KR101300118B1 - Susceptor and chemical vapor deposition apparatus having the same - Google Patents

Susceptor and chemical vapor deposition apparatus having the same Download PDF

Info

Publication number
KR101300118B1
KR101300118B1 KR1020100128129A KR20100128129A KR101300118B1 KR 101300118 B1 KR101300118 B1 KR 101300118B1 KR 1020100128129 A KR1020100128129 A KR 1020100128129A KR 20100128129 A KR20100128129 A KR 20100128129A KR 101300118 B1 KR101300118 B1 KR 101300118B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
block
susceptor block
chamber
sub
Prior art date
Application number
KR1020100128129A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120066839A (en
Inventor
박찬석
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Priority to KR1020100128129A priority Critical patent/KR101300118B1/en
Publication of KR20120066839A publication Critical patent/KR20120066839A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101300118B1 publication Critical patent/KR101300118B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

챔버 내에 위치하여, 복수 개의 피처리 기판이 안착되는 본 발명에 따른 서셉터는 상기 서셉터를 지지하는 서셉터샤프트와 상기 서셉터샤프트의 일단에 결합되며, 상면에는 상기 복수 개의 기판 중 일부가 안착되는 내부서셉터블럭 및 상기 내부서셉터블럭의 외주를 따라 탈착 가능하게 설치되며, 상면에는 상기 복수 개의 기판 중 다른 일부가 안착되는 외부서셉터블럭을 포함하여, 기판을 지지하는 서셉터의 일부에 결함이 발생하더라도 서셉터 전체를 교체하지 않고 결함이 발생한 일부만을 교체할 수 있다.Located in the chamber, the susceptor according to the present invention is a plurality of substrates to be seated is coupled to the susceptor shaft for supporting the susceptor and one end of the susceptor shaft, a portion of the plurality of substrates is mounted on the upper surface The inner susceptor block is installed and detachably installed along the outer periphery of the inner susceptor block, and an upper surface includes an outer susceptor block on which other portions of the plurality of substrates are seated, and a part of the susceptor for supporting the substrate. In the event of a fault, only the defective part can be replaced without replacing the entire susceptor.

Description

서셉터 및 이를 구비한 화학기상증착장치 {SUSCEPTOR AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS HAVING THE SAME}Susceptor and chemical vapor deposition apparatus equipped with the same {SUSCEPTOR AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS HAVING THE SAME}

본 발명은 서셉터 및 이를 구비한 화학기상증착장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 챔버 내에서 기판을 지지하는 서셉터 및 서셉터에 안착된 기판에 박막을 증착하는 화학기상증착장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a susceptor and a chemical vapor deposition apparatus having the same, and more particularly, to a susceptor supporting a substrate in a chamber and a chemical vapor deposition apparatus for depositing a thin film on a substrate seated on the susceptor.

일반적으로, 화학기상증착장치는 공정가스를 챔버 안으로 주입하고, 이를 빛, 열, 플라즈마, 마이크로웨이브, X-RAY, 전기장 등을 이용하여 공정가스를 활성화시켜 웨이퍼 등의 기판 위에 양질의 박막을 형성하는 장치이다.In general, a chemical vapor deposition apparatus injects a process gas into a chamber, and activates the process gas using light, heat, plasma, microwave, X-ray, or electric field to form a high quality thin film on a substrate such as a wafer. Device.

일반적으로 챔버 내에는 피처리체인 기판을 안착 또는 흡착 지지하는 서셉터가 설치된다. 서셉터는 기판을 지지한 채 부식성이 강한 공정가스에 노출되고, 온도변화가 심한 공정의 특성으로 인해 열팽장 및 수축이 반복된다.In general, a susceptor for mounting or adsorptively supporting a substrate to be processed is installed in the chamber. The susceptor is exposed to a corrosive process gas while supporting the substrate, and thermal expansion and contraction are repeated due to the characteristics of the process with a high temperature change.

이러한 혹독한 공정환경으로 인해 서셉터는 교환주기가 짧고, 특히 서셉터의 일부에 결함이 발생한 경우에는 서셉터 전체를 교체해야 하는 문제가 있다.
Due to such a harsh process environment, the susceptor has a short exchange cycle, and especially when a part of the susceptor is defective, the susceptor has to be replaced.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 서셉터의 일부에 결함이 발생한 경우 서셉터 전체를 교체함으로 인한 과다한 교체비용을 절감하기 위한 것이다.
The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to reduce the excessive replacement cost due to replacing the entire susceptor when a part of the susceptor is defective.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 서셉터는 챔버 내에 위치하여, 복수 개의 피처리 기판이 안착되며, 상기 서셉터를 지지하는 서셉터샤프트, 상기 서셉터샤프트의 일단에 결합되며, 상면에는 상기 복수 개의 기판 중 일부가 안착되는 내부서셉터블럭 및 상기 내부서셉터블럭의 외주를 따라 탈착 가능하게 설치되며, 상면에는 상기 복수 개의 기판 중 다른 일부가 안착되는 외부서셉터블럭을 포함한다.Susceptor according to the present invention for solving the above problems is located in the chamber, a plurality of substrate to be processed is seated, the susceptor shaft for supporting the susceptor, is coupled to one end of the susceptor shaft, the upper surface is An inner susceptor block on which some of the plurality of substrates are seated and a detachable installation are installed along the outer periphery of the inner susceptor block. The upper surface includes an outer susceptor block on which other portions of the plurality of substrates are seated.

또한 상기 내부서셉터블럭과 상기 외부서셉터블럭은 서로 밀착 결합되며, 상기 내부서셉터블럭과 상기 외부서셉터블럭의 상면이 같은 높이에 위치하도록 결합될 수 있다.In addition, the inner susceptor block and the outer susceptor block may be tightly coupled to each other, and the upper surfaces of the inner susceptor block and the outer susceptor block may be coupled at the same height.

또한 상기 내부서셉터블럭은 외측면에는 상기 외부서셉터블럭을 지지하는 지지턱이 형성될 수 있다.In addition, the inner susceptor block may have a support jaw supporting the outer susceptor block on an outer surface thereof.

또한 상기 외부서셉터블럭은 복수 개의 서브서셉터블럭으로 구성되며, 상기 서브서셉터블럭은 상기 내부서셉터블럭에 각각 독립적으로 탈착 가능하게 설치될 수 있다.The external susceptor block may include a plurality of sub susceptor blocks, and the sub susceptor blocks may be detachably installed to the internal susceptor blocks, respectively.

또한 상기 외부서셉터블럭은 환형으로 형성되며, 상기 서브서셉터블럭은 상기 외부서셉터블럭을 등분하여 형성될 수 있다.In addition, the external susceptor block may be formed in an annular shape, and the sub susceptor block may be formed by dividing the external susceptor block into equal parts.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착장치는 챔버, 상기 챔버 내부로 가스가 유입되는 가스 유입구, 상기 가스 유입구와 연결되어 상기 챔버 내부에 상기 가스를 분사하는 샤워헤드, 상기 샤워헤드와 대향되도록 설치되며, 피처리체인 복수 개의 기판 중 일부가 안착되는 내부서셉터블럭과, 상기 내부서셉터블럭의 외주를 따라 탈착 가능하게 설치되며 상면에는 상기 복수 개의 기판 중 다른 일부가 안착되는 외부서셉터블럭을 구비하는 서셉터, 상기 내부서셉터블럭의 하단에 결합되어 상기 서셉터는 지지하는 서셉터샤프트 및 상기 챔버의 하부에 설치되어 상기 가스를 상기 챔버 외부로 배출하는 가스 배출구를 포함한다.The chemical vapor deposition apparatus according to the present invention for solving the above problems is a chamber, a gas inlet through which gas is introduced into the chamber, a shower head connected to the gas inlet to inject the gas into the chamber, the shower head and It is installed to face each other, the inner susceptor block is a part of the plurality of substrates to be mounted, and is detachably installed along the outer periphery of the inner susceptor block, the outer surface on which the other part of the plurality of substrates are seated A susceptor having a acceptor block, coupled to a lower end of the inner susceptor block, the susceptor includes a susceptor shaft for supporting and a gas outlet installed at a lower portion of the chamber to discharge the gas to the outside of the chamber.

또한 상기 내부서셉터블럭과 상기 외부서셉터블럭은 서로 밀착 결합되며, 상기 내부서셉터블럭과 상기 외부서셉터블럭의 상면이 같은 높이에 위치하도록 결합될 수 있다.In addition, the inner susceptor block and the outer susceptor block may be tightly coupled to each other, and the upper surfaces of the inner susceptor block and the outer susceptor block may be coupled at the same height.

또한 상기 내부서셉터블럭은 외측면에는 상기 외부서셉터블럭을 지지하는 지지턱이 형성될 수 있다.In addition, the inner susceptor block may have a support jaw supporting the outer susceptor block on an outer surface thereof.

또한 상기 내부서셉터블럭은 외측면에는 상기 외부서셉터블럭을 지지하는 지지턱이 형성될 수 있다.In addition, the inner susceptor block may have a support jaw supporting the outer susceptor block on an outer surface thereof.

또한 상기 외부서셉터블럭은 복수 개의 서브서셉터블럭으로 구성되며, 상기 서브서셉터블럭은 상기 내부서셉터블럭에 각각 독립적으로 탈착 가능하게 설치될 수 있다.
The external susceptor block may include a plurality of sub susceptor blocks, and the sub susceptor blocks may be detachably installed to the internal susceptor blocks, respectively.

본 발명에 따른 서셉터 및 이를 구비한 화학기상증착장치는 기판을 지지하는 서셉터의 일부에 결함이 발생하더라도 서셉터 전체를 교체하지 않고 결함이 발생한 일부만을 교체할 수 있어, 교체비용 및 교체시간을 감소하여 장비유지환경을 개선할 수 있다.The susceptor and the chemical vapor deposition apparatus having the same according to the present invention can replace only the defective part without replacing the entire susceptor even if a defect occurs in a part of the susceptor supporting the substrate. It can improve the equipment maintenance environment.

이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The technical effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other technical effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 서셉터의 분해사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 서셉터의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 서셉터의 분해사시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적 단면도이다.1 is an exploded perspective view of a susceptor according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a susceptor according to a first embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view of a susceptor according to a second embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it should be understood that the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be implemented in various forms, and the present embodiments are not intended to be exhaustive or to limit the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided to let you know completely. The shape and the like of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 서셉터의 분해사시도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 서셉터의 단면도이다.1 is an exploded perspective view of a susceptor according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view of the susceptor according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 서셉터(100)는 내부서셉터블럭(110)과 외부서셉터블럭(120) 그리고 서셉터(100)를 지지하는 서셉터샤프트(130)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the susceptor 100 according to the first embodiment of the present invention includes a susceptor shaft for supporting the inner susceptor block 110, the outer susceptor block 120, and the susceptor 100. 130.

도 1에 도시된 바와 같이, 내부서셉터블럭(110)은 원통형이며, 상면에는 기판(미도시)이 안착될 수 있는 오목부(111)가 복수 개 형성될 수 있다. As illustrated in FIG. 1, the inner susceptor block 110 may have a cylindrical shape, and a plurality of recesses 111 on which a substrate (not shown) may be mounted may be formed on the upper surface of the inner susceptor block 110.

내부서셉터블럭(110)의 외측면에는 지지턱(112)이 돌출 형성될 수 있다. 지지턱(112)은 후술할 외부서셉터블럭(120)이 지지되도록 하기 위한 것이다. 내부서셉터블럭(110)의 하면에는 서셉터(100)를 지지하는 서셉터샤프트(130)가 설치된다. 서셉터샤프트(130)는 서셉터(100)를 회전시키고, 상승 및 하강시키도록 제공될 수 있다.The support jaw 112 may protrude from the outer surface of the inner susceptor block 110. The support jaw 112 is for supporting the external susceptor block 120 to be described later. The susceptor shaft 130 supporting the susceptor 100 is installed on a lower surface of the inner susceptor block 110. The susceptor shaft 130 may be provided to rotate, raise and lower the susceptor 100.

도 1에 도시된 바와 같이, 외부서셉터블럭(120)은 중앙부가 비어있는 환형으로 형성될 수 있다. 외부서셉터블럭(120)의 상면에도 내부서셉터블럭(110)과 유사하게 기판이 안착될 수 있는 복수 개의 오목부(121)가 형성될 수 있다. 그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 저면부에는 내부서셉터블럭(110)의 외측면에 돌출 형성된 지지턱(112)과 대응되는 홈부(122)가 내측둘레를 따라 형성될 수 있다.As illustrated in FIG. 1, the outer susceptor block 120 may be formed in an annular shape with a hollow central portion. Similar to the inner susceptor block 110, a plurality of recesses 121 may be formed on the top surface of the outer susceptor block 120 to allow the substrate to be seated. As shown in FIG. 2, a groove 122 corresponding to the support jaw 112 protruding from the outer surface of the inner susceptor block 110 may be formed along the inner circumference of the bottom portion.

외부서셉터블럭(120)의 내측면과 내부서셉터블럭(110)의 외측면이 맞닿도록 외부세섭터블럭은 내부서셉터블럭(110)의 외부를 따라 결합되며, 탈착이 가능하게 설치된다. 따라서, 외부서셉터블럭(120)의 내측 반경은 내부서셉터블럭(110)의 외측면의 반경과 거의 동일하게 형성될 수 있다. 또한 내부서셉터블럭(110)과 외부서셉터블럭(120)이 결합되었을 때, 서셉터의 상면이 편평할 수 있도록 내부서셉터블럭(110)과 외부서셉터블럭(120)의 상면은 동일한 높이에 위치되도록 결합될 수 있다.The outer separator block is coupled along the outside of the inner susceptor block 110 so that the inner surface of the outer susceptor block 120 and the outer surface of the inner susceptor block 110 come into contact with each other. Therefore, the inner radius of the outer susceptor block 120 may be formed to be substantially equal to the radius of the outer surface of the inner susceptor block 110. In addition, when the inner susceptor block 110 and the outer susceptor block 120 are coupled, the upper surfaces of the inner susceptor block 110 and the outer susceptor block 120 have the same height so that the upper surface of the susceptor may be flat. Can be combined to be positioned at.

서셉터샤프트(130)의 회전, 상승 및 하강에도 외부서셉터블럭(120)이 내부서셉터블럭(110)에 결합되어 있도록 외부서셉터블럭(120)과 내부서셉터블럭(110)은 견고하게 결합된다. 필요에 따라 양자를 결합하는 나사 등의 결합수단(150)이 사용될 수 있다.The outer susceptor block 120 and the inner susceptor block 110 are firmly secured so that the outer susceptor block 120 is coupled to the inner susceptor block 110 even when the susceptor shaft 130 is rotated, raised, and lowered. Combined. If necessary, coupling means 150 such as screws for coupling the two may be used.

종래 서셉터는 큰 그래파이트 섹션을 기계가공하여 제조하므로 서셉터의 일부분이 손상되면 서셉터구조체 전체를 교환하여야 했으나, 본 실시예에 따른 서셉터는 상기와 같은 구성에 의해, 서셉터의 일부, 예를 들면 외부서셉터블럭(120)의 외측면의 균열이 발생한 경우, 외부서셉터블럭(120)을 내부서셉터블럭(110)에서 탈거하여 새로운 외부서셉터블럭(120)으로 교체하는 것으로 장비보수가 완료되고, 곧바로 공정을 진행할 수 있어 교체비용 및 교체시간을 감소시켜 장비유지환경을 개선할 수 있다. Conventional susceptors are manufactured by machining a large graphite section, so if a part of the susceptor is damaged, the entire susceptor structure has to be replaced. However, the susceptor according to the present embodiment has a configuration as described above. For example, if a crack occurs on the outer surface of the external susceptor block 120, the equipment is repaired by removing the external susceptor block 120 from the internal susceptor block 110 and replacing it with a new external susceptor block 120. The process is completed and the process can be performed immediately, thereby reducing the replacement cost and replacement time, thereby improving the equipment maintenance environment.

그리고 내부서셉터블럭(110)과 외부서셉터블럭(120)을 별도로 제작할 수 있어, 대형 서셉터 제작이 가능하고 제조효율을 향상할 수 있다.
In addition, since the inner susceptor block 110 and the outer susceptor block 120 may be manufactured separately, a large susceptor may be manufactured and manufacturing efficiency may be improved.

이하에서는 본 발명의 제2실시예에 따른 서셉터(200)에 대해 설명한다. 설명의 편의를 위하여 제1실시예와 유사한 부분은 동일한 도면번호를 사용하고, 제1실시예와 공통되는 부분은 설명을 생략한다. Hereinafter, the susceptor 200 according to the second embodiment of the present invention will be described. For convenience of description, the same reference numerals as those in the first embodiment denote the same reference numerals, and a description of components common to those in the first embodiment will be omitted.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 서셉터의 분해사시도이다.3 is an exploded perspective view of a susceptor according to a second embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 다른 서셉터(200)는 내부서셉터블럭(110)과, 3개의 서브서셉터블럭(221, 222, 223)으로 구성된 외부서셉터블럭(220)을 포함한다. As shown in FIG. 3, the susceptor 200 according to the present embodiment includes an inner susceptor block 110 and an outer susceptor block 220 including three subsusceptor blocks 221, 222, and 223. It includes.

서브서셉터블럭(221, 222, 223)은 도 3에 도시된 바와 같이, 외부서셉터블럭(220)을 3등분하여 구성될 수 있다. 또는 도시되지 않았지만 외부서셉터블럭(220)을 2등분하거나 4등분하여 구성될 수 있다. 또는 각 서브서셉터블럭(221, 222, 223)이 서로 다른 크기를 갖도록 구성될 수도 있다. 다만 서브서셉터블럭(221, 222, 223) 교체 시, 서브서셉터블럭(221, 222, 223)의 호환을 고려할 때, 각 서브서셉터블럭(221, 222, 223)의 크기 및 형상은 동일한 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3, the sub susceptor blocks 221, 222, and 223 may be configured by dividing the external susceptor blocks 220 into three parts. Alternatively, although not shown, the external susceptor block 220 may be divided into two or four portions. Alternatively, each of the subsusceptor blocks 221, 222, and 223 may be configured to have different sizes. However, when replacing the sub susceptor blocks 221, 222, and 223, considering the compatibility of the sub susceptor blocks 221, 222, and 223, the size and shape of each sub susceptor block 221, 222, and 223 are the same. It is preferable.

각 서브서셉터블럭(221, 222, 223)은 나사 등과 같은 결합수단(미도시)에 의해 내부서셉터블럭(110)에 결합될 수 있다. 각 서브서셉터블럭(221, 222, 223)은 내부서셉터블럭(110)에 독립적으로 탈착 가능하게 설치될 수 있다. Each sub susceptor block 221, 222, 223 may be coupled to the inner susceptor block 110 by a coupling means (not shown) such as a screw. Each sub susceptor block 221, 222, and 223 may be detachably installed to the internal susceptor block 110.

또한 도시되진 않았지만, 필요에 따라 서브서셉터블럭(221, 222, 223) 간에 맞닿는 면들 중 일면에는 요부(凹部)를 형성하고 반대면에는 철부(凸部)를 형성하여 각 서브서셉터블럭(221, 222, 223)이 서로 치합되도록 구성하여 상호 간의 결합을 견고히 할 수 있다.Although not shown, if necessary, one of the surfaces abutting between the subsusceptor blocks 221, 222, and 223 is provided with a recess on one side thereof, and a convex part is formed on the opposite side thereof, thereby forming each subsusceptor block 221. , 222 and 223 may be configured to be engaged with each other to firmly bond with each other.

상기와 같은 구성에 의해 본 실시예에 따른 서셉터(200)는 제1실시예에 따른 서셉터(100) 보다 더욱 효율적인 장비운용이 가능하다. 즉 서브서셉터블럭(221, 222, 223) 중 어느 하나에 흠결이 발생한 경우, 해당 서브서셉터블럭(221, 222, 223)만을 내부서셉터블럭(110)에서 탈거하여 교체할 수 있다. By the above configuration, the susceptor 200 according to the present embodiment may be more efficiently operated than the susceptor 100 according to the first embodiment. That is, when a defect occurs in any one of the sub susceptor blocks 221, 222, and 223, only the sub susceptor blocks 221, 222, and 223 may be removed from the internal susceptor block 110 and replaced.

본 발명에 따른 서셉터는 기판 위에 박막을 증착하는 증착장치 이외에도, 식각장치 등 기판에 대한 처리 공정 중 기판을 유지하는 서셉터가 이용되는 장치에 사용될 수 있다.
The susceptor according to the present invention may be used in an apparatus in which a susceptor for holding a substrate during a processing process for the substrate, such as an etching apparatus, is used in addition to a deposition apparatus for depositing a thin film on a substrate.

이하에서는 본 발명의 서셉터를 사용하는 화학기상증착장치(300)에 대해 설명한다. 설명의 편의를 위하여 상술한 서셉터에 대하여는 동일한 도면번호를 사용하고, 그 설명을 생략한다. Hereinafter, the chemical vapor deposition apparatus 300 using the susceptor of the present invention will be described. For the convenience of explanation, the same reference numerals are used for the susceptor described above, and the description thereof is omitted.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착장치(300)는 챔버(310), 챔버(310) 내부로 공정가스를 유입하는 가스 유입구(320), 가스 유입구(320)와 연결되어 챔버(310) 내부에 공정가스를 분사하는 샤워헤드(330) 및 기판이 안착되는 서셉터(100)를 포함한다.As shown in Figure 5, the chemical vapor deposition apparatus 300 according to an embodiment of the present invention is a chamber 310, a gas inlet 320 for introducing a process gas into the chamber 310, gas inlet 320 It is connected to the) includes a shower head 330 for injecting a process gas into the chamber 310 and the susceptor 100 is seated on the substrate.

챔버(310)는 본 발명에 따른 화학기상증착장치(300)의 외관을 형성하며, 내측에는 증착공정이 수행되는 공간을 형성한다. 이 때, 챔버(310)는 증착시 능동적으로 제어되는 유로를 제외하고는 외부과 기밀을 유지하여 증착 효율을 높이도록 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 내부에 고온의 환경을 조성할 수 있도록 단열이 좋은 재질로 구성되는 것이 바람직하다.The chamber 310 forms the exterior of the chemical vapor deposition apparatus 300 according to the present invention, and forms a space in which the deposition process is performed. At this time, the chamber 310 is preferably configured to increase the deposition efficiency by maintaining the airtight and the outside except the flow path that is actively controlled during deposition. In addition, it is preferable to be made of a good thermal insulation material to create a high temperature environment therein.

챔버(310)의 상부에는 공정가스가 유입되는 가스유입구(320)가 구비될 수 있다. 가스유입구(320)는 챔버(310) 외부에 위치하는 공정가스공급부(미도시) 및 공정가스공급라인(미도시)과 연결되어 공정가스가 챔버(310) 내로 유입되도록 한다.The gas inlet 320 through which the process gas is introduced may be provided at an upper portion of the chamber 310. The gas inlet 320 is connected to a process gas supply unit (not shown) and a process gas supply line (not shown) located outside the chamber 310 to allow the process gas to flow into the chamber 310.

한편, 챔버(310) 상부에는 가스유입구(320)와 연결되어 가스유입구(320)를 통해 유입된 공정가스를 챔버(310) 내로 균일하게 분사하는 샤워헤드(330)가 구비될 수 있다. 샤워헤드(330)에는 공정가스의 상태 및 분산도를 조절할 수 있도록 별도의 리브, 열선 또는 디퓨저 등의 구성이 선택적으로 구비될 수 있다.On the other hand, the upper portion of the chamber 310 may be provided with a shower head 330 connected to the gas inlet 320 to uniformly spray the process gas introduced through the gas inlet 320 into the chamber 310. Shower head 330 may be selectively provided with a configuration such as a separate rib, hot wire or diffuser to adjust the state and dispersion of the process gas.

챔버(310) 내부에는 샤워헤드(330)와 대향되도록 설치되는 서셉터(100)가 구비된다. 피처리체인 기판은 서셉터(100)의 상면에 안착되어 위치한다. 서셉터(100)로는 상술한 내부서셉터블럭(110)과 외부서셉터블럭(120)을 구비한 서셉터(100)가 사용될 수 있다. 외부서셉터블럭(120)은 복수 개의 서브서셉터블럭(221, 222, 223)으로 구성될 수 있다. 내부서셉터블럭(110)의 하단에는 서셉터(100)를 회전, 상승 및 하강 할 수 있는 서셉터샤프트(130)가 설치될 수 있다.The susceptor 100 installed in the chamber 310 to face the shower head 330 is provided. The substrate, which is the workpiece, is seated on the upper surface of the susceptor 100. As the susceptor 100, the susceptor 100 having the aforementioned inner susceptor block 110 and the outer susceptor block 120 may be used. The external susceptor block 120 may be composed of a plurality of sub susceptor blocks 221, 222, and 223. A susceptor shaft 130 capable of rotating, raising and lowering the susceptor 100 may be installed at a lower end of the inner susceptor block 110.

일반적으로 화학기상증착법은 기판을 소정 온도 이상으로 가열하고, 높은 증기압의 유기금속화합물 공정가스를 공급하여 박막을 형성하므로 서셉터(100)의 내측 또는 하부에는 복수 개의 열선(340)이 설치될 수 있다. In general, the chemical vapor deposition method heats the substrate to a predetermined temperature or more, and supplies a high vapor pressure organometallic compound process gas to form a thin film, so that a plurality of hot wires 340 may be installed inside or below the susceptor 100. have.

한편 챔버(310)의 하부에는 공정가스가 배출되는 배기부(350)가 설치될 수 있다. 샤워헤드(330)를 통해 기판으로 분사된 공정가스는 기판에 대한 처리 후, 서셉터(100)의 외측으로 진행하여 배기부(350)를 통해 챔버 외부로 유출된다. 그리고, 챔버(310) 내측 공간을 채우기 위해 공정가스가 불필요하게 낭비되는 것을 방지하고, 공정가스를 배기부(350)로 안내하는 차폐부재(351)가 서셉터(100)와 배기부(350) 사이에 위치될 수 있다.Meanwhile, an exhaust unit 350 through which process gas is discharged may be installed below the chamber 310. The process gas injected to the substrate through the shower head 330 flows out of the susceptor 100 after being processed to the substrate and flows out of the chamber through the exhaust unit 350. In addition, the shielding member 351 which prevents unnecessary waste of the process gas to fill the space inside the chamber 310 and guides the process gas to the exhaust part 350 includes the susceptor 100 and the exhaust part 350. It can be located in between.

전술한 바와 같이, 복수 개의 블록으로 구성된 서셉터를 사용하는 본 발명에 따른 화학기상증착장치는 서셉터의 일부분에 결함이 발생한 경우 해당 부분만을 교체할 수 있으므로 교체비용이 적게 들고, 교체시간이 감소되어 장비유지환경 및 공정효율을 개선할 수 있다.
As described above, the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention using a susceptor composed of a plurality of blocks can replace only the corresponding part when a part of the susceptor is defective, so that the replacement cost is low and the replacement time is reduced. The equipment maintenance environment and process efficiency can be improved.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
One embodiment of the invention described above and shown in the drawings should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of the present invention as long as they are obvious to those skilled in the art.

100, 200: 서셉터 110: 내부서셉터블럭
120: 외부서셉터블럭 130: 서셉터샤프트
221, 222, 223: 서브서셉터블럭 300: 화학기상증착장치
310: 챔버 320: 가스유입구
330: 샤워헤드 340: 열선100, 200: susceptor 110: internal susceptor block
120: external susceptor block 130: susceptor shaft
221, 222, 223: sub-susceptor block 300: chemical vapor deposition apparatus
310: chamber 320: gas inlet
330: shower head 340: hot wire

Claims (10)

챔버 내에 위치하여, 복수 개의 피처리 기판이 안착되는 서셉터에 있어서,
상기 서셉터를 지지하며, 상기 서셉터를 회전 운동시키는 서셉터샤프트;
상기 서셉터샤프트의 일단에 결합되어 상기 서셉터샤프트의 회전 운동에 따라 회전 운동되며, 상면에는 상기 복수 개의 기판 중 일부가 안착되는 내부서셉터블럭; 및
상기 내부서셉터블럭의 외주를 따라 탈착 가능하게 설치되고 상기 내부서셉터블럭의 회전운동에 연동되어 회전 운동되며, 상면에는 상기 복수 개의 기판 중 다른 일부가 안착되는 외부서셉터블럭을 포함하는 서셉터.
In the susceptor is located in the chamber, the plurality of substrate to be processed is seated,
A susceptor shaft supporting the susceptor and rotating the susceptor;
An inner susceptor block coupled to one end of the susceptor shaft and rotating according to a rotational movement of the susceptor shaft, and having a portion of the plurality of substrates seated on an upper surface thereof; And
It is detachably installed along the outer periphery of the inner susceptor block and is rotated in conjunction with the rotational movement of the inner susceptor block, the upper surface susceptor including an external susceptor block on which a portion of the plurality of substrates are seated .
제1항에 있어서,
상기 내부서셉터블럭과 상기 외부서셉터블럭은 서로 밀착 결합되며, 상기 내부서셉터블럭과 상기 외부서셉터블럭의 상면이 같은 높이에 위치하도록 결합되는 것을 특징으로 하는 서셉터.
The method of claim 1,
The inner susceptor block and the outer susceptor block are tightly coupled to each other, the susceptor characterized in that the upper surface of the inner susceptor block and the outer susceptor block is coupled to be located at the same height.
제1항에 있어서,
상기 내부서셉터블럭은 외측면에는 상기 외부서셉터블럭을 지지하는 지지턱이 형성된 것을 특징으로 하는 서셉터.
The method of claim 1,
The inner susceptor block is a susceptor, characterized in that the support jaw for supporting the outer susceptor block is formed on the outer surface.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 외부서셉터블럭은 복수 개의 서브서셉터블럭으로 구성되며, 상기 서브서셉터블럭은 상기 내부서셉터블럭에 각각 독립적으로 탈착 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 서셉터.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The external susceptor block is composed of a plurality of sub-susceptor blocks, the sub-susceptor block is a susceptor, characterized in that the removable detachably installed on the inner susceptor block, respectively.
제4항에 있어서,
상기 외부서셉터블럭은 환형으로 형성되며, 상기 서브서셉터블럭은 상기 외부서셉터블럭을 등분하여 형성된 것을 특징으로 하는 서셉터.
5. The method of claim 4,
The external susceptor block is formed in an annular shape, the sub-susceptor block is a susceptor, characterized in that formed by dividing the external susceptor block.
챔버;
상기 챔버 내부로 가스가 유입되는 가스 유입구;
상기 가스 유입구와 연결되어 상기 챔버 내부에 상기 가스를 분사하는 샤워헤드;
상기 샤워헤드와 대향되도록 설치되고 피처리체인 복수 개의 기판 중 일부가 안착되며 회전 운동되는 내부서셉터블럭과, 상기 내부서셉터블럭의 외주를 따라 탈착 가능하게 설치되어 상기 내부서셉터블럭의 회전 운동에 연동되며 상면에는 상기 복수 개의 기판 중 다른 일부가 안착되는 외부서셉터블럭을 구비하는 서셉터;
상기 내부서셉터블럭의 하단에 상기 내부서셉터블럭을 회전 운동시키는 회전축선을 가지고 결합되어, 상기 서셉터가 회전 운동되도록 지지하는 서셉터샤프트 및
상기 챔버의 하부에 설치되어 반응 후 가스를 상기 챔버 외부로 배출하는 가스 배출구를 포함하는 화학기상증착장치.
chamber;
A gas inlet through which gas is introduced into the chamber;
A shower head connected to the gas inlet for injecting the gas into the chamber;
Some of the plurality of substrates which are installed to face the shower head and are to be processed are seated and rotated in an inner susceptor block, and are detachably installed along the outer circumference of the inner susceptor block to rotate the inner susceptor block. A susceptor interlocked with and having an outer susceptor block on which an upper portion of the plurality of substrates is seated;
A susceptor shaft coupled to a lower end of the inner susceptor block with a rotation axis for rotating the inner susceptor block, and supporting the susceptor for rotational movement;
Installed in the lower portion of the chamber chemical vapor deposition apparatus including a gas outlet for discharging the gas after the reaction outside the chamber.
제6항에 있어서,
상기 내부서셉터블럭과 상기 외부서셉터블럭은 서로 밀착 결합되며, 상기 내부서셉터블럭과 상기 외부서셉터블럭의 상면이 같은 높이에 위치하도록 결합되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method according to claim 6,
And the inner susceptor block and the outer susceptor block are closely coupled to each other, and the upper surface of the inner susceptor block and the outer susceptor block are coupled to be at the same height.
제6항에 있어서,
상기 내부서셉터블럭은 외측면에는 상기 외부서셉터블럭을 지지하는 지지턱이 형성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
The method according to claim 6,
The inner susceptor block is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the support jaw is formed on the outer surface for supporting the outer susceptor block.
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 외부서셉터블럭은 복수 개의 서브서셉터블럭으로 구성되며, 상기 서브서셉터블럭은 상기 내부서셉터블럭에 각각 독립적으로 탈착 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
9. The method according to any one of claims 6 to 8,
The external susceptor block is composed of a plurality of sub-susceptor block, the sub-susceptor block is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the removable detachably installed on the inner susceptor block, respectively.
제9항에 있어서,
상기 외부서셉터블럭은 환형으로 형성되며, 상기 서브서셉터블럭은 상기 외부서셉터블럭을 등분하여 형성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.10. The method of claim 9,
And the outer susceptor block is formed in an annular shape, and the sub susceptor block is formed by dividing the outer susceptor block into equal parts.
KR1020100128129A 2010-12-15 2010-12-15 Susceptor and chemical vapor deposition apparatus having the same KR101300118B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100128129A KR101300118B1 (en) 2010-12-15 2010-12-15 Susceptor and chemical vapor deposition apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100128129A KR101300118B1 (en) 2010-12-15 2010-12-15 Susceptor and chemical vapor deposition apparatus having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120066839A KR20120066839A (en) 2012-06-25
KR101300118B1 true KR101300118B1 (en) 2013-08-26

Family

ID=46686052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100128129A KR101300118B1 (en) 2010-12-15 2010-12-15 Susceptor and chemical vapor deposition apparatus having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101300118B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6396912A (en) * 1986-10-14 1988-04-27 Toshiba Ceramics Co Ltd Substrate holder
JPH02108339U (en) * 1989-02-14 1990-08-29
KR20050049728A (en) * 2003-11-24 2005-05-27 주성엔지니어링(주) Susceptor assembly comprising a plurality of susceptor blocks, and method of loading or unloading substrate using the same
KR100729900B1 (en) * 1998-07-13 2007-06-18 에이케이티 가부시키가이샤 Substrate processing apparatus with a surface-treated showerhead and method of cleaning a processing chamber

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6396912A (en) * 1986-10-14 1988-04-27 Toshiba Ceramics Co Ltd Substrate holder
JPH02108339U (en) * 1989-02-14 1990-08-29
KR100729900B1 (en) * 1998-07-13 2007-06-18 에이케이티 가부시키가이샤 Substrate processing apparatus with a surface-treated showerhead and method of cleaning a processing chamber
KR20050049728A (en) * 2003-11-24 2005-05-27 주성엔지니어링(주) Susceptor assembly comprising a plurality of susceptor blocks, and method of loading or unloading substrate using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120066839A (en) 2012-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI600790B (en) Substrate processing apparatus using rotatable table
TWI566295B (en) Hybrid ceramic showerhead
JP2019024109A (en) Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
KR102329196B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same
JP2004356624A (en) Mounting stand structure and heat treatment equipment
TW202331895A (en) Process chamber assembly, semiconductor process equipment and method thereof
US20140224176A1 (en) Mocvd apparatus
KR101300118B1 (en) Susceptor and chemical vapor deposition apparatus having the same
KR100534209B1 (en) chemical vapor deposition fabricating equipment for manufacturing of semiconductor device
TWI776104B (en) Substrate processing apparatus and method using the same
KR101356537B1 (en) Substrate processing apparatus
US8377206B2 (en) Apparatus and method of forming semiconductor devices
KR20110106036A (en) Thin metal film depositing apparatus
KR101455736B1 (en) Substrate supporting member, apparatus for treating substrate with it
KR20110093008A (en) Apparatus for mocvd
KR101079245B1 (en) The reactor for chemical vapor deposition include insulator
JP2016167625A (en) Methods and apparatus for ex situ seasoning of electronic device manufacturing process components
KR20120103060A (en) Chuck structure assembly and device for processing semiconductor substrate using the same
KR101364196B1 (en) Batch type ald apparatus and cluster type ald apparatus comprising the same
KR100956207B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus
KR20130029587A (en) A gas supply unit of a chemical vapor deposition apparatus and a method for manufacturing thereof
KR100651631B1 (en) Rtcvd chamber which can improve uniformity of film deposition
KR100871755B1 (en) Heater block of the chemical vapour deposition apparatus
KR20090052223A (en) Thin film treatment apparatus
KR101300119B1 (en) Shower head and chemical vapor deposition device having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee