KR101312283B1 - Wafer holder - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 홀더에 관한 것으로, 특히 복수로 분할되는 몸체를 갖고 복수의 플라즈마 배출공을 구비한 웨이퍼 홀더에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer holder, and more particularly, to a wafer holder having a plurality of divided bodies and having a plurality of plasma discharge holes.
본 발명의 웨이퍼 홀더는, 웨이퍼가 안착되는 링 형상의 안착부와, 상기 안착부로부터 하향 연장되는 측벽부를 가지는 홀더몸체를 포함하고, 상기 홀더몸체는 소정의 개수로 분할되는 것을 특징으로 한다.The wafer holder of the present invention includes a holder body having a ring-shaped seating portion on which the wafer is seated and a side wall portion extending downward from the seating portion, wherein the holder body is divided into a predetermined number.
상기한 바와 같이 구성된 웨이퍼 홀더에 의하면, 웨이퍼 홀더의 파손시 파손된 웨이퍼 홀더 전체를 재가공 또는 교체할 필요 없이 파손된 부분만을 교체하면 되므로 고가인 웨이퍼 홀더 전체를 재가공 또는 교체하는 비용을 절약할 수 있으며, 플라즈마 배출공을 배치함으로써 웨이퍼와 전극 사이에서 발생하는 플라즈마의 잔류 시간을 일정하게 유지시켜 웨이퍼 배면을 균일하게 가공할 수 있는 효과가 있다.According to the wafer holder configured as described above, it is possible to save the cost of reworking or replacing the entire expensive wafer holder since only the broken portion needs to be replaced without having to rework or replace the entire broken wafer holder when the wafer holder is broken. By arranging the plasma discharge holes, there is an effect that the residual time of the plasma generated between the wafer and the electrode can be kept constant and the back surface of the wafer can be uniformly processed.
웨이퍼, 홀더, 배출공 Wafer, Holder, Eject Hole
Description
본 발명은 웨이퍼 홀더에 관한 것으로, 특히 복수로 분할되는 몸체를 갖고 복수의 플라즈마 배출공을 구비한 웨이퍼 홀더에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer holder, and more particularly, to a wafer holder having a plurality of divided bodies and having a plurality of plasma discharge holes.
일반적으로 웨이퍼를 가공할 때에는 증착장치를 이용하여 웨이퍼의 전면에 박막을 증착하거나, 식각장치를 이용하여 증착된 박막의 일부를 식각하여 박막이 소정의 패턴을 갖도록 제작하였다.In general, when processing a wafer, a thin film is deposited on the entire surface of the wafer using a deposition apparatus, or a portion of the deposited thin film is etched using an etching apparatus to produce a thin film having a predetermined pattern.
특히, 도 1에서와 같이, 식각장치(1)는 가스공급부(17)를 통해서 챔버(10) 내로 가스를 투입한 후, 전원부(18)로부터 전원을 인가하면 상부전극(13) 및 하부전극(15) 사이에 투입된 가스가 플라즈마(plasma) 상태로 변하게 되는데, 이 플라즈마에 의해 웨이퍼(S)의 후면에 증착된 불필요한 박막이 제거된다.In particular, as shown in FIG. 1, the
더 자세히 설명하면, 챔버(10)의 개폐부(12)로부터 챔버(10) 내부로 인입된 웨이퍼(S)는 챔버(10) 내에 마련된 웨이퍼 홀더(20)에 의해 지지되어 상부전극(13)과 하부전극(15) 사이에 놓이게 된다.In more detail, the wafer S drawn into the
여기서, 상기 웨이퍼 홀더(20)는 중앙에 중공부를 갖는 링 형상으로, 이 웨이퍼 홀더(20)의 하부 가장자리 부위에는 복수의 구동축(16a)이 연결되고 상기 구 동축(16a)은 하부에 위치한 구동부(16)와 연결되어 승강할 수 있도록 되어 있다.Here, the
즉, 상기 웨이퍼 홀더(20)가 웨이퍼(S)를 지지한 상태에서 하부전극(15)과 웨이퍼(S) 사이에 간격을 둠으로써, 웨이퍼(S)의 전면과 배면 또는 양면의 식각 공정을 원활히 수행할 수 있도록 한다.That is, the gap between the
그러나 종래의 웨이퍼 홀더(20)는 웨이퍼 가공공정에서 그 일부가 파손되는 경우가 발생하면 웨이퍼 홀더 전체를 재가공 또는 교체해야 하므로 웨이퍼 가공장치의 유지비용이 높고, 부품 제작 기간이 길어 장비의 재가동 시간까지 길어질 수 있다는 문제점이 있다.However, if the
또한, 종래의 웨이퍼 홀더는 플라즈마 배출공을 일정하게 제작해야 하기 때문에 공정 적용 범위가 한정될 수 있는 문제점이 있다.In addition, the conventional wafer holder has a problem that the process application range can be limited because the plasma discharge hole must be made constant.
한편, 링 형상의 웨이퍼 홀더를 사용하지 않는 경우에는 웨이퍼와 전극 사이에서 발생하는 플라즈마가 머무는 시간이 일정치 않아 웨이퍼의 가공 면이 균일하지 않게 되는 문제점이 있다.On the other hand, when the ring-shaped wafer holder is not used, there is a problem in that the plasma generated between the wafer and the electrode is not constant and the processing surface of the wafer becomes uneven.
본 발명은 상기한 여러 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼 홀더의 파손시 웨이퍼 홀더 전체를 재가공 또는 교체할 필요 없이 파손된 부분만을 재가공 또는 교체할 수 있어 가공이 용이하고, 웨이퍼 홀더 전체를 재가공 또는 교체하는 비용을 절약할 수 있을 뿐 아니라 부분적인 플라즈마 배출공 형상을 변경하기 용이하므로 웨이퍼와 전극 사이에서 발생하는 플라즈마의 잔류 시간을 일정하게 유지하여 웨이퍼의 가공 면을 균일하게 가공할 수 있는 웨이퍼 홀더를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the various problems described above, and when the wafer holder is broken, only the broken part can be reworked or replaced without the need to rework or replace the entire wafer holder. Alternatively, it is not only possible to save the cost of replacement but also to easily change the shape of the partial plasma discharge hole, so that the surface of the wafer can be uniformly processed by keeping the plasma remaining time between the wafer and the electrode constant. The purpose is to provide a holder.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 웨이퍼가 안착되는 링 형상의 안착부와, 상기 안착부로부터 하향 연장되는 측벽부를 가지는 홀더몸체를 포함하고, 상기 홀더몸체는 소정의 개수로 분할되는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object comprises a holder body having a ring-shaped seating portion on which the wafer is seated, and a side wall portion extending downward from the seating portion, the holder body is divided into a predetermined number It is done.
본 발명에 따른 웨이퍼 홀더는 웨이퍼 홀더의 파손시 파손된 홀더 전체를 재가공 또는 교체할 필요 없이 체결부 만을 재가공 또는 교체할 수 있기 때문에 가공이 용이하고, 웨이퍼 홀더 전체를 재가공 또는 교체할 필요가 없어 비용을 절약하는 효과가 있다.The wafer holder according to the present invention can be easily processed because only the fastening portion can be reworked or replaced without having to rework or replace the entire broken holder when the wafer holder is broken, and the entire wafer holder does not need to be reworked or replaced. It is effective to save.
또한, 플라즈마 배출공의 모양이나 크기 변경이 용이할 뿐 아니라 홀더 몸체의 각 부분마다 플라즈마 배출공의 형상을 다르게 변경할 수 있는 것으로서, 웨이퍼와 전극 사이에서 발생하는 플라즈마의 잔류 시간을 일정하게 유지할 수 있어 웨이퍼의 가공면이균일하게 가공되는 효과가 있다.In addition, the shape and size of the plasma discharge hole can be easily changed, and the shape of the plasma discharge hole can be changed differently for each part of the holder body, so that the remaining time of the plasma generated between the wafer and the electrode can be kept constant. There is an effect that the processing surface of the wafer is uniformly processed.
이하, 본 발명을 첨부한 예시도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 분리사시도, 도 3은 도 2에 따른 결합사시도, 도 4는 도 2에 따른 단턱부를 도시한 결합사시도, 도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 분리사시도, 도 6은 도 5에 따른 단면도, 도 7은 본 발명의 실시예 3에 따른 분리사시도이다.Figure 2 is an exploded perspective view according to the first embodiment of the present invention, Figure 3 is a perspective view of the combination according to Figure 2, Figure 4 is a perspective view showing the stepped portion according to Figure 2, Figure 5 is a separation according to the second embodiment of the
실시예 1Example 1
이들 도면에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 홀더는 웨이퍼(S)가 안착되는 링 형상의 안착부(120)와, 상기 안착부(120)로부터 하향 연장되는 측벽부(130)를 가지는 홀더몸체(100)를 포함하고, 상기 홀더몸체(100)는 소정의 개수로 분할되는 것을 특징으로 한다. As shown in these figures, the wafer holder has a
상기 웨이퍼 홀더는 다양한 링 형상의 홀더몸체(100)로 형성될 수 있고, 절연성을 갖는 세라믹재 뿐 아니라 다양한 재질로도 만들어질 수 있다. The wafer holder may be formed of various ring-
상기 홀더몸체(100)의 안착부(120)에는, 상기 웨이퍼(S)가 안착될 수 있도록 상부가 수평면을 이루며, 안착부(120)의 내측 주연부에는 상기 웨이퍼(S)의 가장자리가 안착될 수 있도록 안착턱(160)을 형성할 수 있다.In the
상기 안착턱(160)은 웨이퍼(S)의 가장자리가 안정적으로 안착되어 이탈되는 것을 방지한다.The
측벽부(130)는 수직으로 형성될 수 있으나, 그에 한정하지 않고 내측 방향 또는 외측 방향으로 경사진 형상으로 구비될 수 있고, 내측 방향 또는 외측 방향으로 라운드로 형성될 수도 있다.The
상기 측벽부(130)에는 원주 방향으로 복수의 플라즈마 배출공(130a)이 형성되며, 상기 배출공(130a)을 통하여 웨이퍼(S)와 전극 사이에서 발생하는 플라즈마의 잔류 시간이 균일하게 유지될 수 있다. 때문에 웨이퍼(100) 배면이 균일하게 가 공될 수 있다.A plurality of
상기 배출공(130a)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 원주분할몸체(100a)의 부분마다 각기 다른 크기와 모양으로 형성될 수 있음을 다시 한번 밝혀둔다.The discharge hole (130a) may be formed in a variety of shapes, it will be again revealed that each part of the circumferential split body (100a) can be formed in different sizes and shapes.
상기 안치부(140)에는 가장자리에 복수의 연결공을 형성될 수 있으며, 이 연결공에 구동부(16)로부터 승하강되는 구동축(16a)을 연결되어 웨이퍼홀더(100)가 상·하로 승강 될 수 있다.A plurality of connection holes may be formed at the edges of the
한편, 상기 홀더몸체(100)는 원주를 따라 복수개로 분할된 원주분할몸체(100a)가 구비되며, 이 원주분할몸체(100a)들을 체결하는 적어도 하나 이상의 원주체결부(150)가 구비된다.On the other hand, the
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 원주체결부(150)는 상기 원주분할몸체(100a)의 일측 단부에 수직으로 형성된 체결홈(151)과, 이 체결홈(151)에 인접하는 타측 원주분할몸체(100a)의 단부에 상기 체결홈(151)과 대응되는 형상의 체결구(152)가 형성된다.As shown in FIG. 2, the
상기 체결홈(151)은 양측에 걸림단(151a)이 형성되어 체결구(152)의 양측 단부가 걸려 측방향으로 빠지지 않도록 하고, 체결홈(151)의 상·하로 체결구(152)가 슬라이드 시켜 분리될 수 있다. 상기 체결홈(151) 및 체결구(152)는 사각, 다각, 원형 등으로 다양하게 형성할 수 있다.The
실시예 2Example 2
이하, 본 발명의 실시예 2를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the second embodiment of the present invention will be described.
도 5와 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 홀더는 웨이퍼(S)가 안착되는 링 형상의 안착부(120)와, 상기 안착부(120)로부터 하향 연장되는 측벽부(130)를 가지는 홀더몸체(100)를 포함하고, 상기 홀더몸체(100)는 소정의 개수로 분할되는 것을 특징으로 한다. As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the wafer holder has a ring-
상기 웨이퍼 홀더는 다양한 링 형상의 홀더몸체(100)로 형성될 수 있고, 절연성을 갖는 세라믹재 뿐 아니라 다양한 재질로도 만들어질 수 있다.The wafer holder may be formed of various ring-
상기 홀더몸체(100)의 안착부(120)에는, 상기 웨이퍼(S)가 안착될 수 있도록 상부가 수평면을 이루며, 안착부(120)의 내측 주연부에는 상기 웨이퍼(S)의 가장자리가 안착될 수 있도록 안착턱(160)을 형성할 수 있다.In the
상기 안착턱(160)은 웨이퍼(S)의 가장자리가 안정적으로 안착되어 이탈되는 것을 방지한다.The
측벽부(130)는 수직으로 형성될 수 있으나, 그에 한정하지 않고 내측 방향 또는 외측 방향으로 경사진 형상으로 구비될 수 있고, 내측 방향 또는 외측 방향으로 라운드로 형성될 수도 있다.The
상기 측벽부(130)에는 원주 방향으로 복수의 플라즈마 배출공(130a)이 형성되며, 상기 배출공(130a)을 통하여 웨이퍼(S)와 전극 사이에서 발생하는 플라즈마의 잔류 시간이 균일하게 유지될 수 있다. 때문에 웨이퍼(100) 배면이 균일하게 가공될 수 있다.A plurality of
상기 배출공(130a)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 원주분할몸 체(100a)의 부분마다 각기 다른 크기와 모양으로 형성될 수 있음을 다시 한번 밝혀둔다.The discharge hole (130a) may be formed in a variety of shapes, it will be again revealed that each part of the circumferential split body (100a) can be formed in different sizes and shapes.
상기 안치부(140)에는 가장자리에 복수의 연결공을 형성될 수 있으며, 이 연결공에 구동부(16)로부터 승하강되는 구동축(16a)을 연결되어 웨이퍼홀더(100)가 상·하로 승강 될 수 있다.A plurality of connection holes may be formed at the edges of the
한편, 상기 홀더몸체(100)는 상·하 방향으로 분할된 상하분할몸체(100b)로 이루어지며, 상하분할몸체(100b)들을 체결하는 적어도 하나 이상의 상하체결부(170)를 가진다. 상하분할몸체(100b)는 상·하방향으로 적어도 하나 이상의 상하체결부(170)로도 구비될 수 있다.On the other hand, the
상기 상하체결부(170)는 상하분할몸체(100b)의 상·하 단부에는 각각 상·하 단턱(171, 172)이 대응 형성된다.The upper and lower fastening
상기 상·하 단턱(171, 172)은 웨이퍼 홀더의 상부 단턱(171)이 내부로 단턱을 이루도록 하거나, 하부 단턱(172)이 내부로 단턱진 형상으로 구비될 수 있는 것으로서 상·하 대응되는 단턱의 형상은 한정하지 않고 다르게 형성될 수 있다.The upper and lower
또한, 상·하부 단턱(171, 172)으로 형성되는 것이 바람직하지만, 암수로 대응 체결될 수 있도록 돌기와 홈으로 구비될 수도 있다.In addition, it is preferable that the upper and lower
실시예 3Example 3
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 홀더는 웨이퍼(S)가 안착되는 링 형상의 안착부(120)와, 상기 안착부(120)로부터 하향 연장되는 측벽부(130)를 가지는 홀더몸체(100)를 포함하고, 상기 홀더몸체(100)는 소정의 개수로 분할되는 것을 특징으로 한다. As shown in FIG. 7, the wafer holder has a ring-
상기 웨이퍼 홀더는 다양한 링 형상의 홀더몸체(100)로 형성될 수 있고, 절연성을 갖는 세라믹재 뿐 아니라 다양한 재질로도 만들어질 수 있다.The wafer holder may be formed of various ring-shaped
상기 홀더몸체(100)의 안착부(120)에는, 상기 웨이퍼(S)가 안착될 수 있도록 상부가 수평면을 이루며, 안착부(120)의 내측 주연부에는 상기 웨이퍼(S)의 가장자리가 안착될 수 있도록 안착턱(160)을 형성할 수 있다.In the
상기 안착턱(160)은 웨이퍼(S)의 가장자리가 안정적으로 안착되어 이탈되는 것을 방지한다.The
측벽부(130)는 수직으로 형성될 수 있으나, 그에 한정하지 않고 내측 방향 또는 외측 방향으로 경사진 형상으로 구비될 수 있고, 내측 방향 또는 외측 방향으로 라운드로 형성될 수도 있다.The
상기 측벽부(130)에는 원주 방향으로 복수의 플라즈마 배출공(130a)이 형성되며, 상기 배출공(130a)을 통하여 웨이퍼(S)와 전극 사이에서 발생하는 플라즈마의 잔류 시간이 균일하게 유지될 수 있다. 때문에 웨이퍼(100) 배면이 균일하게 가공될 수 있다.A plurality of
상기 배출공(130a)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 원주분할몸체(100a)의 부분마다 각기 다른 크기와 모양으로 형성될 수 있음을 다시 한번 밝혀둔다.The discharge hole (130a) may be formed in a variety of shapes, it will be again revealed that each part of the circumferential split body (100a) can be formed in different sizes and shapes.
상기 안치부(140)에는 가장자리에 복수의 연결공을 형성될 수 있으며, 이 연 결공에 구동부(16)로부터 승하강되는 구동축(16a)을 연결되어 웨이퍼홀더(100)가 상·하로 승강 될 수 있다.A plurality of connecting holes may be formed at the edge of the settling
한편, 상기 홀더몸체(100)는 원주를 따라 복수개로 분할된 원주분할몸체(100a)로 이루어지며, 원주분할몸체(100a)들을 체결하는 적어도 하나 이상의 원주체결부(150)가 구비된다.On the other hand, the
상기 원주체결부(150)는 상기 원주분할몸체(100a)의 일측 단부에 수직으로 형성된 체결홈(151)과, 이 체결홈(151)에 인접하는 타측 원주분할몸체(100a)의 단부에 상기 체결홈(151)과 대응되는 형상의 체결구(152)가 형성된다.The
상기 체결홈(151)은 양측에 걸림단(151a)이 형성되어 체결구(152)의 양측 단부가 걸려 측방향으로 빠지지 않도록 하고, 체결홈(151)의 상·하로 체결구(152)가 슬라이드 시켜 분리될 수 있도록 형성된다.The
상기 체결홈(151) 및 체결구(152)는 사각, 다각, 원형 등으로 다양하게 형성될 수 있다.The
또한, 상기 원주분할몸체(100a)는 측벽부(130)가 상·하 수평으로 복수 분할하는 적어도 하나 이상의 상하체결부(170)가 구비된다.In addition, the circumferential split body (100a) is provided with at least one or more upper and
상기 상하체결부(170)의 상·하 단부에는 각각 상·하 단턱(171, 172)이 대응 형성된다.Upper and lower stepped
상기 상·하 단턱(171, 172)은 웨이퍼 홀더의 상부 단턱(171)이 내부로 단턱을 이루도록 하거나, 하부 단턱(172)이 내부로 단턱진 형상으로 구비될 수 있는 것으로서 상·하 대응되는 단턱의 형상은 한정하지 않고 다르게 형성될 수 있다.The upper and lower stepped
또한, 상·하부 단턱(171, 172)으로 형성되는 것이 바람직하지만, 암수로 대응 체결될 수 있도록 돌기와 홈으로 구비될 수도 있다.In addition, it is preferable that the upper and lower stepped
상기 실시예 1, 2, 3에서 개시된 발명은, 웨이퍼 홀더의 파손시 파손된 홀더 전체를 재가공 또는 교체할 필요 없이 체결부 만을 재가공 또는 교체할 수 있기 때문에 가공이 쉽고 빠르며 웨이퍼 홀더 전체를 재가공 또는 교체하는 비용을 절약할 수 있다.The inventions disclosed in Examples 1, 2, and 3 are easy and fast to process and rework or replace the entire wafer holder since only the fastening portion can be reworked or replaced without the need to rework or replace the entire broken holder when the wafer holder breaks. You can save money.
또한, 웨이퍼와 전극 사이에서 발생하는 플라즈마의 잔류 시간을 일정하게 유지함으로써 웨이퍼의 가공 면을 균일하게 가공할 수 있다.In addition, the processing surface of the wafer can be uniformly processed by keeping the residence time of the plasma generated between the wafer and the electrode constant.
본 명세서에서 개시된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서, 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있다.Configurations shown in the embodiments and drawings disclosed herein are only one of the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, at the time of the present application, various equivalents that may be substituted for them There may be water and variations.
[도면의 간단한 설명] BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig.
도 1 는 종래의 웨이퍼 홀더가 가공장치에 설치된 상태를 도시한 도면.1 is a view showing a state where a conventional wafer holder is installed in a processing apparatus.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 분리사시도.Figure 2 is an exploded perspective view according to Example 1 of the present invention.
제 3은 도 2에 따른 결합사시도.3 is a perspective view of the combination according to FIG.
도 4는 도 2에 따른 단턱부를 도시한 결합사시도.4 is a perspective view showing a stepped portion according to FIG.
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 분리사시도.Figure 5 is an exploded perspective view according to a second embodiment of the present invention.
도 6은 도 5에 따른 단면도.6 is a cross-sectional view according to FIG. 5.
도 7은 본 발명의 실시예 3에 따른 분리사시도.Figure 7 is an exploded perspective view according to a third embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10... 챔버 12... 개폐부10 ...
13... 상부전극 15... 하부전극13 ...
16... 구동부 16a... 구동축16 ... drive
17... 가스공급부 18... 전원부17 ...
100... 홀더몸체 100a... 원주분할몸체100 ...
100b... 상하분할몸체 120... 안착부100b ... upper and
130... 측벽부 130a... 배출공130 ...
140... 안치부 150... 원주체결부140 ...
151... 체결홈 151a... 걸림단151 ... Tightening
152... 체결구 160... 안착턱152 ...
170... 상하체결부 171, 172... 상·하 단턱170 ... Up and down
S... 웨이퍼S ... Wafer
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---|---|---|---|---|
JPH05175162A (en) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Hitachi Ltd | Dry etching system |
JP2000058471A (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Ushio Inc | Light irradiation system heating equipment |
US20030092278A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-15 | Fink Steven T. | Plasma baffle assembly |
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