KR20060080461A - Chuck assembly for preventing shut off of semiconductor apparatus due to ground line open - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 설비의 척 결합체에 관한 것으로, 플라즈마 상태의 가스를 이용하여 소정의 박막이 증착되는 공정이 진행되는 웨이퍼를 장착하는 척; 상기 증착 공정 중 상기 척에 발생하는 전기적 오류를 제거하기 위해 상기 척을 전기적으로 접지시키는 접지선; 및 상기 접지선을 상기 플라즈마 상태의 가스로부터 보호하기 위한 커버를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 접지선을 종래 와이어 형태에서 스트랩 형태로 변경함으로써 단선의 위험을 없애거나 최소화 할 수 있게 된다. 이에 따라, 접지선의 단선에 따른 설비의 정지 로스(loss)를 줄일 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a chuck assembly of a semiconductor device, comprising: a chuck for mounting a wafer on which a process of depositing a predetermined thin film using a gas in a plasma state is performed; A ground line electrically grounding the chuck to eliminate electrical errors occurring in the chuck during the deposition process; And a cover for protecting the ground wire from the gas in the plasma state. According to this, it is possible to eliminate or minimize the risk of disconnection by changing the ground wire from the conventional wire form to the strap form. Accordingly, there is an effect that can reduce the stop loss of the equipment due to the disconnection of the ground wire.

Description

접지선의 단선에 따른 반도체 설비의 정지 발생을 방지할 수 있는 척 결합체{CHUCK ASSEMBLY FOR PREVENTING SHUT OFF OF SEMICONDUCTOR APPARATUS DUE TO GROUND LINE OPEN}CHUCK ASSEMBLY FOR PREVENTING SHUT OFF OF SEMICONDUCTOR APPARATUS DUE TO GROUND LINE OPEN}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비의 척 결합체를 나타내는 사진이다.1 is a photograph showing a chuck assembly of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비의 척 결합체를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a chuck assembly of a semiconductor device in accordance with an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

100; 척 200; 접지선100; Chuck 200; Ground wire

300; 벨로우즈 400; 커버300; Bellows 400; cover

본 발명은 반도체 설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 설비의 척 결합체에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor equipment, and more particularly to a chuck assembly of a semiconductor equipment.

반도체 설비 중에서 어플라이드 머티리얼스사(社)에서 입수 가능한 플라즈마를 이용한 화학기상증착 설비(예, P-5000 모델)는 챔버 내에 설치된 척에 웨이퍼가 안착되어 웨이퍼 상에 소정의 박막이 증착되며 이때 고주파(RF)를 이용한다.Among the semiconductor equipment, chemical vapor deposition equipment using plasma available from Applied Materials Co., Ltd. (e.g., P-5000 model) has a wafer deposited on a chuck installed in a chamber, and a predetermined thin film is deposited on the wafer. ).

이 화학기상증착 설비에 사용되는 척의 접지는 와이어를 이용하는데 이 와이어의 특정 부위, 가령 척과 연결되어 꺽이는 부위가 다른 곳에 비해 빨리 노후되어 단선을 초래하여 설비가 정지되는 현상이 있었다. 특히, 접지선은 벨로우즈를 감싸면서 셋팅되므로 벨로우즈 동작시 와이어 형태의 접지선은 파티클의 발생 원인이 되기도 하였다.The grounding of the chuck used in this chemical vapor deposition facility uses a wire, and the specific part of the wire, for example, the part connected to the chuck, breaks down faster than other parts, causing disconnection, causing the facility to stop. In particular, since the grounding wire is set around the bellows, the grounding wire in the bellows operation may cause particles.

이에 본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 접지선을 종래 와이어 형태에서 탈피하여 단선이 쉽게 되지 않는 형태로 변경함으로써 접지선 단선에 따른 설비의 정지 로스를 줄일 수 있는 반도체 설비의 척 결합체를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, an object of the present invention is to reduce the stop loss of the equipment according to the ground wire disconnection by changing the ground wire to form that is not easily disconnected from the conventional wire form The present invention provides a chuck assembly for semiconductor equipment.

본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 설비의 척 결합체는 척에 연결되는 접지선이 단선이 쉽게 되지 않는 형태인 것을 특징으로 한다.The chuck assembly of the semiconductor device according to the present invention for achieving the object of the present invention is characterized in that the ground wire connected to the chuck is not easily disconnected.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비의 척 결합체는, 플라즈마 상태의 가스를 이용하여 소정의 박막이 증착되는 공정이 진행되는 웨이퍼를 장착하는 척; 상기 증착 공정 중 상기 척에 발생하는 전기적 오류를 제거하기 위해 상기 척을 전기적으로 접지시키는 접지선; 및 상기 접지선을 상기 플라즈마 상태의 가스로부터 보호하기 위한 커버를 포함하는 것을 특징으로 한다.A chuck assembly of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention capable of implementing the above characteristics includes: a chuck mounting a wafer on which a process of depositing a predetermined thin film using a gas in a plasma state is performed; A ground line electrically grounding the chuck to eliminate electrical errors occurring in the chuck during the deposition process; And a cover for protecting the ground wire from the gas in the plasma state.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 접지선과 상기 척을 전기적으로 연결시키 는 연결 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, it characterized in that it further comprises a connection terminal for electrically connecting the ground wire and the chuck.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 연결 단자는 상기 척의 하면 중앙부에 설치되고, 상기 접지선은 상기 연결 단자로부터 연장되어 상기 척과는 수평을 이루는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the connecting terminal is installed at the center of the lower surface of the chuck, and the ground wire is extended from the connecting terminal and is characterized in that it is horizontal with the chuck.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 접지선은 탄성력에 의한 유동성을 가지는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the ground line is characterized in that it has a fluidity by the elastic force.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 접지선은 스트랩 형태를 포함하는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the ground line is characterized in that it comprises a strap form.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 커버는 세라믹을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the cover is characterized in that it comprises a ceramic.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 설비의 척 결합체는, 플라즈마 상태의 가스를 이용하여 소정의 박막이 증착되는 공정이 진행되는 웨이퍼를 장착하는 척; 상기 증착 공정 중 상기 척에 발생하는 전기적 오류를 제거하기 위해 상기 척을 전기적으로 접지시키는, 그리고 탄성력에 의한 유동성을 가지는 스트랩 형태인 접지선; 상기 척의 하면 중앙부에 설치되어 상기 척과 상기 접지선을 전기적으로 연결시키는 연결 단자; 및 상기 접지선을 감싸는 형태로 상기 척의 하면에 연장된 형태로 설치되어 상기 접지선을 상기 플라즈마 상태의 가스로부터 보호하는 커버를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present disclosure, there is provided a chuck assembly of a semiconductor device including a chuck for mounting a wafer on which a predetermined thin film is deposited using a gas in a plasma state; A ground wire in the form of a strap electrically grounding the chuck to eliminate electrical errors occurring in the chuck during the deposition process and having fluidity due to elastic force; A connection terminal provided at a central portion of the lower surface of the chuck to electrically connect the chuck to the ground wire; And a cover installed on the lower surface of the chuck in such a manner as to surround the ground wire to protect the ground wire from the gas in the plasma state.

본 발명에 의하면, 접지선을 종래 와이어 형태에서 스트랩 형태로 변경함으로써 단선의 위험을 없애거나 최소화 할 수 있게 됨으로써 접지선의 단선에 따른 설비의 정지 로스(loss)를 줄일 수 있게 된다.According to the present invention, by changing the ground wire from the conventional wire form to the strap form, it is possible to eliminate or minimize the risk of disconnection, thereby reducing the stop loss of the equipment due to the disconnection of the ground wire.

이하, 본 발명에 따른 반도체 설비의 척 결합체를 첨부한 도면을 첨부하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the chuck assembly of the semiconductor device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
Advantages over the present invention and prior art will become apparent through the description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비의 척 결합체를 나타내는 사진이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비의 척 결합체를 도시한 단면도이다.1 is a photograph showing a chuck assembly of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing the chuck assembly of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예의 척 결합체는 척(100)과, 척(100)을 접지시키는 접지선(200)과, 접지선(200)을 보호하는 커버(400)를 포함하여 구성된다.1 and 2, the chuck assembly of the present embodiment includes a chuck 100, a ground wire 200 for grounding the chuck 100, and a cover 400 for protecting the ground wire 200. .

척(100)은 증착 공정이 이루어지는 챔버의 내부에 배치되며, 증착 공정으로 소정의 박막이 형성되어지는 반도체 웨이퍼를 장착하고 지지한다. 척(100)은 가령 원반 형태로서 장착되는 웨이퍼에 비해 좀 더 큰 직경을 가질 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 척(100)의 하부에는 증착 공정에 적절한 온도를 설정하기 위한 히터가 더 구비될 수 있다. 히터의 가열에 의해 웨이퍼가 적절한 온도로 상승되면 반응 가스가 챔버 내로 공급되고 고주파 인가에 의해 플라즈마가 발생하여 플라즈마 상태의 가스가 웨이퍼 표면과 화학 반응하여 웨이퍼 상에 원하는 박막이 증착된다.The chuck 100 is disposed in a chamber in which a deposition process is performed, and mounts and supports a semiconductor wafer in which a predetermined thin film is formed in the deposition process. The chuck 100 may have a larger diameter compared to a wafer mounted, for example, in disc form. Although not shown in the drawings, a lower portion of the chuck 100 may further include a heater for setting a temperature suitable for the deposition process. When the wafer is raised to an appropriate temperature by the heating of the heater, the reaction gas is supplied into the chamber, and plasma is generated by applying high frequency, so that the gas in the plasma state is chemically reacted with the wafer surface to deposit a desired thin film on the wafer.

접지선(200)은 척(100)을 접지시켜 증착 공정 중에 척(100)에 발생할 수 있는 전기적 오류를 방지한다. 척(100)의 접지를 위해 접지선(200)은 척(100)의 중앙 하부에 연결되며, 척(100)과는 수평을 이루도록 연장되고 외부와 전기적으로 연결된다. 접지선(200)과 척(100)은 연결 단자(210)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고, 접지선(200)을 절연체(예, 세라믹)로 구성된 커버(400)로 보호함으로써 플라즈마 상태의 가스에 의한 접지선(200)의 부식이나 열에 의해 손상되는 것을 방지한다.The ground line 200 grounds the chuck 100 to prevent electrical errors that may occur in the chuck 100 during the deposition process. The ground wire 200 is connected to the lower center of the chuck 100 for the grounding of the chuck 100, extends horizontally with the chuck 100, and is electrically connected to the outside. The ground wire 200 and the chuck 100 are electrically connected by the connection terminal 210. The ground wire 200 is protected by a cover 400 made of an insulator (eg, ceramic) to prevent damage to the ground wire 200 by corrosion or heat by the gas in the plasma state.

그런데, 접지선(200)은 벨로우즈(300)를 감싸면서 셋팅될 수 있으므로 적절한 탄성력에 의한 유동성을 가지는 스트랩(strap) 형태인 것이 바람직하다. 특히, 접지선(200)이 스트랩 형태이면 척(210)과의 연결 부위가 다른 부위에 비해 상대적으로 더 빨리 노후화되는 것을 막을 수 있어서 단선이 되는 위험성을 없애거나 최소화할 수 있다.However, since the ground wire 200 may be set while wrapping the bellows 300, it is preferable that the ground wire 200 has a strap shape having fluidity due to an appropriate elastic force. In particular, when the ground wire 200 is in the form of a strap, the connection part with the chuck 210 can be prevented from aging relatively faster than other parts, thereby eliminating or minimizing the risk of disconnection.

또한, 접지선(200)이 벨로우즈(300)를 감싸는 형태로 셋팅되는 경우 벨로우즈(300)의 움직임에 따라 아무런 저항없이 함께 유동할 수 있으므로 단선의 위험을 없앨 수 있게 된다.In addition, when the ground wire 200 is set to surround the bellows 300, the ground wire 200 may flow together without any resistance according to the movement of the bellows 300, thereby eliminating the risk of disconnection.

상기와 같이, 접지선(200)을 스트랩 형태이면 접지선(200)의 수명이 연장되 고 단선의 위험이 없으므로 접지 효율이 극대화된다. 아울러, 접지선(200)의 단선의 위험이 제거되므로 접지선(200)의 단선에 따른 설비의 정지 로스(loss)가 줄어들게 된다.As described above, when the ground wire 200 has a strap shape, the life of the ground wire 200 is extended and the grounding efficiency is maximized because there is no risk of disconnection. In addition, since the risk of disconnection of the ground wire 200 is eliminated, the loss of equipment due to disconnection of the ground wire 200 is reduced.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 접지선을 종래 와이어 형태에서 스트랩 형태로 변경함으로써 단선의 위험을 없애거나 최소화 할 수 있게 된다. 이에 따라, 접지선의 단선에 따른 설비의 정지 로스(loss)를 줄일 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, it is possible to eliminate or minimize the risk of disconnection by changing the ground wire from the conventional wire form to the strap form. Accordingly, there is an effect that can reduce the stop loss of the equipment due to the disconnection of the ground wire.

Claims (7)

플라즈마 상태의 가스를 이용하여 소정의 박막이 증착되는 공정이 진행되는 웨이퍼를 장착하는 척;A chuck for mounting a wafer on which a process of depositing a predetermined thin film using a gas in a plasma state is performed; 상기 증착 공정 중 상기 척에 발생하는 전기적 오류를 제거하기 위해 상기 척을 전기적으로 접지시키는 접지선; 및A ground line electrically grounding the chuck to eliminate electrical errors occurring in the chuck during the deposition process; And 상기 접지선을 상기 플라즈마 상태의 가스로부터 보호하기 위한 커버;A cover for protecting the ground wire from a gas in the plasma state; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 척 결합체.Chuck assembly characterized in that it comprises a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접지선과 상기 척을 전기적으로 연결시키는 연결 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 척 결합체.And a connection terminal for electrically connecting the ground wire and the chuck. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 연결 단자는 상기 척의 하면 중앙부에 설치되고, 상기 접지선은 상기 연결 단자로부터 연장되어 상기 척과는 수평을 이루는 것을 특징으로 하는 척 결합체.The connecting terminal is installed in the center of the lower surface of the chuck, the ground wire extends from the connecting terminal is characterized in that the chuck assembly is horizontal with the chuck. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 접지선은 탄성력에 의한 유동성을 가지는 것을 특징으로 하는 척 결합 체.The ground wire is a chuck assembly, characterized in that the fluidity by the elastic force. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 접지선은 스트랩 형태를 포함하는 것을 특징으로 하는 척 결합체.The ground wire is a chuck assembly, characterized in that it comprises a strap form. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 커버는 세라믹을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 척 결합체.The cover is a chuck assembly, characterized in that comprising a ceramic. 플라즈마 상태의 가스를 이용하여 소정의 박막이 증착되는 공정이 진행되는 웨이퍼를 장착하는 척;A chuck for mounting a wafer on which a process of depositing a predetermined thin film using a gas in a plasma state is performed; 상기 증착 공정 중 상기 척에 발생하는 전기적 오류를 제거하기 위해 상기 척을 전기적으로 접지시키는, 그리고 탄성력에 의한 유동성을 가지는 스트랩 형태인 접지선;A ground wire in the form of a strap electrically grounding the chuck to eliminate electrical errors occurring in the chuck during the deposition process and having fluidity due to elastic force; 상기 척의 하면 중앙부에 설치되어 상기 척과 상기 접지선을 전기적으로 연결시키는 연결 단자; 및A connection terminal provided at a central portion of the lower surface of the chuck to electrically connect the chuck to the ground wire; And 상기 접지선을 감싸는 형태로 상기 척의 하면에 연장된 형태로 설치되어 상기 접지선을 상기 플라즈마 상태의 가스로부터 보호하는 커버;A cover installed on the lower surface of the chuck in a form of surrounding the ground line to protect the ground line from the gas in the plasma state; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 척 결합체.Chuck assembly characterized in that it comprises a.
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