KR20060094035A

KR20060094035A - 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판과 그제조 방법

Info

Publication number: KR20060094035A
Application number: KR1020060016993A
Authority: KR
Inventors: 요시히로 아리따; 겐이찌 무라까미
Original assignee: 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤
Priority date: 2005-02-23
Filing date: 2006-02-22
Publication date: 2006-08-28
Also published as: RU2320734C2; RU2006105488A; US7566371B2; US20060185767A1; JP4681450B2; TW200641143A; TWI325893B; KR100753940B1; JP2006265720A

Abstract

본 발명은 압연 방향의 자기 특성을 비약적으로 향상시킨 무방향성 전자 강판을 비용과 생산성이 우수한 방법으로 제공하는 것으로, 질량 ％로 S : 2.0 ％ 이하, Mn : 3.0 ％ 이하, Al : 1.0 ％ 이상 3.0 ％ 이하, 또한 필요에 따라서 Sn, Sb, Cu, Ni, Cr, P, REM, Ca, Mg을 합계로 0.002 ％ 이상 0.5 ％ 이하, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, 왜곡 제거 소둔 후의 압연 방향에 대해 자속 밀도(B50_L)와 포화 자속 밀도(Bs)의 비(B50_L/BS)가 0.85 이상, 철손(W15/50_L)이 2.0 W/㎏ 이하인 것을 특징으로 하는, 압연 방향의 자기 특성이 양호한 무방향성 전자 강판이다. 그 제조 방법은 열연판 소둔을 800 ℃ 이상 1100 ℃ 이하로 30초 이상, 마무리 소둔 후 결정 입경을 50 ㎛ 이하로 하고, 압하율 3 ％ 이상 10 ％ 이하의 스킨패스를 실시한 후, 왜곡 제거 소둔을 행한다. 또한 냉연 압하율은 60 ％ 이상 75 ％ 이하가 바람직하다.

압연, 왜곡 제거 소둔, 냉연 압하율, 철손, 자속 밀도, 포화 자속 밀도

Description

압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판과 그 제조 방법 {NON-ORIENTED MAGNETIC STEEL SHEET EXCELLENT IN MAGNETIC CHARACTERISTIC IN ROLLING DIRECTION, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}

[문헌 1] 일본 특허 공개 제2004-332042호 공보

[문헌 2] 일본 특허 공개 소57-203718호 공보

[문헌 3] 일본 특허 공개 평5-247537호 공보

[문헌 4] 일본 특허 공개 제2002-146490호 공보

[문헌 5] 일본 특허 공개 제2005-240050호 공보

본 발명은 전기 기기의 철심 재료로서 사용되는 무방향성 전자 강판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 왜곡 제거 소둔 후에 있어서의 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판에 관한 것이다.

최근, 세계적인 전기 기기의 에너지 절약화의 높아짐에 따라, 모터의 철심 재료로서 이용되는 무방향성 전자 강판에 대해서도, 또 다른 저철손ㆍ고자속 밀도가 요구되어 오고 있다. 일반적으로 Si를 첨가하여 고유 저항을 높이고, 또한 제 품 입경을 크게 함으로써 철손을 저감하고, 또한 열연판 소둔이나 냉연 압하율을 최적화함으로써 고자속 밀도화를 도모하여 왔다.

한편, 소형 모터의 공법으로서 최근, 분할 타입이 늘어났다. 이는 스테이터를 소분할한 형태로 펀칭하여 적층하고, 권선 후에 연결하여 원호형의 스테이터 코어를 형성하는 것으로, 강판 수율이나 코일 충전율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 또한 자성 양호한 강판의 특정 방향을, 예를 들어 자속이 집중하는 티스 방향으로 정렬하는 것이 가능해지므로, 모터 효율의 향상을 기대할 수 있다.

이러한 분할 코어용의 강판으로서는, 압연 방향의 자성이 매우 양호한 방향성 전자 강판의 적용이 생각되지만, 펀칭성이 악화되고 또한 대폭적인 고비용으로 되어 버리므로 채용예는 거의 없고, 종래의 모터와 마찬가지로 무방향성 전자 강판이 채용되고 있다. 즉 무방향성 전자 강판으로 특정 방향의 자성을 현저히 향상시키는 것이 가능하면, 분할 타입의 소형 모터의 최적 재료가 될 수 있을 것이다.

분할 코어용의 무방향성 전자 강판으로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2004-332042호 공보에는, 특히 열연판 소둔 후 결정 입경과 냉간 압연의 압하율을 제어함으로써, 마무리 소둔 후 {100}<001>계 집합 조직을 발달시켜 면내 압연 방향과 그 판 면내 수직 방향으로 우수한 자기 특성을 얻는 방법이 개시되어 있다.

그러나, 지금까지의 무방향성 전자 강판에서는 자성이 양호한 압연 방위(이하, L 방향으로 함)이라도 다른 강판 방향에 대한 자성의 우위성이 작은 것이 실정이다. 또한 최근에는 고주파 철손의 저감을 목적으로, 얇으면서 Si량이 많은 고급재의 필요성이 늘어나고 있지만, 이러한 강판으로서는 또한 L 방향의 자성 우위성 이 작아진다는 문제가 있었다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2004-332042호 공보

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 소57-203718호 공보

[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 평5-247537호 공보

[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 제2002-146490호 공보

[특허 문헌 5] 일본 특허 공개 제2005-240050호 공보

본 발명은 전술의 문제를 비추어 보아 결정립의 조대화나 다량의 합금 첨가에도 불구하고, L 방향의 자기 특성이 매우 우수한 무방향성 전자 강판을 저비용으로 제공하고자 하는 것이다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 요지는 다음과 같다.

(1) 질량 ％로 Si : 2.0 ％ 이하, Mn : 3.0 ％ 이하, Al : 1.0 ％ 이상 3.0 ％ 이하로, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, 왜곡 제거 소둔 후의 압연 방향의 자속 밀도(B50_L)와 포화 자속 밀도(Bs)의 비(B50_L/Bs)가 0.85 이상인 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판.

(2) 상기 강판의, 왜곡 제거 소둔 후의 압연 방향의 철손(W15/50_L)이 2.0 W/㎏ 이하인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판.

(3) 상기 강판이, 또한 질량 ％로 Sn 또는 Sb : 0.002 ％ 이상 0.5 ％ 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판.

(4) 상기 강판이, 또한 질량 ％로 Cu, Ni, Cr, P, REM, Ca, Mg 중 적어도 1종을 합계로 0.002 ％ 이상 0.5 ％ 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판.

(5) 질량 ％로 Si : 2.0 ％ 이하, Mn : 3.0 ％ 이하, Al : 1.0 ％ 이상 3.0 ％ 이하로, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, 열연, 열연판 소둔, 산세, 냉연, 마무리 소둔, 스킨패스 압연을 실시하는 제조 공정에 있어서, 결정 입경을 50 ㎛ 이하를 갖는 마무리 소둔 후 강판을 압하율 3 ％ 이상 10 ％ 이하로 스킨패스 압연하는 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.

(6) 질량 ％로 Si : 2.0 ％ 이하, Mn : 3.0 ％ 이하, Al : 1.0 ％ 이상 3.0 ％ 이하로, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, 열연, 열연판 소둔을 행하거나 또는 생략하고, 산세, 중간 소둔을 끼운 2회 이상의 냉연, 마무리 소둔, 스킨패스 압연을 실시하는 제조 공정에 있어서, 결정 입경을 50 ㎛ 이하를 갖는 마무리 소둔 후 강판을 압하율 3 ％ 이상 10 ％ 이하로 스킨패스 압연하는 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.

(7) 상기 강판이, 또한 Sn, Sb, Cu, Ni, Cr, P, REM, Ca, Mg의 1종 이상을 0.002 ％ 이상 0.5 ％ 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 (5) 또는 (6)에 기재된 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.

(8) 상기 냉간 압연에 있어서의 최종의 냉연 압하율을 60 ％ 이상 75 ％ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 (5) 또는 (6)에 기재된 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.

(9) 상기 열연판 소둔 및 중간 소둔 중 적어도 마지막에 행하는 소둔을 800 ℃ 이상 1100 ℃ 이하로 30초 이상 행하는 것을 특징으로 하는 (5) 또는 (6)에 기재된 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.

본 발명에 따르면, L 방향의 자기 특성이 매우 우수한 무방향성 전자 강판을 저비용으로 제공할 수 있다.

이하에 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 발명자들은 무방향성 전자 강판에 있어서, 자기 특성이 가장 우수한 L 방향의 자성을 더 향상시킴으로써 대응하였다. 그 결과, Si를 2.0 ％ 이하로 한 강에 1.0 ％ 이상의 Al을 첨가하고, 또한 마무리 소둔 후에 압하율 3 내지 10 ％의 스킨패스와 왜곡 제거 소둔을 실시함으로써, L 방향의 특성이 비약적으로 향상되는 것을 지견하고, 본 발명을 완성시켰다. 이하, 본 발명에 도달한 실험 결과에 대해 서술한다.

(실험 1)

질량 ％로 Si : 1.0 ％, Mn : 0.2 ％, Al : 0.001 내지 2.5 ％의 강을 용제하였다. 이러한 강 덩어리를 열연하여 판 두께 2.7 ㎜로 하고, 1000 ℃에서 60초의 열연판 소둔을 실시하고, 1회의 냉연에 의해 판 두께 0.37 ㎜로 하였다. 냉연 판은 800 ℃에서 30초의 마무리 소둔을 행하고, 압하율 5 ％의 스킨패스를 한 후, 780 ℃에서 1시간의 왜곡 제거 소둔을 실시하고, L 방향의 자기 특성을 측정하였다. 그 결과, 표 1에 나타낸 바와 같이 Al량이 1.0 ％ 이상의 시료 4, 5에서 저철손 또한 고자속 밀도가 얻어지는 것을 지견하였다. 포화 자속 밀도(Bs)의 계산치를 병기하지만, 이에 의하면 시료 4, 5는 포화 자속 밀도가 낮음에도 불구하고, 높은 자속 밀도가 얻어진 것으로 된다. 이는 자화되기 쉬운 결정 방위가 L 방향으로 집적하였기 때문이라고 생각되고, 그 집적도를 나타내는 파라미터로서 B50/Bs를 평가하면, 시료 4, 5의 L 방향은 B50/Bs가 0.85 이상으로 도달하는 것을 지견하였다.

(실험 2)

다음에 실험 1에서 얻어진 효과에 있어서의 Si량의 영향을 검증하기 위해, Si와 Al량을 변화시킨 복수의 강을 용제하고, 실험 1과 같은 시험 조건으로 평가하였다. 그 결과, 표 2에 나타낸 바와 같이 Si가 2.0 ％를 넘으면 Al량에 관계 없이, L 방향의 철손, 자속 밀도의 향상 효과는 얻어지지 않았다. 한편, Si : 2.0 ％ 이하에서는 1.0 ％ 이상의 Al을 첨가한 시료 3, 4, 7, 8, 11, 12에서 철손 및 자속 밀도가 비약적으로 향상되고, B50/Bs도 0.85 이상의 높은 값이 얻어지는 것을 지견하였다.

이와 같이, Si를 2.0 ％ 이하로 제한하고, 그 위에서 1.0 ％ 이상의 높은 Al을 함유량시킨 강판을 마무리 소둔 후에 스킨패스 압연하고, 계속해서 왜곡 제거 소둔을 실시함으로써 L 방향의 자기 특성이 현저히 향상되는 것은 본 발명에 의해 비로소 지견한 것이다. 효과 발현의 요인이지만, Al을 1.0 ％ 이상 첨가함으로써 마무리 소둔시에 Goss 방위({110}<001>) 및 그 근방 방위가 약간 증가하고, 그것이 스킨패스 압연 후의 왜곡 제거 소둔으로 우선 성장한 것으로 생각된다. 또한 Si가 2.0 ％를 넘으면 발현하지 않게 되는 이유는 확정되지 않지만, Si는 Al보다 재료를 경화시키는 작용이 큰 것이 영향을 주고 있는 것으로 생각된다.

종래의 스킨패스에 의한 자기 특성의 개선에 대해서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소57-203718호 공보에서 볼 수 있는 바와 같이, 왜곡 제거 소둔 후의 결정립 성장을 촉진하여 저철손을 얻는 것을 목적으로 하고 있고, 오로지 Si량이 적은 저급 강 종류에 적용되어 왔다. 왜냐하면 2 내지 3 ％ 정도의 Si를 첨가하는 고급재로서는 변태가 없기 때문에, 스킨패스에 의지하지 않아도 마무리 소둔을 고온화한다는 단순한 수단에 의해 결정립의 조대화 및 저철손을 도모할 수 있기 때문이다.

본 발명에 있어서의 스킨패스는 단지 결정 입경을 조대화시키는 수단이 아니라, 결정 방향을 제어하여 L 방향의 자기 특성을 비약적으로 개선시키기 위한 것이고, 특히 1.0 ％ 이상의 Al을 첨가함으로써 발현된다는 점에 중요한 의미가 있다. 왜냐하면 Al은 철손, 특히 고주파 철손의 저감에 불가결한 고유 저항을 증가시키는 효과가 Si와 거의 등가로 높기 때문이다. 즉, 고급재로 2 내지 3 ％ 정도 첨가되는 Si의 일부 혹은 모두를 Al으로 치환하는 것을 포함하고, 본 발명의 방책을 적용함으로써, 지금까지 특히 얇으면서 고급재로서는 어렵던 L 방향의 현저한 자성의 우위성을 실현하는 것이 가능하게 된 것이다.

이와 같이 L 방향의 자기 특성이 비약적으로 향상시키는 종래의 지견으로서는, 일본 특허 공개 평5-247537호 공보에서는 강판의 길이 방향에 대해 45°이내의 각도 방향으로 스킨패스 압연하는 것이 개시되어 있지만, 경사 방향으로 스킨패스 압연하는 것은 공업적으로 어렵다고 추찰된다.

또, 일본 특허 공개 제2002-146490호 공보 및 일본 특허 공개 제2005-240050호 공보에는, 본 발명과 마찬가지인 고Al으로 스킨패스를 한 무방향성 전자 강판이 개시되어 있지만, 동일 공보의 방법에서는 본 발명과 같은 B50_L/Bs ≥ 0.85의 무방향성 전자 강판은 얻어지지 않는다. 왜냐하면, 이러한 발명예로서는 열연판 소둔을 실시하지 않고, 특성의 발현에 필요한 스킨패스 전의 Goss 방위({110}<001>) 및 그 근방 방위가 충분히 부가되지 않기 때문이다.

다음에, 본 발명의 제품에 있어서의 수치 한정 이유에 대해 서술한다.

Si는 전기 저항을 증가시키기 위해 유효한 원소이지만, 2.0 ％를 초과하여 첨가하면 L 방향의 자성 개선 효과가 충분히 얻어져 없어지므로, 2.0 ％를 상한으로 하였다. 하한에 대해서는, 전기 저항을 증가시키기 때문에, 바람직하게는 0.4 ％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 ％ 이상, 더 바람직하게는 0.7 ％ 이상이 좋다. 특히, 본 발명과 같이 고Al인 경우, Si를 지나치게 저하하면 산세 후의 Al₂O₃ 스케일이 증가하기 때문에, Si는 1.0 ％ 초과가 특히 바람직하다.

Mn은 황화물의 생성과 전기 저항을 높이는 효과가 있기 때문에, 0.1 ％ 이상의 첨가가 바람직하다. 상한은 비용을 고려하여 3.0 ％로 규정하였다.

Al은 본 발명의 필수 원소이다. 1.0 ％ 미만에서는 마무리 소둔시에 Goss 방위({110}<001>) 및 그 근방 방위가 충분히 발달하지 않고, 왜곡 제거 소둔 후에 우수한 L 방향의 자기 특성을 얻을 수 없기 때문에 1.0 ％ 이상으로 하였다. B50_L/Bs의 관점으로부터는 1.5 ％ 이상, 또는 2.0 ％ 이상이 바람직하다. 또한, Al 첨가는 Si와 거의 동등한 높은 고유 저항이 얻어지기 때문에, 목표로 하는 철손에 따라서 첨가량을 조정할 수 있다. 특히, 고주파 철손의 저감을 위해서는 적극적으로 첨가하는 것이 바람직하다. 단, 주조 등의 생산성을 고려하여, 3.0 ％를 상한으로 하였다. 조업의 용이함을 고려하면 2.7 ％ 이하, 또는 2.5 ％ 이하가 바람직하다.

Sn 및 Sb은 마무리 소둔시에 Goss 방위를 늘리는 효과가 있고, 또한 소둔시의 질화나 산화를 억제하는 효과가 있으므로 첨가가 바람직하다. 효과가 얻어지는 첨가량으로서 0.002 ％ 이상으로 하였다. 또한. 0.5 ％를 넘어 첨가해도 효과가 포화되므로, 0.5 ％ 이하로 규정하였다.

Cu 및 Ni에 대해서는 소둔시의 질화나 산화를 억제하는 효과가 있으므로 첨가해도 좋고, 특히 Sn과의 복합 첨가가 바람직하다. 효과가 얻어지는 첨가량으로서 0.002 ％ 이상으로 하고, 0.5 ％를 넘어 첨가해도 효과가 포화되므로, 0.5 ％ 이하로 규정하였다.

Cr은 고고유 저항화와 내녹성 향상, P은 결정 방위와 펀칭성 개선, REM, Ca, Mg은 열연판 소둔, 마무리 소둔 및 왜곡 제거 소둔시의 결정립 성장을 개선하는 효과가 있고, 모두 무방향성 전자 강판의 특성을 개선한다. 효과가 얻어지는 첨가량으로서 0.002 ％ 이상으로 하고, 0.5 ％를 넘어 첨가해도 효과가 포화되므로, 0.5 ％ 이하로 규정하였다.

L 방향의 자기 특성에 대해서는 실험 결과로부터, 자속 밀도와 포화 자속 밀도의 비(B50_L/Bs)를 0.85 이상, 상용 주파수의 철손(W15/50_L)을 2.0 W/㎏ 이하로 규정하였다. 여기서 포화 자속 밀도(Bs)는 질량 ％로, 2.1561 - 0.0413 × Si - 0.0198 × Mn - 0.0604 × Al의 식에 의해 산출하는 것으로 한다.

다음에 본 발명에 있어서의 제조 조건의 한정 이유를 나타낸다.

열연판 소둔 및 중간 소둔에 대해서는, 충분히 결정립 성장시킬 필요성으로부터 800 ℃ 이상으로 하였다. 단, 결정립이 지나치게 조대하게 되면 표면성상이 손상되기 때문에 1100 ℃ 이하로 규정하였다.

냉연 압하율에 대해서는 마무리 소둔시에 Goss 방위를 늘릴 목적으로부터 60 ％ 이상 75 ％ 이하가 바람직하다. 열연판 소둔과 1회의 냉연으로 이를 만족하지 않는 경우, 열연판 소둔 후에 중간 냉연과 중간 소둔을 실시하고, 최종 냉연 전의 압하율을 60 ％ 이상 75 ％ 이하로 해도 좋다. 단, 제조 비용과의 균형 때문에, 이 범위의 냉연 압하율은 필수적이지 않다.

스킨패스 전의 결정 입경에 대해서는 지나치게 크면 왜곡 제거 소둔로 거의 입자 성장하지 않게 되어 버리기 때문에, 상한을 50 ㎛로 규정하였다. 하한은 특별히 정하는 것은 아니며, 재결정이 완료되어 있으면 문제없다.

스킨패스 압하율은 왜곡 제거 소둔시에 특정 방향을 우선 성장시키는 중요한 인자이다. 3 ％ 미만에서는 왜곡 부여가 충분하지 않기 때문에 하한을 3 ％로 하였다. 또한, 10 ％를 넘으면 한결같이 왜곡이 부여되고, 우선 성장이 일어나지 않게 되어 버리기 때문에 상한을 10 ％로 하였다.

또, 왜곡 제거 소둔에 대해서는 강판의 제조 과정에서 실시해도 좋고, 혹은 철심으로서 코어에 펀칭한 후에 수요가로 실시해도 좋고, 또한 강판의 제조 과정과 코어 펀칭 후에 2회 실시해도 상관없다. 소둔 조건은 특별히 규정할만한 것은 아니며, 결정립이 충분히 조대화되는 조건이면 상자 소둔 혹은 연속 소둔의 어떠한 것도 상관없다. 여기서 말하는 결정립이 충분히 조대화된 상태라 함은, 강판 단면의 평균 결정 입경이 60 ㎛ 이상인 것을 가리킨다. 또한 소둔 온도는 일반적으로 소둔 시간이 10분 이상과 긴 상자 소둔인 경우는 700 내지 850 ℃, 소둔 시간이 10 내지 60초 정도와 짧은 연속 소둔인 경우는 850 내지 1000 ℃가 바람직한 조건이다.

<제1 실시예>

질량 ％로 Si : 1.0 내지 3.0 ％, Mn : 0.5 ％, Al : 0.3 내지 2.4 ％의 강을 용제하였다. 이러한 강 덩어리를 열연하여 판 두께 1.8 ㎜로 하고, 1050 ℃에서 60초의 열연판 소둔을 실시하고, 1회의 냉연에 의해 판 두께 0.37 ㎜로 하였다. 냉연판은 850 ℃에서 15초의 마무리 소둔을 행하고 약 40 ㎛의 입경으로 한 후, 압하율 5 ％의 스킨패스를 지나서 800 ℃에서 1 시간의 왜곡 제거 소둔을 실시하였다. 이렇게 해서 얻어진 시료에 대해 L 방향의 자기 측정을 행하였다. 그 결과, 표 3에 나타낸 바와 같이 Si : 2.0 ％ 이하 또한 Al : 1.0 ％ 이상의 시료 3, 4, 7, 8에서 철손 및 자속 밀도 모두 양호하고, W15/50_L로 2.0 W/㎏ 이하, B50/Bs : 0.85 이상였다.

<제2 실시예>

질량 ％로 Si : 1.3 ％, Mn : 1.0 ％, Al : 1.8 ％, Sn : 0.003 내지 0.2 ％의 강을 용제하였다. 이러한 강 덩어리를 열연하여 판 두께 2.0 ㎜로 하고, 950 ℃에서 60초의 열연판 소둔을 실시하고, 또한 중간 냉연으로 0.65 내지 2.0 ㎜(2.0 ㎜는 중간 냉연 없음)로 하고, 900 ℃에서 60초의 중간 소둔(2.0 ㎜는 중간 소둔 없음)을 실시한 후, 최종 냉연에 의해 판 두께 0.26 ㎜로 하였다. 냉연판은 마무리 소둔에 의해 약 30 ㎛의 입경으로 한 후, 압하율 5 ％의 스킨패스를 지나서 750 ℃에서 2시간의 왜곡 제거 소둔을 실시하였다. 이렇게 해서 얻어진 시료에 대해 L 방향의 자기 측정을 행하였다. 그 결과, 표 4에 나타낸 바와 같이 모든 시료도 W15/50_L로 20 W/㎏ 이하, B50_L/Bs : 0.85 이상의 양호한 자기 특성이 얻어졌지만, 특히 Sn을 0.01 ％ 이상 첨가하고, 또한 최종의 냉연 압하율을 60 내지 75 ％로 한 시료 5, 6, 9, 10에 있어서, 매우 양호한 철손과 자속 밀도가 얻어졌다.

<제3 실시예>

질량 ％로 S : 1.5 ％, Mn : 1.5 ％, Al : 2.3 ％, Sn : 0.05 ％, Cu : 0.2 ％, Ni : 0.3 ％의 강을 용제하였다. 이러한 강 덩어리를 열연하여 판 두께 2.5 ㎜로 하고, 1000 ℃에서 60초의 열연판 소둔을 실시한 후, 냉연 두께를 0.30 내지 0.35 ㎜로 변화하게 하였다. 냉연판은 마무리 소둔에 의해 약 30 ㎛의 입경으로 한 후, 판 두께가 0.30 ㎜가 될 때까지 스킨패스 압연하고(냉연 두께 0.30 ㎜는 스킨패스 압연 없음), 750 ℃에서 2시간의 왜곡 제거 소둔을 실시하였다. 이렇게 해서 얻어진 시료에 대해 L 방향의 자기 측정을 행하였다. 그 결과, 표 5에 나타낸 바와 같이 마무리 소둔의 입경이 50 ㎛ 이하로 또한, 스킨패스 압하율이 3 내지 10 ％의 시료 4, 5, 7, 8, 10, 11에 있어서, 매우 양호한 철손과 자속 밀도가 얻어졌다.

본 발명에 따르면, 결정립의 조대화나 다량의 합금 첨가에도 불구하고, L 방향의 자기 특성이 매우 우수한 무방향성 전자 강판을 저비용으로 제공할 수 있다.

Claims

질량 ％로, Si : 2.0 ％ 이하, Mn : 3.0 ％ 이하, Al : 1.0 ％ 이상 3.0 ％ 이하로, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, 왜곡 제거 소둔 후의 압연 방향의 자속 밀도(B50_L)와 포화 자속 밀도(Bs)의 비(B50_L/Bs)가 0.85 이상인 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판.
제1항에 있어서, 상기 강판의 왜곡 제거 소둔 후의 압연 방향의 철손(W15/50_L)이 2.0 W/㎏ 이하인 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 강판이, 또한 질량 ％로 Sn 또는 Sb : 0.002 ％ 이상 0.5 ％ 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 강판이, 또한 질량 ％로 Cu, Ni, Cr, P, REM, Ca, Mg 중 적어도 1종을 합계로 0.002 ％ 이상 0.5 ％ 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판.
질량 ％로 Si : 2.0 ％ 이하, Mn : 3.0 ％ 이하, Al : 1.0 ％ 이상 3.0 ％ 이하로, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, 열연, 열연판 소둔, 산세, 냉연, 마무리 소둔, 스킨패스 압연을 실시하는 제조 공정에 있어서, 결정 입경을 50 ㎛ 이하를 갖는 마무리 소둔 후 강판을 압하율 3 ％ 이상 10 ％ 이하로 스킨패스 압연하는 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.
질량 ％로 Si : 2.0 ％ 이하, Mn : 3.0 ％ 이하, Al : 1.0 ％ 이상 3.0 ％ 이하로, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, 열연, 열연판 소둔을 행하거나 또는 생략하고, 산세, 중간 소둔을 끼운 2회 이상의 냉연, 마무리 소둔, 스킨패스 압연을 실시하는 제조 공정에 있어서, 결정 입경을 50 ㎛ 이하를 갖는 마무리 소둔 후 강판을 압하율 3 ％ 이상 10 ％ 이하로 스킨패스 압연하는 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 강판이, 또한 Sn, Sb, Cu, Ni, Cr, P, REM, Ca, Mg의 1종 이상을 0.002 ％ 이상 0.5 ％ 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 냉간 압연에 있어서의 최종의 냉연 압하율을 60 ％ 이상 75 ％ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우 수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 열연판 소둔 및 중간 소둔 중 적어도 마지막에 행하는 소둔을 800 ℃ 이상 1100 ℃ 이하로 30초 이상 행하는 것을 특징으로 하는 압연 방향의 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판의 제조 방법.