JPH07201786A - Method and apparatus for grinding compound semiconductor wafer - Google Patents

Method and apparatus for grinding compound semiconductor wafer

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JPH07201786A
JPH07201786A JP1139994A JP1139994A JPH07201786A JP H07201786 A JPH07201786 A JP H07201786A JP 1139994 A JP1139994 A JP 1139994A JP 1139994 A JP1139994 A JP 1139994A JP H07201786 A JPH07201786 A JP H07201786A
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polishing
wafer
pressure head
wafers
semiconductor substrate
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JP1139994A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Miyajima
秀樹 宮嶋
Original Assignee
Sumitomo Electric Ind Ltd
住友電気工業株式会社
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Abstract

PURPOSE:To prevent the corrosion and oxidation of wafers and prevent the deposition of chemicals on wafers by washing abrasive solution out of their surfaces with a jet of pure water emitted directly to the wafers that have been ground CONSTITUTION:Compound semiconductor wafers 5 are ground with an abrasive solution, and they are washed with a jet of pure water, grinding stopper, or water containing grinding stopper so as to remove the abrasive solution from their surface. More specifically, a grinding plate 4 held on a pressure head 3 is raised fast when wafers have been ground with an abrasive solution. When the pressure head reaches its highest position, a sensor detects it and a rinsing solution is ejected from a pipe 9 against the lower surfaces of the wafers. During the rinsing, the pressure head is rotated so that all wafers on the plate 4 can be rinsed uniformly.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】この発明は、集積回路や、発光素子、受光素子などの基板に用いられる化合物半導体基板の研磨方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention is an integrated circuit and, the light emitting element, a polishing method of a compound semiconductor substrate used for the substrate, such as a light-receiving element. 化合物半導体というのは、GaA Because compound semiconductor is, GaA
s、InP、InSbなどの半導体を言う。 s, InP, a semiconductor such as InSb say. これらの単結晶は、水平ブリッジマン法や、液体封止チョクラルスキ−法などによって作られる。 These single crystals, and the horizontal Bridgman method, the liquid seal Czochralski - produced by such law. これは細長いインゴットである。 This is an elongated ingot. インゴットを内周刃ブレ−ドにより薄く切断する。 Inner diameter saw shake the ingot - cutting thinned by de. これがアズカットウエハである。 This is the as-cut wafer. アズカットウエハはエッチング、ラッピング、ポリシング(研磨)によりミラ−ウエハになる。 As-cut wafer is mirror etching, lapping, by polishing (polishing) - becomes a wafer. この発明は、この工程の内、ポリシングに関する。 The present invention, among the process relates to policing. 特に研磨の後処理に関する。 And more particularly to a post-processing of polishing.

【0002】 [0002]

【従来の技術】化合物半導体基板、例えばGaAsの研磨は、NaClO(次亜塩素酸ナトリウム)水溶液を研磨液とし、ポリウレタン系の人工皮革ポリッシャ(研磨布)を用いて行なわれる場合が多い。 BACKGROUND ART Compound semiconductor substrate, for example, GaAs of polishing, NaClO (the sodium hypochlorite) solution as the polishing liquid, is often performed using a polyurethane-based artificial leather polisher (polishing cloth). 化合物半導体の研磨については例えば、「超精密研磨・鏡面加工技術総合技術資料集」p387〜389、昭和62年10月31 For polishing of compound semiconductor, for example, "ultra-precision polished and mirror-polished Technology Instruction Manual" p387~389, 1987 October 31,
日、経営開発センタ−刊行」に記載される。 Day, management development center - is described in the literature. " 研磨液は化学的な作用によりウエハを削り、研磨布は物理的にウエハを削る。 Polishing liquid scraping wafer by chemical action, the polishing cloth physically scraping the wafer. 研磨装置は、定盤と加圧ヘッドなどよりなる。 Polishing apparatus so forth platen and the pressure head. 加圧ヘッドの下面にはウエハをいくつか貼り付け、 Paste some of the wafer on the lower surface of the pressure head,
回転する定盤に当てて加圧ヘッドを回転し、研磨液を定盤の上に供給しながら定盤も回転する。 Against the platen rotates to rotate the pressing head, the platen is also rotated while the polishing liquid is supplied onto the platen. 加圧ヘッドの自転と、定盤の公転を組み合わせた運動により、ウエハが次第に削られてゆく。 And rotation of the pressure head, the movement which combines the revolution of the platen, the wafer Yuku been cut gradually. 最近では調合済みの研磨液が市販されている。 Ready-mix of the polishing liquid are commercially available in recent years. これも次亜塩素酸ナトリウムを主成分としており同様の作用によりウエハを研磨してゆくことができる。 This can also be slide into polished wafers by which the same effect as the main component of sodium hypochlorite.

【0003】ウエハの材料により研磨液も異なる。 [0003] also different polishing liquid by the material of the wafer. In In
Pの場合はBr−CH 3 OH水溶液あるいはこれを主成分とする研磨液が用いられる。 For P polishing liquid and Br-CH 3 OH solution or main component which is used. 図1は研磨装置の概略図である。 Figure 1 is a schematic view of a polishing apparatus. 回転定盤1は大きい円形の板であり、回転軸と共に回転する。 Rotating surface plate 1 is a large circular plate, to rotate together with the rotating shaft. 回転定盤1の上面には研磨布2が貼ってある。 The upper surface of the rotating surface plate 1 are pasted polishing cloth 2. これはポリウレタンなどである。 This is such as polyurethane. 加圧ヘッド3は円形の板と回転軸とよりなる。 Pressure head 3 is more a shaft rotating a circular plate. 回転軸は上方で軸受けにより回転可能に支持される。 Rotary shaft is rotatably supported by a bearing above. またモ−タにより回転できる。 Again - it can be rotated by the motor. さらに適当な荷重をかけることができるようになっている。 Thereby making it possible to apply a more appropriate load. 加圧ヘッド3の下には、研磨プレ−ト4が取り付けられる。 Under the pressure head 3, the polishing pre - DOO 4 is attached. 研磨プレ−ト4には円周上に複数の化合物半導体ウエハ5が貼り付けられる。 Polishing pre - multiple compound semiconductor wafer 5 on the circumference is bonded to the bets 4. 回転定盤1の中央部上方から研磨液6が、研磨液配管7により供給される。 Polishing liquid 6 from the central portion above the rotating platen 1 is supplied by the polishing liquid pipe 7.
研磨中は、加圧ヘッドにより適当な圧力を加えてウエハを押さえる。 During polishing, pressing the wafer by adding an appropriate pressure by the pressure head. 加圧ヘッド3は自転し、回転定盤1は公転する。 Pressure head 3 is rotating, the rotating surface plate 1 is revolved. 研磨液は化学的にウエハを削る作用と、研磨布との接触を和らげる緩衝作用がある。 Polishing liquid is buffering action to relieve the effect of cutting the chemically wafer, the contact with the polishing cloth. 研磨終了後は、加圧ヘッド3が持ち上げられて、アンロ−ドステ−ション8 After the polishing is is lifted the pressure head 3, unload - Dosute - Deployment 8
に置かれる。 It is placed in.

【0004】本発明は、研磨の終了近くでの液体の供給に関するので、これに関連する従来技術について説明する。 [0004] The present invention than for the supply of the liquid near the end of the polishing will be described prior art relating thereto. 特開平2−207527号「GaAsウエハの研磨方法」 これは、GaAsウエハを次亜塩素酸系の研磨液により研磨する際に、終了近くに定盤に過酸化水素水(H 2 JP-A-2-207527 "polishing method of the GaAs wafer" This a GaAs wafer when polishing the polishing liquid hypochlorite, hydrogen peroxide to the base towards the end (H 2 O
2 )を与える。 Give 2). これはウエハの表面から研磨液を除くためである。 This is to remove the polishing liquid from the surface of the wafer. 次亜塩素酸系研磨液がウエハの上に残留すると、ウエハをエッチングし酸化するので、微小な凹凸が発生する。 When hypochlorite based polishing liquid remaining on the wafer, since the wafer etched oxidation, fine irregularities are generated. このためにウエハ表面に曇りが生じる。 Cloudy on the wafer surface is generated for this purpose. そこで次亜塩素酸系研磨液を除くために過酸化水素水を定盤に流している。 Where it flows to the base of the hydrogen peroxide solution to remove hypochlorite based polishing solution. 図3はこの従来技術の様子を示す。 Figure 3 shows how this prior art.

【0005】特開平3−248532号「半導体ウエハの加工方法」 これは、SiO 2砥粒と化学作用を有する材料とよりなる研磨剤を使って、Si、GaAs、InPなどのウエハを研磨する。 [0005] Japanese Patent Laid-Open No. 3-248532 "processing method of a semiconductor wafer" This uses the material and become more abrasive having a SiO 2 abrasive grains and chemical action, polished Si, GaAs, a wafer such as InP. 砥粒が物理的に作用するので、ウエハが傷つく。 Since the abrasive grains to act physically, wafer hurt. 研磨液の量を増やすと傷が付きにくいが、しかし研磨液が常時多いとすれば不経済である。 Scratch-resistant and increase the amount of the polishing liquid, but the polishing liquid is uneconomical if often at all times. そこで、研磨の終わりに近い時に、研磨液の量を増加させる。 Therefore, when close to the end of the polishing, increasing the amount of polishing liquid. 付加的な配管を用いて研磨液を一気に噴出するようにする。 So as to jet an abrasive fluid once with additional piping.
図4はこれを示す。 Figure 4 illustrates this. 特開平1−302727号「化合物半導体鏡面基板の製造方法」 これは、研磨加工に於ける最終のリンス工程時に、チオ硫酸ナトリウム(Na 223 )を含有するリンス液にて研磨加工を行うことにより、基板表面に高品質の清浄度を持たせるものである。 "Manufacturing method of a compound semiconductor mirror substrate" This JP 1-302727, when the rinsing step in the final in polishing, the polishing by rinse solution containing sodium thiosulfate (Na 2 S 2 O 3) by performing, but to have a high quality of cleanliness of the substrate surface.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】従来は、研磨終了後、 The present invention is to provide a conventional, after polishing,
人手または搬送機構により研磨プレ−トを水洗工程に移動させ、ここで水洗いし研磨液を除去していた。 Manually or transport mechanism polishing pre - move the door to the washing step, it was removed a polishing liquid wash here. 研磨の終了と研磨液の除去の間に時間的な遅れがあった。 I had time lag between the removal of the termination and polishing liquid in the polishing. この間に研磨液による化学的な腐食が進行する。 Chemical corrosion proceeds due to the polishing solution during this time. 不規則に付着している研磨液のために、局所的に基板が腐食されるのでエッチピットができる。 For polishing liquid are irregularly deposited, since locally the substrate is corroded can etch pits. さらに薬剤が析出し、基板の表面に異物が付着する。 Furthermore agent is deposited, the foreign matter adheres to the surface of the substrate. 或いは研磨液による酸化が進行する。 Or oxidation by the polishing solution proceeds. このような原因で、ウエハの表面の品質が劣化する。 In such a cause, the quality of the surface of the wafer is deteriorated. 研磨終了後、出来るだけ早く研磨液を除去し、ウエハの腐食や薬剤の析出、酸化などを防ぐようにすることが本発明の目的である。 After the polishing, early polishing liquid is removed as possible, precipitation of the corrosion and drug wafer, is possible to prevent oxidation or the like is an object of the present invention. 前記の従来技術は過酸化水素を定盤に与えて、研磨液の化学的作用を中和させるものである。 The prior art gives hydrogen peroxide platen, is intended to neutralize the chemical action of the polishing liquid. これは直接にウエハを洗浄する作用がない。 This is not an effect of cleaning the wafer directly.
定盤との接触により研磨液を洗い流そうとするものである。 It is intended to Arainagaso a polishing liquid by contact with the platen. は最終段階に研磨液を大量に流すものであり、研磨液を除去する作用はない。 Is intended to flow a polishing liquid in a large amount in the final stage, there is no effect of removing a polishing liquid. はチオ硫酸ナトリウムにより研磨液を中和するものであるが、これも定盤に流すので作用が間接的である。 Although it is intended to neutralize the polishing solution by sodium thiosulfate, which also acts so flow to the surface plate it is indirect.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体基板の研磨方法は、化合物半導体基板を研磨液を用いて研磨した後、基板を持ち上げて、基板の表面に直接に純水または研磨停止剤、あるいは研磨停止剤を含んだ水を噴射して、基板の表面に付着した研磨液を除去するようにしたものである。 Polishing method of a compound semiconductor substrate of the SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is, after polishing the compound semiconductor substrate using a polishing liquid, and lift the substrate, directly in pure water or a polishing stop material on the surface of the substrate or by injecting containing a polishing stopper agent water, which was followed by removal of polishing solution adhering to the surface of the substrate.

【0008】 [0008]

【作用】研磨液は化学的な作用によりウエハ表面を除去してゆくものであるから、これが残留するとウエハを腐食する。 [Action] Since the polishing liquid are those slide into removing the wafer surface by chemical action, which corrodes the wafer when residual. 腐食は研磨終了後直ちに開始する。 Corrosion will start immediately after the completion of polishing. 本発明は、 The present invention,
研磨液を使って化合物半導体ウエハの研磨をした後、直ちにウエハを持ち上げて、ウエハ面へ直接に純水等を吹き付けて研磨液を洗い流す。 After using the polishing liquid polishing compound semiconductor wafers, immediately lifting the wafer, directly wash the polishing solution by spraying pure water or the like to the wafer surface. つまり研磨が終わると、加工ヘッドを持ち上げウエハ面を研磨布から離し、ウエハの露呈した面に直接に純水などを吹き付ける。 That is, when the polishing is completed, the wafer surface to lift the machining head away from the polishing cloth, directly spraying the like pure water exposed to the surface of the wafer. 洗浄はできるだけ早くするのが良い。 Washing is good as soon as possible. 研磨終了から、洗浄開始までの時間は10秒以内であることが望ましい。 From completion of the polishing, the time until the cleaning start is desirably within 10 seconds. 3秒以内であると更に効果がある。 There in less than 3 seconds there is a more effective and. 本発明は研磨が終わると直ぐに純水を吹き付けてウエハ面を洗浄する。 The present invention to clean the wafer surface immediately spraying pure water when polishing is completed. これは回転定盤の近くに上向きの洗浄液配管(シャワ−ノズル等)を設け、ここから純水等を吹き付けることによってなされる。 This upward cleaning fluid piping near the rotating surface plate - made by spraying pure water or the like (shower nozzle or the like) provided from here. 研磨液を洗い流すので、ウエハが研磨後に腐食されるということがない。 Since washing out the polishing liquid, it is not that the wafer is corroded after polishing. 局所的腐食によってピットが発生しない。 Pits are not generated by local corrosion. 高品質の表面を持つウエハを得ることができる。 It can be obtained a wafer having a high quality surface.

【0009】研磨加工の手順を初めから述べると次のようになる。 [0009] To describe the steps of the polishing process from the beginning is as follows. 研磨は、既に述べたように次のようにして行なう。 Polishing is performed as follows, as already mentioned. 研磨布を貼り付けた回転定盤を回転させ研磨液を供給する。 Supplying a polishing liquid to rotate the rotating platen was attached a polishing cloth. 研磨プレ−トにウエハを貼り付け、これを加工ヘッドに取り付けて、加工ヘッドを研磨布に押しつける。 Polishing pre - paste the wafer bets, attach it to the processing head, pressed against the processing head to the polishing cloth. 加工ヘッドは自転させ、回転定盤は公転させる。 Processing head is rotating, the rotating surface plate is revolving. ウエハの表面が研磨布に接触する。 The surface of the wafer is brought into contact with the polishing cloth. 研磨布との摩擦と研磨液の化学的作用によりウエハが研磨される。 The wafer is polished by the chemical action of the polishing liquid and the friction between the polishing cloth. この作業が終わると、加工ヘッドが持ち上がるので、ウエハの表面が露出する。 Once this is completed, the processing head is raised, the surface of the wafer is exposed. ウエハにめがけて、シャワ−ノズルから純水等を噴射する。 On him the wafer, shower - injects pure water or the like from the nozzle. 直接に水が吹き付けられるので、ウエハから瞬時に研磨液が除かれる。 Since directly water sprayed, the polishing liquid is removed from the wafer immediately. 研磨液が完全に除去されるので、以後残留研磨液によりエッチピットができたりしない。 Since the polishing liquid is completely removed, no or it can etch pits by subsequent residual polishing liquid. 良好な表面のウエハを得る。 Get a wafer of good surface. 純水を噴射する際、加工ヘッドを回転した方が良い。 When injecting the pure water, it is better to rotate the machining head. その方が研磨液を完全に除き易いからである。 That it is because the easy completely except for the polishing liquid. 純水の他に、研磨停止剤、 In addition to, the polish stop agent of pure water,
研磨停止剤を含む水を吹き付けることにしても良い。 It may be spraying water containing an abrasive terminator. 残留してもウエハに悪影響を及ぼさない液体であることが必要である。 It is necessary also remain a liquid that does not adversely affect the wafer.

【0010】 [0010]

【実施例】図1、図2によって本発明の実施例を説明する。 DETAILED DESCRIPTION FIG. 1, an embodiment of the present invention by FIG. 本発明を実施する研磨装置は、研磨布(ポリッシャ)2を貼りつけた回転定盤1、研磨プレ−ト4を着脱できる加圧ヘッド3、研磨プレ−ト4を置くためのアンロ−ドステ−ション8、洗浄液配管9等を含む。 Polishing apparatus for carrying out the present invention, rotating platen 1 was stuck to a polishing cloth (polisher) 2, polishing pre - DOO 4 can attach and detach the pressure head 3, the polishing pre - unloader for placing bets 4 - Dosute - Deployment 8, comprising a cleaning liquid pipe 9 or the like. 回転定盤1は主軸17の周りを大きく公転する。 Rotating surface plate 1 is increased revolves around the main axis 17. 加圧ヘッド3 Pressure head 3
は軸20の周りを自転する。 To rotate about an axis 20. 研磨布2は例えば、ポリウレタン系人工皮革ポリッシャ等である。 Polishing cloth 2 is, for example, a polyurethane-based artificial leather polisher like. 半導体基板(ウエハ)5は、研磨プレ−ト4の面に貼り付けられている。 Semiconductor substrate (wafer) 5, polishing pre - affixed to a surface of the bets 4. 加圧ヘッド3は、回転定盤1とアンロ−ドステ−ション8の間を移動できる。 Pressure head 3 is rotating platen 1 and the unload - can move between Deployment 8 - Dosute.

【0011】研磨時には、研磨液配管7から研磨液6 [0011] At the time of polishing, polishing liquid from the polishing liquid pipe 7 6
が、研磨布2の上に常時供給される。 But, it is always supplied on top of the polishing cloth 2. 加圧ヘッド3は、 Pressure head 3,
研磨プレ−ト4を保持し、回転定盤1の研磨布2にウエハを押しつける。 Polishing Pre - holding the door 4, pressing the wafer to the polishing cloth 2 of the rotating surface plate 1. 回転定盤1の公転と、加圧ヘッド3の自転により、ウエハ5が化学的、物理的に研磨される。 And the revolution of the rotating surface plate 1, the rotation of the pressure head 3, the wafer 5 is chemically, physically polished.
これが図1に示す状態である。 This is the state shown in FIG. 研磨が終了すると、研磨プレ−ト4は、加圧ヘッド3に保持されたまま速やかに上昇する。 After polishing, polishing pre - DOO 4 quickly increases while being held in the pressure head 3. この時の加圧ヘッド3の上昇機構には例えばエアシリンダ−を用いる。 At this time the pressure head 3 of the lifting mechanism, for example, an air cylinder - is used. エアシリンダ−によって持ち上げて一定位置に停止する。 Air cylinder - by lifting and stops at a predetermined position. 上昇下降の機構にはエアシリンダ−の他に、電動モ−タ、ギヤ、ボ−ルねじなどを組み合わせた機構を用いることもできる。 In addition to the electric motor - - air cylinder of the mechanism of the rise and fall can be used a mechanism that combines such ball screw - motor, gears, ball.

【0012】加圧ヘッド3の上の停止位置には加圧ヘッド検出用のセンサを設けておく。 [0012] the stop position on the pressure head 3 are preferably provided a sensor for detecting the pressure head. センサが加圧ヘッド3 Sensor pressure head 3
を検出すると、洗浄液配管9から洗浄液10がウエハ5 Upon detection of the cleaning liquid 10 from the cleaning liquid pipe 9 is wafer 5
の下面に向かって噴射される。 It is injected toward the underside of the. この時加圧ヘッド3は回転させておく。 At this time the pressure head 3 is allowed to rotate. 研磨プレ−ト4に貼り付けた複数枚のウエハを均一に洗浄するためである。 Polishing pre - it is for a plurality of wafers pasted to preparative 4 uniformly cleaned. 研磨の終了から、洗浄の開始までは3秒以内であることが望ましい。 From the end of the polishing, it is desirable that the start of the wash is within 3 seconds. 洗浄液は、純水、研磨停止剤、研磨停止剤入りの水などである。 Cleaning liquid, pure water, a polishing stop agents, and the like water-polishing agent mixed. 一定時間洗浄した後に、加圧ヘッド3をアンロ−ドステ−ション8に置く。 After washing a predetermined time, the pressure head 3 unload - put Deployment 8 - Dosute. アンロ−ドステ−ション8では下方から純水などをウエハに噴き付けて、洗浄を十分に行なう。 Unload - Dosute - from below the Deployment 8 sprayed and pure water to the wafer, thoroughly cleaned. その後、次工程の水洗、乾燥に移す。 Thereafter, water washing of the next step, transferred to drying. これらの動作は、全てシ−ケンサ又はマイクロコンピュ−タとセンサを用いて制御する。 These operations are all sheet - sequencer or microcomputer - controlled using a motor and sensor. そのため各動作の時間、速度などを最適になるように設定することができる。 Therefore time for each operation can be set to be such ideal speed.

【0013】 [0013]

【発明の効果】本発明の効果を確かめるために、半導体ウエハを研磨終了後3秒以内に純水をウエハに直接噴き付けてウエハを洗浄したものと、従来の方法(アンロ− In order to confirm the effects of the present invention, and that the wafer is cleaned with sprayed directly pure water to the wafer to the semiconductor wafer within three seconds after completion of the polishing, a conventional method (unloader -
ドステ−ションに於いてから純水を噴き付ける)で洗浄したものについて、ウエハ表面の欠陥数を計測した。 Dosute - for the In Deployment those washed with Spray add) deionized water was measured number of defects on the wafer surface. ここで欠陥数というのは、表面欠陥数と付着異物数の和である。 Here because the number of defects is the sum of the adhesion of foreign matter to the surface number of defects. これはパ−ティクルカウントというが、この例では、散乱断面積が0.06μm 2以上の輝点の数を数えている。 This path - Tcl say count, but in this example, the scattering cross section is counted the number of 0.06 .mu.m 2 or more bright spots. 測定は4インチウエハ40枚について行なった。 The measurement was carried out on 40 pieces 4 inches wafer. 表1はその測定結果を示す。 Table 1 shows the measurement results.

【0014】 [0014]

【表1】 [Table 1]

【0015】この結果から本発明のようにウエハを研磨直後に洗浄液を噴射する場合としない場合とに比較してパ−ティクルカウントを約3個低減することができる。 [0015] If and when not to inject cleaning liquid to the wafer immediately after the polishing as compared to the path as in the present invention from the results - can tickle counts to about three reduced.
低減量が僅かなようであるが、40枚の平均値であるから有意の差がある。 While reducing weight is so slight, there is a significant difference from 40 sheets of the mean. 本発明が効果を奏することが分かる。 It can be seen that the present invention is an effect. さらに同じウエハについて表面酸化膜の厚みをエリプリメ−タ−により測定した。 Further Eripurime the thickness of the surface oxide film on the same wafer - was measured by - data. 結果を表2に示す。 The results are shown in Table 2.

【0016】 [0016]

【表2】 [Table 2]

【0017】本発明の方法により、研磨後直ちに純水を噴射した場合、表面酸化膜が約3Å薄いことが分かる。 [0017] By the method of the present invention, when ejecting the abrasive immediately after pure water, it can be seen the surface oxide film of about 3Å thin.
この結果から本発明は、ウエハの表面酸化の進行を抑える効果もあることがはっきりする。 The present invention based on this result, it is clearly that the effect of suppressing the progress of surface oxidation of the wafer. このように本発明は、ウエハの表面欠陥の発生を抑制し、酸化の進行を遅らせ、異物の付着を防ぐ上で効果がある。 Thus, the present invention is to suppress the occurrence of surface defects of the wafer, slow the progression of oxidation is effective in preventing adhesion of foreign matter.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】半導体ウエハの研磨装置によって半導体ウエハを研磨している状態を示す概略断面図。 1 is a schematic sectional view showing a state of polishing a semiconductor wafer by the polishing apparatus of semiconductor wafers.

【図2】研磨の終了後、本発明の手法に従い、ヘッドを持ち上げてウエハに洗浄液を噴射している状態を示す概略断面図。 [2] After polishing the end, according to the procedure of the present invention, a schematic sectional view showing a state in which lift the heads are jetting a cleaning liquid to the wafer.

【図3】特開平2−207527号の研磨装置を示す概略断面図。 3 is a schematic sectional view showing a polishing apparatus of JP-A-2-207527.

【図4】特開平3−248532号の研磨装置を示す概略断面図。 Figure 4 is a schematic sectional view showing a polishing apparatus of JP-A-3-248532.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 回転定盤 2 研磨布(ポリッシャ) 3 加圧ヘッド 4 研磨プレ−ト 5 半導体基板(ウエハ) 6 研磨液 7 研磨液配管 8 アンロ−ドステ−ション 9 洗浄液配管 10 洗浄液 12 H 22配管 1 rotating surface plate 2 polishing cloth (polisher) 3 the pressure head 4 polishing pre - DOO 5 semiconductor substrate (wafer) 6 polishing liquid 7 polishing liquid pipe 8 unload - Dosute - Deployment 9 the washing liquid pipe 10 the cleaning liquid 12 H 2 O 2 pipe

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 化合物半導体ウエハを研磨液を用いて研磨した後、ウエハを持ち上げて、ウエハの表面に直接に、純水または研磨停止剤、あるいは研磨停止剤を含んだ水を噴射してウエハの表面に付着した研磨液を除去するようにしたことを特徴とする化合物半導体基板の研磨方法。 [Claim 1] After compound semiconductor wafer was polished by using a polishing liquid, and lift the wafer, directly to the surface of the wafer, by spraying water containing pure water or polish stop agent, or a polish stop material wafer polishing method of a compound semiconductor substrate, characterized in that so as to remove polishing solution adhering to the surface of the.
  2. 【請求項2】 研磨布を貼り付けた回転する回転定盤と、半導体基板を貼り付けた研磨プレ−トとを着脱自在に保持することができ、加圧ヘッドを保持して一定位置に持ち上げることのできる加圧ヘッド昇降装置と、持ち上げられた半導体基板の下面に洗浄液を噴射する洗浄液配管と、回転定盤の上に研磨液を供給する研磨液配管とを含み、研磨後に半導体基板と加圧ヘッドとを上昇させ、洗浄液配管から洗浄液を半導体基板に噴射することを特徴とする化合物半導体基板の研磨装置。 2. A rotating platen that rotates pasted polishing cloth, polishing pre pasted semiconductor substrate - can hold a preparative detachably, lifted at a fixed position by holding the pressure head a pressure head lifting device capable of, and the cleaning liquid pipe for injecting a cleaning liquid to the lower surface of the semiconductor substrate which has been lifted, and a polishing liquid pipe for supplying a polishing liquid onto the rotating platen, the semiconductor substrate and the pressure after the polishing raising the pressure head, the polishing apparatus of a compound semiconductor substrate, characterized by injecting the cleaning liquid pipe a cleaning liquid to the semiconductor substrate.
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Cited By (10)

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