KR20060110555A - Rapid thermal process apparature having an edge ring - Google Patents

Rapid thermal process apparature having an edge ring Download PDF

Info

Publication number
KR20060110555A
KR20060110555A KR1020050032894A KR20050032894A KR20060110555A KR 20060110555 A KR20060110555 A KR 20060110555A KR 1020050032894 A KR1020050032894 A KR 1020050032894A KR 20050032894 A KR20050032894 A KR 20050032894A KR 20060110555 A KR20060110555 A KR 20060110555A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
edge ring
chamber
wafer
bodies
heat treatment
Prior art date
Application number
KR1020050032894A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
함규환
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050032894A priority Critical patent/KR20060110555A/en
Publication of KR20060110555A publication Critical patent/KR20060110555A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Abstract

An RTP apparatus is provided to prevent the damage of a wafer and to reduce a working time by using an improved edge ring structure with a plurality of body parts. An RTP apparatus comprises a chamber, a gas supply port, an edge ring, and a gas exhaust port. The chamber(100) is used for performing a predetermined process on a wafer. The gas supply port(130) is connected to the chamber. The edge ring(200) is installed in the chamber to support an edge portion of the wafer. The edge ring is composed of four body ports. The gas exhaust port(140) is connected to the chamber. The gas supply port is located at a side of the edge ring.

Description

에지링을 갖는 급속열처리장치{RAPID THERMAL PROCESS APPARATURE HAVING AN EDGE RING}RAPID THERMAL PROCESS APPARATURE HAVING AN EDGE RING}

도 1은 본 발명의 에지링을 갖는 급속열처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a rapid heat treatment apparatus having an edge ring of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 에지링을 보여주는 사시도이다.2 is a perspective view showing the edge ring shown in FIG.

도 3은 도 1에 도시된 에지링의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.3 is a perspective view showing another embodiment of the edge ring shown in FIG.

** 도면의 주요부분에 대한 부호설명 **** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings **

100 : 챔버100: chamber

120 : 램프어레이120: lamp array

130 : 가스공급구130: gas supply port

140 : 가스배기구140: gas exhaust

200 : 에지링200: edge ring

210 : 몸체210: body

210a : 핀홀210a: pinhole

210b : 고정핀210b: fixed pin

본 발명은 에지링을 갖는 급속열처리장치에 관한 것으로, 가스유동에 의해 에지링이 이탈되지 않도록 4개의 몸체로 구성된 에지링을 갖는 급속열처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a rapid heat treatment apparatus having an edge ring, and relates to a rapid heat treatment apparatus having an edge ring composed of four bodies so that the edge ring is not separated by gas flow.

일반적으로 열처리공정은 실리콘기판(silicon wafer) 상에 산소를 공급하여 절연층(SiO2)을 형성하는데 이용하거나, 에칭 마스크(etching mask) 및 트랜지스터용 게이트 옥사이드(gate oxide)를 형성하는데 이용한다.In general, the heat treatment process is used to form an insulating layer (SiO 2 ) by supplying oxygen on a silicon wafer, or to form an etching mask and a gate oxide for a transistor.

이와 같은 열처리 공정을 수행하는 장치로는 종형 또는 횡형 퍼니스(furnace)가 있다. 그러나, 근래에는 반도체 소자가 고집적화 됨에 따라 제조공정의 전체 열이력(thermal burget)을 줄이기 위해 급속열처리(RTP; Rapid Thermal Process)장치를 사용하고 있는 추세이다.An apparatus for performing such a heat treatment process is a vertical or horizontal furnace (furnace). However, in recent years, as semiconductor devices have been highly integrated, a rapid thermal processing (RTP) device has been used to reduce the overall thermal history of the manufacturing process.

급속열처리장치는 고온을 사용해서 원하는 효과를 얻을 수 있는 것과 동시에 단시간(보통 수십초에서 수분정도)동안에 열처리 공정이 진행되므로 웨이퍼 상에 불순물이 확산되는 부작용도 최소한으로 줄일 수 있는 장점이 있어 열처리공정에 많이 사용되고 있다.Rapid heat treatment device can achieve the desired effect by using high temperature and at the same time, heat treatment process is carried out for a short time (usually tens of seconds to a few minutes). It is used a lot in.

여기서 종래의 급속열처리장치의 구성을 개략적으로 설명하기로 한다.Here, the configuration of the conventional rapid heat treatment apparatus will be described schematically.

종래의 급속열처리장치는 웨이퍼에 대해 열처리공정을 수행하는 공정챔버와, 공정챔버내에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부와, 공정챔버에 설치되어 웨이퍼 상에 소정온도를 제공하기 위해 가열되는 복수개의 램프등으로 이루어진 가 열부와, 공정챔버에 설치되어 웨이퍼 측부를 향해 반응가스 및 퍼지가스를 공급하는 가스공급구와, 공정챔버에 설치되어 웨이퍼로 공급된 반응가스 및 퍼지가스를 배기하는 가스배기구로 구성된다.Conventional rapid thermal processing apparatus includes a process chamber for performing a heat treatment process on a wafer, a wafer seating portion installed in the process chamber, and a plurality of wafers installed in the process chamber and heated to provide a predetermined temperature on the wafer. It consists of a heating part made up of a lamp, a gas supply port provided in the process chamber to supply the reaction gas and purge gas toward the wafer side, and a gas exhaust mechanism installed in the process chamber to exhaust the reaction gas and purge gas supplied to the wafer. do.

웨이퍼 안착부는 웨이퍼 가장자리가 걸쳐 안착되는 에지링과, 에지링을 지지하는 지지부로 구성된다. 에지링은 6개의 몸체로 나누어져 결합된다. 6개의 몸체에는 지지핀이 관통되고 지지핀은 지지부에 고정된다.The wafer seat is composed of an edge ring on which the wafer edge is seated, and a support for supporting the edge ring. The edge ring is divided into six bodies and joined. The support body is penetrated through the six bodies, and the support pin is fixed to the support part.

상기와 같은 구성을 갖는 급속열처리장치를 통해 웨이퍼 상에 소정의 반응가스가 공급되어 일련의 공정이 끝나면, 웨이퍼를 반출하고, 가스공급구를 통해 질소가스등의 퍼지가스를 공정챔버로 공급하여 공정챔버 내부를 퍼지한다.When a predetermined reaction gas is supplied on the wafer through the rapid heat treatment apparatus having the above configuration and a series of processes are completed, the wafer is taken out and the purge gas such as nitrogen gas is supplied to the process chamber through the gas supply port. Purge the inside.

이때, 가스공급구를 통해 웨이퍼 측부를 향하여 공급되는 퍼지가스가 소정유량, 예컨데, 30ℓ/min 정도로 공급되면, 공급되는 측의 에지링의 몸체가 질소가스 유동에 의해 지지부로부터 들떠 다른 몸체들로부터 이탈된다. 왜냐하면, 에지링을 구성하는 각 몸체의 모게가 가볍기 때문이다.At this time, when the purge gas supplied toward the wafer side through the gas supply port is supplied at a predetermined flow rate, for example, about 30 L / min, the body of the edge ring on the supplied side is separated from the supporting body by the flow of nitrogen gas from the support body. do. This is because the mow of each body constituting the edge ring is light.

따라서, 상기와 같이 에지링의 어느 하나의 몸체가 이탈되어 다른 몸체들 상부에 걸쳐지면, 공정이 진행될 웨이퍼가 에지링 상에 정상적으로 안착되지 못할 뿐아니라, 공정챔버 내로 웨이퍼 인입시 이탈된 몸체에 웨이퍼 일부가 부딪쳐 파손되는 문제가 발생한다.Therefore, if any one body of the edge ring is separated and spread over the other bodies as described above, the wafer to be processed will not be properly seated on the edge ring, and the wafer will be removed from the body when the wafer is inserted into the process chamber. Some of them hit and break.

이로인해 급속열처리장치의 에러발생 및 장치 에러로 인한 작업시간의 손실과 공수비용이 상승하는 문제점이 있다.Due to this, there is a problem that the loss of working time and the airborne cost increase due to the error of the rapid heat treatment apparatus and the device error.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 급속열처리장치의 에지링의 몸체를 4개로 구성하여 각 몸체 무게를 증가시킴으로써, 에지링 측부로 공급되는 퍼지가스의 유동에 의해 개개의 몸체가 쉽게 이탈되지 않도록 하며, 이로 인해 에지링으로 웨이퍼 로딩 및 언로딩시 웨이퍼 파손 및 공정사고를 방지하도록 한 에지링을 갖는 급속열처리장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is to configure the four body of the edge ring of the rapid heat treatment apparatus to increase the weight of each body, purge supplied to the edge ring side It is to provide a rapid heat treatment apparatus having an edge ring to prevent individual body from being easily separated by the flow of gas, thereby preventing wafer breakage and process accidents during wafer loading and unloading.

전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 양태에 따르면, 에지링을 갖는 급속열처리장치는 웨이퍼를 열처리하는 챔버와, 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내에 퍼지가스를 공급하는 가스공급구와, 상기 챔버 내에 설치되어 웨이퍼 가장자리를 지지하는 4개의 몸체들로 구성된 에지링 및 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내에 퍼지가스를 배기하는 가스배기구를 포함한다.According to an aspect of the present invention for solving the above problems, a rapid thermal processing apparatus having an edge ring includes a chamber for heat treating a wafer, a gas supply port connected to the chamber and supplying a purge gas into the chamber, and within the chamber. And an edge ring having four bodies installed to support the wafer edge, and a gas exhaust device connected to the chamber to exhaust purge gas in the chamber.

본 발명의 일 양태에 따른 일 실시예에 있어서, 상기 가스공급구는 상기 에지링 측부에 배치될 수도 있다.In one embodiment according to an aspect of the present invention, the gas supply port may be disposed on the edge ring side.

다른 실시예에 있어서, 상기 에지링은 4개 이하의 복수개의 몸체들로 구성될 수도 있다.In another embodiment, the edge ring may be composed of up to four bodies.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 챔버 내에는 지지부가 설치되고, 상기 몸체들은 상기 지지부에 고정핀들로 고정될 수도 있다.In another embodiment, the support may be installed in the chamber, and the bodies may be fixed to the support by fixing pins.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 몸체들과 상기 지지부에는 상기 고정핀들이 끼워지는 핀홀이 마련될 수 있고, 상기 핀홀은 상기 몸체들의 결합부 근방에 마련 될 수 있다.In another embodiment, the body and the support portion may be provided with a pin hole into which the fixing pins are fitted, and the pin hole may be provided near the coupling portion of the bodies.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여, 본 발명의 일 양태에 따르는 일 실시예를 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described an embodiment according to an aspect of the present invention.

도 1은 본 발명의 에지링을 갖는 급속열처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a rapid heat treatment apparatus having an edge ring of the present invention.

도 1을 참조로 하면, 본 발명의 에지링을 갖는 급속열처리장치는 웨이퍼(W)를 열처리하기 위한 소정 공간이 마련된 챔버(100)를 갖는다. 상기 챔버(100) 내 상부에는 상기 챔버(100)의 소정 공간에 열을 제공하는 램프어레이(120, lamp array)가 설치되고, 상기 램프어레이(120) 하부에는 석영창(110, quartz window)이 설치된다.Referring to FIG. 1, the rapid thermal processing apparatus having the edge ring of the present invention has a chamber 100 in which a predetermined space for heat treatment of the wafer W is provided. A lamp array 120 is provided above the chamber 100 to provide heat to a predetermined space of the chamber 100, and a quartz window 110 is provided below the lamp array 120. Is installed.

상기 챔버(100) 내 하부 중앙에 상기 웨이퍼(W)를 승하강시키는 복수개의 리프트핀(150)이 관통되어 장착된 지지부(160)가 설치된다. 상기 리프트핀(150)이 관통된 상기 지지부(160) 상면에는 하방으로 소정 깊이를 갖는 원형의 홀(161)이 마련된다. 상기 홀(161) 상부에는 본 발명에 따른 에지링(200)이 장착된다.The support part 160 is installed in the lower center of the chamber 100 through a plurality of lift pins 150 for raising and lowering the wafer W. A circular hole 161 having a predetermined depth downward is provided on an upper surface of the support part 160 through which the lift pin 150 penetrates. The edge ring 200 according to the present invention is mounted on the hole 161.

상기 에지링(200)은 상기 지지부(160)에 고정되되, 고정핀(210b)이 핀홀(210a)에 끼워져 고정될 수 있다.The edge ring 200 may be fixed to the support part 160, and a fixing pin 210b may be fitted into the pinhole 210a.

상기 지지부(160)와 상기 석영창(110) 사이에 소정 공간이 마련되고, 상기 지지부(160)에 장착된 에지링(200) 측방으로, 즉, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 챔버(100)에 연통된 좌측에는 질소가스(N2)와 같은 퍼지가스가 공급되는 가스공급 구(130)가 마련될 수 있고, 상기 챔버(100) 우측에는 상기 공간 내 공급된 퍼지가스가 배기되는 가스배기구(140)가 마련될 수 있다.A predetermined space is provided between the support part 160 and the quartz window 110, and is located toward the edge ring 200 mounted on the support part 160, that is, as shown in FIG. 1. A gas supply port 130 through which purge gas such as nitrogen gas N2 is supplied may be provided on the left side connected to the gas outlet, and a gas exhaust port 140 through which the purge gas supplied in the space may be exhausted on the right side of the chamber 100. ) May be provided.

다음은 도 1 및 도 2를 참조하여 상기 에지링(200)의 구성에 대해 구체적으로 설명하도록 한다.Next, a configuration of the edge ring 200 will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 2를 참조로 하면, 상기 에지링(200)은 링형상으로 형성되고, 상기 에지링(200)은 4개의 몸체들(210)로 구성될 수 있다. 상기 4개의 몸체들(210)은 각각 상기 웨이퍼(W) 가장자리부가 안착될 수 있는 단차진 안착면(201)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the edge ring 200 may be formed in a ring shape, and the edge ring 200 may be configured of four bodies 210. Each of the four bodies 210 may have a stepped seating surface 201 on which an edge portion of the wafer W may be seated.

상기 가스공급구(130)로부터 공급되는 퍼지가스가 상기 4개의 몸체(210)들 중 어느 하나의 몸체(210) 측방 중앙부를 향하여 공급되도록 상기 에지링(200)을 상기 지지부(160) 상에 장착할 수 있다. 즉, 각 몸체(210)의 결합부(A)에 직접적으로 퍼지가스가 공급되지 않도록 할 수 있다.The edge ring 200 is mounted on the support part 160 such that the purge gas supplied from the gas supply port 130 is supplied toward the central portion of the body 210 from one of the four bodies 210. can do. That is, the purge gas may not be directly supplied to the coupling portion A of each body 210.

그리고 상기 결합부(A) 근방의 상기 몸체들(210)과 상기 지지부(160)에는 상기 고정핀(210b)이 삽입되는 핀홀(210a)이 마련될 수 있다.A pinhole 210a into which the fixing pin 210b is inserted may be provided in the bodies 210 and the support part 160 near the coupling part A.

다음은 상기 일 실시예에서 작용 및 효과를 설명하도록 한다.The following describes the operation and effect in the above embodiment.

도 1을 참조하면, 상기 에지링(200) 상에 상기 웨이퍼(W)가 안착되고, 외부로부터 전원을 인가받아 상기 램프어레이(120)가 발열되며, 상기 챔버(100) 내의 소정 공간에 상기 가스공급구(130)를 통해 반응가스가 공급되면 소정 시간동안 상기 웨이퍼(W)에 대한 열처리공정을 마친다.Referring to FIG. 1, the wafer W is seated on the edge ring 200, the lamp array 120 is heated by an external power source, and the gas is heated in a predetermined space in the chamber 100. When the reaction gas is supplied through the supply port 130, the heat treatment process for the wafer W is completed for a predetermined time.

이어, 상기 리프트핀(150)이 상승되어 상기 웨이퍼(W) 하면을 지지하여 웨이퍼(W)를 상승시키고, 도시되지 않은 웨이퍼 이송로봇을 통해 상기 웨이퍼(W)를 상 기 챔버(100)로부터 반출시킨다.Subsequently, the lift pin 150 is raised to support the lower surface of the wafer W to raise the wafer W, and the wafer W is unloaded from the chamber 100 through a wafer transfer robot (not shown). Let's do it.

이어, 퍼지가스는 상기 가스공급구(130)를 통해 상기 챔버(100) 내를 퍼지하기 위해 공급된다. 이때, 발생하는 퍼지가스 분출력은 소정의 가스유동을 발생시킨다.Subsequently, purge gas is supplied to purge the inside of the chamber 100 through the gas supply port 130. At this time, the generated purge gas partial output generates a predetermined gas flow.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 가스공급구(130)에서 화살표방향(→)으로 분사되는 퍼지가스는 상기 에지링(200)의 복수개의 몸체(210)들 중 어느 하나의 몸체(210) 측방 중앙부를 향해 공급된다. 여기서, 도 2 및 도 3에 도시된 X-Y-Z 좌표에서 X축은 상기 에지링(200) 상부로의 방향이고, Y축은 상기 에지링(200) 상부 방향과 바닥면과의 직교되는 축이며, Z축은 도 1에 도시된 상기 가스공급구(130)로부터 공급되는 질소가스와 같은 퍼지가스의 유동방향이다. 1 and 2, the purge gas injected in the arrow direction (→) from the gas supply port 130 may include any one body 210 of the plurality of bodies 210 of the edge ring 200. It is supplied toward the lateral center part. Here, in the XYZ coordinates shown in FIGS. 2 and 3, the X axis is a direction upward to the edge ring 200, the Y axis is an axis perpendicular to the top direction of the edge ring 200 and a bottom surface, and the Z axis is a figure. The flow direction of purge gas such as nitrogen gas supplied from the gas supply port 130 shown in FIG.

이때, 상기 에지링(200)은 4개의 몸체(210)들로 구성되어 고정핀(210b)으로 상기 지지부(160)에 고정되며, 또한, 종래의 6개의 몸체들로 구성된 것에 비해 각 몸체(210)의 무게가 더 무겁게 됨으로써 퍼지가스 유동에 의해 다른 몸체(210)들로 얹혀 이탈되는 현상을 방지 할 수 있다.At this time, the edge ring 200 is composed of four bodies 210 is fixed to the support 160 with a fixing pin (210b), and also, each body 210 compared to the conventional six bodies The weight of the weight) can be prevented from being separated and put on the other body 210 by the purge gas flow.

그러므로, 다음 공정 진행시 새로운 웨이퍼(W)를 상기 챔버(100) 내에 인입시켜 상기 에지링(200)에 안착시키는 경우, 상기 웨이퍼(W)가 상기 에지링(200)의 몸체(210) 일부분에 부딪쳐 파손되거나, 이로인한 공정사고를 용이하게 방지할 수 있다.Therefore, when a new wafer W is introduced into the chamber 100 and seated on the edge ring 200 during the next process, the wafer W is formed on a portion of the body 210 of the edge ring 200. It can be easily prevented from crashing or damage due to the process.

한편, 도 3에는 상기 에지링(200)의 4개의 몸체(210)를 2개의 몸체(210)로 분리 구성한 경우의 본 발명에 따른 다른 실시예를 보여주고 있다.On the other hand, Figure 3 shows another embodiment according to the present invention when the four bodies 210 of the edge ring 200 is separated into two bodies 210.

도 3을 참조하면, 상기 에지링(200)을 2개의 몸체(210)로 분리 구성할 수도 있다. 또한, 상기 2개의 몸체(210)는 상기 지지부(160)에 상기 일 실시예에서와 같이 상기 고정핀(210b)으로 고정될 수 있다. 여기서, 상기 고정핀들(210b)이 삽입되는 핀홀들(210a)은 상기 몸체들(210)의 결합부(A) 근방과 상기 지지부(160, 도 1참조)에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the edge ring 200 may be separated into two bodies 210. In addition, the two bodies 210 may be fixed to the support 160 with the fixing pins 210b as in the embodiment. Here, the pinholes 210a into which the fixing pins 210b are inserted may be formed near the coupling portion A of the bodies 210 and the support portion 160 (see FIG. 1).

따라서, 상기 에지링(200)을 상기 2개의 몸체(210)로 분리 구성함으로써 각각의 상기 몸체(210)의 무게를 증가 시킬 수 있다. 이어, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 가스공급구(130)로부터 공급되는 퍼지가스가 화살표방향(→)으로 공급되더라도 상기 몸체들(210) 중 어느 하나가 들뜨거나, 다른 몸체(210)로 얹혀져 이탈되는 현상을 용이하게 방지할 수 있다.Accordingly, by separating the edge ring 200 into the two bodies 210, the weight of each of the bodies 210 may be increased. Subsequently, as shown in FIG. 3, even when the purge gas supplied from the gas supply port 130 is supplied in the direction of the arrow (→), any one of the bodies 210 is lifted up or placed on the other body 210. The phenomenon of departure can be easily prevented.

물론, 상기 에지링(200)의 몸체(210)를 3개로 구성할 수도 있으며, 이와 같은 경우에도 상기 실시예들과 같은 효과를 갖을 수 있다.Of course, it is also possible to configure the body 210 of the edge ring 200 in three, in this case it can have the same effect as the above embodiments.

따라서, 상기와 같이 구성되는 본 발명에 의하면, 에지링을 2개 이상 4개이하의 몸체들로 구성하여 각 몸체들의 무게를 증가시킴으로써, 상기 챔버 내부에 퍼지가스를 공급함에 따라 발생하는 가스유동에 의해 각 몸체들이 움직여 들뜨거나, 어느 하나의 몸체가 다른 몸체에 얹혀 이탈되는 것을 용이하게 방지할 수 있다.Therefore, according to the present invention constituted as described above, by increasing the weight of each of the body by configuring the edge ring of two or more than four body, to the gas flow generated by supplying the purge gas into the chamber As a result, each of the bodies can be easily moved and lifted, or one body can be easily prevented from being placed on another body.

따라서, 상기 챔버내를 퍼지하고, 새로운 웨이퍼를 상기 에지링으로 안착할 경우, 이탈된 몸체에 부딪쳐 발생하는 웨이퍼 파손을 방지할 수 있다.Therefore, when the inside of the chamber is purged and a new wafer is seated by the edge ring, it is possible to prevent wafer breakage caused by hitting the detached body.

또한, 상기와 같이 웨이퍼 파손을 방지하여 이에 따른 작업시간, 작업 노동 력 손실 및 공수비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In addition, it is possible to prevent wafer breakage as described above, thereby reducing work time, work labor loss, and airborne cost.

Claims (5)

웨이퍼에 소정공정을 진행하는 챔버;A chamber for performing a predetermined process on the wafer; 상기 챔버에 연결된 가스공급구;A gas supply port connected to the chamber; 상기 챔버 내에 설치되어 상기 웨이퍼 가장자리를 지지하는 4개의 몸체들로 구성된 에지링; 및An edge ring installed in the chamber and composed of four bodies supporting the wafer edge; And 상기 챔버에 연결된 가스배기구를 포함하는 에지링을 갖는 급속열처리장치.Rapid heat treatment apparatus having an edge ring including a gas exhaust port connected to the chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스공급구는 상기 에지링 측부에 위치되는 것을 특징으로 하는 급속열처리장치.The gas supply port is a rapid heat treatment apparatus, characterized in that located on the edge ring side. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에지링은 4개 이하의 복수개의 몸체들로 구성되는 것을 특징으로 하는 에지링을 갖는 급속열처리장치.The edge ring is a rapid heat treatment apparatus having an edge ring, characterized in that consisting of a plurality of four or less bodies. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버 내에는 지지부가 설치되고, 상기 몸체들은 상기 지지부에 고정핀들로 고정되는 것을 특징으로 하는 에지링을 갖는 급속열처리장치.A support unit is installed in the chamber, and the body is an rapid heat treatment apparatus having an edge ring, characterized in that the fixing pin is fixed to the support. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 몸체들과 상기 지지부에는 상기 고정핀들이 끼워지는 핀홀이 마련되되, 상기 핀홀은 상기 몸체들의 결합부 근방에 마련되는 것을 특징으로 하는 에지링을 갖는 급속열처리장치.The body and the support portion is provided with a pin hole in which the fixing pins are fitted, the pin hole is provided with an edge ring, characterized in that provided in the vicinity of the coupling portion of the body.
KR1020050032894A 2005-04-20 2005-04-20 Rapid thermal process apparature having an edge ring KR20060110555A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050032894A KR20060110555A (en) 2005-04-20 2005-04-20 Rapid thermal process apparature having an edge ring

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050032894A KR20060110555A (en) 2005-04-20 2005-04-20 Rapid thermal process apparature having an edge ring

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060110555A true KR20060110555A (en) 2006-10-25

Family

ID=37616334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050032894A KR20060110555A (en) 2005-04-20 2005-04-20 Rapid thermal process apparature having an edge ring

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060110555A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009091189A3 (en) * 2008-01-16 2009-10-22 Sosul Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
KR101312283B1 (en) * 2008-01-30 2013-09-27 참엔지니어링(주) Wafer holder
US20140251207A1 (en) * 2013-03-06 2014-09-11 Applied Materials, Inc. Substrate support with multi-piece sealing surface
CN111508887A (en) * 2020-04-16 2020-08-07 北京北方华创微电子装备有限公司 Semiconductor manufacturing equipment and protection ring thereof

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009091189A3 (en) * 2008-01-16 2009-10-22 Sosul Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
KR101312283B1 (en) * 2008-01-30 2013-09-27 참엔지니어링(주) Wafer holder
US20140251207A1 (en) * 2013-03-06 2014-09-11 Applied Materials, Inc. Substrate support with multi-piece sealing surface
US9916994B2 (en) * 2013-03-06 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with multi-piece sealing surface
CN111508887A (en) * 2020-04-16 2020-08-07 北京北方华创微电子装备有限公司 Semiconductor manufacturing equipment and protection ring thereof
CN111508887B (en) * 2020-04-16 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 Semiconductor manufacturing equipment and protection ring thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7332691B2 (en) Cooling plate, bake unit, and substrate treating apparatus
US7955074B2 (en) Apparatus and method for thermally treating semiconductor device capable of preventing wafer from warping
JP5029435B2 (en) Mounting table structure and heat treatment apparatus
JP2012169367A (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
JPWO2007018139A1 (en) Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus
KR20060110555A (en) Rapid thermal process apparature having an edge ring
KR102301802B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6499432B2 (en) Substrate processing equipment
KR101740613B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method
JP2018148202A (en) Gas spraying apparatus, substrate processing facility including the same, and method for processing substrate using substrate processing facility
KR100803562B1 (en) Apparatus for processing a substrate
KR101821636B1 (en) apparatus for holding substrate
KR102353528B1 (en) RTP device with susceptor unit
JP6823575B2 (en) Manufacturing method for substrate processing equipment, reaction tubes and semiconductor equipment
JP4115331B2 (en) Substrate processing equipment
KR101623011B1 (en) Heating device and heating method
JP4954176B2 (en) Substrate heat treatment equipment
KR100620187B1 (en) Method for supporting the wafer loaded into the process chamber of a rapid thermal processing apparatus and process chamber thereof
KR20110045570A (en) Transfer Chamber having Plate for Heat Exchange and Semiconductor Fabrication Equipment having The same
TWI654710B (en) Receptor, vapor phase growth device and vapor phase growth method
JPH11186240A (en) Substrate processing device
KR102297311B1 (en) Assembly for supporting substrate and apparatus for processing having the same
KR100933034B1 (en) Baking device
KR102119686B1 (en) Substrate supporting unit, heat treatment unit and substrate treating apparatus including the same
JP3761646B2 (en) Vertical wafer processing jig

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination