KR20060066283A - A dressing apparatus for polishing pad and dressing method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 연마패드 드레싱 장치는, 연마패드의 유리화 정도에 따라 드레싱 속도를 조절하여 연마패드의 드레싱 효율을 향상시키는 것으로서, 폴리싱 장치의 정반에 구비되는 연마패드를 향하여 초순수를 분사하는 노즐, 상기 노즐의 연마패드 상에서의 위치를 감지하는 센서, 상기 노즐을 그 일측에 장착하는 노즐 브래킷, 상기 노즐 브래킷을 지지하며 리드스크류의 회전 작동으로 상기 노즐 브래킷을 직선 이동시키는 리미트 가이드 액추에이터, 상기 리미트 가이드 액추에이터의 일측에 연결되어 회전 작동되는 이동 모터, 및 상기 센서의 감지 신호에 따라 상기 이동 모터의 구동 속도를 제어하는 제어부를 포함한다.The polishing pad dressing apparatus of the present invention is to improve the dressing efficiency of the polishing pad by adjusting the dressing speed according to the degree of vitrification of the polishing pad, the nozzle for spraying ultrapure water toward the polishing pad provided on the polishing plate, the nozzle Sensor for sensing a position on a polishing pad of the nozzle, a nozzle bracket for mounting the nozzle on one side thereof, a limit guide actuator for supporting the nozzle bracket and linearly moving the nozzle bracket by rotation of a lead screw, and of the limit guide actuator. And a control unit controlling a driving speed of the moving motor connected to one side of the moving motor and rotating the moving motor according to a detection signal of the sensor.

폴리싱, 드레싱, 연마패드, 유리화Polishing, Dressing, Polishing Pads, Vitrification

Description

연마패드 드레싱 장치 및 그 방법 {A dressing apparatus for polishing pad and dressing method of the same}A dressing apparatus for polishing pad and dressing method of the same

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드 드레싱 장치의 정면도이다.1 is a front view of a polishing pad dressing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드 드레싱 장치의 평면도이다.Figure 2 is a plan view of a polishing pad dressing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드 드레싱 장치의 블럭도이다.Figure 3 is a block diagram of a polishing pad dressing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 드레싱 전(前) 연마패드의 상태도이다.4 is a state diagram of a polishing pad before dressing.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드 드레싱 방법을 나타낸 순서도이다.Figure 5 is a flow chart showing a polishing pad dressing method according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 드레싱 후 연마패드의 상태도이다.6 is a state diagram of a polishing pad after dressing according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 연마패드 드레싱 장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 연마패드의 사용시간 및 연마패드 표면의 균일도를 향상시키는 연마패드 드레싱 장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing pad dressing apparatus and a method thereof, and more particularly, to a polishing pad dressing apparatus and a method for improving the use time of the polishing pad and the uniformity of the surface of the polishing pad.

일반적으로, 웨이퍼 제조 공정은 잉곳(ingot)성장 공정, 슬라이싱(slicing) 공정, 에지 그라인딩(edge grinding) 공정, 랩핑(lapping) 공정, 에칭(etching) 공 정, 백 사이드 폴리싱(back side polishing) 공정, 프리 어닐 크린(pre anneal clean) 공정, 에지 폴리싱 공정, 및 프론트 폴리싱(front polishing) 공정을 포함한다.Generally, wafer fabrication processes include ingot growth processes, slicing processes, edge grinding processes, lapping processes, etching processes, and back side polishing processes. , Pre anneal clean process, edge polishing process, and front polishing process.

상기 잉곳성장 공정은 모래에서 규소(Si)를 추출 정제하여 실리콘 원재료를 생성한 후 원하는 불순물을 주입하여 N형 또는 P형 실리콘 덩어리를 만든다. 슬라이싱 공정은 잉곳성장 공정에서 생성된 실리콘 덩어리를 원하는 두께로 잘라 웨이퍼를 생성한다. 에지 그라인딩 공정은 슬라이싱 공정에 의해 생성된 웨이퍼의 에지 부분을 특정한 모양으로 만들고 에지 거칠기를 향상시키기 위하여 웨이퍼의 에지 부분을 연마 가공하여 표면을 매끄럽게 한다. 랩핑 공정은 규격에 따라 소정의 두께로 슬라이싱 된 웨이퍼의 프론트 사이드 및 백 사이드의 표면에 발생된 표면 손상을 제거하고 평탄도를 향상시키기 위해 웨이퍼의 프론트 사이드 및 백 사이드의 표면을 연마한다. 에칭 공정은 랩핑 공정에서 연마된 웨이퍼의 표면에 발생된 미세 균열이나 표면 결함이 여전히 남아 있기 때문에 이를 제거하기 위해 화학적 반응을 이용하여 웨이퍼 표면을 에칭한다. 백 사이드 폴리싱 공정은 에칭 공정에 의해 에칭된 웨이퍼의 백 사이드 표면 손상을 제거하고 평탄도를 향상시키기 위해 웨이퍼의 백 사이드 표면을 연마한다. 프리 어닐 크린 공정은 에칭 공정에 의해 표면에 발생하는 불완전한 격자 결함 구조를 보완하기 위해 웨이퍼의 표면을 열처리 및 세정한다. 에지 폴리싱 공정은 에칭 공정에 의해 발생하는 웨이퍼의 에지 부분의 표면 손상을 제거하고 평탄도를 향상시키기 위해 웨이퍼의 에지 부분을 연마한다. 프론트 폴리싱 공정은 에칭 공정을 거친 웨이퍼의 표면 거칠기와 평탄도를 향상시키 기 위하여 웨이퍼의 프론트 표면을 연마한다.The ingot growth process extracts and refines silicon (Si) from sand to produce silicon raw materials, and then injects desired impurities to form N-type or P-type silicon agglomerates. The slicing process cuts the silicon mass produced in the ingot growth process to a desired thickness to produce a wafer. The edge grinding process smoothes the surface by grinding the edge portions of the wafer to make the edge portion of the wafer produced by the slicing process into a specific shape and to improve the edge roughness. The lapping process polishes the surface of the front side and back side of the wafer to remove surface damage caused on the surface of the front side and back side of the wafer sliced to a predetermined thickness and improve flatness according to the specification. The etching process uses a chemical reaction to etch the wafer surface to remove fine cracks or surface defects generated on the surface of the polished wafer in the lapping process. The back side polishing process polishes the back side surface of the wafer to remove back side surface damage and improve flatness of the wafer etched by the etching process. The pre-anneal clean process heat-treats and cleans the surface of the wafer to compensate for the incomplete lattice defect structure generated on the surface by the etching process. The edge polishing process polishes the edge portion of the wafer to remove surface damage and improve flatness of the edge portion of the wafer caused by the etching process. The front polishing process polishes the front surface of the wafer to improve the surface roughness and flatness of the etched wafer.

상기와 같이, 웨이퍼 제조 공정은 잉곳(ingot)성장 공정, 슬라이싱(slicing) 공정에 이어 랩핑 공정, 에칭 공정, 및 폴리싱 공정을 거치면서 폴리싱 된 웨이퍼를 제조한다.As described above, the wafer manufacturing process manufactures a polished wafer through an ingot growth process, a slicing process, and then a lapping process, an etching process, and a polishing process.

상기 폴리싱 공정은 연마패드와 연마제를 이용하여 웨이퍼의 연마 평탄도를 확보한다. 이때 웨이퍼에서 연마된 물질과 연마제 내의 입자들이 서로 결합하여, 연마패드 함침 구조에 침투하여 연마패드의 유리화를 진행시킨다. 이와 같이 연마패드의 일정 부분에서 진행된 유리화에 의하여 웨이퍼의 폴리싱 속도를 저감시키고, 연마패드 표면의 불균일성을 초래하므로 이 연마패드에 의하여 폴리싱되는 웨이퍼의 표면의 평탄도를 악화시킨다.The polishing process uses a polishing pad and an abrasive to secure polishing flatness of the wafer. At this time, the material polished from the wafer and the particles in the abrasive are bonded to each other to penetrate into the polishing pad impregnation structure to advance vitrification of the polishing pad. The vitrification progressed at a certain portion of the polishing pad thus reduces the polishing rate of the wafer and causes nonuniformity of the surface of the polishing pad, thereby deteriorating the flatness of the surface of the wafer polished by the polishing pad.

이와 같은 연마패드의 유리화를 제거하기 위하여 폴리싱 공정에서는 연마패드를 드레싱 하는 방법이 적용되고 있다. 이 연마패드 드레싱 방법에는 브러시나 다이아몬드 페이퍼로 연마패드의 표면을 긁어주는 방법이 있으나, 이 방법은 연매패드 표면에 손상을 주어 연마패드의 수명을 단축시키고, 연마패드에서 유리화가 진행된 부분과 진행되지 않은 부분에서 불균일도를 증가시켜, 웨이퍼의 평탄도에 나쁜 영향을 초래한다.In order to remove such vitrification of the polishing pad, a method of dressing the polishing pad is applied in a polishing process. The polishing pad dressing method is a method of scraping the surface of the polishing pad with a brush or diamond paper, but this method damages the surface of the polishing pad to shorten the life of the polishing pad, and does not proceed with the vitrified portion of the polishing pad. Increasing the degree of nonuniformity in the uneven portion results in a bad effect on the flatness of the wafer.

이를 개선하기 위하여, 초순수(De Ionized Water, 이하 'DIW'라 한다) 고압 분사를 이용하여 연마패드를 드레싱 하는 방법이 있다. 이 DIW를 분사하는 방법은 연마패드에서 유리화가 국부적으로 진행됨에도 불구하고, 유리화가 진행된 연마패드 부분과 그렇지 않은 부분에서 연마패드의 표면을 향하여 DIW를 분사하는 노즐의 이동 속도가 동일하기 때문에, 연마패드의 유리화가 심한 부분에서는 연마패드의 드레싱 상태가 불량하게 될 수 있고, 연마패드의 유리화가 거의 일어나지 않는 부분에서는 노즐이 불필요하게 저속으로 이동되어 연마패드의 드레싱에 소요되는 시간을 길게 하여 연마패드의 드레싱 효율을 저하시킨다.In order to improve this, there is a method of dressing the polishing pad using ultra-high pressure (De Ionized Water, hereinafter referred to as 'DIW') high pressure injection. In the method of spraying the DIW, although the vitrification proceeds locally in the polishing pad, since the moving speed of the nozzle for spraying the DIW toward the surface of the polishing pad is the same in the portion where the vitrification has progressed and the portion where the vitrification has not proceeded, In the case where the vitrification of the pad is severe, the dressing state of the polishing pad may be inferior. In the part where the polishing pad is hardly vitrified, the nozzle is unnecessarily moved at a low speed to lengthen the time required for dressing the polishing pad. Decreases the dressing efficiency.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 연마패드의 유리화 정도에 따라 드레싱 속도를 조절하여 연마패드의 드레싱 효율을 향상시키는 연마패드 드레싱 장치 및 그 방법을 제공하는 데 있다. The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention to provide a polishing pad dressing apparatus and method for improving the dressing efficiency of the polishing pad by adjusting the dressing speed according to the degree of vitrification of the polishing pad. .

본 발명에 따른 연마패드 드레싱 장치는, 폴리싱 장치의 정반에 구비되는 연마패드를 향하여 초순수를 분사하는 노즐, 상기 노즐의 연마패드 상에서의 위치를 감지하는 센서, 상기 노즐을 그 일측에 장착하는 노즐 브래킷, 상기 노즐 브래킷을 지지하며 리드스크류의 회전 작동으로 상기 노즐 브래킷을 직선 이동시키는 리미트 가이드 액추에이터, 상기 리미트 가이드 액추에이터의 일측에 연결되어 회전 작동되는 이동 모터, 및 상기 센서의 감지 신호에 따라 상기 이동 모터의 구동 속도를 제어하는 제어부를 포함한다.The polishing pad dressing apparatus according to the present invention includes a nozzle for spraying ultrapure water toward a polishing pad provided on a polishing plate of a polishing apparatus, a sensor for detecting a position of the nozzle on a polishing pad, and a nozzle bracket for mounting the nozzle on one side thereof. A limit guide actuator for supporting the nozzle bracket and linearly moving the nozzle bracket by a rotation of a lead screw, a moving motor connected to one side of the limit guide actuator for rotation operation, and the moving motor according to a detection signal of the sensor It includes a control unit for controlling the drive speed of.

상기 정반은 웨이퍼의 일면을 폴리싱하는 제1 정반으로 이루어질 수 있고, 이 제1 정반에 대향하여 웨이퍼의 다른 일면을 폴리싱하는 제2 정반을 더 포함하여 이루어질 수도 있다. 이때, 제2 정반의 선단에 대응하는 노즐을 이동시키는 실린더를 더 구비하여 제2 정반의 선단을 드레싱하는 것이 바람직하다.The surface plate may be formed of a first surface plate for polishing one surface of the wafer, and may further include a second surface plate for polishing another surface of the wafer opposite the first surface plate. At this time, it is preferable to further comprise a cylinder for moving the nozzle corresponding to the tip of the second plate to dress the tip of the second plate.

상기 노즐은 봉 상으로 길게 형성되는 공급관의 선단에 장착되어, 정반의 직경 방향으로 이동되는 것이 바람직하다.It is preferable that the nozzle is mounted at the tip of the supply pipe which is elongated in the shape of a rod and moved in the radial direction of the surface plate.

상기 공급관의 노즐 반대측 단에는 노즐의 분사 방향을 전환시키는 반전 모터가 구비될 수 있다. 이 공급관은 그 일측에 피동풀리를 구비하고, 상기 피동풀리의 대향 측 반전 모터는 피동풀리를 구비하며, 상기 구동풀리와 피동풀리는 밸트로 연결된다. 이 반전 모터는 180°로 정회전 및 역회전 작동되는 스탭 모터로 형성되는 것이 바람직하다.An opposite end of the nozzle of the supply pipe may be provided with an inverting motor for switching the injection direction of the nozzle. The supply pipe has a driven pulley at one side thereof, the opposite side reverse motor of the driven pulley has a driven pulley, and the driving pulley and the driven pulley are connected with a belt. This inverting motor is preferably formed of a stepper motor which is rotated forward and reverse at 180 degrees.

상기 노즐은 초순수의 고압 분사를 온/오프 제어하는 노즐 제어 솔레노이드를 구비하는 것이 바람직하다.Preferably, the nozzle is provided with a nozzle control solenoid for on / off control of high pressure injection of ultrapure water.

상기 센서는 상기 노즐 브래킷의 이동으로 상기 연마패드 상에서 노즐의 위치를 감지하도록 상기 리미트 가이드 액추에이터의 일측에 상기 연마패드의 영역별 직경 방향의 거리에 상응하여 리미트 가이드 액추에이터의 일측에 구비될 수 있다. 즉 센서는 상기 연마패드의 최외곽 선단에 대응하는 제1 센서, 상기 연마패드의 최외곽 선단에서 직경 방향 내측에 형성되는 제1 영역에 대응하는 제2 센서, 상기 제1 영역에서 연마패드의 직경 방향 내측에 형성되는 제2 영역에 대응하는 제3 센서, 및 상기 제2 영역에서 연마패드의 중심에 형성되는 제3 영역에 대응하는 제4 센서를 포함한다.The sensor may be provided at one side of the limit guide actuator on one side of the limit guide actuator to correspond to the radial distance of each area of the polishing pad so as to sense the position of the nozzle on the polishing pad by the movement of the nozzle bracket. That is, the sensor may include a first sensor corresponding to the outermost tip of the polishing pad, a second sensor corresponding to a first area formed radially inward from the outermost tip of the polishing pad, and a diameter of the polishing pad in the first region. And a third sensor corresponding to the second region formed inside the direction, and a fourth sensor corresponding to the third region formed at the center of the polishing pad in the second region.

상기 이동 모터는 그 일측에 구동풀리를 구비하고, 상기 리미트 가이드 액추에이터는 상기 구동풀리의 대향측 리드스크류에 피동풀리를 구비하며, 상기 구동풀리와 피동풀리는 밸트로 연결된다.The moving motor has a driving pulley at one side thereof, the limit guide actuator has a driven pulley at a lead screw on the opposite side of the driving pulley, and the driving pulley and the driven pulley are connected with a belt.

또한, 본 발명에 따른 연마패드 드레싱 방법은, 이동 모터를 구동시키고 제1, 제2, 제3, 제4 센서의 감지 신호를 입력하는 제1 단계, 노즐의 정반에 도착 여부를 판단하는 제2 단계, 제2 단계에서 노즐이 정반의 최외곽에 도착하면 노즐 제어 솔레노이드를 온으로 제어하는 제3 단계, 정반 상에서 노즐의 위치에 따라 이동 모터의 구동 속도를 제어하는 제4 단계, 노즐의 정반 중심에 도착 여부를 판단하는 제5 단계, 제5 단계에서 노즐이 정반의 중심에 도착하면 노즐 제어 솔레노이드를 오프로 제어하는 제6 단계, 및 이동 모터를 역 구동시키는 제7 단계를 포함한다.In addition, the polishing pad dressing method according to the present invention includes a first step of driving a moving motor and inputting detection signals of the first, second, third and fourth sensors, and determining whether to reach the surface of the nozzle. Step 3, controlling the nozzle control solenoid on when the nozzle reaches the outermost of the surface plate in the second step, the fourth step of controlling the driving speed of the moving motor according to the position of the nozzle on the surface plate, the surface plate center of the nozzle And a fifth step of determining whether to arrive at, a sixth step of controlling the nozzle control solenoid off when the nozzle arrives at the center of the surface plate, and a seventh step of reverse driving the moving motor.

상기 제4 단계는 제1 센서의 감지신호가 인가될 때까지 정반의 제1 영역에 이동 모터를 제1속으로 제어하는 단계를 포함한다.The fourth step includes controlling the moving motor to the first speed in the first region of the surface plate until the detection signal of the first sensor is applied.

상기 제4 단계는 제2 센서의 감지신호에서 제3 센서의 감지신호가 인가될 때까지 정반의 제2 영역에 이동 모터를 제2속으로 제어하는 단계를 포함한다.The fourth step includes controlling the moving motor at a second speed in the second area of the surface until the detection signal of the third sensor is applied from the detection signal of the second sensor.

상기 제4 단계는 제3 센서의 감지신호에서 제4 센서의 감지신호가 인가될 때까지 정반의 제3 영역에 이동 모터를 제3속으로 제어하는 단계를 포함한다.The fourth step includes controlling the moving motor at a third speed in the third area of the surface until the detection signal of the fourth sensor is applied from the detection signal of the third sensor.

상기에서 제2 속은 제1속 및 제3속보다 저속인 것이 바람직하다.In the above, it is preferable that the second genus is slower than the first genus and the third genus.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드 드레싱 장치의 정면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드 드레싱 장치의 평면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마패드 드레싱 장치의 블럭도이다.1 is a front view of a polishing pad dressing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view of a polishing pad dressing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a polishing according to an embodiment of the present invention A block diagram of the pad dressing device.

이 도면들을 참조하면, 이 연마패드 드레싱 장치는 폴리싱 장치에서 정반(2) 의 일 측방에 구비되어, 정반(2) 상에 구비되어 웨이퍼(미도시) 표면을 폴리싱하는 연마패드(4)를 드레싱하도록 구성된다. 이 연마패드(4)는 회전 구동되는 정반(2) 상에 구비되어 일정 시간동안 웨이퍼(미도시)를 폴리싱 한다. 이 폴리싱 작용에 의하여 웨이퍼에서 연마된 물질과 연마제 내의 입자들이 서로 결합하여, 연마패드 함침 구조에 침투하므로 연마패드(4)의 일부 영역이 유리화 된다.Referring to these figures, this polishing pad dressing apparatus is provided on one side of the surface plate 2 in the polishing apparatus, and is provided on the surface plate 2 to dress up the polishing pad 4 for polishing a wafer (not shown) surface. Is configured to. This polishing pad 4 is provided on the surface plate 2 which is rotationally driven to polish a wafer (not shown) for a predetermined time. By this polishing action, a part of the polishing pad 4 is vitrified because the material polished from the wafer and the particles in the abrasive bond with each other to penetrate the polishing pad impregnation structure.

본 발명의 드레싱 장치는 이와 같이 유리화 된 연마패드(4)의 부분에 DIW를 고압으로 분사하여 연마패드(4)의 함침 구조를 복원한다. 이 연마패드(4)는 웨이퍼의 폴리싱 과정에서 전(全) 영역에 걸쳐 균일하게 유리화되는 것이 아니라 폴리싱되는 웨이퍼의 위치에 의하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 일부 영역에서만 집중적으로 유리화가 진행되고 나머지 영역에서는 유리화가 미미하게 진행된다. 즉, 연마패드(4)는 유리화 되는 정도를 기준으로 볼 때, 직경 방향을 따라 외곽에서 내측으로 가면서 제1, 제2, 제3 영역(4a, 4b, 4c)으로 구획된다. 제1 영역(4a)은 연마패드(4)의 최외곽 선단에서 직경 방향 내측에 걸쳐 형성되고, 제2 영역(4b)은 제1 영역(4a)에서 직경 방향 내측에 걸쳐 형성되며, 제3 영역(4c)은 제2 영역(4b)에서 연마패드(4)의 중심에 걸쳐 형성된다. 제2 영역(4b)은 제1 영역(4a) 및 제3 영역(4c)에 비하여 유리화가 집중적으로 진행된다. 이 제1, 제2, 제3 영역(4a, 4b, 4c)들은 명확하게 구분되는 것이 아니므로 필요에 따라 적절하게 구분될 수 있다.The dressing apparatus of the present invention restores the impregnation structure of the polishing pad 4 by spraying DIW at a high pressure on the vitrified polishing pad 4. The polishing pad 4 is not vitrified uniformly over the entire area during the polishing process of the wafer, but vitrified intensively in only a partial region, as shown in FIG. 4, by the position of the polished wafer. In the remaining regions, vitrification proceeds insignificantly. That is, the polishing pad 4 is divided into first, second, and third regions 4a, 4b, and 4c while going from the outer side to the inner side in the radial direction based on the degree of vitrification. The first region 4a is formed radially inward at the outermost tip of the polishing pad 4, and the second region 4b is formed radially inward at the first region 4a and the third region. 4c is formed over the center of the polishing pad 4 in the second region 4b. Vitrification proceeds more intensively in the second region 4b than in the first region 4a and the third region 4c. The first, second, and third regions 4a, 4b, and 4c are not clearly distinguished, and thus may be appropriately classified as necessary.

본 발명은 이러한 점들을 반영하여 연마패드(4)에서 유리화가 집중된 부분 즉, 제2 영역(4b)과 유리화가 다소 미미하게 된 부분 즉, 제1, 제3 영역(4a, 4c)을 분사되는 DIW에 노출되는 시간을 제어하여, 전체적으로 연마패드(4)의 드레싱 상태 를 양호하게 하면서도 연마패드(4)의 드레싱에 소요되는 시간을 단축시킨다. 즉, 본 발명은 유리화가 집중된 제2 영역(4b)을 DIW에 장시간 노출시키고, 이에 비하여 유리화가 상대적으로 미미한 제1, 제3 영역(4a, 4c)을 DIW에 단시간 노출시킨다.The present invention reflects the above points in the polishing pad 4 where the vitrification is concentrated, that is, the second region 4b and the portion where the vitrification is rather slight, that is, the first and third regions 4a and 4c are sprayed. By controlling the exposure time to DIW, the overall dressing state of the polishing pad 4 is improved while shortening the time required for dressing the polishing pad 4. That is, according to the present invention, the second region 4b in which vitrification is concentrated is exposed to the DIW for a long time, whereas the first and third regions 4a and 4c having relatively less vitrification are exposed to the DIW for a short time.

이를 위하여 본 발명의 연마패드 드레싱 장치는 웨이퍼의 폴리싱 공정으로 인하여 유리화가 진행된 연마패드(4)의 표면에 DIW를 분사하는 노즐(6)과, 이 노즐(6)이 연마패드(4) 상의 어느 위치 즉, 제1, 제2, 제3 영역(4a, 4b, 4c)에 위치하는 지를 감지하는 센서(8), 노즐(6)을 지지하여 이동시키는 노즐 브래킷(10)과 리미트 가이드 액추에이터(12), 이동 모터(14), 및 이들을 전체적으로 제어하는 제어부(16)를 포함한다.To this end, the polishing pad dressing apparatus of the present invention includes a nozzle 6 for injecting DIW onto the surface of the polishing pad 4 which has been vitrified due to the polishing process of the wafer, and the nozzle 6 is disposed on the polishing pad 4. Sensor 8 detecting the position, that is, located in the first, second, third region 4a, 4b, 4c, nozzle bracket 10 for supporting and moving the nozzle 6 and limit guide actuator 12 ), A moving motor 14, and a control unit 16 for controlling them as a whole.

상기 노즐(6)은 봉 상으로 형성되는 공급관(18)의 일측 선단에 장착되며, 정반(2) 상에 구비되는 연마패드(4)의 표면을 향하여 DIW를 분사하도록 구성된다. 이 공급관(1)은 연마패드(4)의 외곽에서 중심을 향하는 즉, 연마패드(4)의 직경 방향으로 설치되며, 정반(2)의 구동에 의하여 회전하는 연마패드(4)의 전 영역을 드레싱 하도록 적어도 연마패드(4)의 반경 이상의 길이로 형성되는 것이 바람직하다.The nozzle 6 is mounted at one end of the supply pipe 18 formed in the shape of a rod, and configured to inject DIW toward the surface of the polishing pad 4 provided on the surface plate 2. The supply pipe 1 is provided toward the center from the outer side of the polishing pad 4, that is, in the radial direction of the polishing pad 4, and covers the entire area of the polishing pad 4 which is rotated by the driving of the surface plate 2. Preferably, the dressing is formed to have a length of at least the radius of the polishing pad 4 to dress.

이 노즐(6)에 연결되는 공급관(18)에는 DIW를 저장하는 탱크(미도시)와 이 탱크로터 DIW를 고압으로 압송하여 노즐(6)에서 분사되게 하는 분사 펌프(미도시)가 연결되는 것이 바람직하다. 이 분사 펌프의 압송력에 의하여 노즐(6)로 분사되는 DIW가 연마패드(4)의 표면에 유리화 된 것을 제거한다.The supply pipe 18 connected to the nozzle 6 is connected to a tank (not shown) for storing DIW and an injection pump (not shown) for pumping the tank rotor DIW at high pressure to be injected from the nozzle 6. desirable. By virtue of the pressure of the injection pump, DIW injected into the nozzle 6 is removed from vitrification on the surface of the polishing pad 4.

또한, 노즐(6)은 노즐 제어 솔레노이드(20)를 구비하는 것이 바람직하다. 이 노즐 제어 솔레노이드(20)는 노즐(6)에 연결되는 공급관(18)의 도중에 구비될 수도 있으나 노즐(6)에 직접 구비되어 DIW의 분사를 온/오프 제어하는 것이 바람직하다. 이 노즐 제어 솔레노이드(20)는 상기 제어부(16)의 출력단에 연결되어 이의 제어 신호에 따라 온/오프 제어된다. 본 실시예는 노즐 제어 솔레노이드(20)를 다양한 위치에 구비할 수 있으므로 편의상 도 4의 블록도에서만 도시하고 있다.In addition, the nozzle 6 preferably includes a nozzle control solenoid 20. Although this nozzle control solenoid 20 may be provided in the middle of the supply pipe 18 connected to the nozzle 6, it is preferable to be provided in the nozzle 6 to control ON / OFF injection of DIW. The nozzle control solenoid 20 is connected to the output terminal of the controller 16 and controlled on / off according to its control signal. In the present embodiment, since the nozzle control solenoid 20 may be provided at various positions, only the block diagram of FIG. 4 is shown for convenience.

이 노즐(6)은 노즐 제어 솔레노이드(20)를 온/오프 제어뿐만 아니라 개폐 정도를 제어할 수 있게 구성하면, 이의 개폐 정도를 제어하여 분사되는 DIW의 분사 양 및 분사 압을 제어할 수도 있다. 본 실시예는 노즐(6)의 진행 속도를 제어하여 연마패드(4)의 각 영역을 분사되는 DIW에 노출되는 시간을 제어하는 것을 예시한다.When the nozzle 6 is configured to control the opening and closing degree as well as the on / off control of the nozzle control solenoid 20, it is possible to control the opening and closing pressure of the DIW to be injected by controlling the opening and closing degree thereof. This embodiment exemplifies controlling the advancing speed of the nozzle 6 to control the time at which each area of the polishing pad 4 is exposed to the sprayed DIW.

따라서, 상기 센서(8)는 연마패드(4) 상에서의 노즐(6)의 위치를 감지할 수 있는 위치에 다양하게 설치된다. 이 센서(8)는 노즐(6)의 이동 경로를 향하여 설치되어 노즐(6)의 위치를 직접 감지할 수도 있으나, 노즐(6)이 노즐 브래킷(10)에 장착되는 것을 감안하여, 이 노즐 브래킷(10)의 위치를 감지하여 노즐(6)의 위치를 간접적으로 감지할 수도 있다.Therefore, the sensor 8 is variously installed at a position capable of detecting the position of the nozzle 6 on the polishing pad 4. The sensor 8 may be installed toward the movement path of the nozzle 6 to directly detect the position of the nozzle 6, but in view of the fact that the nozzle 6 is mounted on the nozzle bracket 10, this nozzle bracket The position of the nozzle 10 may be sensed to indirectly detect the position of the nozzle 6.

본 실시예의 센서(8)는 DIW가 분사되는 연마패드(4)의 내측에서 보다 정확하게 노즐(6)의 위치를 감지하도록 리미트 가이드 액추에이터(12)의 일측에 구비된다. 또한 이 센서(8)는 제1, 제2, 제3, 제4 센서(8a, 8b, 8c, 8d)로 구비되어, 연마패드(4)의 상기 제1, 제2, 제3 영역(4a, 4b, 4c)별 직경 방향의 거리(D1, D2, D 3)에 상응하는 간격(L1, L2, L3)으로 구비된다.The sensor 8 of this embodiment is provided on one side of the limit guide actuator 12 to more accurately sense the position of the nozzle 6 inside the polishing pad 4 to which DIW is injected. In addition, the sensor 8 is provided with first, second, third and fourth sensors 8a, 8b, 8c and 8d, and the first, second and third regions 4a of the polishing pad 4 are provided. , 4b and 4c are provided at intervals L 1 , L 2 and L 3 corresponding to the distances D 1 , D 2 and D 3 in the radial direction.

즉, 제1 센서(8a)는 공급관(18)의 선단에 구비되는 노즐(6)이 연마패드(4)의 최외곽 선단에 대응하는 리미트 가이드 액추에이터(12)의 일측에 구비되고, 제2 센서(8b)는 상기 노즐(6)이 연마패드(4)의 제1 영역(4a)에 대응하는 리미트 가이드 액추에이터(12)의 일측에 구비되며, 제3 센서(8c)는 상기 노즐(6)이 연마패드(4)의 제1 영역(4a) 끝에서 제2 영역(4b)에 대응하는 리미트 가이드 액추에이터(12)의 일측에 구비되고, 제4 센서(8d)는 상기 노즐(6)이 제2 영역(4b) 끝에서 연마패드(4)의 중심에 형성되는 제3 영역(4c)에 대응하는 리미트 가이드 액추에이터(12)의 일측에 구비된다.That is, in the first sensor 8a, the nozzle 6 provided at the tip of the supply pipe 18 is provided at one side of the limit guide actuator 12 corresponding to the outermost tip of the polishing pad 4, and the second sensor 8b, the nozzle 6 is provided on one side of the limit guide actuator 12 corresponding to the first area 4a of the polishing pad 4, and the third sensor 8c is provided with the nozzle 6. One end of the limit guide actuator 12 corresponding to the second region 4b at the end of the first region 4a of the polishing pad 4 is provided. It is provided on one side of the limit guide actuator 12 corresponding to the third region 4c formed at the center of the polishing pad 4 at the end of the region 4b.

상기 노즐 브래킷(10)은 그 일측에 상기한 노즐(6)을 장착하며, 도시된 바와 같이 공급관(18)을 개재하여 노즐(6)을 장착할 수도 있다. 이 노즐 브래킷(10)은 리미트 가이드 액추에이터(12)의 회전 작동에 의하여 지지되면서 직선 이동된다.The nozzle bracket 10 may be equipped with the nozzle 6 on one side thereof, and the nozzle 6 may be mounted through the supply pipe 18 as shown. The nozzle bracket 10 is linearly moved while being supported by the rotational operation of the limit guide actuator 12.

이 리미트 가이드 액추에이터(12)는 노즐(6) 및 이를 지지하는 노즐 브래킷(10)을 연마패드(4)의 직경 방향으로 이동시키는 리드스크류(21)를 구비한다. 이 리드스크류(21)는 리미트 가이드 액추에이터(12)에 길이 방향으로 설치되고 양측이 지지되어 제자리에서 회전할 수 있다.The limit guide actuator 12 includes a lead screw 21 for moving the nozzle 6 and the nozzle bracket 10 supporting the nozzle 6 in the radial direction of the polishing pad 4. The lead screw 21 is installed in the limit guide actuator 12 in the longitudinal direction, and both sides are supported to rotate in place.

상기 이동 모터(14)는 리미트 가이드 액추에이터(12)의 일측에 연결되어 회전 작동된다. 이 이동 모터(14)는 리드스크류(21)를 회전시켜 이 리드스크류(21) 상에 장착되는 노즐 브래킷(10)을 리미트 가이드 액추에이터(12)를 따라 이동시킨다. 이동 모터(14)는 노즐(6) 및 노즐 브래킷(10)을 연마패드(4) 측으로 이동시킴에 있어서, 전진 또는 후진시킬 수 있도록 정회전 및 역회전 구동이 가능한 모터로 형성된다.The moving motor 14 is connected to one side of the limit guide actuator 12 to be rotated. The moving motor 14 rotates the lead screw 21 to move the nozzle bracket 10 mounted on the lead screw 21 along the limit guide actuator 12. The moving motor 14 is formed of a motor capable of forward rotation and reverse rotation driving so that the nozzle 6 and the nozzle bracket 10 can be moved forward or backward in moving the nozzle 6 and the nozzle bracket 10 toward the polishing pad 4.

이 이동 모터(14)는 그 일측에 구동풀리(22)를 구비하고, 이 구동풀리(22)에 대향하는 리드스크류(21)에 피동풀리(24)를 구비하며, 이 구동풀리(22)와 피동풀리(24)는 밸트(26)로 연결된다. 따라서 이동 모터(14)의 회전 동력은 구동풀리(22), 벨트(26), 및 피동풀리(24)를 통하여 리드스크류(21)로 전달되어 이를 회전시킨다. 이 리드스크류(21)의 회전 구동으로 이에 장착되는 노즐 브래킷(10) 및 이에 장착되는 노즐(6)이 상기한 바와 같이 연마패드(4) 상에서 이동된다.The moving motor 14 includes a drive pulley 22 on one side thereof, a driven pulley 24 on a lead screw 21 facing the drive pulley 22, and the drive pulley 22. The driven pulley 24 is connected to the belt 26. Accordingly, the rotational power of the moving motor 14 is transmitted to the lead screw 21 through the driving pulley 22, the belt 26, and the driven pulley 24 to rotate it. The nozzle bracket 10 attached thereto and the nozzle 6 attached thereto are moved on the polishing pad 4 as described above by the rotational drive of the lead screw 21.

이와 같이 노즐(6)이 연마패드(4) 상에서 제1, 제2, 제3 영역(4a, 4b, 4c)을 순차적으로 지나고, 정반(2) 상에 구비된 연마패드(4)가 회전 작동되면, 노즐(6)로 분사되는 DIW가 연마패드(4) 표면의 전 영역에 걸쳐 유리화된 부분을 드레싱 하게 된다.In this way, the nozzle 6 sequentially passes through the first, second, and third regions 4a, 4b, and 4c on the polishing pad 4, and the polishing pad 4 provided on the surface plate 2 rotates. Then, the DIW sprayed into the nozzle 6 will dress the vitrified part over the entire area of the surface of the polishing pad 4.

한편, 제어부(16)는 이동 모터(14)에 전기적으로 연결되어, 이 이동 모터(14)의 구동 속도를 제어할 수 있도록 구성된다. 이 제어부(16)는 이동 모터(14)의 속도를 제어함에 있어서 상기 센서(8)의 각 감지 신호로 노즐(6)이 연마패드(4) 상에서 어느 위치에 있는 지를 감안한다. 즉, 제어부(16)는 제1 센서(8a)의 감지 신호 이후에는 유리화가 미미한 부분인 연마패드(4)의 제1 영역(4a)에 대응하도록 이동 모터(14)의 구동 속도를 제1속으로 제어하고, 제2 센서(8b)의 감지 신호 이후에는 유리화가 심한 부분인 연마패드(4)의 제2 영역(4b)에 대응하도록 이동 모터(14)의 구동 속도를 제2속으로 제어하며, 제3 센서(8c)의 감지 신호 이후 제4 센서(8d)의 감지 신호까지는 유리화가 미미한 부분인 연마패드(4) 제3 영역(4c)에 대응하도 록 이동 모터(14)의 구동 속도를 제3속으로 제어한다. 이로 인하여 유리화의 정도가 서로 다른 연마패드(4)의 제1, 제2, 제3 영역(4a, 4b, 4c)을 균일하게 드레싱 할 수 있다. 상기 제1, 제2, 제3속은 제1, 제2, 제3 영역(4a, 4b, 4c)의 유리화 제거 정도를 균일하게 하는 속도를 의미하는 것으로서, 각 영역의 유리화 정도에 따라 서로 다르게 설정되는 것이 바람직하다. 제2 영역(4b)의 유리화 정도가 제1, 제3 영역(4a, 4c)에 비하여 심하므로 이 영역(4b)에 해당하는 제2속이 제1, 제2속에 비하여 저속으로 설정되고, 제1속 및 제2속은 서로 유사하게 설정될 수 있다.On the other hand, the control unit 16 is electrically connected to the moving motor 14, it is configured to control the drive speed of the moving motor 14. The control unit 16 considers the position of the nozzle 6 on the polishing pad 4 by the respective detection signal of the sensor 8 in controlling the speed of the moving motor 14. That is, after the detection signal of the first sensor 8a, the controller 16 adjusts the driving speed of the moving motor 14 to correspond to the first area 4a of the polishing pad 4, which is a slight vitrification. After the detection signal of the second sensor 8b, the driving speed of the moving motor 14 is controlled at a second speed so as to correspond to the second area 4b of the polishing pad 4, which is a vitrified part. After the detection signal of the third sensor 8c and the detection signal of the fourth sensor 8d, the driving speed of the moving motor 14 is set to correspond to the third area 4c of the polishing pad 4, which is a slight vitrification. Control to the third speed. This makes it possible to uniformly dress the first, second and third regions 4a, 4b and 4c of the polishing pad 4 having different degrees of vitrification. The first, second, and third speeds are speeds for uniformly removing the vitrification of the first, second, and third regions 4a, 4b, and 4c, and are set differently according to the degree of vitrification of each region. It is preferable to be. Since the vitrification degree of the 2nd area | region 4b is severe compared with the 1st, 3rd area | regions 4a and 4c, the 2nd speed | rate corresponding to this area | region 4b is set to a low speed compared with 1st, 2nd speed | rate, and 1st The genus and the second genera may be set similarly to each other.

상기와 같이 구성되는 연마패드 드레싱 장치는 도 5에 도시된 바와 같은 순서도를 따라 연마패드(4)를 도 4의 상태에서 도 6의 상태로 드레싱 한다.The polishing pad dressing device configured as described above dresses the polishing pad 4 from the state of FIG. 4 to the state of FIG. 6 according to the flowchart as shown in FIG. 5.

이 연마패드 드레싱 방법은 다수의 단계로 진행되며, 제1 단계(ST10)는 제어부(16)의 출력단에 연결되는 이동 모터(14)를 구동시키고, 제어부(16)의 입력단에 연결되는 제1, 제2, 제3, 제4 센서(8a, 8b, 8c, 8d)를 통하여 감지 신호를 입력한다. 이 제1, 제2, 제3, 제4 센서(8a, 8b, 8c, 8d)들의 감지신호에 따라 제어부(16)는 노즐(6)의 위치를 판단하고 노즐(6)의 위치에 상응하는 속도로 이동 모터(14)를 구동시킨다.The polishing pad dressing method is performed in a plurality of stages, and the first stage ST10 drives the moving motor 14 connected to the output terminal of the controller 16, and connects the first, The detection signal is input through the second, third, and fourth sensors 8a, 8b, 8c, and 8d. According to the detection signals of the first, second, third, and fourth sensors 8a, 8b, 8c, and 8d, the controller 16 determines the position of the nozzle 6 and corresponds to the position of the nozzle 6. The moving motor 14 is driven at a speed.

이 제1 단계(ST10)가 진행되는 동안 제어부(16)는 노즐(6)이 정반(2) 즉, 연마패드(4)에 도착했는지 여부를 판단한다(ST20). 이 제2 단계(ST20)는 제1 센서(8a)의 감지신호가 제어부(16)에 인가됨에 따라 노즐(6)이 연마패드(4)의 최외곽 가장자리에 도착한 것을 판단할 수 있다.While the first step ST10 is in progress, the controller 16 determines whether the nozzle 6 has arrived at the surface plate 2, that is, the polishing pad 4 (ST20). The second step ST20 may determine that the nozzle 6 arrives at the outermost edge of the polishing pad 4 as the detection signal of the first sensor 8a is applied to the controller 16.

이 제2 단계(ST20)의 판단에 의하여 노즐(6)이 연마패드(4)의 최외곽 가장자 리에 도착한 것으로 판단되면, 노즐 제어 솔레노이드(20)를 온으로 제어한다(ST30). 이 제3 단계(ST30)는 연결관(18)을 통하여 노즐(6)에 대기하는 DIW를 연마패드(4)의 표면으로 분사하여 연마패드(4)를 드레싱하기 시작한다.If it is determined by the determination of the second step ST20 that the nozzle 6 has reached the outermost edge of the polishing pad 4, the nozzle control solenoid 20 is controlled to be on (ST30). This third step ST30 starts to dress the polishing pad 4 by spraying DIW waiting on the nozzle 6 through the connecting pipe 18 to the surface of the polishing pad 4.

이 제3 단계(ST30)에 의하여 연마패드(40)의 드레싱이 시작되면, 정반(2) 즉, 연마패드(4) 상에서 노즐(6)의 위치에 따라 이동 모터(14)의 구동 속도를 제어한다(ST40). 이 제4 단계(ST40)는 3가지 단계로 세분될 수 있다.When the dressing of the polishing pad 40 is started by this third step ST30, the driving speed of the moving motor 14 is controlled according to the position of the nozzle 6 on the surface plate 2, that is, the polishing pad 4. (ST40). This fourth step ST40 may be subdivided into three steps.

이 제4 단계(ST40)는 정반(2) 즉, 연마패드(4)의 제1 영역(4a)에서 이동 모터(14)를 제1속으로 제어하고(ST41), 제2 영역(4b)에서 이동 모터(14)를 제2속으로 제어하며(ST42), 제3 영역(4c)에서 이동 모터(14)를 제3속으로 제어하여(ST43), 각 영역의 유리화에 적절하게 이동 모터(14)의 속도를 제어하여 연마패드(4)의 표면을 균일하게 드레싱 한다. 이로 인하여 연마패드(4) 표면의 함침 구조가 웨이퍼를 폴리싱할 수 있는 상태로 복원된다.This fourth step ST40 controls the moving motor 14 at the first speed in the first region 4a of the surface plate 2, that is, the polishing pad 4 (ST41), and in the second region 4b. The moving motor 14 is controlled at the second speed (ST42), and the moving motor 14 is controlled at the third speed in the third area 4c (ST43), so that the moving motor 14 is suitable for vitrification of each area. The surface of the polishing pad 4 is uniformly dressed by controlling the speed of the sheet). This restores the impregnation structure of the surface of the polishing pad 4 to a state in which the wafer can be polished.

제2 영역(4b)은 제1, 제3 영역(4a 4c)에 비하여 유리화가 심하므로 상기한 바와 같이, 제2속은 제1속 및 제3속보다 저속인 것이 바람직하다.Since the second area 4b is vitrified more severely than the first and third areas 4a and 4c, as described above, the second speed is preferably lower than the first speed and the third speed.

제4 단계(ST40)가 진행되는 동안 제어부(16)는 노즐(6)이 정반 즉, 연마패드(4)의 중심에 도착했는지 여부를 판단한다(ST50). 제5 단계(ST5)는 제4 센서(8d)의 감지신호가 제어부(16)에 인가됨에 따라 노즐(6)이 연마패드(4)의 중심에 도착한 것을 판단할 수 있다.While the fourth step ST40 is in progress, the controller 16 determines whether the nozzle 6 has reached the surface plate, that is, the center of the polishing pad 4 (ST50). The fifth step ST5 may determine that the nozzle 6 arrives at the center of the polishing pad 4 as the detection signal of the fourth sensor 8d is applied to the controller 16.

이 제5 단계(ST50)의 판단에 의하여 노즐(6)이 연마패드(4)의 중심에 도착한 것으로 판단되면, 노즐 제어 솔레노이드(20)를 오프로 제어한다(ST60). 이 제6 단 계(ST60)는 연결관(18)을 통하여 노즐(6)로 분사되던 DIW를 차단하여 연마패드(4)의 드레싱을 종료한다.If it is determined by the fifth step ST50 that the nozzle 6 has arrived at the center of the polishing pad 4, the nozzle control solenoid 20 is controlled to be off (ST60). The sixth step ST60 blocks the DIW sprayed to the nozzle 6 through the connecting pipe 18 to finish the dressing of the polishing pad 4.

제6 단계(ST60)에 이어, 제어부(16)는 이동 모터(14)를 역 구동시킨다(ST70). 이 제7 단계(ST70)는 노즐(6)을 최초의 위치로 복귀시킨다.Following the sixth step ST60, the controller 16 drives the moving motor 14 in reverse (ST70). This seventh step ST70 returns the nozzle 6 to its initial position.

한편, 폴리싱 장치는 상기한 정반(2), 즉 하나의 제1 정반(2a)으로 형성될 수도 있고, 상하 대향 배치되는 제1, 제2 정반(2a, 2b)으로 형성될 수도 있다. 정반(2)이 제1 정반(2a)으로만 구성되면 웨이퍼의 일면을 폴리싱 하고, 정반(2)이 제1, 제2 정반(2a, 2b)으로 구성되면 웨이퍼의 양면을 폴리싱 한다.On the other hand, the polishing apparatus may be formed of the above-described surface plate 2, that is, one first surface plate 2a, or may be formed of the first and second surface plates 2a and 2b which are arranged up and down. If the surface plate 2 is composed of only the first surface plate 2a, one surface of the wafer is polished, and if the surface plate 2 is composed of the first and second surface plates 2a, 2b, both surfaces of the wafer are polished.

이 경우, 본 발명의 연마패드 드레싱 장치는 실린더(28)를 더 구비하는 것이 바람직하다. 이 실린더(28)는 그 선단에 제2 정반(2b)의 선단에 대응하는 노즐(30)을 구비하여, 이 노즐(30)을 제2 정반(2b)의 측면(4d)에 대응시켜 이 측면(4d)을 드레싱할 수 있게 한다. 이 노즐(30)에도 상기한 바와 같이 노즐 제어 솔레노이드(미도시)가 구비되는 것이 바람직하다.In this case, the polishing pad dressing apparatus of the present invention preferably further includes a cylinder 28. The cylinder 28 has a nozzle 30 corresponding to the tip of the second surface plate 2b at its tip, and the nozzle 30 corresponds to the side surface 4d of the second surface plate 2b so that this side surface Allow dressing (4d). As described above, the nozzle 30 is also preferably provided with a nozzle control solenoid (not shown).

또한, 본 발명의 연마패드 드레싱 장치는 제1, 제2 정반(2a, 2b)을 구비하는 경우, 노즐(6)을 2개로 구비하여 제1, 제2 정반(2a, 2b)으로 각각 향하게 할 수도 있고(미도시), 노즐(6)의 분사 방향을 전환시키는 반전 모터(32)를 더 구비할 수도 있다. 이 반전 모터(32)는 노즐(6)을 구비하는 공급관(18)을 회전시켜 노즐(6)의 분사 방향을 제1 정반(2a) 또는 제2 정반(2b)으로 향하게 하여 이들에 구비되는 각각의 연마패드(4)를 드레싱 한다.In addition, when the polishing pad dressing apparatus of the present invention includes the first and second surface plates 2a and 2b, the polishing pad dressing apparatus includes two nozzles 6 so as to face the first and second surface plates 2a and 2b, respectively. It may be possible (not shown), and may further include an inversion motor 32 for switching the injection direction of the nozzle 6. This inversion motor 32 rotates the supply pipe 18 provided with the nozzle 6, directing the injection direction of the nozzle 6 to the 1st surface plate 2a or the 2nd surface plate 2b, respectively, provided in these. Dressing polishing pad (4).

이를 위하여 공급관(18)은 그 일측에 피동풀리(34)를 구비하고, 이 피동풀리 (34)의 대향 측 반전 모터(32)는 구동풀리(36)를 구비하며, 이 구동풀리(36)와 피동풀리(34)는 밸트(38)로 연결된다. 따라서 반전 모터(32)의 회전 동력은 구동풀리(36), 벨트(38), 및 피동풀리(34)를 통하여 공급관(28)으로 전달되어 이를 회전시킨다.To this end, the supply pipe 18 has a driven pulley 34 on one side thereof, and the opposite side inverting motor 32 of the driven pulley 34 has a drive pulley 36, The driven pulley 34 is connected to the belt 38. Therefore, the rotational power of the inversion motor 32 is transmitted to the supply pipe 28 through the drive pulley 36, the belt 38, and the driven pulley 34 to rotate it.

이 반전 모터(32)는 제어부(16)의 출력단에 연결되어 제어되며, 제어부(16)의 제어를 용이하게 하기 위하여 180°로 정회전 및 역회전 작동되는 스탭 모터로 형성되는 것이 바람직하다.The inverting motor 32 is connected to and controlled by the output terminal of the control unit 16, and is preferably formed as a step motor that is rotated forward and reverse at 180 degrees to facilitate control of the control unit 16.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to

이와 같이 본 발명에 의하면, 센서를 구비하여 노즐의 정반 즉, 연마패드 상에서 위치 변화를 감지하고, 이에 따라 노즐의 이동 속도를 제어, 즉 연마패드에서 유리화가 집중된 부분에서 노즐을 저속으로 이동하고 유리화가 미미하게 된 부분에서 노즐을 고속으로 이동하면서 DIW를 분사하여 연마패드를 드레싱하여, 연마패드 전체에 걸쳐 드레싱 상태를 양호하게 하면서 연마패드의 드레싱에 걸리는 시간을 단축하여 연마패드의 드레싱 효율을 향상시키는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, a sensor is provided to sense a change in position on the surface of the nozzle, that is, the polishing pad, thereby controlling the moving speed of the nozzle, that is, moving the nozzle at a low speed and vitrifying the vitrified portion of the polishing pad. Improve the dressing efficiency of the polishing pad by shortening the time required for dressing of the polishing pad while improving the dressing state throughout the polishing pad by spraying DIW while moving the nozzle at a high speed to minimize the dressing state. It is effective to let.

Claims (17)

폴리싱 장치의 정반에 구비되는 연마패드를 향하여 초순수를 분사하는 노즐;A nozzle for spraying ultrapure water toward a polishing pad provided on a polishing plate of the polishing apparatus; 상기 노즐의 연마패드 상에서의 위치를 감지하는 센서;A sensor for sensing a position on the polishing pad of the nozzle; 상기 노즐을 그 일측에 장착하는 노즐 브래킷;A nozzle bracket for mounting the nozzle to one side thereof; 상기 노즐 브래킷을 지지하며 리드스크류의 회전 작동으로 상기 노즐 브래킷을 직선 이동시키는 리미트 가이드 액추에이터;A limit guide actuator for supporting the nozzle bracket and linearly moving the nozzle bracket by rotation of a lead screw; 상기 리미트 가이드 액추에이터의 일측에 연결되어 회전 작동되는 이동 모터; 및A moving motor connected to one side of the limit guide actuator and rotating; And 상기 센서의 감지 신호에 따라 상기 이동 모터의 구동 속도를 제어하는 제어부를 포함하는 연마패드 드레싱 장치.Polishing pad dressing device including a control unit for controlling the driving speed of the moving motor in accordance with the detection signal of the sensor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 정반은 웨이퍼의 일면을 폴리싱하는 제1 정반으로 이루어지는 연마패드 드레싱 장치.And the surface plate comprises a first surface plate for polishing one surface of a wafer. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 정반은 상기 제1 정반에 대향하여 웨이퍼의 다른 일면을 폴리싱하는 제2 정반을 더 포함하는 연마패드 드레싱 장치.And the surface plate further comprises a second surface plate for polishing the other surface of the wafer opposite the first surface plate. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제2 정반의 선단에 대응하는 노즐을 이동시키는 실린더를 포함하는 연마패드 드레싱 장치. And a cylinder for moving the nozzle corresponding to the tip of the second surface plate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 노즐은 봉 상으로 길게 형성되는 공급관의 선단에 장착되는 연마패드 드레싱 장치.The nozzle is polishing pad dressing apparatus mounted to the tip of the supply pipe is formed long in the shape of a rod. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 공급관의 노즐 반대측 단에는 노즐의 분사 방향을 전환시키는 반전 모터가 구비되는 연마패드 드레싱 장치.Polishing pad dressing device is provided at the opposite end of the nozzle of the supply pipe is provided with an inverting motor for switching the injection direction of the nozzle. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 공급관은 그 일측에 피동풀리를 구비하고,The supply pipe is provided with a driven pulley on one side thereof, 상기 피동풀리의 대향 측 반전 모터는 피동풀리를 구비하며,The opposite side inverting motor of the driven pulley includes a driven pulley, 상기 구동풀리와 피동풀리는 밸트로 연결되는 연마패드 드레싱 장치.Polishing pad dressing device is connected to the drive pulley and the driven pulley belt. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 반전 모터는 180°로 정회전 및 역회전 작동되는 스탭 모터로 형성되는 연마패드 드레싱 장치. The inverting motor is polishing pad dressing apparatus formed of a step motor that is rotated forward and reverse rotation at 180 °. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 노즐은 초순수의 고압 분사를 온/오프 제어하는 노즐 제어 솔레노이드를 구비하는 연마패드 드레싱 장치.The nozzle is polishing pad dressing apparatus having a nozzle control solenoid for controlling the high-pressure injection of ultrapure water on / off. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서는 상기 노즐 브래킷으로 이동으로 상기 연마패드 상에서 노즐의 위치를 감지하도록 상기 리미트 가이드 액추에이터의 일측에 상기 연마패드의 영역별 직경 방향의 거리에 상응하여 리미트 가이드 액추에이터의 일측에 구비되는 연마패드 드레싱 장치.The sensor is provided on one side of the limit guide actuator corresponding to the radial distance of each area of the polishing pad on one side of the limit guide actuator to sense the position of the nozzle on the polishing pad by moving to the nozzle bracket Device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서는 상기 연마패드의 최외곽 선단에 대응하는 제1 센서,The sensor may include a first sensor corresponding to the outermost tip of the polishing pad; 상기 연마패드의 최외곽 선단에서 직경 방향 내측에 형성되는 제1 영역에 대응하는 제2 센서,A second sensor corresponding to a first area formed in the radially inner side at the outermost end of the polishing pad; 상기 제1 영역에서 연마패드의 직경 방향 내측에 형성되는 제2 영역에 대응하는 제3 센서, 및A third sensor corresponding to a second region formed in the radial direction of the polishing pad in the first region, and 상기 제2 영역에서 연마패드의 중심에 형성되는 제3 영역에 대응하는 제4 센서를 포함하는 연마패드 드레싱 장치.And a fourth sensor corresponding to a third region formed at the center of the polishing pad in the second region. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이동 모터는 그 일측에 구동풀리를 구비하고,The moving motor has a drive pulley on one side thereof, 상기 리미트 가이드 액추에이터는 상기 구동풀리의 대향측 리드스크류에 피동풀리를 구비하며,The limit guide actuator is provided with a driven pulley on the lead screw on the opposite side of the drive pulley, 상기 구동풀리와 피동풀리는 밸트로 연결되는 연마패드 드레싱 장치.Polishing pad dressing device is connected to the drive pulley and the driven pulley belt. 이동 모터를 구동시키고 제1, 제2, 제3, 제4 센서의 감지 신호를 입력하는 제1 단계;A first step of driving the moving motor and inputting detection signals of the first, second, third and fourth sensors; 노즐의 정반에 도착 여부를 판단하는 제2 단계;A second step of determining whether to reach the surface of the nozzle; 제2 단계에서 노즐이 정반의 최외곽에 도착하면 노즐 제어 솔레노이드를 온으로 제어하는 제3 단계;A third step of controlling the nozzle control solenoid on when the nozzle arrives at the outermost side of the surface plate in the second step; 정반 상에서 노즐의 위치에 따라 이동 모터의 구동 속도를 제어하는 제4 단계;A fourth step of controlling the driving speed of the moving motor according to the position of the nozzle on the surface plate; 노즐의 정반 중심에 도착 여부를 판단하는 제5 단계;A fifth step of determining whether to reach the center of the surface plate of the nozzle; 제5 단계에서 노즐이 정반의 중심에 도착하면 노즐 제어 솔레노이드를 오프로 제어하는 제6 단계; 및A sixth step of controlling the nozzle control solenoid off when the nozzle arrives at the center of the surface plate in the fifth step; And 이동 모터를 역 구동시키는 제7 단계를 포함하는 연마패드 드레싱 방법.And a seventh step of reverse driving the moving motor. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제4 단계는 제1 센서의 감지신호가 인가될 때까지 정반의 제1 영역에 이동 모터를 제1속으로 제어하는 단계를 포함하는 연마패드 드레싱 방법.And the fourth step includes controlling the moving motor to the first speed in the first area of the surface plate until the detection signal of the first sensor is applied. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제4 단계는 제2 센서의 감지신호에서 제3 센서의 감지신호가 인가될 때까지 정반의 제2 영역에 이동 모터를 제2속으로 제어하는 단계를 포함하는 연마패드 드레싱 방법.And the fourth step includes controlling the moving motor at a second speed in the second area of the surface until the detection signal of the third sensor is applied from the detection signal of the second sensor. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제4 단계는 제3 센서의 감지신호에서 제4 센서의 감지신호가 인가될 때까지 정반의 제3 영역에 이동 모터를 제3속으로 제어하는 단계를 포함하는 연마패드 드레싱 방법.And the fourth step includes controlling the moving motor at a third speed in the third region of the surface until the detection signal of the fourth sensor is applied from the detection signal of the third sensor. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 14 to 16, 상기 제2 속은 제1속 및 제3속보다 저속인 것을 특징으로 하는 연마패드 드레싱 방법.And the second genus is slower than the first genus and the third genus.
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