl esters, such as a rate; Cyclohexylacrylate, 2-methylcyclohexylacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylacrylate (hereinafter referred to as “tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl Alicyclic esters of acrylic acid such as "dicyclopentanyl", 2-dicyclopentanyloxyethyl acrylate, isoboroyl acrylate and tetrahydrofuryl acrylate; Meta, such as cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, 2-dicyclopentanyloxyethyl methacrylate, isobornyl methacrylate and tetrahydrofuryl methacrylate Cycloaliphatic esters of methacrylic acid; Acrylic acid aryl esters such as phenyl acrylate and benzyl acrylate; Methacrylic acid aryl esters such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate; Dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate, diethyl fumarate and diethyl itaconic acid; Acrylic acid hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxypropyl acrylate; Methacrylic acid hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl methacrylate and 2-hydroxypropyl methacrylate; Aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene and p-methoxystyrene or acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide , Vinyl acetate, 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl-3 Maleimidebenzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide propionate and N- (9 -Acridinyl) maleimide, etc. are mentioned.

이러한 화합물 (a3) 중, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 스티렌, p-메톡시스티렌 및 1,3-부타디엔 등이 공중합 반응성의 면에서 바람직하다. Of these compounds (a3), 2-methylcyclohexyl acrylate, t-butyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, styrene, p-methoxy styrene, 1,3-butadiene, and the like are preferred in terms of copolymerization reactivity. Do.

상기 화합물 (a3)은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The said compound (a3) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

공중합체 (A)에서, 화합물 (a3)으로부터 유도되는 구성 단위의 함유율은 바람직하게는 10 내지 80 중량%, 특히 바람직하게는 20 내지 60 중량%이다. 이 경우, 상기 구성 단위의 함유율이 10 중량% 미만이면 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하될 우려가 있으며, 한편 80 중량%를 초과하면 현상성이 저하될 우려가 있다. In the copolymer (A), the content of the structural unit derived from the compound (a3) is preferably 10 to 80% by weight, particularly preferably 20 to 60% by weight. In this case, when the content rate of the said structural unit is less than 10 weight%, there exists a possibility that the storage stability of a radiation sensitive resin composition may fall, and when it exceeds 80 weight%, developability may fall.

본 발명에서 사용되는 공중합체 (A)는, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(이하, "Mw"라고 함)과 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량(이하, "Mn"이라고 함)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하이며, 바람직하게는 1.5 이하이다. Mw/Mn이 1.7을 초과하면 얻어지는 스페이서의 패턴 형상이 악화되는 경우가 있다. 또한, Mw는 바람직하게는 2×103 내지 1×105, 보다 바람직하게는 5×103 내지 5×104이다. Mw가 2×103 미만이면, 현상 마진이 충분해지지 않는 경우가 있으며, 얻어지는 피막의 잔막률 등이 저하되거나, 얻어지는 스페이서의 패턴 형상 및 내열성 등이 악화되는 경우가 있다. 한편, Mw가 1×105을 초과하면 감도가 저하되거나 패턴 형상이 악화되는 경우가 있다. 또한, Mn은 바람직하게는 1.2×103 내지 1×105이고, 보다 바람직하게는 2.9×103 내지 5×104이다. 상기 공중합체 (A)를 포함하는 감방사선성 수지 조성물은, 현상시에 현상 잔여물을 발생시키지 않고 용이하게 소정 패턴 형상을 형성할 수 있다. The copolymer (A) used in the present invention is a ratio of the polystyrene reduced weight average molecular weight (hereinafter referred to as "Mw") and the polystyrene reduced number average molecular weight (hereinafter referred to as "Mn") measured by gel permeation chromatography. (Mw / Mn) is 1.7 or less, Preferably it is 1.5 or less. When Mw / Mn exceeds 1.7, the pattern shape of the spacer obtained may deteriorate. In addition, Mw is preferably 2x10 3 to 1x10 5 , and more preferably 5x10 3 to 5x10 4 . When Mw is less than 2x10 <3> , image development margin may not become enough, the residual film ratio etc. of a film obtained may fall, or the pattern shape of a spacer obtained, heat resistance, etc. may deteriorate. On the other hand, when Mw exceeds 1 * 10 < 5 >, a sensitivity may fall or a pattern shape may deteriorate. Moreover, Mn becomes like this. Preferably it is 1.2 * 10 <3> -1 * 10 <5> , More preferably, it is 2.9 * 10 <3> -5 * 10 <4> . The radiation sensitive resin composition containing the said copolymer (A) can form a predetermined pattern shape easily, without developing developing residue at the time of image development.

또한, 본 발명에서 사용되는 공중합체 (A)의 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 잔류 단량체량은, 바람직하게는 5.0 % 미만, 보다 바람직하게는 3.0 % 미만, 특히 바람직하게는 2.0 % 미만이다. 이러한 잔류 단량체 함유량의 공중합체를 사용함으로써, 소성시의 승화물이 감소된 도막을 얻을 수 있다. Moreover, the residual monomer amount measured by the gel permeation chromatography of the copolymer (A) used in the present invention is preferably less than 5.0%, more preferably less than 3.0%, particularly preferably less than 2.0%. By using the copolymer of such residual monomer content, the coating film in which the sublimation at the time of baking is reduced can be obtained.

본 발명에서, 공중합체 (A)는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. In this invention, a copolymer (A) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

공중합체 (A)의 제조에 사용되는 용매로서는, 예를 들면 알코올, 에테르, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화수소, 케톤 및 에스테르 등을 들 수 있다. As a solvent used for manufacture of a copolymer (A), alcohol, ether, glycol ether, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol alkyl ether acetate, propylene glycol alkyl ether pro, for example Cypionate, aromatic hydrocarbons, ketones and esters;

이들의 구체예로서는 알코올로서, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올 및 3-페닐-1-프로판올 등; Specific examples of these alcohols include alcohols such as methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol, and the like;

에테르류로서, 예를 들면 테트라히드로푸란 등; As ethers, For example, tetrahydrofuran etc .;

글리콜에테르로서, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르 및 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등; As glycol ether, For example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, etc .;

에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트로서, 예를 들면 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 및 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등; As ethylene glycol alkyl ether acetate, For example, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, etc .;

디에틸렌글리콜로서, 예를 들면 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 및 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등; As diethylene glycol, For example, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, etc .;

프로필렌글리콜모노알킬에테르로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르 및 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등; As propylene glycol monoalkyl ether, For example, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, etc .;

프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트로서, 예를 들면 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜부틸에테르아세테이트 등; As propylene glycol alkyl ether propionate, For example, propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, propylene glycol butyl ether acetate, etc .;

프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트로서, 예를 들면 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트 및 프로필렌글리콜부틸에테르프로피오네이트 등; As propylene glycol alkyl ether acetate, For example, propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol propyl ether propionate, propylene glycol butyl ether propionate, etc .;

방향족 탄화수소로서, 예를 들면 톨루엔 및 크실렌 등; As an aromatic hydrocarbon, For example, toluene, xylene, etc .;

케톤으로서, 예를 들면 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 및 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논 등; As the ketone, for example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and the like;

에스테르로서, 예를 들면 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산메틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 히드록시아세트산메틸, 히드록시아세트산에틸, 히드록 시아세트산부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산프로필, 락트산부틸, 3-히드록시프로피온산메틸, 3-히드록시프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산프로필, 3-히드록시프로피온산부틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 메톡시아세트산메틸, 메톡시아세트산에틸, 메톡시아세트산프로필, 메톡시아세트산부틸, 에톡시아세트산메틸, 에톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산프로필, 에톡시아세트산부틸, 프로폭시아세트산메틸, 프로폭시아세트산에틸, 프로폭시아세트산프로필, 프로폭시아세트산부틸, 부톡시아세트산메틸, 부톡시아세트산에틸, 부톡시아세트산프로필, 부톡시아세트산부틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산프로필, 2-메톡시프로피온산부틸, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산프로필, 2-에톡시프로피온산부틸, 2-부톡시프로피온산메틸, 2-부톡시프로피온산에틸, 2-부톡시프로피온산프로필, 2-부톡시프로피온산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산프로필, 3-메톡시프로피온산부틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산프로필, 3-에톡시프로피온산부틸, 3-프로폭시프로피온산메틸, 3-프로폭시프로피온산에틸, 3-프로폭시프로피온산프로필, 3-프로폭시프로피온산부틸, 3-부톡시프로피온산메틸, 3-부톡시프로피온산에틸, 3-부톡시프로피온산프로필 및 3-부톡시프로피온산부틸 등의 에스테르를 각각 들 수 있다. Examples of the esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate and hydroxyacetic acid. Methyl, ethyl hydroxy acetate, butyl hydroxy acetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, 3-hydroxypropionate methyl, 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionate, 3-hydroxy Butyl oxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, methoxyacetic acid propyl, butyl acetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, ethoxyacetic acid propyl Butyl ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propyl propoxyacetate, butyl propoxyacetate, butoxyacetic acid Ethyl butoxy acetate, propyl butoxy acetate, butyl butoxy acetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate Ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, 3-methoxy methyl propionate, 3-methoxy ethylpropionate, 3-methoxy propylpropionate, 3-methoxy butyl propionate, 3-ethoxy propylpropionate, 3-ethoxy propylpropionate, 3-ethoxy propylpropionate, 3 Butyl ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, propyl 3-propoxypropionate, butyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, 3-butoxypropionic acid Butyl, can be given a 3-butoxy-propionic acid and 3-propyl-butoxy-propionic acid butyl ester, etc., respectively.

이들 중에서, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜모노알킬에테르 및 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트가 바람직하며, 이 중 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜메 틸에테르 및 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트가 특히 바람직하다. Among them, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol, propylene glycol monoalkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate are preferred, of which diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol methyl ether and propylene are preferred. Glycol methyl ether acetate is particularly preferred.

(B) 중합성 불포화 화합물(B) polymerizable unsaturated compound

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서의 중합성 불포화 화합물 (B)로서는, 2관능성 이상의 아크릴레이트 및 메타크릴레이트(이하, "(메트)아크릴레이트"라고 함)가 바람직하다. As a polymerizable unsaturated compound (B) in the radiation sensitive resin composition of this invention, the bifunctional or more acrylate and methacrylate (henceforth "(meth) acrylate") are preferable.

2관능성 (메트)아크릴레이트로서는 예를 들면 에틸렌글리콜아크릴레이트, 에틸렌글리콜메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 1,9-노난디올디아크릴레이트, 1,9-노난디올디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 및 비스페녹시에탄올플루오렌디메타크릴레이트 등을 들 수 있다. As the bifunctional (meth) acrylate, for example, ethylene glycol acrylate, ethylene glycol methacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, 1,9-nonanedi Aldiacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, polypropylene glycol diacrylate, polypropylene glycol dimethacrylate, bisphenoxyethanol Fluorene diacrylate, bisphenoxyethanol fluorene dimethacrylate, and the like.

또한, 2관능성 (메트)아크릴레이트의 시판품으로서는, 예를 들면 알로닉스 M-210, 동 M-240, 동 M-6200(이상, 도아 고세이(주) 제조), 카야라드(KAYARAD) HDDA, 카야라드 HX-220, 동 R-604, UX-2201, UX-2301, UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, MU-2100, MU-4001(이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), 비스코트 260, 동 312 및 동 335HP(이상, 오사까 유끼 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. In addition, as a commercial item of a bifunctional (meth) acrylate, For example, Alonics M-210, M-240, M-6200 (above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), Kayarad HDDA, Kayarard HX-220, East R-604, UX-2201, UX-2301, UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, MU-2100, MU-4001 (Above, Nippon Kayaku Co., Ltd. product), biscoat 260, copper 312, and copper 335HP (above, Osaka Kagaku Kogyo Co., Ltd. product) etc. are mentioned.

3관능성 이상의 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜 타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사메타크릴레이트, 트리(2-아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 트리(2-메타크릴로일옥시에틸)포스페이트 또는 9관능성 이상의 (메트)아크릴레이트로서, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 가지며, 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 가지며, 3개, 4개 또는 5개의 아크릴로일옥시기 및/또는 메타크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄아크릴레이트계 화합물 등을 들 수 있다. As (meth) acrylate more than trifunctional, for example, trimethylol propane triacrylate, trimethylol propane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate , Pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, tri (2-acrylo) Monooxyethyl) phosphate, tri (2-methacryloyloxyethyl) phosphate, or a (meth) acrylate having at least 9 functional groups, a compound having a linear alkylene group and an alicyclic structure and having two or more isocyanate groups; Having one or more hydroxyl groups in it, and three, four or five acryloyloxy groups and / or methacryl And urethane acrylate compounds obtained by reacting a compound having a royloxy group.

또한, 3관능성 이상의 (메트)아크릴레이트의 시판품으로서는, 예를 들면 알로닉스 M-309, 동-400, 동-402, 동-405, 동-450, 동-1310, 동-1600, 동-1960, 동-7100, 동-8030, 동-8060, 동-8100, 동-8530, 동-8560, 동-9050, 알로닉스 TO-1450(이상, 도아 고세이(주) 제조), 카야라드 TMPTA, 동 DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 MAX-3510(이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), 비스코트 295, 동 300, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사까 유끼 가가꾸 고교(주) 제조) 또는 우레탄아크릴레이트계 화합물로서, 뉴프론티어 R-1150(다이이찌 고교 세이야꾸(주) 제조) 및 카야라드 DPHA-40H(닛본 가야꾸(주) 제조) 등을 들 수 있다. Moreover, as a commercial item of the (meth) acrylate more than trifunctional, for example, Alonics M-309, copper-400, copper-402, copper-405, copper-450, copper-1310, copper-1600, copper- 1960, East-7100, East-8030, East-8060, East-8100, East-8530, East-8560, East-9050, Alonics TO-1450 (above, manufactured by Toa Kosei Co., Ltd.), Kayard TMPTA, Copper DPHA, Copper DPCA-20, Copper DPCA-30, Copper DPCA-60, Copper DPCA-120, Copper MAX-3510 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Biscot 295, Copper 300, Copper 360, Copper New frontier R-1150 (made by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) and Kayarrad DPHA-40H as GPT, copper 3PA, copper 400 (above, manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) or urethane acrylate compounds. Nippon Kayaku Co., Ltd. etc. are mentioned.

본 발명에서, 중합성 불포화 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. In this invention, a polymerizable unsaturated compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.

(C) 감방사선성 중합 개시제(C) radiation sensitive polymerization initiator

감방사선성 중합 개시제는 방사선에 감응하여, (B) 중합성 불포화 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분이다. A radiation sensitive polymerization initiator is a component which produces | generates the active species which can react with radiation and can start superposition | polymerization of (B) polymerizable unsaturated compound.

이러한 감방사선성 중합 개시제로서는, 예를 들면 감방사선 라디칼 중합 개시제가 바람직하다. As such a radiation sensitive polymerization initiator, a radiation sensitive radical polymerization initiator is preferable, for example.

상기 감방사선 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면 벤질 및 디아세틸 등의 α-디케톤; 벤조인 등의 아실로인; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르 및 벤조인이소프로필에테르 등의 아실로인에테르; 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 티옥산톤-4-술폰산, 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 및 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등의 벤조페논류; 아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, 4-(α,α'-디메톡시아세톡시)벤조페논, 2,2'-디메톡시-2-페닐아세토페논, p-메톡시아세토페논, 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸티오페닐)-1-프로파논 및 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 아세토페논류; 안트라퀴논 및 1,4-나프토퀴논 등의 퀴논; 페나실클로라이드, 트리브로모메틸페닐술폰 및 트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로겐 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥시드 및 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드 등의 아실포스핀옥시드; 디-t-부틸퍼옥시드 등의 과산화물 등을 들 수 있다. As said radiation sensitive radical polymerization initiator, For example, alpha-diketones, such as benzyl and diacetyl; Acyloins such as benzoin; Acyloin ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether; Thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, thioxanthone-4-sulfonic acid, benzophenone, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone and 4,4'-bis (diethylamino) benzo Benzophenones such as phenone; Acetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, 4- (α, α'-dimethoxyacetoxy) benzophenone, 2,2'-dimethoxy-2-phenylacetophenone, p-methoxyacetophenone, 2-methyl Aceto, such as 2-morpholino-1- (4-methylthiophenyl) -1-propanone and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one Phenones; Quinones such as anthraquinone and 1,4-naphthoquinone; Halogen compounds such as phenacyl chloride, tribromomethylphenyl sulfone, and tris (trichloromethyl) -s-triazine; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphineoxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphineoxide and bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylforce Acylphosphine oxides such as pinoxide; Peroxides, such as di-t- butyl peroxide, etc. are mentioned.

또한, 감방사선 라디칼 중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들면 이르가큐어(IRGACURE)-124, 동-149, 동-184, 동-369, 동-500, 동-651, 동-819, 동-907, 동-1000, 동-1700, 동-1800, 동-1850, 동-2959, 다로큐어(Darocur)-1116, 동-1173, 동 -1664, 동-2959, 동-4043(이상, 치바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬사 제조), 카야큐어(KAYACURE)-DETX, 동-MBP, 동-DMBI, 동-EPA, 동-OA(이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), 루시린(LUCIRIN) TPO(바스프(BASF)사 제조), 비큐어(VICURE)-10, 동-55(이상, 스타우페르(STAUFFER)사 제조), 트리고날프1(TRIGONALP1; 아크조(AKZO)사 제조), 산도레이(SANDORAY) 1000(산도즈(SANDOZ)사 제조), DEAP(아프존(APJOHN)사 제조), 퀀타큐어(QUANTACURE)-PDO, 동-ITX 및 동-EPD(이상, 와드 블레킨소프(WARD BLEKINSOP)사 제조) 등을 들 수 있다. In addition, as a commercial item of a radiation sensitive radical polymerization initiator, Irgacure (IRGACURE) -124, copper-149, copper-184, copper-369, copper-500, copper-651, copper-819, copper-907 , East-1000, East-1700, East-1800, East-1850, East-2959, Darocur-1116, East-1173, East-1664, East-2959, East-4043 (above, Chiba Specialty Tea) Chemical Co., Ltd., KAYACURE-DETX, Copper-MBP, Copper-DMBI, Copper-EPA, Copper-OA (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), LUCIRIN TPO (BASF) BASF Co., Ltd.), VICURE-10, copper-55 (above, STAUFFER Co., Ltd.), Trigonalp 1 (TRIGONALP1; manufactured by AKZO), SANDORAY 1000 (manufactured by Sandoz, Inc.), DEAP (manufactured by APJOHN), Quantacure (QUANTACURE) -PDO, copper-ITX and copper-EPD (above, manufactured by WARD BLEKINSOP) ), And the like.

이들의 감방사선 라디칼 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These radiation-sensitive radical polymerization initiators can be used individually or in mixture of 2 or more types.

또한, 상기 감방사선 라디칼 중합 개시제와 함께, 감방사선 증감제를 1종 이상 병용함으로써, 공기 중의 산소에 의한 실활이 적은 고감도의 감방사선성 수지 조성물을 얻는 것도 가능하다. Moreover, by using together a radiation sensitive sensitizer with 1 or more types together with the said radiation sensitive radical polymerization initiator, it is also possible to obtain the highly sensitive radiation sensitive resin composition with little inactivation by oxygen in air.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서의 각 성분의 사용량은, (B) 중합성 불포화 화합물이 공중합체 (A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 10 내지 150 중량부, 더욱 바람직하게는 20 내지 120 중량부이고, (C) 감방사선성 중합 개시제가 공중합체 (A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 40 중량부, 더욱 바람직하게는 3 내지 35 중량부이다. As for the usage-amount of each component in the radiation sensitive resin composition of this invention, (B) polymeric unsaturated compound becomes like this. Preferably it is 10-150 weight part with respect to 100 weight part of copolymers (A), More preferably, it is 20-120 It is a weight part and (C) radiation sensitive polymerization initiator becomes like this. Preferably it is 1-40 weight part, More preferably, it is 3-35 weight part with respect to 100 weight part of copolymers (A).

(B) 중합성 불포화 화합물의 사용량이 10 중량부 미만이면, 막 두께가 균일한 도막을 형성하는 것이 곤란해지는 경향이 있으며, 한편 150 중량부를 초과하면 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다. 또한, (C) 감방사선성 중합 개시제의 사용량이 1 중량부 미만이면, 내열성, 표면 경도 또는 내약품성이 저하되는 경향이 있으며, 한편 40 중량부를 초과하면 투명성이 저하되는 경향이 있다. When the usage-amount of (B) polymerizable unsaturated compound is less than 10 weight part, it will become difficult to form a coating film with a uniform film thickness, and when it exceeds 150 weight part, adhesiveness with a board | substrate will fall. Moreover, when the usage-amount of a (C) radiation sensitive polymerization initiator is less than 1 weight part, heat resistance, surface hardness, or chemical-resistance tends to fall, and when it exceeds 40 weight part, transparency tends to fall.

-임의 첨가제-Arbitrary Additives

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에는, 필요에 따라 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 상기 이외의 임의 첨가제, 예를 들면 접착 보조제, 계면활성제, 보존 안정제 및 내열성 향상제 등을 배합할 수 있다. The radiation sensitive resin composition of this invention can mix | blend arbitrary additives other than the above, for example, an adhesion | attachment adjuvant, surfactant, a storage stabilizer, a heat resistance improving agent, etc. in the range which does not impair the effect of this invention as needed.

상기 접착 보조제는 형성된 스페이서와 기판의 접착성을 향상시키기 위해 사용하는 성분이다. The adhesion assistant is a component used to improve adhesion between the formed spacer and the substrate.

이러한 접착 보조제로서는 카르복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기 및 에폭시기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하며, 그의 예로서는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 및 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. As such an adhesion | attachment adjuvant, the functional silane coupling agent which has reactive functional groups, such as a carboxyl group, a methacryloyl group, a vinyl group, an isocyanate group, and an epoxy group, is preferable, The trimethoxysilyl benzoic acid, (gamma) -methacryloxypropyl trimethoxy as an example thereof is preferable. Silane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltri Methoxysilane, etc. are mentioned.

이들의 접착 보조제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These adhesion aids can be used individually or in mixture of 2 or more types.

접착 보조제의 배합량은 공중합체 (A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 20 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 15 중량부 이하이다. 이 경우, 접착 보조제의 배합량이 20 중량부를 초과하면 현상 잔여물이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. The compounding quantity of an adhesion | attachment adjuvant becomes like this. Preferably it is 20 weight part or less, More preferably, it is 15 weight part or less with respect to 100 weight part of copolymers (A). In this case, when the compounding quantity of an adhesion | attachment adjuvant exceeds 20 weight part, there exists a tendency for image development residue to occur easily.

또한, 상기 계면활성제는 도포성을 향상시키기 위해 사용하는 성분이다. In addition, the said surfactant is a component used in order to improve applicability | paintability.

이러한 계면활성제로서는 예를 들면 불소계 계면활성제 및 실리콘계 계면활 성제 등이 바람직하다. As such a surfactant, a fluorine-type surfactant, a silicone type surfactant, etc. are preferable, for example.

상기 불소계 계면활성제로서는 말단, 주쇄 및 측쇄 중 1곳 이상의 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하며, 그의 예로서는 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸, 또는 플루오로알킬벤젠술폰산나트륨, 플루오로알킬인산나트륨, 플루오로알킬카르복실산나트륨, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오다이드, 플루오로알킬베타인, 기타 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕실레이트, 카르복실산플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다. As said fluorine-type surfactant, the compound which has a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in 1 or more site | part of a terminal, a main chain, and a side chain is preferable, The example is 1,1,2,2- tetrafluoro-n-octyl (1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1, 2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1, 2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycoldi (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, perfluoro-n-dodecanesulfonic acid Sodium, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluoro-n-dodecane Or sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkyl phosphate, sodium fluoroalkyl carboxylate, diglycerin tetrakis (fluoro Alkyl polyoxyethylene ether), fluoroalkyl ammonium iodide, fluoroalkyl betaine, other fluoroalkyl polyoxyethylene ether, perfluoroalkyl polyoxyethanol, perfluoroalkyl alkoxylate, fluoro carboxylic acid Low alkyl esters; and the like.

또한, 불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, 베엠 케미(BM CHEMIE)사 제조), 메가팩 F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이 닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조), 플로우라이드 FC-170C, 동-171, 동-430, 동-431(이상, 스미또모 쓰리엠(주) 제조), 서프론 S-112, 동-113, 동-131, 동-141, 동-145, 동-382, 서프론 SC-101, 동-102, 동-103, 동-104, 동-105, 동-106(이상, 아사히 글라스(주) 제조), 에프톱 EF301, 동 303, 동352(이상, 신아끼다 가세이(주) 제조), 프터젠트 FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, 프터젠트 FTX-218 및 동-251(이상, (주)네오스 제조) 등을 들 수 있다. Moreover, as a commercial item of a fluorine-type surfactant, BM-1000, BM-1100 (above, BM CHEMIE company make), Megapack F142D, copper F172, copper F173, copper F183, copper F178, copper F191 , F471, F476 (above, Dai Nippon Ink Chemical Co., Ltd.), Flowride FC-170C, Copper-171, Copper-430, Copper-431 (above, Sumitomo 3M Corporation), Supron S-112, East-113, East-131, East-141, East-145, East-382, Surflon SC-101, East-102, East-103, East-104, East-105, East- 106 (above, Asahi Glass Co., Ltd.), f-top EF301, east 303, east 352 (above, new care Kasei Co., Ltd. make), aftergent FT-100, east -110, east -140A, east -150 , Copper-250, copper-251, copper-300, copper-310, copper-400S, Pleasant FTX-218 and copper-251 (above, manufactured by Neos).

상기 실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면 도레이 실리콘 DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 도레이ㆍ다우코닝ㆍ실리콘(주) 제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460 및 TSF-4452(이상, GE 도시바 실리콘(주) 제조) 등의 상품명으로 시판되어 있는 것을 들 수 있다. As said silicone type surfactant, Toray silicon DC3PA, copper DC7PA, copper SH11PA, copper SH21PA, copper SH28PA, copper SH29PA, copper SH30PA, copper SH-190, copper SH-193, copper SZ-6032, copper SF-8428 , DC-57, DC-190 (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicon Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460 and TSF-4452 (more Commercially available, such as GE Toshiba Silicone Co., Ltd., may be mentioned.

또한, 상기 이외의 계면활성제로서 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르 및 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르; 폴리옥시에틸렌-n-옥틸페닐에테르 및 폴리옥시에틸렌-n-노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르; 폴리옥시에틸렌디라우레이트 및 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르 등의 비이온계 계면활성제 또는 오르가노실록산 중합체 KP341(신에쓰 가가꾸 고교(주) 제조), (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 N0.57 및 동 N0.95(이상, 교에샤 가가꾸(주) 제조) 등을 들 수 있다. Moreover, as surfactant other than the above, Polyoxyethylene alkyl ether, such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene-n-octylphenyl ether and polyoxyethylene-n-nonylphenyl ether; Nonionic surfactant or organosiloxane polymer KP341 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), such as polyoxyethylene dialkyl ester, such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate, (meth) acryl Acid copolymer polyflow N0.57 and copper N0.95 (above, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and the like.

이들의 계면활성제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These surfactant can be used individually or in mixture of 2 or more types.

계면활성제의 배합량은 공중합체 (A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 1.0 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 이하이다. 이 경우, 계면활성제의 배 합량이 1.0 중량부를 초과하면 막 불균일이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. The blending amount of the surfactant is preferably 1.0 part by weight or less, more preferably 0.5 part by weight or less based on 100 parts by weight of the copolymer (A). In this case, when the compounding quantity of surfactant exceeds 1.0 weight part, there exists a tendency for film nonuniformity to arise easily.

상기 보존 안정제로서는 예를 들면 황, 퀴논류, 히드로퀴논류, 폴리옥시 화합물, 아민류 및 니트로니트로소 화합물 등을 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 4-메톡시페놀 및 N-니트르소-N-페닐히드록실아민알루미늄 등을 들 수 있다. Examples of the storage stabilizer include sulfur, quinones, hydroquinones, polyoxy compounds, amines and nitronitroso compounds, and more specifically, 4-methoxyphenol and N-nitroso-N-phenylhydride. Axyl amine aluminum etc. are mentioned.

이러한 보존 안정제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These storage stabilizers can be used individually or in mixture of 2 or more types.

보존 안정제의 배합량은 공중합체 (A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 3.0 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 이하이다. 이 경우, 보존 안정제의 배합량이 3.0 중량부를 초과하면 감도가 저하되어 패턴 형상이 열화될 우려가 있다. The compounding quantity of a storage stabilizer becomes like this. Preferably it is 3.0 weight part or less, More preferably, it is 0.5 weight part or less with respect to 100 weight part of copolymers (A). In this case, when the compounding quantity of a storage stabilizer exceeds 3.0 weight part, there exists a possibility that a sensitivity may fall and a pattern shape may deteriorate.

또한, 상기 내열성 향상제로서는 예를 들면 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물, N-(알콕시메틸)멜라민 화합물 및 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. In addition, examples of the heat resistance improver include N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds, N- (alkoxymethyl) melamine compounds, compounds having two or more epoxy groups, and the like.

상기 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물로서는 예를 들면 N,N,N,N-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(에톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(n-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(i-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(n-부톡시메틸)글리콜우릴 및 N,N,N,N-테트라(t-부톡시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다. Examples of the N- (alkoxymethyl) glycoluril compound include N, N, N, N-tetra (methoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (ethoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (n-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (i-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (n-butoxy Methyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (t-butoxymethyl) glycoluril, and the like.

이러한 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물 중, N,N,N,N-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴이 바람직하다. Among these N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds, N, N, N, N-tetra (methoxymethyl) glycoluril is preferable.

상기 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물로서는 예를 들면 N,N,N,N,N,N-헥사(메톡 시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(에톡시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(n-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(i-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(n-부톡시메틸)멜라민 및 N,N,N,N,N,N-헥사(t-부톡시메틸)멜라민 등을 들 수 있다. Examples of the N- (alkoxymethyl) melamine compound include N, N, N, N, N, N-hexa (methoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (ethoxymethyl ) Melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (n-propoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (i-propoxymethyl) melamine, N, N And N, N, N, N-hexa (n-butoxymethyl) melamine and N, N, N, N, N, N-hexa (t-butoxymethyl) melamine and the like.

이러한 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물 중, N,N,N,N,N,N-헥사(메톡시메틸)멜라민이 바람직하며, 그의 시판품으로서는 예를 들면 니카락 N-2702 및 동 MW-30M(이상, 산와 케미컬(주) 제조) 등을 들 수 있다. Among these N- (alkoxymethyl) melamine compounds, N, N, N, N, N, N-hexa (methoxymethyl) melamine is preferable, and as commercially available products thereof, for example, Nicarac N-2702 and MW-30M (As above, Sanwa Chemical Co., Ltd. product) etc. are mentioned.

상기 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 트리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 디프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 글리세린디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 수첨 비스페놀 A 디글리시딜에테르 및 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. Examples of the compound having two or more epoxy groups include ethylene glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, triethylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, and propylene glycol di. Glycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, tripropylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycid Dil ether, glycerin diglycidyl ether, trimethylol propane triglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol A diglycidyl ether, and the like.

또한, 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 에포라이트 40E, 동 100E, 동 200E, 동 70P, 동 200P, 동 400P, 동 1500NP, 동 80MF, 동 100MF, 동 1600, 동 3002 및 동 4000(이상, 교에샤 가가꾸(주) 제조) 등을 들 수 있다. Moreover, as a commercial item of the compound which has two or more epoxy groups, for example, epolite 40E, copper 100E, copper 200E, copper 70P, copper 200P, copper 400P, copper 1500NP, copper 80MF, copper 100MF, copper 1600, copper 3002 and East 4000 (above, Kyoesha Chemical Co., Ltd. product) etc. are mentioned.

이들의 내열성 향상제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These heat resistance improvers can be used individually or in mixture of 2 or more types.

감방사선성Radiation 수지 조성물 Resin composition

본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 상기한 공중합체 (A), (B) 성분 및 (C) 성분 및 상기한 바와 같이 임의적으로 첨가하는 기타 성분을 균일하게 혼합함으로써 제조된다. 본 발명의 감방사선성 수지 조성물은, 바람직하게는 적당한 용매에 용해되어 용액 상태로 사용된다. 예를 들면, 공중합체 (A), (B) 성분 및 (C) 성분 및 임의적으로 첨가되는 기타 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써 용액 상태의 감방사선성 수지 조성물을 제조할 수 있다. The radiation sensitive resin composition of this invention is manufactured by mixing uniformly the above-mentioned copolymer (A), (B) component and (C) component, and the other component added arbitrarily as mentioned above. The radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably dissolved in a suitable solvent and used in a solution state. For example, the radiation sensitive resin composition of a solution state can be manufactured by mixing copolymer (A), (B) component, (C) component, and the other component added arbitrarily at predetermined ratio.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물의 제조에 사용되는 용매로서는, 공중합체 (A), (B) 성분 및 (C) 성분 및 임의적으로 배합되는 기타 성분의 각 성분을 균일하게 용해시키며, 각 성분과 반응하지 않는 것이 사용된다. As a solvent used for manufacture of the radiation sensitive resin composition of this invention, each component of a copolymer (A), (B) component and (C) component, and the other component mix | blended arbitrarily is melt | dissolved uniformly, What does not react is used.

이러한 용매로서는, 상술한 공중합체 (A)를 제조하기 위해 사용할 수 있는 용매로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다. As such a solvent, the same thing as what was illustrated as a solvent which can be used in order to manufacture the copolymer (A) mentioned above is mentioned.

이러한 용매 중, 각 성분의 용해성, 각 성분과의 반응성 및 도막 형성의 용이함 등의 면에서, 예를 들면 알코올, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 에스테르 및 디에틸렌글리콜이 바람직하게 사용된다. 이들 중에서, 예를 들면 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올, 3-페닐-1-프로판올, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메톡시프로피온산메틸 및 에톡시프로피온산에틸을 특히 바람직하게 사용할 수 있다. Among these solvents, for example, alcohols, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, esters, and diethylene glycol are preferably used in view of solubility of each component, reactivity with each component, and ease of coating film formation. Among them, for example, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethylmethyl Ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl methoxy propionate and ethyl ethoxypropionate can be particularly preferably used.

또한, 상기 용매와 함께 막 두께의 면내 균일성을 높이기 위해, 고비점 용매를 병용할 수 있다. 병용할 수 있는 고비점 용매로서는, 예를 들면 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐리드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 아세트산벤질, 벤조산에틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, γ-부티로락톤, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 및 페닐셀로솔브아세테이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서 N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤 및 N,N-디메틸아세트아미드가 바람직하다. Moreover, in order to raise the in-plane uniformity of a film thickness with the said solvent, a high boiling point solvent can be used together. As a high boiling point solvent which can be used together, it is N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpi, for example. Ralidone, dimethyl sulfoxide, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, male Diethyl acid, gamma -butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, and phenyl cellosolve acetate. Of these, N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone and N, N-dimethylacetamide are preferable.

본 발명의 감방사성 수지 조성물의 용매로서 고비점 용매를 병용하는 경우, 그의 사용량은 용매 전체량에 대하여 바람직하게는 50 중량% 이하, 보다 바람직하게는 40 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 30 중량% 이하로 할 수 있다. 고비점 용매의 사용량이 이 사용량을 초과하면 도막의 막 두께 균일성, 감도 및 잔막률이 저하되는 경우가 있다. When using a high boiling point solvent together as a solvent of the radiation sensitive resin composition of this invention, the usage-amount is preferably 50 weight% or less, More preferably, 40 weight% or less, More preferably, 30 weight% with respect to solvent whole quantity. It can be set as follows. When the usage-amount of a high boiling point solvent exceeds this usage-amount, the film thickness uniformity, a sensitivity, and a residual film ratio of a coating film may fall.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물을 용액 상태로서 제조하는 경우, 용액 중에 차지하는 용매 이외의 성분, 즉 공중합체 (A), (B) 성분 및 (C) 성분 및 임의적으로 첨가되는 기타 성분의 합계량의 비율은, 사용 목적 또는 원하는 막 두께의 값 등에 따라 임의로 설정할 수 있으며, 예를 들면 5 내지 50 중량%, 바람직하게는 10 내지 40 중량%, 더욱 바람직하게는 15 내지 35 중량%이다. When producing the radiation-sensitive resin composition of the present invention as a solution state, the total amount of components other than the solvent occupied in the solution, that is, the copolymer (A), (B) component and (C) component and other components optionally added The ratio can be arbitrarily set according to the purpose of use or the value of the desired film thickness, and the like, for example, 5 to 50% by weight, preferably 10 to 40% by weight, more preferably 15 to 35% by weight.

이와 같이 하여 제조된 조성물 용액은 공경 0.5 ㎛ 정도의 밀리포어 필터 등을 사용하여 여과한 후, 사용할 수 있다. The composition solution thus prepared can be used after being filtered using a Millipore filter having a pore size of about 0.5 μm or the like.

스페이서의Spacer 형성 방법 Formation method

이어서, 본 발명의 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 본 발명의 스페이서를 형성하는 방법에 대하여 설명한다. Next, the method of forming the spacer of this invention using the radiation sensitive resin composition of this invention is demonstrated.

본 발명의 스페이서의 형성 방법은,The method of forming the spacer of the present invention,

(1) 본 발명의 감방사선성 수지 조성물의 도막을 기판 위에 형성하는 공정, (1) process of forming the coating film of the radiation sensitive resin composition of this invention on a board | substrate,

(2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, (2) irradiating at least a part of the coating film with radiation;

(3) 현상 공정, 및 (3) developing process, and

(4) 가열 공정(4) heating process

을 상기 기재된 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 것이다. It is characterized by performing in the order described above.

이하, 이들의 각 공정에 대하여 차례대로 설명한다. Hereinafter, each of these steps will be described in order.

(1) 본 발명의 (1) of the present invention 감방사선성Radiation 수지 조성물의 도막을 기판 위에 형성하는 공정 Process of forming coating film of resin composition on board

투명 기판의 한 면에 투명 도전막을 형성하고, 상기 투명 도전막의 위에 본 발명의 감방사선성 수지 조성물의 조성물 용액을 도포한 후, 도포면을 가열(프리 베이킹)함으로써, 피막을 형성한다. A transparent conductive film is formed on one surface of a transparent substrate, and after apply | coating the composition solution of the radiation sensitive resin composition of this invention on the said transparent conductive film, a film is formed by heating (prebaking) a coating surface.

스페이서의 형성에 사용되는 투명 기판으로서는, 예를 들면 유리 기판 및 수지 기판 등을 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 소다 석회 유리 및 무알칼리 유리 등의 유리 기판; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카르보네이트 및 폴리이미드 등의 플라스틱을 포함하는 수지 기판을 들 수 있다. As a transparent substrate used for formation of a spacer, a glass substrate, a resin substrate, etc. are mentioned, for example, More specifically, Glass substrates, such as a soda-lime glass and an alkali free glass; And resin substrates containing plastics such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate and polyimide.

투명 기판의 한 면에 설치되는 투명 도전막으로서는, 산화주석(SnO2)을 포함하는 NESA막(미국 PPG사의 등록 상표), 산화인듐-산화주석(In2O3-SnO2)을 포함하는 ITO막 등을 들 수 있다. Examples of the transparent conductive film provided on one surface of the transparent substrate include an NESA film containing tin oxide (SnO 2 ) (registered trademark of US PPG), and an ITO containing indium tin oxide (In 2 O 3 -SnO 2 ). And the like.

조성물 용액의 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 분무법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿 다이 도포법, 바 도포법 및 잉크젯 도포법 등의 적절한 방법을 이용할 수 있고, 특히 스핀 코팅법 및 슬릿 다이 도포법이 바람직하다. It does not specifically limit as a coating method of a composition solution, For example, suitable methods, such as a spraying method, the roll coating method, the spin coating method (spin coating method), the slit die coating method, the bar coating method, and the inkjet coating method, can be used, In particular, the spin coating method and the slit die coating method are preferable.

또한, 프리 베이킹의 조건은 각 성분의 종류 및 배합 비율 등에 따라 상이하지만, 통상적으로 70 내지 120 ℃에서 1 내지 15분간 정도이다. In addition, although the conditions of prebaking differ according to the kind, compounding ratio, etc. of each component, it is about 1 to 15 minutes at 70-120 degreeC normally.

(2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정 (2) irradiating at least a part of the coating film with radiation

이어서, 형성된 피막의 적어도 일부에 방사선을 노광한다. 이 경우, 피막의 일부에 노광할 때에는 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 노광한다. Subsequently, at least part of the formed film is exposed to radiation. In this case, when exposing to a part of film, it exposes through the photomask which has a predetermined pattern.

노광에 사용되는 방사선으로서는 가시광선, 자외선 및 원자외선 등을 사용할 수 있다. 파장이 190 내지 450 ㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하며, 특히 365 ㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 바람직하다. As the radiation used for the exposure, visible light, ultraviolet light and far ultraviolet light can be used. Radiation with a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferred, particularly radiation comprising 365 nm ultraviolet radiation.

노광량은, 노광되는 방사선의 파장 365 ㎚에서의 강도를 조도계(OAI 모델 356, OAI 옵티컬 어소시에이츠 인크.(OAI Optical Associates Inc.) 제조)에 의해 측정한 값으로서, 바람직하게는 100 내지 10,000 J/㎡, 보다 바람직하게는 1,500 내지 3,000 J/㎡이다. The exposure dose is a value measured by an illuminometer (OAI Model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.) of the intensity at a wavelength of 365 nm of the radiation to be exposed, and preferably 100 to 10,000 J / m 2. More preferably, it is 1,500-3,000 J / m <2>.

(3) 현상 공정(3) developing process

이어서, 노광 후의 피막을 현상함으로써 불필요한 부분을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다. Next, by developing the film after exposure, an unnecessary part is removed and a predetermined pattern is formed.

현상에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨 및 암모니아 등의 무기 알칼리; 에틸아민 및 n-프로필아민 등의 지방족 1급 아민: 디에틸아민 및 디-n-프로필아민 등의 지방족 2급 아민; 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민 및 트리에틸아민 등의 지방족 3급 아민; 피롤, 피페리딘, N-메틸피페리딘, N-메틸피롤리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센 및 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨 등의 지환족 3급 아민; 피리딘, 콜리딘, 루티딘 및 퀴놀린 등의 방향족 3급 아민; 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민 및 트리에탄올아민 등의 알칸올아민; 테트라메틸암모늄히드록시드 및 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염 등의 알칼리성 화합물의 수용액을 사용할 수 있다. As a developing solution used for image development, For example, inorganic alkalis, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; Aliphatic primary amines such as ethylamine and n-propylamine: aliphatic secondary amines such as diethylamine and di-n-propylamine; Aliphatic tertiary amines such as trimethylamine, methyldiethylamine, dimethylethylamine and triethylamine; Pyrrole, piperidine, N-methylpiperidine, N-methylpyrrolidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene and 1,5-diazabicyclo [4.3.0] Alicyclic tertiary amines such as -5-nonene; Aromatic tertiary amines such as pyridine, collidine, lutidine and quinoline; Alkanolamines such as dimethylethanolamine, methyldiethanolamine and triethanolamine; Aqueous solutions of alkaline compounds, such as quaternary ammonium salts, such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, can be used.

또한, 상기 알칼리성 화합물의 수용액에는, 메탄올 및 에탄올 등의 수용성 유기 용매 및/또는 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수 있다. In addition, a suitable amount of water-soluble organic solvents and / or surfactants such as methanol and ethanol can be added to the aqueous solution of the alkaline compound.

현상 방법으로서는 퍼들법, 디핑법 및 샤워법 중 어느 하나일 수도 있으며, 현상 시간은 통상적으로 상온에서 10 내지 180초간 정도이다. The developing method may be any one of a puddle method, a dipping method and a shower method, and the developing time is usually about 10 to 180 seconds at room temperature.

현상 후, 예를 들면 유수 세정을 30 내지 90초간 행한 후, 예를 들면 압축 공기 또는 압축 질소로 풍건시킴으로써 원하는 패턴이 형성된다. After the development, for example, washing with running water is performed for 30 to 90 seconds, and then a desired pattern is formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.

(4) 가열 공정(4) heating process

이어서, 얻어진 패턴을 예를 들면 핫 플레이트 및 오븐 등의 가열 장치에 의해 소정 온도, 예를 들면 100 내지 160 ℃에서 소정 시간, 예를 들면 핫 플레이트 위에서는 5 내지 30분간, 오븐 중에서는 30 내지 180분간 가열(포스트 베이킹)함으로써, 소정의 스페이서를 얻을 수 있다. Subsequently, the obtained pattern is heated at a predetermined temperature, for example, 100 to 160 ° C. for a predetermined time, for example, 5 to 30 minutes on a hot plate, for example 30 to 180 in an oven, by a heating device such as a hot plate and an oven. By heating for a minute (post-baking), a predetermined spacer can be obtained.

스페이서의 형성에 사용되는 종래의 감방사선성 수지 조성물은 180 내지 200 ℃ 정도 이상의 온도로 가열 처리를 행하지 않으면 얻어진 스페이서가 충분한 성능을 발휘할 수 없지만, 본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 가열 온도를 종래보다 저온으로 할 수 있으며, 그 결과 수지 기판의 황변 또는 변형을 초래하지 않고, 압축 강도, 액정 배향시의 러빙 내성 및 투명 기판과의 밀착성 등 여러 가지 성능이 우수한 스페이서를 얻을 수 있다. In the conventional radiation-sensitive resin composition used for forming the spacer, the obtained spacer cannot exhibit sufficient performance unless the heat treatment is performed at a temperature of about 180 to about 200 ° C. or more, but the radiation-sensitive resin composition of the present invention has a conventional heating temperature. It can be made at a lower temperature, and as a result, a spacer excellent in various performances such as compressive strength, rubbing resistance at the time of liquid crystal alignment, and adhesion to a transparent substrate can be obtained without causing yellowing or deformation of the resin substrate.

이하에 합성예 및 실시예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되지 않는다. Although a synthesis example and an Example are shown to the following and this invention is demonstrated to it further more concretely, this invention is not limited to a following example.

<겔 투과 크로마토그래피에 의한 공중합체의 분자량의 측정> <Measurement of Molecular Weight of Copolymer by Gel Permeation Chromatography>

장치: GPC-101(쇼와 덴꼬(주) 제조)Device: GPC-101 (manufactured by Showa Denko Co., Ltd.)

칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합 Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803, and GPC-KF-804

이동상: 인산 0.5 중량%를 포함하는 테트라히드로푸란. Mobile phase: Tetrahydrofuran comprising 0.5% by weight phosphoric acid.

공중합체 (A)의 Of copolymer (A) 합성예Synthesis Example

합성예 1 Synthesis Example 1

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트 릴) 1 중량부, 쿠밀디티오벤조에이트 4 중량부 및 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 50 중량부를 주입하였다. 이어서, 스티렌 20 중량부, 메타크릴산 17 중량부, 트리시클로데카닐메타크릴레이트 18 중량부 및 메타크릴산글리시딜 45 중량부를 주입하여 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작하였다. 용액의 온도를 60 ℃로 상승시키고, 이 온도를 24 시간 동안 유지한 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3중량부를 첨가하여 60 ℃에서 추가로 4 시간 동안 교반을 실시하고, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200 중량부를 첨가하여 공중합체 (A-1)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 공중합체 (A-1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 11,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.4, 잔류 단량체는 2.0 중량%였다. 중합체 용액의 고형분 농도는 28.4 중량%였다. 1 part by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 4 parts by weight of cumyldithiobenzoate and 50 parts by weight of diethylene glycol ethylmethyl ether were charged into a flask equipped with a cooling tube and a stirrer. It was. Subsequently, 20 parts by weight of styrene, 17 parts by weight of methacrylic acid, 18 parts by weight of tricyclodecanyl methacrylate, and 45 parts by weight of glycidyl methacrylate were replaced with nitrogen, followed by slowly stirring. The temperature of the solution was raised to 60 ° C. and maintained at this temperature for 24 hours, followed by the addition of 3 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) for an additional 4 hours at 60 ° C. It stirred, and added 200 weight part of diethylene glycol ethyl methyl ether, and obtained the polymer solution containing a copolymer (A-1). As for the polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of copolymer (A-1), 11,000 and molecular weight distribution (Mw / Mn) were 1.4 and the residual monomer was 2.0 weight%. Solid content concentration of the polymer solution was 28.4 weight%.

합성예 2 Synthesis Example 2

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 1 중량부, 쿠밀디티오벤조에이트 4 중량부 및 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 50 중량부를 주입하였다. 이어서 스티렌 5 중량부, 메타크릴산 16 중량부, 트리시클로데카닐메타크릴레이트 34 중량부, 메타크릴산글리시딜 35 중량부 및 메틸글리시딜메타크릴레이트 5 중량부를 주입하고, 질소 치환한 후 천천히 교반을 시작하였다. 용액의 온도를 60 ℃로 상승시키고, 이 온도를 24 시간 동안 유지한 후, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 첨가하여 60 ℃에서 추가로 4 시간 동안 교반을 실시하고, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200 중량부를 첨가하여 공중합체 (A-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 공중합체 (A-2)의 Mw는 12,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.4, 잔류 단량체는 2.0 중량%였다. 중합체 용액의 고형분 농도는 28.6 중량%였다. A flask equipped with a cooling tube and a stirrer was charged with 1 part by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 4 parts by weight of cumyldithiobenzoate and 50 parts by weight of diethylene glycol ethylmethyl ether. . Subsequently, 5 parts by weight of styrene, 16 parts by weight of methacrylic acid, 34 parts by weight of tricyclodecanyl methacrylate, 35 parts by weight of glycidyl methacrylate and 5 parts by weight of methylglycidyl methacrylate were injected, followed by nitrogen substitution. After slowly stirring was started. The temperature of the solution was raised to 60 ° C. and maintained at this temperature for 24 hours, followed by addition of 3 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) for an additional 4 hours at 60 ° C. Stirring was carried out, and 200 weight part of diethylene glycol ethyl methyl ether was added, and the polymer solution containing a copolymer (A-2) was obtained. Mw of the copolymer (A-2) was 12,000, molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.4 and the residual monomer was 2.0 wt%. Solid content concentration of the polymer solution was 28.6 weight%.

합성예 3 Synthesis Example 3

합성예 1에서, 쿠밀디티오벤조에이트 대신에 S-시아노메틸-S-도데실트리티오카르보네이트를 사용한 것 이외에는, 합성예 1에 따라서 공중합체 (A-3)의 용액을 얻었다. 공중합체 (A-3)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 10,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.2, 잔류 단량체는 1.5 중량%였다. 중합체 용액의 고형분 농도는 28.2 중량%였다. In Synthesis Example 1, a solution of Copolymer (A-3) was obtained according to Synthesis Example 1 except that S-cyanomethyl-S-dodecyltrithiocarbonate was used instead of cumyldithiobenzoate. As for the polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of copolymer (A-3), 10,000, molecular weight distribution (Mw / Mn) were 1.2, and the residual monomer was 1.5 weight%. Solid content concentration of the polymer solution was 28.2 weight%.

합성예 4 Synthesis Example 4

합성예 2에서, 쿠밀디티오벤조에이트 대신에 피라졸-1-디티오카르복실산페닐-메틸에스테르를 사용한 것 이외에는, 합성예 2에 따라서 공중합체 (A-4)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 공중합체 (A-4)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 12,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.3, 잔류 단량체는 1.4 중량%였다. 중합체 용액의 고형분 농도는 28.5 중량%였다. In the synthesis example 2, the polymer solution containing copolymer (A-4) was obtained according to the synthesis example 2 except having used pyrazole-1-dithiocarboxylic acid phenyl-methyl ester instead of cumyldithiobenzoate. . The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (A-4) was 1.3, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.3 and the residual monomer was 1.4 wt%. Solid content concentration of the polymer solution was 28.5 weight%.

합성예 5 Synthesis Example 5

합성예 1에서, 쿠밀디티오벤조에이트 대신에 하기 디티오에스테르를 사용한 것 이외에는, 합성예 1에 따라서 공중합체 (A-5)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 공중합체 (A-5)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 12,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.2, 잔류 단량체는 1.4 중량%였다. 중합체 용액의 고형분 농도는 28.0 중량%였다. In the synthesis example 1, the polymer solution containing a copolymer (A-5) was obtained according to the synthesis example 1 except having used the following dithio ester instead of cumyldithiobenzoate. The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (A-5) was 12,000, the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.2, and the residual monomer was 1.4 wt%. Solid content concentration of the polymer solution was 28.0 weight%.

Figure 112006080652887-PCT00004
Figure 112006080652887-PCT00004

합성예 6 Synthesis Example 6

합성예 2에서, 쿠밀디티오벤조에이트 대신에 하기 크산테이트를 사용한 것 이외에는, 합성예 2에 따라서 공중합체 (A-6)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 공중합체 (A-6)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 11,500, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.3, 잔류 단량체는 1.4 중량%였다. 중합체 용액의 고형분 농도는 28.5 중량%였다. In the synthesis example 2, the polymer solution containing copolymer (A-6) was obtained according to the synthesis example 2 except having used the following xanthate instead of cumyldithiobenzoate. As for the polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of copolymer (A-6), 11,500, molecular weight distribution (Mw / Mn) were 1.3, and the residual monomer was 1.4 weight%. Solid content concentration of the polymer solution was 28.5 weight%.

Figure 112006080652887-PCT00005
Figure 112006080652887-PCT00005

비교 합성예 1 Comparative Synthesis Example 1

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220 중량부를 주입하고, 이어서 스티렌 20 중량부, 메타크릴산 17 중량부, 디시클로펜타닐메타크릴레이트 18 중량부 및 메타크릴산글리시딜 45 중량부를 주입하여 질소 치환한 후, 천천히 교반하면서 반응 용액의 온도를 70 ℃로 상승시키며, 이 온도를 4 시간 동안 유지하여 중합함으로써, 공중합체 (a-1)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 공중합체 (a-1)의 Mw는 13,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.4, 잔류 단량체는 7.1 중량%였다. 중합체 용액의 고형분 농도는 29.5 중량%였다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by weight of diethylene glycol methylethyl ether were introduced into a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, followed by 20 parts by weight of styrene and methacryl 17 parts by weight of acid, 18 parts by weight of dicyclopentanyl methacrylate, and 45 parts by weight of glycidyl methacrylate were introduced and replaced with nitrogen, and then the temperature of the reaction solution was raised to 70 ° C. with slow stirring, and the temperature was increased for 4 hours. The polymer solution containing copolymer (a-1) was obtained by hold | maintaining and polymerizing for a while. Mw of the copolymer (a-1) was 13,000, the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.4, and the residual monomers were 7.1 wt%. Solid content concentration of the polymer solution was 29.5 weight%.

실시예 1Example 1

(I) 감방사선성 수지 조성물의 제조(I) Preparation of a radiation sensitive resin composition

상기 합성예 1에서 합성한 (A) 성분으로서 중합체 (A-1)을 함유하는 용액을 중합체 (A-1) 100 중량부(고형분)에 상당하는 양, 및 (B) 성분으로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(상품명 카야라드 DPHA, 닛본 가야꾸(주) 제조) 80 중량부, (C) 성분으로서 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 10 중량부, 2-메틸[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논(상품명 이루가큐어 907, 치바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬사 제조) 15 중량부, 감방사선 증감제로서 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 10 중량부, 2-머캅토벤조티아졸 5 중량부, 추가로 접착 보조제로서γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5 중량부, 계면활성제로서 FTX-218(상품명, (주)네오스 제조) 0.5 중량부, 보존 안정제로서 4-메톡시페놀 0.5 중량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해한 후, 공경 0.5 ㎛의 밀리포어 필터로 여과하여, 조성물 용액을 제조하였다. A solution containing the polymer (A-1) as the component (A) synthesized in Synthesis Example 1, corresponding to 100 parts by weight (solid content) of the polymer (A-1), and dipentaerythritol as the component (B) 80 parts by weight of hexaacrylate (trade name Kayarrad DPHA, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), (C) component 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5' -10 parts by weight of tetraphenylbiimidazole, 15 parts of 2-methyl [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propane (trade name Irugacure 907, manufactured by Chiba Specialty Chemical Co., Ltd.) Part, 10 parts by weight of 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone as a radiation sensitizer, 5 parts by weight of 2-mercaptobenzothiazole, and γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane 5 as an adhesion aid. 0.5 parts by weight of FTX-218 (trade name, manufactured by Neos) as a weight part, surfactant, 0.5 parts by weight of 4-methoxyphenol as a storage stabilizer were mixed, and the profile was changed to a solid content concentration of 30% by weight. It was dissolved in monomethyl ether acetate, and an opening diameter of 0.5 mm ㎛ filtered through a pore filter to prepare a composition solution.

(II) 스페이서의 형성(II) Formation of spacer

무알칼리 유리 기판 위에 스피너를 사용하여 상기 조성물 용액을 도포한 후, 90 ℃의 핫 플레이트 위에서 3분간 프리 베이킹하여, 막 두께 6.0 ㎛의 피막을 형성하였다. After apply | coating the said composition solution using a spinner on the alkali free glass substrate, it prebaked for 3 minutes on the 90 degreeC hotplate, and formed the film of 6.0 micrometers in film thicknesses.

이어서, 얻어진 피막에 각 변이 10 ㎛인 남은 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 365 ㎚에서의 강도가 250 W/㎡인 자외선을 10초간 노광하였다. 그 후, 수산화칼륨의 0.05 중량% 수용액에 의해 25 ℃에서 60초간 현상한 후, 순수로 1분간 세정하였다. 그 후, 오븐 중 150 ℃에서 120분간 포스트 베이킹함으로써, 소정 패턴의 스페이서를 형성하였다. Subsequently, an ultraviolet-ray having an intensity of 250 W / m 2 at 365 nm was exposed for 10 seconds through a photomask having a remaining pattern of 10 µm each side on the obtained film. Then, after developing for 60 second at 25 degreeC with the 0.05 weight% aqueous solution of potassium hydroxide, it wash | cleaned with pure water for 1 minute. Thereafter, post-baking was performed at 150 ° C. for 120 minutes in an oven to form a spacer of a predetermined pattern.

(III) 해상도의 평가(III) evaluation of resolution

상기 (II)에서 패턴을 형성했을 때, 남은 패턴이 해상되어 있는 경우를 양호(○), 해상되어 있지 않은 경우를 불량(×)으로서 평가하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. When forming a pattern in said (II), the case where the remaining pattern was resolved was evaluated as good ((circle)) and the case where it was not resolved as defect (x). The evaluation results are shown in Table 2.

(IV) 감도의 평가(IV) evaluation of sensitivity

상기 (II)에서 얻은 패턴에 대하여, 현상 후의 잔막률(현상 후의 막 두께×100/초기 막 두께)이 90 % 이상인 경우를 양호(○), 90 % 미만인 경우를 불량(×)으로서 평가하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. With respect to the pattern obtained in the above (II), the case where the residual film ratio (film thickness after development x 100 / initial film thickness) after development was 90% or more was evaluated as good (○) and less than 90% as poor (×). The evaluation results are shown in Table 2.

(V) 패턴 형상의 평가(V) Evaluation of pattern shape

상기 (II)에서 얻은 패턴의 단면 형상을 주사형 전자 현미경으로 관찰하여, 도 1에 도시하는 A 내지 D 중 어느 것에 해당되는지에 의해 평가하였다. 이때, A 또는 B와 같이 패턴 에지가 순테이퍼상 또는 수직상인 경우에는, 스페이서로서의 패턴 형상이 양호하다고 할 수 있다. 이에 비해, C에 도시한 바와 같이 감도가 불 충분하고 잔막률이 낮으며, 단면 치수가 A 및 B에 비해 작아질 뿐만 아니라, 단면 형상의 저면이 평면의 반볼록 렌즈상인 경우에는 스페이서로서의 패턴 형상이 불량하며, D에 도시한 바와 같이 단면 형상이 역테이퍼상인 경우에도 이후의 러빙 처리시에 패턴이 박리될 우려가 매우 크기 때문에, 스페이서로서의 패턴 형상을 불량하게 하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. The cross-sectional shape of the pattern obtained by said (II) was observed with the scanning electron microscope, and it evaluated by any of A-D shown in FIG. At this time, when the pattern edge is a forward taper shape or a vertical shape like A or B, it can be said that the pattern shape as a spacer is favorable. On the other hand, as shown in C, the sensitivity is insufficient, the residual film ratio is low, the cross-sectional dimensions are smaller than those of A and B, and the pattern shape as a spacer when the bottom of the cross-sectional shape is a flat semiconvex lens image This defect is poor, and even when the cross-sectional shape is reverse tapered as shown in D, there is a high possibility that the pattern is peeled off during the subsequent rubbing treatment, so that the pattern shape as a spacer is made poor. The evaluation results are shown in Table 2.

(VI) 압축 강도의 평가. (VI) Evaluation of compressive strength.

상기 (II)에서 얻은 패턴에 대하여, 미소 압축 시험기(MCTM-200,(주) 시마즈 세이사꾸쇼 제조)를 사용하여, 직경 50 ㎛의 평면 압자에 의해 10 mN의 하중을 가했을 때의 변형량을 측정 온도 23 ℃로 측정하였다. 이 값이 0.5 이하일 때, 압축 강도가 양호하다고 할 수 있다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. About the pattern obtained by said (II), the deformation amount at the time of applying the load of 10 mN by 50 micrometer diameter planar indenter using a micro compression tester (MCTM-200, the Shimadzu Corporation make) It measured at the temperature of 23 degreeC. When this value is 0.5 or less, it can be said that compressive strength is favorable. The evaluation results are shown in Table 2.

(VII) 러빙 내성의 평가(VII) evaluation of rubbing resistance

상기 (II)에서 얻은 패턴을 형성한 기판에, 액정 배향제로서 AL3046(상품명, JSR(주) 제조)을 액정 배향막 도포용 인쇄기를 사용하여 도포한 후, 180 ℃에서 1 시간 동안 건조시켜, 건조 막 두께 0.05 ㎛의 배향제의 도막을 형성하였다. 그 후, 이 도막에 폴리아미드제의 천을 권취한 롤을 갖는 러빙 머신을 사용하여, 롤 회전수 500 rpm, 스테이지 이동 속도 1 ㎝/초로서 러빙 처리를 행하였다. 이때, 패턴의 깎임 또는 박리의 유무를 평가하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. After apply | coating AL3046 (brand name, JSR Corporation make) to the board | substrate with the pattern obtained by said (II) using a liquid crystal aligning film coating machine as a liquid crystal aligning agent, it dried at 180 degreeC for 1 hour, and dried The coating film of the aligning agent of the film thickness of 0.05 micrometer was formed. Then, using the rubbing machine which has the roll which wound the cloth made from polyamide to this coating film, the rubbing process was performed at roll rotation speed of 500 rpm and stage movement speed of 1 cm / sec. At this time, the presence or absence of shaving or peeling of the pattern was evaluated. The evaluation results are shown in Table 2.

(VIII) 밀착성의 평가(VIII) Evaluation of adhesion

남은 패턴의 마스크를 사용하지 않은 것 이외에는 상기 (II)와 동일하게 실시하여 경화막을 형성하였다. 그 후, JIS K-5400(1900) 8.5의 부착성 시험 중, 8.5ㆍ2의 바둑판 눈금 테이프법에 의해 평가하였다. 이때, 100개의 바둑판 눈금 중 남은 바둑판 눈금의 수를 표 2에 나타낸다. Except not using the mask of the remaining pattern, it carried out similarly to said (II), and formed the cured film. Then, during the adhesion test of JISK-5400 (1900) 8.5, it evaluated by the 8.5 * 2 checker scale tape method. At this time, Table 2 shows the number of remaining checkerboard ticks among the 100 checkerboard ticks.

(IX) 승화물의 평가(IX) Evaluation of Sublimation

실리콘 기판 위에 스피너를 사용하여 상기 조성물 용액을 도포한 후, 90 ℃에서 2분간 핫 플레이트 위에서 프리 베이킹하여 막 두께 3.0 ㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 3,000 J/㎡가 되도록 노광하고, 이 실리콘 기판을 크린 오븐 내에서 220 ℃로 1 시간 동안 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 상측에 1센티 간격을 두고 냉각용 베어 실리콘 웨이퍼를 장착하여, 핫 플레이트 위에서 230 ℃로 1 시간 동안 가온 처리를 행하였다. 냉각용 베어 실리콘 웨이퍼를 교환하지 않고, 상기 경화막을 별도로 형성한 실리콘 기판을 20매 연속으로 처리한 후, 베어 실리콘에 부착되어 있는 승화물의 유무를 육안으로 검증하였다. 승화물이 확인되지 않았을 때 승화물 평가가 양호하다고 할 수 있다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. The composition solution was applied onto the silicon substrate using a spinner, and then prebaked at 90 ° C. on a hot plate for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 μm. It exposed to the obtained coating film so that accumulated irradiation amount might be 3,000 J / m <2> with Canon PLA-501F exposure machine (ultra high pressure mercury lamp), and this silicon substrate was heated at 220 degreeC in the clean oven for 1 hour, and the cured film was obtained. A bare silicon wafer for cooling was mounted at an interval of one centimeter above the obtained cured film, and the heating treatment was performed at 230 ° C. for 1 hour on a hot plate. After continuously processing 20 sheets of the silicon substrate on which the cured film was formed separately without replacing the cooling bare silicon wafer, the presence or absence of a sublimation adhered to the bare silicon was visually verified. When the sublimation is not confirmed, it can be said that the sublimation evaluation is good. The evaluation results are shown in Table 2.

실시예 2 내지 14 및 비교예 1 내지 3Examples 2-14 and Comparative Examples 1-3

(A) 내지 (C) 성분 및 감방사선 증감제로서 표 1에 나타낸 각 성분을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 각 조성물 용액을 제조하여 평가를 행하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. Each composition solution was produced and evaluated similarly to Example 1 except having used each component shown in Table 1 as (A)-(C) component and a radiation sensitive sensitizer. The evaluation results are shown in Table 2.

표 1에서, 공중합체 (A-1), 공중합체 (A-2) 및 공중합체 (a-1) 이외의 각 성분은 하기와 같다. In Table 1, each component other than a copolymer (A-1), a copolymer (A-2), and a copolymer (a-1) is as follows.

(B) 성분 (B) component

B-1: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트B-1: dipentaerythritol hexaacrylate

(C) 성분 (C) component

C-1: 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 C-1: 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole

C-2: 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 C-2: 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole

C-3: 2-메틸[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논C-3: 2-methyl [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone

C-4: 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1C-4: 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1

(감방사선 증감제) (Radiation sensitizer)

D-1: 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 D-1: 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone

D-2: 2-머캅토벤조티아졸 D-2: 2-mercaptobenzothiazole

D-3: 펜타에리트리톨테트라(머캅토아세테이트)D-3: pentaerythritol tetra (mercaptoacetate)

Figure 112006080652887-PCT00006
Figure 112006080652887-PCT00006

Figure 112006080652887-PCT00007
Figure 112006080652887-PCT00007

본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 고감도 및 고해상도이고, 패턴 형상, 압축 강도, 러빙 내성 및 투명 기판과의 밀착성 등 여러 가지 성능이 우수한 스페이서를 용이하게 형성할 수 있으며, 스페이서 형성시에 현상 후의 가열 온도를 낮추는 것이 가능할 뿐만 아니라, 수지 기판의 황변 또는 변형을 초래하지 않기 때문에, 승화물이 적고 장치 또는 패널을 오염시킬 가능성이 감소되어 있다. The radiation-sensitive resin composition of the present invention has a high sensitivity and high resolution, and can easily form a spacer excellent in various performances such as pattern shape, compressive strength, rubbing resistance, and adhesion to a transparent substrate, and heating after development at the time of spacer formation. Not only is it possible to lower the temperature, but also does not cause yellowing or deformation of the resin substrate, so that the amount of sublimation is low and the possibility of contaminating the device or panel is reduced.

Claims (6)

(A) 카르복실기 및 에폭시기를 가지며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)과 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)가 1.7 이하인 공중합체, (B) 중합성 불포화 화합물, 및 (C) 감방사선성 중합 개시제를 함유하고, 스페이서 형성용인 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물. (A) A copolymer which has a carboxyl group and an epoxy group, and ratio (Mw / Mn) of the polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) and the polystyrene reduced number average molecular weight (Mn) measured by gel permeation chromatography is 1.7 or less, (B) superposition | polymerization A radiation sensitive resin composition containing a sex unsaturated compound and (C) a radiation sensitive polymerization initiator, and for spacer formation. 제1항에 있어서, 공중합체 (A)가 (a1) 불포화 카르복실산 및/또는 불포화 카르복실산 무수물, (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물, 및 (a3) (a1) 성분 및 (a2) 성분 이외의 불포화 화합물을 함유하는 중합성 혼합물을 리빙 라디칼 중합시켜 얻어지는 감방사선성 수지 조성물. The copolymer (A) according to claim 1, wherein the copolymer (A) is other than (a1) unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride, (a2) epoxy group-containing unsaturated compound, and (a3) component (a1) and component (a2) A radiation sensitive resin composition obtained by living radical polymerization of the polymerizable mixture containing an unsaturated compound of. 제1항 또는 제2항에 있어서, 공중합체 (A)가 티오카르보닐티오 화합물을 제어제로서 사용한 리빙 라디칼 중합에 의해 얻어지는 공중합체인 감방사선성 수지 조성물. The radiation sensitive resin composition of Claim 1 or 2 whose copolymer (A) is a copolymer obtained by the living radical polymerization which used the thiocarbonylthio compound as a control agent. (삭제)(delete) (1) 제1항에 기재된 감방사선성 수지 조성물의 도막을 기판 위에 형성하는 공정, (1) process of forming the coating film of the radiation sensitive resin composition of Claim 1 on a board | substrate, (2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, (2) irradiating at least a part of the coating film with radiation; (3) 현상 공정, 및 (3) developing process, and (4) 가열 공정(4) heating process 을 상기 기재된 순서로 실시하는 것을 특징으로 하는 스페이서의 형성 방법. Is carried out in the order described above. 제5항에 기재된 방법에 의해 형성된 스페이서. The spacer formed by the method of Claim 5.
KR1020067023101A 2004-05-06 2005-02-18 Radiation-sensitive resin composition, spacer, and method of forming the same KR101084384B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00137257 2004-05-06
JP2004137257 2004-05-06
PCT/JP2005/003090 WO2005109100A1 (en) 2004-05-06 2005-02-18 Radiation-sensitive resin composition, spacer, and method of forming the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070007895A true KR20070007895A (en) 2007-01-16
KR101084384B1 KR101084384B1 (en) 2011-11-18

Family

ID=35320360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067023101A KR101084384B1 (en) 2004-05-06 2005-02-18 Radiation-sensitive resin composition, spacer, and method of forming the same

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4650638B2 (en)
KR (1) KR101084384B1 (en)
CN (1) CN1950751A (en)
TW (1) TW200604217A (en)
WO (1) WO2005109100A1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101250733B1 (en) * 2005-03-15 2013-04-03 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation Sensitive Resin Composition, Protrusion and Spacer Made Therefrom, and Liquid Crystal Display Device Comprising Them
KR20150010555A (en) 2013-07-19 2015-01-28 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition for transparent pixel
KR20150010444A (en) 2013-07-19 2015-01-28 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition for transparent pixel
KR20150028099A (en) 2013-09-05 2015-03-13 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition for transparent pixel
KR20160035273A (en) 2014-09-23 2016-03-31 동우 화인켐 주식회사 Black photosensitive resin composition, and black matrix and column spacer for liquid crystal display manufactured thereby

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4923496B2 (en) * 2005-02-18 2012-04-25 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition for color filter and color filter
JP4705426B2 (en) * 2005-07-14 2011-06-22 互応化学工業株式会社 Alkali development type photosensitive resist ink composition for printed wiring board production, cured product thereof and printed wiring board
JP4895034B2 (en) * 2006-05-24 2012-03-14 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, spacer and method for forming the same
JP4748321B2 (en) * 2007-01-18 2011-08-17 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition and spacer for liquid crystal display element
JP5234715B2 (en) * 2007-03-07 2013-07-10 凸版印刷株式会社 Photosensitive resin composition for photospacer, substrate for liquid crystal display device using the same, and liquid crystal display device
TWI559079B (en) * 2008-11-18 2016-11-21 Sumitomo Chemical Co Photosensitive resin composition and display device
JP5505066B2 (en) * 2010-04-28 2014-05-28 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film of display element, protective film and spacer, and method for forming them
JP5765049B2 (en) * 2010-05-27 2015-08-19 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition for forming cured film, method for producing radiation-sensitive resin composition for forming cured film, cured film, method for forming cured film, and display element
JPWO2012067107A1 (en) * 2010-11-17 2014-05-12 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and printed wiring board manufacturing method
JP5834630B2 (en) * 2011-02-04 2015-12-24 日立化成株式会社 Resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and printed wiring board manufacturing method
JP5853588B2 (en) * 2011-10-26 2016-02-09 日立化成株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and printed wiring board manufacturing method
JP6098063B2 (en) * 2012-08-01 2017-03-22 日立化成株式会社 Resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and printed wiring board manufacturing method
JP6079277B2 (en) * 2013-02-04 2017-02-15 日本ゼオン株式会社 Radiation sensitive resin composition and electronic component
CN103336390B (en) * 2013-06-21 2015-09-09 合肥京东方光电科技有限公司 Chock insulator matter and preparation method thereof, substrate and display device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11133600A (en) * 1997-10-30 1999-05-21 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition for display panel spacer
JP2000081701A (en) * 1998-09-03 2000-03-21 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition for protective coat of color filter
JP4269115B2 (en) * 1999-05-10 2009-05-27 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film and spacer
JP2001261761A (en) 2000-03-22 2001-09-26 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition and spacer for display panel
JP2003041224A (en) * 2001-07-31 2003-02-13 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Adhesive composition
JP3734436B2 (en) * 2001-09-19 2006-01-11 奇美実業股▲分▼有限公司 Photosensitive resin composition for liquid crystal display spacers
JP3967947B2 (en) * 2002-03-29 2007-08-29 富士フイルム株式会社 Dye-containing negative curable composition, color filter and method for producing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101250733B1 (en) * 2005-03-15 2013-04-03 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation Sensitive Resin Composition, Protrusion and Spacer Made Therefrom, and Liquid Crystal Display Device Comprising Them
KR20150010555A (en) 2013-07-19 2015-01-28 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition for transparent pixel
KR20150010444A (en) 2013-07-19 2015-01-28 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition for transparent pixel
KR20150028099A (en) 2013-09-05 2015-03-13 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition for transparent pixel
KR20160035273A (en) 2014-09-23 2016-03-31 동우 화인켐 주식회사 Black photosensitive resin composition, and black matrix and column spacer for liquid crystal display manufactured thereby

Also Published As

Publication number Publication date
TW200604217A (en) 2006-02-01
JP4650638B2 (en) 2011-03-16
JPWO2005109100A1 (en) 2008-03-21
KR101084384B1 (en) 2011-11-18
WO2005109100A1 (en) 2005-11-17
CN1950751A (en) 2007-04-18
TWI365196B (en) 2012-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101084384B1 (en) Radiation-sensitive resin composition, spacer, and method of forming the same
KR101476441B1 (en) Radiation resin composition for forming protective film, process for forming protective film from the composition, liquid crystal display device and solid state imaging device
KR101169474B1 (en) Radiation sensitive resin composition, spacer, and its forming method, and liquid crystal display device
KR100856992B1 (en) Radiation Sensitive Resin Composition for Forming Spacer, Spacer and Its Forming Method, and Liquid Crystal Display Device
JP4766235B2 (en) Radiation sensitive resin composition and spacer for liquid crystal display element
JP4650630B2 (en) Radiation sensitive resin composition for spacer, spacer, and formation method thereof
JP2007128062A (en) Radiation-sensitive resin composition, method for forming spacer and spacer
JP2006259454A (en) Radiation-sensitive resin composition, projection and spacer formed of it, and liquid crystal display element with them
JP4306060B2 (en) Radiation-sensitive resin composition for spacer and spacer
JP3981968B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP2006257220A (en) Copolymer, radiation-sensitive resin composition using this, spacer for liquid crystal display element, and liquid crystal display element
JP2007084809A (en) Polymer having unsaturated side chain, radiation-sensitive resin composition and spacer for liquid crystal display element
JP4835835B2 (en) Side chain unsaturated polymer, radiation sensitive resin composition, and spacer for liquid crystal display device
JP2006184841A (en) Photosensitive resin composition, spacer for display panel and display panel
JP2006258869A (en) Radiation-sensitive resin composition, protrusion and spacer formed of the same, and liquid crystal display element equipped with them
KR20080077917A (en) Radiation-sensitive resin composition, spacer and method for manufacturing the same and liquid crystal display device
JP4660990B2 (en) Radiation-sensitive resin composition, projection material and spacer formed therefrom, and liquid crystal display device comprising the same
KR101314033B1 (en) Photosensitive resin composition, method for forming spacer for display panel
KR100874567B1 (en) Display panel spacers, radiation sensitive resin compositions and liquid crystal display elements
JP2005227525A (en) Radiation sensitive resin composition, spacer for display panel, and display panel
JP2008216489A (en) Radiation-sensitive resin composition and method for forming spacer
KR100839300B1 (en) Radiation Sensitive Resin Composition, Spacer for Display Panel, and Display Panel
JP4019404B2 (en) Protective film and liquid crystal display element
JP2007246585A (en) Side chain unsaturated polymer, radiation sensitive resin composition and spacer for liquid crystal-displaying element
KR20030026210A (en) Compositions for Forming Light-Diffusing Reflective film, a Method for Preparing Light-Diffusing Reflective film, Light-Diffusing Reflective Film and Liquid Crystal Display Device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141105

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161028

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171103

Year of fee payment: 7