KR102512803B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 처리 장치는 플라즈마가 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 일면 상에 웨이퍼가 탑재되는 하부 전극, 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 상기 하부 전극과 마주보는 상부 전극, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부 및 상기 하부 전극에 탑재된 상기 웨이퍼의 가장자리를 둘러싸도록 상기 하부 전극 상에 배치되는 포커스 링을 포함하고, 상기 포커스 링은 헥사고날(hexagonal) 결정구조를 가지는 실리콘카바이드(SiC)들로 이루어진 층을 포함하되, 상기 실리콘카바이드(SiC)들의 적어도 일부는 6H-SiC의 결정형일 수 있다.

Description

플라즈마 처리 장치{Plasma processing system}
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포커스 링을 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제품이 집적화 되면서 초 미세 패턴이 필요해지고 이에 따른 고난이도 반도체 공정기술이 증가하고 있다. 고난이도 반도체 공정은 많은 공정시간과 에너지를 요구하고 있다.
미세 패턴을 요구하는 식각 공정의 경우 대부분 건식 식각 공정을 사용하고 있다. 건식 식각 공정에서 사용되는 식각 장치는 플라즈마라는 기체 형태의 물질을 통해서 웨이퍼에서 회로로 사용할 부분을 식각한다.
이 경우 포커스 링의 기본적인 역할은 실리콘 웨이퍼의 위치를 고정시키고 웨이퍼의 가장자리 부분의 오염을 막는 것이다. 포커스 링은 보통 실리콘으로 이루어져 있는데, 포커스 링 또한 플라즈마에 노출되기 때문에 마모가 진행된다. 포커스 링의 교체 주기가 짧을수록 반도체 제품의 생산 수율이 감소하게 된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 내구성과 경도가 증가한 포커스 링을 포함하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급하나 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 일면 상에 웨이퍼가 탑재되는 하부 전극, 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 상기 하부 전극과 마주보는 상부 전극, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부, 상기 하부 전극에 탑재된 상기 웨이퍼의 가장자리를 둘러싸도록 상기 하부 전극 상에 배치되는 포커스 링을 포함하고, 상기 포커스 링은 실리콘카바이드(SiC)를 포함하되, 상기 실리콘카바이드(SiC)의 적어도 일부는 6H-SiC의 결정형의 실리콘카바이드(SiC)일 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 플라즈마가 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 일면 상에 웨이퍼가 탑재되는 하부 전극, 상기 공정 챔버 내에 구비되며, 상기 하부 전극과 마주보는 상부 전극, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부, 및 상기 하부 전극에 탑재된 상기 웨이퍼의 가장자리를 둘러싸도록 상기 하부 전극 상에 배치되는 포커스 링을 포함하고, 상기 포커스 링은 실리콘카바이드(SiC)를 포함하되, 상기 실리콘카바이드(SiC)의 적어도 일부는 2H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC) 또는 4H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC)를 포함하고, 상기 포커스 링은 경도가 600Mpa 이상 700Mpa 이하일 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 내구성과 경도가 증가된 포커스 링을 포함함으로써 플라즈마를 이용한 공정에서 포커스 링의 손실을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 포커스 링을 개략적으로 나타내는 분리 사시도이다.
도 3은 6H-SiC 결정형을 나타내는 개념도이다.
도 4는 3C-SiC 결정형을 나타내는 개념도이다.
도 5는 2H-SiC 및 4H-SiC 결정형을 나타내는 개념도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 개념에 따른 플라즈마 처리 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1000)을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 포커스 링(130)을 개략적으로 나타내는 분리 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 플라즈마 처리 장치(1000)는 공정 챔버(101), 상부 전극(110), 가스 공급부(120), 하부 전극(140), 및 포커스 링(130)을 포함할 수 있다.
공정 챔버(101)는 외부로부터 독립되는 내부 공간을 제공할 수 있으며, 상기 내부 공간은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 공간으로 제공될 수 있다. 공정 챔버(101)는 플라즈마 반응으로 웨이퍼(W) 또는 상기 웨이퍼(W) 상의 박막이 식각되는 식각 챔버를 포함할 수 있다. 공정 챔버(101) 내에서는 웨이퍼(W) 또는 웨이퍼(W) 상의 실리콘막, 산화막, 질화막, 금속막 등 적어도 하나의 박막이 패터닝되는 식각 공정이 진행될 수 있다. 도시되지 않았지만, 공정 챔버(101)는 진공 상태를 완충시키는 트랜스퍼 챔버 및 로드락 챔버와 연결되도록 구성될 수 있다.
일부 실시예들에서 공정 챔버(101)는 금속, 절연체 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 공정 챔버(101)의 내부는 절연체로 코팅 될 수 있다. 공정 챔버(101)는 직육면체 또는 원통형일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
공정 챔버(101)의 일측에는 입출 게이트가 제공될 수 있다. 상기 입출 게이트를 통하여 웨이퍼(W)들의 출입이 이루어진다. 또한, 상기 공정 챔버(101)는 반응 가스 또는 반응 분산물을 배기하기 위한 배기 덕트(102)를 더 포함할 수 있다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 배기 덕트(102)는 진공 펌프와 연결될 수 있으며, 상기 배기 덕트(102)에는 압력제어밸브, 유량제어밸브 등이 설치될 수 있다.
상부 전극(110)은 상기 공정 챔버(101)의 내부 공간에 제공될 수 있다. 상기 상부 전극(110)은 가스 공급부(120)으로부터 공정 가스를 공급받을 수 있으며, 내부에 공정 가스가 이동할 수 있는 경로를 제공할 수 있다. 가스 공급부(120)를 통하여 상부 전극(110)내에 제공된 공정 가스는 상부 전극(110) 내에 제공된 상기 경로를 통하여 이동한 후, 상부 전극(110)의 하면에 형성된 가스 분사구(111)들을 통하여 하부 전극(140) 상에 안착된 웨이퍼(W)를 향하여 공급될 수 있다.
상기 상부 전극(110)에는 제1 고주파 전원(112)이 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제1 고주파 전원(112)은 공정 챔버(101)내의 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하는데 필요한 적합한 주파수(예를 들어. 60HZ)의 고주파를 출력할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았으나 상기 제1 고주파 전원(112)과 상부 전극(110) 사이에 제1 정합기가 전기적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 정합기는 상기 제1 고주파 전원(112)측 임피던스와 공정 챔버(101)측 임피던스를 매칭시킬 수 있다.
하부 전극(140)은 상기 공정 챔버(101)의 내부 공간에 제공되며, 상기 상부 전극(110)과 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 하부 전극(140)은 정전기를 이용하여 웨이퍼(W)를 고정시키는 정전 척(Electrostatic Chuck, ESC), 기계적 클램핑 방식으로 웨이퍼(W)를 고정하는 척, 및 진공압에 의해 웨이퍼(W)를 흡착 지지하는 진공 척(Vacuum Chuck) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았으나 하부 전극(140)에는 웨이퍼(W)를 공정 온도로 가열시키기 위한 가열 수단이 구비될 수 있다. 또한 상기 하부 전극(140)은 지지 부재(141) 상에 배치될 수 있다.
상기 하부 전극(140)에는 제2 고주파 전원(142)이 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제2 고주파 전원(142)은 바이어스용 전원을 출력할 수 있으며, 웨이퍼(W)에 인입되는 이온 에너지를 제어하기에 적합한 주파수(예를 들어, 2MHz) 의 고주파를 출력할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 하부 전극(140)과 제2 고주파 전원(142) 사이에 제2 정합기가 전기적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 정합기는 상기 제2 고주파 전원(142)측 임피던스와 공정 챔버(101) 측 임피던스를 매칭시킬 수 있다.
공정 가스가 상부 전극(110)과 하부 전극(140) 사이의 공간에서 확산됨과 동시에, 상부 전극(110) 및 하부 전극(140)에 공정 가스를 방전시키는 고주파 전원이 인가되면서 공정 가스는 플라즈마 상태로 변환되고, 상기 플라즈마가 웨이퍼(W)의 표면과 접촉하면서 물리적 또는 화학적 반응이 일어난다. 이러한 반응을 통하여, 어닐링, 식각, 증착, 세정 등의 웨이퍼(W)의 처리 공정이 수행될 수 있다.
포커스 링(130)은 상기 하부 전극(140) 상에 안착되고 상기 웨이퍼(W)의 가장자리를 둘러싸는 고리 형태를 가질 수 있다. 상기 포커스 링(130)의 상면은 단차를 가질 수 있으며, 포커스 링(130)의 안쪽 영역은 상대적으로 높이가 낮게 구성될 수 있다. 포커스 링(130)의 일부분은 웨이퍼(W)의 가장자리를 지지할 수 있다.
상기 포커스 링(130)은 공정 중에 발생하는 고분자 화합물이 상기 하부 전극(140)에 침투하는 것을 방지하도록 상기 하부 전극(130)의 가장자리의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 또한, 상부 전극(110) 및/또는 하부 전극(1400)에 고주파 전원이 인가되면서 전기장이 형성되면, 상기 포커스 링(130)은 상기 전기장의 형성 영역을 확장시켜 상기 웨이퍼(W)가 전체적으로 균일하게 처리되도록 하며, 또한 플라즈마의 형성 영역을 소정 영역 내로 한정시키는 기능을 할 수 있다.
도 3은 6H-SiC의 결정형을 나타내는 개념도이고, 도4는 3C-SiC의 결정형을 나타낸 개념도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면 상기 포커스 링(130)은 실리콘카바이드(SiC)를 포함할 수 있다. SiC 구조는 Si(규소) 원자와 C(탄소) 원자가 1:1로 결합된 상태일 수 있다. 도 3의 흰색 원은 Si 원자에 대응될 수 있고 검은색 원은 C 원자에 대응될 수 있다.
SiC의 적어도 일부는 6H-SiC 결정형의 SiC로 이루어질 수 있다. 6H-SiC의 6은 반복되는 면의 개수를 의미할 수 있다. 즉 ABCACB, 총 6개면이 반복될 수 있다. 6H-SiC의 H는 브라바이스 격자(Bravais lattice)에 해당하고, 헥사고날(hexagonal)을 의미한다. 즉, 6H-SiC 결정형 내 첫 번째 실리콘 원자의 평면적 위치는 일곱 번째 실리콘 원자의 평면적 위치와 중첩할 수 있다.
6H-SiC 결정형의 SiC를 포함하는 포커스 링을 제조하는 방법은 다음과 같을 수 있다.
링 형상의 그라파이트 기재가 제공될 수 있다. 상기 링 형상의 그라파이트 기재 상에 화학기상 증착 방식(CVD)으로 SiC 층을 형성할 수 있다. 이 경우 형성된 SiC 층은 베타(Beta) 타입의 SiC를 가짐이 일반적일 수 있다. 일 예로 베타(Beta) 타입의 SiC는 3C-SiC의 결정형일 수 있다.
도 4를 참조하면, 3C-SiC의 3은 반복되는 면의 개수를 의미할 수 있다. 즉 ABC, 총 3개의 면이 반복될 수 있다. 3과 연속하여 기재된 C는 브라바이스 격자(Bravais lattice)에 해당하고 큐빅(cubic)을 의미한다. 즉, 3C-SiC 결정형 내 첫 번째 실리콘 원자의 평면적 위치는 네 번째 실리콘 원자의 평면적 위치와 중첩할 수 있다.
상기 3C-SiC 결정형에서 1800도 이상의 열처리를 통해서 6H-SiC 결정형으로 변화시킬 수 있다. 열처리가 끝난 경우에도 3C-SiC 결정형의 SiC가 일부로서 여전히 SiC 층에 남을 수 있다. 상기 열처리 후에 6H-SiC 결정형의 SiC와 3C-SiC 결정형의 SiC는 6:4 내지 8:2의 비율로 존재할 수 있다. 일 예로 6H-SiC 결정형의 SiC와 3C-SiC 결정형의 SiC는 7:3의 비율로 존재할 수 있다.
열처리가 끝난 후에 상기 SiC 층의 상면 및 하면을 절단할 수 있다. 이 경우 SiC 층에는 상기 SiC 층뿐만이 아니라 그라파이트 기재가 부착된 상태로 잔존할 수 있다. 상기 잔존한 그라파이트 기재를 산화 제거하여 포커스 링(130)을 제조할 수 있다.
상기 방법으로 제조된, 6H-SiC 결정형의 SiC를 포함하는 포커스 링(130)은 다음과 같은 특징을 가질 수 있다. 상기 포커스 링(130)의 색깔이 녹색을 띌 수 있다. 상기 포커스 링(130)은 부피 밀도가 3.20g/cm3 내지 3.21g/cm3 일 수 있다. 상기 포커스 링(130)의 경도는 600Mpa 내지 700Mpa 일 수 있다. 상기 포커스 링(130)의 절연 파괴 전압은 3MV/cm 이상일 수 있다.
일반적으로, 포커스 링은 소결 방법으로 형성된 3C-SiC 결정형 기반의 SiC으로 이루어질 수 있다. 이 경우 경도가 300 Mpa 내지 400 Mpa 일 수 있다. 부피 밀도의 경우 최대값이 3.19g/cm3 일 수 있다. 절연 파괴 전압은 1MV/cm 일 수 있다.
비교해 보면 CVD 제조방법으로 제조된 6H-SiC 결정형 기반 SiC를 포함하는 포커스 링은 기존의 소결 제조방법으로 제조된 3C-SiC 결정형 기반의 SiC를 포함하는 포커스 링보다 내구성이 좋을 수 있다. 상기 3C-SiC 기반의 포커스 링의 공정 수명이 14일 정도임에 비하여 상기 6H-SiC 기반의 포커스 링의 경우 20일 이상의 공정수명을 가질 수 있다. 공정수명이 길면 식각 공정에서 장비를 멈추고 포커스 링을 교체해야 하는 횟수가 줄어들기 때문에 전체적인 비용절감 효과가 2배 정도 커질 수 있다.
6H-SiC 결정형 기반 SiC를 포함하는 포커스 링의 경우 경도가 높아서 불순물이 생기는 양이 줄어들기 때문에 수율이 증가할 수 있다. 또한 6H-SiC 결정형 기반 SiC를 포함하는 포커스 링의 경우 파괴전압의 임계점이 더 커지기 때문에 고전압 플라즈마를 이용하는 공정에 활용할 수 있는 장점이 있을 수 있다.
도 5는 2H-SiC 결정형 및 4H-SiC 결정형을 나타내는 개념도이다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 일부 실시예들에 따르면, 상기 포커스 링(130)은 2H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC) 또는 4H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC)를 포함할 수 있다.
2H-SiC의 경우 AB, 총 2개면이 반복되는 결정형을 가질 수 있다. 즉, 2H-SiC 결정형 내 첫 번째 실리콘 원자의 평면적 위치는 세 번째 실리콘 원자의 평면적 위치와 중첩할 수 있다.
4H-SiC의 경우 ABCB, 총 4개면이 반복되는 결정형을 가질 수 있다. 즉, 4H-SiC 결정형 내 첫 번째 실리콘 원자의 평면적 위치는 다섯 번째 실리콘 원자의 평면적 위치와 중첩할 수 있다.
상기 2H-SiC 결정형 또는 4H-SiC 결정형의 SiC로 이루어진 SiC 층을 포함하는 포커스 링을 제조하는 경우 상기 6H-SiC 기반의 SiC 층을 포함하는 포커스 링을 제조하는 과정과 열처리 과정을 제외하고는 동일한 공정 과정을 거칠 수 있다.
구체적으로 3C-SiC 결정형에서 2H-SiC 또는 4H-SiC 결정형으로 변화시키는 온도가 달라질 수 있다.
2H-SiC 결정형으로 변화시키는 열처리 후에도 SiC 층에 여전히 3C-SiC 결정형의 SiC는 일부 존재할 수 있다. 상기 열처리 후에 2H-SiC 결정형의 SiC와 3C-SiC 결정형의 SiC는 6:4 내지 8:2의 비율로 존재할 수 있다. 일 예로, 2H-SiC 결정형의 SiC와 3C-SiC 결정형의 SiC는 7:3의 비율로 존재할 수 있다.
4H-SiC 결정형으로 변화시키는 열처리 후에도 SiC 층에 여전히 3C-SiC 결정형의 SiC는 일부 존재할 수 있다. 상기 열처리 후에 4H-SiC 결정형의 SiC와 3C-SiC 결정형의 SiC는 6:4 내지 8:2의 비율로 존재할 수 있다. 일 예로, 4H-SiC 결정형의 SiC와 3C-SiC 결정형의 SiC는 7:3의 비율로 존재할 수 있다.
상기 2H-SiC 또는 4H-SiC 결정형 기반의 SiC를 포함하는 포커스 링의 경우 다음과 같은 특징을 가질 수 있다.
상기 2H-SiC 및 4H-SiC 결정형 기반의 SiC를 포함하는 포커스 링의 경우 경도가 600Mpa 이상 700Mpa 이하일 수 있다. 상기 2H-SiC 또는 4H-SiC 결정형 기반의 SiC를 포함하는 포커스 링의 경우 부피 밀도(bulk density)가 3.20g/cm3 이상 3.21 g/cm3 이하일 수 있고, 절연 파괴 전압은 3MV/cm 이상일 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1000: 플라즈마 처리 장치 112: 제1 고주파 전원
101: 공정 챔버 120: 가스 공급부
102: 배기 덕트 130: 포커스 링
110: 상부 전극 W: 웨이퍼
111: 가스 분사구 140: 하부 전극
141: 지지 부재 142: 제2 고주파 전원

Claims (10)

  1. 플라즈마가 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 구비되며, 일면 상에 웨이퍼가 탑재되는 하부 전극;
    상기 공정 챔버 내에 구비되며, 상기 하부 전극과 마주보는 상부 전극;
    상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 및
    상기 하부 전극에 탑재된 상기 웨이퍼의 가장자리를 둘러싸도록 상기 하부 전극 상에 배치되는 포커스 링을 포함하고,
    상기 포커스 링은 실리콘카바이드(SiC)를 포함하되,
    상기 실리콘카바이드(SiC)의 적어도 일부는 6H-SiC의 결정형의 실리콘카바이드(SiC)이고,
    상기 포커스 링은 경도가 600Mpa 이상 700Mpa 이하인 플라즈마 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 플라즈마가 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 구비되며, 일면 상에 웨이퍼가 탑재되는 하부 전극;
    상기 공정 챔버 내에 구비되며, 상기 하부 전극과 마주보는 상부 전극;
    상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 및
    상기 하부 전극에 탑재된 상기 웨이퍼의 가장자리를 둘러싸도록 상기 하부 전극 상에 배치되는 포커스 링을 포함하고,
    상기 포커스 링은 실리콘카바이드(SiC)를 포함하되,
    상기 실리콘카바이드(SiC)의 적어도 일부는 6H-SiC의 결정형의 실리콘카바이드(SiC)이고,
    상기 포커스 링은, 부피밀도(bulk density)가 3.20g/cm3 이상 3.21 g/cm3 이하인 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘카바이드(SiC)는, 3C-SiC의 결정형의 실리콘카바이드(SiC)를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 실리콘카바이드(SiC)는, 상기 6H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC)와 상기 3C-SiC의 결정형의 실리콘카바이드(SiC)가 6:4 내지 8:2의 비율을 가지는 플라즈마 처리 장치.
  6. 플라즈마가 처리되는 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 구비되며, 일면 상에 웨이퍼가 탑재되는 하부 전극;
    상기 공정 챔버 내에 구비되며, 상기 하부 전극과 마주보는 상부 전극;
    상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 및
    상기 하부 전극에 탑재된 상기 웨이퍼의 가장자리를 둘러싸도록 상기 하부 전극 상에 배치되는 포커스 링을 포함하고,
    상기 포커스 링은 실리콘카바이드(SiC)를 포함하되,
    상기 포커스 링은 경도가 600Mpa 이상 700Mpa 이하이고,
    상기 실리콘카바이드(SiC)의 적어도 일부는 2H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC) 또는 4H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC)를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 포커스 링은, 부피밀도(bulk density)가 3.20g/cm3 이상 3.21 g/cm3 이하인 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 실리콘카바이드(SiC)는 2H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC) 및 3C-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC)를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 실리콘카바이드(SiC)는 4H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC) 및 3C-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC)를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 실리콘카바이드(SiC)는, 상기 4H-SiC 결정형의 실리콘카바이드(SiC)와 상기 3C-SiC의 결정형의 실리콘카바이드(SiC)가 6:4 내지 8:2의 비율을 가지는 플라즈마 처리 장치.

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