KR20060109750A - Method of forming a gate pattern in flash memory device - Google Patents

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Abstract

A method for forming a gate pattern of a flash memory device is provided to improve a gate profile by using two-step etching processes. A floating gate polysilicon layer is formed on a semiconductor substrate(10), wherein the substrate is defined with an inactive region and an active region by an isolation layer. A first etching process is performed on the floating gate polysilicon layer at a first predetermined etch rate of the floating gate polysilicon layer against the isolation layer. A floating gate(G.P) with a vertical profile is formed on the resultant structure by performing a second etching process on the floating gate polysilicon layer at a second predetermined etch rate of the floating gate polysilicon layer against the isolation layer.

Description

플래쉬 메모리 소자의 게이트 패턴 형성방법{Method of forming a gate pattern in flash memory device}Method of forming a gate pattern of a flash memory device

도 1은 종래기술에 따라 형성된 플래쉬 메모리소자의 게이트 전극 프로파일이 도시된 SEM사진이고, 1 is a SEM photograph showing a gate electrode profile of a flash memory device formed according to the prior art,

도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 소자의 게이트 패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.2 to 4 are cross-sectional views illustrating a gate pattern forming method of a flash memory device according to the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10: 반도체 기판 G.P: 게이트 패턴10: semiconductor substrate G.P: gate pattern

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 본 발명은 플래쉬 메모리 소자의 게이트 패턴 형성방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method of forming a gate pattern of a flash memory device.

플래쉬 메모리소자의 게이트 형성방법에 있어서, 버티컬(vertical)한 게이트 프로파일을 얻기 위한 기술들이 요구되고 있다. In the gate forming method of a flash memory device, techniques for obtaining a vertical gate profile are required.

게이트 형성을 위한 식각 공정시 게이트 패턴의 최하부막질에 대한 식각공정이 수행되지 않아 발생되는 게이트 마이크로 브릿지(micro bridge)를 개선하기 위해, 게이트 오버 식각을 수행하게 된다. In the etching process for forming the gate, gate over etching is performed to improve the gate micro bridge that is generated because the etching process is not performed on the bottom layer of the gate pattern.

그러나 게이트의 프로파일에 오버 보잉이 발생하여, 게이트의 바텀에 미세 테일(tail: 도 1의 A)이 형성됨으로써, 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다. However, there is a problem in that over-bowing occurs in the profile of the gate, and a fine tail (A of FIG. 1) is formed at the bottom of the gate, thereby lowering the reliability of the device.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 게이트 형성을 위한 식각 공정시 발생되는 문제점을 해결하여 소자의 신뢰성을 향상시키는 플래쉬 메모리 소자의 게이트 패턴 형성방법을 제공함에 있다. An object of the present invention for solving the above problems is to provide a method of forming a gate pattern of a flash memory device to improve the reliability of the device by solving the problems generated during the etching process for forming the gate.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 사상은 트렌치 매립용 절연막이 구비된 소자분리막이 소정 영역에 형성된 반도체 기판 상에 플로팅 게이트 전극용 폴리 실리콘막을 형성하고, 상기 폴리 실리콘막을 패터닝하기 위한 식각공정이 수행되되, 주식각 및 오버식각공정 각각을 수행하여 버티컬한 프로파일을 갖는 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함한다. According to an aspect of the present invention, a polysilicon film for floating gate electrodes is formed on a semiconductor substrate on which a device isolation film having a trench filling insulating film is formed in a predetermined region, and an etching process for patterning the polysilicon film is performed. Performing a stock angle and an overetch process to form a floating gate having a vertical profile.

상기 주식각은 상기 트렌치 매립용 절연막과 상기 제1 폴리 실리콘막의 식각 비가 1: 7~ 12인 식각조건에서 식각되는 것을 포함한다. The stock angle may be etched under an etching condition in which an etching ratio of the trench filling insulating layer and the first polysilicon layer is 1: 7 to 12.

상기 주식각 공정은 HBr가스, He 가스 및 He: O2가 190~ 200: 1의 비율로 혼합된 가스 중 어느 하나를 사용하여 수행되는 것을 포함한다.The stock each process may be performed using any one of HBr gas, He gas and He: O 2 is a gas mixed in a ratio of 190 ~ 200: 1.

상기 오버식각은 상기 트렌치 매립용 절연막과 상기 제1 폴리 실리콘막의 식각비가 1: 100인 식각조건에서 식각되는 것을 포함한다.The overetching may include etching under an etching condition in which an etch ratio of the trench filling insulating layer and the first polysilicon layer is 1: 100.

상기 오버식각은 HBr가스와 O2가스의 혼합 가스가 사용되는 것을 포함한다.The overetch includes using a mixed gas of HBr gas and O 2 gas.

상기 혼합가스는 4~ 10sccm 정도의 O2가스를 사용하거나, He와 O2가스를 사용하여 O2가스의 비를 확보하여 형성되도록 하는 것을 포함한다.The gas mixture comprises from 4 to be formed by using O 2 gas of about 10sccm, or use the He and O 2 gas to secure the ratio of O 2 gas.

상기 소자분리막은 실효적인 소자 분리막의 높이(EFH: effective field oxide layer Height)인 730~ 770Å의 두께가 유지될 수 있도록 하는 것을 포함한다. The device isolation layer may include maintaining a thickness of 730 to 770 Å, which is an effective field oxide layer height (EFH).

상기 플로팅 게이트 전극용 폴리실리콘막을 형성하는 단계와 플로팅 게이트 패터닝하는 단계 사이에는 유전막, 콘트롤 게이트전극용 폴리실리콘막, 금속실리사이드막 및 하드마스크용 절연막을 순차적으로 형성하는 단계 및 상기 하드마스크용 절연막, 상기 금속 실리사이드막, 상기 폴리실리콘막 및 유전막을 패터닝하기 위한 식각공정이 수행되는 단계를 더 포함한다. Sequentially forming a dielectric film, a polysilicon film for a control gate electrode, a metal silicide film, and an insulating film for a hard mask between the forming of the floating gate electrode polysilicon film and the floating gate patterning step; The method may further include performing an etching process for patterning the metal silicide layer, the polysilicon layer, and the dielectric layer.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있지만 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되어지는 것이다. 또한 어떤 막이 다른 막 또는 반도체 기판의 '상'에 있다 또는 접촉하고 있다 라고 기재되는 경우에, 상기 어떤 막은 상기 다른 막 또는 반도체 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는 그 사이에 제 3의 막이 개재되어질 수도 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, but the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. In addition, when a film is described as being on or in contact with another film or semiconductor substrate, the film may be in direct contact with the other film or semiconductor substrate, or a third film is interposed therebetween. It may be done.

도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 소자의 게이트 패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 3b 및 도 4b는 도 3a 및 도 4a의 단계에서의 SEM 사진이다. 2 to 4 are cross-sectional views illustrating a gate pattern forming method of a flash memory device according to the present invention. 3B and 4B are SEM photographs in the steps of FIGS. 3A and 4A.

도 2를 참조하면, 반도체 기판(10) 전면상부에 터널 산화막(미도시), 플로팅 게이트용 제1 폴리 실리콘막(12) 및 패드 질화막(미도시)을 순차적으로 형성한다. 상기 패드 질화막(미도시) 상부의 소정 영역에 포토레지스트 패턴을 형성한 후 이를 식각 마스크로 패드 질화막(미도시), 플로팅 게이트용 제1 폴리실리콘막(12), 터널 산화막(미도시) 및 반도체 기판의 소정 깊이를 순차적으로 식각하여 트렌치를 형성한다. 상기 형성된 트렌치에 트렌치 매립용 산화막을 형성하고, 패드 질화막(미도시)이 노출될 때까지 CMP 공정과 같은 평탄화 공정을 수행하여 소자 분리막을 형성한다. 이어서, 패드 질화막(미도시)을 제거하는 식각 공정을 수행함으로써, 소자 분리막(미도시)의 형성을 완료한다. Referring to FIG. 2, a tunnel oxide film (not shown), a first polysilicon film 12 for floating gate, and a pad nitride film (not shown) are sequentially formed on the entire surface of the semiconductor substrate 10. After forming a photoresist pattern on a predetermined area above the pad nitride layer (not shown), the pad nitride layer (not shown), the first polysilicon layer 12 for floating gate, the tunnel oxide layer (not shown), and the semiconductor are used as an etching mask. A predetermined depth of the substrate is sequentially etched to form trenches. An oxide film for forming a trench is formed in the formed trench, and a device isolation film is formed by performing a planarization process such as a CMP process until a pad nitride film (not shown) is exposed. Subsequently, an etching process of removing the pad nitride layer (not shown) is performed to complete formation of the device isolation layer (not shown).

상기 소자분리막의 형성공정은 실효적인 소자 분리막의 높이(EFH: effective field oxide layer Height)인 730~ 770Å의 두께가 유지될 수 있도록 수행된다. The process of forming the device isolation layer is performed to maintain a thickness of 730 to 770 Å, which is an effective field oxide layer height (EFH).

이후 수행될 공정으로 상기 게이트 프로파일 개선을 위한 실효적인 소자분리막의 높이(EFH)가 상기 두께까지 개선될 수 있게 된다. Subsequently, a height (EFH) of the effective device isolation layer for improving the gate profile may be improved up to the thickness.

이어서, 소자 분리막(미도시)이 형성된 결과물 상에 플로팅 게이트용 제2 폴리 실리콘막(14), ONO막(16), 콘트롤 게이트용 제3 폴리 실리콘막(18), 텅스텐 실리사이드막(20), 하드마스크용 질화막(22)을 순차적으로 형성한다. Subsequently, the second polysilicon film 14 for the floating gate, the ONO film 16, the third polysilicon film 18 for the control gate, the tungsten silicide film 20, and the like are formed on the resultant device on which the device isolation film (not shown) is formed. The hard mask nitride film 22 is formed sequentially.

도 3을 참조하면, 상기 하드마스크용 질화막(22)의 소정 영역에 게이트용 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 이 포토레지스트 패턴(미도시)을 식각 마스크로 하드마스크용 질화막(22)을 식각하여 패터닝한다. 상기 포토레지스트 패턴은 제거하는 에싱 공정을 수행한다. Referring to FIG. 3, a gate photoresist pattern (not shown) is formed in a predetermined region of the hard mask nitride film 22. The photoresist pattern (not shown) is etched and patterned by etching the hard film nitride film 22 using an etching mask. The photoresist pattern is subjected to an ashing process of removing.

이어서, 상기 패터닝된 하드마스크용 질화막(22)을 식각 마스크로 하부의 텅스텐 실리사이드막(20), 콘트롤 게이트용 제3 폴리 실리콘막(18), ONO막(16), 플로팅 게이트용 제2 폴리 실리콘막(14)을 식각하여 패터닝한다. Subsequently, the patterned hard mask nitride layer 22 is used as an etch mask to form a lower tungsten silicide layer 20, a third polysilicon layer 18 for a control gate, an ONO layer 16, and a second polysilicon for floating gates. The film 14 is etched and patterned.

상기 텅스텐 실리사이드막(20), 콘트롤 게이트용 제3 폴리 실리콘막(18), ONO막(16), 플로팅 게이트용 제2 폴리 실리콘막(14)의 식각공정은 각 막질 특성에 적합한 공정조건으로 인시튜(in-situ)로 진행된다. The etching process of the tungsten silicide layer 20, the third polysilicon layer 18 for the control gate, the ONO layer 16, and the second polysilicon layer 14 for the floating gate is recognized as a process condition suitable for each film quality. Proceed to in-situ.

도 4를 참조하면, 상기 제2 폴리 실리콘막(14)까지 식각된 결과물에서 상기 패터닝된 막질들을 식각 마스크로 플로팅 게이트용 제1 폴리 실리콘막(12)에 대해 식각하여 패터닝한다. Referring to FIG. 4, the patterned film materials are etched and patterned with respect to the floating gate first polysilicon film 12 using the resultant etched to the second polysilicon film 14.

상기 제1 폴리 실리콘막에 대해 수행되는 식각공정은 제1 폴리 실리콘막에 대한 주식각과 제1 폴리 실리콘막에 대한 오버식각으로 나누어서 수행되는 데, 상기 식각공정들은 RIE 및 MERIE 형태의 식각 챔버 내에서 30~ 45℃ 정도의 온도를 가지고 수행한다. The etching process performed on the first polysilicon layer is performed by dividing the stock angle of the first polysilicon layer and the overetching of the first polysilicon layer. The etching processes are performed in an etching chamber of RIE and MERIE type. Carry out the temperature at 30 ~ 45 ℃.

상기 제1 폴리 실리콘막에 대한 주식각은 상기 소자분리막의 매립용 절연막과 제1 폴리 실리콘막의 식각비가 1: 7~ 12인 식각조건에서 식각하고, 상기 절연막이 노출되면 식각공정을 정지한다. The stock angle of the first polysilicon layer is etched under an etching condition in which the etch ratio of the buried insulating layer of the device isolation layer and the first polysilicon layer is 1: 7 to 12, and the etching process is stopped when the insulating layer is exposed.

상기 제1 폴리 실리콘막에 대한 주식각은 HBr, He 가스를 사용하고, O2 가스는 사용하지 않고, He: O2가 190~ 200: 1의 비율로 혼합된 가스를 사용한다. The stock angle of the first polysilicon film is HBr, He gas, and O 2 gas is not used, and a gas in which He: O 2 is mixed at a ratio of 190 to 200: 1 is used.

상기 주식각 공정은 이후 오버식각 공정시 제거되어야 하는 폴리실리콘막의 두께 즉, 100Å 미만의 두께만 남겨지도록까지 수행한다. The stock angle process is performed until the thickness of the polysilicon film to be removed during the overetch process, that is, less than 100 mm.

종래의 제1 폴리 실리콘막에 대한 식각공정이 수행될 때는 상기 소자분리막의 매립용 절연막과 제1 폴리 실리콘막의 식각비가 1: 100인 식각조건에서 식각하여, 게이트의 측벽에 보잉(bowing)이 발생하는 문제점이 있었는데, 본 발명의 실시예에서의 상기 선택식각비로 식각공정을 수행하면 게이트측벽에 보잉이 발생하는 것을 방지하여, 게이트 측벽은 버티컬한 프로파일을 갖게 된다. When the conventional etching process is performed on the first polysilicon layer, etching is performed under an etching condition in which the etch ratio of the buried insulating layer and the first polysilicon layer of the device isolation layer is 1: 100, so that bowing occurs on the sidewall of the gate. When the etching process is performed at the selective etching ratio in the embodiment of the present invention, the gate sidewall is prevented from generating bowing, and the gate sidewall has a vertical profile.

한편, 상기 제1 폴리 실리콘막에 대한 오버 식각은 상기 소자분리막의 매립용 절연막과 제1 폴리 실리콘막의 식각비가 1: 100인 식각조건에서 식각하고, 상기 소자분리막의 매립용 절연막의 두께와 비례하는 제1 폴리실리콘막 타겟으로 진행한다. 즉, 실효적인 소자분리막의 높이(EFH)의 높이만큼 타겟으로 진행한다. On the other hand, the over-etching of the first polysilicon film is etched under an etching condition in which the etch ratio of the buried insulating film of the device isolation film and the first polysilicon film is 1: 100, and is proportional to the thickness of the buried insulating film of the device isolation film. Proceeds to the first polysilicon film target. In other words, the target proceeds as much as the height (EFH) of the effective device isolation film.

상기 오버식각은 HBr가스와 O2가스의 혼합 가스를 사용하는 데, 상기 혼합가스에서 4~ 10sccm 정도의 O2가스를 사용하거나, He와 O2가스를 사용하여 O2가스의 비를 확보한다. The over-etch uses a mixed gas of HBr gas and O 2 gas, using the O 2 gas of about 4 ~ 10sccm in the mixed gas, or He and O 2 gas to secure the ratio of O 2 gas .

상기 제1 폴리 실리콘막에 대한 오버 식각을 수행하면, 상기 주식각 공정시 발생된 제1 폴리 실리콘막의 바텀(bottom)영역의 테일(tail)현상을 개선할 수 있게 된다. When the over-etching of the first polysilicon film is performed, tail phenomenon of the bottom region of the first polysilicon film generated during the stock etching process may be improved.

따라서 제1 폴리 실리콘막에 대해 주식각을 통해서 게이트 프로파일을 버티컬하게 형성하면서 동시에 게이트 바텀의 테일이 발생하는 데, 상기 주식각을 통해 형성된 게이트 바텀의 테일 현상을 상기 오버식각을 통해 개선할 수 있게 되어, 게이트 프로파일을 개선할 수 있게 된다. Accordingly, while the gate profile is vertically formed through the stock angle with respect to the first polysilicon layer, the tail of the gate bottom is generated at the same time, and the tail phenomenon of the gate bottom formed through the stock angle can be improved through the overetching. Thus, the gate profile can be improved.

본 발명에 의하면, 플로팅 게이트용 제1 폴리 실리콘막에 대해 두 번의 식각공정을 통해 게이트 패턴을 형성함으로써, 제1 폴리 실리콘막에 대해 주식각을 통해서 게이트 프로파일을 버티컬하게 형성하면서 동시에 게이트 바텀의 테일이 발생하는 데, 상기 주식각을 통해 형성된 게이트 바텀의 테일 현상을 상기 오버식각을 통해 개선할 수 있게 되어, 게이트 프로파일을 개선할 수 있게 된다. According to the present invention, a gate pattern is formed through two etching processes on a first polysilicon film for floating gate, thereby vertically forming a gate profile through a stock angle with respect to the first polysilicon film, and simultaneously the tail of the gate bottom. In this case, the tail phenomenon of the gate bottom formed through the stock angle can be improved through the overetching, thereby improving the gate profile.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 플로팅 게이트용 제1 폴리 실리콘막에 대해 두 번의 식각공정을 통해 게이트 패턴을 형성함으로써, 제1 폴리 실리콘막에 대해 주식각을 통해서 게이트 프로파일을 버티컬하게 형성하면서 동시에 게이트 바텀의 테일이 발생하는 데, 상기 주식각을 통해 형성된 게이트 바텀의 테일 현상을 상기 오버식각을 통해 개선할 수 있게 되어, 게이트 프로파일을 개선할 수 있게 되는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, a gate pattern is formed through two etching processes of the first polysilicon film for floating gate, thereby vertically forming a gate profile through the stock angle of the first polysilicon film. At the same time, the tail of the gate is generated, and the tail phenomenon of the gate bottom formed through the stock angle can be improved through the overetching, thereby improving the gate profile.

본 발명은 구체적인 실시 예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다. Although the present invention has been described in detail only with respect to specific embodiments, it is apparent to those skilled in the art that modifications or changes can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and such modifications or changes belong to the claims of the present invention. something to do.

Claims (8)

소자분리막이 형성되어 비활성영역과 활성영역이 정의된 반도체 기판 상에 플로팅 게이트용 폴리 실리콘막을 형성하는 단계;Forming an isolation layer to form a polysilicon film for a floating gate on a semiconductor substrate in which an inactive region and an active region are defined; 상기 소자분리막 대비 상기 폴리실리콘막의 식각비가 일정값을 갖는 조건에서 상기 플로팅 게이트용 폴리실리콘막에 제1 식각공정을 수행하는 단계; 및 Performing a first etching process on the floating silicon polysilicon film under a condition that an etching ratio of the polysilicon film to the device isolation film has a predetermined value; And 상기 소자분리막 대비 상기 폴리실리콘막의 식각비가 상기 일정값보다 높은 값을 갖는 조건에서 상기 플로팅 게이트용 폴리실리콘막에 제2 식각공정을 수행하여, 버티컬한 프로파일을 갖는 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 소자의 게이트 패턴 형성방법. And forming a floating gate having a vertical profile by performing a second etching process on the floating silicon polysilicon film under a condition that an etching ratio of the polysilicon film to the device isolation film has a higher value than the predetermined value. A gate pattern forming method of a flash memory device. 제1 항에 있어서, 상기 제1 식각공정은 The method of claim 1, wherein the first etching process 상기 소자분리막과 상기 제1 폴리 실리콘막의 식각비가 1: 7~ 12인 식각조건에서 식각되는 것을 포함하는 플래쉬 메모리소자의 게이트 패턴 형성방법. And etching the etch ratio of the device isolation layer and the first polysilicon layer in an etching condition of 1: 7 to 12. 제2 항에 있어서, 상기 제1 식각공정은The method of claim 2, wherein the first etching process HBr가스, He 가스 및 He: O2가 190~ 200: 1의 비율로 혼합된 가스 중 어느 하나를 사용하여 수행되는 것을 포함하는 플래쉬 메모리소자의 게이트 패턴 형성방법. A method of forming a gate pattern of a flash memory device, comprising performing using any one of HBr gas, He gas, and He: O 2 mixed at a ratio of 190 to 200: 1. 제1 항에 있어서, 상기 제2 식각공정은 The method of claim 1, wherein the second etching process 상기 소자분리막과 상기 제1 폴리 실리콘막의 식각비가 1: 100인 식각조건에서 식각되는 것을 포함하는 플래쉬 메모리소자의 게이트패턴 형성방법. And etching under an etching condition in which the etch ratio of the device isolation layer and the first polysilicon layer is 1: 100. 제4 항에 있어서, 상기 제2 식각공정은 The method of claim 4, wherein the second etching process HBr가스와 O2가스의 혼합 가스가 사용되는 것을 포함하는 플래쉬 메모리소자의 게이트패턴 형성방법. A method of forming a gate pattern of a flash memory device comprising using a mixed gas of HBr gas and O 2 gas. 제5 항에 있어서, 상기 혼합가스는 The method of claim 5, wherein the mixed gas 4~ 10sccm 정도의 O2가스를 사용하거나, He와 O2가스를 사용하여 O2가스의 비를 확보하여 형성되도록 하는 것을 포함하는 플래쉬 메모리소자의 게이트패턴 형성방법. A method of forming a gate pattern of a flash memory device comprising using an O 2 gas of about 4 to 10 sccm, or forming a ratio of an O 2 gas by using He and O 2 gases. 제1 항에 있어서, 상기 소자분리막은 The method of claim 1, wherein the device isolation layer 실효적인 소자 분리막의 높이(EFH: effective field oxide layer Height)인 730~ 770Å의 두께가 유지될 수 있도록 하는 것을 포함하는 플래쉬 메모리소자의 게이트 패턴 형성방법. A method of forming a gate pattern of a flash memory device comprising maintaining a thickness of 730 to 770 ~, which is an effective field oxide layer height (EFH). 제1 항에 있어서, 상기 플로팅 게이트용 폴리실리콘막을 형성하는 단계와 상기 폴리실리콘막에 제1 식각공정을 수행하는 단계 사이에는 The method of claim 1, further comprising forming a polysilicon film for the floating gate and performing a first etching process on the polysilicon film. 유전막, 콘트롤 게이트용 폴리실리콘막, 금속실리사이드막 및 하드마스크용 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 및 Sequentially forming a dielectric film, a polysilicon film for a control gate, a metal silicide film, and an insulating film for a hard mask; And 상기 하드마스크용 절연막, 상기 금속 실리사이드막, 상기 폴리실리콘막 및 유전막을 패터닝하기 위한 식각공정이 수행되는 단계를 더 포함하는 플래쉬 메모리소자의 게이트 패턴 형성방법. And performing an etching process for patterning the insulating layer for the hard mask, the metal silicide layer, the polysilicon layer, and the dielectric layer.
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