KR20070005224A - 반도체 제조설비의 공정챔버 - Google Patents

반도체 제조설비의 공정챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR20070005224A
KR20070005224A KR1020050060412A KR20050060412A KR20070005224A KR 20070005224 A KR20070005224 A KR 20070005224A KR 1020050060412 A KR1020050060412 A KR 1020050060412A KR 20050060412 A KR20050060412 A KR 20050060412A KR 20070005224 A KR20070005224 A KR 20070005224A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cap
process chamber
screw
semiconductor
thickness
Prior art date
Application number
KR1020050060412A
Other languages
English (en)
Inventor
김용대
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050060412A priority Critical patent/KR20070005224A/ko
Publication of KR20070005224A publication Critical patent/KR20070005224A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16B—DEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
    • F16B39/00—Locking of screws, bolts or nuts
    • F16B39/02—Locking of screws, bolts or nuts in which the locking takes place after screwing down
    • F16B39/08—Locking of screws, bolts or nuts in which the locking takes place after screwing down with a cap interacting with the nut, connected to the bolt by a pin or cotter pin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

아킹 발생을 방지하고 공정 진행 중에 부품의 식각을 방지할 수 있는 반도체 제조설비의 공정챔버가 제공된다. 본 발명에 따른 공정 챔버는 반도체 기판이 처리되는 내부 공간을 한정하는 몸체를 포함한다. 몸체는 적어도 일부분이 노출된 적어도 하나 이상의 스크루에 의해 고정되고, 스크루의 노출부는 세라믹으로 형성된 캡에 의해 덮여 있다.

Description

반도체 제조설비의 공정챔버{Process chamber of an apparatus for fabricating a semiconductor}
도 1은 종래 공정챔버의 일부분을 보여주는 단면도이고;
도 2는 도 1의 공정챔버의 스크루 및 캡을 보여주는 사시도이고;
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 공정챔버의 스크루 및 캡을 보여주는 사시도이고;
도 4는 도 3의 캡의 I-I'에서 절취한 단면도이고; 그리고
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 공정챔버의 일부분을 보여주는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
110...몸체 120...부착물
130...스크루 140, 240...캡
242...원통부 244...덮개부
본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 장치에 관한 것으로서, 특히 내부에서 반도체 기판이 처리될 수 있는 반도체 제조설비의 공정챔버에 관한 것이다.
반도체 소자는 반도체 기판, 예를 들어 실리콘 기판 상에 소정의 회로 패턴을 형성하는 작업을 반복하여 형성된다. 보다 구체적으로 보면, 반도체 소자를 형성하기 위해서는 박막을 형성하는 증착 공정, 이온 주입 공정, 열 산화 또는 열처리 공정, 패턴 형성을 위한 포토 공정 및 식각 공정들이 반복적으로 진행된다. 따라서, 이러한 공정들을 진행하기 위해서 반도체 생산라인에는 다양한 제조설비들이 구비된다.
특히, 최근 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 회로 패턴이 미세화 되고, 증착 또는 식각되는 물질막의 두께 제어도 더욱 정밀해지고 있다. 따라서, 고 신뢰성의 고집적 반도체 소자를 제조하기 위해서는, 한 치의 오차도 허용되지 않는 정확성과 재현성이 보장되는 제조설비들이 요구되고 있다. 더욱이, 반도체 기판의 크기가 더욱 커짐에 따라 반도체 제조설비들에 대한 정밀성 및 균일도 요구는 더욱 높아지고 있다.
반도체 제조설비들은 반도체 기판을 처리하기 위한 적어도 하나 이상의 공정챔버를 구비하고 있다. 하지만, 공정챔버 내에서 반도체 기판에 대한 식각 또는 플라즈마를 이용한 세정이 행해지는 경우, 공정챔버를 구성하는 부품이 식각되는 문제가 발생할 수 있다. 특히, 고파워를 이용하는 식각장치에서 이러한 부품들의 식각문제는 더 심각할 수 있다.
도 1은 종래 공정챔버의 일부분을 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 공정챔버의 내부 공간을 한정하는 몸체(110)의 부착물(120)은 스크루(screw, 130)에 의해 고정될 수 있다. 하지만, 이러한 스크루(130)는 고파워를 사용하는 공정 진행 중에 아킹(arcing)을 유발할 수 있다. 이러한 아킹은 파워 불안정을 초래하여, 공정 불량을 초래할 수 있다.
따라서, 도 2를 참조하면, 아킹을 방지하기 위해 스크루(130)의 노출된 부분에 캡(cap, 140)을 덮는다. 종래 캡(140)은 테플론으로 형성되었다. 하지만, 테플론 재질의 캡(140)은 아킹을 방지하는 데에는 효과적이지만, 식각 공정 진행 중에 표면이 식각될 수 있다는 문제가 있다. 이에 따라, 공정챔버 내부에 이물질이 생겨 제품에 대한 수율을 감소시키고 생산성을 감소시키는 문제가 발생할 수 있다. 나아가, 캡(140)이 심각하게 식각되면, 아킹이 발생하여 식각 불량을 초래할 수도 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 아킹 발생을 방지하고 공정 진행 중에 부품의 식각을 방지할 수 있는 반도체 제조설비의 공정챔버를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 태양에 따르면, 반도체 기판이 처리되는 내부 공간을 한정하는 몸체를 포함하는 반도체 제조설비의 공정챔버가 제공된다. 상기 몸체는 적어도 일부분이 노출된 적어도 하나 이상의 스크루(screw)에 의해 고정된다. 상기 스크루의 노출부는 세라믹(ceramic)으로 형성된 캡(cap)에 의해 덮여 있다.
상기 일 태양의 일 측면에 따르면, 상기 캡의 두께는 1.5 내지 4.5 mm 범위 일 수 있다.
상기 일 태양의 다른 측면에 따르면, 상기 캡은 Al2O3, SiC, AlN 또는 TiB2로 형성될 수 있다.
상기 일 태양의 또 다른 측면에 따르면, 상기 캡은 내부가 비어 있는 원통부와 상기 원통부를 덮는 덮개부를 포함할 수 있고, 상기 덮개부의 두께는 1.5 내지 4.5 mm 범위일 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세하게 설명한다. 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 과장되어 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 공정챔버의 스크루 및 캡을 보여주는 사시도이고, 도 4는 캡의 I-I'에서 절취한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 캡(240)은 스크루(130)의 일부분, 예컨대 머리 부분을 덮을 수 있도록 형성된다. 예를 들어, 캡(240)은 내부가 비어 있는 원통부(242)와 원통부(242)를 덮는 덮개부(244)를 포함할 수 있다. 덮개부(244)는 원통부(242)를 완전히 덮기 위해 원통부(242)의 직경보다 큰 직경을 가질 수 있다. 비록 도면에는 원통형 캡(240)이 도시되었지만, 캡(240)은 스크루(130)의 머리 부분을 덮을 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 예컨대, 다면 스크루(130)에 대해서, 캡(240)은 동일한 다면 몸통부와 덮개부를 포함할 수 있다.
캡(240)은 공정진행 중에 식각되는 것을 방지하기 위해 부식성 식각 기체와 반응하지 않고, 아킹을 방지하기 위해 절연성을 갖는 세라믹으로 형성된다. 또한, 캡(240)을 구성하는 세라믹은 내구성이 뛰어나야 하며, 장기적으로 사용하여도 문제가 되지 않아야 한다. 예를 들어, 캡(240)은 Al2O3, SiC, AlN 또는 TiB2로 형성될 수 있다. 캡(240)은 주입성형 등의 방법으로 원하는 형상으로 형성될 수 있다.
캡(240)의 두께(t)는 공정 진행 중에 식각되어 스크루(130)를 노출시키지 않도록 충분한 두께를 확보하여야 한다. 예를 들어, 캡(240)의 두께(t)는 1.5 내지 4.5 mm 범위 일 수 있으며, 바람직하게는 3 mm 내외일 수 있다. 다른 예로, 캡(240)은 덮개부(244)의 두께가 1.5 내지 4.5 mm 범위 일 수 있으며, 바람직하게는 3 mm 내외일 수 있다. 캡(240)은 종래 1mm 내외의 두께를 갖는 캡(도 2의 140)보다는 큰 두께를 가질 수 있다. 캡(240)의 두께가 너무 크면 스크루(130)에서 쉽게 빠질 수도 있기 때문에 4.5 mm 보다는 작게 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 공정챔버의 일부분을 보여주는 단면도이다. 공정챔버는 반도체 제조설비의 반도체 기판이 처리되는 공간이다. 반도체 제조설비는 적어도 하나 이상의 공정챔버를 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 공정챔버는, 2003년 12월 13일에 출원된 이영진에 의한 대한민국특허출원번호 2003-0090934호의 "웨이퍼 가공장치"를 참조할 수 있다.
도 5를 참조하면, 공정챔버의 내부 공간을 한정하는 몸체(110) 위에 부착물(120)이 스크루(130)에 의해 고정될 수 있다. 부착물(120)은 몸체(110)의 일부분을 형성할 수 있고, 또는 별도의 기능을 위해 몸체(110)에 부착될 수도 있다. 예를 들 어, 부착물(120)은 밸브 구조물 또는 개폐 장치일 수 있다. 또한, 부착물(120)이 몸체의 일부분인 경우 스크루(130)는 몸체(110)를 고정시키는 역할을 할 수 있다.
스크루(130)의 노출 부분, 예컨대 머리 부분은 캡(240)에 의해 덮여 있다. 전술한 바와 같이, 캡(240)은 도전성 스크루(130)를 공정 진행 중 플라즈마 파워로부터 절연시키는 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 공정챔버 내에서 고파워를 사용하여도, 아킹이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 캡(240)은 세라믹으로 형성되어 내식성 및 내구성이 우수하다. 따라서, 여러 회수 및 장시간 동안 공정챔버를 사용하여도, 캡(240)이 식각되는 것이 방지된다. 이에 따라, 캡(240)의 식각에 의한 이물질 발생을 방지할 수 있고, 그 결과 제품의 수율 향상을 도모할 수 있다.
발명의 특정 실시예들에 대한 이상의 설명은 예시 및 설명을 목적으로 제공되었다. 따라서, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 상기 실시예들을 조합하여 실시하는 등 여러 가지 많은 수정 및 변경이 가능함은 명백하다.
본 발명에 따른 공정챔버에 따르면, 몸체를 고정시키는 도전성 스크루는 캡에 의해 덮여 있어 플라즈마 파워로부터 절연될 수 있다. 따라서, 공정챔버 내에서 고파워를 사용하여도, 노출된 스크루에 의해 아킹이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 캡은 세라믹으로 형성되고, 종래 보다 두꺼운 두께로 형성될 수 있어 내식성 및 내구성이 우수하다. 따라서, 여러 회수 및 장시간 동안 공정챔버를 사용하여도, 캡이 식각되는 것이 방지된다. 이에 따라, 캡의 식각에 의한 이물질 발생을 방지할 수 있고, 그 결과 설비의 운영 효율 및 제품의 수율 향상을 도모할 수 있다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판이 처리되는 내부 공간을 한정하는 몸체를 포함하고,
    상기 몸체는 적어도 일부분이 노출된 적어도 하나 이상의 스크루에 의해 고정되고 상기 스크루의 노출부는 세라믹으로 형성된 캡에 의해 덮여 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 공정챔버.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 캡의 두께는 1.5 내지 4.5 mm 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 공정챔버.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 캡은 Al2O3, SiC, AlN 또는 TiB2로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 공정챔버.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 캡은 내부가 비어 있는 원통부와 상기 원통부를 덮는 덮개부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 공정챔버.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 덮개부의 두께는 1.5 내지 4.5 mm 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 공정챔버.
KR1020050060412A 2005-07-05 2005-07-05 반도체 제조설비의 공정챔버 KR20070005224A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050060412A KR20070005224A (ko) 2005-07-05 2005-07-05 반도체 제조설비의 공정챔버

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050060412A KR20070005224A (ko) 2005-07-05 2005-07-05 반도체 제조설비의 공정챔버

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070005224A true KR20070005224A (ko) 2007-01-10

Family

ID=37870905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050060412A KR20070005224A (ko) 2005-07-05 2005-07-05 반도체 제조설비의 공정챔버

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070005224A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180256488A1 (en) * 2015-09-30 2018-09-13 Amorepacific Corporation Composition for preventing hair loss or promoting hair growth, containing ginseng-derived exosome-like vesicles

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180256488A1 (en) * 2015-09-30 2018-09-13 Amorepacific Corporation Composition for preventing hair loss or promoting hair growth, containing ginseng-derived exosome-like vesicles

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7244336B2 (en) Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift
KR100460143B1 (ko) 반도체 제조설비용 프로세스 챔버
TWI500592B (zh) 製造電漿反應器部件之方法及設備
US7897009B2 (en) Plasma processing apparatus
CN107342208B (zh) 用于处理腔室的陶瓷涂覆的石英盖体
CN112136202B (zh) 用于在等离子体增强化学气相沉积腔室中抑制寄生等离子体的设备
US20090137125A1 (en) Etching method and etching apparatus
US20150079790A1 (en) Semiconductor device manufacturing method
KR20210106904A (ko) 기판 처리 장치 및 적재대
KR101086152B1 (ko) 열 프로세싱 챔버용 실린더
KR102512803B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20070005224A (ko) 반도체 제조설비의 공정챔버
JP3446772B2 (ja) 載置台および減圧処理装置
US20170211185A1 (en) Ceramic showerhead with embedded conductive layers
US11018048B2 (en) Ceramic pedestal having atomic protective layer
US20210142990A1 (en) Plasma processing apparatus
KR100899244B1 (ko) 프로세스 결과들의 제어되는 분포를 갖는 에칭을 위한 방법
KR100787384B1 (ko) 정전척
KR20060135112A (ko) 온도 컨트롤러를 구비한 공정챔버
KR20060134575A (ko) 반도체 소자 제조용 플라즈마 장치
KR20060126224A (ko) 월라이너를 구비한 플라즈마 식각장치의 챔버
KR20070010245A (ko) 반도체 제조장비
KR0155905B1 (ko) 하부 전극에 아이솔레이션 링을 구비한 건식 에칭 장치
KR20230159182A (ko) 반도체 식각공정용 세라믹 링 및 그의 제조방법
KR100293460B1 (ko) 반도체소자제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination