KR20060070951A - Bake unit for heating wafer evenly used for photolithography apparatus - Google Patents

Bake unit for heating wafer evenly used for photolithography apparatus Download PDF

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KR20060070951A
KR20060070951A KR1020040109831A KR20040109831A KR20060070951A KR 20060070951 A KR20060070951 A KR 20060070951A KR 1020040109831 A KR1020040109831 A KR 1020040109831A KR 20040109831 A KR20040109831 A KR 20040109831A KR 20060070951 A KR20060070951 A KR 20060070951A
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이관흠
이상호
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삼성전자주식회사
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    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Abstract

본 발명은 포토 설비의 베이크 장치에 관한 것으로, 챔버와; 상기 챔버의 하부에 설치되어 웨이퍼를 장착하는 플레이트와; 상기 플레이트와 상하로 대면하도록 상기 챔버 상부에 설치되어 상기 플레이트에 장착되는 웨이퍼를 가열하는 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 램프를 통한 복사열에 의한 가열 방식으로 웨이퍼의 전영역에 대한 온도를 고르게 빠르게 상승시킴으로써 기존의 접촉 가열 방식에 의한 웨이퍼 영역별 온도 변화 차이를 줄일 수 있게 된다. 따라서, 웨이퍼에 형성된 패턴의 임계치수(CD)를 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a baking apparatus for a photo equipment, comprising: a chamber; A plate installed under the chamber to mount a wafer; And a member installed on the chamber to face the plate up and down to heat the wafer mounted on the plate. According to this, the temperature change of the wafer region by the conventional contact heating method can be reduced by rapidly raising the temperature of the entire region of the wafer by the heating method by the radiant heat through the lamp. Therefore, there is an effect that the critical dimension CD of the pattern formed on the wafer can be kept uniform.

Description

웨이퍼를 고르게 가열할 수 있는 포토 설비의 베이크 장치{BAKE UNIT FOR HEATING WAFER EVENLY USED FOR PHOTOLITHOGRAPHY APPARATUS}BAKE UNIT FOR HEATING WAFER EVENLY USED FOR PHOTOLITHOGRAPHY APPARATUS}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 베이크 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a baking apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 베이크 장치의 램프 어레이를 도시한 평면도이다.2 is a plan view showing a lamp array of the baking apparatus according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100; 챔버 112; 웨이퍼 가이드100; Chamber 112; Wafer guide

120; 챔버 커버 130; 램프120; Chamber cover 130; lamp

140; 이중 필터 140a, 140b; 필터140; Double filter 140a, 140b; filter

142a, 142b; 개구 150; 배기구142a, 142b; Opening 150; Air vent

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 가열할 수 있는 포토 설비의 베이크 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a baking apparatus of a photo equipment capable of heating a wafer.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 소정의 막을 형성시킨 후 소정의 막을 원하는 패턴을 형성함으로써 제조된다. 이러한 패턴의 형성은 주로 포토레지스 트(Photo Resist)를 이용한 사진 식각 공정으로 이루어진다. 사진 식각 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포시키는 도포 공정, 포토레지스트를 노광시키는 노광 공정 및 포토레지스트를 현상시키는 현상 공정 등으로 이루어진다. 사진 식각 공정의 수행에서는 웨이퍼를 장착하여 소정의 온도로 가열시킬 수 있는 포토 설비의 베이크 장치를 주로 이용한다.Generally, a semiconductor device is manufactured by forming a predetermined film on a wafer and then forming a desired pattern of the predetermined film. The formation of such a pattern is mainly performed by a photo etching process using a photo resist. The photolithography process includes a coating step of applying a photoresist on a wafer, an exposure step of exposing the photoresist, a developing step of developing the photoresist, and the like. In performing the photolithography process, a baking apparatus of a photo equipment which can mount a wafer and heat it to a predetermined temperature is mainly used.

구체적으로, 베이크 장치의 플레이트에 웨이퍼를 장착하고 그 웨이퍼를 소정의 온도로 가열함으로써 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트에 함유된 솔벤트를 제거시키는 것이다. 여기서, 솔벤트 제거를 위한 웨이퍼 가열시 온도의 균일도가 유지되어야 하고, 웨이퍼 상에 형성된 패턴이 미세화되어가는 최근의 반도체 소자의 제조에서는 온도 균일도의 유지는 임계치수(CD)를 제어하는데 중요한 요소로 작용한다.Specifically, the solvent contained in the photoresist applied on the wafer is removed by mounting the wafer on a plate of the baking apparatus and heating the wafer to a predetermined temperature. Here, the temperature uniformity should be maintained when heating the wafer for solvent removal, and in the recent manufacture of semiconductor devices in which the pattern formed on the wafer is miniaturized, maintaining the temperature uniformity is an important factor in controlling the critical dimension (CD). do.

그런데, 종래의 베이크 장치에 있어서 웨이퍼를 가열시키는 것은 웨이퍼와 플레이트의 직접 접촉에 의한 방식을 사용하였다. 따라서, 웨이퍼가 제조 공정상 어느 정도 휘어져 있어서 플레이트와 직접 닿지 않는 곳은 그렇지 않은 곳에 비해 온도가 상대적으로 조금 낮을 수 있어 웨이퍼 전영역에 걸쳐 비균일한 온도로 상승될 수 있어 패턴의 임계치수(CD)가 균일하게 되지 않을 수 있었다. By the way, in the conventional baking apparatus, the method of heating a wafer used the method by the direct contact of a wafer and a plate. Therefore, where the wafer is bent to some extent in the manufacturing process and not directly in contact with the plate, the temperature may be relatively low compared to the place where it is not so that the temperature may rise to non-uniform temperature over the entire wafer area. ) Could not be uniform.

다른 예로는, 플레이트 자체의 온도 편차에 의해 웨이퍼 전영역이 고르게 가열되지 않을 수 있어 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 임계치수(CD)의 균일도가 불량하게 되는 경우도 있었다. 특히, 포토레지스트 플로우(PR Flow) 공정에서 웨이퍼의 영역별 온도차에 의해 포토레지스트 플로우 비(PR Flow Ratio)가 달려져 패턴의 임 계치수(CD) 산포가 불량하게 되는 경우도 있었다.As another example, the entire wafer area may not be heated evenly due to the temperature variation of the plate itself, which may result in poor uniformity of the critical dimension CD of the pattern formed on the wafer. In particular, the photoresist flow ratio (PR Flow Ratio) is determined by the temperature difference for each region of the wafer in the photoresist flow (PR Flow) process, so that the threshold size (CD) distribution of the pattern may be poor.

이에 본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼를 고르게 가열할 수 있는 포토 설비의 베이크 장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, an object of the present invention is to provide a baking apparatus of a photo equipment that can evenly heat the wafer.

상기 목적을 구현할 수 있는 본 발명에 따른 베이크 장치는 램프를 통한 복사열에 의한 가열 방식으로 웨이퍼의 온도를 고르게 상승시키는 것을 특징으로 한다.Baking apparatus according to the present invention that can achieve the above object is characterized in that to increase the temperature of the wafer evenly by the heating method by the radiant heat through the lamp.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 포토 설비의 베이크 장치는, 챔버와; 상기 챔버의 하부에 설치되어 웨이퍼를 장착하는 플레이트와; 상기 플레이트와 상하로 대면하도록 상기 챔버 상부에 설치되어 상기 플레이트에 장착되는 웨이퍼를 가열하는 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.Baking apparatus for a photo equipment according to an embodiment of the present invention that can implement the above features, the chamber; A plate installed under the chamber to mount a wafer; And a member installed on the chamber to face the plate up and down to heat the wafer mounted on the plate.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 부재는 상기 챔버 상부에 밀집된 형태로 고르게 배열된 복수개의 램프를 포함하는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the invention, the member is characterized in that it comprises a plurality of lamps evenly arranged in a dense form on the chamber.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 복수개의 램프는 각각 독립적으로 동작하여 상기 웨이퍼를 영역별로 다른 온도로 가열할 수 있는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the plurality of lamps may operate independently of each other to heat the wafer to different temperatures for each region.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 복수개의 램프로부터 나오는 파장 중에서 상기 웨이퍼에 도포된 포토레지스트를 감광시키는 파장을 걸러주는 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In an embodiment of the present invention, the filter may further include a filter for filtering a photoresist applied to the wafer from among wavelengths emitted from the plurality of lamps.                     

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 필터는 상부 필터와 하부 필터를 포함하는 다중 필터인 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the filter is characterized in that a multi-filter including an upper filter and a lower filter.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 상부 필터와 상기 하부 필터는 각각 복수개의 개구가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the upper filter and the lower filter are each characterized in that a plurality of openings are formed.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 상부 필터의 개구와 상기 하부 필터의 개구는 서로 상하로 엇갈리도록 배치된 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the openings of the upper filter and the opening of the lower filter are arranged to be staggered up and down with each other.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 포토 설비의 베이크 장치는, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 소정의 온도로 상승시키는 베이킹 공정이 실질적으로 진행되는 밀폐된 공간을 제공하는 챔버와; 상기 챔버의 하부에 설치되어 상기 웨이퍼를 장착하는 플레이트와; 상기 플레이트와 상하로 대면하도록 상기 챔버 상부에 설치된 챔버 커버와; 상기 챔버 커버의 하면에 밀집된 형태로 고르게 설치되어 상기 웨이퍼를 영역별로 각각 다른 온도로 상승시키도록 열을 방출하여 상기 웨이퍼를 균일하게 가열할 수 있는 복수개의 램프와; 상기 복수개의 램프에서 나오는 파장 중에서 상기 웨이퍼에 도포된 포토레지스트를 감광시키는 파장을 포함하는 특정의 파장 대역을 걸러주는 상부 필터와 하부 필터로 구성된 이중 필터와; 상기 챔버의 상부로부터 유입되는 에이를 상기 챔버 외부로 배출시키도록 상기 챔버의 하부에 설치된 배기구를 포함하는 것을 특징으로 한다.A baking apparatus for a photo equipment according to a modified embodiment of the present invention capable of realizing the above characteristics comprises: a chamber providing an enclosed space in which a baking process for raising a photoresist-coated wafer to a predetermined temperature is substantially performed; A plate installed under the chamber to mount the wafer; A chamber cover disposed above the chamber to face the plate vertically; A plurality of lamps disposed evenly on a lower surface of the chamber cover and dissipating heat to raise the wafer to different temperatures for each region to uniformly heat the wafer; A double filter comprising an upper filter and a lower filter for filtering a specific wavelength band including a wavelength for photosensitive photoresist applied to the wafer among wavelengths emitted from the plurality of lamps; It characterized in that it comprises an exhaust port provided in the lower portion of the chamber to discharge the air flowing from the top of the chamber to the outside of the chamber.

본 발명의 변형 실시예에 있어서, 상기 상부 필터와 상기 하부 필터는 각각 복수개의 개구가 형성되어 있고, 상기 상부 필터의 개구와 상기 하부 필터의 개구는 서로 상하로 엇갈리도록 배치된 것을 특징으로 한다. In the modified embodiment of the present invention, the upper filter and the lower filter are each formed with a plurality of openings, characterized in that the opening of the upper filter and the opening of the lower filter are arranged so as to cross each other up and down.                     

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 에어는 가열된 에어인 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the invention, the air is characterized in that the heated air.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 복수개의 램프는 각각 인가되는 파워가 상이하여 각각 독립적으로 상기 웨이퍼를 가열할 수 있는 것을 특징으로 한다.In the exemplary embodiment of the present invention, the plurality of lamps may be different from each other, so that the wafers may be independently heated.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 플레이트는 열선을 포함하는 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the invention, the plate is characterized in that it comprises a heating wire.

본 발명에 의하면, 램프를 통한 복사열에 의한 가열 방식으로 웨이퍼의 전영역에 대한 온도를 고르게 빠르게 상승시킴으로써 기존의 접촉 가열 방식에 의한 웨이퍼 영역별 온도 변화 차이를 줄일 수 있게 된다. 따라서, 웨이퍼에 형성된 패턴의 임계치수(CD)를 균일하게 유지할 수 있게 되는 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the difference in temperature change for each wafer region by the conventional contact heating method by rapidly increasing the temperature of the entire region of the wafer by the heating method by the radiant heat through the lamp. Therefore, the effect that the critical dimension CD of the pattern formed in the wafer can be maintained uniformly can be obtained.

이하, 본 발명에 따른 포토 설비의 베이크 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a baking apparatus of a photo equipment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
Advantages over the present invention and prior art will become apparent through the description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 베이크 장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 베이크 장치의 램프 어레이를 도시한 평면도이다.1 is a cross-sectional view showing a baking apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view showing a lamp array of the baking apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 베이크 장치는 챔버(100) 내에 웨이퍼(W)를 장착할 수 있는 플레이트(110)와, 플레이트(110)와는 상하 대면하도록 챔버(100) 내에 배치된 챔버 커버(120)와, 챔버 커버(120)에 배치되어 웨이퍼(W)에 열을 전달할 수 있는 램프(130)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, the baking apparatus of the present embodiment includes a plate 110 capable of mounting the wafer W in the chamber 100, and a chamber cover disposed in the chamber 100 so as to face the plate 110 up and down. 120 and a lamp 130 disposed on the chamber cover 120 to transfer heat to the wafer (W).

챔버(100)의 상부로부터는 챔범(100) 내에서 발생할 수 있는 퓸(fume)을 제거하기 위해 에어(air), 바람직하게는 가열된 에어가 챔버(100) 내부로 유입되어 배기구(150)를 통해 외부로 배출된다.From the top of the chamber 100, air, preferably heated air, is introduced into the chamber 100 to remove fumes that may occur in the chamber 100, and the exhaust port 150 is opened. Through the outside.

챔버(100)의 하부에는 플레이트(110)가 배치되는데, 플레이트(110) 위에는 웨이퍼(W)가 장착된다. 플레이트(110)의 둘레에는 웨이퍼(W)의 슬라이딩을 방지할 수 있는 웨이퍼 가이드(112)가 더 마련될 수 있다. 웨이퍼 가이드(112)는 가령 플레이트(110)의 가장자리 둘레에 걸쳐 형성된 원형의 고리 모양일 수 있거나 또는 복수개의 돌출된 부위로 이루어질 수 있다. 한편, 플레이트(110)는 장착된 웨이퍼(W)를 가열할 수 있는 장치(예, 열선)을 더 가질 수 있어서 웨이퍼(W)를 접촉 방식에 의해 가열시킬 수 있다.The plate 110 is disposed below the chamber 100, and the wafer W is mounted on the plate 110. The wafer guide 112 may be further provided around the plate 110 to prevent the wafer W from sliding. The wafer guide 112 may be, for example, a circular annular shape formed around the edge of the plate 110 or may consist of a plurality of protruding portions. On the other hand, the plate 110 may further have a device (eg, a heating wire) capable of heating the mounted wafer (W) to heat the wafer (W) by a contact method.

챔버(100)의 상부에는 웨이퍼(W)를 가열할 수 있는 부재로서 램프(100)가 설치되어 있다. 램프(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 전영역을 포괄할 수 있도록 챔버 커버(120)의 하면에 밀집된 형태로 고르게 배치된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 직경이 아무리 크다하더라도 램프(100)가 포괄할 수 있는 웨이퍼(W)의 크기는 제한되지 아니한다. 여기서, 각각의 램프(100)는 독립적으로 동작될 수 있 도록, 즉 각각의 램프(100)에 인가되는 파워를 달리하여 웨이퍼(W)를 영역별로 가열할 수 있는 것이 바람직하다. 램프(100) 각각에 인가되는 파워를 달리하여 웨이퍼(W) 영역별로 가열할 수 있으면 웨이퍼(W)의 온도 제어가 용이해지기 때문이다. 이를 위해, 도면에는 도시하지 않았지만, 주지된 소정의 장치를 사용하여 램프(100)에 파워를 인가할 수 있는 램프 파워 콘트롤 유닛(Lamp Power Control Unit)으로 실제 웨이퍼(W)의 영역별 온도가 피드백(Feedback) 되도록 구성할 수 있다.In the upper portion of the chamber 100, a lamp 100 is provided as a member capable of heating the wafer W. As shown in FIG. 2, the lamp 100 is evenly disposed in a compact form on the lower surface of the chamber cover 120 to cover the entire area of the wafer W. As shown in FIG. Therefore, no matter how large the diameter of the wafer W is, the size of the wafer W that the lamp 100 can cover is not limited. Here, it is preferable that each lamp 100 can be operated independently, that is, it is possible to heat the wafer (W) for each area by changing the power applied to each lamp 100. This is because if the power applied to each of the lamps 100 can be heated for each of the regions of the wafer W, temperature control of the wafer W becomes easy. To this end, although not shown in the drawing, the temperature of each region of the actual wafer W is fed back to a lamp power control unit that can apply power to the lamp 100 using a predetermined device. It can be configured to be fedback.

한편, 베이크 장치는 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열함으로써 웨이퍼(W) 상에 도포된 포토레지스트에 함유된 솔벤트를 제거시키는 것이다. 그러므로, 램프(100)를 통해서 나오는 빛의 파장으로 인해서 웨이퍼(W) 상에 도포된 포토레지스트가 감광될 수 있다. 따라서, 램프(100)에서 나오는 특정의 파장, 예를 들어, 포토레지스트의 감광에 사용되는 빛의 파장이 248nm 이면 248nm 근처의 파장이 필터링될 수 있도록 램프(100)와 웨이퍼(W) 사이에 필터(140)를 설치하는 것이 바람직하다. 필터(140)에는 챔버(100) 상부로부터 유입되는 에어가 통과될 수 있는 개구(142a,142b)가 균일한 분포로 형성되어 있다.On the other hand, the baking apparatus removes the solvent contained in the photoresist applied on the wafer W by heating the wafer W to a predetermined temperature. Therefore, the photoresist applied on the wafer W may be exposed due to the wavelength of light emitted through the lamp 100. Thus, if a particular wavelength exiting the lamp 100, for example, the wavelength of light used for photoresist photosensitive, is 248 nm, then the wavelength between the lamp 100 and the wafer W can be filtered so that a wavelength near 248 nm can be filtered. It is preferable to install 140. In the filter 140, openings 142a and 142b through which air introduced from the upper part of the chamber 100 may pass are formed in a uniform distribution.

더 나아가서, 램프(100)에서 발하는 빛이 웨이퍼(W)의 특정 영역에만 집중되지 않도록 필터(140)를 다중 필터, 가령 이중 필터(140a,140b)로 구성하고 각 필터(140a,140b)에 형성되어 있는 개구(142a,142b)가 상하로 엇갈리게 배치하는 것이 더욱 바람직하다.Furthermore, the filter 140 is composed of multiple filters, for example, dual filters 140a and 140b and formed in each filter 140a and 140b so that the light emitted from the lamp 100 is not concentrated only in a specific area of the wafer W. More preferably, the openings 142a and 142b are arranged upside down.

상기와 같이 구성된 베이크 장치는 다음과 같이 동작한다.The baking apparatus configured as described above operates as follows.

포토레지스트가 도포된 웨이퍼(W)가 챔버(100)의 플레이트(110)에 장착된다. 포토레지스트에 남아있는 솔벤트를 제거하기 위해 웨이퍼(W)의 온도를 일정 온도로 상승시킨다. 이 경우 플레이트(110)와 웨이퍼(W)와의 직접적인 접촉 방식이 아닌 챔버 커버(120)에 어레이된 램프(130)에 의한 가열 방식을 적용한다. 그러면, 실제 웨이퍼(W)의 영역별 온도가 램프 파워 콘트롤 유닛으로 피드백되어 웨이퍼(W)의 영역별 램프(130)의 파워를 달리할 수 있으므로 웨이퍼(W)의 온도를 균일하게 제어할 수 있다. The wafer W coated with the photoresist is mounted on the plate 110 of the chamber 100. The temperature of the wafer W is raised to a constant temperature to remove the solvent remaining in the photoresist. In this case, the heating method by the lamp 130 arrayed in the chamber cover 120 is applied, not the direct contact between the plate 110 and the wafer (W). Then, the actual temperature of each wafer W is fed back to the lamp power control unit so that the power of the lamp 130 for each area of the wafer W can be varied so that the temperature of the wafer W can be uniformly controlled. .

한편, 램프(130)에 의한 웨이퍼(W) 가열시 발생할 수 있는 퓸을 제거하기 위해 챔버(100) 상부로부터 챔버(100) 내부로 에어, 바람직하게는 가열된 에어가 유입되도록 한다. 이에 따라, 에어가 이중 필터(140)의 개구(142a,142b)를 통과하여 웨이퍼(W)를 향하고 배기구(150)를 통해 외부로 배출된다. 여기서, 이중 필터(140)는 램프(130)의 파장에 의해 포토레지스트가 감광되는 현상을 방지하기 위해 특정의 파장을 걸려주는 역할을 담당한다. 그리고, 이중 필터(140)를 구성하는 각 필터(140a,140b)의 개구(142a,142b)는 상하로 엇갈려 위치하기 때문에 램프(130)에서 나오는 열이 웨이퍼(W)의 어느 한 곳에 집중되지 않는다.Meanwhile, air, preferably heated air, is introduced into the chamber 100 from the top of the chamber 100 in order to remove fumes that may occur when heating the wafer W by the lamp 130. Accordingly, the air passes through the openings 142a and 142b of the double filter 140 toward the wafer W and is discharged to the outside through the exhaust port 150. Here, the double filter 140 plays a role of applying a specific wavelength to prevent the photoresist from being exposed by the wavelength of the lamp 130. In addition, since the openings 142a and 142b of the respective filters 140a and 140b constituting the dual filter 140 are alternately positioned up and down, the heat from the lamp 130 is not concentrated in any one of the wafers W. .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는 데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are intended to illustrate the best state in carrying out the present invention, the practice in other states known in the art for using other inventions such as the present invention, and the specific fields of application and uses of the invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 램프를 통한 복사열에 의한 가열 방식으로 웨이퍼의 전영역에 대한 온도를 고르게 빠르게 상승시킴으로써 기존의 접촉 가열 방식에 의한 웨이퍼 영역별 온도 변화 차이를 줄일 수 있게 된다. 따라서, 웨이퍼에 형성된 패턴의 임계치수(CD)를 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the difference in temperature change for each wafer region by the conventional contact heating method by rapidly increasing the temperature of the entire region of the wafer by the heating method by the radiant heat through the lamp. . Therefore, there is an effect that the critical dimension CD of the pattern formed on the wafer can be kept uniform.

Claims (12)

챔버와;A chamber; 상기 챔버의 하부에 설치되어 웨이퍼를 장착하는 플레이트와;A plate installed under the chamber to mount a wafer; 상기 플레이트와 상하로 대면하도록 상기 챔버 상부에 설치되어 상기 플레이트에 장착되는 웨이퍼를 가열하는 부재;A member installed on an upper portion of the chamber to face the plate vertically and to heat the wafer mounted on the plate; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.Baking apparatus comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 부재는 상기 챔버 상부에 밀집된 형태로 고르게 배열된 복수개의 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.The member comprises a plurality of lamps evenly arranged in a dense form on the top of the chamber. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 복수개의 램프는 각각 독립적으로 동작하여 상기 웨이퍼를 영역별로 다른 온도로 가열할 수 있는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And the plurality of lamps operate independently of each other to heat the wafer to different temperatures for each region. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수개의 램프로부터 나오는 파장 중에서 상기 웨이퍼에 도포된 포토레지스트를 감광시키는 파장을 걸러주는 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And a filter for filtering a wavelength of the photoresist applied to the wafer among wavelengths emitted from the plurality of lamps. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 필터는 상부 필터와 하부 필터를 포함하는 다중 필터인 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And the filter is a multiple filter comprising an upper filter and a lower filter. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 상부 필터와 상기 하부 필터는 각각 복수개의 개구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And a plurality of openings formed in the upper filter and the lower filter, respectively. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 상부 필터의 개구와 상기 하부 필터의 개구는 서로 상하로 엇갈리도록 배치된 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And the openings of the upper filter and the opening of the lower filter are arranged to be staggered up and down with each other. 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 소정의 온도로 상승시키는 베이킹 공정이 실질적으로 진행되는 밀폐된 공간을 제공하는 챔버와;A chamber providing an enclosed space in which a baking process for raising the photoresist-coated wafer to a predetermined temperature is substantially performed; 상기 챔버의 하부에 설치되어 상기 웨이퍼를 장착하는 플레이트와;A plate installed under the chamber to mount the wafer; 상기 플레이트와 상하로 대면하도록 상기 챔버 상부에 설치된 챔버 커버와;A chamber cover disposed above the chamber to face the plate vertically; 상기 챔버 커버의 하면에 밀집된 형태로 고르게 설치되어 상기 웨이퍼를 영역별로 각각 다른 온도로 상승시키도록 열을 방출하여 상기 웨이퍼를 균일하게 가열할 수 있는 복수개의 램프와;A plurality of lamps disposed evenly on a lower surface of the chamber cover and dissipating heat to raise the wafer to different temperatures for each region to uniformly heat the wafer; 상기 복수개의 램프에서 나오는 파장 중에서 상기 웨이퍼에 도포된 포토레지스트를 감광시키는 파장을 포함하는 특정의 파장 대역을 걸러주는 상부 필터와 하부 필터로 구성된 이중 필터와;A double filter comprising an upper filter and a lower filter for filtering a specific wavelength band including a wavelength for photosensitive photoresist applied to the wafer among wavelengths emitted from the plurality of lamps; 상기 챔버의 상부로부터 유입되는 에이를 상기 챔버 외부로 배출시키도록 상기 챔버의 하부에 설치된 배기구;An exhaust port provided at a lower portion of the chamber to discharge air flowing from the upper portion of the chamber to the outside of the chamber; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.Baking apparatus comprising a. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 상부 필터와 상기 하부 필터는 각각 복수개의 개구가 형성되어 있고, 상기 상부 필터의 개구와 상기 하부 필터의 개구는 서로 상하로 엇갈리도록 배치된 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And a plurality of openings are formed in the upper filter and the lower filter, respectively, and the opening of the upper filter and the opening of the lower filter are arranged to be staggered up and down with each other. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 에어는 가열된 에어인 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And the air is heated air. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 복수개의 램프는 각각 인가되는 파워가 상이하여 각각 독립적으로 상기 웨이퍼를 가열할 수 있는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.The plurality of lamps are different in power applied to each other, the baking apparatus, characterized in that each of which can independently heat the wafer. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 플레이트는 열선을 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.The plate is a baking device, characterized in that it comprises a heating wire.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100933036B1 (en) * 2007-12-27 2009-12-21 세메스 주식회사 Baking device
KR20100127056A (en) * 2009-05-25 2010-12-03 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus manufacturing for flat panel display device and mathod for manufacturing the same
KR20130047002A (en) * 2011-10-31 2013-05-08 세메스 주식회사 Substrate processing apparatus

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