KR20060061198A

KR20060061198A - 레이저 열 처리용 가열 척

Info

Publication number: KR20060061198A
Application number: KR1020040106671A
Authority: KR
Inventors: 쉐리프이크발에이; 랜도이고르; 마클데이비드에이; 탈워소미트; 톰슨마이클오; 앤젤로브이블린에이; 저우써나안
Original assignee: 울트라테크 인크.
Priority date: 2004-12-01
Filing date: 2004-12-15
Publication date: 2006-06-07
Also published as: TWI257158B; JP2006156915A; US20060113290A1; TW200620596A; JP5031984B2; US7731798B2

Abstract

웨이퍼를 유지하고 레이저 열 처리 (LTP) 동안 웨이퍼 양단에서 일정한 배경 온도를 유지하는 척이 개시되어 있다. 척은 히터 모듈의 형태의 열 매스 및 히트 싱크를 포함한다. 히터 모듈은 히트 싱크와 열적 소통하지만, 열 절연층에 의해 물리적으로 분리된다. 열 절연층은 복사 및 대류에 의해 손실된 것 보다 작고, 레이저에 의해 전달된 최대 전력과 최소한 동일한 실질적으로 일정한 전력 손실을 유지한다. 상부판이 히터 모듈의 정상에 배열되고, 처리될 웨이퍼를 지지하고, 오염 장벽을 제공한다. 히터 모듈은 웨이퍼가 LTP 레이저 빔으로부터의 변화하는 열 부하를 공간적으로 및 일시적으로 경험할 때에도 일정한 배경 온도에서 히터 모듈을 유지하기 위해 히터 모듈에 변화하는 전력량을 제공하도록 구성된 전원에 연결된다. 따라서, 레이저로부터의 열은 히터 모듈과 절연층을 통해 웨이퍼로부터 히트 싱크로 전달된다. 어떤 레이저 히팅의 부재시에, 열은 일정한 배경 온도에서 유지할 필요가 있기 때문에 히터 모듈로부터 웨이퍼로 전달된다.

척, 히터 모듈, 웨이퍼, 절연층

Description

레이저 열 처리용 가열 척{HEATED CHUCK FOR LASER THERMAL PROCESSING}

도 1은 본 발명에 따른 척의 평면도.

도 2는 도 1의 라인 2-2에 따라 취해진 도 1의 척의 횡단면 분해 조립도.

도 3은 상부 및 하부 표면상에 진공 홈을 갖는 상부판의 예시적인 실시형태를 도시하는, 웨이퍼의 상부 및 히터 모듈의 하부의 일부와 함께 도 2의 상부판의 일부의 근접 횡단면도.

도 4A는 공기에 대해 다공성인 재료를 포함하는 상부판의 예시적인 실시형태를 도시하는, 도 2의 상부판의 일부의 근접 횡단면도이고, 도 4B는 상부판의 상부로부터 하부로 확장하고 비다공성 바디에 의해 주변에서 둘러싸인 다공성 재료의 섹션을 갖는 상부판의 예시적인 실시형태를 도시하는, 도 2의 상부판의 일부의 근접 횡단면도.

도 4C는 에지 누설을 방지하기 위해 비다공성 경계를 사용하여, 상부판이 완전히 다공성 재료로 형성되는 예시적인 실시형태를 도시하는, 도 2의 상부판의 일부의 근접 횡단면도.

도 4D는 다공성 재료로 이루어진 상부 및 하부 섹션을 갖고 비다공성층에 의해 분리되고, 에지 누설을 방지하기 위해 비다공성 에지 경계를 갖는, 상부판의 예시적인 실시형태를 도시하는, 도 2의 상부판의 일부의 근접 횡단면도.

도 5는 보호 스커트에 의해 둘러싸인, 도 2의 척의 상부판의 예시적인 실시형태의 근접 횡단면도.

도 6은 냉각 판 및 이동 가능한 스테이지에 부착된 스테이지 인터페이스 부재와 결합하여 형성되는 키네마틱 마운트 (kinematic mount) 를 더 도시하는, 도 2의 척의 예시적인 실시형태의 근접 횡단면도.

도 7A는 어떻게 척이 볼트를 고정함으로써 함께 유지되는지의 예시적인 실시형태를 도시하는, 본 발명의 척의 개략 횡단면도.

도 7B는 척이 진공상태에 의해 함께 유지되는, 본 발명의 척의 예시적인 실시형태의 개략 횡단면도.

도 7C는 냉각 판의 하부 표면에 고정된 리프트-핀 어셈블리를 더 포함하는, 도 2의 척의 예시적인 실시형태의 횡단면도.

도 8은 본 발명의 척을 채용한 '245 특허에 설명된 바와 같은 LTP 시스템의 개략도.

도 9A는 웨이퍼가 도 8의 LTP 시스템으로부터의 LTP 레이저 빔으로 조사되지 않을 때 나타나는 전력속을 도시하는, 도 2의 척 및 웨이퍼의 개략 측면도.

도 9B는 웨이퍼가 도 8의 LTP 시스템으로부터의 LTP 레이저 빔으로 조사될 때 나타나는 전력속을 도시하는, 도 2의 척 및 웨이퍼의 개략 측면도.

도 10은 웨이퍼 상부 표면상의 LTP 레이저 빔 이미지를 스캔하는 인터리브된 스캔 경로의 예시적인 실시형태를 도시하는, 도 8의 LTP 시스템의 웨이퍼의 개략 평면도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

10 : 척 20 : 냉각판

30 : 바디 32 : 냉각 채널

40 : 냉각 유닛 42 : 냉각 라인

100 : 절연층 150 : 히터 모듈

160 : 히팅 유닛 190 : 온도 프로브

200 : 척 제어기 300 : 상부판

310 : 웨이퍼 340 : 진공 홈

350 : 진공 라인 360 : 진공 시스템

400 : 리세스 500 : 스커트

600 : 키네마틱 마운트 700 : 리프트-핀 어셈블리

705 : 피스톤 800 : LTP 시스템

850 : 메인 제어기 900 : 스캔 경로

관련 출원에 대한 상호참조

본 발명은 현재 출원과 동일 날짜인, 2004년 12월 1일 출원한 "Laser Thermal Processing Chuck with Heat Pipe Heater Module"이란 명칭의, 참조로 본 명세서에 통합되는 California, San Jose의 특허 양수인 Ultratech, Inc에 양도된 미국 특허 출원 제 11/002,043 호에 관한 것이다.

발명의 배경

발명의 분야

본 발명은 반도체 제조시에 반도체 기판을 열적으로 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히, 레이저 열 처리 (LTP) 동안 반도체 기판을 지지하는 지지 부재 ("척") 에 관한 것이다.

종래 기술의 설명

집적 회로 (IC) 의 제조는 포토레지스트 코팅, 포토리소그래픽 노출, 포토레지스트 현상, 에칭, 폴리싱, 및 어떤 경우에는 가열 또는 "열 처리"와 같은 다수의 공정에 반도체 기판이 영향받는 것을 수반한다. 열 처리는 예를 들어, 소정의 유형의 IC에 대한 웨이퍼의 도핑 영역 (예를 들어, 소스 및 드레인 영역) 에서 도펀트를 활성시키기 위해 사용된다. 열 처리는 고속 가열 어닐링 (RTA) 및 레이저 열 처리 (LTP) 와 같은 다양한 가열 (및 냉각) 기술을 포함한다.

반도체 기판 ("웨이퍼") 의 LTP를 수행하는 다양한 기술 및 시스템이 공지되어 있고 반도체 장치 제조에서 사용된다. 예시적인 LTP 시스템 및 방법이 참조로 본 명세서에 통합되는 "Laser Scanning Apparatus and Method for Thermal Processing" 이란 명칭의 미국 특허 제 6,747,245 호 ('245 특허'), 및 "Laser Thermal Processing Apparatus and Method" 라는 명칭의 미국 특허 제 6,366,308 B1 호 ('308 특허') 에 설명되어 있다.

LTP는 어닐링 온도까지 웨이퍼의 온도를 고속으로 이르게 하고 단일 사이클 에서 시작 (예를 들어, 대기 또는 배경) 온도로 고속으로 다운시키는 것을 수반한다. 반도체 제조에서 사용되는 통상의 웨이퍼의 상대적으로 큰 사이즈 (예를 들어, 300mm 직경) 로 인해, 열은 소정의 시간에 웨이퍼의 작은 영역에만 효과적으로 작용된다.

예를 들어, '245 특허' 및 '308 특허'에서 설명한 바와 같이, 레이저 빔은 예를 들어, 래스터 패턴으로 웨이퍼 표면상에서 스캔되는 좁은 고강도 이미지 (예를 들어, 라인 이미지) 를 형성한다. 이 공정은 좁은 이미지 상에서 1000 W/mm²을 초과하는 열속 (heat flux) 을 포함할 수 있다. LTP 동안 조사된 영역에서 웨이퍼 표면에 의해 도달된 피크 온도 TP는 비교적 높다 (예를 들어, ~ 1,300℃).

피크 온도 TP의 균일성은 구성된 반도체 장치의 성능을 차례로 결정하는 그 안에 형성된 활성 도핑 영역의 시트 저항 균일성을 결정한다.

웨이퍼상에 균일한 피크 온도 TP를 달성하는 것은 레이저 전력의 안정성 및 웨이퍼 표면의 온도 균일성 (이하, "배경 웨이퍼 온도"라 칭함) 에 의존한다. 그러나, 웨이퍼의 일정한 배경 온도를 유지하는 것은 LTP 공정이 스캔된 레이저 빔과 같은 공간적으로 변화하는 열 부하를 이용할 때 문제가 있다.

발명의 요약

본 발명은 웨이퍼가 LTP로부터의 순간적으로 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때에도 일정한 배경 웨이퍼 온도 TC를 유지하도록 구성된 척을 포함한다. 본 발명은 일정한 온도로 유지되는 히터 모듈과 히트 싱크 사이에 위치되는 절연층을 이용함으로써 이것을 달성한다. 절연층은 히터 모듈과 히트 싱크 사이에서 열 구배를 유지하도록 설계되어, 레이저에 의해 공급된 열 보다 더 많은 열, 웨이퍼 및 척으로부터 더 적은 통상의 복사 및 대류 손실을 제거한다.

척은 스캐닝된 LTP 레이저 빔의 선단에 의해 보여지는 바와 같이 웨이퍼 배경 온도에 상당한 변화를 주지 않고, 웨이퍼 표면을 반복적으로 가로질러 LTP 레이저 빔 스캐닝으로부터 초래되는, 큰, 공간적으로 변화하는 열 부하를 웨이퍼에 수용할 수 있다. 일반적으로, LTP 레이저 빔 파워 및 스캔 속도는 일정하게 유지된다. 이에 의해 LTP 레이저 빔의 말단이 통과함에 따라 웨이퍼의 각 포인트에 의해 생성된 최대 (피크) 온도 TP가 일정하게 유지된다.

따라서, 본 발명의 제 1 양태는 웨이퍼를 지지하고 웨이퍼가 공간적 및 순간적으로 변화하는 복사 강도에 영향을 받을 때 일정한 배경 온도에서 웨이퍼를 유지하는 척 장치에 관한 것이다. 장치는, 웨이퍼가 변화하는 복사속에 영향을 받을 때 일정한 배경 온도에서 엄격한 온도 제어를 제공하도록 구성되고 웨이퍼에 도전적으로 연결된 히터 모듈 및 히트 싱크를 구비한다. 또한, 장치는 히트 싱크와 히터 모듈 사이에 배치되고 히트 싱크 및 히터 모듈과 열적으로 소통하는 열 절연층을 구비한다. 절연층은 히터 모듈로부터 히트 싱크로의 열의 일정한 흐름을 유지하도록 구성된다.

본 발명의 제 2 양태는 웨이퍼가 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때 일정한 배경 온도에서 웨이퍼를 유지하는 방법에 관한 것이다. 방법은 가변량의 열을 생성하도록 구성된 히터 모듈과 열적으로 소통하는 웨이퍼를 위치시키는 단계 및 비교적 일정한 양의 열을 히터 싱크에 전달하는 단계를 포함한다. 또한, 방법은 절연층을 통해 히터 모듈과 열적으로 소통하는 히트 싱크를 위치시키는 단계를 포함한다. 절연층은 히트 싱크와 히터 모듈 사이에서 열의 일정한 흐름을 유지하도록 구성된다. 방법은 변화하는 전력량을 모듈에 공급함으로써 일정한 배경 온도에서 히터 모듈을 유지하는 단계를 더 포함한다.

본 발명의 제 3 양태는 웨이퍼 처리용 레이저 열 처리 (LTP) 에 관한 것이다. 시스템은 레이저 복사를 방출하는 레이저 소스, 및 레이저 복사를 수신하고 이미지 평면에서 LTP 레이저 빔 이미지를 형성하도록 구성된 광학 시스템을 포함한다. 또한, 시스템은 웨이퍼를 지지하여 웨이퍼의 상부 표면이 이미지 평면에 있도록 구성된 척을 지원하도록 구성된 이동 가능한 스테이지를 포함한다. 척은 웨이퍼와 열적 소통하고 웨이퍼 상부 표면이 LTP 레이저 빔으로부터의 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때 일정한 온도에서 유지되도록 구성된 히터 모듈을 포함한다. 또한, 척은 절연층을 통해 히터 모듈과 열적으로 소통하는 히트 싱크를 포함하고, 여기서, 절연층은 변화하는 열 부하의 최대값에 대응하는 일정한 전력 손실을 유지하도록 구성된다.

도면에 도시한 다양한 소자는 단지 표현적이고 스케일하기 위해 도시되지 않는다. 소자의 어떤 부분들은 과장될 수도 있고, 다른 부분들은 소형화될 수도 있다. 도면은 당업자에 의해 이해되고 적절하게 수행될 수 있는, 본 발명의 다 양한 구현을 도시한다.

발명의 상세한 설명

본 발명의 실시형태의 이하의 상세한 설명에서, 본 발명이 실시될 수도 있는 특정한 실시형태를 예시함으로써 도시되고 실시형태의 일부를 형성하는 첨부한 도면을 참조한다. 이들 실시형태는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 설명되고, 다른 실시형태가 이용될 수도 있고, 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 변경이 이루어질 수도 있다. 따라서, 아래의 상세한 설명은 제한하는 의도로 취해진 것이 아니고, 본 발명의 범위는 첨부한 청구범위에 의해서만 정의된다.

상기 언급한 바와 같이, LTP 동안 웨이퍼 표면상에서 균일한 피크 온도를 달성하는 것이 활성 도핑 영역의 균일한 시트 저항을 요구하는 반도체 장치 제조에 있어서 중요하다. LTP에서 피크 온도 균일성을 달성하는 것은 웨이퍼가 입사LTP 레이저 빔으로부터 에너지를 효율적으로 흡수하는 환경을 생성함으로써 조성된다. 웨이퍼가 도핑되지 않거나 약간 도핑되는 경우에, 레이저 빔의 흡수를 증가시키기 위해 LTP 레이저 빔으로 웨이퍼를 조사하기 이전에 일정한 배경 온도 TC 까지 웨이퍼를 이르게 하는 것이 필요하다. 이것을 실패하는 경우에, 빔이 웨이퍼를 통과하고 어떤 경우에 척으로 통과할 수도 있다. 또한, 스캔된 LTP 레이저 빔이 웨이퍼에 공간적으로 변화하는 열 부하를 제공할 때에도 일정한 배경 온도 TC에서 웨이퍼를 유지하는 것을 포함한다.

본 발명의 척은 웨이퍼가 스캔된 LTP 레이저 빔으로부터의 공간적으로 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때에도 상온 보다 상당히 높은 일정한 배경 웨이퍼 온 도 TC를 유지하도록 구성된다. 예시적인 실시형태에서, 일정한 배경 온도 TC는 약 400℃ 내지 약 450℃의 범위이다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 일정한 배경 온도 TC는 +/- 4℃로 웨이퍼 양단에서 균일하게 유지되고, 또 다른 실시형태에서는, +/- 6℃로 웨이퍼 양단에서 균일하게 유지된다.

아래의 설명에서, "공간적으로 변화하는 열 부하"라는 문구는 예를 들어, 처리될 웨이퍼 표면상에 LTP 레이저 빔을 스캔함으로써 (즉, LTP 레이저 빔에 의해 형성된 이미지를 스캔함으로써) 상이한 시간에 웨이퍼상의 상이한 위치 (장소) 로의 열의 전달을 설명하기 위해 사용된다.

또한, 아래의 설명에서, "일정한 배경 온도"라는 문구는 "일정한 또는 실질적으로 일정한"을 의미하는 것이고, 배경 온도에서의 변동은 그렇게 구성된 LTP 처리에 실질적으로 영향을 미치지 않는 범위 내에서 유지된다. 유사하게, "일정한 배경 온도"는 실질적으로 균일한 것으로, 즉, 반대의 결과없이 웨이퍼의 LTP를 수행하기 위해 필요한 정도로 웨이퍼상에서 균일한 것으로 가정된다.

아래의 설명은 본 발명의 척을 포함하는 LTP 시스템의 예시적인 실시형태에 의해 추종되는, 본 발명의 척의 다양한 예시적인 실시형태를 설명한다. 그 후, LTP 시스템의 일부로서 척의 동작 방법을 설명한다.

척 실시형태

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 지지 부재 (이하, "척") (10) 의 평면도이다. 척 (10) 은 도 5와 관련하여 아래에 설명하는 스커트 (500) 에 의해 둘러싸인 웨이퍼 (310) 를 지지한다. 도 2는 도 1의 라인 2-2를 따라 취해진 횡단면 분해 조 립도이다. 척 (10) 은 LTP 동안 일정한 배경 온도 TC에서 웨이퍼를 유지하기 위해 웨이퍼 표면으로부터 대량의 열을 전달하도록 구성된다. 이 작업을 달성하기 위해, 척은 웨이퍼 표면으로부터 열 전도 히터 모듈, 절연층을 통해 히트 싱크로 열을 효율적으로 전달하도록 설계된다.

척 (10) 의 예시적인 실시형태를 구성하는 다양한 소자를 아래에 상세히 설명한다. 척 (10) 은 아래에 설명하는 다양한 소자에 대한 기준으로서 작용하는 가상 중심축 (A1, 도 2) 를 갖는다.

냉각판

도 2를 참조하면, 척 (10) 은 히트 싱크 (20) 를 포함한다. 설명하기 위해, 히트 싱크 (20) 는 "냉각판"으로서 도시되고 이하 "냉각판"으로서 참조한다. 냉각판 (20) 은 대향하는 상부 및 하부 표면 (22 및 24), 주연부 (26) 및 바디 (열 매스) (30) 를 갖는다. 냉각판 (20) 은 바디 (30) 내에 형성된 냉각 채널 (32) 을 포함한다. 냉각 채널 (32) 은 냉각 라인 (42) 을 통해 냉각 채널에 동작 가능하게 연결된 냉각 유닛 (40) 으로부터 바디 (30) 를 통해 냉각 유체 (예를 들어, 물) 의 흐름을 지지하도록 구성된다. 예시적인 실시형태에서, 냉각판 (20) 은 약 1.5 인치의 두께 T1를 갖는다. 또한, 예시적인 실시형태에서, 냉각판 (20) 은 알루미늄과 같은 양호한 열 도체로 이루어진다.

절연층

계속 도 2를 참조하면, 척 (10) 은 대향하는 상부 및 하부 표면 (102 및 104) 각각을 갖는 절연층 (100) 을 더 포함한다. 절연층 (100) 은 하부 표면 (104) 이 냉각판 (20) 의 상부 표면 (22) 과 열적 소통하도록 (예를 들어, 부착되거나 그렇지 않으면 접촉하여) 배열된다. 예시적인 실시형태에서, 절연층 (100) 은 비교적 낮은 열 전도성, 낮은-매스 밀도 및 뛰어난 열 쇼크 저항 특성을 갖는다.

예시적인 실시형태에서, 절연층 (100) 은 석영으로 이루어진다. 예시적인 실시형태에서, 석영 절연층 (100) 은 Willoughby, Ohio의 Pyromatics Corposration으로부터 입수 가능한, 불투명 석영 LD-80의 판을 포함한다.

절연층의 낮은 매스는 스캐닝 동안 발생하는 척 어셈블리의 높은 가속 레이트를 촉진한다.

절연층 (100) 은 히터 모듈 (아래에 설명하는) 과 냉각판 사이에서 실질적으로 일정한 열 구배를 유지하도록 구성된다. 절연층의 열 전도성은 웨이퍼가 전기적 히터에 의해 일정한 온도에서 유지될 수 있도록 히트 싱크로 전달되는 열을 결정한다.

예시적인 실시형태에서, 절연층 (100) 은 약 0.5 인치의 두께 T2를 갖는다. 예시적인 실시형태에서, 절연층 (100) 의 두께 T2는 풀 레이저 전력이 기판에 입사될 때에도 소망하는 동작 온도를 유지하기 위해 어느 정도의 전력 입력이 필요한지를 확보하기 위해 필요한 열 전도성의 모델링 및/또는 실험적 분석에 의해 결정된다. 예시적인 실시형태에서, 절연판 (100) 은 기하학적으로 원형이고 히터 모듈 및 냉각판과의 양호한 열 접촉을 확립하기 위해 상부 및 하부 표면 모두상에서 0.2 - 0.3 ㎛ 표면 피니쉬를 갖는 대략 5 ㎛ 평탄도로 가공된다.

히터 모듈

계속 도 2를 참조하면, 척 (10) 은 대향하는 상부 및 하부 표면 (152 및 154) 각각을 갖는 히터 모듈 (150), 주연부 (156) 및 열 전도 바디 (158) 를 포함한다. 히터 모듈 (150) 은 하부 표면 (154) 이 절연층 (100) 의 상부 표면 (102) 과 열적 소통하도록 (예를 들어, 부착되거나 그렇지 않으면 접촉하여) 배열된다. 예시적인 실시형태에서, 히터 모듈 (150) 은 바디 (158) 내에 내장된 히팅 유닛 (160) 을 포함한다. 예시적인 실시형태에서, 히터 모듈 (150) 은 4.2KW의 열을 제공할 수 있다.

또한, 히터 모듈 (150) 은 절연층 (100) 을 통해 냉각판 (20) 과 열적 소통하지만, 냉각판과 물리적으로 접촉하지는 않는다.

예시적인 실시형태에서, 히팅 유닛 (160) 은 바디 (158) 내에 내장된 절연 저항 히팅 소자 (164) 를 포함한다. 예시적인 실시형태에서, 히팅 소자 (164) 는 상부 표면 (152) 에 평행한 평면에 감긴 나선이다. 히팅 유닛 (160) 은 단위 면적 당 (즉, 상부 표면 (152) 의 면적) 균일한 양의 열을 생성하도록 구성된다. 열 손실이 더 커서 비례적으로 더 높은 단위 면적당 열 입력을 요구하는 주연부 (156) 가 제외된다.

예시적인 실시형태에서, 히터 모듈 (150) 의 바디 (158) 는 알루미늄과 같은 양호한 열 도체로 이루어진다. 예시적인 실시형태에서, 히터 모듈 (150) 의 바디 (158) 는 (예시적인 실시형태에서, 스테인리스 강의 외부 덮개를 갖는) 히팅 소자와 히터 모듈 바디 사이에서 양호한 열 커플링을 보장하기 위해 히팅 소자 (164) 주위에서 주조된다. 히팅 유닛 (160) 은 가변 전원 유닛 ("전원") (180) 에 접속하는 리드 (170) 를 포함한다. 전원 (180) 은 일정한 배경 온도 TC에서 히터 모듈을 유지하기 위해 히팅 유닛 (160) 에 가변양의 전력을 제공하도록 구성된다. 예시적인 실시형태에서, 히터 모듈 (150) 은 약 0.5 인티 내지 약 1.25 인치의 범위의 두께 T3를 갖는다.

예시적인 실시형태에서, 하나 이상의 온도 프로브 (예를 들어, 열전쌍 또는 서미스터) (190) 가 하나 이상의 위치에서 히터 모듈 (150) 의 바디 (158) 에 내장되거나 그렇지 않으면 열적으로 연결된다. 예시적인 실시형태에서, 하나 이상의 온도 프로브 (190) 는 상이한 히터 모듈 위치에서 측정된 온도에 대응하는 프로브로부터 하나 이상의 온도 신호 (TS) 를 수신하는 척 제어기 (200) 에 연결된다. 또한, 제어기 (200) 는 냉각 유닛 (40) 및 가변 전원 유닛 (180) 에 동작 가능하게 연결되고, 이하 상세히 설명하는 바와 같이, 이들 유닛의 동작을 제어하도록 (예를 들어, 소프트웨어에 내장된 지시를 통해) 구성된다.

상부판

계속 도 2를 참조하면, 척 (10) 은 대향하는 상부 및 하부 표면 (302 및 304) 각각, 주연부 (306) 및 바디 (308) 를 갖는 상부판 (300) 을 포함한다. 상부판 (300) 은 하부 표면 (304) 이 히터 모듈 (150) 의 상부 표면 (152) 과 열적 소통 (예를 들어, 부착되거나 그렇지 않으면 접촉하여) 하도록 배열된다. 예시적인 실시형태에서, 상부판 (300) 은 약 0.25 인치 내지 약 0.5 인치의 범위의 두께 T4를 갖는다.

상부판 상부 표면 (302) 은 웨이퍼 (310) 를 지지하도록 구성된다. 웨이퍼 (310) 는 대향하는 상부 및 하부 표면 (312 및 314) 각각과 외부 에지 (316) 를 갖는다. 예시적인 실시형태에서, 상부판 (300) 은 웨이퍼가 히터 모듈 (150) 을 구성하는 재료에 의해 오염되는 것을 보호하도록 기능한다. 예를 들어, 히터 모듈 (150) 이 알루미늄으로 이루어진 경우에, 웨이퍼와 알루미늄 사이의 직접적인 접촉은 매우 순수한 실리콘 웨이퍼로 알루미늄 전자의 바람직하지 않는 전달을 발생시킨다.

따라서, 예시적인 실시형태에서, 상부판 (300) 은 웨이퍼를 오염시키지 않는 재료로 이루어지거나 그 재료를 포함한다. 예를 들어, 웨이퍼 (310) 가 실리콘 웨이퍼인 경우에, 예시적인 실시형태에서 상부판 (300) 후보 재료는 적어도 하나의 용융 실리카, 실리콘 및 실리콘 카바이드를 포함한다. 특정한 예시적인 실시형태에서, 상부판 (300) 은 상부 표면 (302) 상에 산화 또는 질화 코팅을 갖는 실리콘을 포함한다.

또 다른 예시적인 실시형태에서, 상부판 (300) 은 알루미늄 히터 모듈 (150) 의 꼭대기에 형성된 Al₂O₃와 같은 두꺼운 산화층이다.

진공 홈을 갖는 상부판

도 3은 웨이퍼 (310) 와 히터 모듈 (150) 의 일부에 따른 상부판 (300) 의 일부의 근접 횡단면도이다. 도 3을 참조하면, 예시적인 실시형태에서, 상부판 (300) 은 상부 및 하부 표면 (302 및 304) 각각에 형성된 진공 홈 (340 및 342) 을 포함한다. 실제로, 상부판 (300) 의 진공 홈은 각 진공 홈이 웨이퍼의 균일한 배경 온도를 업셋할 수도 있는 열 불연속이기 때문에 가능한한 좁게 이루어진다. 또한, 척 (10) 은 각가의 진공 홈 (340 및 342) 에 대한 각각의 단부 및 진공 시스템 (360) 에 대한 각각의 반대 단부에 연결되는 각각의 진공 라인 (350 및 352) 을 포함한다.

진공 라인 (350) 및 진공 시스템 (360) 과 결합하여 진공 홈 (340) 은 상부판 상부 표면 (302) 에 웨이퍼 (310) 를 고정하는 진공을 생성하는 웨이퍼 (310) 하위 표면 (314) 에서 흡입을 제공하도록 기능한다. 유사하게, 진공 라인 (352) 및 진공 시스템 (360) 과 결합하여 진공 홈 (342) 은 히터 모듈 (150) 상부 표면 (152) 에 상부판 (300) 을 고정하는 진공을 생성하는 상부판 (300) 하위 표면 (304) 에서 흡입을 제공하도록 기능한다.

예시적인 실시형태에서, 진공이 없는 경우에 히터 모듈에 관하여 상부판을 위치시키기 위해, 2개의 피스의 상대적 가로 및 회전 위치를 고정하기 위해 사용된 기계적 가이드 (도시 생략) 를 사용한다. 기계적 가이드는 예를 들어, 일 경우에 근접 피팅 홀, 및 다른 경우에 근접 피팅 홈을 맞물리는 2개의 핀일 수 있다.

순수한 중앙부를 갖는 상부판

도 4A는 상부판이 공기에 대해 다공성이고 세공 (405) 을 포함하는 고체 재료 (406) 를 포함하는 예시적인 실시형태를 도시하는 상부판 (300) 의 일부의 횡단면도이다. 도 4A의 상부판 (300) 은 바디 (308) 의 상부 표면 (302) 에 형성된 중앙 리세스 (400) 를 포함한다. 리세스 (400) 는 고체 다공성 재료이다. 예시적인 실시형태에서, 다공성 재료 (406) 는 실리콘 카바이드이다. 다공성 재료 (406) 를 둘러싸는 것은 공기에 대해 비다공성인 바디 (308) 이고, 예시적인 실시형태에서, 바디 (308) 는 비다공성 실리콘 카바이드로부터 형성된다.

이 예시적인 실시형태에서, 상부판 (300) 은 상부에 리세스 (400) 를 갖는 고체 실리콘 카바이드 바디 (308) 로부터 형성되고, 재료 (406) 는 리세스 (400) 에 맞게 설치하고 디스크를 둘러싸는 바디 (308) 의 부분에 접착된 디스크 (예를 들어, 다공성 실리콘 카바이드 디스크) 의 형상이다.

진공 라인 (350) 은 바디 (308) 의 주연부 (306) 를 통해 재료 (406) 에 공기 역학적으로 (pneumatically) 연결된다. 재료 (406) 의 다공성은 상부판 상부 표면 (302) 에 웨이퍼 (310) 를 고정하기 위해 상부 표면 (302) 에 형성될 진공 홈 (340 ) (도 3) 에 대한 필요성을 제거한다. 이 예시적인 실시형태에서, 진공 시스템 (360) 이 활성될 때 흡입이 (세공을 통해) 상부판 상부 표면 (302) 에 형성된다. 이것은 웨이퍼 (310) 와 상부판 (300) 에 웨이퍼 (310) 를 고정하는 상부판 (300) 사이에 진공을 형성한다.

전술한 바와 같이, 기계적 가이드는 진공이 없는 (불충분한) 경우에 히터 모듈에 대한 위치에 상부판을 위치시키고 유지하기 우해 사용될 수 있다.

중앙 다공성 디스크를 갖는 상부판

도 4B는 상부판 (300) 의 상위 및 하위 표면 (302 및 304) 사이에서 확장하는 다공성 재료 (406) 의 단면을 포함하는 상부판의 예시적인 실시형태를 도시하는 상부판 (300) 의 일부의 횡단면도이다. 다공성 재료 섹션 (406) 은 예를 들어, 링 형태의 비다공성 바디 (308) 에 의해 둘러싸인다.

이 예시적인 실시형태에서, 상부판 (300) 은 주연부 (407) 를 갖는 다공성 재료 (406) (예를 들어, 실리콘 카바이드) 의 디스크로부터 형성되고, 디스크는 디스크 주연부 (407) 를 둘러싸는 링 형태의 (예를 들어, 비다공성 실리콘 카바이드의) 근접 피팅 고체 비다공성 바디 (308) 에 의해 둘러싸인다. 디스크 (406) 및 링 (308) 은 디스크 주연부 (407) 에서 함께 접착된다.

진공 라인 (350) 은 바디 (308) 의 주연부 (306) 를 통해 재료 (406) 에 공기 역학적으로 연결된다. 재료 (406) 의 다공성은 상부판 상부 표면 (302) 에 웨이퍼 (310) 를 고정하고 히터 모듈 (150) 에 상부판 (300) 을 고정하기 위해 도 3에 도시한 바와 같이 상부판 (300) 의 상부 및 하부 표면 (302 및 304) 에 형성될 진공 홈 (340 및 342) 에 대한 필요성을 제거한다.

이 예시적인 실시형태에서, 흡입은 진공 시스템 (360) 이 활성될 때 (세공 (405) 을 통해) 상부판 상부 표면 (302) 에서 형성된다. 이것은 웨이퍼와 상부판에 웨이퍼를 고정하는 상부판 사이에 진공을 형성한다. 유사하게, 흡입은 상부판과 상부판에 히터 모듈을 고정하는 히터 모듈 사이에 진공을 생성하는 상부판 하위 표면 (304) 에서 형성된다. 이 실시형태에서, 웨이퍼와 상부판 사이의 진공은 상부판과 히터 모듈 사이의 진공에 독립적으로 동작될 수 없다. 도 4B에는 진공 라인 (350) 만을 도시하였지만, 라인 (350) 은 필요한 만큼 많은 진공 라인을 포함할 수도 있다.

완전히 다공성 재료로 형성된 상부판

도 4C는 상부판이 비다공성 재료 (306) (예를 들어, 비다공성 막) 에 의해 주연부 (407) 에서 둘러싸인 다공성 재료 (406) 로 완전히 형성된, 상부판 (300) 의 또 다른 예시적인 실시형태를 도시하는, 도 4B에 도시한 바와 유사한 상부판 (300) 의 일부의 횡단면도이다. 예시적인 실시형태에서, 다공성 재료 (406) 는 높은 열 전도성을 갖고 매우 하드인 실리콘 카바이드를 포함한다.

도 4B의 상부판 (300) 의 예시적인 실시형태에서와 같이, 진공은 진공이 상부 및 하부 표면 모두에서 상부판의 다공성으로 인해, (예를 들어, 단일 진공 라인 (350) 을 통해) 진공 시스템으로부터 작용될 때 웨이퍼 상부판 인터페이스 및 상부판 히터 모듈 인터페이스 모두에서 형성된다.

이 실시형태에서, 웨이퍼와 상부판 사이의 진공은 상부판과 히터 모듈 사이의 진공에 독립적으로 동작될 수 없다.

실리콘 카바이드의 경도는 웨이퍼와 상부판 상부 표면 사이의 마멸 및 그에 따른 오염을 최소화하기 때문에 바람직한 재료 (406) 를 만든다.

2개의 다공성 섹션을 갖는 상부판

도 4D는 상부판이 주연부 (306) 에서 비다공성 재료에 의해 둘러싸인 다공성 재료의 2개의 섹션을 포함하는 또 다른 예시적인 실시형태를 도시하는 상부판 (300) 의 일부의 횡단면도이다. 도 4D의 상부판 (300) 은 각각의 다공성 재료 (406A 및 406B) 로부터 형성된 상부 섹션 (410) 및 하부 섹션 (412) 을 포함한다. 예시적인 실시형태에서, 재료 (406A) 는 재료 (406B) 와 동일하다. 비다공성 재료 (407) 는 다공성 재료 섹션으로부터의 에지 누설을 방지하기 위해 주연부 (306) 에 포함된다.

섹션 (410 및 412) 은 비다공성 장벽 (416) 에 의해 분리되고 분리 진공 라인 (350 및 352) 에 의해 진공 시스템 (360) 에 접속된다. 이 실시형태는 상부 및 하부 표면 (302 및 304) 각각에서 섹션을 생성하기 위해 진공 시스템 (360) 이 섹션 (410 및 412) 에 독립적으로 진공을 작용할 수 있게 한다.

다공성 재료를 갖는 상부판의 이점들

상부 표면 (302) 의 적어도 일부분을 구성하는 다공성 재료를 갖는 상부판 (300) 을 제조하는 것은 진공 홈 (340) (도 3) 을 제거할 수 있게 한다. 차례로, 이것은 양호한 열 도체가 아닌 진공 홈 (340) 의 존재로 인해 야기되는 웨이퍼 온도에서의 변동을 제거한다.

예시적인 실시형태에서, 재료 (406) 의 세공 (405) 의 세공 사이즈 분포는 균일하고 (예를 들어, 20 ㎛까지의 범위에서) 열 확산 길이 보다 매우 작다. 이것은 진공 홈 (340) 과 관련된 높은 열 저항이 최소화될 수 있게 하고, 국부적으로 한정되는 것 보다는 전체 실리콘 웨이퍼 표면 상에 편평하게 확산될 수 있게 하면서, 또한, 상부판 상부 표면 (302) 에 웨이퍼 (310) 를 고정하기 위한 충분한 진공을 허용한다.

추가의 인터페이스 층

또 다른 예시적인 실시형태에서, 척 (10) 은 척에서의 하나 이상의 인터페이스 사이, 예를 들어, 냉각판 상부 표면 (22) 과 절연층 하부 표면 (104) (도 2) 사이 및/또는 절연층 상부 표면 (102) 과 히터 모듈 하부 표면 (154) 사이에 배열된 얇은, 컴플라이언트, 저-마찰 열 인터페이스 층 (110) (도 2) 를 포함한다. 도 2는 척 (10) 이 냉각판 (20) 과 절연층 (100) 사이에서 인터페이스 층 (110) 을 포함하는 예시적인 실시형태를 도시한다.

이러한 예시적인 실시형태에서, 인터페이스 층 (110) 은 Fountain Valley, California의 American Seal and Packing으로부터 입수 가능한, Grafoil

과 같은 그라파이트 재료의 플렉시블 시트로 이루어지거나 포함한다. 인터페이스 층 (110) 은 층 (110) 의 어떤 측상에서 직접적으로 척 구성요소의 불규칙한 열 확장을 허용한다. 또한, 절연층 (110) 은 그것의 컴플라이언스로 인한 열 접촉 저항을 최소화한다. 인터페이스 층 (110) 은 근접 구성요소 사이에서 양호한 열적 소통을 보장하는 근접 구성요소 사이의 인터페이스에서 어떤 작은 불규칙한 부분을 채운다.

스커트

도 5는 스커트 (500) 에 의해 둘러싸인 상부판 (300) (도 2) 을 도시하는 척 (10) 의 또 다른 예시적인 실시형태의 부분 횡단 슬라이스이다. 스커트 (500) 는 웨이퍼가 상부판 상부 표면 (302) 상에 적절하게 위치될 때 웨이퍼 (310)의 에지 (316) 를 둘러싸기 위해 상부판 (300) 의 주연부 (306) 주위에 배열된다.

예시적인 실시형태에서, 스커트 (500) 는 대향하는 상부 및 하부 표면 (502 및 504) 각각을 갖는 평면 부재 (501), 및 외부 에지 (506) 를 포함한다. 또한, 평면 부재는 내부 에지 (512) 에 의해 정의되고 웨이퍼 (310) 주위를 빈틈없이 채우도록 사이즈된 중앙 개구 (510) 를 포함한다. 평면 부재는 웨이퍼가 상부 판 상부 표면 (302) 에 적절하게 고정될 때 내부 에지가 근접 웨이퍼 에지 (316) 에 밀접하게 존재하도록 다른 척 구성요소에 대하여 배열된다. 도 5에서, 스커트 (500) 는 도시하기 위해 웨이퍼 에지 (316) 로부터 상대적으로 큰 변위를 갖는 것으로 도시되어 있다.

예시적인 실시형태에서, 스커트 (500) 는 내부 에지 (512) 와 외부 에지 (506) 사이에서 평면 부재 (501) 의 하부 표면 (504) 과 (부착되거나 그렇지 않으면 접촉하여) 열적으로 소통하는 열 전도 링 (520) 을 포힘한다. 링 (520) 은 그안에 형성된 링형상 냉각 채널 (522) 를 갖고 링의 주위를 횡단하는 바디 (521) 를 포함한다. 냉각 채널 (522) 은 냉각 라인 (524) 을 통해 냉각 유닛 (40) 에 동작 가능하게 연결된다.

스커트 (500) 는 빔이 웨이퍼 (310) 의 외부 에지 (316) 를 벗어나 이동할 때 LTP 레이저 빔 818 (후술함) 으로부터의 레이저 복사를 흡수 및/또는 반사하도록 구성된다. 스커트 (500) 에 의해 흡수된 열은 척 제어기 (200) 에 의해 지시된 바와 같이 냉각 유닛 (40) 의 동작에 의해 냉각 채널 (522) 및 냉각 라인 (524) 을 통해 흐르는 냉각 유체 (예를 들어, 물) 에 의해 제거된다. 스커트 (500) 는 LTP 시스템 (도시 생략) 의 다른 부분에 대한 손상을 방지하고, 또한 LTP 빔이 웨이퍼의 외부 에지를 벗어난 빔에 접근할 수 있는 재료를 제거하는 것을 방지함으로써 웨이퍼 (310) 의 오염을 방지한다.

키네마틱 마운트

도 6은 냉각판 (20) 이 완성 척을 지지하는 키네마틱 마운트 (600) 의 일부 를 어떻게 형성하는지를 도시하는 척의 예시적인 실시형태의 근접 횡단면도이다. 키네마틱 마운트 (600) 는 스테이지 드라이버 (612) 에 동작 가능하게 연결되고 그것에 의해 구동되는 이동 가능한 스테이지 (610) 와 척이 정밀하게 인터페이스되도록 구성된다.

키네마틱 마운트 (600) 는 외부 에지 (624) 를 갖는 베이스부 (622) 를 갖는 스테이지 인터페이스 부재 (620) 를 포함한다. 베이스부 (622) 는 예를 들어, 고정 나사 (도시 생략) 를 통해 스테이지 (610) 에 고정된다. 또한, 스테이지 인터페이스 부재 (620) 는 전부 도시된 2개의 페디스털과 다른 2개의 페디스털 사이에 중심이 있는 부분적으로 보이는 제 3 페디스털을 갖는, 외부 에지 (624) 에 또는 그 근처에 3개의 대칭적으로 배열된 상향 확장 페디스털 (630) 을 포함한다. 각 페디스털은 마운팅 볼 (640) 의 부분을 수용하도록 사이즈된 방사적으로 확장하는 홈 (636) 을 포함하는 상부 마운팅 표면 (632) 를 갖는다. 3개의 방사 홈 (650) 에 대응하는 것은 (2개의 홈 (650) 만이 이 도면에 도시됨) 주연부 (26) 근처의 냉각판 (20) 의 하부 표면 (24) 에 형성되고, 제 3 페디스털에 대한 제 3 홈은 다른 2개의 홈에 도시된 바와 같이 제 3 마운팅 볼 (640) 을 수용하도록 도시된 2개으 홈 사이의 냉각판 (20) 의 먼 측상에 중심이 있다.

키네마틱 마운트 (600) 는 대응하는 3개의 방사 대향 홈 (636 및 650) 에 각각 배열된 3개의 마운팅 볼 (640) 을 포함한다. 마운팅 볼 (640) 은 대응하는 페디스털 또는 냉각판 홈에 영구적으로 부착된다. 키네마틱 마운트 (600) 는 마운팅 볼 (640) 이 대응하는 대향 방사 홈에 존재하도록 스테이지 인터페이스 부 재 (620) 와 냉각판 (20) 을 정렬함으로써 스테이지 (610) 에 대하여 척이 정확하고 일관되게 위치될 수 있게 한다.

척과 함께 유지하는 예들

척 (10) 의 메인 구성요소 (즉, 냉각판, 절연층, 및 히터 모듈) 는 다양한 수단에 의해 함께 유지될 수 있다. 이하, 이러한 수단의 2개의 예시적인 실시형태를 설명한다.

스프링-로드된 고정 볼트를 통해

도 7A는 냉각판 (20), 절연층 (100), 및 히터 모듈 (150) 이 어떻게 함께 고정되는지의 예시적인 실시형태를 도시하는 척의 개략 측면도이다. 도 7A의 척은 하나의 단부에서 헤드 (662) 및 대향하는 단부에서 스레드 (663) 을 각각 갖는 볼트 (660) (먼 측상에 숨겨진 제 3 볼트와 함께 도시된 2개) 를 포함한다. 볼트 (660) 는 홀 (664) 을 통해 히터 모듈 (150) 로 및 홀 (668) 을 통해 냉각판 (20) 으로 확장한다.

상기 언급한 메인 척 구성요소의 고정을 용이하게 하기 위해, 예시적인 실시형태에서, 히터 모듈 (150) 의 주연부 (156) 및 냉각판 (20) 의 주연부 (26) 는 절연층 (100) 의 주연부를 벗어나 확장하도록 구성된다. 또한, 홀 (664 및 668) 은 고정 볼트 (660) 가 히터 모듈 및 냉각판을 통해 (절연층이 아닌) 확장하도록 주연부 (156 및 26) 근처에 형성된다.

예시적인 실시형태에서, 볼트 (660) 는 냉각판 (20) 을 통해 확장하는 스레드된 단부 (663) 와 함께 홀 (664 및 668) 을 통해 삽입된다. 그 후, 볼트 (660) 는 스프링 로드 와셔 (670) (예를 들어, Bellevile 와셔) 및 냉각판 (20) 의 하부 표면 (24) 에서의 너트 (672) 로 스레드된 단부 (663) 에 고정된다. 이러한 배열은 냉각판, 절연층, 및 히터 모듈을 함께 유지하는 스프링 로드를 제공하면서, (예를 들어, 온도 변화 및 열 팽창의 다른 계수로 인한) 이들 소자의 저-스트레스 팽창 및 수축을 허용한다.

또한, 도 7A의 척 (10) 의 예시적인 실시형태에는, 웨이퍼 (310) 와 근접하게 배열된 스커트 (500) 가 포함된다. 스커트 (500) 는 볼트 헤드 (662) 를 포함하는 척의 일부분이 (화살표 819에 의해 도시된 바와 같이 웨이퍼를 횡단하는) 스캔된 LTP 레이저 빔 (818) 으로 조사되는 것을 보호하도록 기능한다.

진공을 통해

도 7B는 척의 메인 구성요소가 진공을 사용하여 함께 유지되는 도 2의 척 (10) 의 예시적인 실시형태의 횡단면도이다. 도 7B의 척 (10) 에서, 냉각판 (20) 은 상부 표면 (22) 에 형성된 진공 홈 (680) 을 포함한다. 또한, 히터 모듈 (150) 은 하부 및 상부 표면 (154 및 152) 각각에 형성된 진공 홈 (686 및 688) 을 포함한다. 진공 홈 (680, 688 및 686) 은 각각의 진공 라인 (690, 691 및 692) 을 통해 진공 시스템 (360) 에 공기 역학적으로 연결된다.

진공 시스템 (360) 의 활성은 진공 라인 (690) 및 진공 홈 (680) 을 통해 냉각판 (20) 과 절연층 (100) 사이에 흡입을 생성한다. 흡입은 이들 2개의 구성요소를 함께 클램프하는 진공을 생성한다. 유사하게, 진공 시스템 (360) 은 진공 라인 (691) 및 홈 (686) 을 통해 절연층 (100) 과 히터 모듈 (150) 사이에 흡입을 생성한다. 이 흡입은 이들 2개의 구성요소를 함께 클램프한다. 또한, 진공 시스템 (360) 은 진공 라인 (692) 및 홈 (688) 을 통해 히터 모듈 (150) 과 상부판 (300) 사이에 흡입을 생성한다. 이 흡입은 이들 2개의 소자를 함께 클램프한다.

본 발명은 진공에 의해 척 구성요소를 함께 고정하는 다른 예시적인 실시형태를 포함한다. 예를 들어, 상부 및 하부 절연층 표면 (102 및 104) 중의 하나 또는 모두는 그 안에 형성되고 진공 라인 (697) 을 통해 진공 시스템 (360) 에 공기 역학적으로 연결된 진공 홈 (696) (점괘선) 을 포함할 수도 있다. 또한, 진공 홈은 상부판 하부 표면 (예를 들어, 도 3의 진공 홈 (342)) 에 형성될 수도 있다. 일반적으로, 구성요소 표면 (22, 104, 102, 154, 304 및 302) 중의 어느 하나는 상기 언급한 메인 척 구성요소가 진공에 의해 함께 유지될 수 있도록 진공 시스템 (360) 에 동작 가능하게 연결된 진공 홈을 가질 수 있다.

예시적인 실시형태에서, 냉각판 (20), 절연층 (100) 및 히터 모듈 (150) 은 전술한 바와 같이 볼트에 의해 함께 유지되고, 상부판은 진공을 통해 히터 모듈에 고정된다.

리프트-핀 어셈블리

도 7C는 리프트-핀 어셈블리 (700) 를 포함하는 척 (10) 의 예시적인 실시형태의 횡단면도이다. 상기 예시적인 실시형태에서, 리프트-핀 어셈블리 (700) 는 냉각판 (20) 의 하부 표면 (24) 에 고정된다. 리프트-핀 어셈블리 (700) 는 냉각판 (20) 하부 표면 (24) 에 고정된 중앙 구동 유닛 (704) 을 포함한다. 또 한, 리프트-핀 어셈블리 (700) 는 하측으로 확장하는 중앙 구동 유닛 (704) 의 피스톤 (705) 으로부터 방사적으로 확장하는 아암 (706) 을 포함한다. 아암 (706) 은 피스톤 (705) 이 중앙 구동 유닛 (704) 에 의해 구동될 때 일치하여 축방향으로 상승 및 하강될 수 있다. 도 7C에 도시한 도면에서, 피스톤 (705) 은 가장 높은 위치에 아암 (706) 을 위치시킨 구동 유닛 (704) 으로 수축된다. 예시적인 실시형태에서, 리프트-핀 어셈블릴 (700) 는 척 주위에 서로로부터 편평하게 일정한 간격으로 배치된 3개의 아암 (706) 을 포함한다 (2개 아암은 완전히 도시되어 있고 제 3의 아암의 상부 단부가 먼 측상에 도 7C의 상부 중앙에 도시되어 있다).

각 아암 (706) 은 중앙 구동 유닛 (704) 으로부터 떨어진 가장 먼 범위에서 상부 표면 (710) 및 디스털 단부 (712) 를 포함한다. 리프트-핀 어셈블리 (700) 는 단부 (712) 에서 또는 그 근처에서 상부 표면 (710) 상의 각각의 아암 (706) 에 부착되고 축 A1에 평행하게 상측으로 확장하는 리프트 핀 (708) 을 더 포함한다. 각 리프트 핀 (708) 은 아암 (706) 에 부착된 근접 단부 (714) 및 근접 단부로부터 균일한 간격으로 떨어진 디스털 단부 (716) 를 갖는다. 디스털 단부 (716) 는 하부 표면 (314) 에서 웨이퍼 (310) 를 맞물리고 지지하도록 구성된 소형의 내부로 확장하는 방사 립 (717) 을 포함한다. 유사하게, 상부판 (300) 상부 표면 (302) 은 리프트 핀이 "다운" 위치에 있을 때 방사 립 (717) 중의 하나를 수용하도록 각각 사이즈된 소형 방사 리세스 (719) 를 포함한다.

냉각판 (20) 은 리프트 핀이 그곳을 통해 축방향으로 이동할 수 있도록 근접 단부 근처에서 리프트 핀 (708) 을 수용하도록 사이즈된 홀 (720) 을 갖는다.

중앙 구동 유닛 (704) 은 구동 유닛 (704) 의 선택적인 활성에 의해 피스톤 (705) 의 축 이동, 및 차례로 리프트 핀 (708) 을 조정하는 척 제어기 (200) 에 연결된다. 하나의 동작에서, 제어기 (200) 에 의한 구동 유닛 (704) 의 작동은 상측으로 (즉, 도 7C에 도시된 바와 같이 냉각판 (20) 을 향해) 아암 (706) 을 구동하고, 이것은 리프트-핀 (708) 이 도 7C에 도시되어 있는 바와 같이 상부판 상부 표면 (302) 으로부터 웨이퍼를 "업" 위치로 리프트하게 한다. 또 다른 동작에서, 구동 유닛 (704) 의 작동은 하측으로 아암 (706) 을 구동하도록 작용하고, 이것은 리프트 핀 (708) 이 상부판 (300) 상부 표면 (302) 상의 상승된 웨이퍼 (310) 로 설정되게 한다. 이것은 "다운" 위치이고, 즉, 피스톤 (705) 이 구동 유닛 (704) 에 의해 하향 확장된다 (도 7C에는 도시 생략).

키네마틱 마운트 리프트-핀 어셈블리

도 6의 키네마틱 마운트가 도 7C의 리프트-핀 어셈블리와 결합될 때, 아암 (706) 에 관한 페디스털 (630) 의 방위에 관하여 2개의 옵션이 있다. 일 실시형태에서, 도 7C의 도면은 각각의 아암 (706) 및 대응하는 리프트-핀 (708) 이 도 6의 상이한 쌍의 페디스털 (630) 사이에 위치되도록 수평으로 회전된다. 이것은 각각의 "레이 (ray)" 사이에서 공간을 갖는 중앙 구동 유닛 (704) 으로부터 외부로 확장된 "레이"인 아암 (706) 을 생각함으로써 쉽게 시각화될 수 있다. 따라서, 어셈블할 때, 아암 (706) 및 페디스털 (630) 은 서로 방해하지 않는다. 통상적으로, 3개의 아암 - 3개의 페디스털 어셈블리에서, 리프트 핀 (708) 을 갖는 각각의 아암 (706) 은 서로로부터 120°스페이스되고, 페디스털 (630) 은 리프트-핀 (708) 및 페디스털 (630) 를 갖는 각각의 근접 아암 (706) 사이에서 60°의 스페이싱을 갖고, 서로로부터 120°스페이스된다.

제 2 실시형태에서, 페디스털 (630) 이 척 (10) 의 중심축 (A1) 으로부터 거리 "x"로 스페이스되고, 척 (10) 의 중심축 (A1) 으로부터 아암 (706) 의 길이가 "x" 보다 작은 경우에, 페디스털과 아암-리프트-핀 사이의 각 관계는 중대하지 않기 때문에 어셈블리된 유닛의 기계적 설계를 최상으로 충족시키는 그들 사이의 임의의 각 포지셔닝을 허용한다.

LTP 시스템

도 8은 '245 특허에 설명한 바와 같은 LTP 시스템 (800) 의 개략도이다. LTP 시스템 (800) 은 레이저 복사를 방출하는 레이저 소스 (802) 를 포함한다. 또한, 시스템 (800) 은 레이저 소스 (802) 에 광학적으로 연결된 LTP 광학 시스템 (804) 을 포함한다. 또한, LTP 광학 시스템 (804) 은 LTP 광학 시스템의 이미지 평면 IP에서 척 (10) 에 의해 지지되는 웨이퍼 (310) 에 광학적으로 연결된다. 도 8에서, 스커트 (500) 는 명확히 하기 위해 생략된다.

또한, LTP 시스템은 예를 들어, 전술한 키네마틱 마운트 (600) (도 6) 를 사용하여 척을 이동 가능하게 지지하도록 구성된 스테이지 (610) 를 포함한다. 예시적인 실시형태에서, 이미지 (820) 는 조정 시스템 (611) 에 의해 표시되는 바와 같이, Z-방향으로 스테이지 (610) 를 이동함으로써 웨이퍼 상부 표면 (312) 상에 스캔된다.

LTP 시스템 (800) 은 레이저 소스 (802), 스테이지 드라이버 (612), 및 척 온도 제어기 (200) 에 동작 가능하게 연결된 메인 제어기 (850) 를 포함한다. 척 제어기 (200) 는 냉각 유닛 (40), 전원 (180), 진공 시스템 (360), 및 히터 모듈 (150) (도 2) 과 열적으로 소통하는 하나 이상의 열전쌍에 차례로 동작 가능하게 연결된다.

LTP 시스템 동작

도 8의 LTP 시스템 (800) 의 동작의 예시적인 실시형태에서, 웨이퍼 (310) 는 상부판 (300) 의 상부 표면 (302) 상에 위치된다. 예시적인 실시형태에서, 이것은 리프트 핀 (708) 이 리프트 핀 단부 (716) (도 7C) 에서 립 (717) 을 통해 웨이퍼 (310) 를 수용 및 지지할 수 있고, 그 후 상부판 (300) 상부 표면 (302) (도 2) 상에 웨이퍼를 내릴 수 있도록 중앙 구동 유닛 (704) 을 활성시키도록 척 제어기 (200) 에 지시하는 메인 제어기 (850) 에 의해 달성된다.

그 후, 메인 제어기 (850) 는 상부판 상부 표면 (302) 에 대한 진공-고정 웨이퍼 (310) 에 진공 시스템 (360) 을 활성시키도록 제어기 (200) 에 지시한다. 또한, 이것은 웨이퍼와 상부판 사이의 열 전도을 촉진시키도록 작용한다. 예시적인 실시형태에서, 진공 시스템 (360) 의 활성은 히터 모듈 (150) 에 상부판 (300) 을 고정하고 상부판과 히터 모듈 사이의 열 전도을 촉진시키도록 작용한다.

웨이퍼 (310) 가 상부판 (300) 에 고정되면, 척 제어기 (200) 는 냉각판 (20) 의 냉각 채널 (32) 을 통해 및 스커트 (500) (도 5) 의 열 전도 링 (520) 의 냉각 채널 (522) 을 통해 냉각 유체의 흐름을 개시하도록 냉각 유닛 (40) 을 활성 시킨다.

또한, 척 제어기 (200) 는 이하 더욱 상세히 설명하는 바와 같이, 웨이퍼를 일정한 배경 온도 TC에 이르게 하기 위해 히터 모듈의 가열을 개시하도록 히터 모듈 (150) 에 전력을 공급하기 위해 전원 (360) 을 활성시킨다.

웨이퍼가 일정한 배경 온도 TC에 도달하면, 메인 제어기 (850) 는 레이저 복사 (803) 를 생성하기 위해 레이저 소스 (820) 를 활성시킨다. 예시적인 실시형태에서, 레이저 소스 (802) 는 레이저 시스템에서의 온도 변화 및 어떤 기간 동안 출력 전력 레벨의 변동을 초래하는 빔-형성 광학을 지속적으로 방지하기 위해 동작한다. 레이저 빔은 LTP 광학 시스템 (804) 과 웨이퍼 표면 (312) 사이에 배열된 고속 셔터 (805) 에 의해 스위치 온 및 오프된다. 고속 셔터 (805) 는 메인 제어기 (850) 에 동작 가능하게 연결되고 웨이퍼의 에지가 LTP 레이저 빔 (818) 노출되는 것을 방지하는 방식으로 스위치된다.

LTP 광학 시스템 (804) 은 레이저 복수 (803) 를 수신하고 이미지 평면 (IP) 에서 이미지 (820) (예를 들아, 좁은 라인 이미지와 같은 연장된 이미지) 를 차례로 형성하는 LTP 레이저 빔 (818) 을 형성한다. 메인 제어기 (850) 는 웨이퍼 (310) 가 이미지 (820) 에 대하여 이동되도록 스테이지를 이동시키기 위해 스테이지 드라이버 (612) 를 제어한다. 그 결과, 이미지 (820) 는 웨이퍼 표면 (312) 상에서 스캔된다.

또한, 메인 제어기 (850) 는 히터 모듈 (150) 의 온도, 냉각 유닛 (40) 의 동작 상태, 전원 (180) 의 동작 상태, 및 진공 시스템 (360) 의 동작 상태와 같은 척 (10) 의 상태에 관한 정보를 수신하기 위해 척 제어기 (200) 와 통신한다. 또한, 척 제어기 (200) 는 아래에 설명하는 바와 같이, 추가의 열이 LTP 레이저 빔 (818) 에 의해 조사하는 동안 웨이퍼에 추가될 때 일정한 배경 온도 TC에서 히터 모듈을 유지하기 위해 히터 모듈 (150) 에 공급된 전력량을 감소시킨다.

척의 동작

척 (10) 의 중요한 역활중의 하나는 배경 웨이퍼 온도 TC가 LTP 레이저 빔이 웨이퍼를 조사하든지 안하든지 일정하고 균일하게 유지하도록 LTP 동안 열 균형을 관리하는 것이다. 이러한 기능을 수행하는 척 (10) 의 동작을 아래에 설명한다.

LTP 레이저 빔 조사 없이 TC 유지

도 9A는 웨이퍼가 LTP 레이저 빔 (818) (도 8) 으로 조사되지 않을 때 나타나는 전력속을 도시하는 척 (10) 과 웨이퍼 (310) 의 개략 측면도이다. LTP 레이저 빔 (818) 으로 웨이퍼를 조사하기 이전에, 웨이퍼는 웨이퍼에서 도펀트의 활성과 같은 어닐링 처리를 용이하게 하기 위해 배경 온도 TC에 이른다.

LTP 레이저 빔 (818) 으로부터의 가열이 없을 때에, 전원 (180) 은 모듈을 가열하기 위해 히터 모듈 (150) 에 충분한 전력 (860) 을 제공하여 웨이퍼가 배경 온도 TC에 이른다. 척 제어기 (200) 는 온도 프로브 (190) (도 2) 를 통해 히터 모듈의 온도를 모니터하고 소망하는 일정한 배경 온도 TC를 확립 및 유지하기 위해 히터 모듈에 전달된 전력량을 제어한다.

LTP 레이저 빔 (818) 으로부터 웨이퍼에 대한 열의 입력이 없을 때, 척으로 부터 열 손실의 메인 소스는 웨이퍼 상부 표면 (312) 을 통한 복사 및 대류 (840), 및 냉각판 (20) 으로의 절연층을 통한 도전 (850) 에 의한 것이다. 척 제어기 (200) 는 냉각 유닛 (40) 및 냉각판에 의한 열의 소산을 촉진시키기 위해 냉각판 (20) 을 통한 냉각 유체 (예를 들어, 물) 의 흐름을 제어한다.

전술한 바와 같이, 절연층 (100) 은 상부 표면 (1020 에서의 일정한 배경 온도 TC (예를 들어, 약 400℃) 로부터 하부 표면 (104) 에서의 상당히 낮은 온도 (예를 들어, 20℃) 까지의 범위의 실질적으로 일정한 (즉, 일정하거나 거의 일정한) 열 구배를 지원하도록 구성된다. 절연층 (100) 은 히터 모듈로부터 냉각판으로의 도전성 열 전송을 허용하면서, 히터 모듈 (150) 의 하부 표면 (154) 으로부터 냉각판 (20) 으로의 복사 열 전송을 억제한다.

예시적인 실시형태에서, 히터 모듈 (150) 은 웨이퍼가 LTP 레이저 빔 (818) 으로 조사되지 않을 때 400℃의 일정한 배경 온도 TC에서 웨이퍼 (310) 를 유지하기 위해 약 3.4KW의 전력 (860) 을 요구한다.

LTP 레이저 빔 조사로 TC 유지

도 9B는 웨이퍼가 LTP 레이저 빔 (818) 으로 조사될 때 나타나는 전력속을 도시하는 척 (10) 과 웨이퍼 (310) 의 개략 측면도이다. 예시적인 실시형태에서, LTP 레이저 빔 (818) 은 약 3KW의 전력이 추가되고, 복사 및 대류 전력 손실 (840) (도 9A) 은 약 0.5KW이다. 이것은 3KW의 전력 (850) 을 냉각판에 덤핑하면서 전원 (180) (도 8) 을 통해 히터 모듈로 0.5KW의 전력 (860) 을 입력함으로써 밸런스될 수 있다.

LTP 레이저 빔 (818) 이 웨이퍼 표면 (312) 상에 입사될 때, 전원 (180) 에 의해 히터 모듈 (150) 에 제공된 전력 (850) 은 비례적으로 감소된다. 일정한 배경 온도 TC의 전기 제어를 유지하기 위해, 냉각판 (20) 으로 절연층 (100) 을 통한 안정 상태 열 손실은 복사 및 대류를 통한 손실 보다 작은 LTP 레이저 빔 (818) 으로부터의 최대 입력 전력 보다 클 필요가 있다.

척 (10) 에 대한 히팅 제어 시스템의 적응성 능력은 레이저의 광범위한 변화하는 전력 입력 레벨을 수용하고 웨이퍼 TC에서 일정한 평균 온도를 제공한다. 스캔된 레이저 빔 (818) 에 의해 웨이퍼에 제공된 공간적으로 변화하는 열 부하의 보상은 히터 모듈과 상부판의 높은 도전성에 의해 수동적으로 달성된다. 또한, 웨이퍼와 상부판 사이 및 상부판과 히터 모듈 사이의 낮은 열 인터페이스 저항은 온도에서의 공간적 비-균일성의 감소를 지원한다.

LTP 스캔 경로의 예

LTP를 수행할 때, 이미지 (820) (도 8) 의 근접 스캔이 너무 빨리 발생할 때 발생하는 것과 같이 웨이퍼 (310) 에서의 국부적 온도 변동은 피하는 것이 바람직하다.

도 10은 이미지 (820) 에 대한 스캔 경로 (900) 의 예시적인 실시형태를 도시하는 웨이퍼 (310) 의 개략적 평면도이다. 이미지 (820) 는 스캔 경로에 수직으로 측정될 때 이미지 폭 (W) 을 갖는다. 전술한 바와 같이, 예시적인 실시형태에서, 이미지 (820) 는 연장된, 즉, 라인 이미지이다. 스캔 경로 (900) 는 다수의 스캔 세그먼트 (901) (즉, 901-1, 901-2, ... 901-6) 를 포함한다. 각 스캔 세그먼트에서의 화살표는 스캔 경로의 코스를 나타낸다. 스캔 경로는 웨이퍼 표면상에서 이미지 (820) 의 중심에 의해 선택된 경로를 표시한다.

예시적인 실시형태에서, 연속 스캔 세그먼트 (901) 는 이전의 스캔 세그먼트로부터의 온도 변동을 피하기 위해 분리되어 유지된다. 바람직한 실시형태에서, 근접 스캔 세그먼트 사이의 공간은 도 10에 도시한 바와 같이 이미지 (820) 의 폭 (W) 보다 크다. 제 1 스캔 시퀀스가 완료되면, 제 2 스캔 시퀀스가 시작되고, 이것은 스캔된 이미지 (820) 가 서로에 대해 버트 업 (butt up) 할 수 있게 하는 제 1 스캔 시퀀스와 인터리브된다. 예시적인 실시형태에서, 근접 (버트된) 스캔 사이의 공간은 웨이퍼상의 임의의 포인트에서 본 피크 강도의 최대 변동이 1%의 오더이도록 배열되고, 웨이퍼의 에지를 접하는 좁은 제외 존은 제외이다. 제 2 스캔 시퀀스에는 전체 웨이퍼가 타이트하게 버트된 스캔에 의해 완벽하게 스캔될 때 까지 스캔의 추가의 시퀀스가 추종될 수도 있다. 따라서, 전체 웨이퍼는 LTP 레이저 빔에 의해 균일하게 처리된다.

도 10의 스캔 경로 실시형태에서, 스캔 (901) 의 시퀀스는 근접 세그먼트가 스캔되기 이전에 하나의 스캔 세그먼트에서 (즉, 일정한 배경 온도 TC로 복귀하기 위한 스캔 세그먼트에서의 웨이퍼 온도에 대해) 소산하기 위한 가열을 위해 충분한 시간을 제공한다.

보호 스커트의 동작

도 10의 예시적인 스캔 경로 (900) 와 같은 LTP 스캔 경로는 웨이퍼 (310) 의 외부 에지 (316) 를 횡단한다. 이러한 스캔 경로에 대해, 스커트 (500) 는 웨이퍼를 벗어나 이동할 때 LTP 레이저 빔 (818) 으로부터의 복사를 흡수 및/또는 반사하도록 작용한다. 도 7A에 도시한 스커트 (500) 의 예시적인 실시형태에서, 평면 부재 (501) 에 의해 흡수된 LTP 레이저 빔 (818) 으로부터의 전력은 냉각 채널 (522) 을 통해 냉각 유닛 (40) 으로부터의 냉각 유체 (예를 들어, 물) 의 흐름을 통해 스커트로부터의 열을 제거하는 열 전도 링 (520) 으로 도전된다.

본 발명의 다수의 특징들 및 이점들은 상세한 설명으로부터 명백할 것이고, 따라서, 첨부한 청구범위는 본 발명의 사상 및 범위를 따르는 설명한 장치의 특징들 및 이점들을 모두 커버한다. 또한, 다수의 변형물 및 변경물이 당업자에게는 명백하기 때문에, 본 명세서에 설명한 정확한 구성 및 동작에 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시형태들이 첨부한 청구범위의 범위 내에 있다.

이상 본 발명에 따르면, 척에 의해 웨이퍼가 LTP로부터의 순간적으로 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때에도 일정한 배경 웨이퍼 온도 TC를 유지할 수 있고, 이것은 일정한 온도로 유지되는 히터 모듈과 히트 싱크 사이에 위치되는 절연층을 이용함으로써 달성한다. 절연층은 히터 모듈과 히트 싱크 사이에서 열 구배를 유지하도록 설계되어, 레이저에 의해 공급된 열 보다 더 많은 열, 웨이퍼 및 척으로부터 더 적은 통상의 복사 및 대류 손실을 제거한다.

Claims

웨이퍼가 변화하는 복사에 영향을 받을 때 상기 웨이퍼를 지지하고 상기 웨이퍼를 일정한 배경 온도에서 유지하는 척 장치로서,

히트 싱크;

상기 웨이퍼에 도전적으로 연결되고 상기 웨이퍼가 변화하는 복사에 영향을 받을 때 상기 일정한 배경 온도에서 웨이퍼의 온도를 유지하는 충분한 전력 레벨에서 가열되도록 구성되는 히터 모듈; 및

상기 히트 싱크와 상기 히터 모듈 사이에 배열되고 상기 히트 싱크와 상기 히터 모듈과 열적으로 소통하는 열 절연층을 구비하며,

상기 절연층은 상기 히터 모듈로부터 상기 히트 싱크로의 실질적으로 일정한 열의 흐름을 유지하도록 구성된, 척 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 변화하는 복사는 레이저에 의해 제공되고,

상기 열 절연층은 상기 히트 싱크로의 전력의 흐름이 복사 및 대류에 의해 손실된 전력량 보다 작고 상기 레이저로부터 투입된 최대 전력을 초과하도록, 상기 히트 싱크로의 전력의 흐름을 유지하도록 구성되는, 척 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 히터 모듈과 열적 소통하고 상기 절연층에 대향하여 배열되는 상부판을 더 구비하며,

상기 상부판은 상부 표면상에서 상기 웨이퍼를 지지하고 상기 웨이퍼와 상기 히터 모듈 사이에서 열을 전도하도록 구성되는, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 상부판은 상기 히터 모듈의 정상에 형성된 산화층으로부터 형성되는, 척 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 히트 싱크는 냉각 유체의 흐름을 지지하도록 구성된 냉각 채널을 갖는 냉각판을 구비하는, 척 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 냉각판은 알루미늄으로 이루어진, 척 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 히터 모듈의 대응하는 하나 이상의 위치에서 상기 히터 모듈의 온도를 검출하고 대응하는 하나 이상의 온도 신호를 생성하도록 각각 배열된 하나 이상의 온도 프로브; 및

상기 히터 모듈에 전기적으로 연결되고 상기 하나 이상의 온도 신호에 기초하여 상기 히터 모듈에 선택 전력량을 제공하도록 구성된 전원을 더 구비하는, 척 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 전원 및 상기 하나 이상의 온도 프로브에 동작 가능하게 연결되는 제어기를 더 구비하고,

상기 제어기는 상기 하나 이상의 온도 신호를 수신하고 상기 선택 전력량을 상기 히터 모듈에 제공하도록 상기 전원에 지시하도록 구성되는, 척 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 히터 모듈은 그 내부에 형성된 히팅 유닛을 구비하고,

상기 히팅 유닛은 상기 전원에 전기적으로 연결되고, 상기 전원으로부터 상기 히터 모듈로 제공된 전력에 응답하여 상기 히터 모듈의 균일한 히팅을 제공하기 위해 상기 히터 모듈에 내장된 히팅 소자를 구비하는, 척 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 절연층은 석영을 포함하는, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 상부판은 주연부를 포함하고 상기 웨이퍼는 외부 에지를 포함하며,

상부판 주연부를 둘러싸며 상기 웨이퍼 외부 에지를 벗어나 이동하는 LTP 레이저 빔으로부터의 입사 복사를 흡수 및/또는 반사하도록 구성되는 냉각 스커트를 더 구비하는, 척 장치.
제 11 항에 있어서,

상기 냉각 스커트는 냉각 채널을 포함하며,

상기 냉각 채널은 냉각 채널을 통해 냉각 스커트로 냉각 유체를 흘려 보내는 냉각 유닛에 연결되는, 척 장치.
제 11 항에 있어서,

상기 냉각 스커트는 몰리브덴을 포함하는, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 상부판은 대향하는 상부 및 하부 표면을 갖고, 상기 웨이퍼는 하부 표면을 갖고,

상기 상부판 상부 표면은, 상기 상부판에 웨이퍼를 고정하도록 작용하는 상기 상부판 상부 표면에서 흡입을 생성하기 위해 진공을 공급하는 진공 시스템에 연결된 제 1 진공 홈을 포함하는, 척 장치.
제 14 항에 있어서,

상기 히터 모듈은 상부 표면을 갖고,

상기 상부판 하부 표면은, 상기 상부판에 상기 히터 모듈을 고정하도록 작용하는 상기 상부판 하부 표면에서 흡입을 생성하기 위해 진공을 공급하는 진공 시스템에 연결된 제 2 진공 홈을 갖는, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 상부판은 용융 실리카, 실리콘, 실리콘 카바이드, 산화 알루미늄, 및 다공성 실리콘 카바이드를 포함하는 재료의 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함하는, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 상부판은,

바디 및 상부 표면;

상기 상부 표면에서 상기 바디에 형성된 리세스; 및

공기에 대해 다공성이고 상기 상부판 상부표면과 동일 평면인 상부 표면을 가지며 상기 리세스를 채우는 재료를 포함하며,

상기 재료는 상기 재료 상부 표면에서 흡입을 생성하기 위해 상기 재료에 진공을 공급하는 상기 진공 시스템에 연결되는, 척 장치.
제 17 항에 있어서,

상기 다공성 재료는 다공성 실리콘 카바이드를 포함하고,

상기 상부판 바디는 비다공성 실리콘 카바이드를 포함하는, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 상부판은 공기에 대해 다공성인 재료로부터 형성되고 상기 상부판 상부 및 하부 표면에서 흡입을 생성하기 위해 상기 재료에 진공을 공급하는 진공 시스템에 연결되는, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 상부판은,

상기 상부판 상부 및 하부 표면과 일치하는 상부 및 하부 표면, 및 주연부를 갖는, 공기에 대해 다공성인 재료로된 중앙 디스크; 및

상기 중앙 디스크를 둘러싸고 상기 중앙 디스크의 디스크 주연부에 고정되는 링 형태의 비다공성 바디를 포함하고,

상기 다공성 재료는 진공이 상기 재료에 작용될 때 상기 상부 및 하부 표면에 흡입을 전달할 수 있는, 척 장치.
제 20 항에 있어서,

상기 중앙 디스크는, 상기 중앙 디스크에 진공을 작용하도록 구성되는 진공 시스템에 공기 역학적으로 (pneumatically) 연결되는, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 상부판은 공기에 대해 각각 다공성인 제 1 및 제 2 재료 각각으로부터 형성된 상부 및 하부 섹션을 갖고,

상기 상부 및 하부 섹션은 공기에 대해 비다공성인 층에 의해 분리되고,

상기 제 1 및 제 2 다공성 재료는 진공이 상기 상부 및 하부 섹션에 작용될 때 상기 상부판의 상부 및 하부 표면에 각각의 흡입을 전달할 수 있는, 척 장치.
제 22 항에 있어서,

상기 상부 및 하부 섹션은 상기 상부 및 하부 섹션에 진공을 작용하도록 구성된 진공 시스템에 각각 공기 역학적으로 연결되는, 척 장치.
제 22 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 재료는 동일한, 척 장치.
제 22 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 재료는 다공성 실리콘 카바이드를 포함하는, 척 장치.
제 1 항에 있어서,

키네마틱 마운트를 더 구비하며,

상기 키네마틱 마운트는,

외부 에지를 갖는 베이스부, 및 마운팅 볼의 일부를 수용하도록 형성되고 사이즈된 방사적으로 배향된 홈을 갖는 상부 마운팅 표면을 포함하는, 상기 외부 에지에 배열된 3개의 상향 확장 페디스털을 갖는 스테이지 인터페이스 부재; 및

상기 스테이지 인터페이스 부재에 형성된 제 1 홈에 대응하는 3개의 위치 각각에서 상기 히트 싱크의 하부 표면에 부착된 3개의 마운팅 볼을 포함하는, 척 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 히터 모듈은 알루미늄으로 이루어지는, 척 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 히트 싱크는 그 내부에 형성된 냉각 채널을 갖는 냉각판을 포함하고, 상기 냉각 채널은 상기 냉각판으로부터 열을 제거하기 위해 상기 냉각 채널을 통해 냉각 유체를 흘리도록 구성된 냉각 유닛에 동작 가능하게 연결되는, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 냉각판 하부 표면에 근접하게 배열되고 상기 냉각판의 홀을 통해 확장하는 이동 가능한 리프트 핀을 갖는 리프트-핀 어셈블리를 포함하고,

상기 리프트 핀은 상기 상부판 상부 표면으로부터 웨이퍼를 리프트하도록 구성된, 척 장치.
제 3 항에 있어서,

a) 히트 싱크 및 절연층; 및

b) 절연층 및 히터 모듈

중의 하나 이상 사이에 배열된 열 전도 인터페이스 층을 더 포함하는, 척 장치.
제 30 항에 있어서,

상기 열 인터페이스 층은 플렉시블한 그라파이트 시트를 포함하는, 척 장치.
웨이퍼를 지지하고 일정한 배경 온도에서 상기 웨이퍼를 유지하는 척 장치로서,

상기 웨이퍼와 열적 소통하고 상기 웨이퍼가 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때 상기 일정한 배경 온도에서 유지되도록 구성되는 히터 모듈; 및

히트 싱크로의 실질적으로 일정한 열의 흐름을 유지하도록 구성된 절연층을 통해 상기 히터 모듈과 열적으로 소통하는 히트 싱크를 구비하는, 척 장치.
제 32 항에 있어서,

상기 웨이퍼와 상기 히터 모듈 사이에 배열된 열 전도 상부판을 더 구비하고,

상기 상부판은 대향하는 상부 및 하부 표면과 주연부를 갖고, 상기 상부 표면은 상기 웨이퍼를 지지하는, 척 장치.
제 32 항에 있어서,

상기 히터 모듈의 대응하는 하나 이상의 온도를 측정하고 대응하는 하나 이상의 온도 신호를 생성하기 위해 상기 히터 모듈과 열적으로 소통하는 하나 이상의 온도 프로브; 및

상기 하나 이상의 온도 신호에 기초하여 일정한 온도에서 상기 히터 모듈을 유지하기 위해 상기 히터 모듈에 전력을 공급하도록 구성되는 전원을 구비하는, 척 장치.
제 34 항에 있어서,

상기 온도 신호를 수신하고 상기 전원으로 하여금 가변량의 전력을 제공하도록 구성되는 제어기를 더 구비하는, 척 장치.
제 32 항에 있어서,

상기 웨이퍼에 대한 상기 변화하는 열 부하는 레이저에 의해 제공되고,

상기 히트 싱크는 복사 및 대류에 의해 손실된 전력량 보다 작고, 상기 레이 저에 의해 웨이퍼에 입력된 최대 전력을 초과하는 열량을 적어도 소산하도록 구성되는, 척 장치.
제 33 항에 있어서,

상기 상부판은 상기 상부판 상부 표면상에 실리콘 산화물의 코팅을 갖는, 척 장치.
제 33 항에 있어서,

상기 상부판은 상기 히터 모듈의 정상에 형성된 산화물 층으로부터 형성되는, 척 장치.
제 33 항에 있어서,

상기 상부판은 상부판 상부 표면상에 실리콘 질화물의 코팅을 갖는 실리콘을 포함하는, 척 장치.
제 33 항에 있어서,

상기 히터 모듈은 상기 냉각판에 형성된 대응하는 복수의 관통 홀과 축방향으로 일직선인 복수의 관통 홀을 포함하고,

대응하는 복수의 볼트 각각은 스레드된 단부를 갖고 홀을 통해 히터 모듈과 냉각판을 통과하고, 상기 각각의 볼트는 상기 히터 모듈, 상기 절연층 및 상기 냉 각판과 함께 스프링 로드하도록 스프링 로드된 와셔 및 너트로 각각의 스레드된 단부에 고정되는, 척 장치.
제 40 항에 있어서,

상기 볼트는 절연층을 통과하지 않는, 척 장치.
제 33 항에 있어서,

상기 히트 싱크는 상부 표면을 포함하는 냉각판을 포함하고, 상기 절연층은 대향하는 상부 및 하부 표면을 포함하고, 상기 히터 모듈은 대향하는 상부 및 하부 표면을 포함하며,

상기 냉각판 상부 표면과 상기 절연층 표면중의 하나에 형성된 제 1 진공 홈;

상기 절연층 상부 표면과 상기 히터 하부 표면중의 하나에 형성된 제 2 진공 홈; 및

상기 히터 모듈 상부 표면과 상기 상부판 하부 표면중의 하나에 형성된 제 3 진공 홈을 구비하며,

상기 제 1, 제 2 및 제 3 진공 홈은 상기 냉각판, 상기 절연층, 상기 히터 모듈 및 상기 상부판을 함께 유지하도록 작동하는 상기 제 1, 제 2 및 제 3 진공 홈에서 흡입을 형성하도록 동작하는 진공 시스템에 공기 역학적으로 연결되는, 척 장치.
웨이퍼가 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때 일정한 배경 온도에서 상기 웨이퍼를 유지하는 방법으로서,

히터 모듈과 열적으로 소통하는 상기 웨이퍼를 위치시키는 단계로서, 상기 히터 모듈은 히터 모듈이 상기 일정한 배경 온도에서 유지될 수 있도록 열을 생성하고 열을 전달하도록 구성되어 있는, 상기 단계;

절연층을 통해 상기 히터 모듈과 열적으로 소통하는 히트 싱크를 위치시키는 단계로서, 상기 절연층은 상기 히트 싱크와 상기 히터 모듈 사이에서 실질적으로 일정한 열 구배를 유지하도록 구성되어 있는, 상기 단계된; 및

상기 웨이퍼로부터 상기 히트 싱크로 실질적으로 일정한 양의 열을 전달하고, 상기 웨이퍼상의 변화하는 열 부하를 보상하기 위해 상기 히터 모듈로 가변 열을 제공함으로써 상기 일정한 배경 온도에서 상기 히터 모듈을 유지하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
웨이퍼가 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때 일정한 배경 온도에서 상기 웨이퍼를 유지하는 방법으로서,

높은 열 전도성을 갖고 상기 웨이퍼의 대향측에 열적으로 연결하기 위한 충분한 두께를 갖는 재료로 이루어진 히터 모듈에 상기 웨이퍼를 연결하는 단계; 및

상기 웨이퍼와 상기 히터 모듈 사이에서 감소된 열 임피던스를 유지하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
웨이퍼가 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때 일정한 배경 온도에서 상기 웨이퍼를 유지하는 방법으로서,

히터 모듈과 열적으로 소통하는 상기 웨이퍼를 위치시키는 단계로서, 상기 히터 모듈은 가변량의 열을 생성하고 상대적으로 일정한 양의 열을 히트 싱크로 전달하도록 구성되어 있는, 상기 단계;

절연층을 통해 상기 히터 모듈과 열적으로 소통하는 상기 히트 싱크를 위치시키는 단계로서, 상기 절연층은 상기 히트 싱크와 상기 히터 모듈 사이에서 실질적으로 일정한 열의 흐름을 유지하도록 구성되어 있는, 상기 단계; 및

가변량의 전력을 상기 모듈에 공급함으로써 상기 일정한 배경 온도에서 상기 히터 모듈을 유지하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
제 45 항에 있어서,

상기 웨이퍼를 상기 변화하는 열 부하에 영향받게 하기 이전에, 상기 웨이퍼를 상기 일정한 배경 온도에 이르게 하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
제 45 항에 있어서,

약 400℃ 내지 약 450℃ 사이에서, 및 약 6℃ 이내의 균일성으로 상기 웨이퍼의 상기 일정한 배경 온도를 유지하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
제 45 항에 있어서,

상기 히터 모듈을 상기 일정한 배경 온도에서 유지하는 단계는,

히터 모듈의 온도를 측정하는 단계; 및

상기 측정된 온도에 기초하여 상기 히터 모듈에 가변 전력을 제공하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
제 45 항에 있어서,

상기 히터 모듈과 상기 웨이퍼 사이에 상부판을 배열하는 단계를 더 포함하고, 상기 상부판은 상기 히터 모듈에 의한 상기 웨이퍼의 오염을 방지하도록 구성되는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
제 49 항에 있어서,

상기 상부판은 그 내부에 형성된 진공 홈을 갖는 상부 표면을 포함하고,

상기 상부판 상부 표면상에 상기 웨이퍼를 위치시키는 단계; 및

상기 상부판 상부 표면상에 상기 웨이퍼를 고정하기 위해 상기 진공 홈에 진공을 작용하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
제 49 항에 있어서,

상기 상부판은 상부 표면을 갖는 바디를 포함하고, 상기 바디는 공기에 대해 다공성인 재료를 유지하고 상기 상부판 상부 표면과 동일 평면인 상부 표면을 갖는 상기 상부 표면에 형성된 리세스를 포함하며,

상기 상부판 상부 표면상에 상기 웨이퍼를 위치시키는 단계; 및

상기 다공성 재료에 진공을 작용하여 상기 상부판 상부 표면에 상기 웨이퍼를 고정하기 위해 상기 다공성 재료 상부 표면에 상기 진공을 전달하는 단계를 더 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
제 49 항에 있어서,

상기 상부판은 대향하는 상부 및 하부 표면을 갖는 바디를 포함하고, 상기 바디는, 공기에 다공성인 재료로부터 형성되고 상기 상부판 상부 표면 및 하부 표면과 동일 평면인 상부 및 하부 표면을 갖는 중앙부, 및 공기에 대해 비다공성인 장벽에 의해 둘러싸인 주연부를 포함하며,

상기 웨이퍼를 상기 상부판 상부 표면상에 위치시키고 상기 다공성 재료에 진공을 작용함으로써 상기 상부판 상부 표면에 상기 웨이퍼를 고정하는 단계를 더 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
변화하는 열 부하로 처리하는 동안 일정한 배경 온도에서 웨이퍼를 지지 및 유지하는 방법으로서,

조절 가능한 열 투입량을 갖는 열 매스와 열적으로 소통하는 상기 웨이퍼를 위치시키는 단계;

상기 열 매스와 히트 싱크 사이에, 상기 변화하는 열 부하의 최대값과 거의 동일한 일정한 전력 손실을 유지하도록 구성된 절연층을 제공하는 단계; 및

상기 히트 싱크로 전달되고 상기 웨이퍼로부터의 복사 및 대류를 통해 손실된 전력을 보상하기 위해 상기 열 매스를 가열하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 지지 및 유지 방법.
제 53 항에 있어서,

열 매스의 온도를 측정하고, 소망하는 배경 온도와 열 매스의 측정된 온도 사이의 차에 대응하는 상기 열 매스로 전달된 전력을 조정함으로써 상기 일정한 배경 온도에서 상기 열 매스를 유지하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 지지 및 유지 방법.
제 53 항에 있어서,

상기 열 매스의 온도를 측정하는 단계는,

대응하는 하나 이상의 위치에서 상기 열 매스와 열적으로 소통하는 하나 이상의 온도 프로브를 제공하는 단계;

상기 하나 이상의 위치에서의 온도에 대응하는 하나 이상의 온도 신호를 생성하는 단계; 및

소망하는 온도에 대응하는 신호와 하나 이상의 온도 신호 사이의 차이에 대 응하는 양으로 상기 열 매스에 내장된 히터 코일에 가변 전력을 전달하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 지지 및 유지 방법.
제 53 항에 있어서,

상기 웨이퍼를 상기 가변 열 부하에 영향받게 하는 단계는, 상기 웨이퍼의 상부 표면을 레이저 빔으로 조사하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 지지 및 유지 방법.
상부 표면을 갖는 웨이퍼를 처리하는 레이저 열 처리 (LTP) 시스템으로서,

레이저 복사를 방출하는 레이저 소스;

상기 레이저 복사를 수신하고 이미지 평면에서 LTP 레이저 빔을 형성하도록 구성된 광학 시스템; 및

상기 이미지 평면에서 상기 웨이퍼 상부 표면를 지지하도록 구성된 척을 지지하도록 구성된 이동 가능한 스테이지를 구비하며,

상기 척은,

상기 웨이퍼와 열적으로 소통하고, 상기 웨이퍼 상부 표면이 상기 LTP 레이저 빔으로부터의 변화하는 열 부하에 영향을 받을 때 일정한 온도에서 유지되도록 구성된 히터 모듈; 및

상기 변화하는 열 부하의 최대값에 대응하는 일정한 전력 손실을 유지하도록 구성된 절연층을 통해 상기 히터 모듈과 열적으로 소통하는 히트 싱크를 포함하는, 레이저 열 처리 시스템.
제 57 항에 있어서,

상기 척은 키네마틱 마운트에 의해 상기 이동 가능한 스테이지 내에 유지되는, 레이저 열 처리 시스템.
제 57 항에 있어서,

상기 이동 가능한 스테이지는, 래스터 스캐닝 패턴으로 상기 웨이퍼 표면상에 상기 이미지를 스캔하도록 상기 LTP 레이저 빔에 대하여 상기 웨이퍼를 이동시키도록 구성되는, 레이저 열 처리 시스템.
제 59 항에 있어서,

상기 스캐닝 패턴은 인터리브된 래스터 패턴인, 레이저 열 처리 시스템.
상부 표면을 갖는 웨이퍼의 레이저 열 처리 (LTP) 를 수행하는 방법으로서,

상기 웨이퍼에 의한 LTP 레이저 빔의 흡수를 개선시키는 상기 웨이퍼의 일정한, 높여진 배경 온도를 설정하는 단계;

상기 웨이퍼 상부 표면의 스캔된 일부를 상기 웨이퍼를 처리하기 위해 충분한 피크 온도에 일시적으로 도달시키게 하기 위해 상기 웨이퍼 상부 표면상에서 상기 LTP 레이저 빔을 스캔닝하는 단계; 및

상기 스캐닝 동안, 상기 LTP 레이저 빔에 의해 상기 웨이퍼에 전달된 열을 상기 웨이퍼와 히트 싱크 사이에 배열된 절연층을 통해 상기 히트 싱크로 전달함으로써 일정한 배경 온도를 유지하는 단계를 포함하는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
제 61 항에 있어서,

상기 웨이퍼의 일정한 배경 온도를 유지하는 단계는,

열 매스와 상부 및 하부 표면을 갖는 열 전도성 히터 모듈 상에서 상기 웨이퍼를 지지하는 단계로서, 상기 히터 모듈이 상기 상부 표면에서 상기 웨이퍼와 열적 소통하고 상기 하부 표면에서 상기 절연층과 열적으로 소통하는, 상기 지지 단계; 및

상기 일정한 배경 온도에서 상기 히터 모듈을 유지하는 단계를 포함하는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
제 62 항에 있어서,

상기 히터 모듈의 온도를 측정하는 단계 및 상기 일정한 배경 온도에서 상기 히터 모듈을 유지하기 위해 상기 온도 측정값에 응답하여 상기 히터 모듈에 전력을 제공하는 단계를 포함하는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
제 63 항에 있어서,

상기 히터 모듈과 상기 웨이퍼 사이에 상부판을 제공하는 단계를 포함하며,

상기 상부판은 상부판 상부 표면에 웨이퍼를 진공 고정하고 상기 웨이퍼와 상기 히터 모듈 사이에 열적 소통을 제공하도록 구성되는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
제 61 항에 있어서,

상기 웨이퍼가 상기 LTP 레이저 빔에 의해 조사되지 않을 때 상기 히터 모듈을 상기 일정한 배경 온도에서 유지하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
변화하는 열 부하를 웨이퍼에 전하는 레이저 열 처리 (LTP) 동안 일정한 배경 온도에서 상기 웨이퍼를 유지하는 방법으로서,

히터 모듈의 상부 표면과 열 접촉하는 상기 웨이퍼를 위치시키는 단계;

상기 일정한 배경 온도에서 상기 히터 모듈을 유지하는 단계;

상기 웨이퍼로부터의 열을 상기 히터 모듈을 통해 상기 히터 모듈의 하부 표면에 근접한 히트 싱크로 전달하는 단계; 및

상기 변화하는 열 부하에 대응하는 상기 히트 모듈로부터 상기 히트 싱크로 열량을 전달하기 위해, 상기 히터 모듈과 상기 히트 싱크 사이에 배열된 절연층을 통해 상기 히터 모듈과 상기 히트 싱크 사이에서 열 구배를 유지하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
제 66 항에 있어서,

상기 일정한 배경 온도에서 상기 히터 모듈을 유지하는 단계는,

상기 히터 모듈의 온도를 측정하는 단계; 및

상기 히터 모듈에 보상 전력을 제공함으로써 상기 일정한 배경 온도로부터 상기 히터 모듈의 온도에서의 실질적인 변화를 방지하는 단계를 포함하는, 일정한 배경 온도에서 웨이퍼 유지 방법.
상부 표면을 갖는 웨이퍼의 레이저 열 처리 (LTP) 를 수행하는 방법으로서,

일정한 배경 온도에서 상기 웨이퍼를 유지하는 단계; 및

스캔 패턴으로 상기 웨이퍼 상부 표면상에서 LTP 레이저 빔에 의해 형성된 이미지를 이동시키는 단계를 포함하며,

각 경로는 스캔 섹션을 커버하고, 직접 근접한 스캔 섹션은 스캐닝 이전의 배경 웨이퍼 온도로 복귀하기 위해 스캐닝될 상기 웨이퍼의 다음의 섹션에 대해 충분한 시간량 만큼 분리되는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
상부 표면을 갖는 웨이퍼의 레이저 열 처리 (LTP) 를 수행하는 방법으로서,

일정한 배경 온도에서 상기 웨이퍼를 유지하는 단계; 및

다중 스캔 섹션을 갖는 스캔 패턴으로 상기 웨이퍼 상부 표면상에서 LTP 레이저 빔에 의해 형성된 이미지를 이동시키는 단계를 포함하며,

공간적으로 근접한 스캔 섹션은 스캐닝 이전에 배경 웨이퍼 온도로 복귀하기 위해 상기 웨이퍼의 각 스캐닝된 섹션에 대해 충분한 시간량 만큼 함께 버트 (butted) 되고 분리되는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
상부 표면을 갖는 웨이퍼의 레이저 열 처리 (LTP) 를 수행하는 방법으로서,

일정한 배경 온도에서 상기 웨이퍼를 유지하는 단계; 및

상기 웨이퍼상의 각 포인트가 동일한 최대 온도를 경험하는 방식으로 상기 웨이퍼 양단에 다중 횡단을 갖는 상기 웨이퍼 상부 표면상에서 LTP 레이저 빔에 의해 형성된 이미지를 이동시키는 단계를 포함하며,

각 횡단은 일정한 배경 온도에서 시작하는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
제 70 항에 있어서,

상기 이미지는 상기 스캔 경로에 수직인 이미지 폭을 갖고, 일시적인 근접 스캔 섹션은 상기 이미지 폭 보다 큰 양 만큼 분리되는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
제 71 항에 있어서,

상기 스캔 경로의 코스 상에서 전체 웨이퍼 상부 표면을 조사하는 단계를 포함하는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행 방법.
제 71 항에 있어서,

상기 웨이퍼의 함유 존에서의 임의의 포인트에서 볼 때 최대 처리 온도의 균일성이 6℃ 또는 더 양호하게 균일하도록 상기 이미지 폭을 결정하는 단계를 포함하는, 웨이퍼의 레이저 열 처리 수행방법.
처리를 위해 웨이퍼를 고정하는 장치로서,

상부 표면을 갖는 바디;

상기 바디의 상부 표면에 형성되는 리세스; 및

상기 리세스를 채우고, 상기 바디 상부 표면과 동일 평면인 상부 표면을 갖는, 공기에 대해 다공성인 재료를 포함하며,

상기 다공성 재료는 진공이 상기 재료에 작용될 때 상기 재료 상부 표면으로 흡입을 전달할 수 있는, 장치.
제 74 항에 있어서,

상기 재료는 상기 다공성 재료의 세공을 통해 상기 재료 상부 표면에 진공을 제공하는 진공 시스템에 공기 역학적으로 연결되는, 장치.
제 74 항에 있어서,

상기 리세스 재료는 다공성 실리콘 카바이드를 포함하고,

상기 바디는 비다공성 실리콘 카바이드를 포함하는, 장치.
제 76 항에 있어서,

상기 리세스 재료는 상기 리세스 재료의 세공을 통해 상기 재료 상부 표면에 진공을 제공하는 진공 시스템에 공기 역학적으로 연결되는, 장치.
처리를 위해 웨이퍼를 고정하는 장치로서,

공기에 대해 다공성인 제 1 및 제 2 재료로부터 형성되며, 각각의 상부 및 하부 표면과 비다공성 주연부를 갖는, 상부 및 하부 섹션; 및

상기 상부 및 하부 섹션을 분리시키는 비다공성 층을 구비하며,

상기 제 1 및 제 2 다공성 재료는, 각각 진공이 상기 제 1 및 제 2 섹션에 각각 작용될 때, 상기 상부 및 하부 표면에 흡입을 전달할 수 있는, 장치.
제 78 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 재료는 동일한, 장치.
제 78 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 재료는 다공성 실리콘 카바이드를 포함하는, 장치.
제 78 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 섹션은 상기 제 1 및 제 2 다공성 재료에서의 제 1 및 제 2 진공 접속 각각을 통해 상기 상부 및 하부 표면에 진공을 제공하는 진공 시스템에 공기 역학적으로 연결되는, 장치.
처리를 위해 웨이퍼를 고정하는 장치로서,

상부 및 하부 표면과 주연부를 갖는, 다공성 재료로된 중앙 디스크; 및

상기 중앙 디스크의 상기 주연부를 둘러싸고 거기에 고정되는 비다공성 링을 구비하며,

상기 다공성 재료는, 진공이 상기 다공성 재료에 작용될 때, 상기 디스크의 상부 및 하부 표면에 흡입을 전달할 수 있는, 장치.
제 82 항에 있어서,

상기 재료로된 중앙 디스크는 상기 재료에 진공을 작용하도록 구성된 진공 시스템에 공기 역학적으로 연결되는, 장치.