KR20060074388A - Luminescence device and method of manufacturing the same - Google Patents
Luminescence device and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060074388A KR20060074388A KR20040113117A KR20040113117A KR20060074388A KR 20060074388 A KR20060074388 A KR 20060074388A KR 20040113117 A KR20040113117 A KR 20040113117A KR 20040113117 A KR20040113117 A KR 20040113117A KR 20060074388 A KR20060074388 A KR 20060074388A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- type semiconductor
- transparent electrode
- mesh
- type
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 P형 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 패터닝하여 상기 N형 반도체층의 일부를 개방하는 단계와, 상기 P형 반도체층 상에 매시 형태의 투명전극을 형성하는 단계 및 상기 N형 반도체층 상에 N형 전극을 형성하고, 상기 투명전극 또는 상기 투명전극 및 상기 P형 반도체층 상에 P형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. The present invention relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same, including forming an N-type semiconductor layer, an active layer, and a P-type semiconductor layer on a substrate, and patterning the P-type semiconductor layer and a portion of the active layer to form the N-type semiconductor. Opening a portion of the layer, forming a transparent electrode in a mesh form on the P-type semiconductor layer, and forming an N-type electrode on the N-type semiconductor layer, and forming the transparent electrode or the transparent electrode and the P It provides a light emitting device manufacturing method comprising the step of forming a P-type electrode on the semiconductor semiconductor layer.
이와같이 투명전극을 형성하여 발광 소자의 광출력 및 광투과율을 향상시킬 수 있고, ITO 투명전극을 증착하고, 이를 매시 패턴으로 형성하여 공정을 단순화 시킬 수 있어 제조 원가를 줄일 수 있다.
As such, the transparent electrode may be formed to improve light output and light transmittance of the light emitting device, and the ITO transparent electrode may be deposited and formed into a mesh pattern to simplify the process, thereby reducing manufacturing costs.
발광 소자, 투명전극, 매시 형태, 광출력, ITOLight emitting element, transparent electrode, mesh shape, light output, ITO
Description
도 1은 종래의 발광 소자를 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional light emitting device.
도 2는 종래의 발광 소자를 설명하기 위한 평면도.2 is a plan view for explaining a conventional light emitting device.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 매시형태의 투명전극을 설명하기 위한 발광 소자의 평면도.4A to 4C are plan views of light emitting devices for explaining the transparent electrode of the mash form of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10, 110 : 기판 20 : N-GaN층10, 110: substrate 20: N-GaN layer
30, 130 : 활성층 40 : P-GaN층30, 130: active layer 40: P-GaN layer
50, 150 : 투명전극 60, 70, 160, 170 : 전극50, 150:
120 : N형 반도체층 140 : P형 반도체층
120: N-type semiconductor layer 140: P-type semiconductor layer
본 발명은 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 발광 소자의 투명전극에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof, and to a transparent electrode of the light emitting device.
종래의 발광 소자는 사파이어 기판 상에 N-GaN층, 활성층 및 P-GaN층을 순차적으로 형성한다. 이때, N-GaN층 하부의 사파이어 기판이 부도체이기 때문에 N-GaN층 상부의 활성층과 P-GaN층의 일부를 식각하여 N-GaN층을 노출시켜 이를 외부 전원과 연결하였다. 또한, P-GaN층의 저항 성분이 매우 크기 때문에 P-GaN층 상부 표면에 균일하게 전압을 인가할 수 있도록 P-GaN층 상부에 균일한 두께의 판형상의 투명전극을 형성하였다. Conventional light emitting devices sequentially form an N-GaN layer, an active layer and a P-GaN layer on a sapphire substrate. At this time, since the sapphire substrate under the N-GaN layer is an insulator, a portion of the active layer and the P-GaN layer on the N-GaN layer are etched to expose the N-GaN layer and connected to an external power source. In addition, since the resistance component of the P-GaN layer is very large, a plate-shaped transparent electrode having a uniform thickness is formed on the P-GaN layer so that voltage can be applied uniformly to the upper surface of the P-GaN layer.
도 1은 종래의 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2는 종래의 발광 소자를 설명하기 위한 평면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a conventional light emitting device, and FIG. 2 is a plan view illustrating a conventional light emitting device.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자는 사파이어 기판(10)과 사파이어 기판(10)상에 형성된 N-GaN층(20)과, N-GaN층(20) 일부 영역 상에 형성된 활성층(30)과, 활성층(30) 상에 형성된 P-GaN층(40)과, P-GaN층(40) 상에 형성된 투명전극(50)을 포함하고, 상기 N-GaN층(20) 및 투명전극(50) 상에 전극(60, 70)이 각각 형성된다. 이를 위해 사파이어 기판(10)상에 N-GaN층(20), 활성층(30) 및 P-GaN층(40)을 순차적으로 적층한 다음, P-GaN층(40)과 활성층(30)의 일부를 제거하여 N-GaN층(20)의 소정 영역을 개방한다. 이후, 투명전극(50)을 P-GaN층(40) 상에 형성하고, 개방된 N-GaN층(20) 상에 N전극(60)을 형성하고, 투명전극(50) 상에 P전극 (70)을 형성한다. 1 and 2, the light emitting device includes an N-
상술한 바와 같이 종래의 GaN계 발광 소자의 최상층에 형성된 P-GaN층(40)의 저항이 커 전기 전도성 특성이 좋지 않기 때문에 일반적으로 투명전극(50)을 P-GaN층(40) 상부 전면에 형성하여 사용하고 있다. 하지만, 이러한 투명전극(50)은 발광 소자의 전기 전도적인 특성은 향상시킬 수는 있지만 활성층에서 발생한 광을 흡수하는 문제점과, P-GaN층과 투명전극 사이의 계면에 많은 열이 발생하여 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제점을 갖고 있다. As described above, since the resistance of the P-
또한, P-GaN층 상부에 형성된 투명전극은 그 표면이 매끄러운 판형상으로 형성되기 때문에 그 표면에서 광자가 반사되는 등의 문제로 인해 소자의 외부 양자 효율이 낮아지는 문제점이 발생한다.
In addition, since the surface of the transparent electrode formed on the P-GaN layer has a smooth plate shape, there is a problem in that the external quantum efficiency of the device is lowered due to a problem such that photons are reflected from the surface.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 요철 형상의 굴절패턴을 갖는 투명전극을 통해 P형 반도체층의 전기 전도성을 향상시킬 뿐만 아니라 소자의 신뢰성을 향상시키고, 발광 소자의 외부 양자 효율을 상승시킬 수 있는 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
Accordingly, the present invention not only improves the electrical conductivity of the P-type semiconductor layer but also improves the reliability of the device and increases the external quantum efficiency of the light emitting device through the transparent electrode having the uneven refractive pattern in order to solve the above problems. It is an object of the present invention to provide a light emitting device and a method of manufacturing the same.
본 발명에 따른 기판 상에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 P형 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 패터닝하여 상기 N형 반도 체층의 일부를 노출시키는 단계와, 상기 P형 반도체층 상에 매시 형태의 투명전극을 형성하는 단계 및 상기 N형 반도체층 상에 N형 전극을 형성하고, 상기 투명전극 또는 상기 투명전극 및 상기 P형 반도체층 상에 P형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. Forming an N-type semiconductor layer, an active layer and a P-type semiconductor layer on a substrate according to the present invention, patterning the P-type semiconductor layer and a portion of the active layer to expose a portion of the N-type semiconductor layer, Forming a transparent electrode having a mesh shape on the P-type semiconductor layer, and forming an N-type electrode on the N-type semiconductor layer, and forming a P-type electrode on the transparent electrode or the transparent electrode and the P-type semiconductor layer. It provides a method of manufacturing a light emitting device comprising the step of forming.
여기서, 상기 매시 형태의 투명전극을 형성하는 단계는, 상기 P형 반도체층 상에 전기 빔 증착법으로 상기 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 투명전극 상에 역 매시 패턴의 감광막 패턴을 형성하는 단계 및 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 하는 식각공정을 통해 투명전극을 제거하는 단계를 포함한다. The forming of the transparent electrode of the mesh type may include forming the transparent electrode on the P-type semiconductor layer by an electric beam deposition method, forming a photoresist pattern of an inverse mesh pattern on the transparent electrode; And removing the transparent electrode through an etching process using the photoresist pattern as an etching mask.
이때, 매시 형태의 상기 투명전극의 노출된 영역의 형상이 평면도로 볼 때, 삼각형, 사각형, 육각형 등과, 같은 다각형과 원형과, 타원형과, 톱니형 중 적어도 어느 하나의 형상으로 형성되고 단면도상으로는 피라미드형으로 형성되지만 옆면이 볼록 또는 오목한 형상으로 되고 피라미드 꼭지점은 평평한 모양으로 제작된다. 또한, 상기 매시 형태는 직선 형태, 사선 형태, 두 직선이 교차된 형태, 두사선이 교차된 형태, 직선과 사선이 교차된 형태 및 매트릭스 배열된 도형 형태중 적어도 어느 하나의 패턴 형태이다. At this time, the shape of the exposed area of the transparent electrode in the form of a mesh is formed in at least one of a polygon, a circle, an ellipse, and a sawtooth, such as a triangle, a rectangle, a hexagon, and the like, and a pyramid in a cross-sectional view. It is shaped into a shape, but its sides are convex or concave, and the pyramid vertices are produced in a flat shape. In addition, the mesh shape may be at least one of a pattern shape among a straight line, a diagonal line, a cross line between two straight lines, a cross line between two diagonal lines, a cross line between a straight line and an oblique line, and a matrix form.
또한, 본 발명에 따른 기판과, 상기 기판상에 형성된 N형 반도체층과, 상기 N형 반도체층 일부 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 P형 반도체층과, 상기 P형 반도체층 상에 형성된 매시 형태의 투명전극 및 상기 N형 반도체층 상에 형성된 N형 전극과, 상기 투명전극 또는 상기 투명전극 및 상기 P형 반도체층 상에 형성된 P형 전극을 포함하는 발광 소자를 제공한다. Further, a substrate according to the present invention, an N-type semiconductor layer formed on the substrate, an active layer formed in a portion of the N-type semiconductor layer, a P-type semiconductor layer formed on the active layer, and the P-type semiconductor layer Provided is a light emitting device including a formed mesh-shaped transparent electrode, an N-type electrode formed on the N-type semiconductor layer, and a P-type electrode formed on the transparent electrode or the transparent electrode and the P-type semiconductor layer.
여기서, 매시 형태의 상기 투명전극의 노출된 영역의 형상이 삼각형, 사각형, 육각형 등과, 같은 다각형과 원형과, 타원형과, 톱니형 중 적어도 어느 하나의 형상으로 형성되고 단면도상으로는 피라미드형으로 형성되지만 옆면이 볼록 또는 오목한 형상으로 되고 피라미드 꼭지점은 평평한 모양으로 제작된다. 또한, 상기 매시 형태는 직선 형태, 사선 형태, 두 직선이 교차된 형태, 두사선이 교차된 형태, 직선과 사선이 교차된 형태 및 매트릭스 배열된 도형 형태중 적어도 어느 하나의 패턴 형태이다. Here, the shape of the exposed area of the transparent electrode in the shape of a mesh is formed in at least one of a polygon, a circle, an oval, and a sawtooth, such as a triangle, a rectangle, a hexagon, and the like, and a pyramid in cross-section, It is convex or concave and the pyramid vertices are produced in a flat shape. In addition, the mesh shape may be at least one of a pattern shape among a straight line, a diagonal line, a cross line between two straight lines, a cross line between two diagonal lines, a cross line between a straight line and an oblique line, and a matrix form.
그리고, 상기 P형 반도체층의 표면적을 1 로 하였을 경우, 이 상부에 형성된 상기 매시 형태의 상기 투명전극이 상기 P형 반도체층 표면적의 0.1 내지 0.9 정도로 그 표면에 고르게 분포된다.
When the surface area of the P-type semiconductor layer is 1, the transparent electrode in the form of the mesh formed thereon is evenly distributed on the surface at about 0.1 to 0.9 of the surface area of the P-type semiconductor layer.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention.
도 3a를 참조하면, 사파이어 기판(110) 상에 N형 반도체층(120), 활성층 (130) 및 P형 반도체층(140)을 순차적으로 형성한다. P형 반도체층(140) 및 활성층(130)의 일부를 패터닝 하여 N형 반도체층(140)의 일부를 노출시킨다. Referring to FIG. 3A, the N-
상기의 N형 반도체층(120)은 N형 불순물이 주입된 질화갈륨(GaN)막을 사용하는 것이 바람직하고, 이에 한정되지 않고 다양한 반도체 성질의 물질층이 가능하다. 또한, P형 반도체층(140) 또한 P형 불순물이 주입된 질화갈륨막을 사용한다. 이때, P형 반도체층(140)에 고농도 이온주입을 통해 상부의 투명전극층(150)과 P형 반도체층(140)간의 접촉저항을 줄이도록 한다. 상기에서 N형의 불순물로는 Si를 사용하고, P형의 불순물로는 InGaAlP를 사용할 경우에는 Zn을 사용하고, 질화물계일때는 Mg를 사용한다. The N-
또한 활성층(130)으로는 InGaN막을 사용하되, 효율을 높이기 위해 다중양자우물구조를 삽입한다. 이때, 우물층과 장벽층의 조성 및 두께를 제어하여 목표로 하는 파장의 빛을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 상술한 구조에 한정되지 않고, 발광소자의 특성에 따라 각각의 층사이에 다양한 층들이 더 형성될 수 있다. 즉, N형 반도체층(120) 하부와 기판(110) 사이에 별도의 버퍼층을 더 형성할 수 있다. 또한, 활성층(120)으로 다수의 막으로 이루어진 층으로 구성할 수도 있다. In addition, an InGaN film is used as the
상술한 바와 같이 다수의 발광 반도체막층을 형성한 다음, 그 상부에 제 1 감광막 패턴을 형성한다. 즉, P형 반도체층(140)상에 감광막을 도포한 다음, 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 N형 전극이 형성될 영역을 개방하는 제 1 감광막 패턴을 형성한다. 상기 제 1 감광막 패턴을 식각마스크로 하는 식각공정을 통해 P형 반도체층(140) 및 활성층(130)을 제거하여 하부의 N형 반도체층(120)을 노출한 다. As described above, a plurality of light emitting semiconductor film layers are formed, and then a first photosensitive film pattern is formed thereon. That is, after the photosensitive film is coated on the P-
도 3b를 참조하면, P형 반도체층(140) 상에 매시(Mesh) 형태의 투명전극(150)을 형성한다. Referring to FIG. 3B, a
이를 위해 먼저 P형 반도체층(140) 상부영역을 제외한 영역에 제 2 감광막 패턴을 형성한다. 이후, 노출된 P형 반도체층(140) 상에 전기 빔(Electric Beam)으로 투명전극(150)을 증착한다. 전기 빔 증착은 챔버내에 증착할 시료와 소스를 로딩하고, 고 진공 상태 <5.0×107 torr이하에서 증착을 실시한다. 외부의 전압은 10000V 전압을 흘려 에미터 어셈블리 파트(Emmitter Assembly Part)의 텅스텐을 통과한 빔이 하스 포켓(Hass Pocket)의 소스에 맞게 되면 챔버내에 로딩된 웨이퍼에 소정의 박막이 증착되는 증착법을 사용한다. 이때, 챔버 상단의 크리스탈 센서(Crystal Sensor)가 금속 두께를 스케하여 증착되는 막의두께를 조절할 수있다. To this end, first, a second photoresist layer pattern is formed in an area except the upper region of the P-
본 실시예에서는 투명전극(150)으로 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용한다. 투명전극(150) 상에 감광막을 도포한 다음, 소정이 마스크를 이용한 사진 식각공정을 실시하여 제 2 감광막 패턴을 형성한다. 이후, 상기 제 2 감광막 패턴을 식각마스크로 하는 식각공정을 실시하여 투명전극(150)을 제거하여 매시 형태의 굴절패턴을 갖는 투명전극을 형성한다. 상기 식각공정은 습식식각을 실시한다. 이후, 제 1 및 제 2 감광막 패턴을 제거한다.In this embodiment, indium tin oxide (ITO) is used as the
도 3c를 참조하면, 노출된 N형 반도체층(120) 상에 N형 전극(160)을 형성하고, 매시 형태의 투명전극(150) 상에 P형 전극(170)을 형성한다.
Referring to FIG. 3C, the N-
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 매시형태의 투명전극을 설명하기 위한 발광 소자의 평면도들이다. 4A to 4C are plan views illustrating light emitting devices for explaining the transparent electrode of the mesh type according to the present invention.
매시 형태의 굴절 패턴중 노출된 영역의 형상은 삼각형, 사각형, 육각형 등과, 같은 다각형과 원형과, 타원형과, 톱니형 중 적어도 어느 하나의 형상으로 형성한다. 이때 매시 형태는 직선 형태, 사선 형태, 두 직선이 교차된 형태, 두사선이 교차된 형태, 직선과 사선이 교차된 형태 및 매트릭스 배열된 도형 형태중 적어도 어느 하나의 패턴 형태인 것이 효과적이다. The exposed region of the mesh-type refraction pattern is formed in at least one of a polygon, a circle, an ellipse, and a sawtooth, such as a triangle, a rectangle, a hexagon, and the like. In this case, it is effective that the mesh form is at least one pattern form among a straight line, an oblique line, two straight lines intersecting, two intersecting lines intersecting, a straight line intersecting an oblique line, and a matrix arranged figure form.
도 4a에서와 같이 사각형태의 노출영역이 매트릭스 배열된 매시 형태의 투명전극(150)이 형성되어 있다. 이때 사각 형태의 노출영역을 통해 P형 반도체층(140)이 노출되어 있다. 도 4b 및 도 4c에서와 같이 원형 형태 및 육각형의 노출영역을 갖는 매시 형태의 투명전극(150)이 형성되어 있다. 본 실시예서의 매시 형태의 투명전극(150)의 노출영역의 형상은 상술한 설명에 한정되지 않고 다양한 형상이 가능하다. 이때, 전체 P형 반도체층(140)의 표면적을 1 로 하였을 경우, 이 상부에 형성된 매시 형태의 투명전극(150)이 P형 반도체층(140)의 표면적에 0.1 내지 0.9 정도를 P형 반도체층(140)의 표면에 고르게 분포되도록 형성하는 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는 0.3 내지 0.8 정도 P형 반도체층(140)의 표면적을 고르게 덮도록 형성한다. As shown in FIG. 4A, a
또한, 본 발명의 매시 형태의 투명전극(150) 중 P형 전극(170)이 형성될 영역에는 노출영역이 형성되지 않도록 하는 것이 효과적이다. 이는 P형 전극(170)과 투명전극(150) 간의 저항을 최소화 할 수 있고, P형 전극(170) 형성시 하부 단차로 인한 P형 전극(170) 형상이 왜곡되는 현상을 미연에 방지할 수 있다. In addition, it is effective to prevent the exposed region from being formed in the region where the P-
상술한 바와 같이 매시 형상의 투명전극 즉, 소정의 관통영역을 갖는 투명전극을 통해 발광 소자의 광출력시 임계각이 좁아져 광출력 및 광투과율에 있어서 종래의 소자보다 우수한 발광 소자를 제조할 수 있다. 이때, 굴절률은 GaN이 2.4 이고, ITO가 2.0 이다. 이와 같이 ITO의 임계각 매시 구조를 통해 임계각이 좁아진 상태로 광자 움직임을 제어하여 광효율을 증대시킬 수 있다.GaN(2.4)>ITO(2.0)>SiO2 (1.4)>에폭시 (1.8)의 굴절률등식이 성립되어야 하는데 SiO2에서 에폭시(epoxy)로 굴절률을 보면 낮은 상수에서 다시 높은 상수로 바뀌게 되면 오히려 투과율이 좋지 않은 결과를 낼수있다. 이러한 칩 표면 보호와 굴절률향상을 위한 패시베이션(Passivation)역할로 SiO2를 증착하게 되는데 ITO가 투명전극으로 사용될 경우는 SiO2를 사용하지 않을 수 있다. 임계각(critical angle)은 굴절률이 큰 물질에서 작은 물질로 빛이 입사할때, 그 이상의 더 큰 각도에서는 전반사가 일어나게 되는 입사각의 값을 지칭한다.As described above, through the mesh-shaped transparent electrode, that is, the transparent electrode having a predetermined through area, the critical angle at the time of light output of the light emitting device is narrowed, thereby making it possible to manufacture a light emitting device superior to the conventional device in light output and light transmittance. . At this time, the refractive index is GaN is 2.4 and ITO is 2.0. In this way it controls the motion of photons in the critical angle is narrowed state through the critical angle mash structure of ITO can increase the luminous efficiency is the refractive index of the equation .GaN (2.4)> ITO (2.0 )> SiO 2 (1.4)> epoxy (1.8) If we look at the refractive index from SiO 2 to epoxy, changing from low to high again may result in poor transmittance. SiO 2 is deposited as a passivation role for protecting the chip surface and improving the refractive index. When ITO is used as a transparent electrode, SiO 2 may not be used. Critical angle refers to the value of the angle of incidence where total reflection occurs at larger angles when light is incident from a material with a high refractive index to a smaller material.
에폭시의 굴절률보다 SiO2의 굴절률이 낮은 관계로 이는 굴절률의 변화로 인하여 SiO2의 역할이 줄어들 수 있다. 이는 기능적인 요소로서 ITO의 특성 중 열적안정화, 높은 효율, 좋은 접촉저항, 낮은 작동 전류 등으로 확인된다.Since the refractive index of SiO 2 is lower than that of epoxy, the role of SiO 2 may be reduced due to the change of refractive index. This is a functional factor, which is confirmed by the thermal stability, high efficiency, good contact resistance and low operating current among the characteristics of ITO.
상술한 구성을 갖는 본 발명의 발광 소자는 기판과, 기판상에 형성된 N형 반도체층과, N형 반도체층 일부 영역에 형성된 활성층과, 활성층 상에 형성된 P형 반 도체층과, P형 반도체층 상에 형성된 매시 형태의 투명전극과, N형 반도체층 상에 형성된 N형 전극과, 투명전극 또는 투명전극 및 P형 반도체층 상에 형성된 P형 전극을 포함한다. 이러한 매쉬 형태의 ITO 투명전극을 형성함으로 인해 광자의 임계각을 줄여 소자의 특성을 약 120% 이상 향상시킬 수 있다. 즉, 스케터링 포톤(scattering Photon) 들의 임계각을 좁혀주어 원할한 각을 형성할 수 있다. 본 발명의 ITO 후면에 0.001㎛ 내지 2.0㎛두께의 반사금속(Reflector metal)층을 증착 또는 성장시키는 것이 바람직하다. 또한, N형 반도체층 전체 영역에 대해서 텍스춰링(Texturing)을 조성할 수 이다.
The light emitting device of the present invention having the above-described configuration includes a substrate, an N-type semiconductor layer formed on the substrate, an active layer formed in a portion of the N-type semiconductor layer, a P-type semiconductor layer formed on the active layer, and a P-type semiconductor layer And a transparent electrode in a mesh form formed on the N-type semiconductor layer, an N-type electrode formed on the N-type semiconductor layer, and a P-type electrode formed on the transparent electrode or transparent electrode and the P-type semiconductor layer. By forming such a mesh type ITO transparent electrode, it is possible to reduce the critical angle of the photon to improve the characteristics of the device by about 120% or more. That is, by narrowing the critical angle of the scattering photons (scattering photon) it can form a desired angle. It is preferable to deposit or grow a reflective metal layer having a thickness of 0.001 μm to 2.0 μm on the back surface of the ITO of the present invention. In addition, texturing may be provided for the entire region of the N-type semiconductor layer.
상술한 바와 같이, 본 발명은 매쉬 형태의 투명전극을 형성하여 발광 소자의 광출력 및 광투과율을 향상시킬 수 있다. As described above, the present invention can form a mesh-shaped transparent electrode to improve the light output and the light transmittance of the light emitting device.
또한, ITO 투명전극을 증착하고, 이를 매시 패턴으로 형성하여 공정을 단순화 시킬 수 있어 제조 원가를 줄일 수 있다.
In addition, by depositing an ITO transparent electrode and forming it in a mesh pattern, the process can be simplified to reduce manufacturing costs.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20040113117A KR101171357B1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | luminescence device and Method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20040113117A KR101171357B1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | luminescence device and Method of manufacturing the same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100053822A Division KR20100083112A (en) | 2010-06-08 | 2010-06-08 | Luminescence device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060074388A true KR20060074388A (en) | 2006-07-03 |
KR101171357B1 KR101171357B1 (en) | 2012-08-13 |
Family
ID=37167154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20040113117A KR101171357B1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | luminescence device and Method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101171357B1 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936058B1 (en) * | 2008-05-20 | 2010-01-08 | 고려대학교 산학협력단 | Gallium nitride light emitting diode and method for manufacturing the same |
KR100941136B1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-02-09 | 고려대학교 산학협력단 | Light emitting diode in which electrode with mesh structure is formed and method for manufacturing the same |
CN102468378A (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-23 | 孙智江 | Manufacture method of mesh transparent electrode |
KR20180060491A (en) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 전북대학교산학협력단 | Hybrid transparent electrode and light emitting diode comprising the same |
CN112885815A (en) * | 2021-01-20 | 2021-06-01 | 北京创盈光电医疗科技有限公司 | Medical LED chip and preparation method thereof |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004055646A (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | P-side electrode structure of light-emitting diode element |
KR100452751B1 (en) | 2003-06-03 | 2004-10-15 | 삼성전기주식회사 | III-Nitride compound semiconductor light emitting device with mesh type electrode |
KR100423185B1 (en) * | 2003-10-21 | 2004-03-18 | 에피밸리 주식회사 | III-Nitride compound semiconductor light emitting device |
-
2004
- 2004-12-27 KR KR20040113117A patent/KR101171357B1/en active IP Right Grant
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936058B1 (en) * | 2008-05-20 | 2010-01-08 | 고려대학교 산학협력단 | Gallium nitride light emitting diode and method for manufacturing the same |
KR100941136B1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-02-09 | 고려대학교 산학협력단 | Light emitting diode in which electrode with mesh structure is formed and method for manufacturing the same |
CN102468378A (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-23 | 孙智江 | Manufacture method of mesh transparent electrode |
KR20180060491A (en) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 전북대학교산학협력단 | Hybrid transparent electrode and light emitting diode comprising the same |
CN112885815A (en) * | 2021-01-20 | 2021-06-01 | 北京创盈光电医疗科技有限公司 | Medical LED chip and preparation method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101171357B1 (en) | 2012-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10529895B2 (en) | Optoelectronic semiconductor device | |
KR101188634B1 (en) | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same | |
KR100640497B1 (en) | Vertically structured gan type led device | |
JP5646503B2 (en) | Optoelectronic semiconductor chip and method of manufacturing optoelectronic semiconductor chip | |
CN109768138B (en) | Light emitting diode chip and manufacturing method thereof | |
JP2006128727A (en) | Semiconductor light-emitting element | |
CN111653653B (en) | Light-emitting device, manufacturing method thereof and display panel | |
KR20050123028A (en) | Light emitting diode with vertical structure and method manufacturing for the same | |
KR100616591B1 (en) | Nitride semiconductor light emitting diode and fabrication method thereof | |
KR20120059200A (en) | Light emitting diode and method for fabricating the same | |
TWI593137B (en) | Luminous element with heterogeneity material pattern and method for manufacturing the same | |
KR101171357B1 (en) | luminescence device and Method of manufacturing the same | |
JP2005039197A (en) | Semiconductor light emitting element and its manufacturing method | |
KR101239852B1 (en) | GaN compound semiconductor light emitting element | |
JP2006128726A (en) | Semiconductor light-emitting element | |
TWI517444B (en) | Optoelectronic semiconductor device | |
KR20130044909A (en) | Light emitting device package and method of manufacturing the same | |
KR100650990B1 (en) | GaN-based light emitting diode and Manufacturing method of the same | |
KR101805301B1 (en) | Ultraviolet Light-Emitting Diode with p-type ohmic contact electrode pattern to enhance the light extraction | |
TWI398023B (en) | A light-emitting device having a patterned surface | |
JP2006019764A (en) | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method | |
KR101028345B1 (en) | Manufacturing method of iii-nitride semiconductor light enitting device | |
KR100601144B1 (en) | GaN-based Semiconductor Light Emitting Device | |
KR20100083112A (en) | Luminescence device | |
KR100452749B1 (en) | III-Nitride compound semiconductor light emitting device with fine and high density surface gratings |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150701 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170613 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180612 Year of fee payment: 7 |