KR20070006183A - Multiple apparatus for disposing a polluted gas - Google Patents

Multiple apparatus for disposing a polluted gas Download PDF

Info

Publication number
KR20070006183A
KR20070006183A KR1020050061280A KR20050061280A KR20070006183A KR 20070006183 A KR20070006183 A KR 20070006183A KR 1020050061280 A KR1020050061280 A KR 1020050061280A KR 20050061280 A KR20050061280 A KR 20050061280A KR 20070006183 A KR20070006183 A KR 20070006183A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
waste gas
gas
combustion reaction
unit
reaction chamber
Prior art date
Application number
KR1020050061280A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100717730B1 (en
Inventor
손병창
Original Assignee
주식회사 엠아이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엠아이 filed Critical 주식회사 엠아이
Priority to KR1020050061280A priority Critical patent/KR100717730B1/en
Publication of KR20070006183A publication Critical patent/KR20070006183A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100717730B1 publication Critical patent/KR100717730B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Incineration Of Waste (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)

Abstract

A multiple apparatus for disposing a polluted gas is provided to improve purification of gas exhausted to air by thermally oxidizing the polluted gas to pass through various purifying equipment. Plural burners(100) burn and oxidize polluted gas. The burner generates a flame that is not sensitive to an outer pressure. Flame generating ends(110) of the plural burners are connected toward a burning reaction chamber(350). A polluted gas inlet hole(210) is formed on a side of a burner unit(200). The burner unit is coupled to the burning reaction chamber. An air layer(320) is formed on a sidewall of the burning reaction chamber of the burning reacting unit(300). A wet reacting unit purifies the thermal oxidized gas in the burning reacting unit. A storing water chamber is installed on a lower side of the wet reacting unit to collect the used cooling water and a dust collecting material.

Description

다중 폐가스 처리장치{MULTIPLE APPARATUS FOR DISPOSING A POLLUTED GAS}MULTIPLE APPARATUS FOR DISPOSING A POLLUTED GAS}

도 1은 종래 기술에 따른 폐가스 처리장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of a waste gas treatment apparatus according to the prior art,

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 폐가스 처리장치의 개략도,2 is a schematic diagram of an apparatus for treating waste gas according to an embodiment of the present invention;

도 3은 도 2의 버너부 및 연소반응부를 확대하여 도시한 단면도,3 is an enlarged cross-sectional view of the burner part and the combustion reaction part of FIG. 2;

도 4는 도 2의 제 1 냉각부를 도시한 단면도,4 is a cross-sectional view of the first cooling unit of FIG. 2;

도 5는 도 2의 제 2 냉각부를 도시한 단면도, 그리고5 is a cross-sectional view illustrating a second cooling unit of FIG. 2, and

도 6은 도 2의 제 3 냉각부를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a third cooling unit of FIG. 2.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 버너 110 : 화염 생성단부100: burner 110: flame generating end

200 : 버너부 210 : 폐가스 유입구200: burner unit 210: waste gas inlet

220 : 질소 분사노즐 221 : 형공220: nitrogen injection nozzle 221: mold hole

300 : 연소반응부 310 : 다공형 실린더300: combustion reaction unit 310: porous cylinder

320 : 기체층 330 : 가스투입구320: gas layer 330: gas inlet

340 : 케이스 350 : 연소반응 챔버340 case 350 combustion chamber

400 : 습식반응부 410 : 제 1 냉각부400: wet reaction part 410: first cooling part

411 : 노즐 412 : 순환유로411: nozzle 412: circulation passage

413 : 투입구 420 : 제 2 냉각부413: inlet 420: second cooling unit

421 : 분사노즐 422 : 집진배관421: injection nozzle 422: dust collection pipe

423 : 가스배관 430 : 제 3 냉각부423 gas piping 430 third cooling unit

431 : 분사노즐 432 : 중화제431 injection nozzle 432 neutralizing agent

434 : U자형 배관 500 : 저수챔버434: U-shaped pipe 500: water storage chamber

510 : 레벨센서 600 : 바이패스 밸브510: level sensor 600: bypass valve

700 : 배수구700 drain

본 발명은 폐가스 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 폐가스의 연소반응 효율을 높이고 열산화 분해된 가스를 다중 처리하기 위한 다중 폐가스 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a waste gas treatment apparatus, and more particularly, to a multiple waste gas treatment apparatus for improving the combustion reaction efficiency of waste gas and multi-processing thermally oxidized and decomposed gas.

일반적으로 실리콘 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정을 반복 수행함으로서 반도체장치로 제작되고, 이들 반도체장치 제조공정 중 확산, 식각, 화학기상증착 등의 공정은 밀폐된 공정챔버 내부에 요구되는 공정가스를 공급하여 이들 공정가스로 하여금 웨이퍼 상에서 반응토록 하는 것이다.In general, a silicon wafer is manufactured as a semiconductor device by repeatedly performing processes such as photographing, diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metal deposition, and processes such as diffusion, etching, and chemical vapor deposition are closed processes in the manufacturing process of these semiconductor devices. The process gases required in the chamber are supplied to cause these process gases to react on the wafer.

이렇게 공정가스가 사용된 폐가스는 통상 유독성, 가연성 및 부식성 등 그 독성이 강한 것으로서, 이들 폐가스가 별도의 정화과정이 없이 외부로 유출될 경우 심각한 환경오염 및 안전사고의 위험을 초래하게 된다.The waste gas using the process gas is generally toxic, flammable and corrosive, and has high toxicity, and when these waste gases are leaked to the outside without any separate purification process, they cause serious environmental pollution and safety accidents.

예를 들어, 언급된 폐가스는 대표적인 반도체 박막 제조공정 중 하나인 CVD(CVD: Chemical Vapor Deposition) 공정에서는 다량의 실란, 디클로로 실란, 암모니아, 산화질소, 아르신, 포??, 디보론, 보론, 트리클로라이드 등과 같은 유독성 가스가 있으며, 이들은 반도체 공정중 미량만이 소모되고 대부분 폐가스 형태로 공정 설비로부터 배출되는데, 이와 같이 반도체 공정 후 발생한 폐가스는 앞서 언급한 바와 같이 매우 유독성이다.For example, the waste gas mentioned is a large amount of silane, dichloro silane, ammonia, nitric oxide, arsine, phosphorus, diboron, boron, There are toxic gases such as trichloride, and these are consumed only in trace amounts during the semiconductor process and are mostly emitted from the process equipment in the form of waste gases. Thus, the waste gases generated after the semiconductor process are very toxic as mentioned above.

이외에 플라즈마 강화 CVD, 플라즈마 애칭, 에피택시 증착 등과 같은 여러 반도체 공정들에서도 마찬가지로 각종 유독성 폐가스가 생성된다.In addition, various semiconductor processes such as plasma enhanced CVD, plasma nicking, epitaxy deposition, etc. generate similar toxic waste gases.

따라서, 각 제조설비에서 연결되는 폐가스 배출라인 상에는 배출되는 폐가스를 안전한 상태로 분해 또는 정화시키기 위한 스크러버 시스템이 설치된다.Therefore, a scrubber system for disassembling or purifying the waste gas discharged to a safe state is installed on the waste gas discharge line connected at each manufacturing facility.

이러한 스크러버 시스템의 폐가스 분해 방법은, 폐가스의 성질 즉, 일반 공기와 접촉하게 되면 폭발적으로 반응하는 성질과, 가열에 의해 연소되는 성질을 이용한 연소식 방법, 물에 용해되는 성질을 이용한 습식방법, 또는 가스 처리제와 반응하는 성질을 이용한 건식방법 및 상기 연소식에 건식과 습식을 병행하는 방법 등으로 구분되고 있다.The waste gas decomposition method of such a scrubber system is a combustion method using the properties of the waste gas, that is, explosive reaction when it comes into contact with general air, a property of burning by heating, a wet method using a property of dissolving in water, or It is divided into the dry method using the property which reacts with a gas treating agent, and the method of combining dry and wet with the said combustion type.

여기서, 상술한 연소식 방법과 가스 처리제를 이용한 건식 방법을 병행하여 수행하는 스크러버 시스템의 종래 기술에 대하여 첨부된 도 1을 참조하여 설명하기로 한다. Here, the prior art of the scrubber system which performs the above-described combustion method and the dry method using a gas treating agent will be described with reference to FIG. 1.

도 1에 도시된 바와 같이, 상술한 스크러버 시스템의 종래 구성을 살펴보면, 내부가 구획 형성된 캐비닛의 내부로 공정챔버에서 연장된 배관(1)이 연통하여 설치되고, 이 배관(1)의 단부는 소정 형상의 연소장치(2)에 연결된다.As shown in FIG. 1, when the conventional configuration of the above-described scrubber system is described, the pipe 1 extending from the process chamber is installed in communication with the inside of the cabinet in which the inside is partitioned, and the end of the pipe 1 is predetermined. It is connected to the combustion apparatus 2 of the shape.

이러한 연소장치(2)의 내부에는 배관(1)을 통해 유도되는 폐가스를 연소 분해하기 위해 열량을 제공하는 히터(3)가 내장 설치되어 있으며, 이 히터(3)의 가열에 의해 연소되는 폐가스는 연소장치(2)의 일측으로 연장 설치되는 다른 배관(4)을 통해 유도 배출된다. 또한, 연소장치(2)에서 산화되면서 생성된 산화물은 연소장치(2) 하부에 마련된 집진챔버(5)에 떨어져 저장된다.Inside the combustion device 2, a heater 3 is provided to provide heat to burn and decompose the waste gas induced through the pipe 1, and the waste gas combusted by the heating of the heater 3 Induction discharged through the other pipe (4) extending to one side of the combustion device (2). In addition, the oxide produced while being oxidized in the combustion device 2 is stored away in the dust collecting chamber 5 provided under the combustion device 2.

한편, 상술한 배관(4)의 단부는, 복수개의 가스 처리제가 내장된 카트리지 챔버(6)에 연통 연결되며, 이러한 카트리지 챔버(6)로 유입되는 공정가스 중 파우더 상태의 2차 생성물은 카트리지 챔버(6)의 가스처리제 표면에서 점착되거나 그 하부에 집진된다. On the other hand, the end of the pipe (4) described above is connected to the cartridge chamber (6) in which a plurality of gas treating agent is embedded, the powder of the secondary product flows into the cartridge chamber (6) cartridge chamber It sticks on the gas treating agent surface of (6), or it collects below it.

또한, 미연소 또는 미반응된 상태의 폐가스는 카트리지 챔버를 통과하는 과정에서 내부에 충진된 가스처리제와 반응하여 흡착, 변환되어 카트리지 챔버의 다른 일측으로 연통하는 배관(7)을 통해 배기덕트로 유동하는 구성을 이룬다.In addition, the unburned or unreacted waste gas flows into the exhaust duct through a pipe (7) that reacts with, and is converted to, the gas treating agent filled therein in communication with the other side of the cartridge chamber in the course of passing through the cartridge chamber. To achieve the configuration.

이와 같은 구성으로 이루어진 스크러버 시스템에 있어서, 연소장치 내부로 배관을 통하여 유입되는 폐가스는 히터(3)에 의해 열량이 제공되는 부위를 통과하는 과정에서 연소된다.In the scrubber system having such a configuration, the waste gas introduced into the combustion apparatus through the pipe is burned in the process of passing through the portion where the heat amount is provided by the heater 3.

하지만, 반도체 제조공정에서 발생되는 폐가스에는 강한 부식력을 갖는 불소계 가스가 포함되어 있다. 불소계 가스는 무해한 가스를 형성하도록 섭씨 1000도 이상의 고온에서 분해 되는바, 종래의 기술에 따른 히터에 의해 섭씨 1000도를 생성하고 유지하기에는 부적절하다. 이러한 이유로 완전 연소되지 않은 폐가스 내의 불소계 가스는 높은 부식력을 가지게 되어, 폐가스 연소장치가 장시간동안 사용되 면 연소장치(2)의 내부를 손상시키는 문제점이 있었다.However, the waste gas generated in the semiconductor manufacturing process contains a fluorine-based gas having a strong corrosion force. The fluorine-based gas is decomposed at a high temperature of 1000 degrees Celsius or more to form a harmless gas, which is inappropriate to generate and maintain 1000 degrees Celsius by a heater according to the prior art. For this reason, the fluorine-based gas in the waste gas which is not completely burned has a high corrosive force, and when the waste gas combustion device is used for a long time, there is a problem of damaging the inside of the combustion device 2.

또한, 히터(3)에 의해 생성되는 발화구역은 저밀도로 형성되어 지속적으로 유입되는 폐가스를 고효율로 연소 처리하기에는 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.In addition, the ignition zone generated by the heater (3) has a problem that the efficiency is low to burn the waste gas continuously introduced at a high density to a high efficiency.

그리고, 연소장치(2)에 의해 열산화 분해된 가스가 카트리지 챔버(6)로 연통되면서 카트리지 챔버(6) 내의 가스처리제 표면에 점착되어 어느 정도 정화된 가스가 외부로 배출된다. 이러한 과정을 거치면서 가스처리제에는 과도하게 많은 점착물이 집진되고, 과도한 집진물이 쌓인 가스처리제는 그 기능이 용이하지 않으며, 대기로 배출하기에는 그 정화도가 우수하지 못한 문제점이 있었다.The gas thermally decomposed by the combustion device 2 communicates with the cartridge chamber 6 and adheres to the surface of the gas treating agent in the cartridge chamber 6 to discharge the purified gas to the outside. Through such a process, excessively many adhesives are collected in the gas treating agent, and the gas treating agent in which excessive dust is accumulated is not easy to function, and there is a problem in that its purity is not excellent to discharge to the atmosphere.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점들을 해결하기 위해 창출된 것으로써, 본 발명의 목적은 연소반응실의 열효율을 높이고 연소반응실에서 열산화 분해된 가스를 다중으로 정화 처리함으로써, 폐가스의 연소효율을 향상시키고 대기로 배출되는 가스의 정화도를 향상시키기 위한 다중 폐가스 처리장치를 제공하는 데 있다.Therefore, the present invention was created to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the thermal efficiency of the combustion reaction chamber and to purify the thermally decomposed gas in the combustion reaction chamber by multiple purification, thereby improving the combustion efficiency of the waste gas. It is to provide a multiple waste gas treatment device for improving the degree of purification of the gas discharged to the atmosphere.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 폐가스를 연소하여 산화 분해시키고 외부압력에 민감하지 않은 화염을 생성하기 위한 다수 버너, 상기 다수 버너의 화염 생성단부가 연소반응 챔버를 향하여 연결되고, 일측에 폐가스유입구가 형성되는 버너부, 상기 버너부가 상기 연소반응 챔버와 소통되어 결합하며, 상기 연소반응 챔버의 측벽에 기체층이 구비된 연소반응부, 상기 연소반응부에서 열산화 분해된 가스를 다중 정화처리하기 위한 습식 반응부 및 상기 습식반응조의 하측에 설치 되어 사용된 냉각수와 집진물을 포집하기 위한 저수챔버를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a plurality of burners for oxidatively decomposing waste gas and generating a flame which is not sensitive to external pressure, and a flame generating end of the plurality of burners is connected toward the combustion reaction chamber, and waste gas is disposed at one side. A burner part having an inlet formed therein, the burner part communicating with the combustion reaction chamber to be coupled to each other, a combustion reaction part having a gas layer on the side wall of the combustion reaction chamber, and multi-purifying the gas thermally decomposed in the combustion reaction part It includes a wet reaction unit and a water storage chamber for collecting the cooling water and the dust used to be installed below the wet reactor.

바람직하게는, 상기 다수 버너는 고밀도의 화염을 방사하기 위하여 하나의 안정된 불꽃이 형성되도록 설치하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the plurality of burners are characterized in that one stable flame is formed to form a high-density flame.

바람직하게는, 상기 버너부는 상기 다수 버너의 화염 생성단부가 상기 버너부의 내측으로 돌출되어 결합하고, 상기 폐가스유입구를 통해 유입되는 폐가스를 상기 연소반응 챔버로 급속히 유동시키기 위한 질소가 분사되는 형공이 상기 다수 버너의 둘레에 형성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the burner part is a flame-producing end of the plurality of burners are combined to protrude to the inside of the burner portion, the mold hole is injected nitrogen for rapid flow of the waste gas flowing through the waste gas inlet to the combustion reaction chamber It is characterized by being formed around a plurality of burners.

바람직하게는, 상기 연소반응부는 상기 연소반응 챔버의 측벽을 이루는 다공형 실린더 및 상기 다공형 실린더와 일정한 간격만큼 이격되어 빈 공간을 형성하고 소정의 위치에 가스투입구가 있으며, 상기 연소반응부의 외측을 이루는 케이스를 구비하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the combustion reaction unit is spaced apart from the porous cylinder forming the side wall of the combustion reaction chamber and the porous cylinder by a predetermined interval to form an empty space and a gas inlet at a predetermined position, the outer side of the combustion reaction unit It is characterized by including a case to form.

바람직하게는, 상기 가스투입구는 상기 연소반응 챔버로 유동되는 폐가스를 상기 다수 버너의 화염에 의해 형성되는 발화구역으로 집중시키기 위한 소정의 가스가 투입되는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.Preferably, the gas inlet is a multiple waste gas processing apparatus, characterized in that a predetermined gas is introduced to concentrate the waste gas flowing into the combustion reaction chamber to the ignition zone formed by the flame of the plurality of burners.

바람직하게는, 상기 습식 반응부는 외측벽에 유입되는 냉각수가 순환되면서 상기 외측벽과 유입 가스를 습식 냉각 처리하기 위한 제 1 냉각부, 상기 제 1 냉각부를 거친 고온의 산화물 및 부생성가스를 습식 냉각 처리하기 위한 분사노즐이 구비된 제 2 냉각부 및 상기 제 2 냉각부를 거친 수용성가스의 부산물을 제거하기 위한 중화제가 관형 통로상에 배치되고, 상기 수용성가스를 재 습식 냉각 처리하기 위한 분사노즐이 구비된 제 3 냉각부를 포함한다.Preferably, the wet reaction unit is configured to wet-cool the high temperature oxide and the by-product gas passing through the first cooling unit and the first cooling unit to wet-cool the outer wall and the inlet gas while cooling water flowing into the outer wall is circulated. A second cooling unit having an injection nozzle for discharging and a neutralizing agent for removing the by-product of the water-soluble gas passing through the second cooling unit on the tubular passage, and having a spray nozzle for re-wet cooling the water-soluble gas. It includes 3 cooling parts.

바람직하게는, 제 3 냉각부는 유입되는 부 생성가스를 반복하여 정화 처리하기 위해 상기 중화제가 다수 배치된 U자형 배관으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Preferably, the third cooling unit comprises a U-shaped pipe in which a plurality of neutralizing agents are disposed to repeatedly purify the incoming secondary gas.

더욱 바람직하게는, 상기 중화제는, 불소계 가스를 중화시키기 위한 불소계 중화제인 것을 특징으로 한다.More preferably, the neutralizing agent is a fluorine-based neutralizing agent for neutralizing the fluorine-based gas.

이하, 첨부도면들을 참조하여 본 발명에 따른 폐가스 처리장치의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the waste gas treatment apparatus according to the present invention with reference to the accompanying drawings in more detail.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 폐가스 처리장치를 개략하여 도시한 도면이다.2 is a view schematically showing a waste gas treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 폐가스 처리장치는 반도체 공정에서 발생되는 폐가스를 연소시키기 위한 다수 버너(100), 다수 버너(100)가 결합되고 적어도 일측의 곳에 폐가스 유입구(210)가 형성된 버너부(200), 유입되는 폐가스가 다수 버너(100)로 생성되는 화염에 의해 연소 산화 분해되는 연소반응부(300), 열산화 분해된 가스와 산화물을 다중 정화처리 하기 위한 습식반응부(400), 습식반응부(400)의 하측에 설치되어 사용된 폐수와 집진물을 포집하기 위한 저수챔버(500)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the waste gas treating apparatus includes a plurality of burners 100 and a plurality of burners 100 for combusting waste gas generated in a semiconductor process, and a burner part having a waste gas inlet 210 formed at at least one side thereof. 200, a combustion reaction unit 300 in which the incoming waste gas is burned and oxidatively decomposed by a flame generated by a plurality of burners 100, a wet reaction unit 400 for multiple purifying thermally oxidized gas and oxide, and a wet type. It is installed below the reaction unit 400 includes a water storage chamber 500 for collecting used wastewater and dust.

또한, 폐가스 처리장치는 버너부(200)의 폐가스 유입구(210)에 폐가스를 공급하기 위한 폐가스 공급배관(601)이 연결되고, 폐가스 공급배관(601)은 웨이퍼 제조 및 회로설계, 웨이퍼 가공, 조립 및 검사 등으로 이루어지는 여러 반도체 제조 공정을 위한 각 공정 라인으로부터 발생하는 폐가스를 처리장치로 배출하는 배관 (601)으로써, 공정 라인이 확장되어 폐가스 공급배관(601)의 추가 연결을 용이하게 하고, 각 공정 라인으로부터 공급되는 폐가스를 공급 및 차단시키기 편리한 바이패스 밸브(600)가 더 포함되는 것이 바람직하다.In addition, the waste gas treatment device is connected to the waste gas supply pipe 601 for supplying the waste gas to the waste gas inlet 210 of the burner unit 200, the waste gas supply pipe 601 is a wafer manufacturing and circuit design, wafer processing, assembly And a pipe 601 for discharging the waste gas generated from each process line for various semiconductor manufacturing processes, such as inspection and the like, to the processing apparatus, whereby the process line is expanded to facilitate further connection of the waste gas supply pipe 601. It is preferable to further include a bypass valve 600 which is convenient to supply and shut off the waste gas supplied from the process line.

다수 버너(100)는 반도체 공정에서 생성되는 폐가스 중에서 불소계 가스는 섭씨 1000도 이상에서 분해 가능하고, 섭씨 600도에 근접한 온도에서는 높은 부식력을 가진 가스가 되어 연소반응 챔버(350)의 외벽을 부식시키는 특성이 있는바, 연소반응 챔버(350) 내측의 온도를 섭씨 1200도 내지 섭씨 1500도로 형성되도록 다수의 버너(100)로 구비된다.The plurality of burners 100 decomposes the fluorine-based gas in the waste gas generated in the semiconductor process at 1000 degrees Celsius or more, and becomes a gas having high corrosion force at a temperature close to 600 degrees Celsius to corrode the outer wall of the combustion reaction chamber 350. There is a characteristic to the bar, it is provided with a plurality of burners 100 to form a temperature inside the combustion reaction chamber 350 to 1200 degrees Celsius to 1500 degrees Celsius.

연소반응 챔버(350) 내측이 온도를 위와 같은 온도로 형성하여 유지시키기 위해서는 고속화염을 내는 버너(100)에 상대적으로 저가인 버너(100)를 3개로 구비하여 안정된 화염을 방사시키는 것이 바람직하다.In order to maintain the temperature inside the combustion reaction chamber 350 at the same temperature as above, it is preferable to provide a stable flame with three burners 100 having a relatively low cost to the burner 100 that emits a high speed flame.

또한, 폐가스 처리장치에 장착된 버너(100)에서 안정된 화염이 방사되어야 하는 이유는 방사되는 화염이 안정되지 않은 저밀도 화염에 유입되어 연소되는 폐가스가 저밀도로 인한 틈에 의해 완전히 연소되지 않는 것을 방지하고, 연소반응 챔버(350) 내에서 발생하는 압력에 의하여 방사되는 화염이 불안정함으로써, 폐가스를 연소하는 것에 장애 요소가 되는 것을 방지하기 위한 것이다.In addition, the reason that the stable flame should be radiated from the burner 100 mounted on the waste gas treatment device is to prevent the radiated flame from being completely burned by the gap due to the low density of the waste gas which is introduced into the unstable low density flame and burned. In order to prevent the flame emitted by the pressure generated in the combustion reaction chamber 350 from being unstable, it becomes an obstacle to burning the waste gas.

따라서, 본 실시예의 따라 3개로 구비된 버너(100)로부터 고밀도의 안정된 화염을 방사시키기 위하여, 각 버너(100)를 삼각형태로 배치하고 각 버너(100)의 불꽃 생성단부가 한점을 향하도록 설치하여 버너(100)의 점화시에 각 버너(100)의 불꽃이 함께 방사되어 하나의 안정된 불꽃을 형성하며 연소반응 챔버(350)의 압력 에 민감하지 않고 섭씨 1200도 내지 섭씨 1500도의 고온을 형성하는 화염이 방사될 수 있다.Therefore, in order to radiate a high-density and stable flame from three burners 100 according to the present embodiment, each burner 100 is disposed in a triangular shape and installed so that the flame generating end of each burner 100 faces one point. When the burner 100 is ignited, the flames of each burner 100 are radiated together to form a stable flame, and are not sensitive to the pressure of the combustion reaction chamber 350 to form a high temperature of 1200 degrees Celsius to 1500 degrees Celsius. Flames may be emitted.

아울러, 연소반응 챔버(350) 내에는 UV 센서가 구비되어 형성되는 화염을 검지함으로써, 연소반응 챔버(350) 내측에 형성된 화염을 온도를 파악할 수 있고 형성된 화염의 고온 유지가 가능하도록 구비되며, UV 센서는 버너부(200)에 돌출되어 결합된 각 버너(100)의 소정의 곳에 각각 설치되는 것이 더 바람직하다.In addition, by detecting the flame formed by the UV sensor is provided in the combustion reaction chamber 350, it is possible to grasp the temperature of the flame formed inside the combustion reaction chamber 350 and to maintain a high temperature of the flame formed, UV The sensor is more preferably installed in a predetermined place of each burner 100 protruding and coupled to the burner unit 200.

도 3은 도 2의 버너부(200) 및 연소반응부(300)를 확대하여 도시한 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view of the burner unit 200 and the combustion reaction unit 300 of FIG. 2.

도 3에 도시된 바와 같이, 버너부(200)는 다수 버너(100)의 화염 생성단부(110)가 내측으로 돌출되어 결합하고, 다수 버너(100)로부터 방사되는 화염에 의해 연소반응 챔버(350)에 발화구역을 형성하도록 하기 위하여 다수 버너(100)의 결합부위에 대칭되는 부위가 소통되는 구조로 될 수 있다.As shown in FIG. 3, the burner unit 200 is coupled to the flame generating end 110 of the plurality of burners 100 by protruding inward, and the combustion reaction chamber 350 by the flame radiated from the plurality of burners 100. In order to form a ignition zone in the) may be a structure in which a portion symmetrical to the coupling portion of the plurality of burners 100 is in communication.

상세하게는, 버너부(200)의 일측에 형성된 폐가스 유입구(210)를 통하여 유입되는 폐가스가 연소반응 챔버(350)로 급속히 유입되도록 함으로써, 폐가스 유입구(210)로 유입되는 폐가스가 다시 폐가스 유입구(210)를 통해 역류되는 것을 방지하고 유입된 폐가스를 연소반응 챔버(350)로 집중 유동시켜 고효율로 폐가스를 처리할 수 있다.In detail, by allowing the waste gas introduced through the waste gas inlet 210 formed at one side of the burner unit 200 to be rapidly introduced into the combustion reaction chamber 350, the waste gas introduced into the waste gas inlet 210 again waste gas inlet ( It is possible to prevent the backflow through the 210 and to flow the introduced waste gas into the combustion reaction chamber 350 to treat the waste gas with high efficiency.

따라서, 폐가스를 연소반응 챔버(350)로 집중 유입시키기 위해서는, 버너부(200)에 다수 버너(100)가 결합되는 결합 둘레에 형공(221)을 형성하고 질소를 형공(221)을 통해 투입시킴으로써, 연소되지 않는 질소가 버너부(200)에 돌출된 다수 버너(100)의 화염 생성단부(110)의 외측을 따라 연소반응 챔버(350)로 소정의 압력을 가지고 유동하면서 폐가스 유입구(210)로 유입되는 폐가스를 연소반응 챔버(350)로 유동되게 한다.Therefore, in order to concentrate the waste gas into the combustion reaction chamber 350, by forming a mold hole 221 around the coupling that the plurality of burners 100 are coupled to the burner unit 200 and by introducing nitrogen through the mold hole 221 Nitrogen not combusted flows with a predetermined pressure into the combustion reaction chamber 350 along the outside of the flame generating end 110 of the plurality of burners 100 protruding into the burner unit 200 to the waste gas inlet 210. The incoming waste gas flows into the combustion reaction chamber 350.

연소반응부(300)는 연소반응 챔버(350)가 형성되도록 측벽을 이루며, 연소반응 챔버(350)에 생성되는 화염에 견딜수 있는 내연성의 소재로 이루어진 다공형 실린더(310), 다공형 실린더(310)와 일정한 간격만큼 이격되어 빈공간이 형성되며 연소반응부(300)이 외측을 이루는 케이스(340)를 포함한다.Combustion reaction unit 300 has a side wall to form a combustion reaction chamber 350, the porous cylinder 310, porous cylinder 310 made of a flame-resistant material that can withstand the flame generated in the combustion reaction chamber 350 ) Is spaced apart by a predetermined interval to form an empty space, and the combustion reaction unit 300 includes a case 340 forming the outside.

케이스(340)의 소정의 곳에 가스투입구(330)가 형성되고, 가스투입구(330)로 소정의 가스가 투입되면서 케이스(340)와 다공형 실린더(310) 사이에 형성된 빈공간에 가스가 채워짐으로써, 연소반응 챔버(350) 내측의 열이 외부로 유출되지 않도록 한다.The gas inlet 330 is formed at a predetermined position of the case 340, and the gas is filled in the empty space formed between the case 340 and the porous cylinder 310 while a predetermined gas is introduced into the gas inlet 330. The heat inside the combustion reaction chamber 350 is prevented from leaking out.

또한, 빈 공간에 채워진 가스는 다시 실린더에 형성된 형공(221)을 관통하여 연소반응 챔버(350) 내로 소정의 압력으로 유동되면서 다수 버너(100)의 화염에 의해 형성되는 발화구역에 압박을 가하거나, 발화구역을 확장시킴으로써, 연소반응 챔버(350) 내부로 유입되는 폐가스의 대부분이 발화구역으로 집중 유입되도록 한다.In addition, the gas filled in the empty space passes through the hole 221 formed in the cylinder again and flows at a predetermined pressure into the combustion reaction chamber 350 to apply pressure to the ignition zone formed by the flame of the plurality of burners 100. By expanding the ignition zone, most of the waste gas flowing into the combustion reaction chamber 350 is concentrated in the ignition zone.

더욱 상세하게는, 케이스(340)의 가스투입구(330)에 연소반응을 활성화 시키지 않는 질소를 투입하여 케이스(340)와 다공형 실린더(310) 사이의 빈 공간을 질소가 채워져 질소층(320)이 형성되고, 질소층(320)에 있는 질소가 다공형 실린더(310)의 형공(221)을 관통하여 연소반응 챔버(350)로 소정의 압력으로 유입되면서 다수 버너(100)의 화염으로 형성되는 발화구역에 압박을 가함으로써, 버너(200)부로부터 유입되는 폐가스가 발화구역에 집중되는 구조이다.In more detail, nitrogen is added to the gas inlet 330 of the case 340 so as not to activate the combustion reaction to fill the empty space between the case 340 and the porous cylinder 310 so that the nitrogen layer 320 is filled. This is formed, the nitrogen in the nitrogen layer 320 is penetrated through the hole 221 of the porous cylinder 310 is introduced into the combustion reaction chamber 350 at a predetermined pressure is formed by the flame of the plurality of burners 100 By applying pressure to the ignition zone, the waste gas flowing from the burner 200 is concentrated in the ignition zone.

또한, 케이스(340)의 가스투입구(330)에 연소반응을 활성화 시키는 산소를 투입하여 케이스(340)와 다공형 사이의 빈 공간을 산소로 채워진 가스층(320)이 형성되고, 산소가 다공형 실린더(310)의 형공(221)을 통하여 연소반응 챔버(350)의 내측으로 소정의 압력으로 유입되면서 생성되어진 화염의 연소반응을 증폭시켜 연소반응 챔버(350)의 발화구역을 확장하여 버너부(200)로부터 유입되는 폐가스를 연소시키는 것도 바람직하다.In addition, a gas layer 320 filled with oxygen is formed in the empty space between the case 340 and the porous form by injecting oxygen activating a combustion reaction into the gas inlet 330 of the case 340, and the oxygen cylinder is porous. Through the hole 221 of the 310, the combustion reaction of the generated flame is amplified by flowing into the combustion reaction chamber 350 at a predetermined pressure to expand the ignition zone of the combustion reaction chamber 350 to burner 200. It is also preferable to combust the waste gas flowing from).

그리고, 케이스(340)의 가스투입구(330)에 질소와 산소의 혼합기체를 투입함으로써, 가스층(320)에 혼합기체가 채워지고 연소반응 챔버(350)에 혼합기체가 소정의 압력으로 유입되면서 연소반응 챔버(350) 내의 발화구역 이외에는 질소가 채워지고, 산소에 의하여 발화구역이 확장되면서 일정한 발화구역이 형성되어 유입되는 폐가스가 발화구역에 집중되도록 하는 것이 더 바람직하다.Then, by mixing a mixture of nitrogen and oxygen into the gas inlet 330 of the case 340, the mixed gas is filled in the gas layer 320 and the mixed gas flows into the combustion reaction chamber 350 at a predetermined pressure to burn In addition to the ignition zone in the reaction chamber 350, it is more preferable that nitrogen is filled, and the ignition zone is expanded by oxygen to form a constant ignition zone so that the incoming waste gas is concentrated in the ignition zone.

아울러, 연소반응부(300)의 다공형 실린더(310)는 세라믹 소재로 이루어지고, 케이스(340)는 스테인레스 스틸 소재로 이루어질 수 있다.In addition, the porous cylinder 310 of the combustion reaction unit 300 is made of a ceramic material, the case 340 may be made of stainless steel material.

위와 같은 구성에 의하여 열산화 분해된 가스와 산화물을 다중 정화 처리하기 위한 습식반응부(400)가 연소반응부(300)에 연결된다.By the above configuration, the wet reaction unit 400 for multiple purifying the thermally oxidized gas and the oxide is connected to the combustion reaction unit 300.

습식반응부(400)는 연소반응부(300)의 하단에 연결되어 연소반응부(300)에서 열산화 분해된 부 생성가스를 1차적으로 습식 냉각 처리하기 위한 제 1 냉각부(410), 제 1 냉각부(410)를 거친 고온의 산화물과 부 생성가스를 냉각수를 분사하 는 방식으로 재 습식 냉각처리하기 위한 제 2 냉각부(420), 제 2 냉각부(420)를 거친 수용성가스를 다중으로 정화 처리하기 위한 제 3 냉각부(430)를 포함한다.The wet reaction unit 400 is connected to the lower end of the combustion reaction unit 300 to firstly cool the oxidatively-produced secondary gas generated in the combustion reaction unit 300 by wet cooling. 1 The second cooling unit 420, the second cooling unit 420 for the re-wet cooling process to the high-temperature oxide and the by-product gas through the cooling unit 410 by spraying the cooling water multiplex And a third cooling unit 430 for purifying.

도 4는 도 2의 제 1 냉각부(410)를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating the first cooling unit 410 of FIG. 2.

도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 냉각부(410)의 구조는 외측벽에 외부로부터 냉각수가 유입되기 위한 노즐(401)이 형성되고, 노즐(401)로부터 유입된 냉각수는 외측벽의 순환유로(412)를 거쳐 제 1 냉각부(410)의 투입구(413)를 통해 내부로 유입되는 과정이 반복됨으로써, 연소반응부(300)의 고온으로 형성되는 열분사로 인하여 제 1 냉각부(410)의 재질이 손상되는 것을 방지하고 유입되는 고온의 부 생성가스를 냉각시킨다. 또한, 냉각수가 지속적으로 순환되어 제 1 냉각부(410)의 내벽으로 유입됨으로써, 유입되는 산화물이 내벽에 고착되는 것을 방지하는 구조이다.As shown in FIG. 4, in the structure of the first cooling unit 410, a nozzle 401 for introducing coolant from the outside is formed on the outer wall, and the coolant introduced from the nozzle 401 is a circulation passage 412 on the outer wall. By repeating the process introduced into the interior through the inlet 413 of the first cooling unit 410, the material of the first cooling unit 410 due to the thermal spray formed at a high temperature of the combustion reaction unit 300 It prevents damage and cools the incoming hot by-product gas. In addition, the cooling water is continuously circulated to flow into the inner wall of the first cooling unit 410, thereby preventing the oxide from being fixed to the inner wall.

이러한 제 1 냉각부(410)의 구조는 반응부와 연소반응부(300)의 연결부위 및 연소반응부(300)와 제 1 냉각부(410)의 연결부위에도 설치되며, 다수 버너(100)에 의한 고온의 화염으로 인하여 연결부위가 손상되는 것을 방지하기 위함이다. 연결부위에 체결되는 제 1 냉각부(410)에 유입되는 냉각수는 지속적으로 공급되어 형성된 유로를 채워야 하는바, 고압으로 공급되는 것이 바람직하다.The structure of the first cooling unit 410 is also installed at the connection of the reaction unit and the combustion reaction unit 300 and the connection of the combustion reaction unit 300 and the first cooling unit 410, the plurality of burners 100 This is to prevent the connection part from being damaged due to the high temperature flame. Cooling water flowing into the first cooling unit 410 fastened to the connection portion should be continuously supplied to fill the flow path formed, it is preferably supplied at a high pressure.

또한, 연소반응부(300)와 연결되어 열산화된 부 생성가스를 습식 냉각처리하기 위한 제 1 냉각부(410)와 제 1 냉각부(410) 이하에 연결되는 습식반응부(400)에 유입되는 냉각수는 부 생성가스와 불필요한 화학반응이 일어나는 것을 방지하기 위하여 증류수로 공급되는 것이 바람직하다.In addition, the first cooling unit 410 and the wet reaction unit 400 connected to the first cooling unit 410 and the first cooling unit 410 for wet cooling the thermally oxidized secondary product gas connected to the combustion reaction unit 300 are introduced. Cooling water is preferably supplied to the distilled water in order to prevent unnecessary chemical reactions with the by-product gas.

도 5는 도 2의 제 2 냉각부(420)를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating the second cooling unit 420 of FIG. 2.

도 5에 도시된 바와 같이, 제 2 냉각부(420)는 제 1 냉각부(410)에 배관피팅(402)으로 연결되며, 일측에 장착된 분사노즐(421)이 제 1 냉각부(410)를 거친 부 생성가스와 산화물에 냉각수를 분사함으로써, 고온의 부 생성가스와 산화물을 재 냉각하고, 부 생성가스 중 수용성 가스를 습식 정화처리하여 생성된 부산물과 연소반응부(300)에서 생성된 산화물이 제 2 냉각부(420) 하단에 형성된 관형통로로 유입되어 저수챔버(500)로 집진되는 구조이다.As shown in FIG. 5, the second cooling unit 420 is connected to the first cooling unit 410 by a pipe fitting 402, and the injection nozzle 421 mounted at one side thereof is the first cooling unit 410. Cooling water is injected into the by-product gas and the oxide which has passed through, thereby recooling the by-product and the oxide of the high-temperature by-product and the oxide produced by the combustion reaction unit 300 by wet purifying the water-soluble gas in the by-product. It is a structure that is introduced into the tubular passage formed at the lower end of the second cooling unit 420 is collected in the water storage chamber (500).

도 6은 도 2의 제 3 냉각부(430)를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating the third cooling unit 430 of FIG. 2.

도 6에 도시된 바와 같이, 제 3 냉각부(430)는 제 2 냉각부(420)에 연결되며, 제 2 냉각부(420)에서 습식 정화처리되지 않은 부 생성가스를 재 습식처리 하기 위한 다수의 분사노즐(421), 부 생성가스에 포함된 분말을 제거하기 위한 중화제(432)를 포함한다.As illustrated in FIG. 6, the third cooling unit 430 is connected to the second cooling unit 420, and a plurality of third cooling units 420 may be used to re-wet the non-wet purified secondary product gas in the second cooling unit 420. Injection nozzle 421, and a neutralizer 432 for removing the powder contained in the by-product gas.

또한, 부 생성가스의 정화도를 높이기 위해 반복적인 습식 처리와 중화작업을 하기 편리한 U자형 배관(434)으로 구비되는 것이 바람직하다. 이러한 U자형 배관(434)이 다수 배치되며 더욱 향상된 정화설비의 구축이 가능해진다. 배관의 관형 통로상에 배치된 다수의 중화제(432)는 불소계 가스를 중화시키기 위한 불소계 중화제(432)를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, in order to increase the degree of purification of the secondary product gas, it is preferable that the U-shaped pipe 434 is provided with a convenient wet treatment and neutralization operation. A plurality of such U-shaped pipes 434 are arranged, it is possible to build an improved purification facility. The plurality of neutralizers 432 disposed on the tubular passage of the pipe preferably uses a fluorine-based neutralizer 432 for neutralizing the fluorine-based gas.

관형 통로에 다수의 중화제(432)가 배치된 각 부위에는 증류수를 분사하는 분사노즐(421)이 각각 배치되어 중화제(432)에 의해 부 생성가스를 정화 처리하는 기능이 더욱 향상된다.Injection nozzles 421 for injecting distilled water are respectively disposed in each of the portions in which the plurality of neutralizing agents 432 are disposed in the tubular passages, thereby further improving the function of purifying the by-product gas by the neutralizing agent 432.

또한, 제 3 냉각부(430)의 하단을 향한 관형통로는 정화 처리되는 과정에서 생성된 부산물이 집진되는 저수챔버(500)와 연결된다. 저수챔버(500)에는 챔버 내의 수위를 조절하기 위한 레벨센서(510)가 구비되며, 레벨센서(510)는 부력을 이용한 센서, 근접센서 및 포토센서 중 어느 하나로 구비되는 것이 바람직하다.In addition, the tubular passage toward the lower end of the third cooling unit 430 is connected to the reservoir chamber 500 in which the by-products generated during the purification process are collected. The water storage chamber 500 is provided with a level sensor 510 for adjusting the water level in the chamber, the level sensor 510 is preferably provided with any one of a sensor, a proximity sensor and a photo sensor using buoyancy.

이러한 구성으로 인하여 반도체 공정과정을 마친 폐가스를 연소하고, 열산화 분해된 가스를 정화 처리한 가스를 배기구(700)를 통해 외부로 배출하게 된다.Due to this configuration, the waste gas after the semiconductor process is combusted, and the gas which has been purged of the thermal oxidatively decomposed gas is discharged to the outside through the exhaust port 700.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할수 있을 것이다. Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.

따라서, 본 발명에서는 연소반응실에 형성되는 화염으로 인한 발화구역으로 폐가스가 고밀도로 유입되고, 발화구역으로 유입된 여러 종류의 폐가스를 열산화 분해시킨 후 여러 경로의 정화설비를 거치게 함으로써, 많은 양의 폐가스를 빠른 시간 내에 고효율로 연소처리하고 대기로 배출되는 가스의 정화도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Therefore, in the present invention, waste gas flows into the ignition zone due to the flame formed in the combustion reaction chamber at high density, and thermally decomposes various kinds of waste gases introduced into the ignition zone, and then passes through various paths of purification facilities. It has the advantage of improving the purification of the gas discharged to the atmosphere and combustion treatment of waste gas of high efficiency within a short time.

Claims (14)

폐가스를 연소하여 산화 분해시키고 외부압력에 민감하지 않은 화염을 생성하기 위한 다수 버너;A plurality of burners for combusting the waste gas to oxidatively decompose and produce a flame insensitive to external pressure; 상기 다수 버너의 화염 생성단부가 연소반응 챔버를 향하여 연결되고, 일측에 폐가스유입구가 형성되는 버너부;A burner part having a flame generating end of the plurality of burners connected to a combustion reaction chamber and having a waste gas inlet formed at one side thereof; 상기 버너부가 상기 연소반응 챔버와 소통되어 결합하며, 상기 연소반응 챔버의 측벽에 기체층이 구비된 연소반응부;A combustion reaction unit in which the burner unit communicates with the combustion reaction chamber and is coupled to the burner unit, and a gas layer is provided on a side wall of the combustion reaction chamber; 상기 연소반응부에서 열산화 분해된 가스를 다중 정화처리하기 위한 습식 반응부; 및 A wet reaction part for multi-purifying the gas thermally oxidized in the combustion reaction part; And 상기 습식반응조의 하측에 설치되어 사용된 냉각수와 집진물을 포집하기 위한 저수챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.Multiple waste gas treatment apparatus, characterized in that it comprises a water storage chamber for collecting the cooling water and the dust collection is used installed below the wet reactor. 청구항 1에 있어서, 상기 다수 버너는, 고밀도의 화염을 방사하기 위하여 하나의 안정된 불꽃이 형성되도록 설치하는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.The multiple waste gas treatment apparatus according to claim 1, wherein the plurality of burners are installed such that one stable flame is formed to radiate a high density flame. 청구항 1에 있어서, 상기 버너부는, 상기 다수 버너의 화염 생성단부가 상기 버너부의 내측으로 돌출되어 결합하고, 상기 폐가스유입구를 통해 유입되는 폐가스를 상기 연소반응 챔버로 급속히 유동시키기 위한 질소가 분사되는 형공이 상기 다 수 버너의 둘레에 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.The burner part of claim 1, wherein a flame generating end of the plurality of burners is coupled to the inner part of the burner part, and nitrogen is injected for rapidly flowing the waste gas flowing through the waste gas inlet to the combustion reaction chamber. Multiple waste gas treatment apparatus, characterized in that the ball is formed around the plurality of burners. 청구항 1에 있어서, 상기 연소반응부는, 상기 연소반응 챔버의 측벽을 이루는 다공형 실린더; 및The method of claim 1, wherein the combustion reaction unit, the porous cylinder forming a side wall of the combustion reaction chamber; And 상기 다공형 실린더와 일정한 간격만큼 이격되어 빈 공간을 형성하고 소정의 위치에 가스투입구가 있으며, 상기 연소반응부의 외측을 이루는 케이스를 구비하는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.Multiple waste gas treatment apparatus characterized in that it is spaced apart from the porous cylinder by a predetermined interval to form an empty space and the gas inlet at a predetermined position, the case forming the outside of the combustion reaction unit. 청구항 4에 있어서, 상기 다공형 실린더는, 세라믹 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.The multiple waste gas treatment apparatus according to claim 4, wherein the porous cylinder is made of a ceramic material. 청구항 4에 있어서, 상기 케이스는 스테인레스 스틸 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.The apparatus of claim 4, wherein the case is made of stainless steel. 청구항 4에 있어서, 상기 가스투입구는 상기 연소반응 챔버로 유동되는 폐가스를 상기 다수 버너의 화염에 의해 형성되는 발화구역으로 집중시키기 위한 소정의 가스가 투입되는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.The multiple waste gas treating apparatus of claim 4, wherein the gas inlet is provided with a predetermined gas for concentrating the waste gas flowing into the combustion reaction chamber into an ignition zone formed by the flame of the plurality of burners. 청구항 7에 있어서, 상기 소정의 가스는, 질소, 산소, 및 질소와 산소 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.The multiple waste gas treatment apparatus according to claim 7, wherein the predetermined gas is any one of nitrogen, oxygen, and nitrogen and oxygen. 청구항 1에 있어서, 상기 습식 반응부는, 외측벽에 유입되는 냉각수가 순환되면서 상기 외측벽과 유입 가스를 습식 냉각 처리하기 위한 제 1 냉각부;The apparatus of claim 1, wherein the wet reaction unit comprises: a first cooling unit configured to wet-cool the outer wall and the inflow gas while the coolant flowing into the outer wall is circulated; 상기 제 1 냉각부를 거친 고온의 산화물 및 부 생성가스를 습식 냉각 처리하기 위한 분사노즐이 구비된 제 2 냉각부; 및A second cooling unit having a spray nozzle for wet cooling the high temperature oxide and the by-product gas passing through the first cooling unit; And 상기 제 2 냉각부를 거친 수용성가스의 부산물을 제거하기 위한 중화제가 관형 통로상에 배치되고, 상기 수용성가스를 재 습식 냉각 처리하기 위한 분사노즐이 구비된 제 3 냉각부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.The multi-waste gas, characterized in that the neutralizing agent for removing the by-product of the water-soluble gas through the second cooling unit is disposed on the tubular passage, and the third cooling unit is provided with a spray nozzle for re-cooling the water-soluble gas. Processing unit. 청구항 9에 있어서, 상기 제 1 냉각부의 유입 냉각수는 고압으로 공급되는 냉각수인 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.10. The apparatus of claim 9, wherein the inlet cooling water of the first cooling unit is a cooling water supplied at a high pressure. 청구항 9에 있어서, 제 3 냉각부는, 유입되는 부 생성가스를 반복하여 정화 처리하기 위해 상기 중화제가 다수 배치된 U자형 배관으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.The multiple waste gas treatment apparatus according to claim 9, wherein the third cooling unit is formed of a U-shaped pipe in which a plurality of neutralizing agents are disposed in order to repeatedly purify the incoming secondary gas. 청구항 9 또는 청구항 11에 있어서, 상기 중화제는, 불소계 가스를 중화시키기 위한 불소계 중화제인 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.The multiple waste gas treating apparatus according to claim 9 or 11, wherein the neutralizing agent is a fluorine-based neutralizing agent for neutralizing the fluorine-based gas. 청구항 9에 있어서, 상기 제 2 냉각부 및 상기 제 3 냉각부는, 불필요한 화 학반응을 방지하기 위하여 증류수가 공급되는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치.10. The apparatus of claim 9, wherein the second cooling unit and the third cooling unit are supplied with distilled water in order to prevent unnecessary chemical reactions. 청구항 1에 있어서, 상기 저수챔버에는 챔버 내의 수위를 조절하기 위한 레벨센서가 구비되는 것을 특징으로 하는 다중 폐가스 처리장치The multiple waste gas treatment apparatus of claim 1, wherein the water storage chamber is provided with a level sensor for adjusting the water level in the chamber.
KR1020050061280A 2005-07-07 2005-07-07 Multiple apparatus for disposing a polluted gas KR100717730B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050061280A KR100717730B1 (en) 2005-07-07 2005-07-07 Multiple apparatus for disposing a polluted gas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050061280A KR100717730B1 (en) 2005-07-07 2005-07-07 Multiple apparatus for disposing a polluted gas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070006183A true KR20070006183A (en) 2007-01-11
KR100717730B1 KR100717730B1 (en) 2007-05-11

Family

ID=37871476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050061280A KR100717730B1 (en) 2005-07-07 2005-07-07 Multiple apparatus for disposing a polluted gas

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100717730B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100833348B1 (en) * 2007-01-12 2008-05-28 유니셈(주) System for supplying waste organic material
KR20170028653A (en) * 2015-09-04 2017-03-14 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 Integrated Semiconductor Waste Gas Purification Apparatus
KR102023950B1 (en) * 2018-10-23 2019-09-23 엠에이티플러스 주식회사 Apparatus for treating waste gas
KR20190110820A (en) * 2018-03-21 2019-10-01 우성이엔디주식회사 Trasfer for dilution of exhaust gas and exhaust gas dilution apparatus having the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100967839B1 (en) * 2008-01-04 2010-07-05 유니셈(주) Scrubber
KR100998853B1 (en) * 2008-08-14 2010-12-08 유니셈(주) The waste gas scrubber
KR101096111B1 (en) 2010-10-14 2011-12-19 유니셈(주) Waste air treatment apparatus for led process
KR102250066B1 (en) 2020-02-17 2021-05-10 김홍석 Reduce to POWDER GENERATIONDEVICE inside Vacuum line of PROCES CHAMBER OF SEMICONDUCTOR AND FPD

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4497726B2 (en) * 1998-12-01 2010-07-07 株式会社荏原製作所 Exhaust gas treatment equipment
KR100496206B1 (en) * 2002-04-26 2005-06-20 유니셈 주식회사 Effluent Management System and The Method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100833348B1 (en) * 2007-01-12 2008-05-28 유니셈(주) System for supplying waste organic material
KR20170028653A (en) * 2015-09-04 2017-03-14 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 Integrated Semiconductor Waste Gas Purification Apparatus
US9956525B2 (en) 2015-09-04 2018-05-01 Global Standard Technology Co., Ltd. Apparatus for purifying waste gases for integrated semiconductor
KR20190110820A (en) * 2018-03-21 2019-10-01 우성이엔디주식회사 Trasfer for dilution of exhaust gas and exhaust gas dilution apparatus having the same
KR102023950B1 (en) * 2018-10-23 2019-09-23 엠에이티플러스 주식회사 Apparatus for treating waste gas

Also Published As

Publication number Publication date
KR100717730B1 (en) 2007-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100717730B1 (en) Multiple apparatus for disposing a polluted gas
KR100822048B1 (en) Apparatus using plasma torch to treat the hazadous waste gas
KR100647997B1 (en) Waste gas treatment system
KR101175003B1 (en) The device for treatment to waste gas using to induction heater
KR20140023280A (en) Ammonia detoxification device
WO2015121890A1 (en) Exhaust gas treatment burner and exhaust gas treatment device using same
KR200424378Y1 (en) Apparatus using plasma torch to treat the hazadous waste gas
KR101270961B1 (en) Gas Scrubber
KR101476606B1 (en) Low nox scrubber
KR200465435Y1 (en) Cooling Apparatus of Gas Scrubber
KR101077145B1 (en) Gas scrubber
KR20110043805A (en) Water cooled plasma reactor for exhaust gas
KR20190059129A (en) Gas treating apparatus
KR102147013B1 (en) Scrubber system and reactor structure used thereof
KR102544223B1 (en) Combustor for abatement of Process gases
JP4070698B2 (en) Exhaust gas supply method and backfire prevention device
KR100290706B1 (en) Apparatus for treating aqueous waste gas and method therefor
KR101200977B1 (en) Apparatus for burning noxious gas
KR20030035718A (en) A burner for burning brown-gas
KR100497059B1 (en) External oscillation cavity incinerator
KR200405302Y1 (en) Burning chamber of a exhausted gas purifying nevice
US20050175521A1 (en) Method for cleaning harmful materials in semiconductor waste gas
KR101504829B1 (en) Scrubber of removing Flammable Gas
KR20160002145A (en) Scrubber has a function freheating
RU2269060C2 (en) Plant for burning low-concentration combustible gas at pressure above atmospheric

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130506

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140404

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160406

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170412

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180412

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190410

Year of fee payment: 13