KR20070012953A - Apparatus for automatic compensating a temperature and humidity compensator sensor module - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 자동 온도 및 습도 보정 장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram illustrating an automatic temperature and humidity correction apparatus according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
100:자동 온도 및 습도 보정 장치 110:항온항습 유닛100: Automatic temperature and humidity correction device 110: Constant temperature and humidity unit
115:컨트롤러 120:제1 센싱 모듈115: controller 120: first sensing module
122,142:온도 센서 124,144:습도 센서122,142 : temperature sensor 124,144 : humidity sensor
125:출력 단자 130:필터링 유닛125: output terminal 130: filtering unit
140:제2 센싱 모듈 150:보정 유닛140: second sensing module 150: correction unit
155:잭 커넥터 157:통신 라인155: Jack connector 157: Communication line
160:디스플레이 유닛 165:채널 선택 스위치160: display unit 165: channel selector switch
본 발명은 온도 및 습도 센서들의 보정 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 기판 가공 장치로 공급되는 반응 유체의 온도 및 습도를 측정하기 위한 온도 및 습도 센서들이 반응 유체의 온도 및 습도를 정확하게 측정할 수 있도록 보정하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a calibration device for temperature and humidity sensors. More particularly, the present invention relates to a device for calibrating temperature and humidity sensors for measuring temperature and humidity of a reaction fluid supplied to a semiconductor substrate processing apparatus so as to accurately measure temperature and humidity of a reaction fluid.
일반적으로, 반도체 장치는 기판으로 사용되는 반도체 웨이퍼에 대한 다수의 공정들을 수행함으로써 제조될 수 있다. 예를 들면, 막 형성 공정은 상기 기판 상에 막을 형성하기 위해 수행되며, 산화 공정은 상기 기판 상에 산화막을 형성하기 위해 또는 상기 기판 상에 형성된 막을 산화시키기 위해 수행되고, 포토리소그래피(photolithography) 공정은 상기 기판 상에 형성된 막을 목적하는 패턴들로 형성하기 위해 수행되고, 평탄화 공정은 상기 기판 상에 형성된 막을 평탄화시키기 위해 수행된다.In general, a semiconductor device can be manufactured by performing a number of processes on a semiconductor wafer used as a substrate. For example, a film forming process is performed to form a film on the substrate, and an oxidation process is performed to form an oxide film on the substrate or to oxidize a film formed on the substrate, and a photolithography process Is performed to form films formed on the substrate into desired patterns, and a planarization process is performed to planarize the film formed on the substrate.
상기 기판 상에는 다양한 막들이 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD), 물리 기상 증착(physical vapor deposition; PVD), 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 등을 통하여 형성된다. 예를 들면, 실리콘 산화막은 반도체 장치의 게이트 절연막, 층간 절연막 등으로 사용되며, CVD 공정을 통해 형성될 수 있다. 실리콘 질화막은 마스크 패턴, 게이트 스페이서 등을 형성하기 위하여 사용되며, CVD 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 반도체 기판 상에는 금속 배선, 전극 등으로 사용되는 금속막, 장벽막으로 사용되는 금속 질화막, 유전막으로 사용되는 금속 산화막 등이 CVD 공정, PVD 공정 또는 ALD 공정을 통해 형성될 수 있다.Various films are formed on the substrate through chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), atomic layer deposition (ALD), and the like. For example, the silicon oxide film is used as a gate insulating film, an interlayer insulating film, or the like of a semiconductor device, and may be formed through a CVD process. The silicon nitride film is used to form a mask pattern, a gate spacer, and the like, and may be formed through a CVD process. In addition, a metal film used as a metal wiring, an electrode, or the like, a metal nitride film used as a barrier film, a metal oxide film used as a dielectric film, and the like may be formed on a semiconductor substrate through a CVD process, a PVD process, or an ALD process.
상기 CVD 또는 ALD를 이용하여 기판 상에 막을 형성하는 경우, 다양한 반응물들이 사용될 수 있다. 상기 반응물들(reactants)은 일반적으로 가스 상태로 반응 챔버로 공급되며, 기판 표면과 반응하여 상기 기판 상에 막을 형성한다.In the case of forming a film on a substrate using the CVD or ALD, various reactants may be used. The reactants are generally supplied to the reaction chamber in gaseous state and react with the substrate surface to form a film on the substrate.
한편, 반응물이 상온에서 액체 상태로 있는 경우, 상기 반응물은 가스 공급 시스템을 통해 기체 상태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 액체 상태의 반응물은 버블러(bubbler) 시스템을 통해 반응 가스로 형성될 수 있다. 구체적으로, 캐리어 가스로 사용되는 불활성 가스가 용기 내의 반응액 내에서 버블링되며, 그 결과로서 반응액의 일부가 기화될 수 있다.On the other hand, when the reactants are in a liquid state at room temperature, the reactants may be formed in a gaseous state through a gas supply system. For example, the liquid reactant may be formed into a reactant gas through a bubbler system. Specifically, an inert gas used as a carrier gas is bubbled in the reaction liquid in the container, and as a result, part of the reaction liquid may be vaporized.
인젝션(injection) 밸브를 포함하는 액체 전달 시스템(liquid delivery system; LDS)의 경우, 반응액을 에어로졸 미스트(aerosol mist) 상태로 형성하고, 상기 에어로졸 미스트를 기화시켜 반응 가스를 얻는다. 이 경우, 상기 반응액의 유량은 액체 유량 측정기(liquid mass flow meter; LFM)에 의해 측정되며, 상기 반응액의 유량은 상기 측정된 유량에 기초하는 인젝션 밸브(injection valve)의 동작에 의해 조절된다. In the case of a liquid delivery system (LDS) comprising an injection valve, the reaction liquid is formed in an aerosol mist state and the aerosol mist is vaporized to obtain a reaction gas. In this case, the flow rate of the reaction solution is measured by a liquid mass flow meter (LFM), and the flow rate of the reaction solution is controlled by the operation of an injection valve based on the measured flow rate. .
이와는 다르게, 액체 전달 시스템은 반응액의 유량을 조절하기 위한 액체 유량 제어기(liquid mass flow controller; LFC or LMFC)와, 상기 반응액을 에어로졸 미스트로 형성하기 위한 분무기(atomizer)와 상기 에어로졸 미스트를 기화시키기 위한 기화기(vaporizer)를 포함한다.Alternatively, the liquid delivery system vaporizes the aerosol mist and a liquid mass flow controller (LCC or LMFC) for controlling the flow rate of the reaction liquid, an atomizer for forming the reaction liquid as an aerosol mist. Vaporizers for vaporizing the gas.
반도체 기판 가공 공정을 수행하기 위해서는 다양한 반응 유체들이 필요하며, 상기 반응 유체들은 일정한 온도와 습도로 조성되어 반도체 기판 가공 장치로 공급되어야 한다. 이를 위하여 종래에는, 반응 유체들의 공급 라인들에 반응 유체들의 온도 및 습도를 모니터링 하기 위한 온도 및 습도 측정 센서들이 장착하였다. 이후 온도 및 습도 측정 센서들로부터 측정된 온도 및 습도에 따라서 반응 유체의 온도 및 습도를 조절하였다. Various reaction fluids are required to perform the semiconductor substrate processing process, and the reaction fluids must be formed at a constant temperature and humidity and supplied to the semiconductor substrate processing apparatus. To this end, conventionally, supply lines of reaction fluids have been equipped with temperature and humidity measuring sensors for monitoring the temperature and humidity of the reaction fluids. The temperature and humidity of the reaction fluid were then adjusted according to the temperature and humidity measured from the temperature and humidity measurement sensors.
반응 유체의 온도 및 습도를 정확하게 측정하기 위하여 정기적인 온도 및 습도 측정 센서들의 보정 작업이 필수적이다. 하지만, 종래에는 온도 및 습도 측정 센서들을 개별적으로 관리함으로써, 상당한 시간적 및 재정적 손실이 발생하였다. 보다 자세하게 설명하면, 반응유체 공급 라인으로부터 온도 및 습도 측정 센서들을 모두 분리한 뒤 각각의 온도 및 습도 측정 센서를 디지털 멀티미터(multimeter)에 연결하고, 항온항습 장치의 지시 값과 비교하여 보정 작업을 수행하였다. 이렇듯 종래에는, 온도 및 습도 측정 센서들을 개별적으로 보정함으로써 상당한 시간이 소요되며 신뢰도도 그리 높지 않았다. 따라서 반응 유체가 정확한 온도 및 습도를 갖도록 조절할 수 없었으며, 이 결과 반응 유체가 반응유체 공급 라인에 고착되거나, 반도체 기판이 부정확한 온도 및 습도를 갖는 반응 유체로 가공되는 문제가 발생되었다. 반응유체 공급 라인에 고착된 반응 유체는 파티클로서 프로세스 챔버에 유입되어 반도체 기판을 훼손하게 된다. 또한, 부정확한 온도 및 습도를 갖는 반응 유체로 가공된 반도체 기판에는 미세 구조물 또는 박막이 불량하게 형성될 수 있어, 재처리 되거나 폐기되는 문제들이 발생되고 있다. 현재 반도체 기판의 단가가 꾸준히 상승하고 있는 점을 감안할 때, 반도체 기판의 재처리 및 폐기할 경우 당연히 막대한 시간적 및 재정적 손실이 발생될 것임을 너무나 자명한 사실이며, 이에 대한 대책 마련이 시급한 실정이다.Regular calibration of temperature and humidity measurement sensors is essential to accurately measure the temperature and humidity of the reaction fluid. However, conventionally, by managing the temperature and humidity measurement sensors individually, significant time and financial losses have occurred. In more detail, after separating both the temperature and humidity measuring sensors from the reaction fluid supply line, connect each temperature and humidity measuring sensor to a digital multimeter and compare the readings with the indicated value of the thermo-hygrostat. Was performed. As such, in the related art, the temperature and humidity measurement sensors are individually calibrated, which takes considerable time and reliability is not so high. Therefore, the reaction fluid could not be adjusted to have the correct temperature and humidity, resulting in a problem that the reaction fluid is stuck to the reaction fluid supply line, or the semiconductor substrate is processed into a reaction fluid having an incorrect temperature and humidity. Reaction fluid stuck to the reaction fluid supply line flows into the process chamber as particles to damage the semiconductor substrate. In addition, fine structures or thin films may be poorly formed on a semiconductor substrate processed with a reaction fluid having an incorrect temperature and humidity, thereby causing problems of reprocessing or discarding. Considering that the price of semiconductor substrates is steadily rising, it is obvious that enormous time and financial loss will occur if the semiconductor substrate is reprocessed and disposed of. Therefore, it is urgent to prepare countermeasures.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 온도 및 습도 센서들을 신속 및 정확하게 자동으로 보정할 수 있는 자동 온도 및 습도 조절 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide an automatic temperature and humidity control apparatus capable of automatically and automatically correcting temperature and humidity sensors.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 관점에 따른 자동 온도 및 습도 보정 장치는, 배관을 따라 이동하는 기준 유체의 온도 및 습도를 조절하기 위한 항온항습 유닛, 기준 유체의 온도 및 습도를 측정하기 위한 제1 센싱 모듈들, 제1 센싱 모듈들보다 높은 측정 정밀도를 가지며, 기준 유체의 온도 및 습도를 측정하기 위한 제2 센싱 모듈, 그리고 제2 센싱 모듈로부터 제공된 기준 데이터와 제1 센싱 모듈들로부터 제공된 측정 데이터들을 각각 비교하여 보정 데이터들을 산출하고, 보정 데이터들에 따라 제1 센싱 모듈들을 보정하기 위한 보정 유닛을 포함한다. 이 경우, 기준 데이터, 상기 측정 데이터들 그리고 상기 보정 데이터를 나타내기 위한 디스플레이 유닛이 더 구비될 수 있다. 또한, 측정 데이터들에 포함된 노이즈 성분을 제거하기 위한 필터링 유닛이 더 구비될 수 있다.In order to achieve the above object of the present invention, the automatic temperature and humidity correction device according to an aspect of the present invention, a constant temperature and humidity unit for adjusting the temperature and humidity of the reference fluid moving along the pipe, the temperature of the reference fluid and First sensing modules for measuring humidity, a second measurement module for measuring temperature and humidity of a reference fluid having a higher measurement accuracy than the first sensing modules, and reference data and first data provided from the second sensing module. And a correction unit for comparing the measurement data provided from the sensing modules to calculate correction data, and correcting the first sensing modules according to the correction data. In this case, a display unit for displaying the reference data, the measurement data and the correction data may be further provided. In addition, a filtering unit for removing a noise component included in the measurement data may be further provided.
본 발명에 따르면, 제1 센싱 모듈들을 신속 및 정확하게 그리고 자동으로 보정할 수 있어, 제1 센싱 모듈들의 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있다. 따라서 반도체 기판을 정확하게 가공할 수 있으며 결과적으로는 우수한 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to the present invention, the first sensing modules can be corrected quickly and accurately and automatically, thereby greatly improving the reliability of the first sensing modules. Therefore, the semiconductor substrate can be processed accurately, and as a result, excellent semiconductor devices can be manufactured.
이하, 본 발명의 다양한 관점들에 따른 자동 온도 및 습도 보정 장치의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들 에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.Hereinafter, embodiments of an automatic temperature and humidity correction apparatus according to various aspects of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments, and is generally known in the art. Those skilled in the art will be able to implement the invention in various other forms without departing from the spirit of the invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 자동 온도 및 습도 보정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도를 도시한 것이다.1 is a schematic configuration diagram for explaining an automatic temperature and humidity correction apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 자동 온도 및 습도 보정 장치(100)는 항온항습 유닛(110), 제1 센싱 모듈들(120), 필터링 유닛(130), 제2 센싱 모듈(140), 보정 유닛(150) 및 디스플레이 유닛(160)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the automatic temperature and
항온항습 유닛(110)은 기준 유체가 소정의 온도 및 습도를 갖도록 인위적으로 조절하는 장치로서, 상기 기준 유체가 순환되는 배관(도시되지 않음)과, 상기 배관을 통과하는 기준 유체의 온도 및 습도를 조절하는 컨트롤러(115)를 포함한다. The constant temperature and
컨트롤러(115)는 교정할 대역의 온도 및 습도를 인위적으로 설정하기 위한 장치로서, 컨트롤러(115)로부터 설정된 온도 및 습도에 대한 정보는 이하 설명될 보정 유닛(150)에 제공된다.The
항온항습 유닛(110)에는 수내지 수십개의 제1 센싱 모듈들(120)과 적어도 한개 이상의 제2 센싱 모듈(140)을 수용할 수 있는 공간이 마련된다. 제1 센싱 모듈들(120)과 제2 센싱 모듈(140)은 상기 배관에 모두 연결된다. 제1 센싱 모듈들(120)과 제2 센싱 모듈(140)은 실질적으로 동일한 기준 유체의 온도 및 습도를 각기 측정한다.The thermo-
제1 센싱 모듈들(120)은 반도체 기판 가공 장치(도시되지 않음)에 장착되어 반응 유체의 온도 및 습도를 측정하기 위한 장치로서, 반응 유체의 온도 및 습도를 정확하게 측정하기 위하여 정기적인 온도 및 습도 측정 센서들의 보정 작업이 필수적이다. 보정 공정을 위하여 상기 반도체 기판 가공 장치로부터 분리되어 항온항습 유닛(110)에 배치된다.The
각각의 제1 센싱 모듈(120)은 온도 및 습도를 측정하기 위한 온도 센서(122)와 습도 센서(124)를 포함한다. 각각의 제1 센싱 모듈(120)은 온도 센서(122)와 습도 센서(124)에서 측정한 온도 및 습도에 대한 데이터들을 출력하기 위한 출력 단자(125)를 갖는다. 온도 센서(122)로서는 -50 내지 200℃의 측정 범위를 가지며, 습도 센서(124)로서는 0 내지 100R.H(Relative Humidity:상대습도)의 측정 범위를 갖는 것을 선택하는 것이 바람직하다. 각각의 제1 센싱 모듈(120)로부터 측정된 측정 데이터들은 독립된 라인을 통하여 보정 유닛(150)에 제공된다.Each
각각의 제1 센싱 모듈(120)이 실질적으로 동일한 기준 유체를 측정하여 획득한 측정 데이터들은 서로 상이할 수 있다. 이는, 각각의 제1 센싱 모듈(120)이 갖는 자체 오차, 주변 환경 영향 등 많은 요인들에 기인한다. 따라서 제1 센싱 모듈들(120)이 동일한 기준값을 갖도록 보정하는 작업이 필요하며, 이는 자동 온도 및 습도 보정 장치(100)에서 수행된다. 제1 센싱 모듈들(120)의 보정 작업은 제2 센싱 모듈(140)로부터 측정된 데이터를 기준으로 수행된다.Measurement data obtained by measuring each reference sensing fluid that is substantially the same as each of the
제2 센싱 모듈(140)은 제1 센싱 모듈들(120)에 비하여 수내지 수십배 이상 높은 측정 정밀도를 갖는다. 제2 센싱 모듈(140)도 온도 센서(142)와 습도 센서(144)를 포함한다. 온도 센서(142)로서는 -50 내지 200℃의 측정 범위를 가지며, 습도 센서(144)로서는 0 내지 100R.H의 측정 범위를 갖는 것을 선택하는 것이 바람직하다. 온도 센서(142)는 약 0.01℃ 단위로 온도 분해능을 가지며, 습도 센서(144)는 약 0.01R.H 단위로 습도 분해능을 갖는 것이 바람직하다. 보다 발전적으로는, 온도 센서(142)가 약 0.001℃ 단위로 온도 분해능을 가지며, 습도 센서(144)는 약 0.001R.H 단위로 습도 분해능을 갖는다.The
제2 센싱 모듈(140)로부터 측정된 데이터는 신뢰도가 거의 100% 에 가깝다. 제2 센싱 모듈(140)로부터 측정된 기준 데이터는 제1 센싱 모듈들(120)을 보정하기 위한 기준 값으로 사용된다. 제1 센싱 모듈(120)로부터 측정된 측정 데이터와 제2 센싱 모듈(140)의 편차가 적을수록 제1 센싱 모듈(120)의 측정 정밀도는 향상된다. 제2 센싱 모듈(140)로부터 측정된 기준 데이터는 독립된 라인을 통하여 보정 유닛(150)에 제공된다.The data measured from the
보정 유닛(150)에는 제1 센싱 모듈들(120)로부터 측정 데이터들을 각기 제공받기 위한 잭 커넥터들()이 형성된다. 보정 유닛(150)은 제1 센싱 모듈들(120)로부터 측정 데이터들을 독립된 통신 라인(157)을 통하여 제공받고, 이를 제2 센싱 모듈(140)로부터 제공된 기준 데이터과 각각 비교하여, 제1 센싱 모듈들(120)의 보정 데이터들을 각기 산출한다. The
측정 데이터들에 포함된 노이즈 성분을 제거하기 위하여, 측정 데이터들은 필터링 유닛(130)을 경유하여 보정 유닛(150)에 제공되는 것이 바람직하다. 일반적으로, 측정 데이터들은 전류 또는 전압 값으로 생성되며, 상기 전류나 전압 파형이 깨끗하게 나오지 않을 경우 이를 정제하기 위하여 필터링 유닛(130)이 사용된다. 예를 들어, 제1 센싱 모듈들(120)은 4 내지 20mA의 전류 또는 0 내지 5V의 전압 값으로 측정 데이터들을 생성할 수 있다.In order to remove the noise component included in the measurement data, the measurement data is preferably provided to the
필터링 유닛(130)은 고주파 대역에 위치한 노이즈에 대해 낮은 임피던스를 가지도록 처리하여 노이즈가 출력 측으로 넘어가지 못하도록 그라운드로 돌려 회수하거나 발열을 통해 소진되도록 한다. 즉, 저주파 전력은 보정 유닛(150)에 곧장 공급되지만, 고주파 노이즈 성분은 필터링 유닛(130)의 커패시터로 공급되어 보정 유닛(150)에는 노이즈 성분이 없는 우수한 측정 데이터들만이 제공된다.The
제1 센싱 모듈들(120)로부터 출력된 측정 데이터들에 비하여, 제2 센싱 모듈(140)로부터 제공된 기준 데이터에는 상대적으로 노이즈 성분이 적다. 이는 제2 센싱 모듈(140)의 성능이 제1 센싱 모듈들(120)에 비하여 상대적으로 우수하기 때문이다. 따라서 기준 데이터에 포함된 노이즈 성분을 제거하지 않아도 실질적으로 무관하나, 전술한 바와 같은 필터링 유닛(130)을 이용하여 기준 데이터에서 노이즈 성분을 제거할 수도 있다.Compared to the measurement data output from the
보정 유닛(150)은 제1 센싱 모듈들(120)로부터 제공된 아나로그 측정 데이터들을 디지털 신호로 변환하고, 제2 센싱 모듈(140)로부터 제공된 아나로그 기준 데이터를 디지털 신호로 변환한다. 이 결과, 각각의 제1 센싱 모듈(120)로부터 측정된 온도 및 압력 값들(이하, 측정값들이라고 한다)이 산출되고, 제2 센싱 모듈(140)로부터 측정된 온도 및 압력 값(이하, 기준값이라고 한다)이 산출된다. The
보정 유닛(150)은 측정값들과 기준값을 비교 연산하여 제1 센싱 모듈들(120)의 보정 값을 각각 산출한다. 이 경우, 보정 유닛(150)은 측정값들과 기준값의 편 차, 평균, 불확도 등을 미적분하여 보정 값들을 산출할 수 있다. 이 결과, 수내지 수십개의 제1 센싱 모듈들(120)에 대한 각각의 보정값이 신속하게 그리고 정확하게 산출된다.The
보정 유닛(150)으로부터 산출된 보정값들은 제1 센싱 모듈들(120)로 피드백되어 제1 센싱 모듈들(120)을 보정하기 위하여 이용된다. 이 경우, 보정 유닛(150)은 제1 센싱 모듈들(120)을 세팅하기 위한 기능까지 가질 수 있으며, 이는 제1 센싱 모듈들(120)이 보정 유닛(150)에 연결된 통신 라인들(157)을 통하여 수행될 수 있다. 즉, 보정 유닛(150)은 산출된 제1 센싱 모듈들(120)의 보정값들은 산출함과 동시에 산출된 보정값들에 따라 제1 센싱 모듈들(120)을 보정할 수 있다. 대표적인 보정 작업으로서, 제1 센싱 모듈들(120)이 제2 센싱 모듈(140)과 동일한 기준점을 갖도록 세팅하는 영점 조절 작업이 있다. 이와 같이, 보정 작업은 비교적 간단하게 수행될 수 있으며, 당업자라면 자동으로 제1 센싱 모듈들(120)을 보정할 수 있는 보정 유닛(150)을 용이하게 구현할 수 있을 것이다.The correction values calculated from the
보정 유닛(150)으로부터 산출된 보정값들은 제1 센싱 모듈들(120)로 피드백됨과 동시에 디스플레이 유닛(160)에 표시될 수 있다. 상기에서는 제1 센싱 모듈들(120)의 보정 데이터들을 간단하게 설명하였지만, 실제로는 많은 보정 데이터들에는 많은 팩터(factors)들이 포함될 수 있다. 이러한 팩터들은 디스플레이 유닛(160)을 통하여 표시될 수 있다.The correction values calculated from the
디스플레이 유닛(160)은 보정 유닛(150)과 연동되어, 각각의 제1 센싱 모듈(120)로부터 보정 유닛(150)에 제공되는 측정값들과 제2 센싱 모듈(140)로부터 보 정 유닛(150)에 제공되는 측정값들을 나타낸다. 또한, 디스플레이 유닛(160)은 측정값들과 기준값을 비교 연산하여 산출된 보정값들을 나태낸다. 이러한 데이터들을 한화면에 모두 표시하는 것은 실질적으로 힘들다. 따라서 이를 보다 효과적으로 표시하기 위하여, 디스플레이 유닛(160)은 데이터들을 조건별로 선택하여 표시할 수 있는, 채널 선택 스위치(165)를 더 포함할 수 있다. 이로써, 자동 온도 및 습도 보정 장치(100)에서 수행되는 보정 공정 정체를 용이하게 확인하여 대처할 수 있다.The
보다 발전적으로, 디스플레이 유닛(160)에 표시될 수 있는 모든 데이터들 즉, 보정 유닛(150)으로부터 생성되는 데이터들은 메모리 유닛(도시되지 않음)에 저장되어 보정 공정이 완료된 후에라도 언제라도 확인할 수 있다.Further, all data that can be displayed on the
본 실시예에 따르면, 제1 센싱 모듈들(120)은 실질적으로 동일한 기준 유체를 대상으로 제2 센싱 모듈(140)과 비교 보정된다. 실질적으로 동시에 제1 센싱 모듈들(120)을 보정하고, 보정 공정의 상당 부분을 자동화시킴으로써 종래에 제1 센싱 모듈들(120)을 개별적으로 디지털 멀티미터(multimeter)에 연결하여 보정하던 경우에 비하여 상당한 시간 및 재정적 비용을 줄일 수 있다. 당연히 종래에 비하여 보정 신뢰도도 크게 향상될 수 있고, 정확하게 보정된 제1 센싱 모듈들(120)을 이용하여 반응 유체를 정확한 온도 및 습도를 갖도록 조절함으로써, 반응 유체가 반응유체 공급 라인에 고착되거나, 반도체 기판이 부정확한 온도 및 습도를 갖는 반응 유체로 가공되는 문제가 효과적으로 억제할 수 있다. 나아가, 반응유체 공급 라인에 고착된 반응 유체가 파티클로서 프로세스 챔버에 유입되어 반도체 기판을 훼손하는 것도 상당부분 억제하여 반도체 기판 상에 미세 구조물 또는 박막을 우수하 게 형성할 수 있다.According to the present exemplary embodiment, the
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 기판 가공 장치에 공급되는 반응 유체의 온도 및 습도를 측정하기 위한 센서 모듈들의 보정 작업을 신속, 정확, 용이 그리고 자동으로 수행할 수 있다. 따라서 센서 모듈들의 오작동으로 인하여 반응 유체가 정확한 온도 및 습도를 갖도록 조절되지 못하고, 반응 유체가 반응유체 공급 라인에 고착되거나, 반도체 기판이 부정확한 온도 및 습도를 갖는 반응 유체로 가공되는 문제가 효과적으로 억제할 수 있다. 결과적으로는 반도체 기판을 우수하게 가공할 수 있어 종래의 막대한 시간적 및 재정적 손실이 크게 줄일 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the calibration operation of the sensor modules for measuring the temperature and humidity of the reaction fluid supplied to the semiconductor substrate processing apparatus can be performed quickly, accurately, easily and automatically. Therefore, the malfunction of the sensor modules prevents the reaction fluid from being adjusted to have the correct temperature and humidity, the reaction fluid is stuck to the reaction fluid supply line, or the semiconductor substrate is processed into the reaction fluid having an incorrect temperature and humidity. can do. As a result, the semiconductor substrate can be excellently processed, and the enormous time and financial loss in the related art can be greatly reduced.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050067222A KR20070012953A (en) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | Apparatus for automatic compensating a temperature and humidity compensator sensor module |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020050067222A KR20070012953A (en) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | Apparatus for automatic compensating a temperature and humidity compensator sensor module |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160148464A (en) * | 2015-06-16 | 2016-12-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Processing apparatus, processing method, and storage medium |
KR20190084684A (en) * | 2018-01-09 | 2019-07-17 | 에스케이실트론 주식회사 | Temperature control device for single crystal ingot growth and temperature control method applied thereto |
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2005
- 2005-07-25 KR KR1020050067222A patent/KR20070012953A/en not_active Application Discontinuation
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US11198948B2 (en) | 2018-01-09 | 2021-12-14 | Sk Siltron Co., Ltd. | Temperature control device for single crystal ingot growth and temperature control method applied thereto |
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