KR20060102449A - Apparatus for fabricating semiconductor devices having instruments preventing back flow from incoming - Google Patents

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KR20060102449A
KR20060102449A KR1020050024295A KR20050024295A KR20060102449A KR 20060102449 A KR20060102449 A KR 20060102449A KR 1020050024295 A KR1020050024295 A KR 1020050024295A KR 20050024295 A KR20050024295 A KR 20050024295A KR 20060102449 A KR20060102449 A KR 20060102449A
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Abstract

역류 방지기구를 갖는 반도체 소자 제조장비를 제공한다. 상기 반도체 소자 제조장비는 확산로를 구비한다. 상기 확산로에 배기가스 방향전환부가 연결된다. 상기 배기가스 방향전환부에 진공펌프가 연결된다. 상기 진공펌프에 드라이 스크러버가 연결된다. 상기 배기가스 방향전환부는 솔레노이드 밸부들을 구비할 수 있다.Provided is a semiconductor device manufacturing apparatus having a backflow prevention mechanism. The semiconductor device manufacturing equipment includes a diffusion path. An exhaust gas diverter is connected to the diffusion path. A vacuum pump is connected to the exhaust gas diverter. A dry scrubber is connected to the vacuum pump. The exhaust gas diverting part may include solenoid valve parts.

확산로, 배기가스 방향전환부, 솔레노이드 밸브 Diffusion furnace, exhaust gas diverter, solenoid valve

Description

역류 방지기구를 갖는 반도체 소자의 제조장비{apparatus for fabricating semiconductor devices having instruments preventing back flow from incoming}Apparatus for fabricating semiconductor devices having instruments preventing back flow from incoming}

도 1은 종래의 반도체 소자 제조장비의 구성도이다.1 is a block diagram of a conventional semiconductor device manufacturing equipment.

도 2 및 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조장비의 구성도들이다. 2 and 3 are configuration diagrams of a semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 소자의 제조장비에 관한 것으로서, 역류 방지기구를 갖는 반도체 소자 제조장비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing equipment, and to a semiconductor device manufacturing equipment having a backflow prevention mechanism.

반도체 소자의 제조공정에서 확산장치는 전기로(furnace)의 고온을 이용하여 웨이퍼 표면에 필요한 불순물 이온들을 주입하거나 절연막들을 형성하는 데에 널리 사용되고 있다. 이러한 확산장치는 튜브의 설치 구조에 따라 수직형 확산로(vertical type furnace)와 수평형 확산로(horizontal type furnace)로 크게 분류된다.In the semiconductor device manufacturing process, a diffusion device is widely used to inject necessary impurity ions onto a wafer surface or to form insulating films by using a high temperature of an electric furnace. Such diffusers are classified into vertical type furnaces and horizontal type furnaces according to the installation structure of the tube.

도 1은 종래의 수직형 확산로를 이용한 반도체 소자 제조장비의 구성도이다.1 is a block diagram of a semiconductor device manufacturing apparatus using a conventional vertical diffusion path.

도 1을 참조하면, 종형로(1)에서 배출되는 배기가스는 상기 종형로(1)에 접 속된 배기라인(2)을 통해 배기된다. 이 경우에, 상기 배기가스는 상기 배기라인(2)의 일단에 접속된 진공펌프(3)에 의해 강제로 배출된다. 상기 진공펌프(3)와 상기 종형로(1) 사이의 상기 배기라인(2) 상에 밸브(4)가 장착된다. 상기 밸브(4)를 개폐하여 상기 배기가스의 배출을 단속한다. 상기 진공펌프(3)를 통해 강제적으로 배출된 배기가스는 드라이 스크러버(dry scrubber; 5)로 유입된다. 상기 드라이 스크러버(5)를 통과한 배기가스는 배기덕트(미도시)를 통해 배출된다.Referring to FIG. 1, the exhaust gas discharged from the vertical furnace 1 is exhausted through an exhaust line 2 connected to the vertical furnace 1. In this case, the exhaust gas is forcibly discharged by the vacuum pump 3 connected to one end of the exhaust line 2. A valve 4 is mounted on the exhaust line 2 between the vacuum pump 3 and the longitudinal furnace 1. The valve 4 is opened and closed to control the discharge of the exhaust gas. The exhaust gas forcibly discharged through the vacuum pump 3 flows into a dry scrubber 5. Exhaust gas passing through the dry scrubber 5 is discharged through an exhaust duct (not shown).

상술한 종래의 확산장비, 예를 들면 상기 종형로(1)의 상기 배기라인(2) 상에 장착되는 상기 밸브(4)는 수동식으로 개폐된다. 따라서, 상기 종형로(1)로부터 배출되는 배기가스의 단속은 수동식으로 제어된다. 또한, 상기 종래의 확산장비를 이용하여 확산공정을 진행하는 도중에 상기 진공펌프(3)의 구동을 정지시키는 펌프트립(pump trip) 현상이 발생한다. 상기 펌프트립 현상이 발생하는 경우에, 상기 진공펌프(3)의 입력부의 압력이 순간적으로 상승한다. 그 결과, 상기 배기라인(2)을 통해 배기가스가 상기 종형로(1)로 역류되는 현상이 발생되고 있다. 이와 같이 역류된 배기가스는 상기 종형로(1)에 유입되어 오염원(particle source)으로 작용할 수 있다.The conventional diffusion equipment described above, for example, the valve 4 mounted on the exhaust line 2 of the vertical furnace 1 is opened and closed manually. Therefore, the control of the exhaust gas discharged from the vertical furnace 1 is controlled manually. In addition, a pump trip phenomenon occurs in which the driving of the vacuum pump 3 is stopped during the diffusion process using the conventional diffusion equipment. When the pump trip phenomenon occurs, the pressure of the input portion of the vacuum pump 3 rises momentarily. As a result, the phenomenon that the exhaust gas flows back into the vertical furnace 1 through the exhaust line 2 occurs. The exhaust gas flowed back as described above may enter the vertical furnace 1 and serve as a particle source.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 진공펌프의 펌프트립 현상이 발생하는 경우에, 배기가스의 역류를 방지하는 데 적합한 역류 방지기구를 갖는 반도체 소자의 제조장비를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a semiconductor device manufacturing apparatus having a backflow prevention mechanism suitable for preventing backflow of exhaust gas when a pump trip phenomenon of a vacuum pump occurs.

본 발명의 일 양태에 따르면, 반도체 소자의 제조장비를 제공한다. 상기 제조장비는 확산로를 포함한다. 상기 확산로에 연결되는 배기가스 방향전환부가 배치된다. 상기 배기가스 방향전환부에 연결되는 진공펌프가 설치된다. 상기 진공펌프에 연결되는 드라이 스크러버가 배치된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a manufacturing apparatus for a semiconductor device. The manufacturing equipment includes a diffusion furnace. An exhaust gas diverter is connected to the diffusion path. A vacuum pump is connected to the exhaust gas diverter. A dry scrubber connected to the vacuum pump is disposed.

본 발명의 일 양태에 따른 일 실시예에 있어, 상기 배기가스 방향전환부는 서로 이격된 한 쌍의 솔레노이드 밸브들, 상기 한 쌍의 솔레노이드 밸브들을 서로 연결시키는 피스톤 로드, 상기 피스톤 로드 상에 장착되고 서로 이격된 복수의 피스톤들, 및 상기 피스톤 로드와 상기 복수의 피스톤들을 감싸는 실린더를 포함할 수 있다.In one embodiment according to one aspect of the invention, the exhaust gas diverting portion is a pair of solenoid valves spaced apart from each other, a piston rod connecting the pair of solenoid valves to each other, mounted on the piston rod and mutually It may include a plurality of spaced apart piston, and a cylinder surrounding the piston rod and the plurality of pistons.

다른 실시예에 있어, 상기 확산로 및 상기 배기가스 방향전환부에 연결되고 상기 확산로의 작동 및 상기 배기가스 방향전환부의 작동을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.In another embodiment, the control unit may further include a control unit connected to the diffusion path and the exhaust gas turning unit and controlling the operation of the diffusion path and the operation of the exhaust gas turning unit.

또 다른 실시예에 있어, 상기 확산로와 상기 배기가스 방향전환부의 일 단부를 서로 연결시키는 제1 배기라인이 배치되되, 상기 제1 배기라인으로부터 분기되고 상기 배기가스 방향전환부의 타 단부에 연결되는 바이-패스 라인을 포함할 수 있다. In another embodiment, a first exhaust line is arranged to connect the diffusion path and one end of the exhaust gas diverter to each other, branched from the first exhaust line and connected to the other end of the exhaust gas diverter. It may include a bypass line.

또 다른 실시예에 있어, 상기 배기가스 방향전환부의 일 단부와 상기 드라이 스크러버의 일 단부를 서로 연결시키는 제2 배기라인이 배치되고, 상기 배기가스 방향전환부의 타 단부와 상기 드라이 스크러버의 타단부를 서로 연결시키는 제3 배기라인이 배치되되, 상기 제2 배기라인 상에 상기 진공펌프가 장착될 수 있다.In another embodiment, a second exhaust line connecting one end of the exhaust gas diverter and one end of the dry scrubber is disposed, and the other end of the exhaust gas diverter and the other end of the dry scrubber are disposed. A third exhaust line for connecting to each other is disposed, the vacuum pump may be mounted on the second exhaust line.

또 다른 실시예에 있어, 상기 제3 배기라인 상에 장착되는 체크밸브를 더 포함할 수 있다.In another embodiment, it may further include a check valve mounted on the third exhaust line.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하에서 설명되어지는 실시예들에 한정하지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 설명의 편의를 위해 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention may be embodied in other forms without being limited to the embodiments described below. In the drawings, lengths, thicknesses, and the like of layers and regions may be exaggerated for convenience of description. Like numbers refer to like elements throughout the specification.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조장비들의 구성도들이다.2 and 3 are configuration diagrams of the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 역류 방지기구를 갖는 반도체 소자 제조장비를 설명하기로 한다.Hereinafter, a semiconductor device manufacturing apparatus having a backflow prevention mechanism according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2를 참조하면, 확산로(10) 내에 반응가스들을 주입하여 웨이퍼(미도시) 상에 상기 반응가스들을 확산시킨다. 상기 확산로(10)는 수직형 확산로이거나 수평형 확산로일 수 있다. 상기 확산로(10) 내에 퍼지가스를 주입하여 상기 확산로(10) 내의 미반응가스 같은 잔류가스 또는 반응 부산물들을 상기 확산로(10)로부터 배출시킨다. 상기 확산로(10)의 배기가스 배출구(12)와 배기가스 방향전환부(20)를 서로 연결시키는 제1 배기라인(L1)이 배치된다. 그 결과, 상기 확산로(10)로부터 배출되는 배기가스는 상기 제1 배기라인(L1)을 통해 상기 배기가스 방향전환부(20)로 유입된다. 상기 확산로(10)를 제어하는 제어부(40)가 상기 확산로(10)에 연결될 수 있다.Referring to FIG. 2, reaction gases are injected into the diffusion path 10 to diffuse the reaction gases onto a wafer (not shown). The diffusion path 10 may be a vertical diffusion path or a horizontal diffusion path. The purge gas is injected into the diffusion path 10 to discharge residual gas or reaction by-products such as unreacted gas in the diffusion path 10 from the diffusion path 10. A first exhaust line L1 connecting the exhaust gas outlet 12 of the diffusion path 10 and the exhaust gas diverter 20 to each other is disposed. As a result, the exhaust gas discharged from the diffusion path 10 flows into the exhaust gas turning unit 20 through the first exhaust line L1. The control unit 40 controlling the diffusion path 10 may be connected to the diffusion path 10.

상기 배기가스 방향 전환부(20)는 서로 이격된 한 쌍의 솔레노이드 밸브들(21,22)을 구비할 수 있다. 상기 한 쌍의 솔레노이드 밸브들(21,22)은 피스톤 로드(23)에 의해 연결될 수 있다. 상기 솔레노이드 밸브들(21,22) 각각은 밸브 하우징(24), 상기 밸브 하우징(24) 내에 장착되고 서로 이격된 한 쌍의 여자코일들(25), 상기 한 쌍의 여자코일들(25) 사이를 진퇴하는 플런저(26), 상기 한 쌍의 여자코일들(25) 사이에 위치하고 상기 밸브 하우징(24)에 고정되는 밸브 코아(27), 및 상기 플런저(26)와 상기 밸브 코아(27) 사이에 장착되는 복원 스프링(28)으로 이루어질 수 있다. 상기 피스톤 로드(23)는 상기 솔레노이드 밸브들(21,22)의 플런저들(26)을 서로 연결시킬 수 있다.The exhaust gas diverter 20 may include a pair of solenoid valves 21 and 22 spaced apart from each other. The pair of solenoid valves 21 and 22 may be connected by a piston rod 23. Each of the solenoid valves 21 and 22 is a valve housing 24, a pair of excitation coils 25 mounted in the valve housing 24 and spaced apart from each other, between the pair of excitation coils 25. A plunger 26 to advance and retreat, a valve core 27 positioned between the pair of excitation coils 25 and fixed to the valve housing 24, and between the plunger 26 and the valve core 27. It may be made of a restoring spring 28 mounted to. The piston rod 23 may connect the plungers 26 of the solenoid valves 21 and 22 to each other.

이에 더하여, 상기 피스톤 로드(23) 상에 서로 이격된 한 쌍의 피스톤들(29a,29b)이 장착될 수 있다. 상기 피스톤 로드(23)와 상기 한 쌍의 피스톤들(29a,29b)을 감싸는 실린더(30)가 상기 한 쌍의 솔레노이드 밸브들(21,22) 사이에 배치될 수 있다. 그 결과, 상기 한 쌍의 피스톤들(29a,29b)은 상기 실린더(30)의 내벽에 밀착하여 슬라이딩하면서 이동가능하다. 상기 피스톤들(29a,29b)은 상기 피스톤들(29a,29b) 양측의 상기 실린더 내부공간들을 서로 격리시킬 수 있다. 상기 실린더(30)의 내부를 노출시키는 다수의 포트들이 상기 실린더(30)에 위치할 수 있다. 즉, 상기 실린더(30)의 일측에 제1 및 제2 포트들(31a,31b)이 위치할 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 실린더(30)의 타측에 제3 및 제4 포트들(31c,31d)이 위치할 수 있다. 상기 제1 및 제2 포트들(31a,31b)을 통해 상기 실린더(30) 내로 배기가스 가 유입되고, 상기 제3 및 제4 포트들(31c,31d)을 통해 상기 실린더(30)로 유입된 배기가스가 배출될 수 있다. 상기 제1 및 제3 포트들(31a,31c)은 서로 어긋나게 대향하여 상기 실린더(30)에 위치할 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 및 제4 포트들(31b,31d) 역시 서로 어긋나게 대향하여 상기 실린더(30)에 위치할 수 있다. 즉, 상기 실린더(30)의 일 측에 상기 제1 및 제2 포트들(31a,31b)이 이격되게 위치하고, 상기 실린더(30)의 타측에 이격되게 배치되는 상기 제3 및 제4 포트들(31c,31d)이 상기 제1 및 제2 포트들(31a,31b) 사이에 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 제3 포트(31c)는 상기 제1 포트(31a)에 인접하여 위치하고, 상기 제4 포트(31d)는 상기 제2 포트(31b)에 인접하여 위치할 수 있다. 상기 제1 포트(31a)가 상기 제1 배기라인(L1)에 연결된다. 상기 제2 포트(31b)는 상기 제1 배기라인(L1)에서 분기된 바이-패스 라인(32)에 연결된다. 그 결과, 상기 확산로(10)로부터 배출된 배기가스가 상기 제1 배기라인(L1) 및 상기 바이-패스 라인(32)을 경유하여 각각 상기 제1 포트(31a) 및 상기 제2 포트(31b)로 유입될 수 있다.In addition, a pair of pistons 29a and 29b spaced apart from each other may be mounted on the piston rod 23. A cylinder 30 surrounding the piston rod 23 and the pair of pistons 29a and 29b may be disposed between the pair of solenoid valves 21 and 22. As a result, the pair of pistons 29a and 29b are movable while sliding in close contact with the inner wall of the cylinder 30. The pistons 29a and 29b may isolate the cylinder inner spaces on both sides of the pistons 29a and 29b from each other. A plurality of ports exposing the inside of the cylinder 30 may be located in the cylinder 30. That is, first and second ports 31a and 31b may be located at one side of the cylinder 30. Similarly, third and fourth ports 31c and 31d may be located at the other side of the cylinder 30. Exhaust gas flows into the cylinder 30 through the first and second ports 31a and 31b and flows into the cylinder 30 through the third and fourth ports 31c and 31d. Exhaust gases may be emitted. The first and third ports 31a and 31c may be positioned in the cylinder 30 to face each other with a shift. Similarly, the second and fourth ports 31b and 31d may also be positioned in the cylinder 30 to face each other with a shift. That is, the first and second ports 31a and 31b are spaced apart from one side of the cylinder 30 and the third and fourth ports spaced apart from the other side of the cylinder 30 ( 31c and 31d may be located between the first and second ports 31a and 31b. In this case, the third port 31c may be located adjacent to the first port 31a, and the fourth port 31d may be located adjacent to the second port 31b. The first port 31a is connected to the first exhaust line L1. The second port 31b is connected to the bypass line 32 branched from the first exhaust line L1. As a result, the exhaust gas discharged from the diffusion path 10 passes through the first exhaust line L1 and the bypass line 32, respectively, to the first port 31a and the second port 31b. ) Can be introduced into.

상기 배기가스 방향전환부(20)는 드라이 스크러버(50)에 연결된다. 즉, 상기 배기가스 방향전환부(20)의 상기 실린더(30)는 제2 및 제3 배기라인들(L2,L3)에 의해 상기 드라이 스크러버(50)에 연결될 수 있다. 상기 제2 배기라인(L2)의 일 단부는 상기 실린더(30)의 제3 포트(31c)에 연결되고, 상기 제2 배기라인(L2)의 타 단부는 상기 드라이 스크러버(50)의 일 단부에 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 배기라인(L3)의 일 단부는 상기 실린더(30)의 상기 제4 포트(31d)에 연결되고, 상기 제3 배기라인(L3)의 타 단부는 상기 드라이 스크러버(50)의 타 단부에 연결될 수 있 다. 그 결과, 상기 실린더(30)에 유입된 배기가스는 상기 제2 및 제3 배기라인들(L2,L3)을 경유하여 상기 드라이 스크러버(50)에 유입될 수 있다.The exhaust gas diverter 20 is connected to a dry scrubber 50. That is, the cylinder 30 of the exhaust gas diverter 20 may be connected to the dry scrubber 50 by second and third exhaust lines L2 and L3. One end of the second exhaust line L2 is connected to the third port 31c of the cylinder 30, and the other end of the second exhaust line L2 is connected to one end of the dry scrubber 50. Can be connected. In addition, one end of the third exhaust line (L3) is connected to the fourth port (31d) of the cylinder 30, the other end of the third exhaust line (L3) of the dry scrubber (50) It may be connected to the other end. As a result, the exhaust gas introduced into the cylinder 30 may flow into the dry scrubber 50 via the second and third exhaust lines L2 and L3.

이에 더하여, 상기 제2 배기라인(L2) 상에 진공펌프(60)가 장착된다. 상기 진공펌프(60)는 상기 확산로(10)로부터 배기가스를 강제적으로 배출시킬 수 있다. 상기 제3 배기라인(L3) 상에 체크밸브(70)가 장착될 수 있다. 그 결과, 상기 실린더(30)로부터 배출된 배기가스는 상기 체크밸브(70)를 경유하여 상기 드라이 스크러버(50)에 유입될 수 있다. 이 경우에, 상기 체크밸브(70)는 단일 방향으로 배기가스를 유동시키는 역할을 할 수 있다. 따라서, 상기 제4 포트(31d)로부터 배출된 배기가스는 상기 제3 배기라인(L3) 상의 상기 체크밸브(70)를 경유하여 상기 드라이 스크러버(50)에 유입될 수 있다. 반면에, 상기 제3 배기라인(L3) 상에 상기 체크밸브(70)가 장착되기 때문에, 상기 드라이 스크러버(50)에 유입된 배기가스가 상기 제3 배기라인(L3)을 경유하여 상기 실린더(30)로 역류되지 않게 할 수 있다. 상기 드라이 스크러버(50)에 유입된 배기가스는 클리닝되어 덕트(미도시)를 통해 외부로 배출될 수 있다.In addition, a vacuum pump 60 is mounted on the second exhaust line L2. The vacuum pump 60 may forcibly exhaust the exhaust gas from the diffusion path 10. A check valve 70 may be mounted on the third exhaust line L3. As a result, the exhaust gas discharged from the cylinder 30 may flow into the dry scrubber 50 via the check valve 70. In this case, the check valve 70 may serve to flow the exhaust gas in a single direction. Therefore, the exhaust gas discharged from the fourth port 31d may be introduced into the dry scrubber 50 via the check valve 70 on the third exhaust line L3. On the other hand, since the check valve 70 is mounted on the third exhaust line L3, the exhaust gas flowing into the dry scrubber 50 passes through the third exhaust line L3. 30) to prevent backflow. Exhaust gas introduced into the dry scrubber 50 may be cleaned and discharged to the outside through a duct (not shown).

상기 배기가스 방향전환부(20)의 작동 과정을 하기에서 설명하기로 한다.The operation of the exhaust gas direction changing unit 20 will be described below.

상기 확산로(30)내의 배기가스는 상기 진공펌프(60)의 작동에 의해 강제적으로 배출된다. 상기 확산로(30)로부터 배출된 배기가스는 상기 제1 배기라인(L1)을 경유하여 상기 제1 포트(31a)를 통해 상기 실린더(30)로 유입될 수 있다. 동시에, 상기 제1 배기라인(L1)을 경유하는 배기가스는 상기 제1 배기라인(L1)으로부터 분기된 상기 바이-패스 라인(32)을 경유하여 상기 제2 포트(31b)를 통해 상기 실린더 (30)로 유입될 수 있다. 이 경우에, 상기 실린더(30)내에 장착된 상기 제1 피스톤(29a)은 상기 제3 및 제4 포트들(31c,31d) 사이에 위치하고, 상기 제2 피스톤(29b)은 상기 제2 및 제4 포트들(31b,31d) 사이에 위치할 수 있다. 그 결과, 상기 실린더(30)의 상기 제1 포트(31a)를 통해 상기 실린더(30) 내로 유입된 배기가스는 상기 제3 포트(31c)를 통해 배출될 수 있다. 반면에, 상기 제2 포트(31b)를 통해 상기 실린더(30)로 유입된 배기가스는 상기 제2 피스톤(29b)에 의해 차단되기 때문에 제3 및 제4 포트들(31d)을 통해 배출되지 아니한다. 따라서, 상기 진공펌프(60)가 작동되는 동안에는 상기 확산로(10)의 배기가스가 상기 제1 배기라인(L1)을 경유하여 상기 실린더(30)로 유입될 수 있다. 연속하여, 상기 실린더(30)에 유입된 배기가스는 상기 제3 포트(31c)를 통해 배출될 수 있다. 즉, 상기 진공펌프(60)가 작동되는 동안에는, 상기 바이-패스 라인(32)을 경유하여 상기 확산로(30)의 배기가스가 배출되지 않도록 구성할 수 있다.The exhaust gas in the diffusion path 30 is forcibly discharged by the operation of the vacuum pump 60. Exhaust gas discharged from the diffusion path 30 may be introduced into the cylinder 30 through the first port 31a via the first exhaust line L1. At the same time, the exhaust gas passing through the first exhaust line L1 passes through the second port 31b via the second port 31b via the bypass line 32 branched from the first exhaust line L1. 30) may be introduced. In this case, the first piston 29a mounted in the cylinder 30 is located between the third and fourth ports 31c and 31d, and the second piston 29b is the second and the second It may be located between four ports 31b and 31d. As a result, the exhaust gas introduced into the cylinder 30 through the first port 31a of the cylinder 30 may be discharged through the third port 31c. On the other hand, the exhaust gas introduced into the cylinder 30 through the second port 31b is not discharged through the third and fourth ports 31d because it is blocked by the second piston 29b. . Therefore, the exhaust gas of the diffusion path 10 may be introduced into the cylinder 30 via the first exhaust line L1 while the vacuum pump 60 is operating. Continuously, the exhaust gas introduced into the cylinder 30 may be discharged through the third port 31c. That is, while the vacuum pump 60 is in operation, the exhaust gas of the diffusion path 30 may be configured to not be discharged through the bypass line 32.

상술한 배기가스의 배출과정 도중에 상기 진공펌프(60)의 구동을 정지시키는 펌프트립 현상이 발생할 수 있다. 상기 진공펌프(60)의 펌프트립 현상이 발생하는 경우에, 상기 진공펌프(60)의 입력부의 압력이 상승하게 된다. 이에 따라, 상기 제2 배기라인(L2)을 경유하여 배출되는 배기가스의 역류 현상이 발생할 수 있다. 역류된 배기가스는 상기 제3 및 제4 포트들(31c,31d)을 통해 상기 실린더(30) 내로 유입될 수 있다. 이러한 경우에 본 발명의 배기가스 방향전환부가 작동할 수 있다. 하기에서 본 발명의 배기가스 방향전환부의 작동과정을 설명하기로 한다.A pump trip phenomenon may occur to stop driving of the vacuum pump 60 during the above-described exhaust gas discharge process. When the pump trip phenomenon of the vacuum pump 60 occurs, the pressure of the input portion of the vacuum pump 60 is increased. Accordingly, a reverse flow phenomenon of the exhaust gas discharged through the second exhaust line L2 may occur. The backflow exhaust gas may be introduced into the cylinder 30 through the third and fourth ports 31c and 31d. In this case, the exhaust gas diverting part of the present invention can operate. Hereinafter will be described the operation of the exhaust gas direction switching unit of the present invention.

도 3을 참조하면, 상기 확산로(10), 상기 제1 및 제2 솔레노이드 밸브들 (21,22) 및 상기 진공펌프(60)가 연결되는 제어부(40)가 설치될 수 있다. 상기 제어부(40)에는 상기 진공펌프(60)의 구동을 정지시키는 펌프트립 현상을 감지하는 감지센서(미도시)가 설치될 수 있다. 상기 감지센서가 상기 진공펌프(60)의 펌프트립 현상을 감지한 경우에, 상기 제어부(40)는 전원을 인가하여 상기 제1 및 제2 솔레노이드 밸브들(21,22)을 작동시킬 수 있다. 그 결과, 상기 제1 및 제2 솔레노이드 밸브들(21,22)의 여자 코일들(25)에 의해 자기력이 발생될 수 있다. 이러한 자기력은 상기 제1 및 제2 솔레노이드 밸브들(21,22)의 플런저(26)를 진퇴시킬 수 있다. 상기 플런저(26)의 진퇴 운동은 상기 플런저(26)에 연결된 상기 피스톤 로드(23) 및 상기 피스톤 로드(23) 상에 장착된 상기 제1 및 제2 피스톤들(29a,29b)을 진퇴시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 진공펌프(60)가 작동되고 있는 경우에는 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 상기 피스톤 로드(23)가 상기 제2 솔레노이드 밸브(22) 방향으로 이동되어 있는 상태가 될 수 있다. 반면에, 상기 진공펌프(60)의 작동이 정지되는 경우에는, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이 상기 피스톤 로드(23)가 상기 제1 솔레노이드 밸브(21) 방향으로 이동될 수 있다. 그 결과, 상기 진공펌프(60)의 작동이 정지되는 경우에는, 상기 제1 피스톤(29a)은 상기 제1 및 제3 포트들(31a,31c) 사이에 위치될 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 피스톤(29b)은 상기 제3 및 제4 포트들(31c,31d) 사이에 위치될 수 있다. 따라서, 상기 제3 포트(31c)를 통해 상기 실린더(30)로 유입되는 역류된 배기가스는 상기 제1 및 제2 피스톤들(29a,29b)에 의해 차단되어 상기 제1 및 제2 포트들(31a,31b)을 통해 배출될 수 없다. 즉, 상기 실린더(30)로 유입되는 역류된 배기가스가 상기 확산로(10)로 유입될 수 없다.Referring to FIG. 3, a control unit 40 may be installed to which the diffusion path 10, the first and second solenoid valves 21 and 22, and the vacuum pump 60 are connected. The control unit 40 may be provided with a sensor (not shown) for detecting a pump trip phenomenon to stop the drive of the vacuum pump 60. When the detection sensor detects a pump trip phenomenon of the vacuum pump 60, the controller 40 may apply power to operate the first and second solenoid valves 21 and 22. As a result, magnetic force may be generated by the exciting coils 25 of the first and second solenoid valves 21 and 22. This magnetic force may cause the plunger 26 of the first and second solenoid valves 21 and 22 to advance and retract. Retraction movement of the plunger 26 may retract the piston rod 23 connected to the plunger 26 and the first and second pistons 29a and 29b mounted on the piston rod 23. have. For example, when the vacuum pump 60 is in operation, as shown in FIG. 2, the piston rod 23 may be moved in the direction of the second solenoid valve 22. On the other hand, when the operation of the vacuum pump 60 is stopped, as shown in FIG. 3, the piston rod 23 may be moved in the direction of the first solenoid valve 21. As a result, when the operation of the vacuum pump 60 is stopped, the first piston 29a may be located between the first and third ports 31a and 31c. Similarly, the second piston 29b may be located between the third and fourth ports 31c and 31d. Accordingly, the reversed exhaust gas flowing into the cylinder 30 through the third port 31c is blocked by the first and second pistons 29a and 29b so that the first and second ports ( It cannot be discharged through 31a, 31b). That is, backflow exhaust gas flowing into the cylinder 30 may not flow into the diffusion path 10.

이에 더하여, 상기 감지센서가 상기 진공펌프(60)의 펌프트립 현상을 감지하는 경우에, 상기 제어부(40)는 상기 확산로(10)의 작동을 중지시킬 수도 있다.In addition, when the detection sensor detects a pump trip phenomenon of the vacuum pump 60, the controller 40 may stop the operation of the diffusion path 10.

상술한 바와 같이 구성되는 본 발명의 반도체 소자 제조장비는 진공펌프와 확산로 사이에 역류 방지기구를 설치하여, 진공펌프의 구동을 정지시키는 펌프트립 현상이 발생하는 경우에 배기가스가 확산로로 역류되는 것을 방지할 수 있다.In the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention configured as described above, a backflow prevention mechanism is provided between the vacuum pump and the diffusion path so that the exhaust gas flows back into the diffusion path when a pump trip phenomenon that stops the operation of the vacuum pump occurs. Can be prevented.

Claims (6)

확산로;Diffusion furnace; 상기 확산로에 연결되는 배기가스 방향전환부;An exhaust gas diverting part connected to the diffusion path; 상기 배기가스 방향전환부에 연결되는 진공펌프; 및A vacuum pump connected to the exhaust gas turning unit; And 상기 진공펌프에 연결되는 드라이 스크러버를 포함하는 반도체 소자의 제조장비.Equipment for manufacturing a semiconductor device comprising a dry scrubber connected to the vacuum pump. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배기가스 방향전환부는The exhaust gas direction switching unit 서로 이격된 한 쌍의 솔레노이드 밸브들;A pair of solenoid valves spaced apart from each other; 상기 한 쌍의 솔레노이드 밸브들을 서로 연결시키는 피스톤 로드;A piston rod connecting the pair of solenoid valves to each other; 상기 피스톤 로드 상에 장착되고 서로 이격된 복수의 피스톤들; 및A plurality of pistons mounted on the piston rod and spaced apart from each other; And 상기 피스톤 로드와 상기 복수의 피스톤들을 감싸는 실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장비.And a cylinder surrounding the piston rod and the plurality of pistons. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 확산로 및 상기 배기가스 방향전환부에 연결되고 상기 확산로의 작동 및 상기 배기가스 방향전환부의 작동을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장비.And a control unit connected to the diffusion path and the exhaust gas turning unit and controlling the operation of the diffusion path and the operation of the exhaust gas turning unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 확산로와 상기 배기가스 방향전환부의 일 단부를 서로 연결시키는 제1 배기라인이 배치되되, 상기 제1 배기라인으로부터 분기되고 상기 배기가스 방향전환부의 타 단부에 연결되는 바이-패스 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장비.A first exhaust line configured to connect the diffusion path and one end of the exhaust gas diverter to each other, the bypass line being branched from the first exhaust line and connected to the other end of the exhaust gas diverter; Equipment for manufacturing a semiconductor device, characterized in that. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배기가스 방향전환부의 일 단부와 상기 드라이 스크러버의 일 단부를 서로 연결시키는 제2 배기라인이 배치되고, 상기 배기가스 방향전환부의 타 단부와 상기 드라이 스크러버의 타단부를 서로 연결시키는 제3 배기라인이 배치되되, 상기 제2 배기라인 상에 상기 진공펌프가 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장비. A second exhaust line connecting one end of the exhaust gas turning part and one end of the dry scrubber to each other, and a third exhaust line connecting the other end of the exhaust gas turning part and the other end of the dry scrubber to each other Is disposed, the manufacturing equipment of the semiconductor device, characterized in that the vacuum pump is mounted on the second exhaust line. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제3 배기라인 상에 장착되는 체크밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조장비. And a check valve mounted on the third exhaust line.
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