KR20060084554A - Apparatus for processing a semiconductor substrate - Google Patents

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KR20060084554A
KR20060084554A KR1020050005251A KR20050005251A KR20060084554A KR 20060084554 A KR20060084554 A KR 20060084554A KR 1020050005251 A KR1020050005251 A KR 1020050005251A KR 20050005251 A KR20050005251 A KR 20050005251A KR 20060084554 A KR20060084554 A KR 20060084554A
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zero setting
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전성억
차길석
최영진
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삼성전자주식회사
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Abstract

영점 셋팅을 용이하게 수행할 수 있으며 공정 분위기를 용이하게 확인할 수 있는 반도체 기판 가공 장치는, 프로세스 챔버와, 프로세스 챔버와 진공 펌프를 연결하는 배기 라인과, 프로세스 챔버에 인접하게 배기 라인 상에 설치되어 프로세스 챔버 내부의 압력과 대응하는 전기적 신호를 발생시키며, 전방부에 영점 세팅 스위치가 노출되게 설치된 압력 센서 그리고, 압력 센서로부터 상기 전기적 신호를 제공받아 프로세스 챔버 내부의 압력 값을 산출하며 영점 세팅 스위치와 전기적으로 연결되어 압력 센서에 대한 영점이 원격으로 세팅되는 프로세스 유닛을 포함한다. 이 경우, 압력 센서에는 프로세스 유닛으로부터 산출된 압력을 표시하는 디스플레이 패널도 노출되게 설치된다. 공정 분위기에 이상이 발생할 경우 이를 신속하게 확인 및 대처할 수 있으며, 영점 세팅을 매우 용이하게 수행할 수 있다. A semiconductor substrate processing apparatus capable of easily performing zero setting and easily confirming a process atmosphere is provided on a process chamber, an exhaust line connecting the process chamber and a vacuum pump, and an exhaust line adjacent to the process chamber. It generates an electrical signal corresponding to the pressure in the process chamber, the pressure sensor is installed to expose the zero setting switch in the front, and receives the electrical signal from the pressure sensor to calculate the pressure value in the process chamber and It includes a process unit that is electrically connected and the zero point for the pressure sensor is set remotely. In this case, the pressure sensor is also provided so that the display panel which displays the pressure calculated from the process unit is also exposed. When an abnormality occurs in the process atmosphere, it can be quickly identified and coped with, and zero setting can be performed very easily.

Description

반도체 기판 가공 장치{APPARATUS FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}Semiconductor substrate processing equipment {APPARATUS FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}

도 1은 본 별명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view for describing a semiconductor substrate processing apparatus according to an embodiment of the present nickname.

도 2는 도 1에 도시한 압력 센서를 설명하기 위한 부분 확대도이다.FIG. 2 is a partially enlarged view for explaining the pressure sensor shown in FIG. 1.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

100 : 반도체 기판 가공 장치 110 : 베이스100 semiconductor substrate processing apparatus 110 base

120 : 프로세스 챔버 121 : 이너 챔버120: process chamber 121: inner chamber

122 : 아웃터 챔버 125 : 히터122: outer chamber 125: heater

130 : 보트 140 : 가스 공급 부재130: boat 140: gas supply member

150 : 배기 라인 155 : 진공 펌프150: exhaust line 155: vacuum pump

160 : 압력 센서 161 : 영점 세팅 스위치160: pressure sensor 161: zero setting switch

165 : 디스플레이 패널 169 : 연결 케이블165 display panel 169 connecting cable

170 : 프로세스 유닛 180 : 제어 시스템170: process unit 180: control system

W : 반도체 기판 W: semiconductor substrate

본 발명은 반도체 기판 가공 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 진공 분위기에서 반도체 기판을 가공하는 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor substrate processing apparatus. More specifically, it relates to a processing apparatus for processing a semiconductor substrate in a vacuum atmosphere.

일반적으로 반도체 장치는 막 형성, 패턴 형성, 금속 배선 형성을 위한 일련의 단위 공정들을 순차적으로 수행함으로서 제조된다. 상기 단위 공정들은 반도체 장치의 품질 및 수율을 향상시키기 위하여 소정의 공정 분위기 하에서 수행된다. 일예로, 증착 공정은 반도체 기판을 진공 분위기가 조성된 프로세스 챔버에 투입하여 수행된다. In general, a semiconductor device is manufactured by sequentially performing a series of unit processes for film formation, pattern formation, and metal wiring formation. The unit processes are performed under a predetermined process atmosphere in order to improve the quality and yield of the semiconductor device. For example, the deposition process may be performed by introducing a semiconductor substrate into a process chamber having a vacuum atmosphere.

프로세스 챔버에 진공 분위기를 조성하기 위해서, 확산 펌프, 로터리 펌프, 터보 펌프 등과 같은 진공 장치가 이용된다. 진공 장치는, 프로세스 챔버 내부의 가스를 흡인하여 프로세스 챔버 내부를 진공 상태로 조성한다. In order to create a vacuum atmosphere in the process chamber, a vacuum apparatus such as a diffusion pump, a rotary pump, a turbo pump, or the like is used. The vacuum apparatus draws gas inside the process chamber to build up the inside of the process chamber in a vacuum state.

진공 장치는 프로세스 챔버 내부를 진공 상태로 조성하는 용도 외에도, 가공 공정 도중에 발생되는 반응 부산물 또는 미 반응 가스등을 배출하거나, 가공 공정이 종료된 후 반응 가스 공급 라인 내부에 잔류하는 반응 가스를 배출하기 위한 용도로도 이용된다. 이하, 진공 장치에 대하여 보다 자세하게 설명한다.In addition to the purpose of vacuuming the inside of the process chamber, the vacuum apparatus may be configured to discharge reaction by-products or unreacted gases generated during the processing process, or to discharge the reaction gas remaining inside the reaction gas supply line after the processing process is completed. It is also used for purposes. Hereinafter, the vacuum device will be described in more detail.

진공 장치는 반도체 기판이 프로세스 챔버에 투입되기 전에 프로세스 챔버 내부를 진공 상태로 조성한다. 반도체 기판 상에 패턴 층을 형성하는 증착 공정이나, 상기 증착 공정 이후에 상기 패턴 층을 식각하는 식각 공정을 수행하기 위하여 반응 가스들이 프로세스 챔버로 공급되면, 프로세스 챔버 내부의 압력은 상승된다. 진공 장치는 가공 공정 도중에 발생되는 미 반응 가스 및 반응 부산물을 지속적으 로 흡인하여 프로세스 챔버 내부의 압력을 일정하게 유지한다. The vacuum apparatus creates a vacuum inside the process chamber before the semiconductor substrate is introduced into the process chamber. When reactive gases are supplied to the process chamber to perform a deposition process for forming a pattern layer on a semiconductor substrate or an etching process for etching the pattern layer after the deposition process, the pressure inside the process chamber is increased. The vacuum system continuously draws unreacted gases and reaction by-products generated during the processing process to maintain a constant pressure inside the process chamber.

하지만, 진공 장치에 이상이 발생할 경우, 프로세스 내부의 압력이 불안정해진다. 이 결과, 진공 장치로부터 프로세스 챔버로 역류가 발생될 수 있고, 진공 라인을 통하여 배출되던 미반응 가스, 반응 부산물, 또는 배기 라인에 고착된 파우더 등이 프로세스 챔버 내부로 유입될 수 있다.However, if an abnormality occurs in the vacuum apparatus, the pressure inside the process becomes unstable. As a result, backflow may be generated from the vacuum device into the process chamber, and unreacted gas, reaction by-products, or powder stuck to the exhaust line, etc. discharged through the vacuum line may be introduced into the process chamber.

이를 개선하기 위하여, 프로세스 챔버에 인접하게 압력 센서를 설치하고, 상기 압력 센서가 센싱한 압력 값에 따라 배기 라인을 개폐하고 진공 장치를 제어하고 있다. In order to improve this, a pressure sensor is installed adjacent to the process chamber, and the exhaust line is opened and closed according to the pressure value sensed by the pressure sensor and the vacuum device is controlled.

일반적으로 압력 센서는 프로세스 챔버와 진공 장치를 연결하는 배기 라인 상에 프로세스 챔버에 인접하게 설치된다. 이하, 압력 센서를 이용한 프로세스 내부의 압력 이상 여부 검출 및 관리 방법에 대하여 설명한다.In general, a pressure sensor is installed adjacent to the process chamber on an exhaust line connecting the process chamber and the vacuum device. Hereinafter, a method for detecting and managing a pressure abnormality in a process using a pressure sensor will be described.

프로세스 챔버 내부의 압력 이상 여부 검출 및 관리하기 위해서는, 우선 프로세스 챔버 내부를 해당 공정에 최대한 바람직한 분위기 상태로 조성한다. 이 상태에서, 압력 센서의 영점을 세팅한다. 즉, 압력 센서가 '0'의 값을 센싱할 경우, 프로세스 챔버 내부가 바람직한 압력으로 조성되었음을 알 수 있고, 압력 센서가 '0'의 값보다 높거나 낮은 값을 센싱한 경우, 공정 분위기에 이상이 발생한 것을 확인할 수 있다. 전술한 바와 같이, 압력 센서가 '0'과 상이한 값을 센싱한 경우, 제어 시스템은 진공 펌프를 제어하여 프로세스 챔버 내부 압력을 조절한다.In order to detect and manage the abnormality of the pressure in the process chamber, first, the process chamber is formed in an atmosphere state most desirable for the process. In this state, the zero point of the pressure sensor is set. That is, when the pressure sensor senses a value of '0', it can be seen that the inside of the process chamber has been formed to a desired pressure. When the pressure sensor senses a value higher or lower than the value of '0', the process atmosphere is abnormal. It can be confirmed that this occurred. As described above, when the pressure sensor senses a value different from '0', the control system controls the vacuum pump to regulate the pressure inside the process chamber.

전술한 바와 같은 프로세스 챔버 내부의 압력 이상 여부 검출 및 관리 공정은 압력 센서의 정밀도에 따라 그 효율이 크게 좌우된다. 실질적으로 모든 압력 센 서는 자체 오차를 가지고 있다. 따라서 압력 센서로부터 제공된 측정 결과가 프로세스 유닛에서 실제 프로세스 챔버 내부의 압력과 상이하게 처리될 수 있다. 이를 개선하기 위하여 일정 주기마다 압력 센서와 프로세스 유닛의 영점 조절을 수행하여야 한다. As described above, the process of detecting and managing pressure abnormality in the process chamber greatly depends on the accuracy of the pressure sensor. Practically every pressure sensor has its own error. Thus, the measurement result provided from the pressure sensor can be processed differently from the pressure inside the actual process chamber in the process unit. To improve this, zeroing of the pressure sensor and process unit should be carried out at regular intervals.

종래의 영점 세팅 스위치는 프로세스 유닛의 후방부에 설치되어 있다. 따라서 영점 세팅 스위치에 접근이 매우 불편하였다. 따라서 영점 조절시 소요되는 시간이 증가하였으며, 심지어는 영점 세팅 스위치에 접근 시 프로세스 유닛에 연결된 기타 케이블에 손상을 사고가 종종 발생하였다. 이 결과, 가공 설비의 작동이 중지되는 등과 같은 많은 문제가 초래되었고 이를 개선하기 위한 대안 마련이 시급한 실정이다. The conventional zero setting switch is provided at the rear of the process unit. Therefore, access to the zero setting switch was very inconvenient. Therefore, the time required for zero adjustment was increased, and even accidental damage to other cables connected to the process unit was often caused when the zero setting switch was approached. As a result, many problems, such as the operation of the processing equipment is suspended, and it is urgent to prepare an alternative to improve it.

본 발명의 목적은, 배기 라인을 통하여 배출되는 가스의 유속을 측정하여 진공 펌프의 이상 여부를 예측하고, 예측된 결과에 따라 배기 라인을 미리 폐쇄함으로써 배기 라인을 통하여 배출되던 가스가 프로세스 챔버 내부로 역류하는 것을 방지할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to measure the flow rate of the gas discharged through the exhaust line to predict the abnormality of the vacuum pump, and to close the exhaust line in advance according to the predicted result, the gas discharged through the exhaust line into the process chamber It is to provide a vapor deposition apparatus that can prevent backflow.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치는, 프로세스 챔버와, 프로세스 챔버로부터 연장되어 진공 펌프에 연결된 배기 라인과, 프로세스 챔버에 인접하게 배기 라인 상에 설치되어 프로세스 챔버 내부의 압력과 대응하는 전기적 신호를 발생시키며 전방부에 영점 세팅 스위 치가 노출되게 설치된 압력 센서 그리고, 압력 센서로부터 상기 전기적 신호를 제공받아 프로세스 챔버 내부의 압력을 산출하며 영점 세팅 스위치와 전기적으로 연결되어 압력 센서에 대한 영점이 원격으로 세팅되는 프로세스 유닛을 포함한다. 이 경우, 압력 센서에는 프로세스 유닛으로부터 산출된 압력을 제공받아 표시하는 디스플레이 패널이 노출되게 설치된다. 프로세스 챔버는, 복수개의 상기 반도체 기판들을 수용하며 반도체 기판들에 열을 가하여 가공하는 수직 퍼니스(vertical furnace)를 포함하는 것이 바람직하다. In order to achieve the above object, a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, a process chamber, an exhaust line extending from the process chamber connected to the vacuum pump, and installed on the exhaust line adjacent to the process chamber to process The pressure sensor is installed to generate an electrical signal corresponding to the pressure inside the chamber and the zero setting switch is exposed in the front part. The pressure signal is supplied from the pressure sensor to calculate the pressure in the process chamber and is electrically connected to the zero setting switch. And a process unit in which the zero point for the pressure sensor is set remotely. In this case, the pressure sensor is provided so that the display panel which receives and displays the pressure calculated from the process unit is exposed. The process chamber preferably includes a vertical furnace that receives a plurality of the semiconductor substrates and heats and processes the semiconductor substrates.

본 발명에 따르면, 압력 센서에 대한 프로세스 유닛의 영점 셋팅을 용이하게 수행할 수 있으며, 프로세스 유닛으로부터 산출된 압력을 용이하게 판독할 수 있다. According to the present invention, zero setting of the process unit with respect to the pressure sensor can be easily performed, and the pressure calculated from the process unit can be easily read.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예에 의하여 제한되거나 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the following embodiments.

도 1은 본 별명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 압력 센서를 설명하기 위한 부분 확대도이다.1 is a schematic cross-sectional view for describing a semiconductor substrate processing apparatus according to an embodiment of the present nickname, and FIG. 2 is a partially enlarged view for explaining the pressure sensor shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 기판 가공 장치(100)는 베이스(110), 프로세스 튜브(120), 보트(130), 가스 공급 부재(140), 배기 라인(150), 진공 펌프(155), 압력 센서(160), 프로세스 유닛(170), 프로세스 유닛(170) 및 제어 시스템(180)을 포함한다. 1 and 2, the semiconductor substrate processing apparatus 100 may include a base 110, a process tube 120, a boat 130, a gas supply member 140, an exhaust line 150, and a vacuum pump 155. ), Pressure sensor 160, process unit 170, process unit 170, and control system 180.                     

베이스(110)의 내부에는 복수개의 반도체 기판(W)이 적층된 보트(130)를 수용하기 위한 소정의 공간이 마련된다. 베이스(110)의 상부에는 프로세스 튜브(120)가 배치된다. A predetermined space is provided inside the base 110 to accommodate the boat 130 in which the plurality of semiconductor substrates W are stacked. The process tube 120 is disposed above the base 110.

프로세스 튜브(120)는 반도체 기판들(W)에 대한 소정의 가공 공정을 수행하기 위한 장치로서, 이너 챔버(121)와 아웃터 챔버(122)를 포함한다. 이너 챔버(121)는 상하부가 개방된 실린더 형상을 갖는다. 이너 챔버(121)는 베이스(110)의 상부에 형성된 개구부에 인접하게 배치되어 베이스(110)와 연통된다. 이너 챔버(121)의 외부에는 돔 형상의 아웃터 챔버(122)가 배치되고, 아웃터 챔버(122)의 둘레에는 히터(125)가 배치된다. The process tube 120 is an apparatus for performing a predetermined processing process on the semiconductor substrates W and includes an inner chamber 121 and an outer chamber 122. The inner chamber 121 has a cylindrical shape in which the upper and lower portions are open. The inner chamber 121 is disposed adjacent to the opening formed in the upper portion of the base 110 to communicate with the base 110. A dome-shaped outer chamber 122 is disposed outside the inner chamber 121, and a heater 125 is disposed around the outer chamber 122.

베이스(110)와 이너 챔버(121) 사이에는 보트(130)가 승강하며 프로세스 튜브(120)에 반도체 기판(W)을 로딩하거나, 프로세스 튜브(120)로부터 반도체 기판(W)을 언로딩한다. 보트(130)에는 복수개의 반도체 기판들(W)이 적층되게 수용된다. 프로세스 튜브(120)의 일측 하단부에는 가스 공급 부재(140)가 연결된다. The boat 130 is elevated between the base 110 and the inner chamber 121 to load the semiconductor substrate W into the process tube 120 or to unload the semiconductor substrate W from the process tube 120. A plurality of semiconductor substrates W are stacked in the boat 130. The gas supply member 140 is connected to one lower end of the process tube 120.

가스 공급 부재(140)는 프로세스 튜브(120) 내부로 반도체 기판들(W)을 가공하기 위한 반응 가스를 공급한다. 반응 가스로는 예를 들어, 실란(SiH4)을 포함하는 가스나 암모니아(NH3)를 포함하는 가스가 선택될 수 있다. The gas supply member 140 supplies a reaction gas for processing the semiconductor substrates W into the process tube 120. As the reaction gas, for example, a gas containing silane (SiH 4 ) or a gas containing ammonia (NH 3 ) may be selected.

프로세스 튜브(120)에 공급된 반응 가스는 프로세스 튜브(120) 외부에 설치된 히터(125)에 의하여 열분해된다. 열분해된 반응 가스는 반도체 기판(W) 상에 소정의 막이 증착하거나, 반도체 기판(W) 상에 소정의 막을 식각한다. 가공 공정에 사용된 반응 가스는 프로세스 튜브(120)의 타측 하단부에 설치된 배기 라인(150)을 통하여 배출된다.The reaction gas supplied to the process tube 120 is pyrolyzed by a heater 125 installed outside the process tube 120. The pyrolyzed reaction gas deposits a predetermined film on the semiconductor substrate W or etches a predetermined film on the semiconductor substrate W. The reaction gas used in the processing process is discharged through the exhaust line 150 installed at the lower end of the other side of the process tube 120.

배기 라인(150)의 일단부는 프로세스 튜브(120)에 연결되고, 배기 라인(150)의 타단부는 진공 펌프(155)에 연결된다. 진공 펌프(155)는 배기 라인(150) 내부의 압력을 낮추어 프로세스 튜브(120) 내부의 가스를 배기 라인(150)으로 흡인하여 배출한다. 진공 펌프(155)로서는 확산 펌프, 로터리 펌프, 터보 펌프 등과 같은 펌프가 선택될 수 있다. One end of the exhaust line 150 is connected to the process tube 120, and the other end of the exhaust line 150 is connected to the vacuum pump 155. The vacuum pump 155 lowers the pressure inside the exhaust line 150 to suck and discharge the gas inside the process tube 120 to the exhaust line 150. As the vacuum pump 155, a pump such as a diffusion pump, a rotary pump, a turbo pump, or the like may be selected.

진공 펌프(155)는 가공 공정이 수행되는 동안 프로세스 튜브(120) 내에서 생성되는 반응 부산물 및 미반응 가스를 배출시키기 위하여 이용될 뿐만 아니라, 가공 공정이 수행되기 전에 프로세스 튜브(120)를 공정 분위기를 조성하기 위하여 이용된다. 가공 공정이 수행되기 전 프로세스 튜브(120) 내부에 공기가 충진되어 있으면, 반도체 기판(W)이 공기와 반응할 수 있다. 일예로, 반도체 기판(W) 상에 원하지 않는 이상 산화막이 성장되어 해당 증착 공정 및 후속 공정에서 공정 에러가 발생할 수 있다. 따라서 진공 펌프(155)는 증착 공정 전에도 프로세스 튜브(120)에 소정의 압력을 조성한다.The vacuum pump 155 is not only used to discharge the reaction by-products and unreacted gases generated in the process tube 120 during the processing process, but also to process the process tube 120 before the processing process is performed. It is used to make up. If air is filled in the process tube 120 before the machining process is performed, the semiconductor substrate W may react with the air. For example, an oxide film may be grown on the semiconductor substrate W so that process errors may occur in the deposition process and subsequent processes. Accordingly, the vacuum pump 155 creates a predetermined pressure in the process tube 120 even before the deposition process.

진공 펌프(155)와 프로세스 튜브(120)를 연결하는 배기 라인(150) 상에는 프로세스 튜브(120) 내부의 압력을 측정하기 위하여 압력 센서(160)가 설치된다. 압력 센서(160)는 프로세스 튜브(120)에 인접하게 배치된다.On the exhaust line 150 connecting the vacuum pump 155 and the process tube 120, a pressure sensor 160 is installed to measure the pressure inside the process tube 120. The pressure sensor 160 is disposed adjacent to the process tube 120.

압력 센서(160)는 프로세스 튜브(120)에 인접한 배기 라인(150)의 내부의 압력을 측정하여 프로세스 튜브(120)의 압력을 간접적으로 측정한다. 압력 센서(160) 는 연결 케이블(169)을 통하여 프로세스 유닛(170)과 전기적으로 연결된다. The pressure sensor 160 indirectly measures the pressure of the process tube 120 by measuring the pressure inside the exhaust line 150 adjacent to the process tube 120. The pressure sensor 160 is electrically connected to the process unit 170 via a connection cable 169.

압력 센서(160)가 측정 결과를 프로세스 유닛(170)에 제공하면, 프로세스 유닛(170)은 제공된 측정 결과를 분석하여 압력 값을 산출한다. 압력 센서(160)가 프로세스 챔버(120) 내부의 압력과 대응하는 전압이나 전류와 같은 전기적 신호를 프로세스 유닛(170)에 제공하면, 프로세스 유닛(170)은 이를 분석하여 압력 값으로 산출한다. 프로세스 유닛(170)은 제어 시스템(180)에 연결된다.When the pressure sensor 160 provides the measurement result to the process unit 170, the process unit 170 analyzes the provided measurement result to calculate a pressure value. When the pressure sensor 160 provides an electrical signal such as a voltage or a current corresponding to the pressure in the process chamber 120 to the process unit 170, the process unit 170 analyzes this and calculates the pressure value. Process unit 170 is coupled to control system 180.

제어 시스템(180)은 반도체 기판 가공 장치(100)에서 수행되는 가공 공정을 전체적으로 제어하는 장치이다. 제어 시스템(180)은 프로세스 유닛(170)으로부터 산출된 압력 값을 제공받아, 배기 라인(150)의 개폐 정도를 조절하고, 진공 펌프(155)의 작동을 제어하며, 가스 공급 부재(140)의 가스 공급량 등을 조절한다. The control system 180 is a device for controlling the overall processing performed in the semiconductor substrate processing apparatus 100. The control system 180 receives the pressure value calculated from the process unit 170, adjusts the opening and closing degree of the exhaust line 150, controls the operation of the vacuum pump 155, and controls the operation of the gas supply member 140. Adjust the gas supply amount.

프로세스 유닛(170)으로부터 산출된 압력 값은 제어 시스템(180)에 제공될 뿐만 아니라, 압력 센서(160)에 피드백(feedback)된다. The pressure value calculated from the process unit 170 is not only provided to the control system 180 but also fed back to the pressure sensor 160.

압력 센서(160)에는 프로세스 튜브(120)의 압력을 나타내기 위한 디스플레이 패널(165)이 내장된다. 이 경우, 디스플레이 패널(165)의 표시창은 압력 센서(160)외부로 노출된다. 디스플레이 패널(165)은 압력 센서(160)가 측정한 압력을 프로세스 유닛(170)으로부터 피드백 받아 표시한다. 일반적으로, 압력 센서(160)와 프로세스 유닛(170)은 소정 간격 이격되게 배치된다. The pressure sensor 160 includes a display panel 165 for indicating the pressure of the process tube 120. In this case, the display window of the display panel 165 is exposed outside the pressure sensor 160. The display panel 165 receives and displays the pressure measured by the pressure sensor 160 from the process unit 170. In general, the pressure sensor 160 and the process unit 170 are arranged to be spaced apart by a predetermined interval.

종래에는, 프로세스 튜브(120)의 압력 또는 배기 라인(150)의 압력을 확인하기 위해서는 프로세스 유닛(170) 또는 제어 시스템(180)에 가야만 확인할 수 있었다. 하지만, 본 실시예와 같은 압력 센서(160)에는 디스플레이 패널(165)이 내장되 어 프로세스 튜브(120)의 압력 또는 배기 라인(150)의 압력을 용이하게 그리고 신속하게 확인할 수 있다. In the related art, in order to check the pressure of the process tube 120 or the pressure of the exhaust line 150, it was necessary to go to the process unit 170 or the control system 180. However, the pressure sensor 160 as in the present embodiment has a display panel 165 therein so that the pressure of the process tube 120 or the pressure of the exhaust line 150 can be easily and quickly checked.

또한, 압력 센서(160)에는 디스플레이 패널(165)에 인접하게 영점 세팅 스위치(161)가 설치된다. 영점 세팅 스위치(161)는 압력 센서(160)와 프로세스 유닛(170)과의 기준을 일치시키는 장치로서, 압력 센서(160)의 자체 오차에 의하여 프로세스 유닛(170)이 압력 센서(160)로부터 실제로 측정된 압력과 프로세스 유닛(170)이 산출하는 압력 값이 상이한 것을 보정하기 위하여 이용된다. 보다 자세하게 설명하면, 압력 센서(160)는 측정 결과를 전류 신호, 전압 신호 또는 저항 신호와 같은 전기적 신호로 프로세스 유닛(170)에 제공한다. 프로세스 유닛(170)은 전기적 신호를 분석하여 압력 값으로 산출한다. 하지만, 모든 장치가 그러하듯이 압력 센서(160) 자체의 오차에 의하여 시간이 경과할수록 상기 전기적 신호가 소정의 경향을 갖도록 변화될 수 있다. 따라서 일정 주기마다 압력 센서(160)와 프로세스 유닛(170)의 영점을 일치시키는 정비공정이 필요하다. 프로세스 유닛(170) 내부를 특정 압력 값으로 조성한 다음, 이 상태에서 압력 센서(160)가 전기적 신호로부터 프로세스 유닛(170)이 상기 특정 압력 값을 산출하도록 영점 세팅 스위치(161)를 누른다. In addition, the pressure sensor 160 is provided with a zero setting switch 161 adjacent to the display panel 165. The zero setting switch 161 is a device for matching the reference between the pressure sensor 160 and the process unit 170. The self-error of the pressure sensor 160 causes the process unit 170 to actually move from the pressure sensor 160. It is used to correct the difference between the measured pressure and the pressure value calculated by the process unit 170. In more detail, the pressure sensor 160 provides the measurement result to the process unit 170 as an electrical signal such as a current signal, a voltage signal, or a resistance signal. The process unit 170 analyzes the electrical signal and calculates the pressure value. However, as with all devices, the electrical signal may be changed to have a predetermined tendency as time passes by an error of the pressure sensor 160 itself. Therefore, a maintenance process is required to match the zero point of the pressure sensor 160 and the process unit 170 at regular intervals. After setting the inside of the process unit 170 to a specific pressure value, in this state, the pressure sensor 160 presses the zero setting switch 161 so that the process unit 170 calculates the specific pressure value from the electrical signal.

종래에는, 영점 세팅 스위치(161)가 프로세스 유닛(170)의 후면에 위치하였다. 따라서 영점 세팅 스위치(161)로의 접근이 매우 곤란하였다. 이를 개선하기 위하여 영점 세팅 스위치(161)를 프로세스 유닛(170)에 전면에 설치할 수도 있지만, 보다 발전적으로 압력 센서(160)에 설치하여 영점 세팅 스위치(161)로의 접근이 보 다 용이하게 개선하는 것이 바람직하다. Conventionally, the zero setting switch 161 is located at the rear of the process unit 170. Therefore, access to the zero setting switch 161 was very difficult. In order to improve this, the zero setting switch 161 may be installed on the front surface of the process unit 170, but it is more advanced to install the pressure sensor 160 to improve the access to the zero setting switch 161 more easily. desirable.

영점 세팅 스위치(161)를 압력 센서(160)를 배치하기 위해서는, 프로세스 유닛(170)과 압력 센서(160)를 연결하는 연결 케이블(169)을 이용하면 비교적 간단하게 달성할 수 있을 것이다. In order to arrange the zero setting switch 161 and the pressure sensor 160, the connection cable 169 connecting the process unit 170 and the pressure sensor 160 may be relatively simply achieved.

본 발명에 따르면, 영점 세팅 스위치를 압력 센서의 전방부에 노출되게 배치함으로써, 영점 세팅을 매우 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 디스플레이 패널을 압력 센서에 설치함으로써, 현재 반도체 기판 가공 장치에서 수행되는 공정 분위기를 용이 및 신속하게 확인할 수 있다. 따라서 진공 펌프 또는 밸브의 문제로 인하여 공정 분위기에 이상이 발생할 경우, 이를 신속하게 확인 및 대처할 수 있다. 최종적으로는, 반도체 장치를 정밀하고 그리고 안전하게 가공할 수 있어 생산 수율을 극대화 시킬 수 있다. According to the present invention, by setting the zero setting switch exposed to the front part of the pressure sensor, the zero setting can be performed very easily. In addition, by installing the display panel in the pressure sensor, it is possible to easily and quickly confirm the process atmosphere currently performed in the semiconductor substrate processing apparatus. Therefore, when an abnormality occurs in the process atmosphere due to a problem of a vacuum pump or a valve, it can be quickly identified and coped with. Finally, semiconductor devices can be processed precisely and safely, maximizing production yields.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, but those skilled in the art can variously modify the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. It will be appreciated that it can be changed.

Claims (3)

반도체 기판에 대한 가공 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버;A process chamber for performing a machining process on the semiconductor substrate; 상기 프로세스 챔버 내부의 가스를 배출하기 위한 통로를 제공하기 위하여, 상기 프로세스 챔버로부터 연장되어 진공 펌프에 연결된 배기 라인;An exhaust line extending from the process chamber and connected to a vacuum pump to provide a passage for discharging gas inside the process chamber; 상기 프로세스 챔버에 인접하게 상기 배기 라인 상에 설치되어 상기 프로세스 챔버 내부의 압력과 대응하는 전기적인 신호를 발생시키며, 전방부에 영점 세팅 스위치가 노출되게 설치된 압력 센서; 및 A pressure sensor installed on the exhaust line adjacent to the process chamber to generate an electrical signal corresponding to the pressure in the process chamber, the pressure sensor being installed to expose a zero setting switch in the front portion; And 상기 압력 센서로부터 상기 전기적인 신호를 제공받아 상기 프로세스 챔버 내부의 압력 값을 산출하며, 상기 영점 세팅 스위치와 전기적으로 연결되어 상기 압력 센서에 대한 영점이 원격으로 세팅되는 프로세스 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치. And a process unit receiving the electrical signal from the pressure sensor to calculate a pressure value inside the process chamber, and electrically connected to the zero setting switch to remotely set a zero point for the pressure sensor. A semiconductor substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서, 상기 압력 센서는, 상기 영점 세팅 스위치에 인접하게 배치되며, 상기 프로세스 유닛으로부터 상기 산출된 압력을 제공받아 나타내는 디스플레이 패널을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치. The semiconductor substrate processing apparatus of claim 1, wherein the pressure sensor further comprises a display panel disposed adjacent to the zero setting switch and displaying the calculated pressure from the process unit. 제 1 항에 있어서, 상기 프로세스 챔버는, 복수개의 상기 반도체 기판들을 수용하며, 상기 반도체 기판들에 열을 가하여 가공하는 수직 퍼니스(vertical furnace)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치. The semiconductor substrate processing apparatus of claim 1, wherein the process chamber includes a vertical furnace configured to receive a plurality of the semiconductor substrates and to heat and process the semiconductor substrates.
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