KR20070000063A - 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템 및 이의 모니터링방법 - Google Patents

반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템 및 이의 모니터링방법 Download PDF

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Abstract

반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템 및 이의 모니터링 방법에서, 공정 챔버의 진공도를 조절하기 위한 진공 펌프가 구비된다. 상기 공정 챔버 및 진공 펌프에 연결된 진공 라인을 개폐시키기 위한 개폐 밸브가 구비된다. 상기 진공 펌프를 동작시키기 위한 구동 전류를 검출하기 위한 전류 검출부가 구비된다. 상기 검출된 구동 전류가 기 설정된 범위를 초과하는 경우 상기 진공 라인에서의 역류를 방지하기 위하여 상기 개폐 밸브를 차단시키는 제어부가 구비된다. 상기 진공 라인에서의 역류를 방지하기 위하여 상기 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템의 모니터링 방법이 개시된다. 따라서, 상기 진공 펌프에 에러가 발생된 경우 상기 제어부에 의해 상기 개폐 밸브가 자동적으로 차단됨으로써, 펌핑된 물질이 상기 공정 챔버로 역유입되는 것을 방지할 수 있다.

Description

반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템 및 이의 모니터링 방법{VACUUM SYSTEM OF A APPARATUS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MONITORING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 장치 및 이의 모니터링 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템 및 이의 모니터링 방법에 관한 것이다.
반도체 기판 가공 장치는 반도체 기판에 대하여 증착 공정, 확산 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 연마 공정 등과 같은 단위 공정들을 반복적, 선택적으로 수행한다.
상기 단위 공정들은 외부 공기에 의한 반도체 기판의 오염, 외부 공기와 상기 기판의 반응에 의한 불순물 생성 및 불필요한 막질의 형성 등을 방지하기 위해 진공 상태에서 수행되는 것이 일반적이다. 이에 따라, 상기 단위 공정들을 수행하기 위한 반도체 기판 가공 장치들은 공정 챔버 및 로드록 챔버의 내부를 진공 상태로 형성하기 위한 진공 시스템을 포함한다.
상기 단위 공정마다 요구되는 진공도는 각 공정에 따라 다르며, 요구되는 진공도에 따라서 1개 또는 그 이상의 진공 펌프들이 사용된다.
특히, 반도체 제조 공정의 확산 또는 증착 공정 진행 시 상기 챔버에 낮은 압력을 유지하거나 형성하기 위해서는 반드시 펌프 설비가 필요하며, 상기 펌프 설비의 진공 펌프는 기본적으로 로터(rotor)의 회전력에 의해 진공을 발생시킨다.
상기 진공 펌프를 이용하는 반도체 설비의 진공 시스템에 관한 일 예는 대한민국 공개특허 제 1998-039943 호에 개시되어 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템은 반도체 제조 공정이 수행되는 공정 챔버, 상기 공정 챔버에 공정 가스를 공급하기 위한 공급 라인, 상기 공급 라인을 개폐시키기 위한 제1 개폐 밸브, 상기 공정 챔버의 진공도를 조절하기 위한 진공 펌프, 상기 공정 챔버 및 진공 펌프를 연결하는 진공 라인 및 상기 진공 라인을 개폐시키기 위한 제2 개폐 밸브를 포함한다.
예컨대, 상기 진공 시스템은 저압기상 증착설비에 사용될 수 있다. 이와 같은 저압기상 증착설비에 있어서, 증착 공정에 SiH4, PH3, SiH2Cl2, NH3와 같은 유독성 가스(Toxic Gas)가 사용된다.
이때, 상기 진공 펌프에 누설이 발생하는 등의 문제로 인해 상기 진공 펌프에 에러가 발생한 경우, 상기 진공 라인의 압력이 상승하거나 상기 유독성 가스로 인해 상기 진공 펌프의 로터에 고형화된 파우더(powder)가 생성된다.
상기 파우더는 상기 진공 펌프의 로터에 스크래치를 발생시키고, 또한 마찰로 인한 오버로드(overload)로 상기 진공 펌프의 전류값이 상승하게 된다. 상기 전류값이 상승하게 되면, 상기 진공 펌프의 동작이 중단되는 펌프 트립(pump trip)이 발생된다.
상기 펌프 트립(pump trip)이 발생되면, 상기 진공 펌프의 입력부에 압력이 상승하여 증착 챔버 내부로 역류(back stream)현상이 발생한다. 상기 역류 현상에 의해, 상기 증착 챔버 내에 있는 반도체 기판에 다량의 파티클을 유발시키게 되는 문제점이 발생한다.
이에 따라, 상기 펌프 트립을 방지하기 위한 지속적인 방법들이 강구되고 있다. 하지만, 이와 같은 노력에도 불구하고 상기 펌프 트립은 여전히 발생하고 있는 실정이다.
따라서, 상기 펌프 트립이 발생하기 전에, 상기 진공 펌프의 에어를 감지할 수 있는 대책들이 요구된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1 목적은 진공 펌프의 에러 발생 시 진공 시스템을 자동으로 제어할 수 있는 개선된 구조를 갖는 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2 목적은 개선된 구조를 갖는 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템의 모니터링 방법을 제공하는 데 있다.
상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템은, 공정 챔버의 진공도를 조절하기 위한 진공 펌프와, 상기 공정 챔버 및 진공 펌프에 연결된 진공 라인을 개폐시키기 위한 개폐 밸브와, 상기 진공 펌프를 동작시키기 위한 구동 전류를 검출하기 위한 전류 검출부와, 상기 검출된 구동 전류가 기 설정된 범위를 초과하는 경우 상기 진공 라인에서의 역류를 방지하기 위하여 상기 개폐 밸브를 차단시키는 제어부를 포함한다.
여기서, 상기 기 설정된 범위는 상기 공정 챔버에서 수행되는 공정 단계별로 다르게 설정될 수 있다.
상기 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템의 모니터링 방법은, 공정 챔버의 진공도를 조절하기 위하여 진공 펌프를 동작시키는 단계를 수행한다. 상기 진공 펌프를 동작시키기 위한 구동 전류를 검출하는 단계를 수행한다. 상기 검출된 구동 전류가 기 설정된 범위를 초과하는 경우 상기 공정 챔버와 진공 펌프 사이의 진공 라인을 차단시키는 단계를 수행한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 진공 펌프의 에러 발생으로 인하여 동작 중인 상기 진공 펌프가 갑자기 멈추는 펌프 트립으로 인해 상기 공정 챔버에서 배출된 공정 가스를 포함한 물질이 상기 공정 챔버 내부로 역유입되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 반도체 제조 공정이 수행되는 상기 공정 챔버 내부의 반도체 기판이 손상되는 등의 공정불량을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 진공 시스템(100)은 반도체 제조 공정이 수행되는 공정 챔버(110)와, 상기 공정 챔버(110)에 공정 가스를 제공하기 위한 공급 라인(112)과, 상기 공급 라인(112)을 개폐시키기 위한 제1 개폐 밸브(116)와, 상기 공급 라인(112)에 잔류하는 물질을 배출시키기 위한 배출 라인(114)과, 상기 배출 라인(114)을 개폐시키기 위한 제2 개폐 밸브(118)와, 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공도를 조절하기 위한 진공 펌프(120)와, 상기 공정 챔버(110)와 상기 진공 펌프(120)를 연결하는 진공 라인(122)과, 상기 진공 라인(122)을 개폐시키기 위한 제3 개폐 밸브(124)와, 상기 진공 펌프(120)에 제공된 구동 전류를 감지하는 전류 검출부(130)와, 상기 전류 검출부(130) 및 상기 개폐 밸브들(116, 118, 124)과 연결된 제어부(140)를 포함한다.
상기 진공 시스템(100)은 증착 공정, 식각 공정, 확산 공정 등의 여러 단위 공정들을 수행하는 반도체 기판 가공 장치에 사용된다.
구체적으로, 상기 공정 챔버(110)는 반도체 제조 공정을 수행하기 위한 공간을 제공한다. 상기 공정 챔버(110)에는 상기 공정 챔버(110)에 공정 가스를 공급하는 상기 공급 라인(112)이 연결된다.
상기 배출 라인(114)은 상기 공급 라인(112)과 상기 진공 펌프(120)에 연결된다. 여기서, 상기 배출 라인(114)은 상기 진공 펌프(120)의 펌핑 동작에 의해 상기 공정 챔버(110)에서 반도체 제조 공정이 진행 중이거나 상기 공정이 종료된 후에 상기 공급 라인(112)의 내부에 잔류하는 상기 공정 가스를 배출한다.
상기 공급 라인(112) 및 상기 배출 라인(114)에는 상기 제1 개폐 밸브(116) 및 상기 제2 개폐 밸브(118)가 각각 설치된다. 상기 제1 개폐 밸브(116)는 상기 공급 라인(112)을 개폐시키고, 상기 제2 개폐 밸브(118)는 상기 배출 라인(114)을 개폐시킨다.
구체적으로, 상기 공정 챔버(110)에서 수행되는 반도체 제조 공정이 종료되어 상기 공급 라인(112) 내부에 잔류하는 상기 공정 가스를 배출하는 경우, 상기 제1 개폐 밸브(116)는 폐쇄되고 상기 제2 개폐 밸브(118)는 개방된다. 이때, 상기 진공 펌프(120)의 동작에 의해 상기 공급 라인(112) 내부에 잔류하는 상기 공정 가스는 배출된다.
여기서, 상기 제1 개폐 밸브(116), 상기 제2 개폐 밸브(118) 및 진공 펌프(120)는 상기 제어부(140)와 연결된다. 이에 따라, 상기 제1 개폐 밸브(116), 상기 제2 개폐 밸브(118) 및 진공 펌프(120) 사이의 유기적인 동작 관계는 상기 제어부(140)에 의해 자동적으로 조절된다.
상기 진공 펌프(120)는 반도체 제조 공정이 수행되는 상기 공정 챔버(110)에 연결된 상기 진공 라인(122) 상에 설치된다. 도시되지 않았지만, 상기 진공 펌프(120)는 저진공 펌프와 고진공 펌프로 구성될 수 있다. 상기 진공 펌프(120)는 상기 공정 챔버(110)에서 반도체 제조 공정을 수행할 수 있도록 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공도를 조절하기 위하여 상기 공정 챔버(110) 내부를 펌핑한다.
상기 공정 챔버(110) 내부의 상기 진공도는 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 상기 공정 가스들이 공급되면 미세하게 변하게 된다. 이에 따라, 상기 진공 펌프(120)는 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공도를 반도체 제조 공정을 수행할 수 있는 진공도로 유지시키기 위해 상기 공정 챔버(110) 내부를 펌핑한다.
상기 진공 라인(122)에 설치된 상기 제3 개폐 밸브(124)는 상기 진공 라인(122)을 개폐시킨다. 구체적으로, 상기 제3 개폐 밸브(124)는 상기 진공 펌프(120)의 동작에 의해 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공도를 반도체 제조 공정에 필요한 진공도로 유지시키기 위해 상기 진공 라인(122)을 개폐시킨다.
이에 따라, 상기 진공 펌프(120)의 동작에 의해 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공도가 반도체 제조 공정에 필요한 진공도로 조절된 경우에는 상기 제3 개폐 밸브(124)는 상기 진공 라인(122)을 폐쇄시킨다. 이에 반해, 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공도를 반도체 제조 공정에 필요한 진공도로 조절할 필요가 있는 경우에는, 상기 진공 펌프(120)의 동작에 의해 상기 공정 챔버(110) 내부가 펌핑되도록 상기 진공 라인(122)을 개방시킨다.
상기 제3 개폐 밸브(124) 및 상기 진공 펌프(120)는 상기 제어부(140)와 연결된다. 이에 따라, 상기 진공 펌프(120) 및 상기 제3 개폐 밸브(124)의 유기적인 동작 관계는 상기 제어부(140)에 의해 자동적으로 조절된다.
또한, 상기 제어부(140)는 상기 진공 펌프(120)와 연결된 상기 전류 검출부(130)와 연결된다. 상기 전류 검출부(130)는 상기 진공 펌프(120)를 동작시키기 위해 상기 진공 펌프(120)에 공급된 구동 전류(이하, '제1 전류'라 한다)를 검출한다. 여기서, 상기 제1 전류는 소정의 범위를 갖고, 상기 진공 펌프(120)에 상기 범위 내의 전류가 공급될 때 상기 진공 펌프(120)는 에러가 없는 상태에서 정상적으로 동작하게 된다.
여기서, 상기 진공 펌프(120)를 장기간 사용함에 따라, 상기 진공 펌프(120)에 파우더(powder)가 축적되거나 상기 진공 펌프(120)의 구성 부재인 베어링이 마모되거나 상기 진공 펌프(120)를 구동시키는 모터의 열화에 의해 상기 진공 펌프(120)에 오버로드가 발생하는 등 상기 진공 펌프(120)에 에러가 발생한 경우 상기 진공 펌프(120)를 동작시키기 위해 상기 진공 펌프(120)에 공급되는 상기 제1 전류는 상기 진공 펌프(120)가 정상 상태일 때 상기 진공 펌프(120)에 공급되는 상기 제1 전류보다 상승하게 된다.
이에 따라, 정상적으로 동작하는 상기 진공 펌프(120)에 공급된 상기 제1 전류가 상승한 경우에는 상기 진공 펌프(120)에 에러가 발생된 상태이므로, 상기 동작 중인 진공 펌프(120)는 상기 에러로 인해 동작이 갑자기 중단되는 펌프 트립이 발생할 수 있다. 상기 펌프 트립이 발생한 경우에는 상기 진공 라인(122)에 역류 현상이 발생함으로써 파티클에 의해 상기 진공 시스템(100) 및 상기 공정 챔버(110) 내부의 반도체 기판이 손상될 수 있다.
따라서, 상기 펌프 트립을 방지하기 위한 대책으로서, 상기 진공 시스템(100)은 상기 전류 검출부(130) 및 제어부(140)가 상호 연동하여 동작하도록 구성된다.
구체적으로, 상기 진공 펌프(120)에 에러가 발생한 경우 상기 진공 펌프(120)를 동작시키기 위해 상기 진공 펌프(120)에 공급되는 상승된 상기 제1 전류는 제2 전류로 설정되고, 상기 제2 전류는 상기 제어부(140)에 저장된다. 따라서, 상기 제2 전류는 상기 진공 펌프(120)가 정상적인 상태에서 상기 진공 펌프(120)에 공급되는 상기 제1 전류값보다 큰 전류값을 갖는다.
상기 제2 전류값이 상기 제어부(140)에 저장된 상태에서, 상기 전류 검출부(130)는 상기 진공 펌프(120)에 공급되는 상기 제1 전류값을 검출하고, 상기 제어부(140)는 상기 검출된 제1 전류값을 상기 전류 검출부(130)로부터 수신하여 상기 제2 전류값과 비교한다.
이때, 상기 제1 전류값이 상기 제2 전류값을 초과할 때, 상기 진공 펌프(120)는 비정상적인 상태이므로 상기 제어부(140)는 상기 펌프 트립이 발생하기 전에 상기 제3 개폐 밸브(124)를 차단시킨다. 그리하여, 상기 진공 라인(122)으로부터 상기 공정 챔버(110)로 물질이 역류하는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 상기 제2 전류값은 상기 공정 챔버(110)에서 수행되는 공정 단계별로 다르게 설정될 수 있다.
구체적으로, 상기 공정 챔버(110)에서 증착 공정, 식각 공정, 확산 공정 등의 단위 공정별로 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공도는 다를 수 있음으로, 상기 진공 펌프(120)가 상기 각 단위 공정에 따라 동작을 수행할 수 있도록 상기 진공 펌프(120)에 제공되는 상기 제1 전류값이 상기 각 단위 공정별로 다를 수 있다.
이에 따라, 상기 진공 펌프(120)에 에러가 발생한 경우에 상기 각 단위 공정을 수행하기 위한 상기 진공 펌프(120)에 공급되는 상기 제1 전류값은 상기 단위 공정별로 다를 수 있다.
따라서, 상기 진공 펌프(120)에 에러가 발생한 경우에도 상기 진공 펌프(120)에 공급되는 상기 제1 전류값은 상기 단위 공정별로 다를 수 있음으로, 상기 제어부(140)에 저장되는 상기 제2 전류값도 상기 단위 공정별로 다를 수 있다.
도 3은 상기와 같은 구성을 가진 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템의 모니터링 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3을 참조하면, 상기 공정 챔버(110)에서 반도체 제조 공정을 수행할 수 있도록 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공도를 조절하기 위해 상기 진공 펌프(120)는 상기 공정 챔버(110) 내부를 펌핑한다(단계 S100).
구체적으로, 반도체 제조 공정이 수행될 반도체 기판이 상기 공정 챔버(110)의 내부에 구비되는 척(미도시)에 로딩되면 상기 진공 펌프(120)는 상기 공정 챔버(110) 내부를 펌핑하기 시작한다. 상기 진공 펌프(120)는 고진공 펌프와 저진공 펌프로 구성될 수 있음으로, 상기 저진공 펌프의 동작에 의해 상기 공정 챔버(110)의 내부는 일차적으로 저진공이 형성되고, 이후 상기 고진공 펌프의 동작에 의해 고진공이 형성된다. 이때, 상기 진공 라인(122)은 상기 제3 개폐 밸브(124)에 의해 개폐정도가 조절되어 상기 공정 챔버(110) 내부의 진공도가 조절된다.
상기 척의 내부에 구비되는 히터가 상기 기판을 반응 온도로 가열하고, 상기 공정 챔버(110)의 내부로 공급되는 공정 가스의 화학반응에 의해 상기 기판 상에 막질이 형성된다.
상기 전류 검출부는 상기 공정 챔버 내부를 펌핑하는 상기 진공 펌프를 동작시키기 위해 상기 진공 펌프에 공급되는 상기 제1 전류값을 검출한다(단계 S110).
상기 제어부(140)는 상기 진공 펌프(120)의 에러 유무를 판단하기 위해, 상기 진공 펌프(120)에 공급된 상기 제1 전류값이 상기 제어부(140)에 저장된 상기 제2 전류값을 초과하였는 가에 대한 여부를 판단한다(단계 S120).
구체적으로, 상기 진공 펌프(120)에 에러가 발생하여 상기 진공 펌프(120)가 비정상적인 상태에서 동작할 때 상기 전류 검출부(130)에 의해 검출되는 상기 진공 펌프(120)의 상기 제1 전류값은 상기 진공 펌프(120)가 정상적인 상태에서 정동작을 수행할 때 상기 전류 검출부(130)에 의해 검출되는 상기 진공 펌프(120)의 상기 제1 전류값보다 상승된 전류값을 갖게 된다.
따라서, 상기 진공 펌프(120)에 에러가 발생하여 상기 진공 펌프(120)가 동작을 정지하는 펌프 트립이 발생하기 전에, 상기 제어부(140)는 상기 전류 검출부(130)로부터 제공된 상기 제1 전류값이 상기 제2 전류값을 초과하였는 가를 판단한다.
이때, 상기 진공 펌프(120)의 상기 제1 전류값이 상기 제2 전류값에 초과하였다면, 상기 진공 라인(122) 내부의 물질이 상기 공정 챔버(110)로 역유입되는 현상(back stream)을 방지하기 위하여 상기 제어부(140)는 상기 제3 개폐 밸브(124)를 차단시킨다(단계 S130).
이어, 상기 제어부(140)는 상기 제3 개폐 밸브(124)가 차단된 상태에서 상기 진공 펌프(120)의 펌핑 동작을 정지시킨다(단계 S140).
이에 반해, 상기 진공 펌프(120)의 상기 제1 전류값이 상기 제2 전류값을 초과하지 않았다면, 상기 진공 펌프(120)는 정상 상태에 있음으로 상기 진공 펌프(120)의 동작은 계속해서 수행된다.
상기 제1 전류값이 상기 제2 전류값에 도달한 경우를 구체적으로 살펴보면, 상기 진공 펌프(120)의 상기 제1 전류값이 상기 제2 전류값에 도달한 후 얼마 후의 시간이 경과하면 펌프 트립이 발생되기 때문에, 상기 펌프 트립이 발생되기 이전에 공정불량을 발생시킬 수 있는 요소들을 제거할 수 있도록 해야 한다.
이에 따라, 상기 제어부(140)는 상기 제1 개폐 밸브(116)를 차단시킴으로써 상기 공정 가스가 상기 공정 챔버(110)로 유입되지 못하도록 상기 공급 라인(112)을 폐쇄시킨다. 또한, 상기 제어부(140)는 상기 공급 라인(112) 내부에 잔존한 상기 공정 가스가 상기 진공 펌프(120)로 유입되지 않도록 하기 위해 상기 제2 개폐 밸브(118)도 차단하게 된다.
또한, 상기 제어부(140)는 상기 진공 펌프(120)의 동작에 의해 상기 공정 챔버(110) 내부로부터 상기 진공 라인(122)으로 배출된 상기 공정 가스를 포함한 물질이 상기 공정 챔버(110)로 역유입되지 않도록 상기 제3 개폐 밸브(124)를 차단시킨다.
따라서, 상기 펌프 트립이 발생되기 이전에 공정불량을 발생시킬 수 있는 요소들을 제거할 수 있게 된다. 이에, 공정불량을 발생시킬 수 있는 요소들이 제거되면, 상기 제어부(140)는 상기 진공 펌프(120)의 동작을 정지시키고 이를 작업자에게 알리는 경보음을 울릴 수 있다. 이로써, 작업자는 상기 진공 시스템(100)을 점검하게 된다.
이와 같이, 공정불량을 발생하는 요소들이 제거된 상태에서 상기 진공 펌프(120)의 동작이 정지되지 때문에, 상기 공정 챔버(110)에서 배출된 상기 공정 가스를 포함한 잔류물이 상기 공정 챔버(110)로 역유입되는 것을 방지할 수 있게 된다.
따라서, 상기 전류 검출부(130)에 의해 검출된 상기 진공 펌프(120)의 상기 제1 전류값이 상기 제어부(140)에 저장된 상기 제2 전류값을 초과한 경우, 펌프 트립이 발생되기 전에 상기 제어부(140)는 상기 개폐밸브들(116, 118, 124)을 차단시켜 공정불량을 발생시킬 수 있는 요소들을 제거함으로써, 상기 펌프 트립으로 인해 상기 공정 가스를 포함한 잔류물이 상기 공정 챔버(110) 내부로 역유입되는 것을 방지할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 전류 검출부는 상기 진공 펌프를 동작시키기 위해 상기 진공 펌프에 공급된 제1 전류값을 검출한다. 상기 제1 전류값은 상기 진공 펌프가 동작될 수 있는 소정 범위의 전류값을 갖는다. 여기서, 상기 진공 펌프에 공급되는 상기 제1 전류값이 상기 소정 범위의 전류값을 초과하는 경우 상기 진공 펌프에 에러가 발생하였음을 의미한다.
이에 따라, 상기 진공 펌프의 에러 유무를 판단하기 위해 상기 소정 범위의 전류값 중 최대 크기의 전류값이 제2 전류값으로 설정되어 상기 제어부에 저장된다.
따라서, 상기 전류 검출부에 의해 검출된 상기 제1 전류값이 상기 제어부에 저장된 상기 제2 전류값을 초과한 경우, 상기 진공 펌프는 비정상적인 상태에 있음으로 상기 진공 펌프의 동작이 중단되는 펌프 트립이 발생될 수 있다.
그리하여, 상기 제어부는 상기 제1 전류값이 상기 제2 전류값을 초과하였음을 판단한 경우 상기 펌프 트립이 발생되기 전에 상기 개폐 밸브들을 차단시킨다. 이로써, 상기 공정 챔버 내부의 펌핑된 물질이 상기 진공 라인으로부터 상기 공정 챔버 내부로 역유입되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 진공 라인으로부터 상기 공정 챔버로의 역류 현상을 방지함으로써 공정불량을 방지할 수 있다.
상기에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 진공 시스템의 모니터링 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 진공 시스템 110 : 공정 챔버
112 : 공급 라인 114 : 배출 라인
116 : 제1 개폐 밸브 118 : 제2 개폐 밸브
120 : 진공 펌프 122 : 진공 라인
124 : 제3 개폐 밸브 130 : 전류 검출부
140 : 제어부

Claims (3)

  1. 공정 챔버의 진공도를 조절하기 위한 진공 펌프;
    상기 공정 챔버 및 진공 펌프에 연결된 진공 라인을 개폐시키기 위한 개폐 밸브;
    상기 진공 펌프를 동작시키기 위한 구동 전류를 검출하기 위한 전류 검출부; 및
    상기 검출된 구동 전류가 기 설정된 범위를 초과하는 경우, 상기 진공 라인에서의 역류를 방지하기 위하여 상기 개폐 밸브를 차단시키는 제어부를 포함하는 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기 설정된 범위는 상기 공정 챔버에서 수행되는 공정 단계별로 다르게 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템.
  3. 공정 챔버의 진공도를 조절하기 위하여 진공 펌프를 동작시키는 단계;
    상기 진공 펌프를 동작시키기 위한 구동 전류를 검출하는 단계; 및
    상기 검출된 구동 전류가 기 설정된 범위를 초과하는 경우 상기 공정 챔버와 진공 펌프 사이의 진공 라인을 차단시키는 단계를 포함하는 반도체 기판 가공 장치의 진공 시스템의 모니터링 방법.
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