KR20060039801A - 발룬을 갖는 가변이득 증폭기 - Google Patents

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KR20060039801A
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백원진
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조병학
오승민
서승원
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 무선 통신 시스템의 수신기에 적용되는 가변이득 증폭기를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 가변이득 증폭기는, 발룬(balun)을 포함하는 가변이득 증폭기를 구현하고, 부하를 가변시켜 이득을 조절할 수 있도록 구현함으로서, 차동 증폭 구조를 이용하여 하나의 입력 신호를 차동 신호로 증폭하여 출력할 수 있고, 또한, 입력신호의 크기에 대응하여 부하의 가변을 통해 이득을 가변시켜 큰 신호입력시에도 신호의 왜곡없이 증폭하여 출력할 수 있다.
이에 따르면, 단일 입력신호의 이득을 조절하여 차동 신호로 출력할 수 있고, 큰 신호에 대한 선형성을 개선하여 큰 신호의 왜곡을 줄일 수 있고, 고이득 모드에서 잡음지수를 개선할 수 있다.
가변이득 증폭기

Description

발룬을 갖는 가변이득 증폭기{VARIABLE GAIN AMPLIFIER WITH BALUN}
도 1은 종래의 능동 발룬회로의 구성도이다.
도 2의 (a) 및 (b)는 도 1의 능동 발룬회로의 응답특성 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 가변이득 증폭기의 구성도이다.
도 4의 (a) 및 (b)는 도 3의 가변이득 증폭기의 응답특성 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 제1 부하 가변부 120 : 신호 입력부
130 : 제3 부하부 210 : 제2 부하 가변부
220 : 접지부 230 : 제4 부하부
300 : 전류원 Vdd : 동작전압
Vsw : 스위칭 전압 L1 : 제1 코일
L2 : 제2 코일 M1 ~ M7 : 제1 ~ 제7 트랜지스터
Sin : 입력신호 So1 : 제1 출력신호
So2 : 제2 출력신호 LM1 : 제 1 임피던스 매칭 코일
LM2 : 제2 임피던스 매칭 코일 CN : 공통 노드
본 발명은 무선 통신 시스템의 수신기에 적용되는 가변이득 증폭기에 관한 것으로, 특히 발룬(balun)을 포함하는 가변이득 증폭기를 구현하고, 부하를 가변시켜 이득을 조절할 수 있도록 구현함으로서, 단일 입력신호의 이득을 조절하여 차동 신호로 출력할 수 있고, 큰 신호에 대한 선형성을 개선하여 큰 신호의 왜곡을 줄일 수 있고, 고이득 모드에서 잡음지수를 개선할 수 있는 발룬을 갖는 가변이득 증폭기에 관한 것이다.
일반적으로, 무선통신을 위한 수신단에서 필터를 제외한 첫번째 블록은 저잡음증폭기이다. 이 저잡음증폭기의 역할은 최소의 노이즈를 추가하면서 신호를 증폭하는 것이다. 이 경우 저잡음증폭기에서 중요한 성능은 이득 및 잡음지수가 된다.
최근, 통신시스템이 발달하면서 수신단에 도달하는 신호의 세기는 -100 dBm 이하의 크기에서 0 dBm 정도의 크기이다. 낮은 신호를 처리하는 저잡음증폭기는 이득 및 잡음지수가 중요한 성능요소 이었으나, 크기가 큰 신호를 처리하는 저잡음증폭기는 이득을 조절하는 기능이 또한 중요한 성능요소이다.
또한, 수신단의 집적도가 커지면서 수신단 전체가 하나의 칩에 집적되며, 이때 저잡음증폭기는 단일 신호를 입력으로 하고 차동신호를 출력으로 내보내야 하는 역할도 추가되어야 한다.
도 1은 종래의 능동 발룬회로의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 능동 발룬회로는 신호의 특성을 최대한 증폭하기 위한 고증폭 이득 저잡음 능동 발룬 회로로, 이는 하나의 입력신호에 응답하여 서로 위상이 반대인 제1 및 제2 출력신호를 출력한다.
상기 증폭기는 상기 입력신호(Input)를 게이트로 입력받는 소스 접지형 제1트랜지스터(11)를 포함하는 능동소자로 구성되어, 상기 제1출력신호(Output-1)를 출력하는 제1캐스코드 증폭부(10)와, 및 상기 제1트랜지스터(11)의 드레인단에 게이트가 연결되고 소스가 접지된 제2트랜지스터(21)를 포함하는 능동소자로 구성되어, 상기 제2출력신호(Output-2)를 출력하는 제2캐스코드 증폭부(20)를 포함하여 이루어진다.
이와 같은 증폭기에 대한 구체적인 설명은 한국공개특허공보 제1999-0042381호에 개시되어 있다.
도 2의 (a) 및 (b)는 도 1의 능동 발룬회로의 응답특성 그래프이다.
도 2의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 종래의 회로에 큰 입력신호가 들어가면, 회로의 선형성이 문제가 되어 신호가 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 왜곡되는 문제점이 있다. 따라서 큰 신호에 대해서 신호 왜곡 현상이 발생되므로, 상기한 종래의 회로는 입력신호가 큰 시스템에 적합하지 않다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 그 목적은 발룬(balun)을 포함하는 가변이득 증폭기를 구현하고, 부하를 가변시켜 이득을 조절할 수 있도록 구현함으로서, 단일 입력신호의 이득을 조절하여 차동 신호로 출력할 수 있고, 큰 신호에 대한 선형성을 개선하여 큰 신호의 왜곡을 줄일 수 있고, 고이득 모드에서 잡음지수를 개선할 수 있는 발룬을 갖는 가변이득 증폭기를 제공하는데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 가변이득 증폭기는
동작전압에 따라 부하를 가변하는 제1 부하 가변부;
동작전압에 따라 부하를 가변하는 제2 부하 가변부;
입력신호단에 연결된 게이트와, 상기 제1 부하 가변부 및 제1 출력신호단에 연결된 드레인과, 그리고 제1 임피던스 매칭 코일의 일단에 연결된 소스를 갖는 제3 트랜지스터로 이루어진 신호 입력부;
접지된 게이트와, 상기 제2 부하 가변부 및 제2 출력신호단에 연결된 드레인과, 그리고, 제2 임피던스 매칭 코일의 일단에 연결된 소스를 갖는 제4 트랜지스터로 이루어진 접지부;
상기 제1 임피던스 매칭 코일의 타단과 제2 임피던스 매칭 코일의 타단과의 공통 노드에서 접지로 연결된 전류원을 포함하여,
상기 제1 및 제2 부하 가변부의 부하 가변을 통해 이득을 가변하고, 이 가변된 이득으로 하나의 입력신호를 증폭하여 차동의 제1,제2 출력신호를 출력하도록 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 가변이득 증폭기의 구성도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 가변이득 증폭기는 동작전압(Vdd)에 따라 부하를 가변하는 제1 부하 가변부(110)와, 동작전압(Vdd)에 따라 부하를 가변하는 제2 부하 가변부(210)와, 입력신호(Sin)단에 연결된 게이트와, 상기 제1 부하 가변부(110) 및 제1 출력신호(So1)단에 연결된 드레인과, 그리고 제1 임피던스 매칭 코일(LM1)의 일단에 연결된 소스를 갖는 제3 트랜지스터(M3)로 이루어진 신호 입력부(120)와, 접지된 게이트와, 상기 제2 부하 가변부(210) 및 제2 출력신호(So2)단에 연결된 드레인과, 그리고, 제2 임피던스 매칭 코일(LM2)의 일단에 연결된 소스를 갖는 제4 트랜지스터(M4)로 이루어진 접지부(220)와, 상기 제1 임피던스 매칭 코일(LM1)의 타단과 제2 임피던스 매칭 코일(LM2)의 타단과의 공통 노드(CN)에서 접지로 연결된 전류원(300)을 포함한다.
이러한 본 발명의 가변이득 증폭기는 상기 제1 및 제2 부하 가변부(110,210)의 부하 가변을 통해 이득을 가변하고, 이 가변된 이득으로 하나의 입력신호를 증폭하여 차동의 제1,제2 출력신호를 출력하도록 이루어진다.
또한, 상기 가변이득 증폭기는 상기 제1 출력신호(So1)단과 상기 신호 입력부(120) 사이에 연결되어 사전에 설정된 부하를 갖는 제3 부하부(130)와, 상기 제2 출력신호(So2)단과 상기 접지부(220) 사이에 연결되어 사전에 설정된 부하를 갖는 제4 부하부(230)를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 부하 가변부(110)는 상기 동작전압(Vdd)단에 일단이 연결된 제1 코일(L1)과, 상기 제1 코일(L1)의 일단에 연결된 소스와, 상기 스위칭 전압(Vsw)단에 연결된 게이트와, 그리고 상기 제1 코일(L1)의 타단 및 상기 제1 출력신호(So1)단에 연결된 드레인을 갖는 MOSFET로 이루어진 제1 트랜지스터(M1)를 포함한다.
또한, 상기 제2 부하 가변부(210)는 상기 동작전압(Vdd)단에 일단이 연결된 제2 코일(L2)과, 상기 제2 코일(L2)의 일단에 연결된 소스와, 상기 스위칭 전압(Vsw)단에 연결된 게이트와, 그리고 상기 제2 코일(L2)의 타단 및 상기 제2 출력신호(So2)단에 연결된 드레인을 갖는 MOSFET로 이루어진 제2 트랜지스터(M2)를 포함한다.
여기서, 상기 제1 부하 가변부(110)와 제2 부하 가변부(210)는 서로 동일한 특성을 갖고, 상기 제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2)는 동일한 특성을 갖 는다.
또한, 상기 스위칭 전압(Vsw)단은 입력신호의 크기에 따라 제공되는 전압으로, 입력신호가 작은 신호일 경우에는 상기 스위칭 전압(Vsw)이 턴오프 전압으로 공급되고, 입력신호가 큰 신호일 경우에는 상기 스위칭 전압(Vsw)이 턴온 전압으로 공급된다.
그리고, 상기 신호 입력부(120)의 제3 트랜지스터(M3)는 입력신호(Sin)단에 연결된 게이트와, 상기 제1 부하 가변부(110) 및 제1 출력신호(So1)단에 연결된 드레인과, 그리고 제1 임피던스 매칭 코일(LM1)의 일단에 연결된 소스를 갖는 MOSFET로 이루어진다.
또한, 상기 접지부(220)의 제4 트랜지스터(M4)는 접지에 연결된 게이트와, 상기 제2 부하 가변부(210)에 연결된 드레인과, 그리고 제2 임피던스 매칭 코일(LM2)의 일단에 연결된 소스를 갖는 MOSFET로 이루어진다.
여기서, 상기 신호 입력부(120)와 접지부(220)는 서로 동일한 특성을 갖고, 상기 제3 트랜지스터(M3) 및 제4 트랜지스터(M4)는 서로 동일한 특성을 갖는다.
상기 전류원(300)은 상기 제1 임피던스 매칭 코일(LM1)의 타단과 제2 임피던스 매칭 코일(LM2)의 타단과의 공통 노드(CN)에 연결된 드레인과, 제1 전압(V1)단에 연결된 게이트 및 접지에 연결된 드레인을 갖는 MOSFET인 제5 트랜지스터(M5)로 이루어진다.
여기서, 제1 전압(V1)은 제5 트랜지스터(M5)의 동작 전압으로 고정 전압이 될 수 있다.
상기 제3 부하부(130)는 상기 제1 부하 가변부(110) 및 상기 제1 출력신호(So1)단에 연결된 드레인과, 제2 전압(V2)단에 연결된 게이트와, 그리고, 상기 제3 트랜지스터(M3)의 드레인에 연결된 소스를 갖는 MOSFET인 제6 트랜지스터(M6)로 이루어진다.
또한, 상기 제4 부하부(230)는 상기 제2 부하 가변부(210) 및 상기 제2 출력신호(So2)단에 연결된 드레인과, 제2 전압(V2)단에 연결된 게이트와, 그리고 상기 제4 트랜지스터(M4)의 드레인에 연결된 소스를 갖는 MOSFET인 제7 트랜지스터(M7)로 이루어진다.
여기서, 상기 제3 부하부(130)와 제4 부하부(230)는 동일한 특성을 갖고, 상기 제6 트랜지스터(M6)와 제7 트랜지스터(M7)도 서로 동일한 특성을 갖는다. 또한, 상기 제2 전압(V2)은 상기 제6 트랜지스터(M6)와 제7 트랜지스터(M7)의 동작전압으로 고정전압이 될 수 있다.
도 4의 (a) 및 (b)는 도 3의 가변이득 증폭기의 응답특성 그래프이다.
도 4에서, (a)는 작은 신호(-50dB)에 대한 응답특성 그래프이고, (b)는 큰 신호(-20dB)에 대한 응답특성 그래프이다.
이하, 본 발명의 작용 및 효과를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 가변이득 증폭기에서, 동작전압(Vdd) 및 전류원(300)에 의해서 상기 전류원(300)에서 접지로 전류(I)가 흐르고, 상기 제1 부하 가변부(110)에서 상기 신호 입력부(120)로는 제1 전류(I1)가 흐르고, 상기 제2 부하 가변부(210)에서 상기 접지(220)로는 제2 전류(I2)가 흐른다. 이때, 상기 제1 전류(I1) 및 제2 전류(I2)의 합(I1+I2)은 상기 전류원(300)에 흐르는 전류(I)와 같다.
한편, 도 3의 본 발명의 가변이득 증폭기에서, 좌우 회로의 구조 및 특성은 대칭적으로 서로 동일하다. 즉, 제1 및 제2 가변 부하부(110,210)가 서로 동일한 구조 및 특성을 갖고, 제3 및 제4 부하부(130,140)가 서로 동일한 구조 및 특성을 갖으며, 신호 입력부(120)와 접지부(220)가 동일한 특성을 갖으며, 제1 및 제2 임피던스 매칭 코일(LM1,LM2)이 서로 동한 값을 갖는다.
이에 따르면, 상기 제1 전류(I1)와 제2 전류(I2)는 동일하다.
이때, 본 발명의 가변이득 증폭기가 상기와 같이 동작하는 동안에, 상기 신호 입력부(120)에 입력신호(Sin)가 입력되면, 상기 신호 입력부(120) 및 접지부(220)의 각 전달 컨덕턴스(gm), 제1 및 제2 부하 가변부(110,210)의 각 부하(R)에 의해서 상기 입력신호(Sin)는 증폭되어 제1 및 제2 출력신호(So1,So2)가 출력된다. 여기서, 상기 입력신호(Sin)를 증폭하는 증폭율은 하기 수학식 1과 같이 계산된다.
Figure 112004050949892-PAT00001
상기 수학식 1에서 보인 바와 같이, 부하(R)를 가변하면 본 발명의 가변이득 증폭기의 이득을 가변할 수 있음을 알 수 있으며, 이에 따라, 상기 제1 및 제2 가변 부하부(110,210)의 부하를 가변하여 본 발명의 가변이득 증폭기의 이득을 가변할 수 있다.
또한, 본 발명의 가변이득 증폭기에 제3 부하부(130) 및 제4 부하부(230)가 추가되는 경우, 상기 제1 가변 부하부(110)에 제3 부하부(130)가 직렬로 연결되어 전체 부하가 증가하고, 또한 이와 동일한 구조로, 상기 제2 가변 부하부(210)에 제4 부하부(430)가 직렬로 연결되어 전체 부하가 증가한다.
이와 같이, 제3 부하부(130) 및 제4 부하부(230)의 부하에 의하면, 상기 수학식1을 참조하면, 상기 가변이득 증폭기의 이득은 직렬 저항의 합으로 인하여 증가하게 될 것이다.
즉, 본 발명의 가변이득 증폭기에서는, 입력신호(Sin)가 작은 신호 또는 큰 신호에 따라 스위칭 전압(Vsw)을 턴오프 또는 턴온전압으로 공급하고, 이에 따라 상기 제1 및 제2 부하 가변부(110,210)의 제1 및 제2 트랜지스터(M1,M2)를 턴온 또는 턴오프시킴으로써, 부하 가변을 통해 이득을 가변시킨다.
또한, 본 발명의 가변이득 증폭기에서는, 상기 신호 입력부(120) 및 접지부(220)가 차동 증폭구조로 이루어져, 상기 하나의 입력신호(Sin)를 차동신호인 제1 및 제2 출력신호(So1,So2)로 출력할 수 있다.
이하, 작은 신호 또는 큰 신호가 입력되는 각 경우에 대해서 본 발명의 가변이득 증폭기의 동작을 설명한다.
먼저, 입력신호(Sin)가 작은 신호일 경우에는 스위칭 전압(Vsw)이 턴오프 전압으로 공급되어, 부하가 상대적으로 증가되어 큰 이득으로 작은 입력신호를 증폭하여 제1 및 제2 출력신호(So1,So2)를 출력한다.
이에 대해서 구체적으로 설명하면, 상기 스위칭 전압(Vsw)이 턴오프 전압이면, 상기 제1 및 제2 부하 가변부(110,210)의 제1 및 제2 트랜지스터(M1,M2)가 턴오프된다. 이 경우, 상기 제1 부하 가변부(110)의 제1 코일(L1)의 부하(r1)와 상기 제3 부하부(130)의 부하(r3)의 합 저항(rt1)과, 상기 신호 입력부(120)의 제3 트랜지스터(M3)의 전달 컨덕턴스(gm)에 의한 이득(A1)은 하기 수학식2와 같다.
Figure 112004050949892-PAT00002
이때, 상기 수학식 2에 보인 바와 같이, 상대적으로 큰 증폭율(A1)로 작은 입력신호가 증폭되어 차동의 제1 및 제2 출력신호(So1,So2)가 출력된다.
그 다음, 입력신호(Sin)가 큰 신호일 경우에는 스위칭 전압(Vsw)이 턴온 전압으로 공급되어, 부하가 상대적으로 감소되어 작은 이득으로 큰 입력신호를 증폭하여 제1 및 제2 출력신호(So1,So2)를 출력한다.
이에 대해서 구체적으로 설명하면, 상기 스위칭 전압(Vsw)이 턴온 전압이면, 상기 제1 및 제2 부하 가변부(110,210)의 제1 및 제2 트랜지스터(M1,M2)가 턴온된다. 이 경우, 상기 제1 부하 가변부(110)의 제1 트랜지스터(M1)의 내부 저항(ro)과 제1 코일(L1)의 부하(r1)의 합 저항(ro//r1)과 상기 제3 부하부(130)의 부하(r3)와의 전체 합 저항(rt2)과, 상기 신호 입력부(120)의 제3 트랜지스터(M3)의 전달 컨덕턴스(gm)에 의한 이득(A2)은 하기 수학식 3과 같다.
Figure 112004050949892-PAT00003
이때, 상기 수학식 3에 보인 바와 같이, 상대적으로 작은 증폭율(A1)로 작은 입력신호가 증폭되어 차동의 제1 및 제2 출력신호(So1,So2)가 출력된다.
요컨대, 상기 수학식2 및 수학식3을 참조하면, 상기 제1 및 제2 트랜지스터(M1,M2)가 오프된 경우의 이득(A1)은 상기 제1 및 제2 트랜지스터(M1,M2)가 온된 경우의 이득(A2)보다 크므로, 작은 신호입력에서는 이득이 상대적으로 증가하고, 큰 신호 입력에서는 이득이 상대적으로 감소함을 알 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 가변이득 증폭기에서는 이득을 가변할 수 있음을 알 수 있고, 예를 들어, 작은 신호일 경우에는 증폭율을 크게 하여 작은 신호를 효율적으로 증폭할 수 있다. 이에 반해 큰 신호일 경우에는 상대적으로 증폭율을 작게 하면, 도 4의 (b)에 보인 바와 같이 신호의 왜곡없이 증폭하여 출력할 수 있음을 알 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 무선 통신 시스템의 수신기에 적용되는 가변이득 증폭기에서, 발룬(balun)을 포함하는 가변이득 증폭기를 구현하고, 부하를 가변시켜 이득을 조절할 수 있도록 구현함으로서, 발룬(balun)을 포함하는 가변이득 증폭기를 구현하고, 부하를 가변시켜 이득을 조절할 수 있도록 구현함으로서, 차동 증폭 구조를 이용하여 하나의 입력 신호를 차동 신호로 증폭하여 출력할 수 있고, 또한, 입력신호의 크기에 대응하여 부하의 가변을 통해 이득을 가변시켜 큰 신호입력시에도 신호의 왜곡없이 증폭하여 출력할 수 있다.

Claims (8)

  1. 동작전압(Vdd)에 따라 부하를 가변하는 제1 부하 가변부(110);
    동작전압(Vdd)에 따라 부하를 가변하는 제2 부하 가변부(210);
    입력신호(Sin)단에 연결된 게이트와, 상기 제1 부하 가변부(110) 및 제1 출력신호(So1)단에 연결된 드레인과, 그리고 제1 임피던스 매칭 코일(LM1)의 일단에 연결된 소스를 갖는 제3 트랜지스터(M3)로 이루어진 신호 입력부(120);
    접지된 게이트와, 상기 제2 부하 가변부(210) 및 제2 출력신호(So2)단에 연결된 드레인과, 그리고, 제2 임피던스 매칭 코일(LM2)의 일단에 연결된 소스를 갖는 제4 트랜지스터(M4)로 이루어진 접지부(220);
    상기 제1 임피던스 매칭 코일(LM1)의 타단과 제2 임피던스 매칭 코일(LM2)의 타단과의 공통 노드(CN)에서 접지로 연결된 전류원(300)을 포함하여,
    상기 제1 및 제2 부하 가변부(110,210)의 부하 가변을 통해 이득을 가변하고, 이 가변된 이득으로 하나의 입력신호를 증폭하여 차동의 제1,제2 출력신호를 출력하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 발룬을 갖는 가변이득 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가변이득 증폭기는
    상기 제1 출력신호(So1)단과 상기 신호 입력부(120) 사이에 연결되어 사전에 설정된 부하를 갖는 제3 부하부(130); 및
    상기 제2 출력신호(So2)단과 상기 접지부(220) 사이에 연결되어 사전에 설정된 부하를 갖는 제4 부하부(230)
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬을 갖는 가변이득 증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 부하 가변부(110)는
    상기 동작전압(Vdd)단에 일단이 연결된 제1 코일(L1); 및
    상기 제1 코일(L1)의 일단에 연결된 소스와, 상기 스위칭 전압(Vsw)단에 연결된 게이트와, 그리고 상기 제1 코일(L1)의 타단 및 상기 제1 출력신호(So1)단에 연결된 드레인을 갖는 MOSFET로 이루어진 제1 트랜지스터(M1)
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬을 갖는 가변이득 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 부하 가변부(210)는
    상기 동작전압(Vdd)단에 일단이 연결된 제2 코일(L2); 및
    상기 제2 코일(L2)의 일단에 연결된 소스와, 상기 스위칭 전압(Vsw)단에 연결된 게이트와, 그리고 상기 제2 코일(L2)의 타단 및 상기 제2 출력신호(So2)단에 연결된 드레인을 갖는 MOSFET로 이루어진 제2 트랜지스터(M2)
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 발룬을 갖는 가변이득 증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 신호 입력부(120)의 제3 트랜지스터(M3)는
    입력신호(Sin)단에 연결된 게이트와, 상기 제1 부하 가변부(110) 및 제1 출력신호(So1)단에 연결된 드레인과, 그리고 제1 임피던스 매칭 코일(LM1)의 일단에 연결된 소스를 갖는 MOSFET로 이루어진 것을 특징으로 하는 발룬을 갖는 가변이득 증폭기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 접지부(220)의 제4 트랜지스터(M4)는
    접지에 연결된 게이트와, 상기 제2 부하 가변부(210)에 연결된 드레인과, 그리고 제2 임피던스 매칭 코일(LM2)의 일단에 연결된 소스를 갖는 MOSFET로 이루어진 것을 특징으로 하는 발룬을 갖는 가변이득 증폭기.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전류원(300)은
    상기 제1 임피던스 매칭 코일(LM1)의 타단과 제2 임피던스 매칭 코일(LM2)의 타단과의 공통 노드(CN)에 연결된 드레인과, 제1 전압(V1)단에 연결된 게이트 및 접지에 연결된 드레인을 갖는 MOSFET인 제5 트랜지스터(M5)로 이루어진 것을 특징으로 하는 발룬을 갖는 가변이득 증폭기.
  8. 제2항에 있어서, 상기 제3 부하부(130)는
    상기 제1 부하 가변부(110) 및 상기 제1 출력신호(So1)단에 연결된 드레인과, 제2 전압(V2)단에 연결된 게이트와, 그리고, 상기 제3 트랜지스터(M3)의 드레인에 연결된 소스를 갖는 MOSFET인 제6 트랜지스터(M6)로 이루어지고,
    상기 제4 부하부(230)는
    상기 제2 부하 가변부(210) 및 상기 제2 출력신호(So2)단에 연결된 드레인과, 제2 전압(V2)단에 연결된 게이트와, 그리고 상기 제4 트랜지스터(M4)의 드레인에 연결된 소스를 갖는 MOSFET인 제7 트랜지스터(M7)로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변이득 증폭기.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100856443B1 (ko) * 2007-05-15 2008-09-04 연세대학교 산학협력단 저전압 하이브리드 발룬 회로 및 그를 이용한 차동 저잡음증폭기
US7860468B2 (en) 2006-11-02 2010-12-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Programmable variable gain amplifier and RF receiver including the same

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