KR20060089677A - 유기금속 착물 및 금속막 증착을 위한 전구체로서의 이의용도 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기금속 전구체, 및 규소, 질화금속 및 다른 금속층과 같은 기판 상에 컨포멀(conformal) 금속 함유 막을 제조하기 위한 증착 방법에 관한 것이다.
유기금속 전구체는 하기 화학식 1로 나타내는 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물이다:
화학식 1
상기 식에서, M은 Ⅶb족, Ⅷ족, Ⅸ족 및 Ⅹ족 중에서 선택된 금속으로, 구체적인 예로는 코발트, 철, 니켈, 망간, 루테늄, 아연, 구리, 팔라듐, 백금, 이리듐, 레늄 및 오스뮴을 포함하고, R1-R5는 동일하거나 상이할 수 있으며, 수소, 알킬, 알콕시, 플루오로알킬, 플루오로알콕시, 시클로지방족 및 아릴 중에서 선택된다.
유기금속 착물, 유기금속 전구체, 증착 방법
Description
자기 정보 저장 장치 및 마이크로일레트로닉스를 비롯한 전자 소자 제조에서 두께가 50Å 이하로 매우 균일한(highly conformal) 금속 박막 및 금속 산화물 박막에 대한 관심이 증가되고 있다. 통상적으로, 이들 막은 화학 증착(CVD) 방법 및 원자층 증착(ALD) 방법으로 제조되어 왔다. 부품 소자(예, 트랜지스터)의 크기가 감소하고 부품 소자 및 회로의 증가된 밀도가 패턴화됨에 따라, CVD 방법 또는 ALD 방법으로 이들 형태의 막을 제조할 수 있는 새로운 형태의 유기금속 전구체 화합물에 대한 요구가 상당히 존재하고 있다.
열 안정성 금속 아미디네이트(amidinate)는 전이 금속의 매우 균일한 박막을 제조하기 위한 후보물질로서 사용되어 왔다. 이들은 논리 소자 및 메모리 소자를 제조하는 데 사용할 수 있다. 상기 금속 아미디네이트에 대해 사용된 금속의 예로는 코발트, 바나듐, 철 및 니켈이 포함된다.
Ⅶb족, Ⅷ족, Ⅸ족 및 Ⅹ족 금속 유래의 금속 실리사이드는 일레트로닉스 분야, 특히 집적 회로 및 마이크로일레트로닉스의 제조에서 매력적인 화합물임이 드 러났다. 소자 축소화 과정과 함께 금속 실리사이드에 대한 관심이 증가하고 있는데, 이는 이의 우수한 열 안정성, 화학 안정성, 낮은 전기 저항성, 광범위한 프로세싱 윈도우(processing window) 및 규소 결정 격자에 대한 작은 격자 불일치에 기인한 것으로, 이러한 특징이 금속 실리사이드를 규소에 대해 에피택시 성장할 수 있게 한다.
하기 특허 및 문헌은 CVD 및 ALD 방법으로 컨포멀(conformal) 박막 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조하기에 적합한 유기금속 화합물, 및 일레트로닉스 산업에서의 이의 용도를 대표하는 것들이다.
USA 6,777,565 B2 및 US 6,753,245 B2는 화학식이 (R1)mM(PR2 3)x(여기서, M은 Ⅶb족, Ⅷ족, Ⅸ족 및 Ⅹ족으로 이루어지는 군 중에서 선택된 금속으로, 예컨대, 철, 코발트, 니켈, 망간, 로듐 등임)인 유기금속 화합물을 사용하는 금속막의 증착을 개시한다. 메탈 실릴 포스피트도 나타내는데, 예로는 화학식이 H2M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4 및 M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]5인 것을 포함한다.
US 2002/0081381은 ALD 방법에서 비스(아세틸아세토네이토)코발트를 수소 또는 실란과 교대로 반응시켜 코발트 막을 형성하는 것에 대해 개시한다. 예컨대 TiN, TaN 및 WN 유래의 확산 장벽층과 구리 사이의 접합층(glue layer)으로 코발트를 사용하여, 접착력을 개선시킬 수 있다.
US 2002/0016065는 유기금속 착물을 사용하여 금속 함유 막을 형성하는 것에 대해 개시하는 것으로, 금속 중심은 킬레이트 C,N-공여체 리간드와 배위 결합된다. 예로서 예시한 착물 중 하나인 Co{C(SiMe3)2(C5H4N)}2를 사용하여 규소 기판 상에 코발트 막을 형성하였다.
WO 2004/046417 A2 및 ROY G. Gordon 등의 문헌 [Alternate Layer Deposition of Transition Metals, Nature Materials, vol. 2, 749(2003년 11월)]은 금속 아미디네이트를 유기금속 전구체로 사용하여 ALD 방법으로 매우 균일한 박막을 형성하는 것에 대해 개시한다. 전구체로는 코발트(Ⅱ) 비스(N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트), 비스(N,N'-t-부틸아세트아미디네이토)망간 및 란탄 트리스(N,N'-디이소프로필-2-t-부틸아미디네이트)를 제시한다.
본 발명은 유기금속 전구체, 및 규소, 질화금속 및 다른 금속층과 같은 기판 상에서 상기 유기금속 전구체를 사용하여 컨포멀 금속 함유 막을 제조하기 위한 증착 방법에 관한 것이다. 상기 막은 컴퓨터 칩, 광학 소자, 자기 정보 저장 장치에서, 지지 물질 상에 코팅된 금속 촉매에 이르는 다양한 범위에서 사용된다.
유기금속 전구체는 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물로, 화학식 1은 다음과 같다:
상기 식에서, M은 Ⅶb족, Ⅷ족, Ⅸ족 및 Ⅹ족 중에서 선택된 금속으로, 이 금속의 구체적인 예로는 코발트, 철, 니켈, 망간, 바나듐, 란탄, 루테늄, 아연, 구리, 팔라듐, 백금, 이리듐, 레늄 및 오스뮴을 포함하고, R1-R5는 동일하거나 상이할 수 있으며, 수소, 알킬, 알콕시, 플루오로알킬, 플루오로알콕시, 시클로지방족 및 아릴 기 중에서 선택된다.
이들 유기금속 착물, 특히 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물 전구체를 통해 다양한 장점을 얻을 수 있는데, 이 장점은 다음을 포함한다:
반응성 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물을 우수한 수율로 형성하는 능력;
광범위한 전자 용도로 사용하기 적합한 매우 균일한 금속 박막을 제조하는 능력;
마이크로일레트로닉스 소자로 사용하기 적합한 매우 균일한 금속 산화물 박막을 형성하는 능력;
착물의 높은 화학 반응성으로 인해 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물 과 기판 표면 간의 표면 반응을 강화시키는 능력; 및
N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물 상의 R기를 변화시켜 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물의 물성을 조정하는 능력.
본 발명은 킬레이트 N,N'-공여체 리간드를 가지는 유기금속 착물, 통상적으로는 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물의 클래스, 이의 합성 및 증착 공정 시 이의 용도에 관한 것이다. 상기 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물의 화학식은 다음과 같이 나타낼 수 있다:
M{R1R2Si(NR3)(NR4R5))}2
상기 식에서, M은 Ⅶb족, Ⅷ족, Ⅸ족 및 Ⅹ족 중에서 선택된 금속으로, 이 금속의 구체적인 예로는 코발트, 철, 니켈, 망간, 루테늄, 아연, 구리, 팔라듐, 백금, 이리듐, 레늄 및 오스뮴을 포함하고, R1-R5는 수소, 알킬 또는 알콕시 기, 플루오로알킬 및 플루오로알콕시 기, 아릴 및 시클로지방족 기로 이루어지는 군에서 선택된다.
상기 유기금속 착물(예, N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물)을 잠재적 전구체로 사용하여, 500℃보다 낮은 온도에서 화학 증착(CVD) 방법 또는 원자층 증착(ALD) 방법으로 금속 박막 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다. CVD 방법은 환원제 또는 산화제를 사용하거나 사용하지 않고 수행할 수 있는 반면, ALD 방법은 대개 환원제 또는 산화제와 같은 다른 반응제를 사용하는 것을 포함한다.
상기 유기금속 착물은 화학식(MX2)의 무수 2가 금속 할라이드의 반응을 통해 제조할 수 있으며, 상기 식 중 X는 Cl 또는 Br인 것이 바람직하다. 바람직한 구체예에서, MCl2는 2 당량의 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 리튬, 즉, R1R2Si(LiNR3)(NR4R5)와 반응시킨다. 하기에 반응식을 나타낸다:
N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 리튬, 즉 R1R2Si(LiNR3)(NR4R5)는 알킬 리튬(예, LiBun)과 화학식이 {R1R2Si(HNR3)(NR4R5))인 유기 화합물의 인 시츄(in situ) 반응으로 제조할 수 있다.
열 안정성 화합물을 형성하기 위한 바람직한 방법으로서, 벌키한(bulky) R기를 가진 리간드, 예컨대, 질소 원자와 회합된 환형기, 아릴기 또는 C3-4 알킬기를 선택하는 것이 바람직하다. 이들 벌키한 기는 반응 도중 중합체-유사 종(polymer-like species)이 형성되는 것을 방지하는 데 도움이 된다. 반면, 이에 대해 규소 원자에 연결된 R기는 생성된 유기금속 화합물의 분자량을 감소시키기 위해 가능한 한 작아야 하며, 이로 인해 증기압이 높은 착물을 얻을 수 있어야 한다는 논점이 존재한다. 질소 원자 유래의 바람직한 치환기 펜던트(pendant)는 i-프로필기, s-부틸기 및 t-부틸기이며, 메틸기 또는 메톡시기는 규소 원자에 연결된 바람직한 치환기이다.
반응을 위해 매우 다양한 용매를 사용할 수 있다. 테트라히드로퓨란(THF)과 같은 극성 용매가 권고되는데, 이는 반응 매질에서 금속 할라이드의 용해성이 나쁘기 때문이다. 생성된 착물은 대개 헥산과 같은 탄화수소 용매에서 용해성이 높다. 따라서, 반응 용매를 제거하고, 헥산으로 추출한 뒤 여과하여, 반응 혼합물로부터 생성된 착물을 분리하는 것이 용이하다.
하기 실시예는 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물의 제조 방법 뿐 아니라 막 증착 공정 시 전구체로서의 이의 용도에 대해 설명한다.
실시예 1
비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)코발트(Ⅱ)의 합성
무수 CoCl2 15 g(0.116 몰)을 THF 100 ㎖와 함께 1 L Schlenk 플라스크에 넣었다. 이 플라스크에, 헥산 200 ㎖ 중 LiBun 헥산 용액 2.5 M(98 ㎖, 0.245 몰)과 Me2Si(HNBut)2(49.5 g, 0.245 몰)을 반응시켜 인 시츄 제조한 Me2Si(LiNBut)(HNBut)를 첨가하였다. 혼합물은 밤새 실온에서 교반시켰다. 반응이 완료된 후, 모든 휘발성 물질은 진공 하에 제거하고, 이 반응으로 형성된 어두운 색 고체는 헥산 혼합물(200 ㎖)로 추출하였다. 헥산 추출물은 Celite 패드와 유리 프리트(frit)를 통해 여과시켜, 암청색 용액을 얻었다. 이 용액은 약 50 ㎖까지 농축시키고, -40℃에서 유지시켜, 어두운 결정(dark crystal)을 얻었다. 결정 20 g을 수거하여, 진공 하에서 건조시켰다. 모액을 약 10 ㎖까지 농축시켜 어두운 결정을 5 g 이상 얻었다.
코발트를 기준으로 한 수율은 84%이다. 분석. C20 H50 Co N4 Si2에 대한 예 측치: Co, 12.76; C, 52.02; N, 12.13; H, 10.91. 실측치: Co, 13.20; C, 49.52; N, 11.44; H, 9.72.
비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)코발트(Ⅱ)의 암청색 결정은 X-선 단결정 분석에 의해 구조적으로 특징지어졌다. 하기의 구조는, 찌그러진 4면체 환경에서 코발트가 2개의 N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노 리간드와 배위 결합함을 나타낸다. Co-N의 평균 거리는 2.006Å이다.
상기 구조는 비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실란아미네이토)코발트(Ⅱ)의 결정 구조를 나타내는 것이다.
원자 옆에 나타낸 숫자는 X-선 단결정 구조 분석에서 유래한 것이다.
실시예 2
비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)니켈(Ⅱ)의 합성
실시예 1의 절차를 따르되, 단, NiCl2를 CoCl2에 대해 치환하였다. 무수 NiCl2 10 g(0.077 몰)을 THF 80 ㎖와 함께 1 L Schlenk 플라스크에 넣었다. 이 플라스크에, 헥산 200 ㎖ 중 LiBun 헥산 용액 2.5 M(61.6 ㎖, 0.154 몰)과 Me2Si(HNBut)2(32.0 g, 0.154 몰)을 반응시켜 인 시츄 제조한 Me2Si(LiNBut)(HNBut)를 첨가하였다. 혼합물은 밤새 실온에서 교반시켰다.
그 뒤, 모든 휘발성 물질은 진공 하에 제거하고, 생성된 어두운 색 고체는 헥산(200 ㎖)으로 추출하였다. 헥산 추출물은 Celite 패드와 유리 프리트를 통해 여과시켜, 암녹색 용액을 얻었다. 이 용액은 약 50 ㎖까지 농축시키고, -40℃에서 유지시켜, 어두운 결정을 얻었다. 결정 25 g을 수거하여, 진공 하에서 건조시켰다. 니켈을 기준으로 한 수율은 70%이다.
비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)니켈(Ⅱ)의 암녹색 결정은 X-선 단결정 분석에 의해 구조적으로 특징지어졌다. 하기의 구조는, 찌그러진 4면체 환경에서 니켈이 2개의 N,N'-비스(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노 리간드와 배위 결합함을 나타낸다. Ni-N의 평균 거리는 2.005Å이다. 비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)니켈(Ⅱ)의 구조는 다음과 같이 나타낸다:
상기 구조는 X-선 단결정 구조 분석으로 얻은 (N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)니켈(Ⅱ)의 결정 구조를 나타내는 것이다.
실시예 3
비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)철(Ⅱ)의 합성
실시예 1의 절차를 따르되, 단, 무수 FeCl2를 CoCl2에 대해 치환하였다. 무수 FeCl2 10 g(0.079 몰)을 THF 50 ㎖와 함께 1 L Schlenk 플라스크에 넣었다. 이 플라스크에, 헥산 200 ㎖ 중 LiBun 헥산 용액 2.5 M(63.1 ㎖, 0.158 몰)과 Me2Si(HNBut)2(32.0 g, 0.158 몰)을 반응시켜 인 시츄 제조한 Me2Si(LiNBut)(HNBut)를 첨가하였다. 혼합물은 밤새 실온에서 교반시켰다. 그 뒤, 모든 휘발성 물질은 진공 하에 제거하고, 생성된 어두운 색 고체는 헥산(200 ㎖)으로 추출하였다. 헥산 추출물은 Celite 패드와 유리 프리트를 통해 여과시켜, 자색 용액을 얻었다. 이 용액은 약 50 ㎖까지 농축시키고, -40℃에서 유지시켜, 어두운 결정을 얻었다. 결정 16 g을 수거하여, 진공 하에서 건조시켰다. 철을 기준으로 한 수율은 44%이다. 분석. C20H50FeN4Si2에 대한 예측치: Fe, 12.18; C, 52.37; N, 12.22; H, 10.99. 실측치: Fe, 11.81; C, 52.37; N, 11.29; H, 9.21.
비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)철(Ⅱ)의 자색 결정은 X-선 단결정 분석에 의해 구조적으로 특징지어졌다. 이 구조는 찌그러진 4면체 환경에서 2개의 N,N'-비스(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노 리간드와 배위 결합한 Fe를 보여준다. Fe-N의 평균 거리는 2.048Å이다.
상기 구조는 X-선 단결정 구조 분석으로 얻은 비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실란아미네이토)철(Ⅱ)의 결정 구조를 나타내는 것이다.
실시예 4
비스(N,N'-디(i-프로필)-1,1-디메틸실릴아미노)코발트(Ⅱ)의 합성
무수 CoCl2 5 g(0.0385 몰)을 THF 50 ㎖와 함께 500 ㎖ Schlenk 플라스크에 넣었다. 이 플라스크에, 헥산 100 ㎖ 중 LiBun 헥산 용액 2.5 M(32.6 ㎖, 0.0815 몰)과 Me2Si(HNBut)2(14.2 g, 0.0815 몰)을 반응시켜 인 시츄 제조한 Me2Si(LiNBut)(HNBut)를 첨가하였다. 혼합물은 밤새 실온에서 교반시켰다. 그 뒤, 모든 휘발성 물질은 진공 하에 제거하고, 생성된 어두운 색 고체는 헥산(100 ㎖)으로 추출하였다. 헥산 추출물은 Celite 패드와 유리 프리트를 통해 여과시켜, 암청색 용액을 얻었다. 이 용액은 약 10 ㎖까지 농축시키고, -40℃에서 유지시켜, 어두운 결정을 얻었다. 결정 10 g을 수거하여, 진공 하에서 건조시켰다. 코발트를 기준 으로 한 수율은 64%이다.
실시예 5
비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)코발트(Ⅱ)의 CVD
본 실시예에서는, 공지된 CVD 기법을 사용하여 종래의 CVD 장치에서 막을 형성하기 위해, 비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)코발트(Ⅱ)를 유기금속 전구체로 사용하여, 규소 기판 상에서 금속 실리사이드 막을 제조하였다.
본 구체예에서는, 비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)코발트(Ⅱ)를 90℃에서 버블러(bubbler)에서 기화시켜, 100 sccm N2 운반 기체와 함께 CVD 챔버로 수송하였다. CVD 챔버는 가열된 기판 홀더를 가진 냉벽 시스템이었다. 기판은 400℃에서 유지시키고, 챔버 압력은 1 Torr로 유지시켰다. 생성된 막의 EDX 분석은 막이 코발트를 함유함을 나타냈다.
본 명세서와 실시예를 요약하면 다음과 같다: 고상 트랜지스터, 커패시터, 바이어스 및 회로의 제작 시 사용되는 것과 같은 전자 소자에서 TaN, TiN, WN, TaSiN, TiSiN, WSiN과 같은 확산 장벽과 구리 사이에 접착층을 형성하는 것을 비롯하여, 기판 상에 금속 산화물 또는 비금속 산화물을 형성하기 위해 화학식이 M{R1R2Si(NR3)(NR4R5))}2인 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물을 사용할 수 있다. 환원제(즉, 수소, 히드라진, 모노알킬히드라진, 디알킬히드라진, 암모니아 및 이의 혼합물)의 존재 여부와 상관 없이 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물을 접촉시킬 수 있다. 산소 함유 반응물은 소정의 증착 챔버에 도입할 수 있으며, 그 예로는 물, O2, H2O2 및 오존을 포함한다. N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물의 증착을 위해서는 CVD 방법에 비해 ALD 방법을 사용하는 것이 바람직한데, 이는 단지 ALD 방법의 자가-제한 특성(self-limiting nature) 때문이다. ALD 방법으로 형성된 박막은 45 nm 이하의 막으로 제조될 수 있다.
유기금속 전구체, 특히 N,N'-알킬-1,1-알킬실릴아미노 금속 착물 전구체를 사용하여, CVD 방법 또는 ALD 방법에 의해, 규소, 질화금속 및 다른 금속층과 같은 기판 상에서 두께가 50Å 이하로 매우 균일한 금속 박막 및 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.
Claims (18)
- 하기 화학식 1로 나타내는 유기금속 착물:화학식 1
상기 식에서, M은 Ⅶb족, Ⅷ족, Ⅸ족 및 Ⅹ족으로 이루어지는 군에서 선택된 금속이고, R1-R5는 동일하거나 상이할 수 있으며, 수소, 알킬, 알콕시, 플루오로알킬, 플루오로알콕시, 시클로지방족 및 아릴로 이루어지는 군에서 선택된다. - 제1항에 있어서, M은 코발트, 철, 니켈, 망간, 루테늄, 아연, 구리, 팔라듐, 백금, 이리듐, 레늄 및 오스뮴으로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 유기금속 착물.
- 제2항에 있어서, R1-R5는 수소 및 알킬로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 유기금속 착물.
- 제1항에 있어서, 화합물명이 비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)코발트(Ⅱ)인 유기금속 착물.
- 제1항에 있어서, 화합물명이 비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)철(Ⅱ)인 유기금속 착물.
- 제1항에 있어서, 화합물명이 비스(N,N'-디(t-부틸)-1,1-디메틸실릴아미노)니켈(Ⅱ)인 유기금속 착물.
- 유기금속 전구체를 증착 챔버에 채우고, 증발시키고, 기판 상에 증착시키는, 기판 상에 컨포멀(conformal) 금속 또는 금속 산화물 박막을 형성하기 위한 증착 방법에 있어서, 제1항의 유기금속 착물을 상기 유기금속 전구체로 사용하는 것을 포함하는 것이 특징인 증착 방법.
- 제7항에 있어서, 유기금속 착물은 하기 화학식 1로 나타내는 것인 증착 방법:화학식 1
상기 식에서, M은 철, 니켈, 코발트 및 구리로 이루어지는 군에서 선택된 금속이고, R1 및 R2는 독립적으로 메틸 또는 메톡시이며, R3, R4 및 R5는 독립적으로 i-프로필, s-부틸 및 t-부틸로 이루어지는 군에서 선택된다. - 제7항에 있어서, 증착 챔버에 상기 유기금속 전구체를 도입한 후에 환원제를 도입하여 금속 박막을 제조하는 증착 방법.
- 제9항에 있어서, 환원제는 수소, 히드라진, 모노알킬히드라진, 디알킬히드라진, 암모니아 및 이의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 증착 방법.
- 제7항 또는 제10항에 있어서, 화학 증착 방법인 것인 증착 방법.
- 제7항 또는 제10항에 있어서, 원자층 증착 방법인 것인 증착 방법.
- 제7항에 있어서, 산소 함유 반응물을 증착 챔버에 도입하여 금속 산화물 막을 제조하는 것인 증착 방법.
- 제13항에 있어서, 산소 함유 반응물은 물, O2, H2O2 및 오존으로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 방법.
- 하기 화학식 1을 가지는 유기금속 착물을 형성하는 방법으로서, 화학식 MX2의 금속 할라이드를, 화학식 R1R2Si(LiNR3)(NR4R5)의 실릴 화합물 2 당량과 반응시키는 것을 포함하며, 여기서, M은 Ⅶb족, Ⅷ족, Ⅸ족 및 Ⅹ족으로 이루어지는 군에서 선택된 금속이고, X는 Cl 또는 Br이며, R1-R5는 동일하거나 상이할 수 있고, 수소, 알킬, 알콕시, 플루오로알킬, 플루오로알콕시, 시클로지방족 및 아릴로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 방법.화학식 1
- 제15항에 있어서, M은 철, 니켈, 코발트 및 구리로 이루어지는 군에서 선택된 금속인 것인 방법.
- 제16항에 있어서, R1 및 R2는 메틸 또는 메톡시이고, R3, R4 및 R5는 i-프로필, s-부틸 및 t-부틸로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 생성된 금속 산화물 막은 수소, 히드라진, 모노알킬히드라진, 디알킬히드라진, 암모니아 및 이의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택된 환원제를 통해 금속막으로 환원시킬 수 있는 것인 방법.
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