KR100620187B1 - Method for supporting the wafer loaded into the process chamber of a rapid thermal processing apparatus and process chamber thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 RTP 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법 및 이에 사용되는 공정 챔버에 관한 것으로서, RTP 공정을 실시하기 위해 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 고온의 공정 챔버(100) 내측으로 로딩되어 에지링(120)의 상측에 위치하는 웨이퍼(W)를 지지하는 방법에 있어서, 웨이퍼(W)의 하측에 수직방향으로 이동 가능하게 설치된 적어도 세 개 이상의 승강핀(140) 상단이 에지링(120)상에서 웨이퍼(W)가 안착될 면보다 높게 위치하도록 상승시키는 단계와; 웨이퍼(W)를 승강핀(140)의 상단에 위치시킴으로써 웨이퍼(W)의 하면중 일부분만이 승강핀(140)에 의해 지지되는 단계와; 웨이퍼(W)가 승강핀(140)에 지지된 상태로 RTP 공정이 진행되어 일정시간이 경과하면 승강핀(140)을 하강시켜 웨이퍼(W)를 에지링(120)에 안착시키는 단계를 포함하는 것으로서, RTP 공정을 실시하기 위하여 공정 챔버 내측으로 로딩된 상온의 웨이퍼가 고온인 에지링의 온도에 거의 도달할 때까지 접촉면적이 최소화된 승강핀에 의해 지지되도록 함으로써 웨이퍼가 써멀 쇽(thermal shock)에 의해 파손되는 것을 방지함과 아울러 RTP 공정을 안정적으로 실시하도록 하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 효과를 가지고 있다. The present invention relates to a method for supporting a wafer loaded into a process chamber of an RTP apparatus and a process chamber used therein, wherein the wafer is loaded into a high temperature process chamber 100 by a wafer transfer robot (not shown) to perform an RTP process. In the method for supporting the wafer (W) located on the upper side of the edge ring 120, the upper end of at least three or more lifting pins (140) installed at the lower side of the wafer (W) to be movable in the vertical direction. Elevating the wafer W so as to be positioned higher than the surface on which it is to be seated; Positioning only the portion of the lower surface of the wafer W by the lifting pin 140 by placing the wafer W on the upper end of the lifting pin 140; RTP process is performed while the wafer (W) is supported on the lifting pin 140, and if a predetermined time elapses, the lifting pin 140 is lowered to seat the wafer (W) on the edge ring 120. As a result, the wafer is thermally shocked by ensuring that the wafer at room temperature loaded into the process chamber is supported by a lift pin that minimizes the contact area until the temperature of the hot edge ring is reached. It is effective in preventing wafer breakage and improving the yield of the wafer by stably performing the RTP process.

Description

ＲＴＰ 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법 및 이에 사용되는 공정 챔버{METHOD FOR SUPPORTING THE WAFER LOADED INTO THE PROCESS CHAMBER OF A RAPID THERMAL PROCESSING APPARATUS AND PROCESS CHAMBER THEREOF}Method of supporting wafer loaded into process chamber of RTP apparatus and process chamber used therein

도 1은 종래의 RTP 장치의 공정 챔버를 도시한 분리사시도이고, 1 is an exploded perspective view showing a process chamber of a conventional RTP apparatus,

도 2는 종래의 RTP 장치의 공정 챔버의 주요부를 도시한 단면도이고,2 is a cross-sectional view showing the main part of a process chamber of a conventional RTP apparatus;

도 3은 본 발명에 따른 RTP 장치의 공정 챔버를 도시한 분리사시도이고,3 is an exploded perspective view showing a process chamber of the RTP apparatus according to the present invention,

도 4는 본 발명에 따른 RTP 장치의 공정 챔버의 주요부를 도시한 구성도이고,4 is a configuration diagram showing the main part of the process chamber of the RTP apparatus according to the present invention,

도 5는 본 발명에 따른 승강핀의 작용을 나타낸 도면으로써 도 5a는 승강핀이 상승한 경우를, 도 5b는 승강핀이 하강한 경우를 도시한 단면도이다.5 is a view showing the operation of the lifting pin according to the present invention, Figure 5a is a case in which the lifting pin is raised, Figure 5b is a cross-sectional view showing the case in which the lifting pin is lowered.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 ; 공정 챔버 110 ; 서포트실린더100; Process chamber 110; Support Cylinder

111 ; 제 1 위치결정홈 112 ; 제 2 위치결정돌기111; First positioning groove 112; 2nd positioning protrusion

120 ; 에지링 121 ; 지지홈120; Edge ring 121; Support groove

130 ; 슬라이딩홈 131 ; 걸림턱130; Sliding groove 131; Jam

140 ; 승강핀 141 ; 돌출부140; Lifting pins 141; projection part

142 ; 오링 150 ; 가스공급로 142; O-ring 150; Gas supply                 

151 ; 제 1 가스공급로 152 ; 제 2 가스공급로151; First gas supply passage 152; 2nd gas supply path

153 ; 가스공급구 160 ; 가스공급부153; Gas supply port 160; Gas supply

161 ; 가스공급라인 170 ; 솔레노이드밸브161; Gas supply line 170; Solenoid valve

180 ; 승강핀 콘트롤러 180; Lift pin controller

본 발명은 RTP 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법 및 이에 사용되는 공정 챔버에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 RTP 공정을 실시하기 위하여 공정 챔버 내측으로 로딩된 상온의 웨이퍼와 웨이퍼를 지지하는 고온의 에지링과의 접촉부위를 최소화하여 웨이퍼의 온도분포를 일정하게 유지하는 RTP 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법 및 이에 사용되는 공정 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a method for supporting a wafer loaded into a process chamber of an RTP apparatus and a process chamber used therein, and more particularly, a high temperature for supporting a wafer and a wafer at room temperature loaded into a process chamber to perform an RTP process. The present invention relates to a method for supporting a wafer loaded into a process chamber of an RTP apparatus which minimizes a contact area with an edge ring of the wafer and maintains a temperature distribution of the wafer, and a process chamber used therein.

일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위한 공정은 열처리의 반복으로 이루어져 있으며, 열처리가 필요한 공정으로는 열산화, 열확산, 각종의 어닐링(Annealing) 등을 들 수 있다. In general, a process for manufacturing a semiconductor device consists of repetition of heat treatment, and a process that requires heat treatment may include thermal oxidation, thermal diffusion, and various annealing.

열처리 공정을 실시하는 장치로는 퍼니스(Furnace)외에 급속 열처리(Rapid Thermal Processing; 이하 "RTP"라 함) 장치가 이용되고 있으며, RTP 장치는 고온을 사용해서 원하는 효과를 얻을 수 있는 것과 동시에 수십초에서 수분 정도의 짧은 시간동안에 열처리 공정이 진행되므로 불순물이 확산되는 부작용도 최소한으로 줄일 수 있는 장점이 있어 열처리 공정에 많이 사용되고 있다. In addition to the furnace, a rapid thermal processing (RTP) device is used as the apparatus for performing the heat treatment process. The RTP apparatus uses a high temperature to obtain a desired effect and at the same time for several tens of seconds. Since the heat treatment process is carried out in a short time of about a few minutes, the side effect of the diffusion of impurities is reduced to a minimum, so it is widely used in the heat treatment process.                         

RTP 장치는 웨이퍼의 RTP 공정을 실시하는 공정 챔버(Process chamber)와, 공정 챔버로부터 RTP 공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시키기 위한 쿨다운 챔버(Cooldown chamber)와, 각각의 챔버로 웨이퍼를 이송시키는 웨이퍼 이송로봇이 설치된 로드락 챔버(Loadlock chamber)를 포함하고 있다.The RTP apparatus includes a process chamber for performing the RTP process of the wafer, a cooldown chamber for cooling the wafer having completed the RTP process from the process chamber, and a wafer transfer robot for transferring the wafer to each chamber. The installed loadlock chamber is included.

종래의 RTP 장치의 공정 챔버를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the process chamber of the conventional RTP apparatus with reference to the accompanying drawings as follows.

도 1은 종래의 RTP 장치의 공정 챔버를 도시한 분리사시도이고, 도 2는 종래의 RTP 장치의 공정 챔버의 주요부를 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 RTP 장치의 공정 챔버(10)는 내측 바닥면(11)에 링 형상의 서포트실린더(12)가 결합되며, 서포트실린더(12)의 상단에 에지링(13)이 결합된다. 1 is an exploded perspective view showing a process chamber of a conventional RTP apparatus, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing main parts of a process chamber of a conventional RTP apparatus. As shown, the process chamber 10 of the conventional RTP apparatus is coupled to the ring bottom support cylinder 12 to the inner bottom surface 11, the edge ring 13 is coupled to the upper end of the support cylinder 12 do.

에지링(13)은 공정 챔버(10)의 일측에 형성된 웨이퍼출입구(14)를 통하여 로드락 챔버(미도시)의 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 로딩되는 웨이퍼(W)의 가장자리를 지지하는 지지홈(13a)이 상부에 형성된다.The edge ring 13 supports the edge of the wafer W loaded by the wafer transfer robot (not shown) of the load lock chamber (not shown) through the wafer entrance 14 formed at one side of the process chamber 10. A support groove 13a is formed at the top.

이와 같은 종래의 RTP 장치의 공정 챔버는 RTP 공정 진행을 위해 웨이퍼(W)가 에지링(13)의 지지홈(13a)에 안착시 상온 상태의 웨이퍼(W)의 가장자리가 이미 고온인 에지링(13)과 접촉함으로써 웨이퍼(W)는 가장자리와 중심부위에 대한 온도차이로 인해 써멀 쇽(thermal shock)에 의해 파손되거나 RTP 공정 진행시 에러를 유발시키는 원인을 제공하는 문제점을 가지고 있었다.The process chamber of the conventional RTP apparatus has an edge ring in which the edge of the wafer W at room temperature is already high when the wafer W is seated in the support groove 13a of the edge ring 13 to proceed with the RTP process. 13) the wafer W had a problem of being damaged by thermal shock due to the temperature difference between the edge and the center or causing an error during the RTP process.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적 은 RTP 공정을 실시하기 위하여 공정 챔버 내측으로 로딩된 상온의 웨이퍼가 고온인 에지링의 온도에 거의 도달할 때까지 접촉면적이 최소화된 승강핀에 의해 지지되도록 함으로써 웨이퍼가 써멀 쇽(thermal shock)에 의해 파손되는 것을 방지함과 아울러 RTP 공정을 안정적으로 실시하도록 하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 RTP 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법 및 이에 사용되는 공정 챔버를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a contact area until a wafer at room temperature, which is loaded into the process chamber, reaches a temperature of an edge ring having a high temperature to perform an RTP process. It is supported by minimized lifting pins to prevent the wafer from being damaged by thermal shock, and also to stably perform the RTP process, thereby improving the yield of the wafer. To provide a support method and a process chamber used therein.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, RTP 공정을 실시하기 위해 웨이퍼 이송로봇에 의해 고온의 공정 챔버 내측으로 로딩되어 에지링의 상측에 위치하는 웨이퍼를 지지하는 방법에 있어서, 웨이퍼의 하측에 수직방향으로 이동 가능하게 설치된 적어도 세 개 이상의 승강핀 상단이 에지링상에서 웨이퍼가 안착될 면보다 높게 위치하도록 상승시키는 단계와; 웨이퍼를 승강핀의 상단에 위치시킴으로써 웨이퍼의 하면중 일부분만이 승강핀에 의해 지지되는 단계와; 웨이퍼가 승강핀에 지지된 상태로 RTP 공정이 진행되어 일정시간이 경과하면 승강핀을 하강시켜 웨이퍼를 에지링에 안착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for supporting a wafer loaded into a high temperature process chamber by a wafer transfer robot and positioned above the edge ring to perform an RTP process. Raising at least three upper ends of the lifting pins movably installed in a direction so as to be higher than the surface on which the wafer is seated on the edge ring; Positioning only a portion of the bottom surface of the wafer by the lift pins by placing the wafer on top of the lift pins; After the RTP process is performed while the wafer is supported by the lifting pins, and the predetermined time passes, the lifting pins are lowered to seat the wafer on the edge ring.

또한, 이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 내측 바닥면에 설치되는 서포트실린더와, 서포트실린더 상단에 결합됨과 아울러 상부에 웨이퍼 가장자리를 지지하는 지지홈이 형성되는 에지링이 구비된 RTP 장치의 공정 챔버에 있어서, 에지링의 지지홈상에 일정 간격을 두고 수직되게 형성되며, 내측 상단에 걸림턱이 각각 형성되는 적어도 세 개 이상의 슬라이딩홈과; 슬라이딩홈 각각에 수직방향으로 슬라이딩 가능하게 설치되며, 슬라이딩홈의 내측 상단에 위치시 상측으로 돌출되어 웨이퍼의 하면을 지지하는 돌출부가 상단에 형성되는 적어도 세 개 이상의 승강핀과; 슬라이딩홈 각각의 하단으로부터 서포트실린더 내측을 통과하여 공정 챔버 일측에 형성된 가스공급구까지 연결되도록 형성되는 가스공급로와; 승강핀이 슬라이딩홈을 따라 상승하도록 가스공급구에 가스를 공급하는 가스공급부와; 가스공급부로부터의 가스 공급을 개폐시키는 솔레노이드밸브와; 공정 챔버의 내측으로 웨이퍼가 로딩시 일정 시간동안 솔레노이드밸브를 개방시키는 승강핀 승강콘트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention for realizing the above object, the support cylinder is installed on the inner bottom surface, and coupled to the upper end of the support cylinder and the edge ring is provided with a support groove for supporting the wafer edge on the top of the RTP apparatus CLAIMS 1. A process chamber comprising: at least three sliding grooves vertically formed on a support groove of an edge ring at regular intervals, each of which having locking jaws formed on an inner upper end thereof; At least three lifting pins which are installed to be slidable in the vertical direction in each of the sliding grooves, and protrude upwardly when positioned at the inner top of the sliding groove to support the bottom surface of the wafer; A gas supply passage configured to be connected to a gas supply hole formed at one side of the process chamber through the support cylinder from the lower end of each sliding groove; A gas supply unit supplying gas to the gas supply port so that the lifting pins rise along the sliding groove; A solenoid valve for opening and closing the gas supply from the gas supply unit; It characterized in that it comprises a lift pin lift controller for opening the solenoid valve for a predetermined time when the wafer is loaded into the process chamber.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 RTP 장치의 공정 챔버를 도시한 분리사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 RTP 장치의 공정 챔버의 주요부를 도시한 구성도이고, 도 5는 본 발명에 따른 승강핀의 작용을 나타낸 도면으로써 도 5a는 승강핀이 상승한 경우를, 도 5b는 승강핀이 하강한 경우를 도시한 단면도이다. Figure 3 is an exploded perspective view showing a process chamber of the RTP apparatus according to the present invention, Figure 4 is a block diagram showing the main part of the process chamber of the RTP apparatus according to the present invention, Figure 5 is a lifting pin of the present invention 5A is a cross-sectional view illustrating a case where the lifting pin is raised and FIG. 5B is a case where the lifting pin is lowered.

본 발명에 따른 RTP 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법은 RTP 공정을 실시하기 위해 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 고온의 공정 챔버(100) 내측으로 로딩되어 에지링(120)의 상측에 위치하는 웨이퍼(W)를 지지하는 방법에 관한 것으로서, 웨이퍼(W) 하측으로 적어도 세 개 이상의 승강핀(140)을 상승시키는 단계와, 웨이퍼(W)를 승강핀(140)의 상단에 위치시키는 단계와, 일정시간 경과후 승 강핀(140)을 하강시켜 웨이퍼(W)를 에지링(120)에 안착시키는 단계를 포함한다.The method of supporting the wafer loaded into the process chamber of the RTP apparatus according to the present invention is loaded into the high temperature process chamber 100 by a wafer transfer robot (not shown) to perform the RTP process, and thus the upper side of the edge ring 120. A method of supporting a wafer (W) located in the step, the step of raising at least three or more lifting pins 140 below the wafer (W), the wafer (W) is located on the top of the lifting pins 140 And lowering the lifting pins 140 after a predetermined period of time to seat the wafer W on the edge ring 120.

승강핀(140)을 상승시키는 단계는 RTP 공정을 실시하기 위하여 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 웨이퍼출입구(102)를 통해 에지링(120) 상측에 위치하는 웨이퍼(W) 하측에 적어도 세 개 이상으로 이루어진 승강핀(140)이 수직방향으로 이동 가능하게 설치되며, 승강핀(140)의 상단이 에지링(120)상에서 웨이퍼(W)가 안착될 면, 즉 에지링(120)의 내주면에 형성된 지지홈(121)내의 수평면보다 높게 위치하도록 승강핀(140)을 상승시키는 단계이다.Raising the lifting pin 140 is at least three lower than the wafer (W) located above the edge ring 120 through the wafer entrance 102 by a wafer transfer robot (not shown) to perform the RTP process The lifting pin 140 made of the above is installed to be movable in the vertical direction, and the upper end of the lifting pin 140 is placed on the surface on which the wafer W is seated on the edge ring 120, that is, on the inner circumferential surface of the edge ring 120. The lifting pin 140 is raised to be positioned higher than the horizontal plane in the formed support groove 121.

승강핀(140)을 상승시키는 단계에서 승강핀(140)을 상승시키는 시점은 공정 챔버(100)내로 웨이퍼(W)가 로딩되기 이전이거나, 공정 챔버(100)내로 웨이퍼(W)가 로딩된 이후 모두 무방하다.The time for raising the lift pin 140 in the step of raising the lift pin 140 is before the wafer W is loaded into the process chamber 100 or after the wafer W is loaded into the process chamber 100. All are alright.

웨이퍼(W)를 승강핀(140)에 위치시키는 단계는 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 진공흡착된 웨이퍼(W)를 적어도 세 개 이상의 승강핀(140) 상단에 위치시키는 단계이며, 이로 인해 웨이퍼(W)는 그 하면중 일부분만이 승강핀(140) 상단과 접하여 지지됨으로써 공정 챔버(100)의 온도 상승으로 인해 고온인 에지링(120)에 바로 접하게 됨을 방지하여 웨이퍼(W) 전체에 대한 온도분포를 일정하게 유지시킨다. Positioning the wafer (W) on the lifting pin 140 is a step of placing the wafer (W) vacuum-absorbed in the wafer transfer robot (not shown) on the top of at least three lifting pins 140, thereby The portion of the lower surface of the wafer W is supported by the upper portion of the lifting pin 140 so that the lower portion of the lower surface of the wafer W is not directly in contact with the hot edge ring 120 due to the temperature rise of the process chamber 100. Keep the temperature distribution constant.

승강핀(140)을 하강시키는 단계는 웨이퍼(W)가 승강핀(140)에 지지된 상태로 RTP 공정이 진행되어 일정시간, 즉 에지링(120)과 웨이퍼(W)간의 온도가 거의 같게 되기 위한 시간이 경과하면 승강핀(140)을 하강시켜 웨이퍼(W)를 에지링(120)에 안착시키는 단계이다.In the step of lowering the lifting pin 140, the RTP process is performed while the wafer W is supported by the lifting pin 140 so that the temperature between the edge ring 120 and the wafer W becomes substantially the same. When the time elapses, the lifting pin 140 is lowered to seat the wafer W on the edge ring 120.

승강핀(140)을 하강시키는 단계에서 웨이퍼(W)가 승강핀(140)에 지지되는 시 간은 5초 내지 10초 정도로서, 이 시간은 공정 챔버(100) 내측으로 로딩된 상온의 웨이퍼(W)가 온도가 상승하여 고온인 상태의 에지링(120)의 온도에 거의 도달하게 되는 시간이다. In the step of lowering the lifting pin 140, the time at which the wafer W is supported by the lifting pin 140 is about 5 seconds to about 10 seconds, and this time is the wafer at room temperature (W) loaded into the process chamber 100. ) Is the time when the temperature rises to almost reach the temperature of the edge ring 120 in a high temperature state.

이와 같은 RTP 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법은 상온의 웨이퍼(W)가 고온의 공정 챔버(100)로 로딩되어 고온인 에지링(120)에 안착되기 전에 일정 시간, 즉 상온의 웨이퍼(W)가 온도가 상승하여 고온인 상태의 에지링(120)의 온도에 거의 도달하는 시간동안 승강핀(140)에 의해 웨이퍼(W) 하면중 일부분만을 지지토록 하여, 웨이퍼(W) 하면 가장자리에 고열이 전달되는 것을 방지하여 웨이퍼(W)의 온도분포를 일정하게 유지토록 함으로써 웨이퍼(W)가 써멀 쇽(thermal shock)에 의해 파손되는 것을 방지한다.In the method of supporting the wafer loaded into the process chamber of the RTP apparatus, the wafer at room temperature (W) is loaded into the process chamber 100 at a high temperature and placed at a high temperature on the edge ring 120. The lower surface of the wafer W is supported by the lifting pins 140 so as to support only a portion of the lower surface of the wafer W during the time when the temperature W rises and the temperature of the edge ring 120 is high. By preventing high heat from being transferred to the wafer, the temperature distribution of the wafer W is kept constant, thereby preventing the wafer W from being damaged by thermal shock.

본 발명에 따른 RTP 장치의 공정 챔버(100)는 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법을 실시하기 위해 사용되는 것으로, 내측에 서포트실린더(110) 및 에지링(120)이 각각 설치되며, 에지링(120)에 형성되는 적어도 세 개 이상의 슬라이딩홈(130)과, 슬라이딩홈(130) 각각에 슬라이딩 가능하게 설치되어 상승하여 웨이퍼(W)를 지지하는 승강핀(140)과, 슬라이딩홈(130)의 하단과 공정 챔버(100) 일측을 연결하는 가스공급로(150)와, 가스공급로(150)로 가스를 공급하는 가스공급부(160)와, 가스공급부(160)로부터의 가스 공급을 개폐하는 솔레노이드밸브(170)와, 솔레노이드밸브(170)를 제어하는 승강핀 콘트롤러(180)를 포함한다.The process chamber 100 of the RTP apparatus according to the present invention is used to implement a method of supporting a wafer loaded into a process chamber, and a support cylinder 110 and an edge ring 120 are respectively installed inside the edge ring. At least three or more sliding grooves 130 formed in the 120, the lifting pins 140 to be slidably installed in each of the sliding grooves 130 to support the wafer W, and the sliding groove 130 Gas supply passage 150 for connecting the lower end of the process chamber 100 and one side, the gas supply unit 160 for supplying gas to the gas supply path 150, and opening and closing the gas supply from the gas supply unit 160 And a solenoid valve 170 and a lift pin controller 180 for controlling the solenoid valve 170.

서포트실린더(110)는 링형상으로 형성되고, 공정 챔버(100)의 내측 바닥면(101)에 설치되며, 상단에 에지링(120)이 결합된다. The support cylinder 110 is formed in a ring shape, is installed on the inner bottom surface 101 of the process chamber 100, and the edge ring 120 is coupled to the top.                     

에지링(120)은 공정 챔버(100) 일측에 형성된 웨이퍼출입구(102)를 통하여 로드락 챔버(미도시)의 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 로딩된 웨이퍼(W)의 가장자리를 지지하도록 상부에 지지홈(121)이 형성된다.The edge ring 120 supports the edge of the wafer W loaded by the wafer transfer robot (not shown) of the load lock chamber (not shown) through the wafer entrance 102 formed at one side of the process chamber 100. The support groove 121 is formed in the.

지지홈(121)은 수평면상에 일정 간격을 두고 적어도 세 개 이상의 슬라이딩홈(130)이 수직되게 형성된다.The support groove 121 is at least three sliding grooves 130 are formed vertically at a predetermined interval on the horizontal plane.

슬라이딩홈(130)은 도 3에서 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는 세 개로 이루어지고, 내측 상단에 승강핀(140)이 이탈됨을 방지하는 걸림턱(131)이 각각 형성되며, 내측에 승강핀(140)이 각각 수직방향으로 슬라이딩 가능하게 설치된다.As shown in Figure 3, the sliding groove 130 is made of three in this embodiment, the locking jaw 131 is formed on the inner top to prevent the lifting pin 140 is separated, respectively, the lifting pin ( 140 are respectively slidably installed in the vertical direction.

승강핀(140)은 적어도 세 개 이상으로 이루어지되, 도 3에서 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는 슬라이딩홈(130)에 상응하도록 세 개로 이루어지며, 상단에 돌출부(141)가 형성된다.Lift pin 140 is made of at least three, as shown in Figure 3, in the present embodiment is made of three to correspond to the sliding groove 130, the protrusion 141 is formed on the top.

또한, 승강핀(140)은 상면 가장자리에 슬라이딩홈(130)의 걸림턱(131)과 접하는 부위에 오링(142)이 설치됨이 바람직하다. 따라서, 승강핀(140)이 슬라이딩홈(130)의 상단에 위치시 가스공급로(150)를 통해 공급되는 가스가 공정 챔버(100) 내측으로 유입되는 것을 차단하여 RTP 공정에 영향을 미치는 것을 방지한다. In addition, the lifting pin 140 is preferably the O-ring 142 is installed in a portion in contact with the engaging jaw 131 of the sliding groove 130 on the upper surface edge. Therefore, when the lifting pin 140 is positioned at the top of the sliding groove 130, the gas supplied through the gas supply path 150 is blocked from being introduced into the process chamber 100, thereby preventing the influence of the RTP process. do.

한편, 돌출부(141)는 승강핀(140)이 슬라이딩홈(130)내를 상측으로 슬라이딩시 슬라이딩홈(130) 상측으로 돌출되어 공정 챔버(100) 내측으로 로딩된 웨이퍼(W)의 하면 가장자리를 지지한다. Meanwhile, the protrusion 141 protrudes upwards of the sliding groove 130 when the lifting pin 140 slides upward in the sliding groove 130 to form an edge of the bottom surface of the wafer W loaded into the process chamber 100. I support it.

또한, 돌출부(141)는 원뿔 형상으로 형성됨이 바람직하다. 따라서, 고온의 돌출부(141)와 상온의 웨이퍼(W)의 접촉면적을 최소화함으로써 웨이퍼(W)가 써멀 쇽(thermal shock)에 의해 파손되는 것을 최대한 방지한다.In addition, the protrusion 141 is preferably formed in a cone shape. Accordingly, the contact area between the high temperature protrusion 141 and the wafer W at room temperature is minimized to prevent the wafer W from being damaged by thermal shock.

가스공급로(150)는 슬라이딩홈(130) 각각의 하단으로부터 서포트실린더(110) 내측을 통과하여 공정 챔버(100) 일측까지 연결되도록 형성되는데, 이를 위해 에지링(120) 내측에 슬라이딩홈(130) 각각의 하단과 서포트실린더(110)와의 결합부위까지 각각 연결되도록 형성되는 제 1 가스공급로(151)와, 서포트실린더(110) 내측에 제 1 가스공급로(151) 각각과 공정 챔버(100)와 접하는 부위까지 각각 연결되도록 형성되는 제 2 가스공급로(152)와, 공정 챔버(100)에 제 2 가스공급로(152)와 외부의 가스공급부(160)가 서로 연결되도록 형성되는 가스공급구(153)로 이루어진다.The gas supply path 150 is formed to pass through the support cylinder 110 from the bottom of each of the sliding grooves 130 and to be connected to one side of the process chamber 100. For this purpose, the sliding groove 130 inside the edge ring 120. The first gas supply passage 151 is formed to be connected to each of the lower end and the coupling portion of the support cylinder 110, respectively, and each of the first gas supply passage 151 and the process chamber 100 inside the support cylinder 110 A second gas supply path 152 formed to be connected to a portion in contact with each other) and a gas supply formed so that the second gas supply path 152 and the external gas supply unit 160 are connected to each other in the process chamber 100. Sphere 153.

한편, 에지링(120)과 서포트실린더(110)를 서로 결합시 제 1 및 제 2 가스공급로(151,152)가 서로 용이하게 연결되도록 에지링(120)과 서포트실린더(110)의 결합부위에 각각 형성되어 서로 결합되는 제 1 위치결정돌기(미도시)와 제 1 위치결정홈(111)을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, when the edge ring 120 and the support cylinder 110 are coupled to each other, the first and second gas supply paths 151 and 152 may be easily connected to each other, respectively, at the coupling portion of the edge ring 120 and the support cylinder 110. It may further include a first positioning projection (not shown) and the first positioning groove 111 formed to be coupled to each other.

제 1 위치결정돌기(미도시)와 제 1 위치결정홈(111)은 그 형성된 위치를 서로 바꿀 수 있다. The first positioning protrusion (not shown) and the first positioning groove 111 may exchange the formed positions thereof.

또한, 서포트실린더(110)를 공정 챔버(100)의 내측 바닥면(101)에 결합시 제 2 가스공급로(152)와 가스공급구(153)가 서로 용이하게 연결되도록 서포트실린더(110)와 공정 챔버(100)의 바닥면(101)의 결합부위에 각각 형성되어 서로 결합되는 제 2 위치결정돌기(112)와 제 2 위치결정홈(미도시)을 더 포함할 수 있다. In addition, when the support cylinder 110 is coupled to the inner bottom surface 101 of the process chamber 100, the support cylinder 110 and the second gas supply path 152 and the gas supply port 153 are easily connected to each other. The second positioning protrusion 112 and the second positioning groove (not shown) may be further formed on the coupling portion of the bottom surface 101 of the process chamber 100 and coupled to each other.                     

제 1 위치결정돌기(112)와 제 2 위치결정홈(미도시)은 그 형성된 위치를 서로 바꿀 수 있다.The first positioning protrusion 112 and the second positioning groove (not shown) may exchange positions thereof.

가스공급부(160)는 가스공급라인(161)에 의해 가스공급구(153)와 연결되어 제 1 및 제 2 가스공급로(151,152)를 따라 슬라이딩홈(130)으로 가스를 공급함으로써 승강핀(140)이 슬라이딩홈(130)을 따라 상승하도록 하며, 가스의 공급은 솔레노이드밸브(170)에 의해 제어된다.The gas supply unit 160 is connected to the gas supply port 153 by the gas supply line 161 to supply gas to the sliding groove 130 along the first and second gas supply paths 151 and 152 to lift the lift pin 140. ) Rises along the sliding groove 130, and the supply of gas is controlled by the solenoid valve 170.

가스공급부(160)에 의해 공급되는 가스로는 RTP 공정에 영향을 미치지 않도록 퍼지가스(purge gas)로 사용되는 질소(N2) 가스임이 바람직하다.The gas supplied by the gas supply unit 160 may be nitrogen (N 2 ) gas used as a purge gas so as not to affect the RTP process.

솔레노이드밸브(170)는 가스공급라인(161)에 설치되며, 승강핀 콘트롤러(180)에 의해 제어된다.The solenoid valve 170 is installed in the gas supply line 161 and controlled by the lift pin controller 180.

승강핀 콘트롤러(180)는 공정 챔버(100)의 웨이퍼출입구(102)를 통해 웨이퍼(W)가 로딩시 일정 시간동안 솔레노이드밸브(170)를 개방시킴으로써 가스공급부(160)로부터 공급되는 가스가 가스공급로(150)를 통해 슬라이딩홈(130)으로 공급되도록 하여 승강핀(140)을 상승시켜서 승강핀(140)의 돌출부(141)가 하강하는 웨이퍼(W) 가장자리를 지지하도록 한다.The lift pin controller 180 opens the solenoid valve 170 for a predetermined time when the wafer W is loaded through the wafer entrance 102 of the process chamber 100, thereby supplying gas to the gas supplied from the gas supply unit 160. The lifting pin 140 is raised by being supplied to the sliding groove 130 through the furnace 150 to support the edge of the wafer W on which the protrusion 141 of the lifting pin 140 descends.

한편, 승강핀 콘트롤러(180)가 솔레노이드밸브(170)를 개방시키는 시간은 공정 챔버(100) 내측으로 로딩된 상온의 웨이퍼(W)가 온도가 상승하여 고온인 상태의 에지링(120)의 온도에 거의 도달하게 되는 시간을 말하며, 5초 내지 10초임이 바람직하다. On the other hand, the time that the lift pin controller 180 opens the solenoid valve 170, the temperature of the edge ring 120 of the wafer (W) at room temperature loaded into the process chamber 100 is a high temperature rise It refers to the time to almost reach to, preferably 5 seconds to 10 seconds.                     

이와 같은 구조로 이루어진 RTP 장치의 공정 챔버의 동작은 다음과 같이 이루어진다.The operation of the process chamber of the RTP apparatus having such a structure is performed as follows.

로드락 챔버(미도시)의 웨이퍼 이송로봇(미도시)에 의해 웨이퍼출입구(102)를 통해 공정 챔버(100) 내측으로 웨이퍼(W)가 로딩되면 승강핀 콘트롤러(180)는 솔레노이드밸브(170)를 개방시킨다.When the wafer W is loaded into the process chamber 100 through the wafer entrance 102 by a wafer transfer robot (not shown) of the load lock chamber (not shown), the lift pin controller 180 may operate the solenoid valve 170. To open.

솔레노이드밸브(170)가 개방되면 가스공급부(160)의 가스가 가스공급구(153)를 통해 제 1 및 제 2 가스공급로(151,152)를 따라 슬라이딩홈(130) 하단으로 공급되며, 이로 인해 도 5a에서 나타낸 바와 같이, 승강핀(140) 각각은 슬라이딩홈(130) 내측을 따라 수직방향으로 상승하여 승강핀(140)의 돌출부(141)가 슬라이딩홈(130) 상측으로 돌출된다.When the solenoid valve 170 is opened, the gas of the gas supply unit 160 is supplied to the lower portion of the sliding groove 130 along the first and second gas supply paths 151 and 152 through the gas supply port 153. As shown in 5a, each of the lifting pins 140 rises vertically along the inner side of the sliding groove 130 so that the protrusion 141 of the lifting pin 140 protrudes above the sliding groove 130.

승강핀(140)의 돌출부(141)가 슬라이딩홈(130) 상측으로 돌출되면 공정 챔버(100)의 내측 바닥면(101)에 수직방향으로 승강하도록 설치되는 리프트핀(103)에 의해 하강하는 웨이퍼(W)가 승강핀(140)의 돌출부(141)에 놓여진다.When the protrusion 141 of the elevating pin 140 protrudes above the sliding groove 130, the wafer descends by the lift pin 103 installed so as to vertically elevate the inner bottom surface 101 of the process chamber 100. (W) is placed on the protrusion 141 of the elevating pin 140.

웨이퍼(W)가 에지링(120)의 지지홈(121)보다 작은 면적을 가진 승강핀(140)의 돌출부(141)에 의해 지지됨으로써 고온의 에지링(120)과의 접촉에 의해 상온의 웨이퍼(W)로 직접 전달되는 고열을 대부분 차단하여 웨이퍼(W)의 가장자리와 중심부의 온도차이를 최소화하여 웨이퍼(W)가 써멀 쇽(thermal shock)에 의해 파손되는 것을 방지한다. The wafer W is supported by the protrusion 141 of the elevating pin 140 having an area smaller than the support groove 121 of the edge ring 120, so that the wafer W is brought into contact with the hot edge ring 120 at a normal temperature. Most of the high heat transmitted directly to (W) is blocked to minimize the temperature difference between the edge and the center of the wafer (W) to prevent the wafer (W) from being damaged by thermal shock (thermal shock).

돌출부(141)는 원뿔형상으로 형성됨으로써 고온의 돌출부(141)와 상온의 웨이퍼(W)의 접촉면적을 최소화하여 웨이퍼(W)의 온도분포를 최대한 일정하게 유지하 도록 한다. The protrusion 141 is formed in a conical shape to minimize the contact area between the high temperature protrusion 141 and the wafer W at room temperature to maintain the temperature distribution of the wafer W as constant as possible.

승강핀(140)의 상면 가장자리에 설치되는 오링(142)은 승강핀(140)이 슬라이딩홈(130) 내측 상단에 위치시 가스공급로(150)를 통해 공급되는 가스가 공정 챔버(100) 내측으로 유입되는 것을 차단함으로써 RTP 공정에 영향을 미치는 것을 방지한다. The O-ring 142 installed on the upper edge of the lifting pin 140 has a gas supplied through the gas supply path 150 when the lifting pin 140 is positioned at the upper inner side of the sliding groove 130. Blocking inflows to the RTP prevents it from affecting the RTP process.

한편, 에지링(120)과 서포트실린더(110)의 결합부위에 각각 형성되어 서로 결합되는 제 1 위치결정돌기(미도시)와 제 1 위치결정홈(111)에 의하여 에지링(120)과 서포트실린더(110)를 서로 결합시 제 1 및 제 2 가스공급로(151,152)가 서로 용이하게 연결된다.On the other hand, the edge ring 120 and the support by the first positioning projection (not shown) and the first positioning groove 111 are formed on the coupling portion of the edge ring 120 and the support cylinder 110, respectively, When the cylinders 110 are coupled to each other, the first and second gas supply paths 151 and 152 are easily connected to each other.

또한, 서포트실린더(110)와 공정 챔버(100)의 바닥면(101)의 결합부위에 각각 형성되어 서로 결합되는 제 2 위치결정돌기(112)와 제 2 위치결정홈(미도시)에 의하여 서포트실린더(110)를 공정 챔버(100)의 내측 바닥면(101)에 결합시 제 2 가스공급로(152)와 가스공급구(153)가 서로 용이하게 연결되도록 한다.In addition, the support is supported by the second positioning protrusion 112 and the second positioning groove (not shown), which are respectively formed at the coupling portion of the support cylinder 110 and the bottom surface 101 of the process chamber 100 and coupled to each other. When the cylinder 110 is coupled to the inner bottom surface 101 of the process chamber 100, the second gas supply path 152 and the gas supply port 153 are easily connected to each other.

솔레노이드밸브(170)의 개방후 상온의 웨이퍼(W)의 온도가 상승하여 에지링(120)의 온도에 거의 도달할 정도의 시간이 경과하면 승강핀 콘트롤러(180)는 솔레노이드밸브(170)를 폐쇄시켜 가스공급부(160)로부터 가스공급로(150)를 통해 슬라이딩홈(130)으로 가스가 공급되는 것을 차단한다.When the temperature of the wafer W at room temperature rises after the solenoid valve 170 is opened, and the time enough to reach the temperature of the edge ring 120 elapses, the lift pin controller 180 closes the solenoid valve 170. By blocking the gas is supplied to the sliding groove 130 through the gas supply path 150 from the gas supply unit 160.

슬라이딩홈(130)으로 공급되던 가스가 차단되면 승강핀(140)이 슬라이딩홈(130) 내측을 따라 하강함으로써 승강핀(140)의 돌출부(141)에 의해 지지되던 웨이퍼(W)는 에지링(120)의 지지홈(121)에 안착된다. When the gas supplied to the sliding groove 130 is blocked, the lifting pin 140 descends along the inside of the sliding groove 130, so that the wafer W supported by the protrusion 141 of the lifting pin 140 is edge ring ( The support groove 121 of 120 is seated.                     

승강핀 콘트롤러(180)가 솔레노이드밸브(170)를 개방시키는 시간은 5초 내지 10초 정도로서, 공정 챔버(100) 내측으로 로딩된 상온의 웨이퍼(W)가 온도가 상승하여 고온인 상태의 에지링(120)의 온도에 거의 도달하게 되는 시간이다. The lifting pin controller 180 opens the solenoid valve 170 for about 5 seconds to about 10 seconds. The edge ring in which the wafer W at room temperature loaded into the process chamber 100 is hot due to an elevated temperature. It is time to almost reach the temperature of 120.

이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, RTP 공정을 실시하기 위하여 고온의 공정 챔버 내측으로 로딩된 상온의 웨이퍼가 승강핀에 의해 최소 면적만이 지지됨으로써 웨이퍼의 온도분포를 일정하게 유지하도록 함으로써 웨이퍼가 써멀 쇽(thermal shock)에 의해 파손되는 것을 방지함과 아울러 RTP 공정을 안정적으로 실시하도록 한다. According to a preferred embodiment of the present invention as described above, the temperature of the wafer is maintained at a constant temperature by supporting only a minimum area of the wafer at room temperature loaded into the high temperature process chamber in order to perform the RTP process. It prevents the wafer from being damaged by thermal shock and ensures stable RTP process.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 RTP 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법 및 이에 사용되는 공정 챔버는 RTP 공정을 실시하기 위하여 공정 챔버 내측으로 로딩된 상온의 웨이퍼가 고온인 에지링의 온도에 거의 도달할 때까지 접촉면적이 최소화된 승강핀에 의해 지지되도록 함으로써 웨이퍼가 써멀 쇽(thermal shock)에 의해 파손되는 것을 방지함과 아울러 RTP 공정을 안정적으로 실시하도록 하여 웨이퍼의 수율을 향상시키는 효과를 가지고 있다. As described above, the method of supporting the wafer loaded into the process chamber of the RTP apparatus according to the present invention and the process chamber used therein are the temperature of the edge ring at which the wafer at room temperature loaded inside the process chamber is hot for performing the RTP process. The contact area is supported by the lifting pin which minimizes the contact area until the wafer is almost reached, which prevents the wafer from being damaged by thermal shock and improves the yield of the wafer by stably performing the RTP process. Have

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 RTP 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법 및 이에 사용되는 공정 챔버를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명 의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for carrying out the method of supporting the wafer loaded into the process chamber of the RTP apparatus according to the present invention and the process chamber used therein, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, Without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims, anyone of ordinary skill in the art to which the present invention pertains to the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (6)

RTP 공정을 실시하기 위해 웨이퍼 이송로봇에 의해 고온의 공정 챔버 내측으로 로딩되어 에지링의 상측에 위치하는 웨이퍼를 지지하는 방법에 있어서,A method of supporting a wafer loaded into a high temperature process chamber by a wafer transfer robot to perform an RTP process and positioned above the edge ring, 상기 웨이퍼의 하측에 수직방향으로 이동 가능하게 설치된 적어도 세 개 이상의 승강핀 상단이 상기 에지링상에서 상기 웨이퍼가 안착될 면보다 높게 위치하도록 상승시키는 단계와;Raising the upper end of at least three lifting pins movably installed in a vertical direction below the wafer so as to be positioned above the surface on which the wafer is seated on the edge ring; 상기 웨이퍼를 상기 승강핀의 상단에 위치시킴으로써 상기 웨이퍼의 하면중 일부분만이 상기 승강핀에 의해 지지되는 단계와;Positioning only the portion of the lower surface of the wafer by the lift pins by placing the wafer on top of the lift pins; 상기 웨이퍼가 상기 승강핀에 지지된 상태로 RTP 공정이 진행되어 일정시간이 경과하면 상기 승강핀을 하강시켜 상기 웨이퍼를 상기 에지링에 안착시키는 단계;RTP process is performed while the wafer is supported on the lifting pins, and if the predetermined time passes, the lifting pins are lowered to seat the wafer on the edge ring; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 RTP 장치의 공정 챔버로 로딩된 웨이퍼의 지지방법.Method of supporting a wafer loaded into the process chamber of the RTP apparatus comprising a. 내측 바닥면에 설치되는 서포트실린더와, 상기 서포트실린더 상단에 결합됨과 아울러 상부에 웨이퍼 가장자리를 지지하는 지지홈이 형성되는 에지링이 구비된 RTP 장치의 공정 챔버에 있어서,In the process chamber of the RTP apparatus having a support cylinder installed on the inner bottom surface and an edge ring coupled to the upper end of the support cylinder and a support groove for supporting the wafer edge at the top is formed, 상기 에지링의 지지홈상에 일정 간격을 두고 수직되게 형성되며, 내측 상단에 걸림턱이 각각 형성되는 적어도 세 개 이상의 슬라이딩홈과;At least three sliding grooves vertically formed on the support grooves of the edge ring at predetermined intervals and each of which has locking jaws formed at an inner upper end thereof; 상기 슬라이딩홈 각각에 수직방향으로 슬라이딩 가능하게 설치되며, 상기 슬라딩홈의 내측 상단에 위치시 상측으로 돌출되어 상기 웨이퍼의 하면을 지지하는 돌출부가 상단에 형성되는 적어도 세 개 이상의 승강핀과;At least three lifting pins that are slidably installed in each of the sliding grooves and protrude upwards when positioned on the inner upper ends of the sliding grooves to support lower surfaces of the wafers; 상기 슬라이딩홈 각각의 하단으로부터 상기 서포트실린더 내측을 통과하여 상기 공정 챔버 일측에 형성된 가스공급구까지 연결되도록 형성되는 가스공급로와;A gas supply passage configured to be connected to a gas supply hole formed at one side of the process chamber by passing through the support cylinder from the lower end of each of the sliding grooves; 상기 승강핀이 상기 슬라이딩홈을 따라 상승하도록 상기 가스공급구에 가스를 공급하는 가스공급부와;A gas supply unit supplying gas to the gas supply port such that the lifting pins rise along the sliding groove; 상기 가스공급부로부터의 가스 공급을 개폐시키는 솔레노이드밸브와;A solenoid valve for opening and closing a gas supply from the gas supply unit; 상기 공정 챔버의 내측으로 웨이퍼가 로딩시 일정 시간동안 상기 솔레노이드밸브를 개방시키는 승강핀 승강콘트롤러;A lift pin lift controller which opens the solenoid valve for a predetermined time when a wafer is loaded into the process chamber; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 RTP 장치의 공정 챔버. Process chamber of the RTP apparatus comprising a. 제 2 항에 있어서, 상기 승강핀은,The method of claim 2, wherein the lifting pins, 상기 슬라이딩홈의 걸림턱과 접하는 상면 가장자리에 오링이 설치되는 것을 특징으로 하는 RTP 장치의 공정 챔버.The process chamber of the RTP apparatus, characterized in that the O-ring is installed on the upper surface edge in contact with the locking step of the sliding groove. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 승강핀의 돌출부는,According to claim 2 or 3, The protrusion of the lifting pin, 원뿔 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 RTP 장치의 공정 챔버. Process chamber of the RTP apparatus, characterized in that formed in a conical shape. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 에지링과 상기 서포트실린더의 결합부위에 각각 형성되어 서로 결합되는 제 1 위치결정돌기와 제 1 위치결정홈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RTP 장치의 공정 챔버. And a first positioning protrusion and a first positioning groove which are respectively formed on the coupling portion of the edge ring and the support cylinder and coupled to each other. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 서포트실린더와 상기 공정 챔버의 바닥면의 결합부위에 각각 형성되어 서로 결합되는 제 2 위치결정돌기와 제 2 위치결정홈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RTP 장치의 공정 챔버. And a second positioning protrusion and a second positioning groove which are respectively formed on the coupling portion of the support cylinder and the bottom surface of the process chamber to be coupled to each other.
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