JPH07249601A - Grinding equipment - Google Patents

Grinding equipment

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Publication number
JPH07249601A
JPH07249601A JP4003994A JP4003994A JPH07249601A JP H07249601 A JPH07249601 A JP H07249601A JP 4003994 A JP4003994 A JP 4003994A JP 4003994 A JP4003994 A JP 4003994A JP H07249601 A JPH07249601 A JP H07249601A
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JP
Japan
Prior art keywords
grinding
grindstone
cleaning
washing
control circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP4003994A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Suzuki
智 鈴木
Yoshiyuki Abe
由之 阿部
Junichi Uchida
淳一 内田
Koichi Koyanagi
好一 小柳
Jiro Sakaguchi
二郎 坂口
Tadao Sakamoto
忠夫 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP4003994A priority Critical patent/JPH07249601A/en
Publication of JPH07249601A publication Critical patent/JPH07249601A/en
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Abstract

PURPOSE:To decrease the frequency of dressing work for the clogging of a grindstone, by washing the grindstone periodically and automatically. CONSTITUTION:A washing nozzle 3 is situated at a waiting position outside the circumference of a grindstone 1 when a semiconductor wafer 6 is ground. When grinding reaches the set specified number of sheets, grinding is ended. A control circuit 5 drives a motor 4, and moves the washing nozzle 3 to a position vertical to the grinding surface of the grindstone 1 and on its circumference. The washing position and the waiting position are detected by a photosensor or the like, and the control circuit 5 drives the motor 4. At the time of washing, the control circuit 5 rotates a spindle 2 at a low speed, and the washing nozzle 3 injects high pressure cleaning fluid for a specified period. After washing, the washing nozzle 3 is moved to the waiting position by the motor 4. The number of rotation of the spindle 2 is increased up to the set value for grinding, and the griding is started.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハなどを研
削および切断する研削装置に関し、特に、研削装置の砥
石の洗浄に適用して有効な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a grinding machine for grinding and cutting semiconductor wafers and the like, and more particularly to a technique effectively applied to cleaning a grindstone of the grinding machine.

【0002】[0002]

【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、半
導体ウエハを所定の厚さにする研削は、研削装置に設け
られている砥石を高速回転させ、半導体ウエハに接触さ
せることによって行っている。
2. Description of the Related Art According to a study made by the present inventor, grinding of a semiconductor wafer to a predetermined thickness is performed by rotating a grindstone provided in a grinding machine at a high speed to bring the grinding wafer into contact with the semiconductor wafer. There is.

【0003】また、この砥石の目詰まりの対処は、半導
体ウエハの研削した面の仕上がり状態が変化したとき
に、目立て用のドレッシングボードを所定の位置に設
け、そのドレッシングボードによって砥石の目詰まりし
た部分を削り落とし、新しい砥石面を露出させる、いわ
ゆる目立て作業を行っている。
In order to deal with the clogging of the grindstone, a dressing board for dressing is provided at a predetermined position when the finished state of the ground surface of the semiconductor wafer changes, and the grindstone is clogged with the dressing board. The so-called dressing work is performed by scraping off the part and exposing the new grindstone surface.

【0004】なお、半導体ウエハの研削に関する例とし
て、オーム社発行「LSIハンドブック」昭和59年1
1月30日発行、電子通信学会編、P237がある。
As an example of grinding a semiconductor wafer, "LSI Handbook" published by Ohmsha, Ltd.
Published on January 30, published by The Institute of Electronics and Communication Engineers, P237.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な研削装置では、目立て作業を行う時に作業者が手作業
によってドレッシングボードをセッティングしなければ
ならず、1回の目立て作業の時間も3〜4時間程度とい
う長時間に及んでしまうことにより、作業工数が増加し
てしまう。
However, in the above grinding apparatus, an operator must manually set the dressing board when performing the dressing work, and the time of one dressing work is 3 to 10. The work time is increased because the work time is extended to about 4 hours.

【0006】また、この目立て作業は、作業者の熟練度
に依存するところが多く、その目立て作業までの砥石の
寿命はおよそ半導体ウエハ500枚に1回程度の割合で
行わなければならず、作業者の負担が大きくなってい
る。
The dressing work often depends on the skill of the worker, and the life of the grindstone until the dressing work must be performed once for every 500 semiconductor wafers. Is becoming a heavy burden.

【0007】さらに、目立て作業直前の砥石による研削
と目立て作業直後の砥石による研削とでは、処理面の面
荒れや抗折強度の低下などの研削面の仕上がり具合が変
化してしまい、ばらつきが生じてしまう。
Further, between grinding with a grindstone immediately before the dressing work and grinding with the grindstone immediately after the dressing work, the finish of the ground surface such as surface roughness of the treated surface and reduction of bending strength changes, resulting in variations. Will end up.

【0008】本発明の目的は、定期的に自動で砥石の洗
浄を行うことにより、砥石の目詰まりによる目立て作業
の頻度を低減させる研削装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a grinding apparatus which reduces the frequency of dressing work due to clogging of the grindstone by regularly and automatically cleaning the grindstone.

【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【0011】すなわち、本発明の研削装置は、半導体ウ
エハを研削する研削装置に、砥石を洗浄する洗浄手段
と、洗浄手段を移動させる移動手段と、洗浄動作および
研削動作の制御を行う制御手段とを設けたものである。
That is, the grinding apparatus of the present invention includes a grinding apparatus for grinding a semiconductor wafer, a cleaning means for cleaning a grindstone, a moving means for moving the cleaning means, and a control means for controlling the cleaning operation and the grinding operation. Is provided.

【0012】また、本発明に研削装置は、洗浄手段が、
高圧の流体を噴射する噴射手段よりなるものである。
In the grinding apparatus of the present invention, the cleaning means is
It is composed of an injection means for injecting a high-pressure fluid.

【0013】さらに、本発明の研削装置は、噴射手段か
ら噴射される流体が、洗浄液、不活性ガスまたは空気で
あるものである。
Further, in the grinding apparatus of the present invention, the fluid jetted from the jetting means is a cleaning liquid, an inert gas or air.

【0014】また、本発明の研削装置は、洗浄手段が、
円柱状のブラシと、前記ブラシを回転させる回転手段と
よりなるものである。
Further, in the grinding apparatus of the present invention, the cleaning means is
It is composed of a cylindrical brush and a rotating means for rotating the brush.

【0015】[0015]

【作用】上記した本発明の研削装置によれば、洗浄機構
により定期的に自動で砥石を洗浄することができる。
According to the grinding apparatus of the present invention described above, the grindstone can be automatically cleaned periodically by the cleaning mechanism.

【0016】それにより、目立て作業を行う頻度が減
り、作業工数および作業者の負担を減らすことができ
る。
As a result, the frequency of dressing work is reduced, and the work man-hour and the burden on the worker can be reduced.

【0017】また、処理面の面荒れや抗折強度の低下な
どの研削面の仕上がり具合のばらつきを低減することが
できる。
Further, it is possible to reduce variations in the finish of the ground surface, such as surface roughness of the treated surface and reduction of the transverse strength.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0019】(実施例1)図1は、本発明の実施例1に
よる半導体ウエハの研削を行う研削装置の要部側面図、
図2は、本発明の実施例1による半導体ウエハの研削を
行う研削装置の洗浄機構部の構成図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a side view of a main part of a grinding apparatus for grinding a semiconductor wafer according to a first embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a configuration diagram of a cleaning mechanism portion of a grinding device that grinds a semiconductor wafer according to the first embodiment of the present invention.

【0020】本実施例1において、半導体ウエハの研削
を行う研削装置の研削機構部は、研削を行う砥石1と、
取り付けた砥石1を高速回転させるスピンドル2と、砥
石1を洗浄する洗浄ノズル(洗浄手段)3と、洗浄ノズ
ル3を移動させる移動用モータ(移動手段)4と、洗浄
動作および研削動作の制御を行う制御回路(制御手段)
5とにより構成されている。また、砥石1の下部には、
研削される半導体ウエハ6が取り付けられている。
In the first embodiment, the grinding mechanism portion of the grinding device for grinding a semiconductor wafer includes a grindstone 1 for grinding,
A spindle 2 for rotating the attached grindstone 1 at a high speed, a cleaning nozzle (cleaning means) 3 for cleaning the grindstone 1, a moving motor (moving means) 4 for moving the cleaning nozzle 3, and a cleaning operation and a grinding operation are controlled. Control circuit (control means)
5 and 5. Also, at the bottom of the grindstone 1,
A semiconductor wafer 6 to be ground is attached.

【0021】さらに、洗浄ノズル3は、制御回路5の制
御により移動用モータ4を駆動することによって、砥石
1の砥石面と垂直となり、かつ円周上となる洗浄位置と
洗浄を行わない時の待機位置とに移動させることができ
る。
Further, the cleaning nozzle 3 is driven by the movement motor 4 under the control of the control circuit 5 so that the cleaning nozzle 3 becomes perpendicular to the grindstone surface of the grindstone 1 and on the circumference, and when cleaning is not performed. It can be moved to the standby position.

【0022】また、この洗浄位置および待機位置の位置
検出は、たとえば防水形のフォトセンサ(図示せず)な
どを設け、そのフォトセンサからの信号を基に制御回路
5が移動用モータ4を駆動させる。
In order to detect the positions of the cleaning position and the standby position, for example, a waterproof photo sensor (not shown) is provided, and the control circuit 5 drives the moving motor 4 based on a signal from the photo sensor. Let

【0023】さらに、図2に示すように、この洗浄ノズ
ル3の洗浄噴出部3aからは、洗浄時に洗浄液として、
たとえば純水が高圧で噴出されるようになっている。
Further, as shown in FIG. 2, from the cleaning jet portion 3a of the cleaning nozzle 3, as cleaning liquid at the time of cleaning,
For example, pure water is jetted at high pressure.

【0024】次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0025】まず、定常作業である半導体ウエハ6の研
削時には、洗浄ノズル3は、砥石1の円周上外の所定の
待機位置に位置している。
First, at the time of grinding the semiconductor wafer 6 which is a regular work, the cleaning nozzle 3 is located at a predetermined standby position outside the circumference of the grindstone 1.

【0026】そして、半導体ウエハ6の研削が、予め設
定した所定の枚数まで達すると研削を自動的に終了し、
制御回路5によって移動用モータ4を駆動させ、砥石1
の砥石面と垂直となり、かつ円周上となる位置に洗浄ノ
ズル3を移動させる。
Then, when the number of semiconductor wafers 6 to be ground reaches a preset number, the grinding is automatically terminated,
The control circuit 5 drives the moving motor 4 to move the grindstone 1
The cleaning nozzle 3 is moved to a position that is perpendicular to the whetstone surface of and is on the circumference.

【0027】次に、砥石1に洗浄ノズル3から噴射され
た洗浄液の圧力がかかりやすいように制御回路5はスピ
ンドル2を低速回転(たとえば、50回転/分以下程
度)させる。その後、洗浄ノズル3から高圧(たとえ
ば、5kg/cm2 以上程度)の洗浄液を所定の時間だ
け噴射する。
Next, the control circuit 5 rotates the spindle 2 at a low speed (for example, about 50 revolutions / minute or less) so that the grindstone 1 is likely to receive the pressure of the cleaning liquid sprayed from the cleaning nozzle 3. After that, a high-pressure (for example, about 5 kg / cm 2 or more) cleaning liquid is sprayed from the cleaning nozzle 3 for a predetermined time.

【0028】そして、洗浄動作が終了すると、再度洗浄
ノズル3は、制御回路5によって制御された移動用モー
タ4により所定の待機位置まで移動される。
When the cleaning operation is completed, the cleaning nozzle 3 is again moved to a predetermined standby position by the moving motor 4 controlled by the control circuit 5.

【0029】また、スピンドル2は制御回路5の制御に
よって回転数を研削を行うことができる設定回転数まで
上げられ、半導体ウエハ6の研削が開始される。
Further, the spindle 2 is rotated under the control of the control circuit 5 to a set rotational speed at which grinding can be performed, and the grinding of the semiconductor wafer 6 is started.

【0030】よって、所定枚数の半導体ウエハ6の研削
および砥石1の洗浄作業を繰り返し行うことによって、
砥石の目詰まりが少なくなり、手作業による目立て作業
の頻度を少なくすることができる。
Therefore, by repeatedly grinding a predetermined number of semiconductor wafers 6 and cleaning the grindstone 1,
Clogging of the grindstone is reduced, and the frequency of manual dressing work can be reduced.

【0031】(実施例2)図3は、本発明の実施例2に
よる半導体ウエハの研削を行う研削装置の要部構成図で
ある。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a schematic view of a main part of a grinding apparatus for grinding a semiconductor wafer according to a second embodiment of the present invention.

【0032】本実施例2においては、研削を行う砥石1
を洗浄するために、たとえば、ナイロン製のブラシであ
る洗浄ブラシ7が所定の箇所に設けられている。
In the second embodiment, the grindstone 1 for grinding is used.
In order to wash the, the cleaning brush 7 which is a nylon brush, for example, is provided at a predetermined position.

【0033】また、この洗浄ブラシ7には、洗浄ブラシ
7を移動させる移動用モータ4と、洗浄時に洗浄ブラシ
を回転させる回転用モータ(回転手段)4aが設けられ
ており、これら洗浄動作および研削動作は、制御回路5
により制御されている。さらに、砥石1の下部には、研
削される半導体ウエハ6が取り付けられている。
Further, the cleaning brush 7 is provided with a moving motor 4 for moving the cleaning brush 7 and a rotating motor (rotating means) 4a for rotating the cleaning brush at the time of cleaning. The operation is the control circuit 5
Is controlled by. Further, a semiconductor wafer 6 to be ground is attached below the grindstone 1.

【0034】また、制御回路5は移動用モータ4を駆動
し、砥石1の円周上となる洗浄位置と洗浄を行わない時
の待機位置とに洗浄ブラシ7を移動させる。
Further, the control circuit 5 drives the moving motor 4 to move the cleaning brush 7 between the cleaning position on the circumference of the grindstone 1 and the standby position when cleaning is not performed.

【0035】さらに、この洗浄位置および待機位置の位
置検出は、たとえば防水形のフォトセンサ(図示せず)
などを設け、そのフォトセンサからの信号を基に制御回
路5が移動用モータ4を駆動させる。
Further, the positions of the cleaning position and the standby position are detected by, for example, a waterproof photo sensor (not shown).
Etc. are provided, and the control circuit 5 drives the moving motor 4 based on the signal from the photo sensor.

【0036】また、この洗浄ブラシ7は、洗浄時に回転
用モータ4aを駆動させることによってブラシ部分が高
速で回転するようになっている。
Further, in the cleaning brush 7, the brush portion is rotated at a high speed by driving the rotation motor 4a during cleaning.

【0037】次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0038】まず、定常作業である半導体ウエハ6の研
削時には、洗浄ブラシ7は、砥石1の円周上外の所定の
待機位置に位置している。
First, at the time of grinding the semiconductor wafer 6 which is a regular work, the cleaning brush 7 is located at a predetermined standby position outside the circumference of the grindstone 1.

【0039】そして、半導体ウエハ6の研削が、予め設
定した所定の枚数まで達すると研削を自動的に終了し、
制御回路5によって移動用モータ4を駆動させ、砥石1
の砥石面と垂直となり、かつ円周上である位置に洗浄ブ
ラシ7を移動させる。
When the number of semiconductor wafers 6 to be ground reaches a preset number of wafers, the grinding is automatically terminated,
The control circuit 5 drives the moving motor 4 to move the grindstone 1
The cleaning brush 7 is moved to a position which is perpendicular to the grindstone surface and is on the circumference.

【0040】次に、洗浄ブラシ7を回転用モータ4aに
より高速回転させ、砥石1の研削面を所定時間だけクリ
ーニングする。
Next, the cleaning brush 7 is rotated at a high speed by the rotation motor 4a to clean the grinding surface of the grindstone 1 for a predetermined time.

【0041】そして、洗浄動作が終了すると、制御回路
5は回転用モータ4aを停止させ、再度洗浄ブラシ7
は、移動用モータ4により所定の待機位置まで移動さ
せ、スピンドル2の回転数を研削を行うことができる設
定回転数まで上げ、半導体ウエハ6の研削を開始する。
When the cleaning operation is completed, the control circuit 5 stops the rotation motor 4a and restarts the cleaning brush 7
Is moved to a predetermined standby position by the moving motor 4, the rotation speed of the spindle 2 is increased to a set rotation speed at which grinding can be performed, and grinding of the semiconductor wafer 6 is started.

【0042】よって、所定枚数の半導体ウエハ6の研削
および砥石1の洗浄作業を繰り返し行うことによって、
手作業による目立て作業を低減することができる。
Therefore, by repeatedly grinding a predetermined number of semiconductor wafers 6 and cleaning the grindstone 1,
It is possible to reduce manual dressing work.

【0043】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0044】たとえば、洗浄ノズル3から噴射される洗
浄液は、前記実施例1の純水以外でもよく、半導体ウエ
ハに悪影響を及ぼさない液体、空気または窒素などの不
活性ガスの気体を高圧で噴射しても効果は同様である。
For example, the cleaning liquid sprayed from the cleaning nozzle 3 may be other than the pure water of the first embodiment, and a liquid that does not adversely affect the semiconductor wafer, air, or a gas of an inert gas such as nitrogen is sprayed at a high pressure. However, the effect is the same.

【0045】また、前記実施例1,2の洗浄ノズル3お
よび洗浄ブラシ7の位置検出は、フォトセンサなどのセ
ンサ以外でも良く、たとえば、パルスモータなどにより
パルス信号によって位置検出を行っても良い。
The position of the cleaning nozzle 3 and the cleaning brush 7 in the first and second embodiments may be detected by a sensor such as a photo sensor, and the position may be detected by a pulse signal from a pulse motor or the like.

【0046】さらに、図4に示すように、半導体ウエハ
6を個々のダイに分割するために采の目状の切溝を生成
する加工装置であるダイシング装置の切溝用のブレード
である砥石8の上部に洗浄ノズル3を設け、所定の枚数
の半導体ウエハ6のダイシングを行った後に、定期的に
砥石8に高圧の洗浄液を洗浄噴射部3aから噴射するこ
とにより砥石8の洗浄を行うこともできる。
Further, as shown in FIG. 4, a grindstone 8 which is a blade for a kerf of a dicing device which is a processing device for forming a kerf-shaped kerf for dividing the semiconductor wafer 6 into individual dies. It is also possible to clean the grindstone 8 by disposing a cleaning nozzle 3 on the upper part of the wafer, dicing a predetermined number of semiconductor wafers 6 and then periodically spraying a high-pressure cleaning liquid onto the grindstone 8 from the cleaning spraying unit 3a. it can.

【0047】[0047]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0048】(1)本発明によれば、砥石の洗浄を定期
的に自動で行えるので、手作業による目立て作業の頻度
を少なくすることができる。
(1) According to the present invention, since the grindstone can be regularly and automatically cleaned, the frequency of manual dressing work can be reduced.

【0049】(2)また、本発明では、上記(1)によ
り、作業工数を減少させることができ、砥石の寿命を延
ばすこともできる。
(2) Further, in the present invention, the number of working steps can be reduced and the life of the grindstone can be extended by the above (1).

【0050】(3)さらに、本発明においては、砥石の
目詰まりに起因する半導体ウエハの処理面の面荒れや抗
折強度の低下などの研削面の仕上がりにばらつきがなく
なり、信頼性の高い製品が供給できる。
(3) Further, according to the present invention, there is no variation in the finish of the ground surface such as the surface roughness of the processed surface of the semiconductor wafer due to the clogging of the grindstone and the reduction of the bending strength, so that a highly reliable product can be obtained. Can be supplied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1による半導体ウエハの研削を
行う研削装置の要部側面図である。
FIG. 1 is a side view of essential parts of a grinding device for grinding a semiconductor wafer according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例1による半導体ウエハの研削を
行う研削装置の洗浄機構部の構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a cleaning mechanism portion of a grinding device that grinds a semiconductor wafer according to a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例2による半導体ウエハの研削を
行う研削装置の要部構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a main part of a grinding device for grinding a semiconductor wafer according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の他の実施例による半導体ウエハのダイ
シングを行うダイシング装置の要部構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of a main part of a dicing device for dicing a semiconductor wafer according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 砥石 2 スピンドル 3 洗浄ノズル(洗浄手段) 3a 洗浄噴出部 4 移動用モータ(移動手段) 4a 回転用モータ(回転手段) 5 制御回路(制御手段) 6 半導体ウエハ 7 洗浄ブラシ 8 砥石 1 Grindstone 2 Spindle 3 Cleaning Nozzle (Cleaning Means) 3a Cleaning Jet 4 Motor for Moving (Moving Means) 4a Motor for Rotating (Rotating Means) 5 Control Circuit (Control Means) 6 Semiconductor Wafer 7 Cleaning Brush 8 Grinding Stones

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 淳一 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 小柳 好一 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 坂口 二郎 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 坂本 忠夫 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Junichi Uchida 3-3, Fujibashi, Ome, Tokyo 2-3 Hitachi Hitachi Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Koichi Koyanagi 3-3, Fujibashi, Ome, Tokyo 2 Within Tokyo Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Jiro Sakaguchi 3-3 Fujitabashi, Ome, Tokyo 2-3 Hitachi inside Tokyo Electronics Co., Ltd. (72) Tadao Sakamoto 3-3 Fujibashi, Ome-shi, Tokyo 2 Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハを研削する研削装置であっ
て、砥石を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段を前記砥
石に対して移動させる移動手段と、前記砥石の洗浄を行
う洗浄動作および前記半導体ウエハの研削を行う研削動
作の制御を行う制御手段とを設けたことを特徴とする研
削装置。
1. A grinding apparatus for grinding a semiconductor wafer, comprising: cleaning means for cleaning a grindstone; moving means for moving the cleaning means with respect to the grindstone; cleaning operation for cleaning the grindstone; and the semiconductor. A grinding device, comprising: a control means for controlling a grinding operation for grinding a wafer.
【請求項2】 前記洗浄手段が、高圧の流体を噴射する
噴射手段よりなることを特徴とする請求項1記載の研削
装置。
2. The grinding apparatus according to claim 1, wherein the cleaning unit is an injection unit that injects a high-pressure fluid.
【請求項3】 前記噴射手段から噴射される流体が、洗
浄液、不活性ガスまたは空気であることを特徴とする請
求項1または2記載の研削装置。
3. The grinding apparatus according to claim 1, wherein the fluid jetted from the jetting means is a cleaning liquid, an inert gas or air.
【請求項4】 前記洗浄手段が、円柱状のブラシと、前
記ブラシを回転させる回転手段とよりなることを特徴と
する請求項1記載の研削装置。
4. The grinding apparatus according to claim 1, wherein the cleaning unit includes a cylindrical brush and a rotating unit that rotates the brush.
JP4003994A 1994-03-10 1994-03-10 Grinding equipment Pending JPH07249601A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4003994A JPH07249601A (en) 1994-03-10 1994-03-10 Grinding equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4003994A JPH07249601A (en) 1994-03-10 1994-03-10 Grinding equipment

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JP4003994A Pending JPH07249601A (en) 1994-03-10 1994-03-10 Grinding equipment

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JP (1) JPH07249601A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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