KR20060078700A - 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20060078700A
KR20060078700A KR1020040117013A KR20040117013A KR20060078700A KR 20060078700 A KR20060078700 A KR 20060078700A KR 1020040117013 A KR1020040117013 A KR 1020040117013A KR 20040117013 A KR20040117013 A KR 20040117013A KR 20060078700 A KR20060078700 A KR 20060078700A
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film

Abstract

플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시되는 플렉서블 디스플레이 장치는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부; 상기 소자부가 배치되는 기판; 및 상기 기판의 적어도 일측면에 마련되는 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer);을 구비한다.
그리고, 상기 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 위에 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부를 마련하는 단계; 및 상기 기판의 적어도 일측면에 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer)을 마련하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 형상 기억 합금층이 구비됨으로써, 기판과 마스크 등의 사이의 얼라인먼트가 개선될 수 있고, 사용자의 사용에 따른 변형 또는 사용 환경의 온도에 따른 변형을 복원할 수 있는 장점이 있다.

Description

플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법{Flexible display device, and fabricating method of the same}
도 1은 종래 기술에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자를 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자를 나타낸 단면도.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 110, 120 : 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자
101, 111, 121 : 기판 102, 112, 122, 125 : 형상 기억 합금층
103, 113, 123 : 버퍼층 104, 114, 124 : 실리콘 소자층
본 발명은 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히는, 제조 공정 중 기판의 얼라인먼트를 개선할 수 있고 필요시 용이하게 변형시킬 수 있는 새로운 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
플렉서블 디스플레이 장치에는 OLED 또는 TFT LCD 등이 있다. 이와 같은 플렉서블 디스플레이 장치에서는 일반적으로 플라스틱 기판을 기판 구조체에서 채용하고 있다. 일반적인 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자의 일례를 도 1을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자로는 폴리 실리콘 TFT(poly-Si TFT), 비정질 실리콘 TFT(amorphous Si TFT), 유기 TFT(organic TFT) 등이 있으나, 여기서는 예시적으로 폴리 실리콘 TFT에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 플라스틱 기판(11) 상에 버퍼층의 역할을 하는 산화층(12)이 형성되어 있으며, 그 상부에는 폴리 실리콘층(13)이 형성되어 있다. 폴리 실리콘층(13)의 양쪽 표면에는 소스(14a) 및 드레인(14b)이 형성되어 있으며, 통상적으로 소스(14a) 및 드레인(14b) 사이의 폴리 실리콘층 영역을 채널(channel) 영역이라 부른다. 상기 채널 영역 상부에는 게이트 구조물(15, 16)이 형성되어 있다. 게 이트 구조물(15, 16)은 여러가지 형태가 사용될 수 있으나, 여기서는 하부에 게이트 산화층(15) 및 예를 들어 알루미늄으로 형성된 게이트 전극층(16)이 포함된 구조를 도시할 수 있다. 일반적으로 소스(14a) 및 드레인(14b)은 폴리 실리콘층(13)과 반대 극성으로 도핑되어 있으며, 폴리 실리콘층(13)이 n형으로 도핑된 경우 소스(14a) 및 드레인(14b)는 p형으로 도핑된다.
이와 같은 형태의 플렉서블 디스플레이의 단위 소자를 형성시키는 공정을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 플라스틱 기판(11) 상에 산화물을 도포하여 산화층(12)을 형성시킨다. 그리고, 산화층(12) 상부에 비정질 실리콘을 도포하고 이를 열처리하여 폴리 실리콘층(13)을 형성시키고 그 양쪽 일부를 제거한다.
그리고 나서, 폴리 실리콘층(13) 상부에 게이트 구조물인 게이트 산화층(15) 및 게이트 전극층(16)을 형성시키고, 양쪽을 식각하여 게이트 구조물을 완성시킨다. 다음으로, 게이트 구조물 양쪽의 폴리 실리콘층(13)에 대해 소정의 도펀트를 도핑하여 폴리 실리콘층(13) 양쪽 표면 내부에 도펀트를 주입하고 나서 열처리를 하여 소스(14a) 및 드레인(14b)을 형성시킨다. 그리고 나서 소스(14a) 및 드레인(14b) 상부에 전도성 물질 등으로 전극을 형성시키는 등 필요한 공정을 실시하여 디스플레이의 단위 소자를 완성시킨다.
상기와 같은 공정들에 적용되는 온도는 대부분 상이하다. 따라서, 상기 공정을 거치면서 상기 기판(11)은 여러 번의 온도 변화를 겪게 되어, 수축 및 팽창을 반복하게 된다. 상기와 같은 수축 또는 팽창으로 인해, 상기 기판(11)에 굽힘 등의 변형이 발생한다. 상기와 같이 변형된 상기 기판(11)은 다시 편평하게 복원되지 못 한 채 다음 공정으로 접어들게 되어, 상기 기판(11)과 공정에 적용되는 마스크 사이의 얼라인먼트(alignment)가 제대로 이루어지지 못한다. 그러면, 상기 마스크의 형상이 상기 기판(11)에 제대로 성형되지 못하여, 상기 기판(11)에 회로가 제대로 형성되지 못한다. 따라서, 상기 플렉서블 디스플레이 장치의 디스플레이 성능이 저하되는 단점이 있다.
또한, 종래의 플렉서블 디스플레이 장치에서는 상기 기판을 사용자가 구부리는 등 변형 사용하거나, 사용 환경의 온도에 따라 상기 기판이 변형되면 다시 편평하게 복원되지 않아서, 디스플레이 성능이 저하되는 단점이 있다.
본 발명은 기판을 편평하게 유지하여, 공정 중에 기판과 마스크 등의 얼라인먼트를 개선할 수 있는 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 사용자가 변형 사용하거나, 사용 환경의 온도에 따라 변형된 기판을 다시 편평하게 복원하여, 디스플레이 성능을 개선할 수 있는 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부; 상기 소자부가 배치되는 기판; 및 상기 기판의 적어도 일측면에 마련되는 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer);을 구비한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 형상 기억 합금층은 상기 기판의 배면에 마련될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 형상 기억 합금층은 상기 기판과 상기 소자부 사이에 마련될 수 있다. 여기서, 상기 형상 기억 합금층과 상기 소자부 사이에 버퍼(buffer)층이 더 구비될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 형상 기억 합금층은 상기 기판의 배면 및 상기 기판과 상기 소자부 사이에 마련될 수 있다. 여기서, 상기 형상 기억 합금층과 상기 소자부 사이에 버퍼(buffer)층이 더 구비될 수 있다.
상기 형상 기억 합금층은 Ni-Ti 계열 또는 Cu-Zn-Al 계열로 이루어질 수 있다.
상기 기판의 두께는 실질적으로 200μm 일 수 있다. 이 때, 상기 형상 기억 합금층의 두께는 2μm 내지 10μm 일 수 있다. 상기 형상 기억 합금층의 두께는 실질적으로 5μm 인 것이 바람직하다.
상기 기판의 두께가 200μm 보다 큰 경우, 상기 형상 기억 합금층의 두께는 10μm 보다 큰 것이 바람직하다.
상기 소자부는 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위한 단위 소자로 OLED, LCD, e-ink, TFT, MOS 트랜지스터 또는 다이오드를 구비할 수 있다.
상기 형상 기억 합금층은 PVD(physical vapor deposition) 방법에 의하여 증착될 수 있다.
본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 위에 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부를 마련하는 단계; 및 상기 기판의 적어도 일측면에 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer)을 마련하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층을 상기 기판의 배면에 마련하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층을 상기 기판과 상기 소자부 사이에 마련하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층과 상기 소자부 사이에 버퍼(buffer)층을 구비하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명이 또 다른 실시예에 따르면, 상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층을 상기 기판의 배면 및 상기 기판과 상기 소자부 사이에 마련하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층과 상기 소자부 사이에 버퍼(buffer)층을 구비하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층이 PVD(physical vapor deposition) 방법에 의하여 상기 기판 위에 증착되는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 형상 기억 합금층이 구비됨으로써, 기판과 마스크 등의 사이의 얼라인먼트가 개선될 수 있고, 사용자의 사용에 따른 변형 또는 사용 환경의 온도에 따른 변형을 복원할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 및 그 제조 방법을 상세히 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리킨다.
여기서, 본 발명은 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자로 폴리 실리콘 TFT(poly-Si TFT)에 대하여 설명하나, 이는 예시적인 것으로 본 발명이 여기에 제한되는 것은 아니다. 즉, 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자로 비정질 실리콘 TFT(amorphous Si TFT), 유기 TFT(organic TFT) 등도 사용될 수 있으며, 이러한 실시예도 본 발명의 범위에 해당됨을 밝혀 둔다.
또한, 이하에서는 본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자를 도시하고 이에 대하여 설명하고 있으나, 이 또한 예시적인 것으로 본 발명이 여기에 제한되는 것은 아니다. 즉, 상기 디스플레이 장치의 기판 위에는 디스플레이를 실현시키기 위한 시스템을 구성하는 중앙처리장치(CPU), 메모리, 박막전지(thin film battery), 콘트롤러(controller) 등이 더 탑재될 수 있음을 밝혀 둔다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치(100)는 기판(101)과, 상기 기판(101) 위에 순서대로 마련되는 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer)(102), 버퍼층(103), 실리콘 소자층(104)을 구비한다.
상기 기판(101)은 플라스틱, 금속 박막 등으로 형성될 수 있고, 일반적으로 대략 200μm 두께로 제작된다.
본 실시예에 따르면, 상기 형상 기억 합금층(102)은 상기 버퍼층(103)과 상기 기판(101) 사이에 마련된다. 상기 형상 기억 합금층(102)은 제조 공정 중에 상기 기판(101)이 열에 의해 변형되더라도 다시 복원되도록 하여, 상기 기판(101)을 편평하게 유지한다. 형상 기억 합금은 가공물이 변형되어도 열을 가하면 원래의 형상으로 되돌아가는 성질을 가지므로, 상기 형상 기억 합금층(102)은 상기와 같은 형상 기억 합금의 성질을 이용한 것이다.
상기 형상 기억 합금층(102)으로 가공성이 우수한 Ni-Ti 계열 또는 열간가공성이 우수한 Cu-Zn-Al 계열이 사용될 수 있다. 구체적으로 예를 들면, HfTiNi, TiNiMo, CuAlNi, CuZnAl, SiTiNi 등이 사용될 수 있다.
상기 기판(101)의 두께가 대략 200μm 인 경우, 상기 형상 기억 합금층(102)의 두께는 대략 2μm 내지 10μm 범위 내에서 형성되는 것이 바람직하다. 상기의 경우, 상기 형상 기억 합금층(102)의 두께는 실질적으로 5μm 인 것이 더욱 바람직하다. 그리고, 상기 기판(101)의 두께가 200μm 보다 큰 경우, 상기 형상 기억 합금층(102)의 두께는 10μm 보다 큰 값을 가지는 것이 바람직하다. 상기 형상 기억 합금층(102)은 상기와 같은 두께로 형성되어, 상기 기판(101)의 변형에 대한 적절한 복원력을 상기 기판(101)에 가할 수 있다.
상기 버퍼층(103)은 상기 기판(11)으로부터 상기 실리콘 소자층(104)으로 산소 또는 수분 등의 이물질이 침투하는 것을 차단한다.
상기 실리콘 소자층(104)은 일정 영역으로 분할 가공되어, 디스플레이를 위 한 각종 소자들을 포함하게 된다. 예를 들면, 상기 소자층(104)은 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위한 단위 소자로 OLED, LCD, e-ink, TFT, MOS 트랜지스터 또는 다이오드를 구비할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치(110)는 기판(111)과, 상기 기판(111) 위에 순서대로 마련되는 버퍼층(113), 실리콘 소자층(114)과, 상기 기판(111) 아래에 마련되는 형상 기억 합금층(112)을 구비한다.
본 실시예에 따르면, 상기 형상 기억 합금층(112)은 상기 기판(111)의 아래에 마련된다. 상기와 같이 구성되면, 구조적으로 상기 기판(111)에 상기 형상 기억 합금층(112)을 마련하는 작업이 용이해진다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단위 소자를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치(120)는 기판(121)과, 상기 기판(121) 위에 순서대로 마련되는 제 1 형상 기억 합금층(122), 버퍼층(123), 실리콘 소자층(124)과, 상기 기판(121) 아래에 마련되는 제 2 형상 기억 합금층(125)을 구비한다.
본 실시예에 따르면, 상기 기판(121)의 위, 아래에 각각 제 1 형상 기억 합금층(122) 및 상기 제 2 형상 기억 합금층(125)이 마련된다. 상기와 같이 구성되면, 상기 기판(121)의 변형에 대한 복원력이 배가 될 수 있으므로, 상기 기판(121) 이 더욱 효과적으로 편평하게 유지될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다. 여기서, 도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 것이나, 이는 본 발명의 다른 실시예에도 동일하게 적용될 수 있다.
먼저, 도 5a에 나타낸 바와 같이, 기판(101)을 마련한다. 상기 기판(101)은 대략 180℃ 정도로 열처리된다.
그리고, 도 5b에 나타낸 바와 같이, 상기 기판(101) 위에 형상 기억 합금층(102)를 형성한다. 이러한 형상 기억 합금층(102)은 상기한 바와 같이, 가공성이 우수한 Ni-Ti 계열 또는 열간가공성이 우수한 Cu-Zn-Al 계열 등의 형상 기억 합금으로 형성할 수 있다. 이와 같은 형상 기억 합금층(102)은 일반적인 PVD(physical vapor deposition) 방법에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 스퍼터링(sputtering), 진공 플라스마 용사(vacuum plasma spraying, VPS) 등의 방법을 이용할 수 있다. 대략 200μm 두께의 기판(101)이 사용되는 경우, 상기 형상 기억 합금층(102)은 대략 2μm 내지 10μm 범위 내의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
그런 다음, 도 5c에 나타낸 바와 같이, 프레스(130)로 상기 형상 기억 합금층(102) 및 상기 기판(101)의 위, 아래에 소정 압력을 가한다. 이 때, 본 공정의 온도는 대략 150℃ 로 유지된다. 상기한 온도 하에서, 상기 형상 기억 합금층(102) 및 상기 기판(101)에 압력이 가해지면, 상기 형상 기억 합금층(102)에 그 편평한 상태가 기억된다.
상기와 같은 과정을 거쳐, 상기 기판(101) 위에 그 편평한 상태가 기억된 형상 기억 합금층(102)이 형성된다. 그 후, 일반적인 방법에 의해, 상기 형상 기억 합금층(102) 위에 버퍼층(103), 실리콘 소자층(104)이 순서대로 형성되고, 상기 실리콘 소자층(104)이 가공되어 디스플레이를 위한 소정의 소자부가 마련된다. 여기서, 상기 공정들은 요구되는 온도가 일반적으로 각각 상이하다. 예를 들어, 상기 버퍼층(103) 등의 증착 공정의 온도는 대략 50℃ 내지 140℃ 이고, 상기 실리콘 소자층(104)에 대한 패터닝(patterning) 공정의 온도는 대략 90℃ 내지 110℃ 이다. 따라서, 상기 공정들에서 상기 형상 기억 합금(102)은 열을 받아 기억하고 있던 편평한 형태로 복원되고, 이 과정에서 발생한 복원력이 상기 기판(101)에도 전달된다. 그러면, 상기 공정들이 수행되는 과정에서, 상기 기판(101)은 열에 의해 변형되더라도, 다시 복원되어 편평하게 유지될 수 있다. 따라서, 상기 공정 중에 상기 기판(101)과 마스크 등의 사이의 얼라인먼트가 개선될 수 있다.
한편, 상기 플렉서블 디스플레이 장치는 사용자가 구부려 사용하는 등의 원인으로 변형되거나, 사용되는 환경의 온도에 따라서도 변형될 수 있다. 본 발명에서는, 플렉서블 디스플레이 장치에 형상 기억 합금층이 구비되어 있으므로, 상기 형상 기억 합금에 열을 가하여 복원력을 발생시킴으로써, 변형된 플렉서블 디스플레이 장치를 복원시켜, 다시 편평하게 유지시킬 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 형상 기억 합금층이 구비됨으로써, 플렉서블 디스플레이의 제조 공 정에 있어서의 다양한 온도 환경 하에서도 기판을 편평하게 유지할 수 있다. 따라서, 기판과 마스크 등의 사이의 얼라인먼트가 개선될 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 형상 기억 합금층이 구비됨으로써, 사용자의 사용에 따른 변형 또는 사용 환경의 온도에 따른 변형을 복원할 수 있다. 따라서, 플렉서블 디스플레이 장치를 다시 편평하게 유지시킬 수 있어, 디스플레이 성능을 개선할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부;
    상기 소자부가 배치되는 기판; 및
    상기 기판의 적어도 일측면에 마련되는 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer);을 구비하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층은 상기 기판의 배면에 마련되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층은 상기 기판과 상기 소자부 사이에 마련되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층과 상기 소자부 사이에 버퍼(buffer)층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층은 상기 기판의 배면 및 상기 기판과 상기 소자부 사이에 마련되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층과 상기 소자부 사이에 버퍼(buffer)층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층은 Ni-Ti 계열 또는 Cu-Zn-Al 계열로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 두께는 실질적으로 200μm 인 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층의 두께는 2μm 내지 10μm 인 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층의 두께는 실질적으로 5μm 인 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 두께가 200μm 보다 큰 경우, 상기 형상 기억 합금층의 두께는 10μm 보다 큰 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 소자부는 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위한 단위 소자로 OLED, LCD, e-ink, TFT, MOS 트랜지스터 또는 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층은 PVD(physical vapor deposition) 방법에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  14. 기판을 마련하는 단계;
    상기 기판 위에 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부를 마련하는 단계; 및
    상기 기판의 적어도 일측면에 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer)을 마련하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층을 상기 기판의 배면에 마련하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층을 상기 기 판과 상기 소자부 사이에 마련하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층과 상기 소자부 사이에 버퍼(buffer)층을 구비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층을 상기 기판의 배면 및 상기 기판과 상기 소자부 사이에 마련하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층과 상기 소자부 사이에 버퍼(buffer)층을 구비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 형상 기억 합금층을 마련하는 단계는 상기 형상 기억 합금층이 PVD(physical vapor deposition) 방법에 의하여 상기 기판 위에 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
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