KR20060117588A - 냉각시스템을 갖는 집적회로 제조용 확산로 및 확산로의냉각방법 - Google Patents
냉각시스템을 갖는 집적회로 제조용 확산로 및 확산로의냉각방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060117588A KR20060117588A KR1020050039526A KR20050039526A KR20060117588A KR 20060117588 A KR20060117588 A KR 20060117588A KR 1020050039526 A KR1020050039526 A KR 1020050039526A KR 20050039526 A KR20050039526 A KR 20050039526A KR 20060117588 A KR20060117588 A KR 20060117588A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- flange
- cooling
- coolant
- cooling system
- Prior art date
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
냉각시스템을 갖는 집적회로 제조용 확산로가 제공된다. 상기 확산로는 플랜지 및 튜브를 구비한다. 상기 튜브는 상기 플랜지 상부에 설치되며 공정이 진행되는 반응기의 역할을 한다. 상기 플랜지 및 상기 튜브 사이에 외부와의 실링을 위한 실링부재가 삽입된다. 상기 실링부재를 냉각하는 냉각시스템이 제공된다. 상기 냉각시스템은 온도감지장치 및 제어장치를 구비한다. 상기 온도감지장치는 상기 플랜지의 온도를 감지하는 역할을 한다. 상기 제어장치는 상기 온도감지장치에서 감지된 온도를 설정된 온도와 비교하여 냉각제의 공급량을 조절하는 신호를 발생하는 역할을 한다. 상기 집적회로 제조용 확산로의 냉각방법 또한 제공된다.
Description
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 냉각시스템을 나타낸 간략도이다.
도 2는 종래의 냉각시스템에 사용되는 유량조절밸브를 보여주는 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 냉각시스템을 갖는 종형 확산로의 개략적 구성을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 플렌지 부분 및 냉각시스템을 보여주는 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 확산로의 냉각방법을 보여주는 순서도이다.
본 발명은 반도체소자의 제조장치에 관한 것으로, 특히 냉각시스템을 갖는 집적회로 제조용 확산로 및 확산로의 냉각방법에 관한 것이다.
확산로(diffusion furnace)는 산화막 형성, 질화막 형성 및 어닐링(annealing)과 같은 다양한 반도체 제조공정에 사용된다. 상기 확산로는 공정이 진 행되는 튜브 및 상기 튜브 내의 온도를 조절하는 가열장치를 구비한다. 상기 튜브는 일반적으로 원기둥 형태를 가진다. 상기 확산로는 상기 튜브의 장착 방식에 따라 종형 확산로(vertical furnace) 및 횡형 확산로(horizontal furnace)로 분류될 수 있다. 상기 종형 확산로(vertical furnace)는 상기 튜브 내의 균일한 온도분포 및 클린룸(clean room) 내에서 배치의 용이성 등으로 인하여 최근 널리 사용되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 냉각시스템을 나타낸 간략도이다.
도 2는 종래의 냉각시스템에 사용되는 유량조절밸브를 보여주는 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 반도체 제조설비(1)는 공정이 진행되는 챔버(2)를 구비한다. 상기 챔버(2)를 냉각하기 위한 냉각시스템은 상기 챔버(2) 내에 배치되며 냉각제가 흐르는 냉각관(도시하지 않음), 상기 냉각관에 연결되며 상기 냉각제를 공급하는 급수배관(12), 및 상기 냉각관에 연결되며 상기 냉각제를 배출하는 환수배관(18)을 갖는다. 상기 급수배관(12)에는 유량조절밸브(14)가 부착된다. 상기 유량조절밸브(14)는 상기 급수배관(12)으로 공급되는 상기 냉각제의 유량을 조절해주는 역할을 한다. 상기 유량조절밸브(14)는, 도 2 에 도시된 바와 같이, 액츄에이터(actuator; 17) 및 조절노브(16)를 갖는다. 상기 액츄에이터(17)는 상기 급수배관(12)으로 공급되는 상기 냉각제의 유량에 따라 승강 이동한다.
상기 냉각시스템은 작업자가 상기 조절노브(16)를 조절하여 상기 냉각제의 유량을 조절한다. 그러나 상기 냉각제의 유량을 수시로 점검하여야 하는 번거로움 이 따른다.
한편, 상기 종형 확산로 중에 저압화학기상증착(low pressure chemical vapor deposition; LPCVD)장치가 있다. 상기 저압화학기상증착 장치는 플랜지, 상기 플랜지 상에 설치되는 내측튜브, 및 상기 플랜지 상에 설치되고 상기 내측튜브의 외측에 설치되는 외측튜브를 구비한다. 상기 외측튜브와 상기 플랜지 사이에는 외부와의 실링을 위한 오링(O-ring)과 같은 실링부재가 삽입된다. 그런데 상기 외측튜브 및 상기 내측튜브는 공정에 필요한 고온으로 가열되어야 한다. 반면, 상기 실링부재는 합성수지와 같은 열에 취약한 물질로 만들어 진다.
이에 따라, 상기 플랜지 내에는 냉각제가 흐르는 냉각관이 배치된다. 상기 냉각관을 통하여 흐르는 냉각제는 상기 플랜지를 냉각하는 역할을 한다. 즉, 상기 플랜지의 온도를 낮추어 줌으로서 상기 실링부재가 과열되어 파손되는 것을 방지한다. 그런데 상기 냉각관의 막힘과 같은 이상 발생에 의하여 상기 냉각제가 원활하게 공급되지 못하는 경우, 상기 실링부재가 파손될 수 있다. 상기 실링부재의 파손은 상기 외측튜브 내의 진공 누설을 초래한다. 따라서 상기 플랜지를 냉각하는 시스템은 상시 정상적으로 동작되어야 한다. 그러나 작업자의 확인에 의존하는 냉각시스템은 상기 냉각관의 이상 발생을 조기에 대처하는데 한계가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 냉각제의 유량이 자동조절 되는 냉각시스템을 갖는 집적회로 제조용 확산로를 제공하는 것이다. 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 집 적회로 제조용 확산로의 냉각방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 집적회로 제조용 확산로를 제공한다. 상기 확산로는 플랜지 및 튜브를 구비한다. 상기 튜브는 상기 플랜지 상부에 설치되며 공정이 진행되는 반응기의 역할을 한다. 상기 플랜지 및 상기 튜브 사이에 외부와의 실링을 위한 실링부재가 삽입된다. 상기 실링부재를 냉각하는 냉각시스템을 포함한다. 상기 냉각시스템은 온도감지장치 및 제어장치를 구비한다. 상기 온도감지장치는 상기 플랜지의 온도를 감지하는 역할을 한다. 상기 제어장치는 상기 온도감지장치에서 감지된 온도를 설정된 온도와 비교하여 냉각제의 공급량을 조절하는 신호를 발생하는 역할을 한다.
본 발명의 몇몇 실시 예에서, 상기 냉각시스템은 냉각관을 더 포함할 수 있다. 상기 냉각관은 상기 플랜지 내에 배치되며 상기 냉각제가 흐르는 통로의 역할을 할 수 있다. 상기 냉각관의 일단에 공급배관이 연결될 수 있으며, 상기 냉각관의 타단에 배출배관이 연결될 수 있다. 상기 공급배관은 상기 냉각관에 상기 냉각제를 공급하는 역할을 할 수 있다. 상기 배출배관은 상기 냉각관으로부터 상기 냉각제를 배출하는 역할을 할 수 있다. 상기 공급배관 및 상기 배출배관 중 적어도 하나에 유량조절밸브가 부착될 수 있다. 상기 유량조절밸브는 상기 제어장치에서 입력된 신호에 의하여 상기 냉각관에 흐르는 상기 냉각제의 유량을 조절하는 역할을 할 수 있다. 이 경우에, 상기 유량조절밸브는 솔레노이드밸브와 같이 전기적 신호에 의하여 개방정도가 조절되는 것이 바람직하다.
다른 실시 예에서, 상기 냉각시스템은 경보장치를 더 포함할 수 있다. 상기 경보장치는 상기 제어장치에 신호적으로 연결되고 상기 온도감지장치에서 감지된 온도가 기준 온도를 초과하였을 경우 경보를 발령할 수 있다. 상기 경보장치는 발광장치, 경고음 발생장치, 또는 문자 메시지 송신장치를 포함할 수 있다.
또 다른 실시 예에서, 상기 실링부재는 오링(O-ring)일 수 있다.
또한, 본 발명은, 집적회로 제조용 확산로의 냉각방법을 제공한다. 이 방법은 플랜지 및 튜브 사이에 삽입된 실링부재를 냉각하기 위하여 상기 플랜지 내에 배치된 냉각관에 냉각제를 공급하는 단계를 포함한다. 이어서, 온도감지장치를 이용하여 상기 플랜지의 온도를 감지한다. 제어장치를 이용하여 상기 온도감지장치에서 감지된 온도를 설정된 온도와 비교하여 유량조절밸브의 개방정도를 조절한다.
몇몇 실시 예에서, 상기 제어장치에 신호적으로 연결된 경보장치를 이용하여 상기 온도감지장치에서 감지된 온도가 기준 온도를 초과하였을 경우 경보를 발령할 수 있다. 상기 경보는 발광, 경고음 발생, 또는 문자 메시지를 송신하는 것일 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 냉각시스템을 갖는 종형 확산로의 개략적 구성을 보여주는 단면도이다. 도 4는 도 3의 플렌지 부분 및 냉각시스템을 보여주는 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 종형 확산로는 플랜지(55) 및 튜브들(57, 59)을 구비한다. 상기 튜브들(57, 59)은 상기 플랜지(55) 상부에 설치되며 공정이 진행되는 반응기의 역할을 한다. 또한, 상기 튜브들(57, 59)은 내측튜브(57) 및 외측튜브(59)로 구분될 수 있다. 상기 내측튜브(57)는 상하 개방된 원통형 구조가 사용될 수 있다. 상기 외측튜브(59)는 하부만 개방된 원통형 구조가 널리 사용되고 있다. 상기 외측튜브(59)는 상기 내측튜브(57)를 감싸도록 설치된다. 상기 외측튜브(59) 및 상기 내측튜브(57)의 재료는 석영(quartz)이 널리 사용된다. 상기 외측튜브(59)의 바깥쪽에 공정온도 유지에 필요한 가열장치(도시하지 않음)가 설치된다. 상기 내측튜브(57)의 안쪽에 웨이퍼(W)를 탑재하는 웨이퍼 보트(53)가 투입된다. 상기 웨이퍼 보트(53)의 하부에 플레이트(52) 및 회전 장치(51)가 배치된다. 상기 회전 장치(51)는 상기 웨이퍼 보트(53)를 공정이 진행되는 동안 회전시키는 역할을 할 수 있다.
상기 외측튜브(59) 및 상기 내측튜브(57)는 모두 상기 플랜지(55) 상에 장착되며, 상기 플랜지(55)에 의해 지지된다. 상기 외측튜브(59) 및 상기 플랜지(55) 사이에는 실링부재(73)가 삽입된다. 상기 실링부재(73)는 상기 외측튜브(59) 및 상기 플랜지(55) 사이의 틈새를 메워주는 역할을 한다. 즉, 상기 실링부재(73)는 상 기 외측튜브(59)의 내부를 외부로부터 밀폐해 준다. 상기 실링부재(73)는 오링(O-ring)일 수 있다. 또한, 상기 플랜지(55)의 측벽에는 공정가스 공급관들(도시하지 않음)이 설치될 수 있다. 공정진행 중 상기 외측튜브(59)는 고온으로 가열될 수 있다. 예를 들면, 상기 외측튜브(59)는 600℃로 가열될 수 있다. 그런데 상기 오링과 같은 실링부재(73)는 합성수지로 만들어 질수 있다. 상기 합성수지는 열에 취약한 특성을 보인다.
이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 종형 확산로는 상기 실링부재(73)를 냉각하는 냉각시스템을 구비한다. 상기 냉각시스템은 온도감지장치(71) 및 제어장치(83)를 구비한다. 상기 온도감지장치(71)는 상기 플랜지(55)의 온도를 감지하는 역할을 한다. 상기 제어장치(83)는 상기 온도감지장치(71)에서 감지된 온도를 설정된 온도와 비교하여 냉각제의 공급량을 조절하는 신호를 발생하는 역할을 한다.
이에 더하여, 상기 플랜지(55) 내에 냉각관(65)이 배치될 수 있다. 상기 냉각관(65)은 냉각제가 흐르는 통로의 역할을 할 수 있다. 상기 냉각제는 물, 에틸렌글리콜, 또는 이들의 혼합용액과 같은 유체일 수 있다. 상기 냉각관(65)에 공급배관(67) 및 배출배관(61)이 연결될 수 있다. 상기 공급배관(67)은 상기 냉각관(65)에 상기 냉각제를 공급하는 역할을 할 수 있다. 상기 배출배관(61)은 상기 냉각관(65)으로부터 상기 냉각제를 배출하는 역할을 할 수 있다. 상기 공급배관(67) 및 상기 배출배관(61) 중 적어도 하나에 유량조절밸브들(69, 63)이 부착될 수 있다. 상기 유량조절밸브들(69, 63)은 상기 제어장치(83)에 신호적으로 연결된다. 상기 유량조절밸브들(69, 63)은 상기 제어장치(83)에서 입력된 신호에 의하여 상기 냉각관(65)에 흐르는 상기 냉각제의 유량을 조절하는 역할을 할 수 있다. 상기 유량조절밸브들(69, 63)은 솔레노이드밸브와 같이 전기적 신호에 의하여 개방정도가 조절되는 것일 수 있다.
또한, 상기 온도감지장치(71)는 상기 플랜지(55) 측벽에 부착될 수 있다. 예를 들면, 상기 온도감지장치(71)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 실링부재(73) 하부의 상기 플랜지(55) 측벽에 부착될 수 있다. 상기 온도감지장치(71)는 상기 제어장치(83)에 신호를 전송할 수 있도록 연결된다.
이에 더하여, 상기 제어장치(83)에 경보장치(87)가 부착될 수 있다. 상기 경보장치(87)는 상기 제어장치(83)에 신호적으로 연결된다. 상기 온도감지장치(71)에서 감지된 온도가 기준온도를 초과하였을 경우, 상기 제어장치(83)는 상기 경보장치(87)에 경보신호를 전송할 수 있다. 상기 경보신호를 받은 상기 경보장치(87)는 경보를 발령할 수 있다. 상기 경보장치(87)는 발광장치, 경고음 발생장치, 또는 문자 메시지 송신장치를 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 확산로의 냉각방법을 보여주는 순서도이다.
도 3, 도 4 및 도 5를 참조하면, 이 방법은 상기 냉각관(65)에 냉각제를 공급하는 단계를 포함한다(110). 구체적으로, 처음에 상기 유량조절밸브들(69, 63)은 모두 개방된다. 상기 공급배관(67)을 통하여 상기 냉각관(65)에 상기 냉각제가 공급될 수 있다. 상기 냉각제는 물, 에틸렌글리콜, 또는 이들의 혼합용액과 같은 유 체일 수 있다. 상기 에틸렌글리콜은 물보다 끓는점이 높은 약 200℃ 인 것으로 알려져 있다. 상기 냉각제는 상기 플랜지(55)에 적합한 온도범위에 따라 선택될 수 있다. 상기 냉각제는 상기 냉각관(65) 내부를 순환하여 상기 배출배관(61)을 통하여 배출될 수 있다. 상기 냉각제가 상기 냉각관(65) 내부를 순환하는 동안 상기 플랜지(55)의 온도는 하강될 수 있다. 상기 플랜지(55)가 냉각됨에 따라 상기 실링부재(73) 주변 또한 냉각될 수 있다. 즉, 상기 외측튜브(59)가 고온으로 가열된다하여도 상기 실링부재(73)는 상기 플랜지(55)에 의한 냉각효과에 의하여 적정온도를 유지할 수 있다.
이어서, 상기 온도감지장치(71)를 이용하여 상기 플랜지(55)의 온도를 감지한다(113). 상기 온도감지장치(71)는 상기 플랜지(55) 측벽에 부착될 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 실링부재(73) 하부에 위치하고 상기 배출배관(61)에서 인접한 곳에 부착될 수 있다. 상기 온도감지장치(71)에서 측정된 온도는 상기 제어장치(83)에 전송될 수 있다.
상기 제어장치(83)는 상기 온도감지장치(71)에서 전송된 온도를 설정온도와 비교한다(115). 상기 설정온도는 관리상한(upper control limit) 및 관리하한(lower control limit)을 가질 수 있다. 상기 온도감지장치(71)에서 전송된 온도가 상기 설정온도를 초과하지 않는 경우, 상기 제어장치(83)는 현재상태를 유지하도록 신호를 발생할 수 있다. 상기 온도감지장치(71)에서 전송된 온도가 상기 설정온도를 초과하는 경우, 상기 제어장치(83)는 상기 온도감지장치(71)에서 전송된 온도를 기준온도와 비교한다(117). 상기 기준온도 또한 기준상한(upper spec limit) 및 기 준하한(lower spec limit)을 가질 수 있다. 상기 온도감지장치(71)에서 전송된 온도가 상기 설정온도를 초과하나 상기 기준온도는 초과하지 않는 경우, 상기 제어장치(83)는 상기 유량조절밸브들(69, 63)에 밸브제어 신호를 전송한다(119). 상기 밸브제어 신호에는 밸브 열기 신호 및 밸브 닫기 신호를 포함할 수 있다. 상기 밸브 열기 신호 및 상기 밸브 닫기 신호는 각각 여러 단계로 세분될 수 있다.
예를 들어, 상기 온도감지장치(71)에서 전송된 온도가 상기 관리상한(upper control limit)을 초과하나 상기 기준상한(upper spec limit)은 초과하지 않는 경우, 상기 제어장치(83)는 상기 유량조절밸브들(69, 63)에게 상기 밸브 열기 신호를 전송할 수 있다. 이와 반대로, 상기 온도감지장치(71)에서 전송된 온도가 상기 관리하한(lower control limit)이하이나 상기 기준하한(lower spec limit)이상인 경우, 상기 제어장치(83)는 상기 유량조절밸브들(69, 63)에게 상기 밸브 닫기 신호를 전송할 수 있다. 상기 유량조절밸브들(69, 63)은 솔레노이드밸브와 같이 전기적 신호에 의하여 개폐 정도가 조절되는 것이 바람직하다. 상기 밸브 열기 신호를 전송받은 상기 유량조절밸브들(69, 63)은 상기 냉각관(65)에 상대적으로 많은 양의 상기 냉각제가 공급될 수 있도록 열릴 수 있다. 상기 냉각관(65)에 상대적으로 많은 양의 상기 냉각제를 공급하는 것은 상기 플랜지(55)를 상대적으로 낮은 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 반대로, 상기 밸브 닫기 신호를 전송받은 상기 유량조절밸브들(69, 63)은 상기 냉각관(65)에 상대적으로 작은 양의 상기 냉각제가 공급될 수 있도록 닫힐 수 있다. 상기 냉각관(65)에 상대적으로 작은 양의 상기 냉각제를 공급하는 것은 상기 플랜지(55)를 상대적으로 높은 온도까지만 냉각시킬 수 있다.
상기 온도감지장치(71)에서 전송된 온도가 상기 기준온도를 초과하는 경우, 상기 제어장치(83)는 상기 경보장치(87)에 경보신호를 전송할 수 있다. 상기 경보신호를 받은 상기 경보장치(87)는 경보를 발령할 수 있다(121). 상기 경보장치(87)는 발광장치, 경고음 발생장치, 또는 문자 메시지 송신장치를 포함할 수 있다. 즉, 상기 경보는 발광, 경고음 발생, 또는 문자 메시지 송신과 같은 것일 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 확산로의 냉각방법에 따르면, 상기 온도감지장치(71), 상기 제어장치(83) 및 상기 유량조절밸브들(69, 63)에 의하여 상기 냉각관(65)에 흐르는 상기 냉각제의 유량이 자동조절 될 수 있다. 상기 냉각제의 유량이 자동조절 됨으로서 상기 플랜지(55)의 적정온도를 유지할 수 있다. 즉, 상기 플랜지(55)는 상기 실링부재(73)의 파손을 방지할 수 있는 적정온도를 항시 유지할 수 있다.
또한, 상기 플랜지(55)의 온도가 상기 기준온도를 초과하는 경우, 상기 경보장치(87)에서 발령되는 경보에 의하여 공정사고를 예방할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 예들에 한정되지 않고 본 발명의 사상 내에서 여러 가지의 다른 형태로 변형될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 실링부재를 냉각하는 냉각시스템을 가지는 모든 확산로에 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 온도감지장치 및 제어장치에 의하여 냉각제의 유량이 자동조절 된다. 이에 따라, 플랜지의 온도는 실링부재의 변형을 예방할 수 있는 온도범위 내에서 유지될 수 있다.
Claims (9)
- 플랜지;상기 플랜지 상부에 배치되며 공정이 진행되는 튜브;상기 플랜지 및 상기 튜브 사이에 삽입되며 외부와의 실링을 위한 실링부재; 및상기 실링부재를 냉각하는 냉각시스템을 포함하되, 상기 냉각시스템은 상기 플랜지의 온도를 감지하는 온도감지장치 및 상기 온도감지장치에서 감지된 온도를 설정된 온도와 비교하여 냉각제의 공급량을 조절하는 신호를 발생하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조용 확산로.
- 제 1 항에 있어서,상기 냉각시스템은상기 플랜지 내에 배치되며 상기 냉각제가 흐르는 냉각관;상기 냉각관에 연결되며 상기 냉각제를 공급하는 공급배관; 및상기 냉각관에 연결되며 상기 냉각제를 배출하는 배출배관을 더 포함하되, 상기 공급배관 및 상기 배출배관 중 적어도 하나에 상기 제어장치에서 입력된 신호에 의하여 상기 냉각관에 흐르는 상기 냉각제의 유량을 조절하는 유량조절밸브가 부착되는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조용 확산로.
- 제 2 항에 있어서,상기 유량조절밸브는 솔레노이드밸브인 것을 특징으로 하는 집적회로 제조용 확산로.
- 제 1 항에 있어서,상기 냉각시스템은상기 제어장치에 신호적으로 연결되고 상기 온도감지장치에서 감지된 온도가 기준 온도를 초과하였을 경우 경보를 발령하는 경보장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조용 확산로.
- 제 4 항에 있어서,상기 경보장치는 발광장치, 경고음 발생장치, 또는 문자 메시지 송신장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조용 확산로.
- 제 1 항에 있어서,상기 실링부재는 오링인 것을 특징으로 하는 집적회로 제조용 확산로.
- 플랜지 및 튜브 사이에 삽입된 실링부재를 냉각하기 위하여 상기 플랜지 내에 배치된 냉각관에 냉각제를 공급하는 단계;온도감지장치를 이용하여 상기 플랜지의 온도를 감지하는 단계; 및제어장치를 이용하여 상기 온도감지장치에서 감지된 온도를 설정된 온도와 비교하여 유량조절밸브의 개방정도를 조절하는 단계를 포함하는 확산로의 냉각방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제어장치에 신호적으로 연결된 경보장치를 이용하여 상기 온도감지장치에서 감지된 온도가 기준 온도를 초과하였을 경우 경보를 발령하는 단계를 더 포함하는 확산로의 냉각방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 경보를 발령하는 단계는 발광, 경고음 발생, 또는 문자 메시지를 송신하는 것을 포함하는 확산로의 냉각방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050039526A KR20060117588A (ko) | 2005-05-11 | 2005-05-11 | 냉각시스템을 갖는 집적회로 제조용 확산로 및 확산로의냉각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050039526A KR20060117588A (ko) | 2005-05-11 | 2005-05-11 | 냉각시스템을 갖는 집적회로 제조용 확산로 및 확산로의냉각방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060117588A true KR20060117588A (ko) | 2006-11-17 |
Family
ID=37705036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050039526A KR20060117588A (ko) | 2005-05-11 | 2005-05-11 | 냉각시스템을 갖는 집적회로 제조용 확산로 및 확산로의냉각방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20060117588A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100797887B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2008-01-24 | (주)유케이테크놀로지 | 디퓨젼 플랜지 및 이의 제조방법 |
-
2005
- 2005-05-11 KR KR1020050039526A patent/KR20060117588A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100797887B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2008-01-24 | (주)유케이테크놀로지 | 디퓨젼 플랜지 및 이의 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20060124173A1 (en) | Mass flow controller | |
CN105446374B (zh) | 水箱控制方法及系统 | |
CN111223795B (zh) | 热处理装置和热处理方法 | |
EP1182280B1 (en) | Device and method for producing single-crystal ingot | |
TWI676017B (zh) | 加熱管之氣體洩漏檢測裝置及加熱管之氣體洩漏檢測方法 | |
TW201303269A (zh) | 液體循環供應裝置 | |
WO2006134862A1 (ja) | 熱処理装置 | |
CN106653661A (zh) | 一种热处理设备工艺门冷却系统及冷却方法 | |
KR20060117588A (ko) | 냉각시스템을 갖는 집적회로 제조용 확산로 및 확산로의냉각방법 | |
EP0454054A2 (en) | Lamp annealing apparatus and lamp annealing method | |
KR100481874B1 (ko) | 집적회로 제조에 사용되는 확산로 및 확산로의 냉각방법 | |
JP4983354B2 (ja) | 単結晶育成装置 | |
JP2007266337A (ja) | 基板処理装置 | |
WO2019186681A1 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR20210088719A (ko) | 가스 공급 장치 및 가스 공급 방법 | |
CN115403248B (zh) | 一种微晶玻璃铂金通道的微循环保护系统及其使用方法 | |
KR20060114990A (ko) | 반도체 제조설비 | |
JPH09205066A (ja) | ガス発生装置 | |
KR0119248Y1 (ko) | 진공장비의 오-링 냉각장치 | |
KR0130138Y1 (ko) | 고온 유체 순환장비용 저량의 유체 공급 검출 장치 | |
JP2007043022A (ja) | 半導体処理装置および半導体処理方法 | |
KR200198413Y1 (ko) | 반도체 제조장비용 냉각장치 | |
KR100381394B1 (ko) | 고온 고압의 유기물질 처리 장치 | |
TW202347424A (zh) | 基板處理裝置及漏液偵測方法 | |
KR20230096818A (ko) | 이중 오링 구조 고압 챔버 가스 누출 감지시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |