KR20060023929A - 마그네슘 또는 마그네슘 합금 하우징 및 그 제조 방법 - Google Patents
마그네슘 또는 마그네슘 합금 하우징 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 Mg 또는 Mg 하우징은 Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면을 화성(chemical conversion)처리액과 연마제를 첨가한 액을 사용해서 습식 블래스트 처리함으로써 Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면에 화성막을 형성한다. 이에 따라, Mg 또는 Mg 합금으로 이루어지는 성형체의 표면에 간이하게 화성 처리막을 형성하고, 퍼티(putty) 도포에 의한 보정을 줄여 생산성 저하, 비용 상승을 개선하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징을 제공한다.
Mg 하우징, Mg 합금 하우징
Description
도 1은 본 발명의 실시예 1의 플로를 나타내는 공정도.
도 2는 비교예 1의 플로를 나타내는 공정도.
도 3은 본 발명의 실시예 1의 노트북 하우징의 표면 관찰 사진.
도 4는 비교예 1의 노트북 하우징의 표면 관찰 사진.
도 5의 a 내지 c는 본 발명의 실시예 1의 크로스-컷(cross-cut) 시험의 결과를 나타내는 표면 관찰 사진.
도 6의 a 내지 c는 비교예 1의 크로스-컷 시험의 결과를 나타내는 표면 관찰 사진.
도 7의 a 내지 c는 본 발명의 실시예 1의 염수 분무 시험(SST)에 의한 내식성(耐蝕性)을 평가한 표면 관찰 사진.
도 8의 a 내지 c는 비교예 1의 염수 분무 시험(SST)에 의한 내식성을 평가한 표면 관찰 사진.
본 발명은 Mg 또는 Mg 합금으로 이루어지는 성형체의 표면에 간단하게 화성(chemical conversion)처리막을 형성하고, 도장(塗裝)의 생산성을 개선하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 노트북이나 PDA 등의 모바일 기기는 휴대와 옥외에서 사용하는 기회가 많아지고 있다. 이에 따라 기기의 소형 경량 및 박형(薄型)화가 요구되고 있고, 기기의 전체 질량의 30%를 차지하는 하우징의 박형화가 필요하게 된다. 그러나 박형화의 경우, 수지 하우징에서는 충분한 강도를 유지하기가 곤란하게 되어 오고 있다. 더욱이 노트북의 MPU의 발열량은 증대하여 오고 있다. 금후, AC 구동 시에 발열량 13∼16W가 되는 것이 예정되고 있어, 높은 냉각 성능을 갖는 하우징의 개발이 급선무가 되었다.
이 문제의 해결책으로서 비강도(比强度)가 높고, 저비중, 고열전도의 Al이나 Mg 또는 Mg 합금 등의 경금속이 하우징 재료로서 주목받고 있다. 특히 Mg 또는 Mg 합금은 비중이 Al의 약 70%로 가볍고, 재생성에도 뛰어나다. Mg 또는 Mg 합금으로서는, 이미 Mg-Al-Zn계, Mg-Al-Mn계, Mg 또는 Mg-Al-Si계, Mg-Al-희토류원소(稀土類元素)(RE)계 등이 실용화되어 있고, 다이캐스팅(die casting)이나 칙소 몰딩(Thixo molding), 판금 가공 등의 수단에 의해 성형 가공하고, 계속하여 상기 성형 가공품을 화성 처리하고, 계속해서 상기 화성 처리 물건을 도장 처리해서 제품화한다. 상기에서, 다이캐스팅이란 용해 금속에 압력을 가하여 금형(金型)에 주입하여 주조하는 방법이며, 칙소 몰딩이란 반용융 또는 용융 상태에서 약 600℃의 압출기로부터 약 250℃의 금형으로 압출 성형하는 방법을 말한다.
화성 처리란, Mg 또는 Mg 합금의 표면에 내식 기능을 갖는 화성 피막을 형성하는 처리로, 6가(價) 크롬 용액을 주성분으로 하는 크롬산 용액이나 6가 크롬을 포함하지 않는 비크롬산 용액 등에 Mg 또는 Mg 합금을 침지함으로써, 상기 Mg 또는 Mg 합금의 표면에 크롬산 크롬 착염(錯鹽)의 피막(일반적으로 xCrO3ㆍyCr2O3
ㆍ2H2O나 Cr(OH)2ㆍHCrO4ㆍ2H2O 등)을 형성하는 것이다. 이 화성 처리 후, 도장 처리를 한다. 화성 처리의 방법으로는 일본국 특허공개공보 평11-131255호, 일본국 특허공개공보 2000-96255호가 제안되어 있다.
Mg 또는 Mg 합금을 소재로 하여 제품을 제조하는 경우에는 하기와 같은 문제점이 있다. 다이캐스팅이나 칙소 몰딩 등의 성형 수단에 의해 얻은 성형 가공품에는 버어(burr)가 있다. 이 버어를 제거하기 위해서는, 현재의 상태에서는, 버어를 프레스로 펀칭하거나, 절삭 등의 기계 가공으로 제거하거나, 수작업 마감처리로 제거하고 있지만, 어느 경우나 문제점이 있다. 또한, 성형 가공품에 연마용 입자를 에어(Air)로 분사하는 쇼트 블래스트(Shot blast)로 버를를 제거하는 방법도 있지만, Mg 또는 Mg 합금이나 연마용 입자의 분진이 발생하여 비산하기 쉽고, 작업성이 나쁜 문제, 분진 폭발의 위험성이 높은 문제점이 있다.
또한 상기한 화성 처리를 실시할 때는 사전 처리가 필요하다. 일반적인 화성 처리 공정은, 상기 성형 가공품을 탈지(脫脂) 처리한 후, 다시 산으로 세정 처리하고, 계속하여 성형 가공품으로부터 성형 시에 사용한 이형제(異形劑)를 제거하기 위하여 에칭 처리하고, 계속하여 성형 가공품의 표면에 크롬산 크롬 착염(錯鹽) 의 피막이 형성되기 쉽도록 표면을 광택이 나는 형상으로 연마하는 표면 조정 처리를 하여(이상의 처리가 화성 처리의 전 처리가 된다.), 계속하여 상기 성형 가공품을 상기 크롬산 용액이나 비크롬산 용액 등에 침지하여 화성 처리를 하고, 계속하여 이 화성 처리품을 수세(水洗)하고, 다시 70℃ 전후에서 건조함으로써 화성 피막을 경화하는 것이다. 이와 같이, 화성 처리의 전처리(前處理)는 탈지 처리나 세정 처리나 에칭 처리 표면 조정 처리 등, 몇 개의 공정을 행하지 않으면 안되고, 작업이 성가셔서 처리 장치가 복잡해지거나 처리 비용이 높아진다.
다이캐스팅이나 칙소 몰딩 등의 성형에 의해 제작된 성형 가공품은, 드로우, 보이드(void), 온수 흐름 흔적 등의 성형 불량 부분이 발생한다. 이 성형 불량(드로우, 보이드, 흐름 등)의 검사 시에, 상기 성형 가공품을 보기 쉽게 하기 위해서 부분적으로 수작업으로 버핑(buffing)을 하고, 그 후에 육안으로 검사를 하고 있지만, 버핑을 수작업에서 행하기 위해서, 상기 검사가 성가시다고 하는 문제점이나, 버핑하는 경우에 분진이 발생한다는 문제점이 있다. 이 버핑 등의 표면 조정을 행하는 수단으로는, 습식 블래스트 처리하는 일본국 특허공개공보 2003-284457호가 제안되어 있다. 더욱이 상기 습식 블래스트를 화성 처리의 전 처리로서 연속하여 행하는 방법으로서 일본국 특허공개공보 2000-263442호가 제안되어 있다.
상기 종래 기술은 어느 것이나 모두 화성 처리의 전처리로서 습식 블래스트를 사용하는 방법이며, 공정 회수 등은 종래의 화학 처리를 사용한 처리와 동등하고, 비용 등의 개선 효과는 작다. 또한 성형 불량품은 화성 처리 전에, 퍼티 (putty) 도포에 의한 보정이 필요하게 되고 생산성 저하, 비용 상승의 원인이 되고 있다.
본 발명은 Mg 합금으로 이루어지는 성형체의 표면에, 간이하게 화성 처리막을 형성하여 퍼티 도포에 의한 보정을 줄이고, 도장의 생산성을 개선하며, 비용 절감이 가능한 Mg 또는 Mg 합금 하우징 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 Mg 또는 Mg 하우징은, Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면을 화성 처리액과 연마재를 첨가한 액을 사용해서 습식 블래스트 처리함으로써, Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면에 화성막을 형성한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법은 Mg 또는 Mg 합금 표면에 화성 처리액과 연마재를 첨가한 액을 사용해서 습식 블래스트 처리함으로써, Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면에 블래스트에 의한 요철과 화성막을 동시에 형성한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면에 화성 처리액과 연마재를 첨가한 액을 습식 블래스트 처리하고, Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면에 블래스트에 의한 요철과 화성막을 동시에 형성함으로써, 화성 처리막을 형성하고, 퍼티 도포에 의한 보수를 줄이고, 생산성 저하와 비용을 개선할 수 있다. 즉, 화성 처리액과 연마재의 혼합액을 습식 블래스트에 의해 Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면에 분사하면, 연마제에 의해 표면이 깎이는 동시에 Mg와 화성 처리액이 반응에 의해 적당한 막 두께로 또한 치밀한 인산칼슘―인산마그네슘의 복합 피막이 생성된다. 따라서, Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면에 나내식성(裸耐蝕性), 방청성(rust prevention), 도막(塗膜) 밀착성 및 도막 내식성을 열화시키는 산화물이나 수산화물 막을 생성하지 않고, 칼슘 및 인은 화성막의 나내식성의 향상, 망간은 도막 밀착성의 향상에 기여하는 인산칼슘―인산마그네슘의 복합 피막이 가능하다. 또한 화성물의 표면의 드로우, 보이드, 흐름 등이 없어지고, 도장 전의 퍼티 수정의 필요가 없어 비용 절감이 가능해 진다.
본 발명자들은 상기한 과제를 해결하기 위해서 진지하게 연구한 결과, Mg 또는 Mg 합금으로 이루어지는 하우징의, 예를 들면 방청 처리, 도장의 전처리로서 Mg 또는 Mg 합금에 화성 처리와 습식 블래스트 처리를 동시에 함으로써 상기 문제를 해결하는 방법을 찾아냈다. 여기서 습식 블래스트 처리란, 액체와 연마제를 혼합해서 0.1∼0.3 MPa 범위의 압력으로 분사하는 처리를 한다.
본 발명에서 사용하는 화성액으로서는 칼슘 이온, 망간 이온 및 인산 이온을 포함하는 것이 바람직하고, 또한 산화 촉진제를 함유하는 수성액제와 알루미나 등의 연마재를 첨가한 액을 이용하여 습식 블래스트 처리하는 것이 바람직하다. 습식 블래스트 처리는, 하우징의 표면 연마와 화성 피막을 동시에 행하기 때문에, 형성된 피막도 연마되지만 상기한 조건을 만족시킴으로써 충분한 피막을 얻을 수 있다.
상기 연마제로서는, 알루미나, 지르코늄, 유리 및 수지로부터 선택되는 적어도 하나의 입자를 쓰는 것이 바람직하다. 또한 수지는 멜라민 수지, 요소 수지, 폴리에스테르 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지 등을 사용할 수 있다. 연마제 입자의 평균 입자 지름은 10∼300㎛의 범위가 바람직하다.
이 분사하는 화성 처리액에 쓰는 칼슘 이온원(源)으로서, 질산칼슘, 아질산칼슘, 티오황산 칼슘, 인산 2수소칼슘 등의 1종류 또는 2종류 이상을 배합할 수 있다. 또한, 망간 이온원으로서, 탄산 망간, 질산 망간, 인산수소 망간, 중인산 망간, 플루오로 붕산 망간 등의 1종류 또는 2종류 이상을 배합할 수 있다. 또한, 인산 이온원으로서 오르소(ortho)인산, 축합인산, 아인산, 차아인산 등의 1종류 또는 2종류 이상을 배합할 수 있다.
또한, 산화 촉진제로서 염소산나트륨, 차아염소산 나트륨 등을 사용할 수 있다. 이 산화 촉진제는 화성 처리 시에 Mg 또는 Mg 합금과 상기의 각 성분 이온과의 반응성을 높이고, 나내식성 등이 양호한 화성 피막을 한층 좋은 상태로 형성할 수 있다. 또한, 이 산화 촉진제의 바람직한 배합량은 상기한 성능의 화성 피막을 안정적으로 얻기 위해서 O.02∼2g/L의 범위의 비율이다.
본 발명에 있어서는, 화성 처리액과 연마재의 혼합액을 습식 블래스트에 의해 Mg 또는 Mg 합금 표면에 분사하면, 연마제에 의해 표면이 깎이는 동시에 Mg 또는 Mg와 화성 처리액이 반응에 의해 적당한 막 두께로 또한 치밀하게 인산칼슘―인산 망간의 복합 피막이 생성한다. 따라서, Mg 또는 Mg 표면에 산화물이나 수산화물의 막을 생성하지 않고 인산칼슘―인산 망간의 복합 피막을 할 수 있다. 상기 화성 처리에 의해 형성되는 복합 피막의 부착량은 Ca 중량으로 5㎎/㎡ 이상 50㎎/㎡ 이하, Mn중량으로 3㎎/㎡ 이상 25㎎/㎡ 이하, 인 중량으로 3O㎎/㎡ 이상 10O㎎/㎡ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 화성 처리액과 연마재의 비율은 화성 처리액 70∼90 질량%와 연마재 10∼30 질량%의 범위로 하는 것이 바람직하다.
Mg 또는 Mg 합금 표면에 상기한 소정량의 칼슘, 망간 및 인을 함유하도록 화성 피막이 형성됨으로써, 일정한 나내식성, 방청성, 도막 밀착성 및 도막 내식성을 유지하는 화성 피막을 얻을 수 있다. 특히, 칼슘 및 인은 화성 피막의 나내식성의 향상, 또한 망간은 도막 밀착성의 향상에 기여하는 것이라고 생각된다.
또한 연마제에 의해 Mg 또는 Mg 표면은, 연마됨으로써 Mg 또는 Mg 하우징 제품의 표면의 드로우, 보이드, 흐름 등이 없어지고, 도장 전의 퍼티 수정의 필요가 없어 비용 절감이 가능해 진다. 상기 습식 블래스트 액에 포함되는 연마제의 연마 작용에 의해, Mg 또는 Mg 합금 하우징의 표면 조도는, 10점 평균 표면 조도로 0.5㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다.
상기의 처리 공정에 계속하여, 수세하고 건조시키는 것이 바람직하다. 또한 다시 습식 블래스트 처리, 수세한 후에, 습식 블래스트 처리 시에 사용한 화성 처리액과 동등한 칼슘 이온, 망간 이온 및 인산 이온을 포함하고, 또한 산화 촉진제를 함유하는 수성액제를 샤워 분사하면 피막의 막 두께를 두껍게 할 수 있어 내식성이 향상된다.
그 후에 도장(塗裝) 처리를 실시할 수 있다. 이 도장 처리로서, 분사 도장이나 전착 도장 등의 방법에 의해 에폭시 수지 등의 도료를 밑칠하고, 다시 이것에 멜라민수지 등의 도료를 덧칠할 수 있다. 그 밖에도, 각종 수지에 의한 분체 도료를 정전(靜電) 도장할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예에 의거하여 본 발명을 더 구체적으로 설명한다.
<실시예 1>
처리 대상 부재로서, ASTM AZ 91D의 Mg 또는 Mg 합금을 칙소 몰딩해서 제작한 노트북 하우징(가로:329㎜, 세로:274㎜, 높이:2㎜)을 사용했다. 칙소 몰딩은, Mg 또는 Mg 합금을 반용융 또는 용융 상태에서 약 600℃의 압출기로부터 약 250℃의 금형에 압출 성형했다. 표면 처리 공정을 도 1에 나타낸다.
화성 처리액으로서 "그랜더파이너- MC1000"(밀리온가가꾸가부시키가이샤제 상품명, 인산 15∼25질량%, 망간 화합물 10∼15질량%, 칼슘 화합물 10∼20질량%)을 포함하는 수용액 80질량%와, 연마제로서 평균 입경 40㎛의 알루미나(마코(주)제품 상품명 "마코랜덤 A#320")을 20질량% 혼합해서 사용했다. 습식 블래스트는, 마코제품 상품명 "WFB-2-2C"를 사용하고, 압축 에어압은 O.2 MPa, 펌프압을 0.12 MPa로 하여 하우징과 노즐의 거리를 30㎜로 하고, 하우징을 40㎜/s로 공급된다. 화성 처리액, 연마제 제거를 위해 수세하여 다시 탈이온수로 수세하고, 그 후 건조시켰다.
<비교예 1>
비교예로서, 에칭한 뒤 화성 처리를 행하는 공정을 도 2에 나타낸다. 도 2의 표면 조정 1∼2는 에칭 처리를 나타낸다.
탈지제로서 "GFMg 15SX"(밀리온가가꾸가부시키가이샤제 상품명)를 사용하고, 그 액체의 온도를 70℃로 유지하고, 그 속에 전기의 Mg 또는 Mg 합금 하우징을 5분간 침지해서 탈지 처리한 뒤 수세한다. 에칭제로서 "그랜더파이너-Mg l04S"(밀 리온가가꾸가부시키가이샤제 상품명, 인산 30∼40질량%, 계면활성제 0.1질량% 미만, 잔부는 물)를 농도 5%, 액체 온도 60℃로 유지하고, 60초간 침지하여 에칭 처리한 뒤 수세한다. 그 후에 에칭 처리한 부재를, 액체 온도 60℃로 유지한 상기 "GFMg 15SX"(밀리온가가꾸가부시키가이샤제 상품명)에 7분간 침지하여 처리하고, 그 후 수세한다. 화성 처리액으로서 "그랜더파이너-MC1000"(밀리온가가꾸가부시키가이샤제 상품명, 인산 15∼25질량%, 망간화합물 10∼15질량%, 칼슘화합물 10∼20질량%)을 사용하고, 35℃로 유지해서 그 중에 상기한 바와 같이 처리한 Mg 또는 Mg 합금 하우징을 40초간 침지하여 화성 처리한 뒤 수세하고, 다시 탈이온수로 수세한뒤 건조시켰다.
실시예 1 및 비교예 1에 대해서, 외관 평가하고, 또한 Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면의 원소 부착량은 형광 X선에 의한 정량 방법에 의해 측정했다. 하우징 표면의 5개소를 상정하여 그 편차를 조사했다. 전기 저항율은, (주)다이아 인스트루먼트사제 "로레스타-MP"(4단자 2탐침 방식)으로 측정했다. 이 결과를 표 1과 도 3∼4에 나타낸다. 도 3은 비교예 1의 외관을 나타내는 사진이며, 도 4는 실시예 1의 외관을 나타내는 사진이다. 실시예 1의 외관은 균일 표면이었지만, 비교예 1의 외관은 얼룩이 보였다.
[표 1]
| 실험 번호 | 외관 | 스맷1) | 전기저항 (Ω) | 원소 부착량(㎎/㎡) | |
| Ca | P | ||||
| 실시예 1 | 도 3 | 없음 | 0.4 | 24.4±4 | 59.2±7 |
| 비교예 1 | 도 4 | 없음 | 0.7 | 70.4±35 | 112.6±27 |
비고 1: 스맷(smut)은, 가루가 부착되어서 외관불량이 되는 것을 말함.
또한 Mg 또는 Mg 합금 하우징 에폭시계의 2코트 도장(two-coat coating)(150℃에서 베이킹)을, 고온 고습 환경(60℃, 상대습도 95%RH)에 100시간 유지 후, 크로스 컷(crosscut) 시험(시료 표면에 바둑판 모양을 그려서 100개의 부분으로 구분하고, 테이프 업(tape-up)한 후의 격자 잔존수를 계수하여, 다음 기준에 의해 판단했다. 즉, 그 잔존수가 100일 때 합격, 그것 미만일 때 불합격)으로 했다.
이 결과를 실시예 1에 관해서는 도 5의 a 내지 c의 외관 사진으로 나타내고, 또 비교예 1에 관해서는 도 6의 a 내지 c의 외관 사진에 나타낸다. 도 5 및 도 6에 있어서, 「OH」는 테스트 전, 「2㎜」와 「1㎜」는 각각 크로스 컷의 크기를 나타낸다.
또한 JlS Z 2371을 따른 염수 분무 시험(SST)을 8 시간과 24 시간 실시하여 내식성을 평가했다. 이 결과를 실시예 1에 관해서는 도 7의 a 내지 c의 외관사진에 나타내고, 또 비교예 1에 관해서는 도 8의 a 내지 c의 외관 사진에 나타낸다. 도 7 및 도 8에 있어서, 「OH」는 테스트 전, 「8H」와 「24H」는 각각 시험 처리 시간을 나타낸다.
이상의 결과로부터, 실시예 1은 비교예 1에 비교하여, 균일한 색조를 얻을 수 있고 평활한 것을 확인할 수 있었다. 또한 성형품 표면의 드로우, 보이드, 흐름 등이 없어졌다. 이에 따라 처리 후에 행하는 도장의 제품 비율이 향상되고 도장 전의 퍼티 등의 보수도 필요하지 않기 때문에 비용 절감이 이루어졌다.
실시예 1은, 피막 부착량은 비교예와 비교해서 적은 물건의 편차가 작았다. 그 밖의 피막 특성인 저항, 도장성, 내식성은 실시예와 비교예에서 동등한 값을 나 타냈다.
또한 실시예 1은, 전체의 공정수가 적기 때문에 간이하게 피막 처리가 가능하여 비용 절감을 할 수 있다.
본 발명은 Mg 합금으로 이루어지는 성형체의 표면에, 간이하게 화성 처리막을 형성하여 퍼티 도포에 의한 보정을 줄이고, 도장의 생산성을 개선하며, 비용 절감을 가능하게 한다.
Claims (20)
- Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면을 화성(chemical conversion) 처리액과 연마재를 첨가한 액을 사용하여 습식 블래스트 처리함으로써, Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면에 화성막을 형성한 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징.
- 제 1 항에 있어서,상기 화성 처리에 의해 형성되는 복합 피막의 부착량은 Ca 중량으로 5㎎/㎡ 이상 50㎎/㎡ 이하, Mn 중량으로 3㎎/㎡ 이상 25㎎/㎡ 이하, 인 중량으로 30㎎/㎡ 이상 1OO㎎/㎡ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징.
- 제 1 항에 있어서,상기 화성막에는 칼슘, 망간 및 인을 함유하는 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징.
- 제 1 항에 있어서,상기 하우징의 표면 조도(粗度)는 10점 평균 표면 조도로 0.5㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징.
- 제 1 항에 있어서,상기 습식 블래스트(wet blast)처리액의 화성 처리액과 연마재의 비율은 화성 처리액 70∼90질량%, 연마재 10∼30질량%인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징.
- 제 1 항에 있어서,상기 습식 블래스트 처리는 액체와 연마제를 혼합해서 0.1∼0.3 MPa의 범위의 압력으로 분사하는 처리인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징.
- 제 1 항에 있어서,상기 연마제는 알루미나, 지르코늄, 유리 및 수지로부터 선택되는 적어도 하나의 입자인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징.
- 제 1 항에 있어서,상기 연마제 입자의 평균 입자 지름은 10∼300㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징.
- Mg 또는 Mg 합금의 표면 처리 방법으로서,Mg 또는 Mg 합금 표면에 화성 처리액과 연마재를 첨가한 액을 사용해서 습식 블래스트 처리함으로써, Mg 또는 Mg 합금 하우징 표면에 블래스트에 의한 요철과 화성막을 동시에 형성한 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 하우징의 표면 조도는 10점 평균 표면 조도로 0.5㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 습식 블래스트 처리는 액체와 연마제를 혼합해서 0.1∼0.3 MPa의 범위의 압력으로 분사하는 처리인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 연마제는 알루미나, 지르코늄, 유리 및 수지로부터 선택되는 적어도 하나의 입자인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 수지는 멜라민 수지, 요소 수지, 폴리에스테르 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지 또는 우레탄 수지인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 연마제 입자의 평균 입자 지름은 10∼300㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg합금 하우징의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 습식 블래스트 처리액에 사용하는 칼슘은 질산칼슘, 아질산칼슘, 티오황산칼슘 및 인산 2수소칼슘으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 습식 블래스트 처리액에 사용되는 망간은 탄산 망간, 질산 망간, 인산수소 망간, 중인산 망간 및 플루오로 붕산 망간으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 습식 블래스트 처리액에 사용되는 인산은 오르소(ortho) 인산, 축합 인산, 아인산, 차아인산으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 습식 블래스트 처리액에는 산화 촉진제로서 염소산나트륨 및 차아염소 산나트륨으로부터 선택되는 적어도 하나를 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 산화 촉진제의 첨가량은 O.02∼2g/L의 범위인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 습식 블래스트 처리액의 화성 처리액과 연마재의 비율은 화성 처리액 70∼90질량%, 연마재 10∼30질량% 인 것을 특징으로 하는 Mg 또는 Mg 합금 하우징의 제조 방법.
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