KR101077145B1 - Gas scrubber - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스 스크러버에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예는 처리가스가 유입되는 가스유입구가 형성되며 유입된 처리가스를 연소시키는 버닝챔버와, 이 버닝챔버의 일측에 적어도 1개 이상 설치되며 버닝챔버에 예열된 연소용 공기를 공급하는 예열챔버와, 버닝챔버의 하측에 설치되며 내부에는 처리가스의 진행방향을 안내하는 가스안내관이 설치되고 처리가스를 냉각시킴과 함께 처리가스에 포함된 유해물질을 여과하기 위해 적어도 1개 이상의 업소버가 내재되며 일측에는 냉각된 처리가스를 배출하기 위한 가스배출라인이 구비되는 냉각챔버와, 이 냉각챔버의 일측에 설치되어 1차 냉각된 처리가스를 더 냉각하는 보조냉각챔버와, 냉각챔버의 상측에 설치되며 단부에 설치된 분사노즐에 의해서 냉각챔버의 내부로 냉각수가 분사되도록 하는 제1순환파이프와 냉각챔버의 하측에 설치되며 냉각챔버의 내부에 분사된 냉각수가 배출되도록 하는 순환파이프와 냉각챔버의 일측에 설치되며 순환파이프로 배출되는 냉각수를 제1순환파이프를 통해서 냉각챔버의 상부로 끌어올리는 순환펌프와 일측은 순환펌프에 연결되고 타측은 보조냉각챔버의 내부에 설치되며 단부에 설치된 분사노즐에 의해서 보조냉각챔버의 내부로 냉각수를 분사하는 제2순환파이프가 구비된 냉각수 순환장치를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버를 제공한다.The present invention relates to a gas scrubber, and an embodiment of the present invention is provided with a gas inlet through which a processing gas is introduced, and a burning chamber for burning the introduced processing gas, and at least one burning chamber installed at one side of the burning chamber. The preheating chamber for supplying the combustion air preheated to the chamber and the gas guide tube installed in the lower side of the burning chamber and guiding the processing direction of the processing gas are installed therein, and the processing gas is cooled and the harmful gas contained in the processing gas. At least one absorber is embedded to filter the material, and on one side there is a cooling chamber provided with a gas discharge line for discharging the cooled processing gas, and one side of the cooling chamber further cools the first cooled processing gas. And an auxiliary cooling chamber to be installed above the cooling chamber and an injection nozzle disposed at an end portion to allow the cooling water to be injected into the cooling chamber. 1 is installed on the lower side of the circulation pipe and the cooling chamber and installed on one side of the circulation pipe and the cooling chamber to discharge the cooling water injected into the cooling chamber and the cooling water discharged by the circulation pipe through the first circulation pipe to the upper portion of the cooling chamber. Cooling water circulation system equipped with a second circulation pipe for injecting the cooling water into the auxiliary cooling chamber by the injection nozzle installed at the other end is installed in the auxiliary cooling chamber and the other side is connected to the circulation pump and the other side is drawn up to the circulation pump It provides a gas scrubber comprising a.

본 발명의 일실시예에 의하면, 한번에 다수의 제조 장비와 연결하여 대용량의 가스를 처리할 수 있고, 냉각수를 재순환시켜 사용함으로써 비용을 절감할 수 있으며, 처리가스의 완전연소를 유도하여 연소 효율을 향상시킬 수 있다.According to one embodiment of the present invention, it is possible to process a large amount of gas by connecting to a plurality of manufacturing equipment at a time, and to reduce the cost by recycling the cooling water used, inducing the complete combustion of the processing gas to improve the combustion efficiency Can be improved.

가스 스크러버, 버닝챔버, 예열챔버, 냉각챔버, 업소버, 냉각수 Gas Scrubber, Burning Chamber, Preheat Chamber, Cooling Chamber, Absorber, Coolant

Description

가스 스크러버{GAS SCRUBBER}Gas Scrubber {GAS SCRUBBER}

본 발명은 처리가스, 특히 반도체 제조 공정시 발생하는 발화성 가스 또는 유독성 가스를 포함하는 배기가스를 정화 처리하여 배출하는 가스 스크러버(Gas Scrubber)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas scrubber for purifying and exhausting a process gas, particularly an exhaust gas containing a ignitable gas or a toxic gas generated in a semiconductor manufacturing process.

즉, 본 발명은 화학공업, 반도체 또는 LCD 제조 공업 및 여타 여러 산업분야에서 발생하는 염화수소, 불화수소, 황산화물, 질소산화물, 황화수소, 아황산가스 등의 산성가스 성분을 함유한 각종 유해성 가스를 효율적으로 연소 및 제거하기 위한 가스 스크러버에 관한 것이다.That is, the present invention efficiently removes various harmful gases containing acid gas components such as hydrogen chloride, hydrogen fluoride, sulfur oxides, nitrogen oxides, hydrogen sulfide, and sulfurous acid gas generated in the chemical industry, semiconductor or LCD manufacturing industry and many other industrial fields. A gas scrubber for combustion and removal.

반도체 소자를 생산하는 공정 중에는 독성 가스를 배출하는 공정이 많다. 예를 들면, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정, 이온주입(ion implantation) 공정, 식각 공정, 확산 공정 등에 사용되는 SiH4, SiH2, NO, AsH3, PH3, NH3, N2O, SiH2Cl2 등의 가스들이 사용되는데, 공정을 거치고 배출되는 가스들 은 여러 종류의 독성 물질을 함유하고 있다.In the process of producing a semiconductor device, there are many processes for emitting toxic gases. For example, SiH 4 , SiH 2 , NO, AsH 3 , PH 3 , NH 3 , N used in Chemical Vapor Deposition (CVD) process, ion implantation process, etching process, diffusion process, etc. Gases such as 2 O and SiH 2 Cl 2 are used, and the gases released through the process contain various types of toxic substances.

이런 독성 가스는 인체에 해로울 뿐만 아니라 가연성과 부식성도 있어 화재 등의 사고를 유발하기도 한다. These toxic gases are not only harmful to the human body but also flammable and corrosive, causing fires and other accidents.

또한, 이런 독성 가스가 대기로 방출되면 심각한 환경오염을 유발하므로 가스가 대기 중에 방출되기 전에 가스 스크러버를 통과하여 가스를 정화하는 공정을 거치게 된다.In addition, the release of these toxic gases into the atmosphere causes serious environmental pollution, so that the gas passes through a gas scrubber to purify the gas before it is released into the atmosphere.

가스 스크러버는 크게 웨팅(wetting) 방식과 버닝(burning) 방식으로 대별된다.Gas scrubbers are roughly classified into a wetting method and a burning method.

웨팅방식 스크러버는 물을 이용하여 배기가스를 세정 및 냉각하는 구조로써, 비교적 간단한 구성을 가지므로 제작이 용이하고 대용량화할 수 있다는 장점은 있으나, 불수용성의 가스는 처리가 불가능하고, 특히 발화성이 강한 수소기를 포함하는 배기가스의 처리에는 부적절한 문제가 있다.Wetting scrubber is a structure that cleans and cools exhaust gas by using water, and has a relatively simple structure, so that it is easy to manufacture and large-capacity. However, insoluble gas cannot be treated, and particularly ignitable There is an inadequate problem in the treatment of exhaust gas containing hydrogen groups.

버닝방식 스크러버는 수소 버너 등의 버너 속을 배기가스가 통과되도록 하여 직접 연소시키거나, 또는 열원을 이용하여 고온의 챔버를 형성하고 그 속으로 배기가스가 통과되도록 하여 간접적으로 연소시키는 구조를 갖는다. The burning scrubber has a structure in which an exhaust gas passes directly through a burner such as a hydrogen burner, or is burned indirectly by forming a high temperature chamber using a heat source and passing the exhaust gas therein.

이러한 버닝방식 스크러버는 발화성 가스의 처리에는 탁월한 효과가 있으나, 잘 연소되지 않은 토직가스의 처리에는 부적절하다.Such a burning scrubber has an excellent effect on the treatment of ignitable gases, but is inadequate for the treatment of poorly burned earth gas.

한편, 수소 등의 발화성 가스 및 실란(SiH4) 등의 토직가스를 사용하는 반응 공정 예컨대, 반도체 제조공정은 상온보다 높은 고온에서 이루어지므로, 배기가스를 처리함에 있어서 유독성 가스의 정화와 동시에 배기가스를 냉각시킬 필요가 있다.On the other hand, the reaction process using a ignition gas such as hydrogen and earthwork gas such as silane (SiH 4 ), for example, the semiconductor manufacturing process is carried out at a high temperature higher than room temperature, so the exhaust gas at the same time purifying the toxic gas in the exhaust gas treatment It is necessary to cool.

이에 따라, 반도체 제조공정에서는, 웨팅방식의 스크러버와 버닝방식의 스크러버를 결합한 혼합형 가스 스크러버가 사용되고 있다. Therefore, in the semiconductor manufacturing process, a mixed gas scrubber combining a wetting scrubber and a burning scrubber is used.

이러한 혼합형 가스 스크러버는 먼저, 배기가스를 연소실에서 1차로 연소시켜 발화성 가스 및 폭발성 가스를 제거한 후에, 2차적으로 수조에 수용시켜 수용성의 유독성 가스를 물에 융해시키는 구조를 갖는다. The mixed gas scrubber first has a structure in which the exhaust gas is first burned in the combustion chamber to remove the ignition gas and the explosive gas, and then secondarily contained in the water tank to melt the water-soluble toxic gas in the water.

그런데, 일반적으로 기존의 혼합형 가스 스크러버는 예를 들어, 하나의 CVD 챔버당 하나의 스크러버를 한 셋트(set)로 구성하여 사용함에 따라 처리 용량이 제한된다.However, conventional mixed gas scrubbers generally have a limited processing capacity, for example, by using one scrubber per set of one CVD chamber.

또한, 종래의 스크러버는 상온 상태의 압축공기를 연소용으로 사용하는데, 이때 상온의 공기는 연소실 내에서 처리가스를 태우는 역할도 하지만, 연소실 내의 온도를 급속히 저하시키는 역할도 하며 따라서, 처리가스는 연소실의 아래쪽에서 점화된 후 완전 연소가 되기 전에 수조를 통과하게 된다.In addition, the conventional scrubber uses compressed air at room temperature for combustion, wherein the air at room temperature also serves to burn the process gas in the combustion chamber, but also rapidly lowers the temperature in the combustion chamber. After ignition at the bottom of the tank, it passes through the tank before complete combustion.

이에 따라, H2 의 경우 불완전연소로 인해 가스배출구에서 폭발할 수 있는 상태가 될 수 있고, NH3 의 경우에는 물에 녹아 Tn 을 만들어 폐수처리에 많은 비용이 소모되는 문제가 있다.Accordingly, in the case of H2 may be in a state that can be exploded at the gas outlet due to incomplete combustion, in the case of NH3 has a problem in that a large cost is consumed in the waste water treatment by making Tn dissolved in water.

또한, 많은 양의 냉각수를 필요로 함에 따라 비용이 과다하게 소모되며, 연 소실에서 히터를 사용하여 처리할 수 있는 가스는 PH3, SiH4, H2 등 저온의 가스만 해당되고, CH4, C2F6, NF3 등 지구온난화에 치명적인 영향을 미치는 PFC 가스는 처리가 어려운 문제가 있다.In addition, the cost is excessively consumed as a large amount of cooling water is required, and the gas that can be treated using a heater in the combustion chamber is only a low temperature gas such as PH 3 , SiH 4 , H 2 , and CH 4 , PFC gas, which has a fatal effect on global warming such as C 2 F 6 and NF 3 , is difficult to treat.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 일실시예에 의하면, 대용량의 처리가스를 정화 처리할 수 있고, 비용절감과 연소효율 상승 등으로 인해 생산성 향상의 효과가 있는 가스 스크러버가 제공된다.The present invention has been made to solve the problems described above, according to one embodiment of the present invention, it is possible to purify the processing gas of a large capacity, and the effect of productivity improvement due to cost reduction and increased combustion efficiency, etc. Gas scrubber is provided.

본 발명의 일실시예에 의하면, 본 발명은 가스 스크러버에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예는 처리가스가 유입되는 가스유입구가 형성되며 유입된 처리가스를 연소시키는 버닝챔버와, 이 버닝챔버의 일측에 적어도 1개 이상 설치되며 버닝챔버에 예열된 연소용 공기를 공급하는 예열챔버와, 버닝챔버의 하측에 설치되며 내부에는 처리가스의 진행방향을 안내하는 가스안내관이 설치되고 처리가스를 냉각시킴과 함께 처리가스에 포함된 유해물질을 여과하기 위해 적어도 1개 이상의 업소버가 내재되며 일측에는 냉각된 처리가스를 배출하기 위한 가스배출라인이 구비되는 냉각챔버와, 이 냉각챔버의 일측에 설치되어 1차 냉각된 처리가스를 더 냉각하는 보조냉각챔버와, 냉각챔버의 상측에 설치되며 단부에 설치된 분사노즐에 의해서 냉각챔버의 내부로 냉각수가 분사되도록 하는 제1순환파이프와 냉각챔버의 하측에 설치되며 냉각챔버의 내부에 분사된 냉각수가 배출되도록 하는 순환파이프와 냉각챔버의 일측에 설치되며 순환파이프로 배출되는 냉각수를 제1순환파이프를 통해서 냉각챔버의 상부로 끌어올리는 순환펌프와 일측은 순환펌프에 연결되고 타측은 보조냉각챔버의 내부에 설치되며 단부에 설치된 분사노즐에 의해서 보조냉각챔버의 내부로 냉각수를 분사하는 제2순환파이프가 구비된 냉각수 순환장치를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the present invention relates to a gas scrubber, and an embodiment of the present invention is a burning chamber for forming a gas inlet through which a processing gas is introduced and burning the introduced processing gas, At least one side is installed at one side and a preheating chamber for supplying combustion air preheated to the burning chamber, and a gas guide tube installed at the lower side of the burning chamber and guiding the processing direction of the processing gas and cooling the processing gas. At least one absorber is embedded to filter the harmful substances contained in the processing gas and a cooling chamber is provided at one side with a gas discharge line for discharging the cooled processing gas, and is installed at one side of the cooling chamber. The inside of the cooling chamber by an auxiliary cooling chamber for further cooling the primary cooled processing gas and an injection nozzle installed at an end of the auxiliary cooling chamber. The first circulation pipe and the lower side of the cooling chamber to allow the cooling water is injected into the furnace and the circulation pipe to discharge the cooling water injected into the cooling chamber and one side of the cooling chamber and the cooling water discharged by the circulation pipe to the first circulation Circulation pump that is pulled up to the upper part of the cooling chamber through the pipe and one side is connected to the circulation pump, the other side is installed in the auxiliary cooling chamber and the second circulation to inject the coolant into the auxiliary cooling chamber by the injection nozzle installed at the end Provided is a gas scrubber comprising a cooling water circulator equipped with a pipe.

이때, 가스유입구에는 다수개의 인입포트를 가진 인입배관이 연결될 수 있다. In this case, an inlet pipe having a plurality of inlet ports may be connected to the gas inlet port.

또한, 가스유입구의 일측에는 H2, LNG, LPG 중에서 선택된 하나 이상의 연소가스를 버닝챔버로 공급하는 연소가스 공급장치가 설치될 수 있다.In addition, one side of the gas inlet may be provided with a combustion gas supply device for supplying at least one combustion gas selected from H 2 , LNG, LPG to the burning chamber.

또한, 냉각챔버의 일측에는, 공정 진행시 발생하는 수분을 저장하는 드레인챔버가 설치될 수 있다.In addition, one side of the cooling chamber, a drain chamber for storing the moisture generated during the process may be provided.

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또한, 보조냉각챔버의 내주면에는 아래로 경사지게 돌출된 다수개의 경사턱이 서로 엇갈리도록 형성된 집진 업소버가 설치된다.In addition, on the inner circumferential surface of the auxiliary cooling chamber, a dust collecting absorber is formed so that a plurality of inclined jaws projecting downwardly are staggered from each other.

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본 발명의 일실시예에 따른 가스 스크러버에 의하면, 다수개의 인입포트를 가진 인입배관이 구비됨으로써, 다수의 장비에서 발생되는 대용량의 처리가스를 하나의 가스 스크러버에서 정화 처리할 수 있다.According to the gas scrubber according to an embodiment of the present invention, the inlet pipe having a plurality of inlet port is provided, it is possible to purify the processing gas generated in a large number of equipment in one gas scrubber.

또한, 예열된 연소용 공기를 버닝챔버 내에 공급하여 처리가스가 완전연소되 도록 유도함으로써, 불완전연소에 따른 처리비용을 절감할 수 있고, 냉각수 순환장치를 설치하여 냉각수의 재사용이 가능하도록 함으로써, 냉각수에 소모되는 비용을 절감할 수 있다.In addition, by supplying the preheated combustion air into the burning chamber to induce the complete combustion of the processing gas, it is possible to reduce the processing cost due to incomplete combustion, and by installing a cooling water circulation system to enable reuse of the cooling water, Can reduce the cost.

아울러, 유지보수 비용과 시간을 절감하여 생산성을 향상시킬 수 있고, 종래 처리하기 곤란하였던 PFC 가스의 처리도 가능하게 된다.In addition, it is possible to improve productivity by reducing maintenance costs and time, and also to treat PFC gas, which has been difficult to treat conventionally.

이하, 본 발명의 일실시예에 따른 가스 스크러버의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.Hereinafter, a preferred embodiment of a gas scrubber according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thickness of the lines or the size of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 내려져야 할 것이다.In addition, the terms described below are defined in consideration of the functions of the present invention, which may vary depending on the intention or custom of the user, the operator. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the specification.

아울러, 아래의 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아니라 본 발명의 청구범위에 제시된 구성요소의 예시적인 사항에 불과하며, 본 발명의 명세서 전반에 걸친 기술사상에 포함되고 청구범위의 구성요소에서 균등물로서 치환 가능한 구성요소를 포함하는 실시예는 본 발명의 권리범위에 포함될 수 있다.In addition, the following examples are not intended to limit the scope of the present invention but merely illustrative of the components set forth in the claims of the present invention, which are included in the technical spirit throughout the specification of the present invention and constitute the claims Embodiments that include a substitutable component as an equivalent in the element may be included in the scope of the present invention.

실시예Example

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 단면도, 도 2는 도 1의 버닝챔버를 도시한 단면도, 도 3은 도 1의 냉각챔버를 도시한 단면도, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 방향 단면도, 도 5는 도 1의 보조냉각챔버의 실시예를 보인 단면도, 도 6은 도 1의 연소가스 공급장치의 개략 구성도, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a gas scrubber according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a burning chamber of FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view showing a cooling chamber of FIG. 1, FIG. IV-IV cross-sectional view, Figure 5 is a cross-sectional view showing an embodiment of the auxiliary cooling chamber of Figure 1, Figure 6 is a schematic configuration diagram of the combustion gas supply device of Figure 1, Figure 7 is a gas scrubber according to another embodiment of the present invention It is a cross-sectional view.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 독성 또는 폭발성의 처리가스를 연소시키기 위한 버닝챔버(200)와, 버닝챔버(200)에 예열된 공기를 공급하는 예열챔버(300), 및 연소된 처리가스를 냉각하기 위한 냉각챔버(400)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the gas scrubber 100 according to an embodiment of the present invention supplies a burning chamber 200 and a preheated air to the burning chamber 200 for burning a toxic or explosive process gas. The preheat chamber 300, and a cooling chamber 400 for cooling the burned process gas.

여기서, 버닝챔버(200)는 도 1과 도 2에 도시된 바와 같이 대략 원통형으로 이루어지며, 상측에는 독성가스나 폭발성가스 등의 처리가스가 유입되도록 가스유입구(210)가 형성된다.Here, the burning chamber 200 is formed in a substantially cylindrical shape, as shown in Figs. 1 and 2, the gas inlet 210 is formed so that the processing gas, such as toxic gas or explosive gas flows in the upper side.

이때, 가스유입구(210)에는 다수개의 인입포트(241)를 가진 인입배관(240)이 연결되는 것이 바람직한데, 각각의 인입포트(241)에는 처리가스를 발생시키는 CVD챔버(미도시) 등의 반도체 제조장비가 각각 연결되어, 다수의 반도체 제조장비로부터 배출되는 처리가스가 인입배관(240)을 통해 가스유입구(210)로 유입된다.At this time, the gas inlet 210 is preferably connected to the inlet pipe 240 having a plurality of inlet port 241, each inlet port 241, such as a CVD chamber (not shown) for generating a processing gas The semiconductor manufacturing equipment is connected to each other, and the processing gas discharged from the plurality of semiconductor manufacturing equipment is introduced into the gas inlet 210 through the inlet pipe 240.

이때, 인입포트(241)의 갯수는 가스 스크러버(100)의 처리 용량을 고려하여 적절히 선택될 수 있으며, 1 ~ 30개의 인입포트(241)가 인입배관(240)에 구비되는 것이 바람직하다.At this time, the number of the inlet port 241 may be appropriately selected in consideration of the processing capacity of the gas scrubber 100, it is preferable that 1 to 30 inlet port 241 is provided in the inlet pipe 240.

버닝챔버(200)의 내측에는 소정 직경의 파이프(220)가 설치되고, 버닝챔버(200)와 파이프(220) 사이에는 충분한 열량(본 실시예에서는 800℃ 이상)을 제공하는 히터(230)가 설치된다.A pipe 220 having a predetermined diameter is installed inside the burning chamber 200, and a heater 230 providing a sufficient amount of heat (800 ° C. or more in this embodiment) is provided between the burning chamber 200 and the pipe 220. Is installed.

즉, 파이프(220)를 통해 유도되는 처리가스를 연소 분해하기 위해 버닝챔버(200) 내측면에 열량을 제공하는 히터(230)가 설치되며, 이 히터(230)의 가열에 의해 연소되는 처리가스는 버닝챔버(200)의 하측으로 유도되어 처리 배출된다.That is, a heater 230 is provided on the inner surface of the burning chamber 200 in order to burn and decompose the process gas induced through the pipe 220, and the process gas combusted by the heating of the heater 230 is installed. Is guided to the lower side of the burning chamber 200 is discharged.

따라서, 가스 스크러버(100)를 가동하게 되면, 반도체 제조과정에 사용되는 각종 처리가스가 버닝챔버(200) 내부로 유입되게 되는데, 이때 버닝챔버(200)는 그 외면에 설치된 히터(230)에 의해 고온으로 가열되어 버닝챔버(200) 내부로 유입되는 처리가스가 공기와 반응하면서 가열된다.Therefore, when the gas scrubber 100 is operated, various processing gases used in the semiconductor manufacturing process are introduced into the burning chamber 200, wherein the burning chamber 200 is provided by the heater 230 installed on the outer surface thereof. The process gas heated to a high temperature and introduced into the burning chamber 200 is heated while reacting with air.

이때 가열되는 처리가스 예컨대, 수소나 암모니아 가스는 공기와 반응하는 과정에서 물과 유해물질 등 부산물이 생성된다. 즉, 2H2O + O2 → H2O, 4NH3 + 5O2 → 6H2O + 4NO 이다.In this case, by-products such as water and harmful substances are generated in the process gas, for example, hydrogen or ammonia gas, which is heated. That is, 2H 2 O + O 2 → H 2 O, 4NH 3 + 5O 2 → 6H 2 O + 4NO.

버닝챔버(200)의 일측에는 적어도 1개 이상의 예열챔버(300)가 설치된다.At least one preheating chamber 300 is installed at one side of the burning chamber 200.

이 예열챔버(300)는, 상온 상태의 압축공기를 800℃ 까지 예열시켜 버닝챔버(200)에 연소용 공기로 공급하는 역할을 하는 것으로, 압축공기가 통과하는 파이 프(310)의 둘레에 히터(320)가 설치된 원통형으로 이루어지고, 예열챔버(300) 하단의 유입관(311)으로 유입된 상온의 공기는 예열챔버(300)를 통과하면서 히터(320)에 의해 800℃ 까지 예열되며, 예열된 공기는 예열챔버(300) 상단의 유출관(312)을 거쳐 버닝챔버(200) 상단의 공기유입구(250)를 통해 버닝챔버(200) 내부로 공급된다.The preheating chamber 300 serves to preheat the compressed air at room temperature to 800 ° C. and to supply the burning chamber 200 with combustion air, and the heater is provided around the pipe 310 through which the compressed air passes. It is made of a cylindrical 320 is installed, the air at room temperature introduced into the inlet pipe 311 of the lower preheating chamber 300 is preheated to 800 ℃ by the heater 320 while passing through the preheating chamber 300, preheating The supplied air is supplied into the burning chamber 200 through the air inlet 250 of the top of the burning chamber 200 via the outlet pipe 312 of the upper end of the preheating chamber 300.

이처럼, 예열된 압축공기가 버닝챔버(200)에 공급됨으로써, 버닝챔버(200) 내에 형성되는 연소구역(heating zone)이 종래의 것 보다 상대적으로 길어지게 되며, 처리가스의 완전연소율이 향상된다. 이때, 예열챔버(300)의 규격과 갯수는 가스 스크러버(100)의 처리용량에 따라 적절히 선택가능함은 물론이다.As such, since the preheated compressed air is supplied to the burning chamber 200, the heating zone formed in the burning chamber 200 becomes relatively longer than the conventional one, and the complete combustion rate of the processing gas is improved. At this time, the size and number of the preheating chamber 300 can be appropriately selected according to the processing capacity of the gas scrubber 100.

한편, 가스유입구(210)의 일측에는 연소가스 공급장치(260)가 설치되는 것이 바람직한데, 이 연소가스 공급장치(260)는 가스유입구(210)를 통해 H2, LNG, LPG 등의 연소가스를 버닝챔버(200)로 공급하는 역할을 하게 된다.Meanwhile, it is preferable that a combustion gas supply device 260 is installed at one side of the gas inlet 210, and the combustion gas supply device 260 is a combustion gas such as H 2 , LNG, or LPG through the gas inlet 210. It serves to supply the burning chamber 200.

따라서, 종래의 가스 스크러버에서 히터를 사용하여 처리할 수 있는 가스는 PH3, SiH4, H2 등 저온의 가스만 해당되고, CH4, C2F6, NF3 등 지구온난화에 치명적인 영향을 미치는 PFC 가스는 1200℃ 이상에서 열분해가 이루어지므로 처리가 어려운 문제가 있었으나, 본 발명의 일실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 히터(230)에 의해 버닝챔버(200) 내부의 온도를 800℃ 까지 올린 다음, H2, LNG, LPG 등의 연소가스를 공급하여 발화시킴으로써 온도를 급상승시켜 PFC 가스를 처리할 수 있게 되 는 것이다.Therefore, the gas that can be treated using a heater in the conventional gas scrubber is only low temperature gas such as PH 3 , SiH 4 , H 2 , and has a fatal effect on global warming such as CH 4 , C 2 F 6 , NF 3 . Since the PFC gas is pyrolyzed at 1200 ° C. or more, there is a problem in that it is difficult to process, but the gas scrubber 100 according to the exemplary embodiment of the present invention has a temperature of 800 ° C. in the burning chamber 200 by the heater 230. After raising to, the combustion gas such as H 2 , LNG, LPG is supplied to ignite, so that the temperature rises rapidly and the PFC gas can be treated.

이러한 연소가스 공급장치(260)는 공지의 가스공급장치를 적용할 수 있으며, 예를 들어 연소가스 저장탱크와 버닝챔버(200)의 가스유입구(210)를 가스공급 파이프로 연결하고, 파이프의 일측에는 개폐밸브를 설치함으로써 간단히 구성할 수 있다.The combustion gas supply device 260 may be a known gas supply device, for example, connecting the combustion gas storage tank and the gas inlet 210 of the burning chamber 200 to the gas supply pipe, one side of the pipe It can be easily configured by providing an on-off valve.

냉각챔버(400)는 도 3에 도시된 바와 같이, 원통형으로 이루어져 버닝챔버(200)의 하측에 연결된다.As shown in FIG. 3, the cooling chamber 400 has a cylindrical shape and is connected to the lower side of the burning chamber 200.

냉각챔버(400)의 내부에는 처리가스의 이동 경로를 안내하기 위한 가스안내관(410)이 소정 간격을 두고 설치되고, 냉각챔버(400)의 벽면 둘레에는 처리가스를 냉각시키기 위한 냉각수가 저장된 수냉재킷(420)이 구비된다.A gas guide tube 410 is installed at a predetermined interval inside the cooling chamber 400 to guide the movement path of the processing gas, and water cooling is provided around the wall of the cooling chamber 400 to store the cooling water for cooling the processing gas. Jacket 420 is provided.

이때, 가스안내관(410)의 길이는 냉각챔버(400)의 바닥면에 닿지 않을 정도로 형성된다. 따라서, 냉각챔버(400)와 가스안내관(410) 사이에는 소정의 틈이 형성되고, 이 틈이 덕트 역할을 하게 되어 처리가스의 이동 경로가 되는 것이다.At this time, the length of the gas guide tube 410 is formed so as not to touch the bottom surface of the cooling chamber 400. Therefore, a predetermined gap is formed between the cooling chamber 400 and the gas guide tube 410, and the gap serves as a duct to serve as a movement path of the processing gas.

이때, 가스안내관(410)의 하단에 대응되는 위치에는 제1업소버(430)가 설치되어 처리가스를 냉각함과 아울러 처리가스에 포함된 부산물을 여과한다.At this time, the first absorber 430 is installed at a position corresponding to the lower end of the gas guide tube 410 to cool the processing gas and to filter the by-products contained in the processing gas.

그리고, 냉각챔버(400)의 일측에 가스배출라인(450)이 연결되는데, 냉각 및 정화된 처리가스는 냉각챔버(400)와 가스안내관(410) 사이로 유입되어 가스배출라인(450)으로 배출된다.And, the gas discharge line 450 is connected to one side of the cooling chamber 400, the cooled and purified processing gas is introduced between the cooling chamber 400 and the gas guide pipe 410 is discharged to the gas discharge line 450 do.

또한, 냉각챔버(400)의 바닥면의 소정 높이 상측에는 제2업소버(440)가 설치 되어 처리가스의 냉각 효과를 증가시킴과 아울러 처리가스에 함유된 유독성 가스를 재여과할 수 있다.In addition, a second absorber 440 is installed above a predetermined height of the bottom surface of the cooling chamber 400 to increase the cooling effect of the processing gas and to re-filter toxic gas contained in the processing gas.

본 발명의 일실시예에 따르면, 도 1과 도 3, 도 4에 도시된 바와 같이, 냉각챔버(400)의 일측에 드레인챔버(500)가 연결 설치된다. According to one embodiment of the invention, as shown in Figures 1, 3, 4, the drain chamber 500 is installed on one side of the cooling chamber 400.

이 드레인챔버(500)에는 공정 진행 중 수소나 암모니아 등의 처리가스가 공기와 반응하면서 변환된 물과 부산물이 저장되는데, 드레인챔버(500)에는 그 내부에 저장되는 물의 수위를 측정하기 위한 수위감지기(510)가 장착되는 것이 바람직하고, 드레인챔버(500)에 저장되는 부산물을 포함한 물이 적정 수위를 벗어나면 외부로 배출시킬 수 있도록 드레인챔버(500)의 일측에는 드레인펌프(520)가 설치된다.The drain chamber 500 stores the converted water and by-products while the process gas such as hydrogen or ammonia reacts with the air during the process, and the drain chamber 500 detects the water level of the water stored therein. 510 is preferably mounted, and a drain pump 520 is installed at one side of the drain chamber 500 so that water, including by-products stored in the drain chamber 500, may be discharged to the outside when the water is out of an appropriate level. .

도 1에 도시된 바와 같이, 냉각챔버(400)의 일측에는 가스배출라인(450)과 연결되는 가스냉각라인(610)이 설치된 보조냉각챔버(600)가 더 구비되며, 보조냉각챔버(600)의 내부에는 가스배출라인(450)과 연결된 가스냉각라인(610)이 수회 지그재그로 설치된다.As shown in FIG. 1, one side of the cooling chamber 400 further includes an auxiliary cooling chamber 600 provided with a gas cooling line 610 connected to the gas discharge line 450, and an auxiliary cooling chamber 600. The gas cooling line 610 connected to the gas discharge line 450 is installed in a zig-zag several times.

이를 보다 상세하게 설명하면, 도 5와 같이 충분한 내용적을 갖는 보조냉각챔버(600)의 내부에는 가스냉각라인(610)이 수직 방향으로 수회 지그재그 순환 설치된다.In more detail, as shown in FIG. 5, the gas cooling line 610 is zigzag-circulated several times in a vertical direction in the auxiliary cooling chamber 600 having a sufficient internal volume.

이 가스냉각라인(610)과 연결된 가스배출라인(450)을 통해 처리가스가 보조 냉각챔버(600) 내부로 유입되면, 보조냉각챔버(600)의 내부에 수용된 냉각수에 의해 열교환되어 고열의 처리가스가 충분히 냉각되며 그 후, 처리가스는 충분히 정화 및 냉각된 후 가스냉각라인(610)의 상부에 형성된 배기포트(611)를 통해 외부로 배출된다. When the processing gas flows into the auxiliary cooling chamber 600 through the gas discharge line 450 connected to the gas cooling line 610, the processing gas is heat-exchanged by the cooling water contained in the auxiliary cooling chamber 600. After the gas is sufficiently cooled, the process gas is sufficiently purged and cooled and then discharged to the outside through the exhaust port 611 formed at the top of the gas cooling line 610.

이를 위해, 보조냉각챔버(600)의 일측에는 냉각수 공급라인(620)이 설치되고, 다른 일측에는 냉각수 배출라인(630)이 설치된다.To this end, a coolant supply line 620 is installed at one side of the auxiliary cooling chamber 600, and a coolant discharge line 630 is installed at the other side.

이하, 본 발명의 일실시예에 따른 가스 스크러버(100)의 작용을 설명하기로 한다.Hereinafter, the operation of the gas scrubber 100 according to an embodiment of the present invention will be described.

예를 들어, 반도체 제조장비의 반응로에서 발생하는 독성 또는 폭발성의 처리가스는 가스유입구(210)를 통해 버닝챔버(200)로 유입되는데, 인입배관(240)의 인입포트(241)에 각각 연결된 다수의 반도체 제조장비로부터 처리가스가 대량으로 유입될 수 있다.For example, the toxic or explosive process gas generated in the reactor of the semiconductor manufacturing equipment is introduced into the burning chamber 200 through the gas inlet 210, each connected to the inlet port 241 of the inlet pipe 240 Process gases can be introduced in large quantities from many semiconductor manufacturing equipment.

처리가스의 인입과 동시에 예열챔버(300)로부터 예열된 공기가 버닝챔버(200)로 유입되고, 공기와 적당히 혼합되면서 버닝챔버(200) 내에 골고루 확산된 처리가스는 히터(230)를 통과하면서 가열된다.At the same time as the processing gas is introduced, the air preheated from the preheating chamber 300 flows into the burning chamber 200, and the processing gas evenly diffused in the burning chamber 200 while being properly mixed with air is heated while passing through the heater 230. do.

즉, 버닝챔버(200)의 내부에는 세라믹 히터(230)가 내장되어 약 800℃ 정도의 온도로 가열되므로, 처리가스는 히터(230)를 통과하면서 충분한 열을 획득하게 되고, 그 결과 버닝챔버(200) 내에서 수소기 등의 연소 가능한 발화성 가스 또는 폭발성 가스들이 모두 연소된다.That is, since the ceramic heater 230 is built into the burning chamber 200 and heated to a temperature of about 800 ° C., the processing gas acquires sufficient heat while passing through the heater 230, and as a result, the burning chamber ( All combustible ignitable gases or explosive gases such as hydrogen groups are combusted in 200.

한편, CH4, C2F6, NF3 등 PFC 가스를 처리하는 경우에는 연소가스 공급장치(260)로부터 H2, LNG, LPG 등의 연소가스가 공급되며, 연소가스의 발화에 의해 버닝챔버(200) 내부온도를 급상승시켜 PFC 가스를 분해 처리하게 된다.On the other hand, when processing PFC gas such as CH 4 , C 2 F 6 , NF 3 , combustion gas such as H 2 , LNG, LPG is supplied from the combustion gas supply device 260, and the burning chamber is ignited by the combustion gas. The internal temperature is rapidly increased to decompose the PFC gas.

도 6은 PFC 가스 유입시 연소가스가 자동으로 공급되는 방법을 개략적으로 도시한 그림으로서, 예를 들어 CVD 장비(10)의 챔버 클리닝(chamber cleaning)을 위해 PFC 가스가 사용되는 경우, 뉴매틱밸브(pneumatic valve)(20)가 개방되면서 PFC 가스가 CVD 장비(10)에 공급되고, 이때 뉴매틱밸브 구동용 에어라인(air-line)(30)에 연결된 압력센서(40)가 이를 감지하여 솔레노이드 밸브(50)를 작동시켜 연소가스 공급밸브(60)를 개방하게 된다.FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a method in which combustion gas is automatically supplied when PFC gas is introduced. For example, when the PFC gas is used for chamber cleaning of the CVD equipment 10, a pneumatic valve may be used. As the pneumatic valve 20 is opened, the PFC gas is supplied to the CVD equipment 10, and at this time, the pressure sensor 40 connected to the pneumatic valve driving air line 30 senses this and the solenoid. The valve 50 is operated to open the combustion gas supply valve 60.

이와 같이, 버닝챔버(200)를 거치면서 폭발성 및 발화성 가스가 제거된 처리가스는 하부의 냉각챔버(400)로 유입된다.As such, the processing gas from which the explosive and ignition gases are removed while passing through the burning chamber 200 flows into the cooling chamber 400 at the lower portion.

냉각챔버(400)로 유입된 처리가스는 먼저 제1업소버(430)의 중앙으로 유입된 후, 덕트 구조를 이루는 가스안내관(410)에 의해 냉각챔버(400)의 상측으로 상승하여 가스배출라인(450)으로 배출된다. The processing gas introduced into the cooling chamber 400 first flows into the center of the first absorber 430, and then rises to the upper side of the cooling chamber 400 by the gas guiding pipe 410 constituting the duct structure. Discharged to 450.

이때, 제1,제2업소버(440) 및 수냉재킷(420)에 수용된 냉각수의 열교환 작용에 의해 고열의 처리가스는 적당하게 냉각되며, 이 과정에서 처리가스 중에 포함되어 있는 수소나 암모니아 등은 산소와 반응하여 물로 변환되어 드레인챔버(500)로 유입된다.At this time, the high-temperature process gas is appropriately cooled by the heat exchange action of the cooling water contained in the first and second absorbers 440 and the water cooling jacket 420, and hydrogen or ammonia contained in the process gas is oxygen in this process. Reacts with and is converted into water and flows into the drain chamber 500.

다음으로, 가스배출라인(450)을 통해 냉각수가 충진된 보조냉각챔버(600)로 유입된 처리가스는 상하 방향으로 다수의 가스냉각라인(610)을 지그재그 통과하게 되는데, 이에 따라 냉각수에 접촉되는 경로가 더 길어져 처리가스의 냉각효과가 커지게 된다. 이 과정에서 처리가스와 산소가 반응하여 물로 변환되며, 가스냉각라인(610)과 연결된 드레인라인(530)을 통해 드레인챔버(500)로 유입된다.Next, the processing gas introduced into the auxiliary cooling chamber 600 filled with the cooling water through the gas discharge line 450 passes through a plurality of gas cooling lines 610 in a vertical direction, thereby contacting the cooling water. The longer the path, the greater the cooling effect of the process gas. In this process, the process gas and oxygen react with each other and are converted into water, and are introduced into the drain chamber 500 through the drain line 530 connected to the gas cooling line 610.

따라서, 최종적으로 제1,제2업소버(430,440)를 통과한 처리가스는 발화성 또는 폭발성 가스가 모두 제거된 가스이며, 이는 냉각챔버(400) 및 보조냉각챔버(600)에 의해 냉각된 후 배기포트(611)를 통하여 대기로 방출된다.Therefore, the process gas finally passed through the first and second absorbers 430 and 440 is a gas from which all ignition or explosive gases are removed, and the exhaust gas is cooled by the cooling chamber 400 and the auxiliary cooling chamber 600. Through 611 to the atmosphere.

한편, 드레인챔버(500)에 수용되는 물을 포함한 부산물의 양이 적정 높이를 초과하게 되면, 이를 수위감지기(510)가 감지하여 드레인펌프(520)에 신호를 보내게 되고, 드레인펌프(520)가 작동하여 외부로 배출시킴으로써 적정 수위가 지속적으로 유지된다.On the other hand, if the amount of by-products including the water contained in the drain chamber 500 exceeds an appropriate height, the water level sensor 510 detects this and sends a signal to the drain pump 520, the drain pump 520 The level is maintained continuously by operating and discharging to the outside.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버(100')를 도시한 것이다.7 illustrates a gas scrubber 100 ′ according to another embodiment of the present invention.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버(100')는 버닝챔버(200)와, 예열챔버(300) 및 냉각챔버(400)를 포함하여 구성된다는 점에서 전술한 실시예와 유사하며, 냉각챔버(400)와 보조냉각챔버(600)에 냉각수 순환장치(700)가 각각 설치되어, 분사된 냉각수를 순환파이프(710)를 통해 순환시켜 재사용한다는 점과, 가스냉각라인이 설치되지 않는 대신에, 보조냉각챔버(600)의 상측 내주면에 집진 업소버(640)가 설치된다는 점에서 차이가 있다.As shown in FIG. 7, the gas scrubber 100 ′ according to another embodiment of the present invention includes the burning chamber 200, the preheating chamber 300, and the cooling chamber 400. Similar to the embodiment, the cooling chamber 400 and the auxiliary cooling chamber 600 is provided with a cooling water circulator 700, respectively, to circulate the reused cooling water through the circulation pipe 710 and gas cooling Instead of installing the line, there is a difference in that the dust collector absorber 640 is installed on the upper inner peripheral surface of the auxiliary cooling chamber 600.

이하, 전술한 실시예와 다른 점을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, different points from the above-described embodiment will be described in detail.

냉각챔버(400)의 상부에 냉각챔버(400)를 가로질러 제1순환파이프(720)가 설치되는데, 이 제1순환파이프(720)를 통해 냉각수가 흐르게 되며, 제1순환파이프(720)의 일단부에 구비되는 다수개의 분사노즐(721)을 통해 냉각챔버(400) 내부로 냉각수가 분사된다.A first circulation pipe 720 is installed across the cooling chamber 400 on the upper portion of the cooling chamber 400. The cooling water flows through the first circulation pipe 720, and the first circulation pipe 720 is formed. Cooling water is injected into the cooling chamber 400 through the plurality of injection nozzles 721 provided at one end.

한편, 순환파이프(710)가 냉각챔버(400)의 하단부 일측에 연결되어, 냉각챔버(400) 내에 분사된 냉각수를 순환파이프(710)로 유입되게 하며, 순환펌프(740)가 냉각챔버(400)의 일측에 설치되어, 순환파이프(710)로 유입된 냉각수를 다시 제1순환파이프(720)를 통해 냉각챔버(400)의 상부로 끌어올리게 된다.On the other hand, the circulation pipe 710 is connected to one side of the lower end of the cooling chamber 400, the cooling water injected into the cooling chamber 400 to be introduced into the circulation pipe 710, the circulation pump 740 is the cooling chamber 400 It is installed on one side of the), the cooling water introduced into the circulation pipe 710 is pulled back to the upper portion of the cooling chamber 400 through the first circulation pipe (720).

이때, 순환파이프(710)는 순환펌프(740)를 통과하면서 분기되어 냉각챔버(400)의 상부에 연결되는 제1순환파이프(720)와, 보조냉각챔버(600)의 일측에 연결되는 제2순환파이프(730)로 나누어진다.At this time, the circulation pipe 710 is branched while passing through the circulation pump 740, the first circulation pipe 720 connected to the upper portion of the cooling chamber 400, and the second cooling chamber 600 is connected to one side of the auxiliary cooling chamber (600). The circulation pipe 730 is divided into.

즉, 순환파이프(710)로 유입되는 냉각수 중 일부는 제1순환파이프(720)를 통해 냉각챔버(400) 내부에 분사되고, 나머지는 제2순환파이프(730)의 분사노즐(731)을 통해 보조냉각챔버(600) 내부에 분사되면서 처리가스를 냉각시키게 되는 것이다. 이처럼, 냉각수를 순환시켜 재사용함으로써 냉각수에 소모되는 비용을 절감할 수 있게 되고, 냉각챔버(400)에서 수냉재킷의 설치를 삭제할 수 있다.That is, some of the cooling water flowing into the circulation pipe 710 is injected into the cooling chamber 400 through the first circulation pipe 720, and the rest is injected through the injection nozzle 731 of the second circulation pipe 730. It is injected into the auxiliary cooling chamber 600 to cool the processing gas. As such, by circulating and reusing the cooling water, the cost consumed by the cooling water can be reduced, and the installation of the water cooling jacket in the cooling chamber 400 can be eliminated.

이때, 냉각수가 분사되는 냉각챔버(400)와 보조냉각챔버(600)에는 그 하부에 각각 업소버(490,690)가 설치되어 처리가스가 여과되도록 하는 것이 바람직하고, 냉각챔버(400)의 일측에 드레인챔버(500)를 설치하여 냉각수를 더이상 재순환시키지 않고 외부로 배출시키는 것도 물론 가능하다.In this case, it is preferable that absorbers 490 and 690 are respectively installed in the cooling chamber 400 and the auxiliary cooling chamber 600 in which the coolant is injected, so that the processing gas is filtered, and the drain chamber is located at one side of the cooling chamber 400. It is also possible, of course, to install 500 to discharge the cooling water to the outside without further recycling.

한편, 보조냉각챔버(600)에 연결되어 보조냉각챔버(600) 내부에 냉각수를 분사하는 제2순환파이프(730)의 상부에는 집진 업소버(640)가 설치되는데, 이 집진 업소버(640)는 도 7에 도시된 바와 같이, 내주면을 따라 아래로 경사지게 돌출된 다수개의 경사턱(641)이 서로 엇갈리도록 형성된 것으로, 처리가스가 이 집진 업소버(640)를 통과하는 과정에서 추가적으로 부산물이 여과된다.On the other hand, the dust collecting absorber 640 is installed on the upper portion of the second circulation pipe 730 connected to the auxiliary cooling chamber 600 to inject the coolant into the auxiliary cooling chamber 600, the dust collecting absorber 640 is shown in FIG. As shown in FIG. 7, a plurality of inclined jaws 641 protruding downwardly along the inner circumferential surface thereof are staggered from each other, and by-products are additionally filtered while the processing gas passes through the dust collecting absorber 640.

즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버(100')에 의하면, 냉각챔버(400)와 보조냉각챔버(600)에서 분사되는 냉각수에 의해 처리가스의 냉각이 이루어지고, 이때 냉각수는 순환펌프(740)에 의해 재사용이 가능하도록 순환되며, 냉각챔버(400)와 보조냉각챔버(600)에 각각 설치되는 업소버(490,690)에 의해 부산물의 여과가 이루어지는데, 보조냉각챔버(600)의 상부에는 집진 업소버(640)가 설치되어 배기포트(611)를 통해 대기로 방출되기 전에 한번 더 여과과정을 거치게 되는 것이다.That is, according to the gas scrubber 100 ′ according to another embodiment of the present invention, the processing gas is cooled by the cooling water injected from the cooling chamber 400 and the auxiliary cooling chamber 600, wherein the cooling water is a circulation pump. 740 is circulated so as to be reused, and by-products are filtered by absorbers 490 and 690 respectively installed in the cooling chamber 400 and the auxiliary cooling chamber 600. The dust collector absorber 640 is installed and undergoes one more filtration process before being discharged to the atmosphere through the exhaust port 611.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a gas scrubber according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 버닝챔버를 도시한 단면도.FIG. 2 is a sectional view of the burning chamber of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1의 냉각챔버를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view of the cooling chamber of FIG.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 방향 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 3.

도 5는 도 1의 보조냉각챔버의 실시예를 보인 단면도.5 is a cross-sectional view showing an embodiment of the auxiliary cooling chamber of FIG.

도 6은 도 1의 연소가스 공급장치의 개략 구성도.6 is a schematic configuration diagram of the combustion gas supply device of FIG. 1.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 단면도.7 is a sectional view showing a gas scrubber according to another embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100, 100' : 가스 스크러버100, 100 ': gas scrubber

200 : 버닝챔버200: Burning Chamber

240 : 인입배관240: incoming piping

300 : 예열챔버300: preheat chamber

400 : 냉각챔버400: cooling chamber

500 : 드레인챔버500: drain chamber

600 : 보조냉각챔버600: auxiliary cooling chamber

640 : 집진 업소버640: dust collector

700 : 냉각수 순환장치700: cooling water circulation device

Claims (10)

처리가스가 유입되는 가스유입구가 형성되며, 유입된 처리가스를 연소시키는 버닝챔버;A gas inlet through which a processing gas is introduced, and a burning chamber configured to burn the introduced processing gas; 상기 버닝챔버의 일측에 적어도 1개 이상 설치되며, 상기 버닝챔버에 예열된 연소용 공기를 공급하는 예열챔버; 및At least one preheating chamber installed at one side of the burning chamber and supplying combustion air preheated to the burning chamber; And 상기 버닝챔버의 하측에 설치되며, 내부에는 처리가스의 진행방향을 안내하는 가스안내관이 설치되고, 처리가스를 냉각시킴과 함께 처리가스에 포함된 유해물질을 여과하기 위해 적어도 1개 이상의 업소버가 내재되며, 일측에는 냉각된 처리가스를 배출하기 위한 가스배출라인이 구비되는 냉각챔버;It is installed on the lower side of the burning chamber, there is a gas guide tube for guiding the traveling direction of the processing gas therein, at least one or more absorbers for cooling the processing gas and filtering harmful substances contained in the processing gas A cooling chamber which is internally formed and has a gas discharge line for discharging the cooled processing gas on one side; 상기 냉각챔버의 일측에 설치되어 1차 냉각된 처리가스를 더 냉각하는 보조냉각챔버; 및An auxiliary cooling chamber installed at one side of the cooling chamber to further cool the first cooled processing gas; And 상기 냉각챔버의 상측에 설치되며 단부에 설치된 분사노즐에 의해서 상기 냉각챔버의 내부로 냉각수가 분사되도록 하는 제1순환파이프와, 상기 냉각챔버의 하측에 설치되며 상기 냉각챔버의 내부에 분사된 냉각수가 배출되도록 하는 순환파이프와, 상기 냉각챔버의 일측에 설치되며 상기 순환파이프로 배출되는 냉각수를 상기 제1순환파이프를 통해서 상기 냉각챔버의 상부로 끌어올리는 순환펌프와, 일측은 상기 순환펌프에 연결되고 타측은 상기 보조냉각챔버의 내부에 설치되며 단부에 설치된 분사노즐에 의해서 상기 보조냉각챔버의 내부로 냉각수를 분사하는 제2순환파이프가 구비된 냉각수 순환장치를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버.A first circulation pipe installed at an upper side of the cooling chamber and configured to spray cooling water into the cooling chamber by an injection nozzle disposed at an end thereof, and cooling water sprayed inside the cooling chamber and installed below the cooling chamber; A circulation pipe for discharging, a circulation pump installed at one side of the cooling chamber and pulling the cooling water discharged through the circulation pipe to the upper portion of the cooling chamber through the first circulation pipe, and one side is connected to the circulation pump The other side of the gas scrubber, characterized in that it comprises a cooling water circulator equipped with a second circulation pipe which is installed inside the auxiliary cooling chamber and the cooling water is injected into the auxiliary cooling chamber by the injection nozzle installed at the end. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 가스유입구에는 다수개의 인입포트를 가진 인입배관이 연결되는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버.A gas scrubber, characterized in that the inlet pipe having a plurality of inlet port is connected to the gas inlet. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 가스유입구의 일측에는 H2, LNG, LPG 중에서 선택된 하나 이상의 연소가스를 상기 버닝챔버로 공급하는 연소가스 공급장치가 설치되는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버.One side of the gas inlet gas scrubber, characterized in that the combustion gas supply unit for supplying at least one combustion gas selected from H 2 , LNG, LPG to the burning chamber is installed. 삭제delete 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 냉각챔버의 일측에는, 공정 진행시 발생하는 수분을 저장하는 드레인챔버가 설치되는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버.One side of the cooling chamber, the gas scrubber, characterized in that the drain chamber for storing the moisture generated during the process is installed. 삭제delete 삭제delete 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 보조냉각챔버의 내주면에는 아래로 경사지게 돌출된 다수개의 경사턱이 서로 엇갈리도록 형성된 집진 업소버가 설치되는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버.Gas scrubber, characterized in that the dust collection absorber is formed on the inner circumferential surface of the sub-cooling chamber is formed so that the plurality of inclined jaw projecting downward inclined. 삭제delete 삭제delete
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