KR20060039790A - Liti apparatus, method of liti and fabricating method of using the same - Google Patents

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Abstract

레이저 열전사 장치, 레이저 열전사 방법, 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법에 대한 것이다. 기판이 위치하는 척을 포함하는 스테이지; 상기 기판 상에 위치하고, 적어도 레이저를 구비하는 광학계; 및 상기 기판과 상기 레이저 사이에 위치하고, 기판 폭과 같은 길이의 일정한 폭을 갖는 마스크를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치, 레이저 열전사 방법, 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.A laser thermal transfer apparatus, a laser thermal transfer method, and a manufacturing method of an organic light emitting display device using the same. A stage comprising a chuck on which the substrate is located; An optical system positioned on the substrate and having at least a laser; And a mask positioned between the substrate and the laser, the mask having a constant width equal to the substrate width, a laser thermal transfer method, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same. to provide.

정립상, 마스크, 광학계, 레이저 열전사법, 유기전계발광표시장치Sizing phase, mask, optical system, laser thermal transfer method, organic light emitting display device

Description

레이저 열전사 장치, 레이저 열전사 방법, 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법{LITI apparatus, method of LITI and fabricating method of using the same}Laser thermal transfer apparatus, laser thermal transfer method, and manufacturing method of organic light emitting display device using the same {LITI apparatus, method of LITI and fabricating method of using the same}

도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 나타낸 사시도,Figure 1a is a perspective view showing a laser thermal transfer apparatus according to an embodiment of the present invention,

도 1b는 본 발명의 실시예에 의한 레이저 열전사장치의 광학계를 세부적으로 나타낸 도면,Figure 1b is a view showing in detail the optical system of the laser thermal transfer apparatus according to an embodiment of the present invention,

도 2a 내지 도 2c는 도트형 및 스트라이프 형의 패턴을 나타낸 도면,2A to 2C are diagrams showing patterns of dot and stripe type,

도 3, 4 및 5는 도 2a 내지 도 2c에 나타낸 패턴들의 형태 중 일 색상 그룹에 대한 기판 및 마스크를 나타낸 평면도,3, 4 and 5 are plan views showing a substrate and a mask for one color group of the shapes of the patterns shown in FIGS. 2A to 2C;

도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 방법을 나타낸 사시도,6a to 6d is a perspective view showing a laser thermal transfer method according to an embodiment of the present invention,

도 7은 유기전계발광표시장치의 단위화소에 대한 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a unit pixel of an organic light emitting display device.

* 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 *Explanation of reference numerals for the main parts of the drawing

10 : 제 1 스테이지, 30 : 제 2 스테이지,10: first stage, 30: second stage,

35 : 광학계, 33 : 지지대,35: optical system, 33: support,

50 : 마스크, 37 : 인버터,50: mask, 37: inverter,

39 : 프로젝션 렌즈, 40 : 레이저 빔,39: projection lens, 40: laser beam,

31 : 레이저, 34 : 빔 쉐이퍼,31: laser, 34: beam shaper,

20 : 기판, 25 : 도너 기판20: substrate, 25: donor substrate

레이저 열전사 장치와 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법에 대한 것이다.A method of manufacturing a laser thermal transfer apparatus and an organic light emitting display device using the same.

평판 표시 장치 중 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Among the flat panel display devices, the organic light emitting display device has a high response time with a response speed of 1 ms or less, low power consumption, and no self-emission, so there is no problem in viewing angle. . In addition, low-temperature manufacturing is possible, and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology has attracted attention as a next-generation flat panel display device in the future.

상기 유기전계발광표시장치는 유기전계발광소자로 사용하는 재료와 공정에 따라 습식공정을 사용하는 고분자형 소자와 증착공정을 사용하는 저분자형 소자로 크게 나눌 수 있다.The organic light emitting display device may be broadly classified into a polymer type device using a wet process and a low molecular type device using a deposition process according to materials and processes used as an organic light emitting display device.

상기 고분자 또는 저분자 발광층의 패터닝 방법 중 잉크젯 프린팅 방법의 경우 발광층 이외의 유기층들의 재료가 제한적이고, 기판 상에 잉크젯 프린팅을 위한 구조를 형성해야하는 번거로움이 있다.In the inkjet printing method of the patterning method of the polymer or the low molecular light emitting layer, the material of the organic layers other than the light emitting layer is limited, and there is a need to form a structure for inkjet printing on the substrate.

또한 증착 공정에 의한 발광층의 패터닝 경우 금속 마스크의 사용으로 인해 대형 소자의 제작에 어려움이 있다.In addition, when the light emitting layer is patterned by the deposition process, it is difficult to manufacture a large device due to the use of a metal mask.

위와 같은 패터닝의 방법을 대체할 수 있는 기술로 레이저 열전사법(LITI : Laser Induced Thermal Imaging)이 최근 개발되고 있다.Recently, the laser induced thermal imaging (LITI) has been developed as a technique to replace the above patterning method.

레이저 열전사법이란 광원에서 나오는 레이저를 열에너지로 변환하고, 이 열 에너지에 의해 패턴 형성 물질을 대상 기판으로 전사시켜 패턴을 형성하는 방법으로, 이와 같은 방법을 위해서는 전사층이 형성된 도너 기판과 광원, 피사체인 기판이 필요하다. The laser thermal transfer method converts a laser beam from a light source into thermal energy and transfers a pattern forming material to a target substrate using the thermal energy to form a pattern. For this method, a donor substrate, a light source, and a subject having a transfer layer are formed. Phosphorus substrate is required.

상기 열전사법은 도너 기판이 리셉터인 상기 기판 전체를 덮고 있는 형태를 가지고, 상기 도너 기판과 기판은 스테이지 상에서 고정된다. 그리고, 상기 도너 기판 상에 레이저 전사를 수행하여 패터닝을 완성하게 된다. The thermal transfer method has a form in which a donor substrate covers the entire substrate, which is a receptor, and the donor substrate and the substrate are fixed on a stage. Then, laser transfer is performed on the donor substrate to complete patterning.

상기 패터닝 공정 시 모자이크형이나 델타형과 같은 도트형 패턴은 스트라이프형의 패턴보다 패터닝 공정이 어렵다. 즉, 상기 도트형의 패턴 경우 패턴에 따라 레이저의 온오프 시간 간격이 필요하여 전사 속도가 느려지게 되고, 또한 레이저 온오프 타이밍으로 인해 패턴의 가장자리에 잔상이 남게 되는 문제가 발생할 수 있다. 이로 인해 상기 레이저의 온오프를 조절하기 위한 별도의 장치가 필요하고, 레이저 빔의 전사 속도가 느려지게 되어, 그로 인해 시간과 비용이 더욱 소모되는 문제가 발생할 수 있다.In the patterning process, a dot pattern such as a mosaic or delta pattern is more difficult than a stripe pattern. That is, in the case of the dot pattern, the transfer speed may be slowed due to the on-off time interval of the laser depending on the pattern, and the afterimage may remain at the edge of the pattern due to the laser on-off timing. This requires a separate device for adjusting the on and off of the laser, and the transfer speed of the laser beam is slow, thereby causing a problem that the time and cost are further consumed.

따라서, 패턴의 형태에 구애받지 않는 유기전계발광표시장치의 제조방법 및 레이저 열전사 장치의 개선이 필요하다.Therefore, there is a need for improvement of a method of manufacturing an organic light emitting display device and a laser thermal transfer apparatus regardless of the shape of a pattern.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 패턴의 형태에 관계없이 동일한 속도의 열전사가 가능한 레이저 열전사 장치를 제공함에 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a laser thermal transfer apparatus capable of thermal transfer at the same speed irrespective of the form of a pattern.

또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 기판의 크기에 관계없이 동일한 속도의 열전사가 가능한 레이저 열전사 장치를 제공하는 것에 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a laser thermal transfer apparatus capable of thermal transfer at the same speed irrespective of the size of the substrate.

또한 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 패턴의 형태 및 기판의 크기에 관계없이 일정한 속도로 제조가 가능한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공함에 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device that can be manufactured at a constant speed regardless of the shape of a pattern and the size of a substrate.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 기판이 위치하는 척을 포함하는 스테이지; 상기 기판 상에 위치하고, 적어도 레이저를 구비하는 광학계; 및 상기 기판과 상기 레이저 사이에 위치하고, 기판 폭과 같은 길이의 일정한 폭을 갖는 마스크를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치를 제공한다.The present invention to achieve the technical problem is a stage comprising a chuck substrate is located; An optical system positioned on the substrate and having at least a laser; And a mask located between the substrate and the laser, the mask having a constant width equal to a substrate width.

또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 스테이지에 위치하는 척 상에 기판을 위치시키는 단계; 적어도 레이저를 구비하는 광학계를 상기 기판 상에 위치시키는 단계; 상기 기판 폭과 같은 길이의 일정한 폭을 갖는 마스크를 상기 기판과 상기 레이저 사이에 위치시키고, 상기 마스크를 상기 기판과 얼라인하는 단계; 상기 레이저를 작동시켜 레이저 빔을 방출하고 상기 방출된 레이저 빔을 상기 기판의 폭 방향으로 1회 스캔하여 상기 기판의 폭 방향의 모든 패턴을 형성하는 것을 포함하는 레이저 열전사 방법을 제공한다.In addition, in order to achieve the above technical problem, the present invention comprises the steps of placing a substrate on a chuck located in the stage; Positioning an optical system having at least a laser on said substrate; Positioning a mask having a constant width equal to the substrate width between the substrate and the laser and aligning the mask with the substrate; It provides a laser thermal transfer method comprising operating the laser to emit a laser beam and scanning the emitted laser beam once in the width direction of the substrate to form all the patterns in the width direction of the substrate.

또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 스테이지에 위치하는 척 상에 기판을 위치시키고, 상기 기판의 화소 전극과 도너 기판의 전사층이 대향하도 록 위치시키는 단계; 적어도 레이저를 구비하는 광학계를 상기 기판 상에 위치시키는 단계; 상기 기판 폭과 같은 길이의 일정한 폭을 갖는 마스크를 상기 기판과 상기 레이저 사이에 위치시키고, 상기 마스크를 상기 기판과 얼라인하는 단계; 상기 레이저를 작동시켜 레이저 빔을 방출하고 상기 방출된 레이저 빔을 상기 기판의 폭 방향으로 1회 스캔하여 상기 도너 기판의 전사층을 상기 기판의 화소전극 상에 전사하여 전사층 패턴을 형성하되, 상기 기판의 폭 방향의 모든 패턴을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.In addition, to achieve the above technical problem, the present invention comprises the steps of placing the substrate on the chuck positioned on the stage, the pixel electrode of the substrate and the transfer layer of the donor substrate facing; Positioning an optical system having at least a laser on said substrate; Positioning a mask having a constant width equal to the substrate width between the substrate and the laser and aligning the mask with the substrate; By operating the laser to emit a laser beam and scanning the emitted laser beam once in the width direction of the substrate to transfer the transfer layer of the donor substrate on the pixel electrode of the substrate to form a transfer layer pattern, Provided is a method of manufacturing an organic light emitting display device, including forming all patterns in the width direction of a substrate.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, lengths, thicknesses, and the like of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 간략히 나타낸 도면이다.1A is a schematic diagram of a laser thermal transfer apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치는 스테이지(30)를 구비한다.Referring to the drawings, the laser thermal transfer apparatus according to the present invention includes a stage 30.

상기 스테이지(30)는 베이스 및 이송판으로 구성되며, 상기 이송판 상에는 척(15)이 위치할 수 있다. 또한, 상기 척(15) 상에는 도너 기판(25)이 라미네이션된 기판(20)이 위치할 수도 있다. 상기 척(15)은 x축 방향, 즉 기판 길이의 방향 (b)으로 이동이 가능함으로써, 레이저 열전사 시 더욱 효율적으로 기판이 위치하도록 한다.The stage 30 is composed of a base and a transfer plate, the chuck 15 may be located on the transfer plate. In addition, the substrate 20 on which the donor substrate 25 is laminated may be positioned on the chuck 15. The chuck 15 is movable in the x-axis direction, that is, the direction of the substrate length (b), thereby allowing the substrate to be positioned more efficiently during laser thermal transfer.

상기 기판 상에 적어도 레이저를 구비하는 광학계(35)가 위치한다. 상기 광학계(35)는 후술하는 마스크의 상부에 위치하는 상부부분과 하부부분을 구비한다.An optical system 35 having at least a laser is located on the substrate. The optical system 35 has an upper portion and a lower portion positioned above the mask to be described later.

상기 광학계(35)는 지지대(33)에 의해 지지된다. 또한, 상기 광학계(35)는 상기 지지대(33)를 따라 y축 방향, 즉, 기판 폭의 방향(a)으로 이동할 수 있다. The optical system 35 is supported by the support 33. In addition, the optical system 35 may move along the support 33 in the y-axis direction, that is, the direction (a) of the substrate width.

상기 레이저는 1차적으로 상기 마스크(50) 상에 조사되고, 상기 마스크(50)를 통과한 레이저는 상기 스테이지(30) 상에 위치하는 기판(20)으로 도달하게 된다.The laser is primarily irradiated onto the mask 50, and the laser beam passing through the mask 50 reaches the substrate 20 positioned on the stage 30.

도 1b는 본 발명의 실시예에 의한 레이저 열전사장치의 광학계를 세부적으로 나타낸 도면이다.Figure 1b is a view showing in detail the optical system of the laser thermal transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 상기 광학계(35)는 레이저(31), 빔 쉐이퍼(34), 이미지 인버터(37), 및 프로젝션 렌즈(39)를 포함한다. Referring to the drawings, the optical system 35 includes a laser 31, a beam shaper 34, an image inverter 37, and a projection lens 39.

상기 레이저(31)는 레이저 빔을 방출한다. 즉, 상기 레이저(31)는 상기 마스크(50) 상부에 위치하여 상기 마스크(50)에 대해 수직으로 빔을 조사한다. 상기 레이저(31)는 내장형 레이저 다이오드 또는 외장된 레이저 다이오드의 옵티컬 화이버로 구비될 수 있다. The laser 31 emits a laser beam. That is, the laser 31 is positioned above the mask 50 to irradiate a beam perpendicularly to the mask 50. The laser 31 may be provided as an optical fiber of an embedded laser diode or an external laser diode.

상기 레이저(31)에서 방출된 레이저 빔(40)은 상기 빔 쉐이퍼(34)를 통과함으로써 레이저 열전사에 필요한 형태로 변할 수 있다. 즉, 상기 빔 쉐이퍼(34)를 통과함으로써 상기 레이저 빔은 균질화된 라인 빔(homogenized line beam)이 될 수 있다.The laser beam 40 emitted from the laser 31 may be changed into a shape necessary for laser thermal transfer by passing through the beam shaper 34. That is, by passing through the beam shaper 34, the laser beam may be a homogenized line beam.

이러한 균질화된 라인 빔은 상기 마스크의 폭 방향으로 균일한 세기의 레이저 빔을 조사할 수 있다. 따라서, 상기 빔 쉐이퍼(34)를 통과하면서 변형된 레이저 빔(40)은 상기 마스크(50)를 투과한다. 이로써 상기 레이저 빔(40)은 패터닝될 수 있다. The homogenized line beam may irradiate a laser beam of uniform intensity in the width direction of the mask. Therefore, the modified laser beam 40 passes through the mask 50 while passing through the beam shaper 34. As a result, the laser beam 40 may be patterned.

상기 마스크(50)의 하부에 위치하는 광학계는 이미지 인버터(37)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 광학계는 프로젝션 렌즈(39)를 포함할 수 있으며, 상기 프로젝션 렌즈(39)는 상기 이미지 인버터(37)의 상부 또는 하부의 어느 위치에도 위치할 수 있다. The optical system positioned below the mask 50 may include an image inverter 37. In addition, the optical system may include a projection lens 39, and the projection lens 39 may be located at any position above or below the image inverter 37.

상기 프로젝션 렌즈(39)는 상기 마스크(50)를 통과하여 패터닝된 레이저 빔(40) 이미지의 초점을 맞추어 이미지를 더욱 선명하게 하는 역할을 하며, 상기 프로젝션 렌즈(39)를 통과함으로써 상기 레이저 빔(40)의 이미지는 반전이 된다.The projection lens 39 serves to focus the image of the laser beam 40 patterned through the mask 50 to make the image more clear, and to pass the projection lens 39 to pass the laser beam ( The image in 40 is reversed.

상기 이미지 인버터(37)는 상기 프로젝션 렌즈(39)를 통과하여 반전된 레이저 빔(40)의 이미지를 정립상으로 다시 반전시키거나, 상기 프로젝션 렌즈(39)에 상기 레이저 빔(40)의 입사 전에 이미지를 반전시킨 후 상기 프로젝션 렌즈(39)를 통과함으로써 다시 정립상으로 되도록 하는 역할을 수행한다.The image inverter 37 inverts the image of the laser beam 40 inverted through the projection lens 39 back to a sequential phase or before the laser beam 40 enters the projection lens 39. After inverting the image, the image is passed through the projection lens 39 so as to be upright again.

상기 이미지 인버터(37)는 내부에 다수 개의 미러들로 구성이 되며, 상기 미러들에 상기 레이저 빔(40)의 상이 반사됨으로써, 상기 레이저 빔의 상기 인버터로의 입사 시의 이미지에서 인버터를 통과한 후의 이미지로 반전시킬 수 있다.The image inverter 37 is composed of a plurality of mirrors therein, and the image of the laser beam 40 is reflected on the mirrors, thereby passing through the inverter in the image of the laser beam incident to the inverter You can invert it to a later image.

따라서, 상기 프로젝션 렌즈(39)와 상기 이미지 인버터(37)로 인해 마스크 패턴과 동일한 형태인 정립상의 패턴이 구현됨으로써 상기 마스크의 광투과 패턴을 상기 기판에 패터닝하고자 하는 패턴을 좌우 또는 상하 반전없이 그대로 사용하면 된다. 이로 인해, 마스크의 제조 시 디자인에 대한 고려를 할 필요가 없으므로 마스크의 제작 또한 간편해 질 수 있다.Accordingly, the projection lens 39 and the image inverter 37 realize an upright pattern having the same shape as the mask pattern, so that the pattern for patterning the light transmission pattern of the mask on the substrate is left or right without upside down or upside down. You can use For this reason, the manufacturing of the mask may also be simplified since the design of the mask does not need to be considered.

상기 마스크(50)는 상기 기판(20)의 폭(3a)과 동일한 길이의 폭(4a)을 가지고, 일정한 길이(4b)를 가진다. 상기 마스크(50) 패턴의 크기는 상기 기판(20) 상에 패터닝하고자 하는 패턴의 크기와 1:1로 대응된다.The mask 50 has a width 4a of the same length as the width 3a of the substrate 20 and has a constant length 4b. The size of the mask 50 pattern corresponds 1: 1 with the size of the pattern to be patterned on the substrate 20.

또한, 상기 마스크(50)는 일정한 주기의 패턴을 가질 수 있다. 상기 일정한 주기의 패턴은 도트형 또는 스트라이프형일 수 있다. In addition, the mask 50 may have a pattern of a predetermined period. The regular pattern may be a dot or stripe.

도 2a 내지 도 2c는 유기전계발광표시장치의 발광층 패턴 형태 즉, 상기 기판 상에 패터닝하고자 하는 패턴들의 형태를 나타낸 것으로써, 2a는 스트라이프형(stripe type), 2b는 모자이크형(mosaic type), 2c는 델타형(delta type)의 패턴이고, 상기 패턴들은 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 색상 그룹을 갖는다.2A to 2C illustrate a light emitting layer pattern form of an organic light emitting display device, that is, patterns of patterns to be patterned on the substrate, wherein 2a is a stripe type, 2b is a mosaic type, 2c is a delta type pattern, and the patterns have color groups of red (R), green (G), and blue (B).

또한, 도 3, 4 및 5는 도 2a 내지 도 2c에 나타낸 패턴들의 형태 중 일 색상 그룹에 대한 기판 및 마스크를 나타낸 평면도이다.3, 4 and 5 are plan views showing a substrate and a mask for one color group of the patterns shown in FIGS. 2A to 2C.

상기 도 3, 4 및 5를 참조하면, 기판(20) 상에는 패터닝하고자 하는 패턴들이 도시된다. 자세하게는 상기 기판(20)의 폭(3a)방향으로 나열된 패턴을 행(1, 2, ...m)이라 하고, 상기 기판의 길이(3b) 방향으로 나열된 패턴을 열(1, 2, ...n)이라 정의하면, 상기 도 2a 내지 도 2c의 상기 기판 상에 패터닝하고자 하는 패턴은 m개의 행과 n개의 열을 가진다고 할 수 있다.3, 4, and 5, patterns to be patterned are illustrated on the substrate 20. In detail, the patterns arranged in the width (3a) direction of the substrate 20 are called rows (1, 2, ... m), and the patterns arranged in the length (3b) direction of the substrate are arranged in columns (1, 2,. n), the pattern to be patterned on the substrate of FIGS. 2A to 2C may have m rows and n columns.

또한 마스크는 광투과 패턴들을 구비한다. 상기 광투과 패턴들은 상기 마스크(50)의 폭 방향(4a)으로 나열된 행과 상기 마스크의 길이(4b) 방향으로 나열된 열을 구비한다.The mask also has light transmission patterns. The light transmission patterns have rows arranged in the width direction 4a of the mask 50 and columns arranged in the direction of the length 4b of the mask.

도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 스트라이프형의 마스크에 대해 자세히 설명하면, 패터닝하고자 하는 패턴이 나열된 상기 기판(20)과 상기 기판(20)의 패턴에 따라 광투과 패턴들이 형성된 마스크(50)를 나타낸 것이다.Referring to FIG. 3, a stripe-type mask according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail. The mask on which light transmission patterns are formed according to the pattern of the substrate 20 and the substrate 20 on which the pattern to be patterned is listed ( 50).

상기 마스크의 장축(4a)방향으로 패턴배열의 수(n)는 상기 기판의 폭(3a)방향으로 필요한 패턴배열 수와 동일하고, 기판 길이방향으로 마스크를 L번 이동하면서 스캔을 한다고하면 마스크의 단축(4b)방향으로의 패턴 배열수는 기판의 길이방향(3b)으로 패터닝하고자 하는 패턴배열수(m)를 L로 나눈값에 해당한다(m/L).The number of pattern arrays n in the major axis 4a direction of the mask is equal to the number of pattern arrays required in the width 3a direction of the substrate, and the scanning is performed while moving the mask L times in the longitudinal direction of the substrate. The number of pattern arrays in the minor axis 4b direction corresponds to the value obtained by dividing the number of pattern arrays m to be patterned in the longitudinal direction 3b of the substrate by L (m / L).

또한, 상기 광투과 패턴들의 크기는 상기 패터닝하고자 하는 패턴의 크기와 1:1로 대응될 수 있다.In addition, the size of the light transmission patterns may correspond 1: 1 with the size of the pattern to be patterned.

도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 모자이크형의 마스크에 대해 자세히 설명하면, 패터닝하고자 하는 패턴이 나열된 상기 기판(20)과 상기 기판(20)의 패턴에 따라 광투과 패턴들이 형성된 마스크(50)를 나타낸 것이다.Referring to FIG. 4, the mosaic mask according to the embodiment of the present invention will be described in detail. The mask in which light transmission patterns are formed according to the pattern of the substrate 20 and the substrate 20 on which the pattern to be patterned is listed ( 50).

도4의 모자이크형의 패턴은 행과 열의 주기적인 반복 및 패턴의 배열은 상기 스트라이프형의 패턴과 동일한 특성을 가진다. 그러나, 이웃하는 픽셀간의 서브픽셀의 위치가 주기적으로 변하는 것이 다르므로, 픽셀 외부로 더 패터닝을 해야하는 영역(11)이 생기게 된다.In the mosaic pattern of Fig. 4, the periodic repetition of the rows and columns and the arrangement of the patterns have the same characteristics as those of the stripe pattern. However, since the positions of subpixels between neighboring pixels change periodically, there is an area 11 to be patterned outside the pixel.

즉, 스트라이프형의 패턴과는 달리 상기 모자이크형의 패턴은 마스크 패턴이 일직선 상에 있지 않으므로 기판 테두리부분의 패턴이 일직선이 되지 않는다. 따라서, 상기의 문제를 해결하기 위해, 기판 제작시 테두리부분에 더미(dummy) 픽셀을 하나 이상 형성 하거나 기판의 픽셀 바깥으로 한 픽셀씩 더 패터닝을 하여 발광 픽셀은 모두 패터닝이 되도록 한다. 따라서, 마스크(50)를 픽셀 단위로 제작하고 마스크 스텝 이동을 픽셀 단위로 하면 스트라이프형과과 동일한 방법으로 패터닝할 수 있다.That is, unlike the stripe pattern, the mosaic pattern does not have a straight line because the mask pattern is not in a straight line. Therefore, in order to solve the above problem, at least one dummy pixel is formed at the edge of the substrate during fabrication, or patterned by one pixel outside the pixel of the substrate so that all the light emitting pixels are patterned. Therefore, when the mask 50 is manufactured in pixels and the mask step movement is performed in pixels, the mask 50 can be patterned in the same manner as the stripe type.

도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 델타형의 마스크에 대해 자세히 설명하면, 도 4와 마찬가지로 이웃하는 픽셀간의 서브 픽셀의 위치는 주기적으로 변한다. 따라서, 델타형의 마스크의 경우에도 마스크를 픽셀 단위로 제작하고 마스크 스텝 이동을 픽셀 단위로 수행함으로써 스트라이프형과 동일한 방법으로 패터닝할 수 있다.Referring to FIG. 5, a delta mask according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail. Similarly to FIG. 4, positions of subpixels between neighboring pixels are periodically changed. Therefore, even in the case of a delta mask, the mask can be patterned in the same manner as the stripe type by manufacturing the mask in pixels and performing the mask step movement in pixels.

도 6a 내지 6d는 도 1에 나타낸 레이저 열전사 장치를 사용하는 레이저 열전사 방법을 나타낸 것이고, 도 7는 상기 열전사 방법으로 제조한 유기전계발광표시장치의 단위화소에 대한 단면을 나타낸 것이다.6A to 6D show a laser thermal transfer method using the laser thermal transfer apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 7 shows a cross section of a unit pixel of an organic light emitting display device manufactured by the thermal transfer method.

도 6a를 참조하면, 스테이지(도 1의 30)에 위치하는 척(15) 상에 기판(20)을 위치시키고, 상기 기판(20) 상에 적어도 전사층을 구비하는 도너 기판(25)을 라미네이션한다. 상기 기판(20)은 TFT 어레이 및 유기전계발광표시장치의 화소 전극들이 형성된 것일 수 있다.Referring to FIG. 6A, a substrate 20 is placed on a chuck 15 positioned at a stage (30 in FIG. 1), and a donor substrate 25 having at least a transfer layer on the substrate 20 is laminated. do. The substrate 20 may be formed with TFT electrodes and pixel electrodes of an organic light emitting display device.

도 4를 참조하여 설명한 마스크(도 4의 50)를 상기 라미네이션된 기판과 상기 광학계(35) 사이에 위치시킨다. 그러나 상기 마스크(50r)는 도 3 또는 도 5를 참조하여 설명한 마스크일 수도 있다.A mask (50 in FIG. 4) described with reference to FIG. 4 is positioned between the laminated substrate and the optical system 35. However, the mask 50r may be the mask described with reference to FIG. 3 or 5.

상기 라미네이션된 기판(20)과 상기 마스크(50r)를 얼라인한다. 얼라인된 상기 기판(20) 및 상기 마스크(50r) 상에 레이저를 포함하는 광학계(35)를 정렬한다.The laminated substrate 20 is aligned with the mask 50r. The optical system 35 including the laser is aligned on the aligned substrate 20 and the mask 50r.

상기 광학계(35) 및 상기 마스크(50r)를 이용하여 상기 스테이지(30) 상의 기판(20) 상에 전사층을 패터닝한다. The transfer layer is patterned on the substrate 20 on the stage 30 using the optical system 35 and the mask 50r.

자세하게는, 상기 광학계(35) 내에 위치하는 레이저가 레이저 빔(40)을 조사한다. 상기 도 1b에서 설명한 바와 같이, 상기 광학계(35)는 빔 쉐이퍼를 포함하고, 상기 빔 쉐이퍼를 통과함으로써 레이저 빔(40)은 호모지나이즈드 라인빔으로 변화할 수 있다.In detail, a laser located in the optical system 35 irradiates the laser beam 40. As described above with reference to FIG. 1B, the optical system 35 includes a beam shaper, and the laser beam 40 may be changed into a homogenized line beam by passing through the beam shaper.

상기 파형이 변형된 레이저 빔(40)은 상기 마스크(50r)에 투과된다. The laser beam 40 whose waveform is modified is transmitted to the mask 50r.

상기 레이저 빔은 상기 마스크에 의해 패터닝되고, 상기 패터닝된 레이저빔(40)은 상기 광학계(35) 하부에 위치하는 이미지 인버터(37) 및 프로젝션 렌즈(39)를 투과하여 정립상으로 상이 반전이 되고, 상기 마스크와 동일한 패턴으로 상기 기판(20) 상에 입사하게 된다. The laser beam is patterned by the mask, and the patterned laser beam 40 passes through an image inverter 37 and a projection lens 39 positioned below the optical system 35 to be inverted in phase. And incident on the substrate 20 in the same pattern as the mask.

이어서, 상기 광학계(35)는 상기 지지대(33)를 따라 y축 방향으로 일정 속도로 이동한다. 그 결과 상기 레이저 빔은 상기 마스크의 폭방향(4a)을 따라 조사되고, 이로써 상기 기판 폭(3a) 방향으로 패턴들이 형성된다.Subsequently, the optical system 35 moves along the support 33 at a constant speed in the y-axis direction. As a result, the laser beam is irradiated along the width direction 4a of the mask, thereby forming patterns in the direction of the substrate width 3a.

즉, 기판 폭 방향으로 1회의 스캐닝에 의해 패턴의 형성이 가능하다. 상기의 도 3내지 도 5에서 설명한 마스크를 사용함으로써, 레이저 전사 시 마스크 상에서 레이저 빔이 일정 속도로 스캐닝만 수행하면 원하는 패턴의 형성이 가능하게 되는 것이다. 이로 인해, 패턴에 따른 레이저의 온오프가 필요없고, 종래의 레이저 온오프에 따라 소요되는 시간을 절약할 수 있는 효과가 있다.That is, the pattern can be formed by one scanning in the substrate width direction. By using the masks described with reference to FIGS. 3 to 5, a desired pattern can be formed by only scanning the laser beam at a constant speed on the mask during laser transfer. Therefore, there is no need to turn on and off the laser according to the pattern, there is an effect that can save the time required by the conventional laser on and off.

상기 스캐닝이 일어나는 동안 상기 기판(20)과 상기 마스크(50r)는 고정될 수 있다.The substrate 20 and the mask 50r may be fixed while the scanning takes place.

도 6b를 참조하면, 상기 마스크(50r)에 대하여 1 회 스캐닝 후 상기 척(15)은 기판의 길이 방향(b)으로 1 스텝 이동한다. 이어서, 상기 광학계는 y축 방향으로 이동하면서 다시 스캐닝을 수행한다. Referring to FIG. 6B, the chuck 15 moves one step in the longitudinal direction b of the substrate after scanning the mask 50r once. Subsequently, the optical system performs scanning again while moving in the y-axis direction.

따라서, 스캐닝 및 스텝 이동 방식을 반복함으로써 기판 크기에 따라 이와 같은 과정을 일 회 이상 반복함으로써 기판의 크기에 관계없이 레이저 전사를 수행할 수 있다.Therefore, by repeating the scanning and step movement method, such a process may be repeated one or more times according to the size of the substrate to perform laser transfer regardless of the size of the substrate.

도 6c를 참조하면, 상기 기판(20)은 상기 R 발광층은 상기 마스크(50r)에 대해 4번의 스캐닝(22)의 반복으로 R 발광층이 형성되었음을 알 수 있다. 상기 4번의 스캐닝의 반복은 설명을 위한 예시일 뿐 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 6C, the substrate 20 may know that the R light emitting layer is formed by repeating four scans 22 with respect to the mask 50r. The repetition of the four scans is for illustrative purposes only and is not limited thereto.

상기 도 6a 및 도 6b와 같은 과정을 거쳐, 하나의 색상 예를 들어 R에 대한 패터닝이 끝난 기판(20) 상에 다른 색상, 예를 들어 G에 대한 패터닝을 수행한다. 6A and 6B, patterning for one color, for example, G, is performed on the substrate 20 which has been patterned for one color, for example, R. FIG.

상기 R 발광층이 형성된 상기 기판(20) 상에 G 발광층이 형성된 도너 기판(25)을 라미네이션한 후, 상기 척(15) 상에 위치시킨다. The donor substrate 25 having the G emission layer formed thereon is laminated on the substrate 20 on which the R emission layer is formed, and then placed on the chuck 15.

상기 라미네이션된 기판(20) 상에 상기 광학계(35)를 위치시키고, 상기 광학계(35)에는 G 발광층 패터닝을 위한 마스크(50g)를 위치시켜, 상기 기판(20)과 얼라인한다. 이 후, 상기 도 6a 및 6b에서 설명한 바와 같이, 상기 기판(20) 상에 상 기 전사층을 패터닝한다. The optical system 35 is positioned on the laminated substrate 20, and a mask 50g for patterning the G emission layer is positioned on the optical system 35 to align with the substrate 20. Thereafter, as described with reference to FIGS. 6A and 6B, the transfer layer is patterned on the substrate 20.

도 6d를 참조하면, 상기 R 및 G 발광층이 형성된 기판(20) 상에 B 발광층이 형성된 도너 기판(25)을 라미네이션한 후, B발광층에 대한 마스크(50b)를 사용하여, 상기에서 설명한 방법으로 상기 기판(20) 상에 전사층을 형성한다. Referring to FIG. 6D, after laminating the donor substrate 25 having the B light emitting layer formed on the substrate 20 on which the R and G light emitting layers are formed, using the mask 50b for the B light emitting layer, the method described above is performed. A transfer layer is formed on the substrate 20.

도 7은 도 6a의 I-I'에 대한 단면도로써, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 단위 화소에 대한 단면도이다. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 6A, and is a cross-sectional view of a unit pixel of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 상기 기판(20)은 하부 기판(205) 및 상기 하부 기판(205) 상에 위치하는 박막 트랜지스터(210)를 구비한다. 또한, 상기 박막 트랜지스터(210)와 연결된 화소전극(220)이 위치하고, 상기 화소 전극(220)은 화소정의막(230)에 의해 부분적으로 노출된다.Referring to the drawings, the substrate 20 includes a lower substrate 205 and a thin film transistor 210 positioned on the lower substrate 205. In addition, a pixel electrode 220 connected to the thin film transistor 210 is positioned, and the pixel electrode 220 is partially exposed by the pixel defining layer 230.

상기 기판(20) 상에 전사층(140)이 형성된 도너 기판(25)이 위치하고, 상기 도 6a에서 설명한 과정을 거쳐 상기 전사층(140)이 상기 기판(20) 상에 패터닝된다.The donor substrate 25 having the transfer layer 140 formed on the substrate 20 is positioned, and the transfer layer 140 is patterned on the substrate 20 through the process described with reference to FIG. 6A.

상기 기판(20) 상에 발광층을 포함한 유기층들을 상기와 같은 방법으로 패터닝한 후 대향 전극을 형성하고, 봉지함으로써 유기전계발광표시장치를 완성하게 된다. After the organic layers including the light emitting layer are patterned on the substrate 20 in the same manner as above, the counter electrode is formed and encapsulated to complete the organic light emitting display device.

본 발명에 따른 레이저 열전사 장치는 기판 폭 방향으로 1회의 스캐닝에 의해 패턴의 형성이 가능한 마스크를 사용함으로써, 레이저 전사 시 마스크 상에서 레이저 빔이 일정 속도로 스캐닝만 수행하면 원하는 패턴의 형성이 가능하게 된다. 따라서, 패턴에 따른 레이저의 온오프가 필요없고, 종래의 레이저 온오프에 따라 소요되는 시간을 절약할 수 있는 효과가 있다.The laser thermal transfer apparatus according to the present invention uses a mask capable of forming a pattern by scanning once in the substrate width direction, so that a desired pattern can be formed by only performing scanning at a constant speed on the mask during laser transfer. do. Therefore, there is no need to turn on and off the laser according to the pattern, and there is an effect that it is possible to save time required by the conventional laser on and off.

또한, 스캐닝 및 스텝 이동 방식을 반복함으로써 기판 크기에 따라 이와 같은 과정을 일 회 이상 반복함으로써 기판의 크기에 관계없이 레이저 전사를 수행할 수 있다.In addition, by repeating the scanning and step movement method, such a process may be repeated one or more times according to the size of the substrate to perform laser transfer regardless of the size of the substrate.

따라서, 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치는 패턴의 형태 및 기판의 크기에 관계없이 일정한 속도로 제조가 가능한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공할 수 있다.Accordingly, the laser thermal transfer apparatus according to the present invention can provide a method of manufacturing an organic light emitting display device that can be manufactured at a constant speed regardless of the shape of a pattern and the size of a substrate.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (20)

기판이 위치하는 척을 포함하는 스테이지; A stage comprising a chuck on which the substrate is located; 상기 기판 상에 위치하고, 적어도 레이저를 구비하는 광학계; 및An optical system positioned on the substrate and having at least a laser; And 상기 기판과 상기 레이저 사이에 위치하고, 기판 폭과 같은 길이의 일정한 폭을 갖는 마스크를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.And a mask positioned between the substrate and the laser, the mask having a constant width equal to the substrate width. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마스크 패턴의 크기는 상기 기판 상에 패터닝하고자 하는 패턴의 크기와 1:1로 대응되는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.The size of the mask pattern is a laser thermal transfer apparatus, characterized in that 1: 1 corresponds to the size of the pattern to be patterned on the substrate. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 마스크의 패턴은 일정한 주기를 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.Laser mask pattern, characterized in that the pattern of the mask has a certain period. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광학계는 상기 마스크의 상부에 위치하고 상기 레이저를 구비하는 상부부분과 상기 마스크의 하부에 위치하는 하부부분을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.And the optical system includes an upper portion positioned above the mask and having a lower portion positioned below the mask. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 광학계의 상부부분은 빔 쉐이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.The upper portion of the optical system is a laser thermal transfer apparatus, characterized in that it comprises a beam shaper. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 빔 쉐이퍼를 통과한 레이저 빔은 균질화된 라인빔인 레이저 열전사 장치.And a laser beam passing through the beam shaper is a homogenized line beam. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 광학계의 하부부분은 이미지 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.The lower portion of the optical system is a laser thermal transfer apparatus, characterized in that it comprises an image inverter. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 광학계의 하부부분은 프로젝션 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.The lower portion of the optical system is a laser thermal transfer apparatus, characterized in that it comprises a projection lens. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광학계는 상기 마스크의 한 방향으로 스캐닝을 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 장치.The optical system is a laser thermal transfer apparatus, characterized in that for scanning in one direction of the mask. 스테이지에 위치하는 척 상에 기판을 위치시키는 단계; Positioning the substrate on a chuck positioned at the stage; 적어도 레이저를 구비하는 광학계를 상기 기판 상에 위치시키는 단계;Positioning an optical system having at least a laser on said substrate; 상기 기판 폭과 같은 길이의 일정한 폭을 갖는 마스크를 상기 기판과 상기 레이저 사이에 위치시키고, 상기 마스크를 상기 기판과 얼라인하는 단계; Positioning a mask having a constant width equal to the substrate width between the substrate and the laser and aligning the mask with the substrate; 상기 레이저를 작동시켜 레이저 빔을 방출하고 상기 방출된 레이저 빔을 상기 기판의 폭 방향으로 1회 스캔하여 상기 기판의 폭 방향의 모든 패턴을 형성하는 것을 포함하는 레이저 열전사 방법.Operating the laser to emit a laser beam, and scanning the emitted laser beam once in the width direction of the substrate to form all the patterns in the width direction of the substrate. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 마스크 패턴의 크기는 상기 기판 상에 패터닝하고자 하는 패턴의 크기와 1:1로 대응되는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 방법.The size of the mask pattern corresponds to the size of the pattern to be patterned on the substrate 1: 1 laser laser transfer method. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 마스크의 패턴은 일정한 주기를 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 방법.The pattern of the mask is a laser thermal transfer method, characterized in that having a certain period. 제 10 항 에 있어서,The method of claim 10, 상기 광학계는 상기 마스크의 상부에 위치하고 상기 레이저를 구비하는 상부부분과 상기 마스크의 하부에 위치하는 하부부분을 구비하고, 상기 상부부분에는 빔쉐이퍼를 구비함으로써 상기 빔쉐이퍼를 통과한 레이저빔은 균질화된 라인빔으로 변화하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 방법.The optical system includes an upper portion positioned above the mask and having a lower portion positioned below the mask, and a lower portion positioned below the mask, and the upper portion provided with a beam shaper to homogenize the laser beam passing through the beam shaper. A laser thermal transfer method, characterized by changing to a line beam. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 광학계는 상기 마스크의 상부에 위치하고 상기 레이저를 구비하는 상부부분과 상기 마스크의 하부에 위치하는 하부부분을 구비하고, 상기 하부부분에는 프로젝션 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 방법.And the optical system includes an upper portion positioned above the mask and having a lower portion positioned below the mask, wherein the lower portion includes a projection lens. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 하부부분에는 이미지 인버터를 포함하고, 상기 이미지 인버터는 상기 프로젝션 렌즈를 통과한 레이저빔의 상을 정립상으로 반전시키는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사 방법.And an image inverter in the lower portion, wherein the image inverter inverts the image of the laser beam passing through the projection lens to an upright image. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 레이저빔을 스캔하는 것은 상기 광학계가 이동함으로써 수행되는 것인 레이저 열전사 방법.And scanning the laser beam is performed by moving the optical system. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 레이저 빔을 1 회 스캐닝 후 상기스테이지는 스캐닝방향과 수직 방향으로 1 스텝 이동하여 다시 스캐닝을 수행하는 것을 포함하는 레이저 열전사 방법.And scanning the laser beam once and moving the stage by one step in a direction perpendicular to the scanning direction to perform scanning again. 스테이지에 위치하는 척 상에 기판을 위치시키고, 상기 기판의 화소 전극과 도너 기판의 전사층이 대향하도록 위치시키는 단계; Positioning a substrate on a chuck positioned in a stage and positioning the pixel electrode of the substrate and a transfer layer of a donor substrate to face each other; 적어도 레이저를 구비하는 광학계를 상기 기판 상에 위치시키는 단계;Positioning an optical system having at least a laser on said substrate; 상기 기판 폭과 같은 길이의 일정한 폭을 갖는 마스크를 상기 기판과 상기 레이저 사이에 위치시키고, 상기 마스크를 상기 기판과 얼라인하는 단계; Positioning a mask having a constant width equal to the substrate width between the substrate and the laser and aligning the mask with the substrate; 상기 레이저를 작동시켜 레이저 빔을 방출하고 상기 방출된 레이저 빔을 상기 기판의 폭 방향으로 1회 스캔하여 상기 도너 기판의 전사층을 상기 기판의 화소전극 상에 전사하여 전사층 패턴을 형성하되, 상기 기판의 폭 방향의 모든 패턴을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.By operating the laser to emit a laser beam and scanning the emitted laser beam once in the width direction of the substrate to transfer the transfer layer of the donor substrate on the pixel electrode of the substrate to form a transfer layer pattern, A method of manufacturing an organic light emitting display device comprising forming all patterns in the width direction of a substrate. 제 18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 전사층은 발광층인 유기전계발광표시장치의 제조방법.The transfer layer is a light emitting layer of the organic light emitting display device manufacturing method. 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 전사층은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층을 더욱 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.The transfer layer may further include at least one layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole suppression layer, and an electron injection layer.
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