KR20060094326A - Apparatus for measuring pressure and method of inspecting operation state of the same - Google Patents

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Abstract

압력 측정 장치 및 이의 동작 상태 검사 방법에 있어서, 압력 측정부는 공정 챔버의 내부 압력을 측정하고, 상기 측정된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력한다. 상기 압력 측정 장치로부터 출력된 전기 신호의 세기를 측정하기 위한 신호 측정부는 상기 전기 신호와 연동하여 상기 공정 챔버의 압력을 조절하는 압력 제어 장치와 상기 압력 측정부 사이에 구비된다. 상기 공정 챔버를 기준 압력으로 유지한다. 상기 압력 측정 장치는 상기 공정 챔버의 기준 압력을 측정한다. 이로써, 신호 측정부에 표시되는 출력 전압과 상기 측정된 기준 압력에 대응하는 기준 전압의 비교를 통해 압력 측정 장치의 동작 상태를 용이하게 확인할 수 있다.In the pressure measuring apparatus and its operating state inspection method, the pressure measuring unit measures an internal pressure of the process chamber and outputs an electrical signal corresponding to the measured pressure. The signal measuring unit for measuring the intensity of the electrical signal output from the pressure measuring device is provided between the pressure control device and the pressure measuring unit for adjusting the pressure of the process chamber in conjunction with the electrical signal. The process chamber is maintained at a reference pressure. The pressure measuring device measures the reference pressure of the process chamber. As a result, the operation state of the pressure measuring device can be easily confirmed by comparing the output voltage displayed on the signal measuring unit with the reference voltage corresponding to the measured reference pressure.

Description

압력 측정 장치 및 이의 동작 상태 검사 방법{Apparatus for measuring pressure and method of inspecting operation state of the same}Apparatus for measuring pressure and method of inspecting operation state of the same}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 측정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a pressure measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 압력 측정 장치의 동작 상태 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.FIG. 2 is a flowchart for describing a method for checking an operating state of the pressure measuring device illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1의 압력 측정 장치를 갖는 수직형 화학 기상 증착 장치의 진공 및 배기 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a vacuum and exhaust system of a vertical chemical vapor deposition apparatus having the pressure measuring apparatus of FIG. 1.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 압력 측정 장치 110 : 압력 측정부100: pressure measuring device 110: pressure measuring unit

120 : 제1챔버 130 : 센서120: first chamber 130: sensor

140 : 제2챔버 150 : 신호 측정부140: second chamber 150: signal measuring unit

152 : 디스플레이152: display

본 발명은 압력 측정 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 공정 챔버의 내 부 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치와 이의 동작 상태를 검사하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure measuring device. More particularly, the present invention relates to a pressure measuring device for measuring an internal pressure of a process chamber and a method of inspecting an operating state thereof.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electric die sorting)공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a Fab process for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor substrate, an electrical die sorting (EDS) process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process; Each of the semiconductor devices is manufactured through a package assembly process for encapsulating and individualizing the epoxy resins.

상기 팹 공정은 다양한 단위 공정들을 포함하며, 상기 단위 공정들은 반도체 기판 상에 전기적 소자를 형성하기 위해 반복적으로 수행된다. 상기 단위 공정들은 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 화학적 기계적 연마 공정, 이온 주입 공정, 세정 공정, 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes various unit processes, and the unit processes are repeatedly performed to form an electrical device on a semiconductor substrate. The unit processes include a deposition process, a photolithography process, an etching process, a chemical mechanical polishing process, an ion implantation process, a cleaning process, an inspection process, and the like.

상기 단위 공정들을 수행함에 있어서, 반도체 장치의 품질 및 수율 향상을 위해서는 압력, 온도 등의 공정 조건들을 보다 정밀하게 제어하는 것이 필수적인 요구 조건으로 대두되었다.In performing the above-mentioned unit processes, more precise control of process conditions such as pressure and temperature has emerged as an essential requirement for improving quality and yield of semiconductor devices.

반도체 기판 상에 소정의 막을 증착시키는 화학 기상 증착(chemical vapour deposition; CVD) 공정의 경우, 증착되는 막질에 따라 다양한 반응 가스(source gas)들이 사용된다. 이 때, 상기 공정은 반도체 기판이 대기와 반응하지 않도록 하기 위해 소정의 진공 상태에서 수행되는 것이 일반적이다.In the case of a chemical vapor deposition (CVD) process in which a predetermined film is deposited on a semiconductor substrate, various source gases are used depending on the film quality to be deposited. At this time, the process is generally carried out in a predetermined vacuum state in order to prevent the semiconductor substrate from reacting with the atmosphere.

구체적으로, 공정 챔버로 상기 반응 가스들이 투입되면 상기 공정 챔버의 내부는 일시적으로 압력이 상승하게 된다. 이 때, 상기 상승된 압력을 기 설정된 공 정 조건으로 유지하기 위한 펌프 시스템이 가동된다. 또한, 상기 펌프 시스템은 상기 공정이 진행되는 과정에서 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물을 계속적으로 배출시키는 기능을 수행한다.Specifically, when the reaction gases are introduced into the process chamber, the pressure inside the process chamber is temporarily increased. At this time, a pump system is operated to maintain the elevated pressure at a predetermined process condition. In addition, the pump system serves to continuously discharge the unreacted gas and reaction by-products generated in the process of the process.

상기 펌프 시스템의 방식은 가공 장치에 따라 다양하며, 공정 조건의 제어를 위하여 공정 챔버의 배기 라인에는 다양한 밸브들이 설치된다. 상기 공정 가스를 배출하기 위한 배기 시스템은 크게 공정 챔버와 연결되는 배기 라인, 배기 라인 상에 설치되는 밸브 및 배기 라인을 통해 공정 챔버와 연결되는 펌프를 포함한다.The method of the pump system varies according to the processing apparatus, and various valves are installed in the exhaust line of the process chamber to control the process conditions. The exhaust system for discharging the process gas largely includes an exhaust line connected with the process chamber, a valve installed on the exhaust line, and a pump connected with the process chamber through the exhaust line.

또한, 상기 배기 라인 상에는 공정 챔버의 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치와 공정 챔버의 압력을 제어하기 위한 자동 압력 제어 장치(auto pressure controller; APC)가 구비되는 것이 일반적이다. 상기 압력 측정 장치로는 공정 챔버의 실제 압력을 정확하게 측정할 수 있고, 측정되는 가스 종류의 영향을 받지 않는 바라트론 사의 용량형 압력계(Baratron?capacitance manometer; 이하, '바라트론 게이지'라 지칭함)가 산업 현장에서 널리 사용되고 있다. 자동 압력 제어 장치는 바라트론 게이지의 출력 전압에 따라 공정 챔버의 압력을 조절하게 된다.In addition, a pressure measuring device for measuring the pressure of the process chamber and an auto pressure controller (APC) for controlling the pressure of the process chamber are generally provided on the exhaust line. The pressure measuring device can accurately measure the actual pressure of the process chamber, and a Baratron capacitance manometer (hereinafter referred to as a "baratron gauge") which is not affected by the type of gas being measured. Widely used in industrial sites. The automatic pressure control device adjusts the pressure in the process chamber according to the output voltage of the baratron gauge.

한편, 공정 챔버에서 소정의 기판 가공 공정이 진행되면서 다양한 공정 부산물이 생성될 수 있다. 특히, 파우더(powder) 형태의 파티클이 발생할 경우, 상기 파티클은 바라트론 게이지로 유입되어 압력 센서에 응집될 수 있다. 그러면, 상기 센서가 오동작하여 상기 출력 전압에 오차가 발생한다. 즉, 바라트론 게이지의 영점(zero)이 플러스 또는 마이너스 방향으로 쉬프트(shift)된다. 이에 따라, 바라트론 게이지에 대한 주기적인 영점 조정 작업이 필수적이다.Meanwhile, various process byproducts may be generated as a predetermined substrate processing process is performed in the process chamber. In particular, when particles in the form of powder are generated, the particles may enter the baratron gauge and aggregate to the pressure sensor. Then, the sensor malfunctions and an error occurs in the output voltage. That is, the zero of the baratrone gauge is shifted in the positive or negative direction. Accordingly, periodic zeroing of the baratrone gauge is essential.

그러나, 영점이 쉬프트된 시점부터 영점 조정 작업 전까지 상기 출력 전압의 오차에 따라 상기 자동 압력 제어 장치가 비정상적으로 콘트롤되는 문제가 남는다. 따라서, 상기 시간 동안 공정 챔버의 압력은 기 설정된 압력으로 유지되지 못하기 때문에 이상 공정이 수행되어 생산성이 하락할 수 있다.However, there remains a problem that the automatic pressure control device is abnormally controlled according to the error of the output voltage from the time when the zero point is shifted to the zeroing operation. Therefore, since the pressure in the process chamber may not be maintained at the preset pressure during the time, the abnormal process may be performed to reduce productivity.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1목적은 공정 챔버의 기준 압력과 압력 측정 장치의 출력 전압을 비교하여 상기 압력 측정 장치의 동작 상태를 용이하게 검사할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.A first object of the present invention for solving the above problems is to provide a method that can easily check the operating state of the pressure measuring device by comparing the reference pressure of the process chamber and the output voltage of the pressure measuring device.

본 발명의 제2목적은 상술한 바와 같은 압력 측정 장치의 동작 상태 검사 방법을 수행할 수 있는 압력 측정 장치를 제공하는데 있다.It is a second object of the present invention to provide a pressure measuring apparatus capable of performing a method for inspecting an operating state of a pressure measuring apparatus as described above.

상기 제1목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 측정 장치의 동작 상태 검사 방법은, 공정 챔버의 내부 압력을 기준 압력으로 유지하는 단계, 상기 공정 챔버 내부의 압력을 검사하고자 하는 압력 측정 장치를 이용하여 측정하는 단계, 상기 압력 측정 장치로부터 출력되는 출력 전압과 상기 기준 압력에 대응하는 기준 전압을 서로 비교하는 단계를 포함한다.In accordance with an aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting an operating state of a pressure measuring apparatus, the method including: maintaining an internal pressure of a process chamber at a reference pressure, and a pressure to test a pressure inside the process chamber; Measuring by using a measuring device, and comparing the output voltage output from the pressure measuring device with a reference voltage corresponding to the reference pressure.

상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 압력 측정 장치는, 공정 챔버의 내부 압력을 측정하고 상기 측정된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력하기 위한 압력 측정부, 상기 압력 측정부로부터 출력된 전기 신호와 연동하여 상기 공정 챔버의 압력을 조절하기 위한 압력 제어 장치와 상기 압력 측정부 사이에 구비되며 상기 출력된 전기 신호의 세기를 측정하기 위한 신호 측정부를 포함한다.Pressure measuring apparatus according to the present invention for achieving the second object, the pressure measuring unit for measuring the internal pressure of the process chamber and outputs an electrical signal corresponding to the measured pressure, the electrical output from the pressure measuring unit It is provided between the pressure control device for adjusting the pressure of the process chamber in conjunction with the signal and the pressure measuring unit and includes a signal measuring unit for measuring the intensity of the output electrical signal.

상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 압력 측정 장치의 출력 전압과 공정 챔버의 기준 압력을 이용하여 압력 측정 장치의 동작 상태를 용이하게 확인할 수 있으며, 상기 비교 결과에 따라 영점 조정 작업을 수행하여 압력 측정 장치의 측정 오차를 보상할 수 있다. 따라서, 영점 조정 작업의 주기적인 수행에 소요되는 시간적인 손실이 감소되고, 기판 가공 장치의 스루풋이 향상되며, 반도체 장치의 생산성이 향상된다.According to the present invention as described above, it is possible to easily check the operating state of the pressure measuring device using the output voltage of the pressure measuring device and the reference pressure of the process chamber, pressure measurement by performing a zero adjustment operation according to the comparison result The measurement error of the device can be compensated for. Therefore, the time loss required for periodic performance of the zeroing operation is reduced, the throughput of the substrate processing apparatus is improved, and the productivity of the semiconductor device is improved.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 측정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a pressure measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 도시된 공정 챔버(10)의 압력 측정 장치(100)는 압력 측정부(110) 및 신호 측정부(150)를 포함한다. 상기 압력 측정부(110)는 유체를 수용하기 위한 제1챔버(120), 진공을 형성하기 위한 제2챔버(140) 및 상기 유체의 압력을 측정하기 위한 센서(130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the pressure measuring apparatus 100 of the illustrated process chamber 10 includes a pressure measuring unit 110 and a signal measuring unit 150. The pressure measuring unit 110 includes a first chamber 120 for receiving a fluid, a second chamber 140 for forming a vacuum, and a sensor 130 for measuring the pressure of the fluid.

상기 센서(130)는 제1전극(136), 상기 제1전극(136)과 상기 제1전극(136)에 대해 이동 가능한 제2전극(132) 및 제1 및 제2전극(136, 132) 사이에 개재된 유전 물질을 포함한다.The sensor 130 includes a first electrode 136, a second electrode 132 that is movable with respect to the first electrode 136, and the first electrode 136, and first and second electrodes 136 and 132. Genetic material interposed therebetween.

상기 제1전극(136)은 지지부(138), 상기 지지부(138) 상의 평판형 내부 전극(136a) 및 상기 내부 전극(136a)을 감싸는 링 형태의 외부 전극(136b)을 포함 하는 금속-세라믹(metal on ceramic) 구조를 갖는다. 상기 제2전극(132)은 평판형으로 소정의 탄성을 갖는다. 상기 제1 및 제2전극(136, 132)의 재질은 니켈과 철의 합금과 같은 팽창율이 비교적 낮은 합금이다.The first electrode 136 includes a support part 138, a flat internal electrode 136a on the support part 138, and a metal external ceramic including a ring-shaped external electrode 136b surrounding the internal electrode 136a ( metal on ceramic) structure. The second electrode 132 is flat and has a predetermined elasticity. The material of the first and second electrodes 136 and 132 is an alloy having a relatively low expansion rate such as an alloy of nickel and iron.

상기 제1챔버(120)의 일측에 형성된 유입구(122)를 통해 유체가 수용되고, 상기 유체의 압력에 의해 상기 제1전극(136)으로부터의 제2전극(132)의 이격 거리가 변화된다. 상기 유입구(122)에는 방지재(baffle, 124)가 구비되어 상기 제2전극(132)이 높은 압력에 의해 손상되는 것이 방지된다. 제2챔버(140)의 일측에는 제2챔버(140)의 압력을 측정되는 압력보다 낮은 압력으로 형성하기 위한 펌프(144)가 구비된다. 특히 상기 펌프(144)로는 게터 펌프(getter pump)가 바람직하다.The fluid is received through the inlet 122 formed at one side of the first chamber 120, and the separation distance of the second electrode 132 from the first electrode 136 is changed by the pressure of the fluid. The inlet 122 is provided with a baffle 124 to prevent the second electrode 132 from being damaged by a high pressure. One side of the second chamber 140 is provided with a pump 144 for forming a pressure of the second chamber 140 to a pressure lower than the measured pressure. In particular, a getter pump is preferable as the pump 144.

상기 신호 측정부(150)는 압력 측정부(110)의 센서(130)에서 발생하는 출력 전압의 세기를 측정한다. 구체적으로, 상기 신호 측정부(150)는 압력 측정부(110)와 APC(20)를 연결하는 신호 라인(154) 상에 설치되어, 상기 APC(20)로 입력되는 실질적인 전압 신호를 측정한다. 상기 측정된 전압 신호를 표시하기 위하여 상기 신호 측정부(150)에는 디스플레이(152)가 구비된다. 도시된 디스플레이(152)는 디지털 타입으로 되어 있으나, 아날로그 타입으로 이루어질 수 있다.The signal measurer 150 measures the intensity of the output voltage generated by the sensor 130 of the pressure measurer 110. Specifically, the signal measuring unit 150 is installed on the signal line 154 connecting the pressure measuring unit 110 and the APC 20 to measure a substantial voltage signal input to the APC 20. In order to display the measured voltage signal, the signal measuring unit 150 is provided with a display 152. The illustrated display 152 is of digital type, but may be of analog type.

한편, 상기 공정 챔버(10)의 배기 라인(12) 상에는 배기 및 진공도 조절을 위한 진공 펌프(30)가 구비된다. 상기 배기 라인(12)에는 상기 APC(20) 및 스로틀 밸브(22)가 구비되고, 상기 압력 제어 장치(100)는 상기 공정 챔버(10)와 상기 APC(20) 사이에서 분기되는 분기 라인(14) 상에 구비된다. 상기 APC(20)는 상기 압력 제어 장치(100)와 전압 및 압력 등의 데이터를 상호 교환하면서, 스로틀 밸브(22)의 개폐 정도를 조절함으로써 상기 공정 챔버(10)의 압력을 일정하게 유지시킨다.On the other hand, on the exhaust line 12 of the process chamber 10 is provided with a vacuum pump 30 for controlling the exhaust and vacuum degree. The exhaust line 12 is provided with the APC 20 and the throttle valve 22, the pressure control device 100 is a branch line 14 branched between the process chamber 10 and the APC 20. It is provided on). The APC 20 maintains a constant pressure in the process chamber 10 by controlling the degree of opening and closing of the throttle valve 22 while exchanging data such as voltage and pressure with the pressure control device 100.

상기와 같은 구성을 같은 압력 측정 장치(100)의 동작 상태 검사 방법들을 설명하면 다음과 같다.The operation state inspection methods of the same pressure measuring device 100 will be described as follows.

상술한 압력 측정 장치(100)는 압력 측정의 분해능(resolution)이 매우 우수하기 때문에 허용 오차의 범위가 매우 좁다. 특히, 상기 센서(130)의 커패시턴스의 변화는 제1 및 제2전극(136, 132)의 이격 거리(D)에 매우 민감하다. 그런데, 상기 제2전극(132)이 다양한 외부 요인에 의해 영향을 받을 수 있다. 즉, 상기 압력 측정 장치(100)의 위치 이동 또는 중력이 제2전극(132)의 운동에 영향을 미쳐 제1전극(136)과의 이격 거리(D)가 변화할 수 있다. 이와는 다르게, 상기 유체에 응축성 공정 부산물(P)이 포함되어 있는 경우, 상기 공정 부산물(P)은 파우더 형태로 생성되어 제2전극(132) 상에 응집될 수 있다. 이에 따라, 제2전극(132)의 탄성이 감소하여 유체의 압력이 정확하게 측정되지 않는다. 이는, 상기 출력 전압의 영점(zero)이 쉬프트되는 문제가 발생하기 때문에 상기 압력 측정 장치(100)의 동작 상태를 점검하는 것이 요구된다.The pressure measuring device 100 described above has a very narrow range of tolerance because the resolution of the pressure measurement is very excellent. In particular, the change in capacitance of the sensor 130 is very sensitive to the separation distance D between the first and second electrodes 136 and 132. However, the second electrode 132 may be affected by various external factors. That is, the positional displacement or gravity of the pressure measuring device 100 may affect the movement of the second electrode 132 so that the separation distance D from the first electrode 136 may change. Alternatively, when the fluid includes a condensable process byproduct (P), the process byproduct (P) may be formed in a powder form and aggregated on the second electrode 132. Accordingly, the elasticity of the second electrode 132 is reduced so that the pressure of the fluid is not measured accurately. This is required to check the operating state of the pressure measuring device 100 because a problem occurs that the zero of the output voltage is shifted.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 측정 장치의 동작 상태 검사 방법이다.2 is a method for checking an operating state of a pressure measuring device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 먼저 공정 챔버(10)의 내부 압력을 기준 압력으로 유지시킨다(S100). 상기 기준 압력을 설정하기 위해서는 스로틀 밸브(22)의 개폐 정도를 수동으로 설정한 후, 설정하고자 하는 기준 압력에 대응하도록 상기 스로틀 밸브(22)의 앵글과 진공 펌프(30)의 펌핑량을 조절한다.Referring to FIG. 2, first, an internal pressure of the process chamber 10 is maintained at a reference pressure (S100). To set the reference pressure, the opening and closing degree of the throttle valve 22 is manually set, and then the angle of the throttle valve 22 and the pumping amount of the vacuum pump 30 are adjusted to correspond to the reference pressure to be set. .

이어서, 검사하고자 하는 압력 측정 장치(100)를 이용하여 공정 챔버(10)의 내부 압력을 측정한다(S110). 압력 측정 장치(100)의 신호 측정부(150)는 압력 측정부(110)에 의해 감지된 압력을 출력 전압으로 변화시켜 디스플레이하게 된다.Subsequently, the internal pressure of the process chamber 10 is measured using the pressure measuring device 100 to be inspected (S110). The signal measuring unit 150 of the pressure measuring device 100 changes and displays the pressure sensed by the pressure measuring unit 110 into an output voltage.

다음은, 압력 측정 장치(100)로부터 출력된 상기 출력 전압과 상기 기준 압력에 대응하는 기준 전압을 서로 비교한다(S120).Next, the output voltage output from the pressure measuring device 100 and the reference voltage corresponding to the reference pressure are compared with each other (S120).

하기의 표 1은 공정 챔버(10)의 측정 압력에 대한 압력 측정 장치(100)의 출력 전압을 나타내는 기준표의 일 예이다. 상기 압력의 단위는 파스칼(pascal)이며, 전압 단위는 볼트(Volt)이다. 여기서, 상기 압력과 전압은 선형적으로 비례하는 관계를 가지므로, 상기 설정된 기준 압력에 대응하는 기준 전압을 상기 표 1을 통하여 산출할 수 있다.Table 1 below is an example of a reference table indicating the output voltage of the pressure measuring device 100 with respect to the measured pressure of the process chamber 10. The unit of pressure is pascal and the unit of voltage is Volt. Here, since the pressure and the voltage have a linear proportional relationship, the reference voltage corresponding to the set reference pressure may be calculated through Table 1 above.

상기 비교 결과 상기 출력 전압과 상기 기준 전압의 차이가 기 설정된 허용 범위를 만족하는지 확인함으로써 압력 측정 장치(100)의 동작 상태를 용이하게 파악할 수 있다.As a result of the comparison, by checking whether the difference between the output voltage and the reference voltage satisfies a preset allowable range, the operating state of the pressure measuring apparatus 100 may be easily determined.

마지막으로, 상기 비교 결과 상기 출력 전압과 상기 기준 전압의 차이가 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우, 상기 차이가 상기 허용 범위를 만족하도록 상기 출력 전압을 조정한다(S130). 상기 출력 전압의 조정은 압력 측정부(110)에 대한 영점 조정을 실시함으로써 완료된다. 영점 조정의 예를 들면, 상기 공정 챔버(10)가 설정 가능한 최저 진공도일 때 상기 출력 전압을 0V로 셋팅할 수 있다.Finally, when the difference between the output voltage and the reference voltage is outside the preset allowable range, the output voltage is adjusted to satisfy the allowable range (S130). The adjustment of the output voltage is completed by performing zero adjustment on the pressure measuring unit 110. As an example of zero adjustment, the output voltage may be set to 0V when the process chamber 10 is at the lowest vacuum degree that can be set.

[표 1]TABLE 1

압력pressure 출력전압Output voltage 압력pressure 출력전압Output voltage 압력pressure 출력전압Output voltage 압력pressure 출력전압Output voltage 1One 0.080.08 4141 3.083.08 8181 6.086.08 121121 9.089.08 22 0.150.15 4242 3.153.15 8282 6.156.15 122122 9.159.15 33 0.230.23 4343 3.233.23 8383 6.236.23 123123 9.239.23 44 0.300.30 4444 3.303.30 8484 6.306.30 124124 9.309.30 55 0.380.38 4545 3.383.38 8585 6.386.38 125125 9.389.38 66 0.450.45 4646 3.453.45 8686 6.456.45 126126 9.459.45 77 0.530.53 4747 3.533.53 8787 6.536.53 127127 9.539.53 88 0.600.60 4848 3.603.60 8888 6.606.60 128128 9.609.60 99 0.680.68 4949 3.683.68 8989 6.686.68 129129 9.689.68 1010 0.750.75 5050 3.753.75 9090 6.756.75 130130 9.759.75 1111 0.830.83 5151 3.833.83 9191 6.836.83 131131 9.839.83 1212 0.900.90 5252 3.903.90 9292 6.906.90 132132 9.909.90 1313 0.980.98 5353 3.983.98 9393 6.986.98 133133 9.989.98 1414 1.051.05 5454 4.054.05 9494 7.057.05 1515 1.131.13 5555 4.134.13 9595 7.137.13 1616 1.201.20 5656 4.204.20 9696 7.207.20 1717 1.281.28 5757 4.284.28 9797 7.287.28 1818 1.351.35 5858 4.354.35 9898 7.357.35 1919 1.431.43 5959 4.434.43 9999 7.437.43 2020 1.501.50 6060 4.504.50 100100 7.507.50 2121 1.581.58 6161 4.584.58 101101 7.587.58 2222 1.651.65 6262 4.654.65 102102 7.657.65 2323 1.731.73 6363 4.734.73 103103 7.737.73 2424 1.801.80 6464 4.804.80 104104 7.807.80 2525 1.881.88 6565 4.884.88 105105 7.887.88 2626 1.951.95 6666 4.954.95 106106 7.957.95 2727 2.032.03 6767 5.035.03 107107 8.038.03 2828 2.102.10 6868 5.105.10 108108 8.108.10 2929 2.182.18 6969 5.185.18 109109 8.188.18 3030 2.252.25 7070 5.255.25 110110 8.258.25 3131 2.332.33 7171 5.335.33 111111 8.338.33 3232 2.402.40 7272 5.405.40 112112 8.408.40 3333 2.482.48 7373 5.485.48 113113 8.488.48 3434 2.552.55 7474 5.555.55 114114 8.558.55 3535 2.632.63 7575 5.635.63 115115 8.638.63 3636 2.702.70 7676 5.705.70 116116 8.708.70 3737 2.782.78 7777 5.785.78 117117 8.788.78 3838 2.852.85 7878 5.855.85 118118 8.858.85 3939 2.932.93 7979 5.935.93 119119 8.938.93 4040 3.003.00 8080 6.006.00 120120 9.009.00

한편, 상기 공정 챔버(10)의 기준 압력을 변화시키면서 S110 단계 내지 S130 단계를 반복적으로 수행함으로써, 상기 압력 측정 장치(100)의 동작 상태를 보다 면밀하게 검사할 수 있다.On the other hand, by repeatedly performing the steps S110 to S130 while changing the reference pressure of the process chamber 10, it is possible to examine the operating state of the pressure measuring device 100 more closely.

이로써, 상기 압력 측정 장치(100)의 출력 전압과 표시 압력 사이의 스팬(span) 및 비례(linearity) 변수를 상태를 검사할 수 있다. 상기 검사에 의해 스팬 또는 비례값과 기 설정된 값의 차이가 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우, 상기 허용 범위를 만족시키도록 스팬 또는 비례 정도를 기 설정된 값에 맞도록 조절한다. 이 때, 상기 스팬 및 비례 변수에 대한 조절은 상기 압력 측정부(110)의 일측에 구비된 스팬 조절부(미도시) 및 비례 변수 조절부(미도시)에서 이루어질 수 있다.As a result, the span and linearity variables between the output voltage and the display pressure of the pressure measuring device 100 may be inspected. When the difference between the span or the proportional value and the preset value is out of the preset allowable range by the inspection, the span or the proportional degree is adjusted to meet the preset value to satisfy the allowable range. At this time, the adjustment of the span and the proportional variable may be made in a span adjustment unit (not shown) and a proportional variable control unit (not shown) provided on one side of the pressure measuring unit 110.

상술한 바에 따르면, 압력 측정 장치의 동작 상태 검사 방법은 작업자가 APC(20)와 연결된 스로틀 밸브(22)를 수동으로 조작하여 기준 압력을 유지한 후, 압력 장치의 출력 전압(측정 압력)과 상기 기준 압력을 비교함으로써 수행된다. 그러나, 상기 압력 측정 장치의 동작 상태 검사 방법은 자동적으로 수행될 수도 있다.As described above, the method for checking the operation state of the pressure measuring device maintains a reference pressure by manually operating a throttle valve 22 connected to the APC 20, and then the output voltage (measured pressure) of the pressure device and the By comparing the reference pressure. However, the method for checking the operating state of the pressure measuring device may be automatically performed.

이에 따라, 상기 출력 전압에 오차로 인하여 공정 챔버(10)의 압력 조절이 실패되어 대량의 기판들에 공정 사고가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 8시간 가량 소요되는 영점 조정 작업을 검사없이 주기적으로 수행할 필요가 없으므로 기판 가공 장치의 가동율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the pressure regulation of the process chamber 10 fails due to an error in the output voltage, thereby preventing a process accident on a large amount of substrates. In addition, it is not necessary to periodically perform the zero adjustment operation that takes about 8 hours without inspection can improve the operation rate of the substrate processing apparatus.

이하에서는, 도 1의 압력 측정 장치를 갖는 진공 및 배기 시스템의 일 예를 설명하기로 한다.Hereinafter, an example of a vacuum and exhaust system having the pressure measuring device of FIG. 1 will be described.

도 3은 도 1의 압력 측정 장치를 갖는 수직형 화학 기상 증착 장치의 진공 및 배기 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a vacuum and exhaust system of a vertical chemical vapor deposition apparatus having the pressure measuring apparatus of FIG. 1.

도 3을 참조하면, 상기 진공 및 배기 시스템은 크게 배기 라인(220), 제1분기 라인(222) 및 제2분기 라인(224)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the vacuum and exhaust system largely includes an exhaust line 220, a first branch line 222, and a second branch line 224.

일반적으로, 공정 챔버(210) 내부는 저압을 유지한 상태에서 반도체 기판(W)에 대한 소정의 가공 공정이 진행된다. 반도체 기판(W) 상에 소정의 막을 증착시키는 화학 기상 증착 공정의 경우, 증착되는 막질에 따라 다양한 반응 가스들이 사용된다. 선택된 반응 가스들은 공정 챔버(210) 내에서 서로 혼합되어 소정의 막을 형성하는 공정에 사용된 후 잔류 가스 형태로 남아 외부로 배출되는데, 상기 배출되는 가스를 배기 가스라 부른다.Generally, a predetermined processing process for the semiconductor substrate W is performed in the process chamber 210 while maintaining a low pressure. In the case of a chemical vapor deposition process for depositing a predetermined film on the semiconductor substrate W, various reactant gases are used depending on the film quality to be deposited. The selected reactant gases are mixed with each other in the process chamber 210 and used in a process of forming a predetermined film, and then remain in the form of residual gas to be discharged to the outside. The discharged gas is called an exhaust gas.

상기 배기 라인(220)의 일단은 공정 챔버(210)와 연결되고 그 타단은 스크러버(290)와 연결된다. 스크러버(290)는 상기 배기 가스를 처리하는 장치로, 특히 드라이 스크러버의 경우 할로겐족 화합물을 주로 사용하는 공정에서 널리 사용된다. 공정 챔버(210)의 배기 가스는 배기 라인(220)을 통해 외부로 배출된다.One end of the exhaust line 220 is connected to the process chamber 210 and the other end thereof is connected to the scrubber 290. The scrubber 290 is a device for treating the exhaust gas, and particularly in the case of a dry scrubber, a scrubber 290 is widely used in a process mainly using a halogen group compound. Exhaust gas of the process chamber 210 is discharged to the outside through the exhaust line 220.

상기 진공 펌프(280)는 스크러버(290)로 연결되는 배기 라인(220) 상에 설치되며, 배기 라인(220)에 진공력을 제공하여 공정 챔버(210) 내의 미반응 가스 또는 반응 부산물을 스크러버(290)로 배출시킨다. 진공 펌프(280)는 크게 부스터 펌프와 드라이 펌프로 구성될 수 있다.The vacuum pump 280 is installed on the exhaust line 220 connected to the scrubber 290, and provides a vacuum force to the exhaust line 220 to scrub the unreacted gas or reaction by-products in the process chamber 210. 290). The vacuum pump 280 may be largely composed of a booster pump and a dry pump.

제1바라트론 게이지(230)는 공정 챔버(210)와 인접한 배기 라인(220) 상에 구비되어 상기 공정 챔버(210)의 내부 압력을 측정한다. 구체적으로, 제1바라트론 게이지(230)의 측정 범위는 0 내지 1000Torr로서 대기압 및 진공 유무를 점검하며, 진공 펌프(280)에 의한 슬로우 펌핑율을 체크하게 된다.The first baratron gauge 230 is provided on the exhaust line 220 adjacent to the process chamber 210 to measure the internal pressure of the process chamber 210. Specifically, the measurement range of the first baratron gauge 230 is 0 to 1000 Torr to check the atmospheric pressure and the presence of vacuum, and to check the slow pumping rate by the vacuum pump 280.

제2바라트론 게이지(240)는 배기 라인(220) 상에 제1바라트론 게이지(230)와 이격되어 설치된다. 제2바라트론 게이지(240)도 공정 챔버(210)의 내부 압력을 측정한다. 구체적으로, 제2바라트론 게이지(240)는 공정 챔버(210)의 베이스 압력(base pressure)을 측정하며, 공정 챔버(210)에 누설이 발생하는지를 검사한다. 여기서, 제2바라트론 게이지(240)의 압력 측정 범위는 0 내지 1Torr이다.The second baratron gauge 240 is spaced apart from the first baratron gauge 230 on the exhaust line 220. The second baratron gauge 240 also measures the internal pressure of the process chamber 210. Specifically, the second baratron gauge 240 measures the base pressure of the process chamber 210 and checks whether leakage occurs in the process chamber 210. Here, the pressure measurement range of the second baratron gauge 240 is 0 to 1 Torr.

제2바라트론 게이지(240)와 배기 라인(220) 사이에는 에어(air)의 공급 여부에 따라 개폐되는 제1에어 밸브(242)가 구비된다. 제1에어 밸브(242)는 제1바라트론 게이지(230)에 비해 측정 범위가 좁은 제2바라트론 게이지(240)가 높은 압력에 노출됨으로써 손상되는 것을 방지한다.A first air valve 242 is provided between the second baratron gauge 240 and the exhaust line 220 to be opened or closed depending on whether air is supplied. The first air valve 242 prevents the second baratron gauge 240 having a narrower measuring range than the first baratron gauge 230 from being damaged by being exposed to high pressure.

상기 제1 및 제2바라트론 게이지(230, 240)는 도 1을 참조하여 기 설명된 부분들과 동일한 구성을 가지므로 이에 대한 추가적인 상세 설명은 생략하기로 한다.Since the first and second baratron gauges 230 and 240 have the same configuration as those described above with reference to FIG. 1, further detailed description thereof will be omitted.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이 공정 챔버(210)와 인접한 부위의 배기 라인(220) 상에는 피라니 게이지(pirani gauge, 250)가 구비된다. 피라니 게이지(250)는 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)를 이용하여 진공도를 측정한다. 구체적으로, 피라니 게이지(250)는 저압하에서 기체의 열전도율이 진공도(잔류 기체의 압력)에 비례하는 것을 이용한 것으로서, 공정 챔버(210)가 대기압 상태인지 또는 고압 상태인지를 확인한다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 2, a piranha gauge 250 is provided on the exhaust line 220 adjacent to the process chamber 210. The Pirani gauge 250 measures the degree of vacuum using a Wheatstone bridge. In detail, the pyranee gauge 250 uses the thermal conductivity of the gas under low pressure in proportion to the vacuum degree (pressure of the remaining gas), and checks whether the process chamber 210 is at atmospheric pressure or high pressure.

상기 제2바라트론 게이지(240)와 진공 펌프(280) 사이에는 제2에어 밸브(260)가 구비되어, 배기 라인(220)을 개방 또는 차단하는 기능을 한다. 제2에 어 밸브(260)는 진공 펌프(280)를 이용하여 공정 챔버(210)를 빠른 시간 내에 진공 상태로 형성할 수 있다.A second air valve 260 is provided between the second baratron gauge 240 and the vacuum pump 280 to open or shut off the exhaust line 220. The second air valve 260 may form the process chamber 210 in a vacuum state in a short time using the vacuum pump 280.

상기 제2에어 밸브(260)와 진공 펌프(280) 사이에 구비되는 APC(270)는 제1 및 제2바라트론 게이지(230, 240)에 의해 출력된 압력에 따라 연동하여, 공정 챔버(210)의 압력을 기 설정된 범위 내에서 유지시킨다.The APC 270 provided between the second air valve 260 and the vacuum pump 280 is interlocked according to the pressures output by the first and second baratron gauges 230 and 240 to process the chamber 210. ) Pressure is maintained within the preset range.

한편, 제2바라트론 게이지(240)와 제2에어 밸브(260) 사이의 배기 라인(220)으로부터 제1 및 제2분기 라인(222, 224)이 분기된다. 제1분기 라인(222)은 제2에어 밸브(260)와 인접한 위치에서 분기되어 APC(270)와 진공 펌프(280) 사이의 배기 라인(220)으로 연통된다. 제2분기 라인(224)은 제1분기 라인(222)의 분기점과 제2바라트론 게이지(240) 사이에서 분기되어 진공 펌프(280)와 스크러버(290) 사이의 배기 라인(220)과 다시 연통된다. 제1 및 제2분기 라인(222)의 직경은 배기 라인(220)의 직경보다 작은 것이 바람직하다.Meanwhile, the first and second branch lines 222 and 224 branch from the exhaust line 220 between the second baratron gauge 240 and the second air valve 260. The first branch line 222 branches at a location adjacent the second air valve 260 to communicate with the exhaust line 220 between the APC 270 and the vacuum pump 280. The second branch line 224 branches between the branch point of the first branch line 222 and the second baratron gauge 240 to communicate with the exhaust line 220 again between the vacuum pump 280 and the scrubber 290. do. The diameter of the first and second branch lines 222 is preferably smaller than the diameter of the exhaust line 220.

제3에어 밸브(262)는 제1분기 라인(222) 상에 구비되고, 진공 펌프(280)를 이용하여 공정 챔버(210)를 서서히 진공 상태로 만들 때 수동으로 개방되어 사용된다. 제4에어 밸브(264)는 제2분기 라인(224) 상에 구비되며, 공정 챔버(210)에서 소정의 기판 가공 공정이 종료된 후 내부 압력이 대기압 상태에 도달할 때, 피라니 게이지(250)의 신호에 의해 자동으로 개방된다. 따라서 공정 챔버(210) 내의 미 반응 가스 및 공정 부산물은 제2분기 라인(224)을 통해 배기된다.The third air valve 262 is provided on the first branch line 222 and is manually opened and used when the process chamber 210 is gradually vacuumed using the vacuum pump 280. The fourth air valve 264 is provided on the second branch line 224, and when the internal pressure reaches the atmospheric pressure after the predetermined substrate processing process is completed in the process chamber 210, the pirani gauge 250 It is automatically opened by the signal of). Thus, unreacted gas and process by-products in process chamber 210 are exhausted through second branch line 224.

이어서, 상기 진공 및 배기 가스 처리 장치가 작동하는 과정을 간략하게 설명하면 다음과 같다.Next, a brief description of the operation of the vacuum and exhaust gas treatment apparatus is as follows.

우선, 제1바라트론 게이지(230) 또는 피라니 게이지(250)에 의해 공정 챔버(210)의 압력 상태가 체크된다. 이 때, 제1에어 밸브(242)는 제2바라트론 게이지(240)가 고압에 노출되지 않도록 차단된 상태이다. 공정 챔버(210)가 대기압 상태인 경우에는 공정 챔버(210)가 진공 상태로 형성된다.First, the pressure state of the process chamber 210 is checked by the first Baratron gauge 230 or the Piranha gauge 250. At this time, the first air valve 242 is blocked so that the second baratron gauge 240 is not exposed to high pressure. When the process chamber 210 is at atmospheric pressure, the process chamber 210 is formed in a vacuum state.

이어서, 제2에어 밸브(260)가 차단되어 배기 라인(220)이 차단되고, 제2에어 밸브(260)가 개방되어 배기 라인(220)이 개방된 상태에서 진공 펌프(280)의 드라이 펌프(282) 또는 드라이 펌프(282) 및 부스터 펌프(284)가 동시에 작동하여 공정 챔버(210)가 펌핑된다.Subsequently, the second air valve 260 is blocked to cut off the exhaust line 220, and the second air valve 260 is opened to open the exhaust line 220. 282 or dry pump 282 and booster pump 284 operate simultaneously to pump process chamber 210.

여기서, 제2바라트론 게이지(240)에 의해 공정 챔버(210)의 베이스 압력이 체크되고 진공 누설 여부를 확인된다. 또한, APC(270)의 스로틀 밸브의 개폐 정도에 따라 조절되는 압력의 정상 여부도 점검된다.Here, the base pressure of the process chamber 210 is checked by the second baratron gauge 240, and it is checked whether the vacuum leaks. In addition, the normality of the pressure adjusted according to the opening and closing degree of the throttle valve of the APC 270 is also checked.

공정 챔버(210) 내부 압력이 원하는 상태가 되면, 가스 제공부로부터 반응 가스가 유입되어 기판 가공 공정이 진행된다. 이때, APC(270)에 의해 공정 챔버(210)의 압력이 자동적으로 조절된다. 기판 가공 공정이 완료되면, 퍼지 가스(purge gas)가 공급되어 공정 챔버(210)의 압력이 대기압으로 형성된다.When the pressure inside the process chamber 210 is in a desired state, the reaction gas flows in from the gas providing unit and the substrate processing process is performed. At this time, the pressure of the process chamber 210 is automatically adjusted by the APC 270. When the substrate processing process is completed, a purge gas is supplied to form a pressure of the process chamber 210 at atmospheric pressure.

마지막으로, 공정 챔버(210)의 대기압 상태가 피라니 게이지(250)에 의해 감지되면 제4에어 밸브(264)가 개방된다. 따라서, 상기 공정 중에 발생하는 반응 부산물을 포함하는 잔류 가스가 제2분기 라인(224)을 통해 배출된다.Finally, the fourth air valve 264 is opened when the atmospheric pressure of the process chamber 210 is sensed by the Pirani gauge 250. Thus, residual gas comprising reaction by-products generated during the process is discharged through second branch line 224.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 압력 측정 장치의 동작 상태 검사 방법은 상 기 압력 측정 장치에 구비된 신호 측정부의 출력 전압과 공정 챔버에 설정된 기준 전압에 대응하는 기준 전압을 비교함으로써 이루어진다.According to the present invention as described above, the operation state inspection method of the pressure measuring device is made by comparing the output voltage of the signal measuring unit provided in the pressure measuring device with a reference voltage corresponding to the reference voltage set in the process chamber.

따라서, 압력 측정 장치의 동작 상태를 용이하게 확인할 수 있으며, 압력 측정 장치의 영점 조정을 주기적으로 수행할 필요가 없다. 이에 따라, 상기 공정 챔버에서 이상 공정(abnormal process)이 진행되는 것을 용이하게 방지할 수 있다.Therefore, the operating state of the pressure measuring device can be easily confirmed, and it is not necessary to periodically perform zero adjustment of the pressure measuring device. Accordingly, it is possible to easily prevent an abnormal process from proceeding in the process chamber.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (5)

공정 챔버의 내부 압력을 기준 압력으로 유지하는 단계;Maintaining the internal pressure of the process chamber at a reference pressure; 상기 공정 챔버 내부의 압력을 검사하고자 하는 압력 측정 장치를 이용하여 측정하는 단계; 및Measuring the pressure inside the process chamber using a pressure measuring device to be inspected; And 상기 압력 측정 장치로부터 출력되는 출력 전압과 상기 기준 압력에 대응하는 기준 전압을 서로 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 측정 장치의 동작 상태 검사 방법.And comparing the output voltage output from the pressure measuring device with a reference voltage corresponding to the reference pressure with each other. 제1항에 있어서, 상기 비교 결과 상기 출력 전압과 상기 기준 전압의 차이가 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우, 상기 차이가 상기 허용 범위를 만족하도록 상기 출력 전압을 조정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 측정 장치의 동작 상태 검사 방법.The method of claim 1, further comprising adjusting the output voltage so that the difference satisfies the allowable range when the difference between the output voltage and the reference voltage is outside a preset allowable range. Method of inspection of the operating state of the pressure measuring device. 공정 챔버의 내부 압력을 측정하고 상기 측정된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력하기 위한 압력 측정부; 및A pressure measuring unit for measuring an internal pressure of the process chamber and outputting an electrical signal corresponding to the measured pressure; And 상기 압력 측정부로부터 출력된 전기 신호와 연동하여 상기 공정 챔버의 압력을 조절하기 위한 압력 제어 장치와 상기 압력 측정부 사이에 구비되며, 상기 출력된 전기 신호의 세기를 측정하기 위한 신호 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 측정 장치.It is provided between the pressure control device for adjusting the pressure of the process chamber in conjunction with the electrical signal output from the pressure measuring unit and the pressure measuring unit, including a signal measuring unit for measuring the intensity of the output electrical signal Pressure measuring device, characterized in that. 제3항에 있어서, 상기 신호 측정부는 전압계인 것을 특징으로 하는 압력 측정 장치.The pressure measuring device of claim 3, wherein the signal measuring unit is a voltmeter. 제3항에 있어서, 상기 압력 측정부는 커패시턴스 압력계(capacitance manometer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 측정 장치.4. The pressure measuring device of claim 3, wherein the pressure measuring unit comprises a capacitance manometer.
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