KR20070007235A - 박막 트랜지스터 게이트에 의한 개별 구동 수동 유기 전계발광 다이오드 - Google Patents
박막 트랜지스터 게이트에 의한 개별 구동 수동 유기 전계발광 다이오드 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 자체적으로 상태를 유지할 수 없는 수동 유기 전계발광 다이오드(PMOLED : Passive Matrix Organic Light Emitting Diode)에 관한 것으로, 특히 PMOLED의 단점인 병렬 구조에 의한 축전기(capacitor)의 영향을 박막 트랜지스터(TFT) 게이트를 이용해서 제거하였으며, 공통 접지를 사용해서 기존의 스캔 드라이버에 걸리는 저항에 의한 전압강하를 없앨 수 있는 유기전계발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전계발광 다이오드, PMOLED, 게이트, TFT
Description
도 1은 기존의 수동 유기 전계발광 다이오드의 2x2 구조도
도 2는 본 발명에 따른 수동 유기 전계발광 다이오드의 제 1 실시예
도 3은 본 발명에 따른 수동 유기 전계발광 다이오드의 제 1 실시예의 2x2 구조도
도 4는 발명에 따른 수동 유기 전계발광 다이오드의 제 1 실시예의 타이밍도
도 5는 본 발명에 따른 수동 유기 전계발광 다이오드의 제 2 실시예
도 6은 본 발명에 따른 수동 유기 전계발광 다이오드의 제 2 실시예의 2x2 구조도
도 7은 발명에 따른 수동 유기 전계발광 다이오드의 제 2 실시예의 타이밍도
도 8은 본 발명에 따른 수동 유기 전계발광 다이오드의 제 3 실시예
도 9는 본 발명에 따른 수동 유기 전계발광 다이오드의 제 4 실시예
* 도면에 주요 부분에 대한 부호 설명
100, 101, 110, 121, 122, 130, 141, 142 : 스캔 라인
200, 201, 210, 221, 222, 230, 241, 242 : 데이터 라인
301, 302, 303, 304 : 유기 전계발광 다이오드 등가회로
321, 322, 323, 324 : PMOS 게이트
341, 342, 343, 344 : NMOS 게이트
410, 421, 422, 423, 424, 430, 441, 442, 443, 444 : 공통 접지를 포함한 유기 전계발광 다이오드 등가회로
510, 530 : 유기 전계발광 다이오드 등가회로 중 다이오드
610, 630 : 유기 전계발광 다이오드 등가회로 중 충전기
721, 741 : 최소 단위 픽셀 구조
본 발명은 수동 유기 전계발광 다이오드(PMOLED) 및 이의 제조 방법에 관한 것으로 기존에 TFT LCD 패널에 사용하던 구조를 유기 전계 발광 다이오드에 사용하므로써 각 픽셀의 개별 구동이 가능하도록 만들어서 기존 PMOLED 에 있었던 병렬 구조에 의한 축전기 용량에 의한 구동 성능 저하 및 스캔 라인에 전류가 집중됨으로 나타나는 스캔 라인 전압 강하 및 분리체를 사용하므로 미세 마스크를 이용한 제조에 어려움을 없애서 소비전력이 감소하고, 제조가 쉬운 구조를 갖는 유기 전계 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 디스플레이의 발전이 비약적으로 이루어짐에 따라, 액정 표시 장치(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 유기 전계 발광 다이오드(OLED)등 많은 디스플레이 장치들이 생겨나게 되었다. 특히 유기 전계 발광 다이오드의 경우 빠른 응답속도 및 자발광을 하며, 작게 만들 수 있기 때문에 액정 표시장치에 이은 차세대 디스플레이로 각광받고 있다. 유기 전계발광 다이오드의 경우 한국 업체들의 과감한 양산화에 힘입어 수동 유기 전계발광 다이오드(PMOLED)가 급부상하였으나, 기술적으로 해결하지 못한 난제들을 풀지 못해서 현재 그 규모가 줄어들고 있으며, 최근에는 능동 유기 전계발광 다이오드(AMOLED)가 양산화 됨에 따라 그 입지를 넓히고 있다.
수동 유기 전계발광 다이오드의 경우 도 1과 같이 한 개의 데이터 라인 200에 병렬적으로 유기 전계 발광 다이오드 301, 302가 연결되게 되는데, 각각의 유기 전계발광 다이오드는 다이오드와 축전기의 병렬 구조로 등가시킬 수 있다. 이들 축전기 들이 전기적으로 병렬로 연결되어있기 때문에 한 픽셀을 구동하기 위해서 데이터 라인에 연결된 모든 픽셀에 있는 축전기를 충방전시켜 주어야 한다. 이들 축전기의 용량은 해상도가 커지면 커질수록 늘어나기 때문에 해상도 증가에 따라 수동 유기 전계발광 다이오드의 구동 효율은 떨어지게 된다.
수동 유기 전계 발광 다이오드는 전극 두 개가 교차함으로써 전계를 발생시킬 수 있는데, 스캔라인 100이 동작을 할 때, 데이터 라인 200, 201에 의해 주입된 전류는 스캔 라인 100을 통해서 배출이 되게 되어있다. 즉, 데이터 라인의 수만큼 스캔 라인을 통해 들어가는 전류의 양이 증가하게 되는데, 96(R, B, B) x 96 제품의 경우 96 x 3 = 288개의 데이터 라인이 있게 되는데, 모든 라인을 발광시킬 때에는 스캔 라인에 집중되는 전류양은 데이터 라인 전류의 약 300배에 해당하는 전류가 모여서 나오기 때문에 스캔 라인 전압 강하가 중요한 의미를 가지게 된다. 하지만 스캔 라인에서 구동 드라이버 IC에 연결되는 라인의 경우 패널 안에 있게 되므로 라인 저항을 0으로 만드는 것은 구조적으로 불가능하다. 이러한 스캔 라인의 저항 문제는 구동 전압을 상승 시키게 된다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 감안한 것으로, 본 발명의 목적은 TFT 게이트를 이용해서 수동 유기 전계발광 다이오드가 개별 구동이 가능하게 하여 충전기 병렬 합성 용량에 의한 구동 효율 저하를 막으며, 공통 접지가 가능한 구조를 이용하여 스캔 라인 전압 집중을 없애서 최적화된 수동 유기 전계발광 다이오드 구조가 가능토록 함에 있다.
이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 본 발명에 의한 유기 전계 발광 다이오드는 기판, 기판 위의 소정 위치에 형성되어 셀에 구동 데이터를 공급하는 TFT 게이트, 게이트에 픽셀 데이터를 공급하는 데이터 라인, 게이트에서 발광을 하기 위한 영역인 전극(ITO등)과 연결부, 게이트의 온/오프를 제어하는 게이트 스캔 신호를 공급하는 스캔 라인으로 구성된 디스플레이 기판에 발광을 위한 유기물 박막 및 공통 접지로 사용되는 전극을 가진다. 외부의 습기로부터 유기물을 보호하기 위해서 봉지가 되며, 공통 접지는 실제 발광 영역 외곽에 있는 접지 패드를 통해서 봉지 밖으로 연결된다.
첨부된 도 2는 본 발명에 실시예로 1개의 픽셀(기본단위로 한가지 색을 발광하기 위한 구조)의 구조를 보여주고 있다. 도 2에서 110은 게이트 제어를 위한 스캔 라인 이며, 210은 계조 데이터 공급을 위한 데이터 라인이며, 310은 구동을 제어하기 위한 TFT 게이트이며, 410은 OLED 등가회로이다. 410은 OLED의 발광 특성을 나타내는 다이오드와 박막에 의한 축전기로 구성되어 있다.
도 3은 실시예의 패널의 일부를 표시한다. 도 3은 4개의 픽셀을 표시하고 있으며, 게이트 제어를 위한 제1 스캔라인 121, 제2 스캔라인 122이 있으며, 계조 데이터를 공급하기 위한 제1 데이터 라인 221, 제2 데이터 라인 222이 있으며, 각각의 픽셀은 제어를 위한 게이트로, 제1 스캔라인에 연결되고 제1 데이터 라인과 연결된 321, 제2 데이터 라인과 연결된 322, 제2 스캔라인에 연결되고 제1 데이터 라인과 연결된 323, 제 2 데이터 라인과 연결된 324가 있으며, 321 게이트는 421과 같은 OLED와 322 게이트는 422 OLED와 323 게이트는 423 OLED와 324게이트는 424 OLED로 연결되어있다. 각 픽셀은 도 1과 같은 721 단위 픽셀의 연결로 구성을 하게 된다.
도 4 도 3의 구동 방법의 예를 표시한다. 제1 스캔라인에 해당하는 S1이 Low 레벨을 가질 때 게이트 321, 322는 열려서 해당 픽셀에 데이터가 공급이 되게 되며, 323과 324는 닫혀서 유기 전계발광 다이오드의 축전기가 충방전 되지 않도록 만들어 준다. 그 때 공급된 D1의 레벨에 의해서 421 유기 전계발광 다이오드는 발광을 하게 된다. S1 스캔 라인이 High 레벨을 가지게 되면 D1과 421과 연결은 끊어지게 되고, 자체적으로 충전기에 들어있는 전하가 빠져 나갈 때까지 자연 발광으로 발광 시간은 잠시 지연되게 된다. 동일한 방법으로 S2가 Low 레벨을 가지게 되면 게이트 321, 322는 열려서 해당 픽셀에 데이터가 D1, D2에 의해서 공급되게 된다.
도 5는 PMOS 가 아닌 NMOS를 이용하는 특허의 실시예를 표시한다. 첨부된 도 5는 본 발명에 실시예로 1개의 픽셀(기본단위로 한가지 색을 발광하기 위한 구조)의 구조를 보여주고 있다. 도 5에서 130은 게이트 제어를 위한 스캔 라인 이며, 230은 계조 데이터 공급을 위한 데이터 라인이며, 330은 구동을 제어하기 위한 TFT 게이트이며, 430은 OLED 등가회로이다. 430은 OLED의 발광 특성을 나타내는 다이오드 530과 박막에 의한 축전기 630으로 구성되어 있다.
도 6은 도5에 의한 4개의 픽셀을 표시하고 있으며, 게이트 제어를 위한 제1 스캔라인 141, 제2 스캔라인 142이 있으며, 계조 데이터를 공급하기 위한 제1 데이터 라인 241, 제2 데이터 라인 242이 있으며, 각각의 픽셀은 제어를 위한 게이트로, 제1 스캔라인에 연결되고 제1 데이터 라인과 연결된 341, 제2 데이터 라인과 연결된 342, 제2 스캔라인에 연결되고 제1 데이터 라인과 연결된 343, 제 2 데이터 라인과 연결된 344가 있으며, 341 게이트는 441과 같은 OLED와 342 게이트는 442 OLED와 343 게이트는 443 OLED와 344게이트는 444 OLED로 연결되어있다. 각 픽셀은 도 5와 같은 741 단위 픽셀의 연결로 구성을 하게 된다.
도 7은 도 6의 구동 방법의 예를 표시한다. 제1 스캔라인에 해당하는 S1이 High 레벨을 가질 때 게이트 341, 342는 열려서 해당 픽셀에 데이터가 공급이 되게 되며, 343과 344는 닫혀서 유기 전계발광 다이오드의 축전기가 충방전 되지 않도록 만들어 준다. 그 때 공급된 D1의 레벨에 의해서 441 유기 전계발광 다이오드는 발광을 하게 된다. S1 스캔 라인이 Low 레벨을 가지게 되면 D1과 441과 연결은 끊어지게 되고, 자체적으로 충전기에 들어있는 전하가 빠져 나갈 때까지 자연 발광으로 발광 시간은 잠시 지연되게 된다. 동일한 방법으로 S2가 High 레벨을 가지게 되면 게이트 341, 342는 열려서 해당 픽셀에 데이터가 D1, D2에 의해서 공급되게 된다.
도 8과 도 9에 있는 캐패시터는 전류를 지연시키는 효과가 있기 때문에 유기 전계발광 다이오드에 급격한 전압 상승을 방지시켜 주며 게이트가 닫힌 후에도 충전되어있는 전하에 의해서 발광 상태를 잠시 지연시켜 주어서 발광 시간을 늘여주는 효과가 있다. 이는 고휘도를 필요로 하는 고해상도 제품에서 사용할 수 있을 것이다.
도 10은 도 5에서 NMOS의 특성을 잘 살리기 위해서 NMOS의 위치를 유기 전계발광 다이오드와 데이터 라인 사이에 만들어 놓은 또 다른 실시예이다. 이 경우 데이터 라인 250에 흘러 나가는 전류 혹은 전압을 제어함으로써 유기 전계발광 다이오드의 계조를 표현할 수 있다.
<제 1실시예>
게이트를 이용해서 개별적인 구동이 가능한 유기 전계발광 다이오드의 구조를 설명한다. OLED 개별 구동이 가능하기 위해서 패널은 다음과 같은 구성을 가지고 있다.
1) 드라이버 IC 로부터 제어 신호를 받는 신호 부
2) 개별 구동이 가능하도록 TFT 회로를 집적하는 게이트 부:
3) OLED 물질 및 공통 접지를 집적하는 발광 영역 부
4) 공통 접지가 된 패널의 외부 연결 단자와 연결 되게 해주는 연결 부
우선 드라이버 IC로부터 받는 제어 신호는 게이트 조절을 위한 스캔 신호가 있다. 스캔 신호는 동작하는 스캔단 이외에는 동작하는 스캔과 반대의 신호를 가지게 되는 신호로 예를 들어 게이트로 PMOS를 사용한다면 부신호로 게이트가 동작하게 되며 정신호인 High 상태에서는 동작하지 않게 한다. 반대로 게이트로 NMOS를 사용한다면 정신호로 게이트가 동작하며 부신호인 low 상태에서는 동작하지 않게 된다. 데이터 신호는 PMOLED 를 구동하기 위해서 각 계조에 맞춰서 보내주는 신호가 된다. PMOLED용 구동 신호로는 진폭 높이 변조 방식(PAM: Pulse Amplitude Modulation), 진폭 변조 방식(PWM:Pulse Width Modulation) 방식이 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 의해서 PMOS를 게이트로 사용하는 실증적인 도면을 도시한다.
도 5는 본 발명에 의해서 NMOS를 게이트로 사용하는 실증적인 도면을 도시한다.
도 10은 본 발명에 의해서 NMOS를 게이트로 사용하는 실증적인 도면을 도시한다.
수동 유기 전계발광 다이오드를 게이트 신호에 의해서 개별적으로 동작을 시킴으로써 구동 효율을 향상시키며, 공통 접지를 사용함으로써 스캔에 의한 전압강하가 일어나지 않게 하여 저전압으로 구동 가능하게 한다.
Claims (17)
- 디스플레이에서 사용하기 위한 화소 구조물로서,화소에 연결된 게이트가 있어서 이 게이트를 제어하기 위한 스캔 라인과 화소에 계조 데이터를 공급하기 위한 데이터 라인이 있으며, 게이트를 통해서 공급된 데이터와 공통 접지 간에 전위차를 이용해서 유기 전계발광 다이오드를 발광시키는 화소 구조물.
- 제 1항에 있어서, 게이트로 PMOS를 사용하는 화소 구조물
- 제 2항에 있어서, 유기 전계발광 다이오드 유기물로 인광 물질을 사용하는 화소 구조물
- 제 2항에 있어서, 유기 전계발광 다이오드 유기물로 형광 물질을 사용하는 화소 구조물
- 제 2항에 있어서, 유기 전계발광 다이오드 유기물로 고분자 물질을 사용하는 화소 구조물
- 제 2항에 있어서, 데이터와 공통 접지 간의 전위차를 줄이고, 스캔 후 상태 지속 시키기 위해서 전류 저장용 캐패시터를 가진 화소 구조물
- 제 1항에 있어서, 게이트로 NMOS를 사용하는 화소 구조물
- 제 7항에 있어서, 데이터와 공통 접지 간의 전위차를 줄이고, 스캔 후 상태 지속 시키기 위해서 전류 저장용 캐패시터를 가진 화소 구조물
- 제 7항에 있어서, 유기 전계발광 다이오드 유기물로 인광 물질을 사용하는 화소 구조물
- 제 7항에 있어서, 유기 전계발광 다이오드 유기물로 형광 물질을 사용하는 화소 구조물
- 제 7항에 있어서, 유기 전계발광 다이오드 유기물로 고분자 물질을 사용하는 화소 구조물
- 디스플레이에서 사용하기 위한 화소 구조물로서,화소에 연결된 게이트가 있어서 이 게이트를 제어하기 위한 스캔 라인과 화소에 계조 데이터를 공급하기 위한 데이터 라인이 있으며, 공통 전원을 통해서 공급된 전류는 유기 전계발광 다이오드를 흘러 게이트를 통해 데이터 라인으로 흘러 들어가는 화소 구조물.
- 제 12항에 있어서, 게이트로 NMOS를 사용하는 화소 구조물
- 제 13항에 있어서, 유기 전계발광 다이오드 유기물로 인광 물질을 사용하는 화소 구조물
- 제 13항에 있어서, 유기 전계발광 다이오드 유기물로 형광 물질을 사용하는 화소 구조물
- 제 13항에 있어서, 유기 전계발광 다이오드 유기물로 고분자 물질을 사용하는 화소 구조물
- 제 13항에 있어서, 데이터와 공통 접지 간의 전위차를 줄이고, 스캔 후 상태 지속 시키기 위해서 전류 저장용 캐패시터를 가진 화소 구조물
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR101378862B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2014-03-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| CN116631335A (zh) * | 2023-05-24 | 2023-08-22 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 显示驱动电路、驱动方法、显示面板及可读存储介质 |
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2006
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101378862B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2014-03-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| CN116631335A (zh) * | 2023-05-24 | 2023-08-22 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 显示驱动电路、驱动方法、显示面板及可读存储介质 |
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