KR20060031163A - Ｃｍｐ용 화학적 첨가제 및 이를 포함한 연마용 슬러리와이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 - Google Patents

Ｃｍｐ용 화학적 첨가제 및 이를 포함한 연마용 슬러리와이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 256 메가 디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 연마 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적절하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 CMP용 공정에 필수적인 고성능 나노 세리아 슬러리 제조에 관한 것이다.
CMP, 슬러리, 모노머 계열 계면활성제, 고분자 계열 계면활성제

Description

ＣＭＰ용 화학적 첨가제 및 이를 포함한 연마용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 {CHEMICAL ABRASIVES FOR CMP AND SLURRY HAVING THE CHEMICAL ABRASIVES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES}
도 1 은 본 발명에 의한 연마용 슬러리 제조의 공정 순서도
도 2 는 세리아 연마재의 연마 메커니즘의 개략도
도 3 은 계면활성제의 농도와 분자량에 따라 산화막 표면에 흡착되는 메커니즘의 개략도
본 발명은 연마용 슬러리, 특히 화학기계적 연마(chemical mechanical polishing ; 이하 'CMP'라 약칭함)용 슬러리에 관한 것으로서, 반도체 적층물의 평탄화를 위한 화학기계적 연마 공정에 사용되는 연마용 슬러리에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 256 메가디램급 이상의 (0.13㎛ 이하의 디자인 룰) 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 셀로우 트렌치 아이솔레이션(Shallow Trench Isolation) CMP 공정에서 배리어막으로 사용되는 질화물층에 대해 높은 연마 선택 비를 갖고, 평탄화 표면의 스크래치 발생을 억제할 수 있는 슬러리의 제조 및 이를 이용한 기판의 연마방법에 관한 것이다.
화학기계적 연마(chemical mechanical polishing; CMP)는 가압된 웨이퍼와 연마 패드 사이에 존재하는 연마재에 의한 기계적인 가공과 슬러리의 케미컬에 의한 화학적 에칭이 동시에 일어나는 반도체 가공기술중 하나이다. 이는, 1980년대 말 미국의 IBM사에서 개발된 이래로 서브마이크론 스케일의 반도체 칩의 제조에 있어서 광역평탄화(global planarization) 기술의 필수 공정으로 자리잡고 있다.
슬러리의 종류는 연마되는 대상의 종류에 따라 크게 산화물(oxide)용 슬러리, 금속용 슬러리, 폴리실리콘(poly-silicon)용 슬러리로 구분된다. 산화물용 슬러리는 층간절연막 및 STI(Shallow Trench Isolation) 공정에 사용되는 실리콘산화물층(SiO2 layer)을 연마할 때 사용되는 슬러리로서, 크게 연마재 입자, 탈이온수, pH 안정제 및 계면활성제 등의 성분으로 구성된다. 이중 연마재 입자는 연마기계로부터 압력을 받아 기계적으로 표면을 연마하는 작용을 하는 것으로 주로 실리카(SiO2), 세리아(CeO2), 알루미나(Al2O3) 등이 사용된다.
특히, 세리아를 연마 입자로 이용하는 세리아 슬러리는 STI 공정에서 실리콘산화물층을 연마하기 위해 널리 사용되고 있으며, 이때 연마 정지층으로서 실리콘질화물층이 주로 사용되고 있다. 일반적으로 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도 선택비를 향상시키기 위해 소정의 화학적 첨가제가 세리아 슬러리에 첨가된다. 이 때 화학적 첨가제의 양, 종류 또는 농도 등에 의하여 적절한 수준으로 제어되지 않 는 경우에는 질화물층 제거속도 뿐만 아니라 산화물층 제거속도도 감소하게 된다.
또한, 세리아 슬러리의 연마 입자는 통상적으로 실리카 슬러리의 연마 입자보다도 크고 거대 입자가 많이 존재하기 때문에 상대적으로 많은 응집이 발생한다. 따라서 웨이퍼 표면에 소자의 치명적인 결함이 되는 스크래치를 유발할 수 있는데, 이 또한 화학적 첨가제의 특성과 밀접한 관련이 있다.
한편, 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도 선택비가 작은 경우에는 인접한 질화물층 패턴의 손실로 인하여 산화물층이 과잉 제거되는 디싱(dishing) 현상이 발생되어 균일한 표면 평탄화를 달성할 수 없다는 문제가 있다.
그러므로, 이런 STI CMP용 슬러리에서 요구되는 특성은 고선택비, 연마속도, 분산안정성, 마이크로-스크래치(micro-scratch) 안정성이며, 좁고 균일한 적정입도 분포와 1㎛ 이상의 크기를 갖는 큰 입자 개수가 일정한도 범위 내에 존재하여야 한다.
STI CMP용 슬러리를 제조하기 위한 종래 기술로 히타찌의 미국특허공보 제6,221,118호 및 미국특허공보 제6,343,976호에는 세리아 입자의 합성방법과 이를 이용한 고선택비 슬러리 제조방법이 개시되어 있다. 여기에서는 STI CMP용 슬러리 특성에서 요구되는 입자의 특성과 고분자를 포함한 첨가제의 종류, 또한 이들을 이용한 제조방법 및 공정에 관하여 매우 까다롭고 광범위한 영역에 걸쳐 설명되어 있다. 특히 평균 결정립 크기(average grain size), 평균 1차 입자(average primary particle) 및 평균 2차 입자(average secondary particle)의 크기에 대하여 광범위한 범위를 제시하고 있다. 특히 하소 온도에 따른 결정립(grain size)의 변화와 이 에 따른 스크래치(scratch)에 대하여 언급하고 있다. 또 다른, 종래의 기술로는 히타찌의 미국특허공보 제6,420,269호 등에 기재된 다양한 세리아 입자의 합성방법 및 이를 이용한 고선택비 슬러리 제조방법이 있다. 한편 히타찌의 미국특허공보 제6,615,499호에는 하소 공정 상에서 승온 속도에 따른 X-ray 분석 결과에서 특정 영역의 피크 강도(peak intensity) 사이의 비(ratio) 변화와 이에 따른 연마 속도의 변화에 대하여 언급하고 있다.
또한 다른 종래 기술로서 일본의 쇼와 덴코의 미국특허공보 제6,436,835호, 미국특허공보 제6,299,659호, 미국특허공보 제6,478,836호, 미국특허공보 제6,410,444호 및 미국특허공보 제6,387,139호에는 세리아 입자의 합성방법과 이를 이용한 고선택비 슬러리 제조방법에 관한 기술이 개시되어 있다. 이들 발명에서는 주로 슬러리에 들어가는 첨가제 및 그 효과와 커플링제(coupling agent)에 대하여 기재하고 있다.
이러한 종래 기술은 연마용 슬러리를 구성하고 있는 연마 입자들의 평균입도 및 이들의 범위에 대해서 기재하고 있거나 연마재의 조성 및 첨가제에 대하여 설명하고 있다. 그러나 CMP를 진행할 때 같이 사용되는 화학적 첨가제에 대한 세부적인 고찰이 부족하다. 화학적 첨가제의 특성이 변화함에 따라 선택비, 연마 속도가 달라질 수 있고, 마이크로 스크래치를 유발하는 정도가 달라진다. 즉 화학적 첨가제의 종류 뿐 아니라 농도 또는 분자량 등에 따라서도 연마 속도에 큰 영향을 끼칠 수 있기 때문에 화학적 첨가제의 특성에 대하여 고찰하는 것은 매우 중요하다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 여러 가지 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 제조 방법 및 농도, 시료의 운송 장치 등을 적정하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정에 적용이 가능하며, 반도체 디바이스에 치명적인 마이크로 스크래치를 최소화할 수 있는 고성능 나노 세리아 슬러리를 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 나노 세리아 슬러리와 혼합하여 CMP를 진행하는 화학적 첨가제의 특성을 자세히 살펴보는데, 화학적 첨가제로 사용되는 고분자 계열의 계면활성제의 농도 및 분자량 등의 변화에 따른 연마 특성을 분석하여 마이크로 스크래치는 최소화하면서 적절한 연마 속도 및 선택비를 얻을 수 있는, 분산 안정화된 슬러리 및 화학적 첨가제를 제공한다.
본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 슬러리를 이용하여 미세 디자인룰의 반도체 기판을 효율적으로 연마하는 연마 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에서는 용매와 1500 내지 200000의 분자량을 갖는 계면활성제를 포함하는 CMP용 화학적 첨가제를 제공한다. 상기 화학적 첨가제에 들어가는 계면활성제의 농도는 0.25 내지 5.0wt%이며, 상기 계면활성제는 폴리아크릴산, 알킬 메타크릴레이트, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 에틸-메타크릴아미드, 비닐피리딘 또는 비닐피롤리돈 중 적어도 어느 하나를 사용한다.
또한 연마 입자, 초순수 및 분산제를 포함하는 슬러리와 상기 설명한 CMP용 화학적 첨가제를 포함하는 연마용 슬러리를 제공한다. 상기 연마 입자는 세리아를 포함한다.
본 발명에서는 세리아 슬러리를 제조하는 단계, 1500 내지 200000의 분자량을 갖는 계면활성제를 포함하는 화학적 첨가제를 제조하는 단계 및 상기 세리아 슬러리에 상기 화학적 첨가제를 혼합 및 첨가하여 슬러리를 제조하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법을 제공한다.
상기 화학적 첨가제를 제조하는 단계는, 용매와 상기 계면활성제를 혼합하는 단계, 상기 용매와 상기 계면활성제의 혼합물의 pH, 전도성 및 농도를 조절하는 단계 및 상기 혼합물의 숙성을 통해 안정화하는 단계를 포함한다.
여기서 상기 혼합물의 pH, 전도성 및 농도를 조절하는 단계는, 상기 혼합물에 추가적인 제 1 첨가물을 첨가하여 pH를 조절하는 단계, 상기 혼합물에 추가적인 제 2 첨가물을 첨가하여 전도성을 조절하는 단계 및 상기 혼합물에 추가적인 용매를 첨가하여 농도를 조절하는 단계를 포함한다. 상기 제 1 첨가물 및 상기 제 2 첨가물은 약산 및 약염기를 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 연마용 슬러리의 제조 방법에 있어서, 상기 세리아 슬러리와 상기 화학적 첨가제의 혼합 비율은 1:1인 것을 특징으로 한다.
또한 연마 입자, 초순수 및 분산제를 가지는 슬러리 및 화학적 첨가제를 포함하되, 상기 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제가 1500 내지 200000의 분자량을 갖는 연마용 슬러리를 사용하여 소정의 기판을 연마하는 기판의 연마 방법을 제공한다.
하기에서는 본 발명에서 살펴보고자 하는 화학적 첨가제의 제조 및 그를 이용한 연마용 슬러리의 제조 공정, 또는 그 결과물로서 제조된 연마용 슬러리의 특성 분석 및 해석으로 나누어 각 부분을 구체적으로 설명한다. 또한 하기의 본 발명을 구체적인 예시를 들어 설명하는 부분에서는 연마재의 한 예로서 세리아를 사용하고 그의 분산매 및 분산제로서 초순수(DI Water)와 음이온계 고분자 분산제를 사용하여 설명하며, 이렇게 제조된 연마용 세리아 슬러리의 제조방법 및 공정조건에 따른 산화막 연마속도 및 선택비 등의 CMP 결과에 대하여 설명하겠다. 다음에서 설명되는 본 발명은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 설명으로 한정되는 것은 아니다.
[세리아 슬러리 제조]
본 발명의 세리아 슬러리는 세리아 분말, 초순수(DI Water) 및 음이온계 고분자 분산제, 약산 또는 약염기 등의 첨가제를 포함한다. 이러한 연마용 세리아 슬러리의 제조 방법은 대략적으로 다음과 같다(도 1 참조).
먼저 세륨 카보네이트와 같은 전구체를 전처리 한다. 즉, 고상 합성하여 세리아 분말을 준비한다. 상기의 세리아 분말을 초순수(DI Water)와 혼합용 탱크에서 혼합 및 습식(wetting)을 시키고, 입자 크기 감소 및 분산을 위하여 밀링기(milling machine)로 밀링한다. 상기 방법에 의해 제조된 초기 슬러리에 음이온계 고분자 분산제를 첨가하여 분산 안정성을 높이고, 약산 또는 약염기 등의 첨가제들을 고전단혼합기(high speed mixer)로 혼합하여 pH를 조정한다. 이후 추가적인 밀 링 등을 통하여 분산 안정화하여, 슬러리의 무게비(wt%) 즉, 고형하중을 원하는 범위로 맞춘 다음, 필터링을 통하여 거대입자를 제거하여 침전 및 연마 동안의 스크래치를 방지하고, 추가적인 숙성(aging)을 하여 슬러리를 안정화한다.
이와 같은 본 발명의 연마용 세리아 슬러리의 제조 방법을 각각의 단계별로 세부적으로 설명하면 다음과 같다.
1. 세리아 분말의 제조
본 발명의 세리아 슬러리의 제조는 고상 합성법을 통하여 세리아 원료 전구체(Precursor)로 세리아 분말을 제조하는 단계로 시작된다. 상기의 세리아 분말은 예를 들어 세륨 카보네이트와 같은 전구체를 하소하여 합성되는데, 본격적인 하소 이전에 흡착되어 있는 수분을 제거하기 위하여 별도의 건조 공정을 진행할 수 있다. 이는, 건조 공정을 통하여 처리된 전구체는 공정상 이송 및 처리의 용이성 측면에서 우수하기 때문이다.
세리아 분말은 세륨 카보네이트를 하소하는 조건 및 하소 장치의 구성에 따라 그 특성이 달라진다. 세륨 카보네이트는 결정수와 흡착수를 가지고 있고 결정수는 흔히 4가, 5가, 6가 등이 존재하며 결정수의 개수 및 흡착수의 양에 따라서 하소 조건이 달라진다. 하소를 하게 되면 우선 제일 먼저 결정수 및 흡착수가 제거된다. 그 후 추가적인 승온 및 제 1 열처리를 통하여 탄산염 기능(carbonate function)기가 이산화탄소의 형태로 제거되는, 이산화탄소 제거과정(decarbonation)이 일어나면서 세리아 분말이 합성되기 시작한다. 다음으로 추가적 인 제 2 열처리에 의하여 재결정(recrystalize) 과정을 거치며 여러 가지 크기의 입자를 갖는 세리아 분말이 형성된다. 하소는 500 내지 1000℃ 온도 범위에서 실시하는 것이 효과적이다.
2. 혼합 및 밀링
상기와 같은 방법을 통하여 제조된 세리아 분말을 초순수(DI Water)와 고전단 혼합기를 이용하여 혼합 및 습식시킨다. 이후, 상기의 혼합물을 밀링하여 입자 크기를 감소시키고, 이를 분산시켜 나노 사이즈의 세리아 슬러리를 제조한다.
상기의 혼합 및 습식 과정 후 입자의 크기를 제어하고 응집되어 있는 연마 입자들을 분산시키기 위하여 고에너지 밀링기(High Energy Milling Machine)를 이용하여 입자 크기 감소 및 분산을 진행하는 것이 효과적이다. 뿐만 아니라, 밀링기는 습식 또는 건식 밀링기를 사용할 수 있다. 건식 밀링기는 밀링 과정에서 금속 부분들의 마모에 의한 금속 오염이 우려되기 때문에, 세라믹 재질로 되어 있는 습식 밀링기를 사용하여 밀링하는 것이 바람직하다. 한편, 습식 밀링 방법을 이용할 경우에는 연마 입자의 응집으로 인한 침전 및 밀링 효율의 감소, 대형 입자 발생, 대면적 크기 분포 등을 방지하기 위해, 연마 입자의 농도 조절, pH 및 전도성 조절, 분산제를 이용한 분산 안정도 강화를 하는 것이 효과적이다.
3. 분산 안정화 및 첨가제의 혼합
다음으로, 분산제의 한 예로 음이온계 고분자 분산제를 상기 슬러리에 첨가하여 분산 안정화하고, 약산 및 약염기 등의 첨가제를 넣어서 pH와 전도성을 조정하여 슬러리를 안정화시킨다.
상기의 분산제로 사용되는 음이온계 고분자 화합물은 폴리메타크릴산, 폴리아크릴산, 암모늄 폴리메타크릴레이트, 암모늄 폴리카르복실네이트 및 카르복실-아크릴 폴리머 또는 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되어진 어느 하나를 사용할 수 있다. 이는, 본 발명의 슬러리가 수계이므로 이러한 고분자 화합물의 상온에서의 물에 대한 적정한 용해도를 갖기 땜이다. 이때, 슬러리의 pH는 6.5 내지 13 인 것이 바람직하다. 또한, 상기의 음이온계 고분자 화합물의 첨가범위는 연마입자를 기준하여 0.0001 내지 10.0 wt%가 적당하다. 안정화된 세리아 슬러리의 점도 거동은 뉴톤 거동 (Newtonian behavior)이 바람직하다.
이 때, 초순수와 혼합한 세리아 분말에 상기 분산제와 첨가제를 첨가한 혼합물을 고에너지 밀링기로 밀링하여 입자 크기를 감소시키고 분산을 진행시킬 수 있다. 이 후 분쇄 및 분산된 슬러리를 펌프를 사용하여 별도의 탱크로 이송한 후 적절한 분산장비를 이용하여 분산함으로써 분산 안정성을 확보하고 추가적인 응집 및 침전을 방지할 수 있다.
4. 고형하중(wt%) 조절 및 거대입자 제거
상기와 같이 슬러리의 분산안정화 공정이 끝난 후에는 세리아 슬러리의 고형하중(wt%)을 원하는 범위로 조정하고 필터링을 통하여 CMP 공정 시 스크래치를 유발할 수 있고, 침전 및 응집을 유발할 수 있는 거대입자를 제거한다. 고형 하중의 농도는 15wt% 이하인 것이 바람직하다. 거대입자가 많이 존재할수록 중력에 의한 힘이 입자간 반발력에 의한 분산력에 비하여 커지게 될 뿐 아니라, 거대입자의 표면적은 미세 입자의 표면적에 비하여 작기 때문에 거대 입자의 분산율은 미세 입자 에 비하여 더 작아진다. 이러한 원인에 의하여 응집 및 침전이 많이 발생하여 슬러리가 전체적으로 불안정하게 되므로, 거대 입자를 제거할 필요가 있다. 이러한 거대입자를 제거하는 필터링은 필터링 횟수를 증가시키면 거대 입자 감소율을 더욱 높일 수 있다.
5. 슬러리 숙성
다음으로, 숙성을 통해 슬러리를 안정화한다. 즉, 탱크에서 슬러리를 스터링(stirring)하며 24시간 혼합하면서 슬러리를 더욱 더 안정화하는 것이 효과적이다. 이는 완성된 슬러리에 부가적으로 실시할 수 있으며, 필요에 따라 그 과정을 생략 할 수도 있다.
[화학적 첨가제의 제조]
상기 화학적 첨가제의 제조 방법은 대략적으로 다음과 같다(도 1 참조). 먼저 고분자 계열의 계면활성제를 준비한다. 이 때, 모노머 계열과 고분자 계열의 계면활성제를 섞어서 사용할 수도 있다. 이어서, 상기 계면활성제를 용매와 함께 혼합 반응시키고 여기서 얻어진 혼합물에 제 1 첨가물을 첨가하여 pH를 조절한다. 또한 제 2 첨가물을 첨가하여 전도성을 조절하고, 추가적인 용매를 첨가하여 농도를 조절한 다음 숙성을 통해 화학적 첨가제를 안정화한다.
상기 계면활성제의 준비에 있어서 고분자 계열의 계면활성제로는 폴리아크릴산(PAA) 또는 알킬 메타크릴레이트가 적당하고 모노머 계열의 계면활성제로는 아크릴아미드 , 메타크릴아미드 , 에틸- 메타크릴아미드 , 비닐피리딘 및 비닐피롤리돈 중 적어도 어느 하나를 사용한다. 상기 계면활성제를 소정의 초순수와 함께 고전단 혼합기를 이용하여 충분히 혼합 반응을 한다. 여기서 얻어진 혼합물에 약산 및 약염기 등의 제 1 첨가물을 첨가하여 원하는 범위로 pH를 조절하고 제 2 첨가물을 첨가하여 전도성을 조절한다. 상기 약산 및 약염기를 사용하는 제 1 첨가물 및 제 2 첨가물의 예로서는 질산, 황산 및 아세톤산 또는 암모니아, 수산화칼륨 및 수산화나트륨 등을 들 수 있다. 그 후 소정의 초순수를 추가로 첨가하여 원하는 농도로 조절한 다음 숙성을 통해 화학적 첨가제를 안정화함으로서 화학적 첨가제의 제조를 완료한다.
상기 제조 방법을 통해 제조된 화학적 첨가제를 상기 세리아 슬러리에 1:1의 비율로 혼합하여 CMP를 위한 연마용 슬러리로 사용하면, 반도체 공정에서 요구되는 다양한 패턴에서의 적용이 가능해 진다.
또한 상기 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제의 농도 및 분자량 등에 따라서 다양한 연마 속도 및 선택비를 갖는 연마용 슬러리를 얻을 수 있는데, 이는 뒤의 “계면활성제의 농도 및 분자량에 따른 연마용 슬러리의 특성 변화”에서 자세히 살펴보도록 한다.
[계면활성제의 농도 및 분자량에 따른 연마용 슬러리의 특성 변화]
하기에서는 상술한 제조 공정을 이용하여 세리아 슬러리 및 화학적 첨가제를 제조하고 계면활성제의 특성의 변화에 따라 산화막 및 질화막 연마속도, 산화막 잔류입자 또는 마이크로 스크래치 등에 미치는 영향을 분석한다. 특히 계면활성제의 분자량 및 농도 변화에 따른 마이크로 스크래치의 변화를 상세히 기술한다.
연마용 슬러리는 연마 입자의 응집에 따라 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 반도체 디바이스에 치명적인 영향을 주는 마이크로 스크래치(micro scratch)를 유발할 수 있다. 세리아 연마재의 연마 메커니즘은 도 2 과 같이 다결정(Poly-crystal) 형태의 세리아 입자가 단결정(Single Crystal) 형태로 부수어지면서 웨이퍼 상에 증착된 옥사이드 필름과 화학 반응을 이룬 후 패드와의 기계적인 마찰력에 의하여 떨어져 나가며 연마를 하는 방식이다. 이 때 다결정이 단결정으로 부수어 지는 과정과, 이차 입자(Secondary Particle)가 더 작은 이차 혹은 일차 입자(Secondary or Primary Particle)로 부수어 지는 과정에서 수많은 마이크로 스크래치가 발생할 수 있다. 이 때 이러한 과정에 많은 영향을 줄 수 있는 중요한 요소 중의 하나가 화학적 첨가제를 제조할 때 사용되는 계면활성제이다.
아래의 표 1은 화학적 첨가제 내의 계면활성제 농도를 변화시켜 제조한 연마용 슬러리를 사용하여 측정한 산화막 연마 속도와 산화막 잔류입자이다. 각 슬러리에서 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제의 농도는 각각 0.5wt%, 2wt%, 4wt% 이며, 계면활성제의 농도 외의 기타 다른 조건은 동일하게 하였다.
계면활성제의 농도 0.5wt% 2wt% 4wt%
산화막 연마속도 (A/min) 1800 1610 1260
산화막 잔류입자 (>0.20㎛,#) 350 212 150
위의 표 1 에서 계면활성제의 농도가 높으면 높을수록 산화막 연마속도는 감소하고 산화막 잔류입자의 개수가 줄어드는 것을 알 수 있다.
아래의 표 2는 화학적 첨가제 내 계면 활성제의 분자량을 변화시켜 제조한 연마용 슬러리를 사용하여 측정한 산화막 연마 속도와 산화막 잔류입자이다. 표 2 에서 상대적으로 낮은 분자량의 계면활성제의 분자량은 1500 내지 10000이고, 상대적으로 중간 분자량의 계면활성제의 분자량은 10000 내지 50000이고, 상대적으로 높은 분자량의 계면활성제의 분자량은 50000 내지 200000이다.
계면활성제의 분자량 1500 내지 10000 10000 내지 50000 50000 내지 200000
산화막 연마속도 (A/min) 1995 1632 1433
산화막 잔류입자 (>0.20㎛,#) 390 243 172
위의 표 2 에서 볼 수 있듯이, 계면활성제의 분자량이 크면 클수록 산화막 연마속도는 감소하고 산화막 잔류입자의 개수는 줄어든다.
상기 표 1 및 표 2에서 계면활성제의 농도 및 분자량의 변화에 의해 연마용 슬러리의 특성이 변하는 것을 알 수 있다. 즉 계면활성제의 농도가 높을수록, 또는 계면활성제의 분자량이 클수록 산화막 연마속도가 어느 정도 감소하는 경향이 있으며, 반면 마이크로 스크래치를 야기하는 산화막 잔류입자는 크게 줄어든다.
이와 같은 변화를 보이는 이유는 다음과 같다. CMP를 진행하기 위하여 세리 아 슬러리와 화학적 첨가제를 섞은 후 연마기로 공급을 하는 경우 화학적 첨가제에 들어있는 계면활성제가 산화막 표면에 흡착하게 된다. 이 때 CMP를 진행하는 pH 영역(pH=7.0)에서는 산화막의 표면 전위가 음계(-)이기 때문에 화학적 첨가제의 흡착 정도가 그리 크지 않다. 하지만 계면활성제, 특히 고분자 계열의 계면활성제의 경우에는 계면활성제의 농도가 높으면 높을수록, 또는 계면활성제의 분자량이 크면 클수록 단위 계면활성제의 흡착력이 증가한다. 도 3에서 (a)는 상대적으로 낮은 농도와 분자량을 갖는 계면활성제의 흡착 상태를 보이고 계면활성제로 인해 생기는 점성층(12)이 거의 없어 거대입자(A)와 작은 입자(B)로 인해 마이크로 스크래치가 많이 발생한다. 또한, (b)는 상대적으로 중간 농도와 분자량을 갖는 계면활성제의 흡착 상태를 보이고 (c)는 상대적으로 높은 농도와 분자량을 갖는 계면활성제의 흡착 상태를 보인다. 상대적으로 높은 농도와 분자량을 갖는 계면활성제는 흡착력이 높아 두꺼운 점성층을 형성하고 그로 인해 거대 입자에 의한 마이크로 스크래치를 줄일 수 있으나, 반면 산화막의 연마속도가 감소할 수 있다. 여기서도 볼 수 있듯이, 계면활성제의 농도가 높으면 높을수록, 또는 계면활성제의 분자량이 크면 클수록 계면활성제의 흡착력이 증가하고 첨가된 계면활성제의 단위 질량당 웨이퍼 전면에 흡착되는 계면활성제의 양이 늘어나는 것을 알 수 있다. 따라서 산화막 표면에 점성층(viscous layer)이 형성되어 산화막의 연마율 및 선택비가 감소하는 경향이 있다. 반면 표면에 형성된 점성층(viscous layer)에 의해 거대 입자로 인해 생성될 수 있는 마이크로 스크래치의 개수는 감소하게 된다.
CMP용 연마용 슬러리에서 요구되는 특성은 고선택비, 높은 연마속도 또는 마 이크로 스크래치 안정성이기 때문에 적절한 연마속도 및 선택비와 최소화된 산화막 잔류입자를 얻기 위하여 상기 계면활성제의 농도와 분자량을 제어할 필요가 있다. 그리하여 CMP 공정에서 소자의 결함을 유발할 수 있는 마이크로 스크래치를 감소시키면서 동시에 높은 연마율을 유지할 수 있는 연마용 슬러리를 제조할 수 있다.
이에 대한 자세한 실시예는 뒤의 “계면활성제의 농도 및 분자량에 따른 마이크로 스크래치 변화”에서 자세히 살펴보도록 하겠다.
[계면활성제의 농도 및 분자량에 따른 마이크로 스크래치 변화]
하기에서는 상기에 설명한 것과 같은 세리아 슬러리 제조 방법으로 세리아 분말 및 슬러리를 제조한다. 또한 상술한 바와 같은 화학적 첨가제의 제조 방법으로, 화학적 첨가제에 포함되는 고분자 계열의 계면활성제의 농도 및 분자량을 다르게 하고 그 외 모든 조건을 일정하게 하여 각 조건에서 화학적 첨가제를 제조한다. 상기 제조한 세리아 슬러리와 화학적 첨가제를 1:1의 비율로 혼합 반응하여 연마용 슬러리를 제조하고, 각 조건에서 제조된 연마용 슬러리를 사용한 CMP 공정을 진행하여 연마 속도, 연마 선택비 및 마이크로 스크래치 개수 등 슬러리의 연마 특성을 살펴본다. 이러한 연마용 슬러리의 특성을 측정한 다음, 이를 아래의 표 3 및 표 4 로서 정리하였다.
(1) 세리아 분말 및 슬러리의 준비
25kg의 고순도의 세륨 카보네이트를 콘테이너(container)에 각각 800g 가량씩 담아주고 터널로(tunnel kiln)에서 700℃에서 4시간 동안 하소하여 세리아 분말 을 준비하였다. 단 하소시의 승온 속도는 5℃/min이고 냉각은 자연냉각이며 부산물(by-product)로 생성되는 CO2 가스를 효과적으로 제거해주기 위하여 세거의(saggar)의 이동 방향과 반대 방향으로 20m3/Hour의 기체를 흘려주었다. 이렇게 하소된 세리아 분말을 필립스(Philips)사의 X'PERT Pro MRB으로 측정하여 X-ray 회절을 확인해본 결과 각각 순도 높은 세리아(cerium oxide)가 얻어졌다.
상기와 같은 조건에서 합성된 고순도 세리아 분말 10kg를 음이온계 분산제로서 암모늄 폴리메타아크릴레이트가 세리아 분말 대비 1wt%만큼 혼합되어 있는 초순수 90kg에 넣고 고전단 혼합기에서 충분한 습식(wetting)을 위하여 1시간 이상 혼합한다. 그 후, 혼합된 10wt% 슬러리를 패스형 밀링 방식을 이용하여 밀링한다. 밀링에 의해 입자 크기를 원하는 범위로 조절한 다음, 분산제를 이용하여 응집된 입자를 분산시킨다. 이어서 필터링을 하여 거대 입자를 제거한 후 숙성을 통하여 제 1 내지 제 6 세리아 슬러리의 제조를 완료한다.
(2) 제 1 내지 제 6 화학적 첨가제의 준비
100kg의 초순수에 모노머 계열의 아크릴아미드 100g 및 고분자 계열의 폴리아크릴산을 0.9kg 넣어준 후 고전단 혼합기를 이용하여 충분히 혼합 반응을 한다. 그 후 약산 및 약염기 등을 이용하여 원하는 범위로 pH 및 전도성 등을 조절한다. 그 후 추가적인 초순수 99kg을 더 첨가하여 0.5wt%의 제 1 화학적 첨가제를 제조한다.
마찬가지로 제 2 화학적 첨가제와 제 3 화학적 첨가제를 제조하되, 각각 고 분자 계열의 계면활성제인 폴리아크릴산을 3.9kg, 7.9kg으로 넣어 2wt%와 4wt%로 농도를 조절한다.
마지막으로 숙성을 통하여 안정화된 제 1 내지 제 3 화학적 첨가제를 제조한다.
또한 별도로 100kg의 초순수에 모노머 계열의 아크릴아미드 100g 및 고분자 계열의 계면활성제인 폴리아크릴산을 3.9kg 넣어준 후 고전단 혼합기를 이용하여 충분히 혼합 반응을 한다. 단 이 때 고분자 계열의 계면활성제는 분자량이 1500 내지 10000인 계면활성제를 사용한다. 그 후 약산 및 약염기 등을 이용하여 원하는 범위로 pH 및 전도성 등을 조절한다. 그 후 추가적인 초순수 96kg을 더 첨가하여 상대적으로 분자량이 낮은 계면활성제를 포함하는 2wt%의 제 4 화학적 첨가제를 제조한다.
마찬가지로 제 5 화학적 첨가제와 제 6 화학적 첨가제를 제조하되, 분자량이 10000 내지 50000인 고분자 계열의 계면활성제를 제 5 화학적 첨가제에, 분자량이 50000 내지 200000인 고분자 계열의 계면활성제를 제 6 화학적 첨가제에 사용하여 화학적 첨가제를 제조한다. 즉, 상대적으로 분자량이 중간인 계면활성제를 포함하는 2wt%의 제 5 화학적 첨가제와 상대적으로 분자량이 높은 계면활성제를 포함하는 2wt%의 제 6 화학적 첨가제를 제조한다. 그 후 추가적인 숙성을 통하여 제 4 내지 제 6 화학적 첨가제 제조를 완료한다.
(3) 제 1 내지 제 6 연마용 슬러리의 제조 및 CMP 테스트 결과
상기와 같이 제조된 세리아 슬러리와 화학적 첨가제를 각각 1:1의 혼합 비율 로 혼합 반응하여 제 1 내지 제 6 연마용 슬러리를 제조한다.
하기에서는 상기 제 1 내지 제 6 연마용 슬러리를 이용하여 피연마재를 연마하고, 이때의 연마 속도, 연마 선택비 또는 잔류 입자 및 마이크로 스크래치의 개수 등을 측정하여 각각의 슬러리의 특성을 비교한다.
상기와 같이 제조된 제 1 내지 제 6 연마용 슬러리를 이용하여 피연마재에 대한 CMP 연마성능시험을 실시하였다. CMP 연마장비는 미국 회사 스트라스바우(Strasbaugh)의 6EC를 사용하였고, 대상 웨이퍼는 PE-TEOS(plasma enhanced chemical vapor deposition TEOS oxide)를 도포하여 8인치 웨이퍼 전면에 산화막이 형성된 웨이퍼와 Si3N4를 도포하여 8인치 웨이퍼 전면에 질화막이 형성된 웨이퍼를 대상으로 실시하였고, 테스트 조건(test condition) 및 소모재는 다음과 같았다.
1) 패드: IC1000/SUBAIV (미국 로델(Rodel)사 제품)
2) 막 두께 측정기: Nano-Spec 180 (미국 나노-매트릭스(Nano-metrics)사 제품)
3) 테이블 속도(table speed): 70 rpm
4) 스핀들 속도(Spindle Speed): 70 rpm
5) 하강력(Down Force): 4 psi
6) 배압력(Back Pressure): 0 psi
7) 슬러리공급량: 100 ㎖/min.
8) 잔류 입자 및 스크래치 측정 : 미국 KLA-텐코(Tencor)사 서프스켄 (Surfscan) SP1으로 측정
상기와 같이 각각의 조건에서 제조된 제 1 내지 제 6 연마용 슬러리로 산화막(PE-TEOS)과 질화막(Si3N4)이 형성된 웨이퍼 전면을 1분간 연마한 후 연마에 의해 제거된 두께 변화로부터 연마 속도를 측정하였으며, 마이크로 스크래치는 서프스켄 SP1을 사용하여 측정하였다. 각각의 슬러리에 대한 연마성능을 상기와 같이 준비한 블랭크 웨이퍼(blank wafer)에 대해 3회 이상 실시한 후 연마특성 결과를 측정하였다.
표 3 은 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제 농도 외에 기타 슬러리의 다른 조건을 동일하게 하여 제조한 제 1 내지 제 3 연마용 슬러리의 특성결과를 나타낸 것이다. 여기서 제 1 연마용 슬러리는 계면활성제의 농도가 0.5wt%인 제 1 화학적 첨가제를 사용하였고, 제 2 연마용 슬러리는 계면활성제의 농도가 2wt%인 제 2 화학적 첨가제를 사용하였고, 제 3 연마용 슬러리는 계면활성제의 농도가 4wt%인 제 3 화학적 첨가제를 사용하였다.
구분 농도 (wt%) 산화막 연마 속도 (Å/min) 질화막 연마 속도 (Å/min) 산화막: 질화막 연마비 (선택비) WIWNU(%) 산화막 잔류 입자 (>0.20㎛,#) 스크래치(#)
제 1 슬러리 0.5 1800 50 36 1.0 350 5
제 2 슬러리 2 1610 49 32.9 1.0 212 3
제 3 슬러리 4 1260 47 26.8 1.0 150 2
비교예1 0.1 2520 55 45.9 1.0 580 9
비교예2 10 560 45 12.4 1.0 80 1
위의 표 3에서, 계면활성제의 농도가 아주 낮은 비교예1은 높은 연마속도를 얻을 수 있지만 산화막 잔류 입자나 그로 인해 발생되는 스크래치의 수가 매우 큰 것을 볼 수 있다. 반면에 계면활성제의 농도가 아주 높은 비교예2에서는 산화막 잔류 입자와 스크래치는 매우 적지만 그에 비해 연마속도가 떨어지는 것을 볼 수 있다.
이는 첨가되는 계면활성제의 농도가 증가할수록 웨이퍼 전면에 흡착되는 계면활성제의 양이 늘어나기 때문이다. 흡착된 계면활성제로 인해 생기는 점성층(Viscous Layer)이 두꺼워질수록 연마 속도는 어느 정도 감소하는 경향이 있는 반면에 거대 입자로 인해 생성될 수 있는 마이크로 스크래치의 개수는 줄어들게 된다. 반면, 비교예와는 달리 본 발명에 따른 제 1 연마용 슬러리 내지 제 3 연마용 슬러리는 계면활성제의 농도를 조절함에 의해 우수한 연마 속도를 유지하면서도 산화막 잔류 입자 개수가 적고 마이크로 스크래치 개수가 현저하게 감소된 결과를 얻을 수 있다. 따라서 화학적 첨가제에 들어가는 계면활성제의 농도를 제어하여 스크래치를 최소화하고 연마율 및 연마속도를 조절하여 우수한 연마 특성을 가진 슬러리를 제조할 수 있다.
표 4 는 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제의 분자량 외에 기타 슬러리의 다른 조건을 동일하게 하여 제조한 제 4 내지 제 6 연마용 슬러리의 특성결과를 나타낸 것이다. 여기서 제 4 연마용 슬러리는 분자량이 1500 내지 10,000인 분자량이 상대적으로 작은 계면활성제를 사용하였고, 제 5 연마용 슬러리는 분자량이 10,000 내지 50,000인 계면활성제를 사용하였고, 제 6 연마용 슬러리는 분자량이 50,000 내지 200,000인 분자량이 상대적으로 큰 계면활성제를 사용하였다.
구분 분자량 산화막 연마 속도 (Å/min) 질화막 연마 속도 (Å/min) 산화막: 질화막 연마비 (선택비) WIWNU(%) 산화막 잔류 입자 (>0.20㎛,#) 스크래치 (#)
제 4 슬러리 1500 내지 10,000 1995 50 39.9 1.0 390 4
제 5 슬러리 10,000 내지 50,000 1632 49 33.3 1.0 243 2
제 6 슬러리 50,000 내지 200,000 1433 49 29.2 1.0 172 2
비교예3 1000 2400 55 43.6 1.0 510 6
비교예4 300,000 980 40 24.5 1.0 105 1
표 4에서, 계면활성제의 분자량이 아주 낮은 비교예3은 높은 연마속도를 얻을 수 있지만 산화막 잔류 입자나 그로 인해 발생되는 스크래치의 수가 매우 큰 것을 볼 수 있다. 반면에 계면활성제의 분자량이 아주 높은 비교예4에서는 산화막 잔류 입자와 스크래치는 매우 적지만 그에 비해 연마속도가 떨어지는 것을 볼 수 있다.
이는 화학적 첨가제 내 계면활성제의 분자량이 높으면 높을수록 산화막 표면에 흡착되는 계면활성제의 양이 증가하기 때문이다. 반면, 비교예와는 달리 본 발명에 따른 제 4 연마용 슬러리 내지 제 6 연마용 슬러리는 계면활성제의 분자량을 조절함에 의해 우수한 연마 속도를 유지하면서도 산화막 잔류 입자 개수가 적고 마이크로 스크래치 개수가 현저하게 감소된 결과를 얻을 수 있다. 따라서 화학적 첨가제에 들어가는 계면활성제의 분자량을 제어하여 스크래치를 최소화하고 연마율 및 연마속도를 조절하여 우수한 연마 특성을 가진 슬러리를 제조할 수 있다.
즉 계면 활성제의 농도 및 분자량 등을 조절하여 제조한 제 1 내지 제 6 화학적 첨가제를 이용하여 동일한 CMP 조건에서 CMP 테스트를 진행하면 상기 표 3 및 표 4의 결과와 같다. 우선, 제 1 내지 제 6 연마용 슬러리 모두 연마 속도 및 연마 선택비(산화막 대 질화막의 연마율비) 측면에서는 사용 가능한 범위를 나타내며, 연마시의 연마면내 연마 균일도를 나타내는 면내 불균일성(WIWNU)도 우수함을 알 수 있다. 다만 계면 활성제의 농도 및 분자량이 높으면 높을수록 산화막의 연마 속도가 약간 감소하는 경향이 있고 이로 인하여 산화막 대 질화막의 선택비 또한 감소한다.
한편 화학적 첨가제 내 계면 활성제의 농도 및 분자량에 따른 마이크로 스크래치의 변화를 살펴보면, 계면 활성제의 농도 및 분자량이 증가하면 증가할수록 산화막 잔류 입자 및 마이크로 스크래치의 개수가 감소하고 있다. 이는 고분자 계열의 계면활성제의 농도가 증가할수록, 또한 분자량이 증가하면 증가할수록 웨이퍼 전면에 흡착되는 계면활성제의 양이 늘어나기 때문이다.
따라서 우수한 연마율, 연마 선택비 또는 연마 속도 등을 갖고 마이크로 스크래치를 최소화하기 위해 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제가 1500 내지 200000의 분자량을 갖고 0.25 내지 5.0wt% 농도인 것이 효과적이다. 더욱 좋게는 10000 내지 50000의 분자량을 갖고 1.0 내지 3.0wt% 농도인 계면활성제를 사용할 수 있다.
그러므로 본 발명에 의하면 화학적 첨가제에 들어가는 계면활성제의 농도 및 분자량을 변화시켜 마이크로 스크래치를 최소화하고, 연마율, 연마 선택비 또는 연마 균일도 등을 조절하여 우수한 연마 특성을 가진 슬러리를 제조할 수 있다.
또한, 상술한 연마용 슬러리를 이용한 기판의 연마 방법을 살펴보면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판 연마 방법은 연마 입자와 초순수, 분산제 및 화학적 첨가제를 포함하되, 상기 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제의 농도와 분자량을 조절하여 마이크로 스크래치의 발생을 최소화한 연마용 슬러리를 사용하여 소정의 기판을 연마한다. 상기 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제의 농도는 1.0 내지 3.0wt%이고, 10000 내지 50000의 분자량을 갖는 것이 효과적이다.
바람직하게는 연마막과 연마 정지막이 형성된 기판을 마련하는 단계와, 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제의 농도와 분자량을 조절하여 마이크로 스크래치의 발생을 최소화한 슬러리를 사용하여 연마막을 연마하는 단계를 포함한다. 상기 연마막은 산화막 계열의 물질막을 사용하고, 상기 연마 정지막은 질화막 계열의 물질막을 사용한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 반도체 제조에 있어서 STI CMP 공정용 연마재로서 필수적으로 갖추어야 하는 여러 특성에 대해 우수한 물성을 가진 슬러리의 제조가 가능하게 되었고, 특히 CMP 후 소자에 치명적인 결함을 유발할 수 있는 스크래치 및 잔류 입자를 감소시킬 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 화학적 첨가제에 들어가는 계면활성제의 농도 및 분 자량을 조절하여 CMP 공정에서 소자의 결함을 유발할 수 있는 스크래치를 감소시키면서 동시에 높은 연마율을 유지할 수 있는 슬러리를 개발할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, STI CMP용 연마재로서 필수적으로 갖추어야 하는 여러 특성에 대해 우수한 물성을 가진 슬러리의 제조가 가능하게 되어 이러한 슬러리를 STI CMP용 연마재로서 사용할 경우, 초고집적 반도체 공정에서 요구되는 다양한 패턴에 대한 적용과 그에 부응하는 연마율, 연마 선택비, 연마 균일도를 나타내는 면내 불균일성(WIWNU) 또는 마이크로 스크래치에 대한 우수한 결과를 달성할 수 있다.

Claims (12)

  1. 용매와 1500 내지 200000의 분자량을 갖는 계면활성제를 포함하는 CMP용 화학적 첨가제.
  2. 제 1 항에서,
    상기 계면활성제의 농도가 0.25 내지 5.0wt%인 CMP용 화학적 첨가제.
  3. 제 1 항 또는 제 2항에서,
    상기 계면활성제는 폴리아크릴산, 알킬 메타크릴레이트, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 에틸-메타크릴아미드, 비닐피리딘 또는 비닐피롤리돈 중 적어도 어느 하나를 사용하는 CMP용 화학적 첨가제.
  4. 연마 입자, 초순수 및 분산제를 포함하는 슬러리; 및
    용매와 1500 내지 200000의 분자량을 갖는 계면활성제로 이루어진 CMP용 화학적 첨가제를 포함하는 연마용 슬러리.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 계면활성제의 농도가 0.25 내지 5.0wt%인 CMP용 화학적 첨가제를 포함하는 연마용 슬러리.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 연마 입자는 세리아를 포함하는 연마용 슬러리.
  7. 세리아 슬러리를 제조하는 단계;
    1500 내지 200000의 분자량을 갖는 계면활성제를 포함하는 화학적 첨가제를 제조하는 단계; 및
    상기 세리아 슬러리에 상기 화학적 첨가제를 혼합 및 첨가하여 슬러리를 제조하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 화학적 첨가제를 제조하는 단계는,
    용매와 상기 계면활성제를 혼합하는 단계;
    상기 용매와 상기 계면활성제의 혼합물의 pH, 전도성 및 농도를 조절하는 단계; 및
    상기 혼합물의 숙성을 통해 안정화하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 혼합물의 pH, 전도성 및 농도를 조절하는 단계는,
    상기 혼합물에 추가적인 제 1 첨가물을 첨가하여 pH를 조절하는 단계;
    상기 혼합물에 추가적인 제 2 첨가물을 첨가하여 전도성을 조절하는 단계; 및
    상기 혼합물에 추가적인 용매를 첨가하여 농도를 조절하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 첨가물 및 상기 제 2 첨가물은 약산 및 약염기를 사용하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세리아 슬러리와 상기 화학적 첨가제의 혼합 비율은 1:1인 것을 특징으로 하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  12. 연마 입자, 초순수 및 분산제를 가지는 슬러리 및 화학적 첨가제를 포함하되,
    상기 화학적 첨가제에 포함되는 계면활성제가 1500 내지 200000의 분자량을 갖는 연마용 슬러리를 사용하여 소정의 기판을 연마하는 기판의 연마 방법.
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