KR20060014481A - 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 - Google Patents
씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060014481A KR20060014481A KR1020040063032A KR20040063032A KR20060014481A KR 20060014481 A KR20060014481 A KR 20060014481A KR 1020040063032 A KR1020040063032 A KR 1020040063032A KR 20040063032 A KR20040063032 A KR 20040063032A KR 20060014481 A KR20060014481 A KR 20060014481A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- image sensor
- light
- color filter
- cmos image
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 이미지 센서에서 마이크로 렌즈 형성시에 리플로우 공정없이 이온 주입에 의해 원하는 굴절률 분포를 갖도록 하여 정밀한 광 집속 제어가 가능하도록한 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 그 구성은 반도체 기판에 형성되는 복수개의 광감지 소자들;상기 광감지 소자들 상에 형성되는 층간 절연층 그리고 상기 광감지 소자에 대응하여 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층들;상기 칼라 필터층상에 형성되는 평탄화층;상기 평탄화층상에 형성되고 이온 주입 프로파일에 따라 빛을 대응하는 광감지 소자로 집속하는 형태의 굴절률 분포를 갖는 마이크로 렌즈층을 포함한다.
CMOS 이미지 센서, 마이크로 렌즈, GRIN Lens, Implantation mask, 굴절률
Description
도 1은 종래 기술의 씨모스 이미지 센서의 단면 구성도
도 2a와 도 2b는 본 발명에 따른 이온 주입 및 확산에 의해 굴절률을 갖는 GRIN 마이크로 렌즈를 갖는 씨모스 이미지 센서의 단면 구성 및 굴절률 분포도
도 3a내지 도 3c는 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21. 하부 소자층 22. 층간 절연층
23. 칼라 필터층 24. 평탄화층
25. 마이크로 렌즈층 26. 마스크층
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 마이크로 렌즈 형성시에 리플로우 공정없이 이온 주입에 의해 원하는 굴절률 분포를 갖도록 하여 정밀한 광 집속 제어가 가능하도록한 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기적인 신호로 변환시키는 반도체 장치로써, CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 소자와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 소자로 크게 나눌 수 있다.
CMOS 이미지 센서는 조사되는 빛을 감지하는 포토 다이오드부와 감지된 빛을 전기적인 신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직 회로부로 구성되는데, 상기 포토 다이오드의 수광량이 많을수록 상기 이미지 센서의 광 감도(Photo Sensitivity) 특성이 양호해진다.
광 감도를 높이기 위해서 이미지 센서의 전체 면적중에서 포토 다이오드의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하거나, 포토다이오드 이외의 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 포토 다이오드로 집광시켜 주는 기술이 사용된다.
상기 집광 기술의 대표적인 예가 마이크로 렌즈를 형성하는 것인데, 이는 포토 다이오드 상부에 광투과율이 좋은 물질로 통상적으로 볼록형 마이크로렌즈를 만들어 입사광의 경로를 굴절시켜 보다 많은 양의 빛을 포토 다이오드 영역으로 조사하는 방법이다.
이 경우 마이크로렌즈의 광축과 수평한 빛이 마이크로렌즈에 의해서 굴절되어 광축상의 일정 위치에서 그 초점이 형성되어진다.
이하에서 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 씨모스 이미지 센서 및 그의 마이크로 렌즈 형성에 관하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술의 씨모스 이미지 센서의 단면 구성도이다.
종래 기술의 씨모스 이미지 센서는 도 1에서와 같이, 반도체 기판(도면에 도시하지 않음)에 적어도 하나 이상 형성되어 입사되는 광량에 따른 전하를 생성하는 포토 다이오드 영역들과 메탈 라인들이 형성되는 하부 소자층(Sub Layer)(11)과, 상기 하부 소자층(11)의 전면에 형성되는 층간 절연층(12)과, 층간 절연층(12)상에 형성되어 각각 특정의 파장대의 빛을 통과시키는 R,G,B의 칼라 필터층(13)과, 칼라 필터층(13)상에 형성되는 평탄화층(14)과, 평탄화층(14)상에 일정 곡률을 갖는 볼록 형태로 구성되어 대응하는 칼라 필터(13)를 투과하여 포토 다이오드 영역으로 빛을 집광하는 마이크로 렌즈(15)로 구성된다.
그리고 도면에 도시하지 않았지만, 층간 절연층내에는 포토 다이오드 영역의 이외의 부분으로 빛이 입사되는 것을 방지하기 위한 차광층(Optical Shielding Layer)이 구성된다.
그리고 광을 감지하기 위한 소자로 포토 다이오드 형태가 아니고, 포토 게이트 형태로 구성되는 것도 가능하다.
여기서, 마이크로 렌즈(15)는 집속된 빛의 초점 등의 여러 가지를 고려하여 곡률 및 형성 높이 등이 결정되는데, 폴리머 계열의 수지가 주로 사용되고, 증착 및 패터닝 그리고 리플로우 등의 공정으로 형성된다.
즉, 단위 화소의 크기와 위치, 모양, 그리고 광감지 소자의 두께, 그리고 차광층의 높이, 위치, 크기 등에 의해 결정되는 최적의 크기와 두께 그리고 곡률 반경으로 형성되어야 한다.
마이크로 렌즈 제조 공정에 있어서 가장 중요한 공정은 렌즈 사이의 이격 거리 조정(Space CD Control)과 렌즈의 곡률이다.
즉, 렌즈의 곡률을 잘 조절 함으로써 칼라 필터 어레이(Color Filter Array)를 통과한 광 신호가 광감지 소자에 도달할 수 있게 해 주어야 한다.
그러나 이와 같은 종래 기술의 CMOS 이미지 센서에 있어서 볼록 형태의 마이크로 렌즈의 경우에는 다음과 같은 문제가 있다.
종래 기술에서는 포토 레지스트를 이용해 일정한 이격 거리를 가지는 사각형 형태의 렌즈 어레이를 형성한 다음 리플로우(Reflow) 공정을 통하여 렌즈에 곡률을 갖게 만들기 때문에 렌즈 사이의 적절한 이격 거리의 확보가 어렵다.
마이크로 렌즈들 사이의 이격 거리가 정확하게 확보되지 못하면 화상 처리 작업에서 잡음이 많이 발생하거나 충분한 신호의 크기를 확보하지 못하게 된다.
또한, 이러한 반구 형태의 마이크로 렌즈의 경우 광축과 평행한 빛은 렌즈에서 굴절되어 렌즈의 대향 위치에 있는 광감지 소자에 도달되어 정상적으로 소자를 동작시키지만, 광축에 평행하지 않은 빛은 렌즈에서 굴절되어 빛이 입사되지 말아야 하는 경로의 광감지 소자에 도달하게 되어 소자가 오동작되는 경우가 발생하게 된다.
또한, 마이크로 렌즈 하부 막질의 종류 및 두께에 따라서 광감지 소자에 도달하는 광량의 차이를 발생시켜 집광 효율이 떨어지고 이로 인해 화질이 저하되는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 씨모스 이미지 센서의 문제를 해결하기 위한 것으로, 이미지 센서에서 마이크로 렌즈 형성시에 리플로우 공정없이 이온 주입에 의해 원하는 굴절률 분포를 갖도록 하여 정밀한 광 집속 제어가 가능하도록한 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서는 반도체 기판에 형성되는 복수개의 광감지 소자들;상기 광감지 소자들 상에 형성되는 층간 절연층 그리고 상기 광감지 소자에 대응하여 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층들;상기 칼라 필터층상에 형성되는 평탄화층;상기 평탄화층상에 형성되고 이온 주입 프로파일에 따라 빛을 대응하는 광감지 소자로 집속하는 형태의 굴절률 분포를 갖는 마이크로 렌즈층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 복수개의 광감지 소자들이 형성된 반도체 기판상에 층간 절연층을 형성하는 단계;상기 층간절연층상에 각각의 광감지 소자에 대응되는 칼라 필터층들을 형성하는 단계;상기 칼라 필터층들상에 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층상에 렌즈 형성용 물질층을 증착하고 이온 주입 및 확산 공정으로 광감지 소자로 집속하는 형태의 굴절률 분포를 갖는 마이크로 렌즈층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 이하에서의 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법의 바람직한 실시예에 관하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a와 도 2b는 본 발명에 따른 이온 주입 및 확산에 의해 굴절률을 갖는 GRIN 마이크로 렌즈를 갖는 씨모스 이미지 센서의 단면 구성 및 굴절률 분포도이다.
본 발명은 칼라 필터 어레이의 상단부에 형성되어 씨모스 이미지 센서의 광 감지 부분으로 빛을 집속하는 기능을 하는 마이크로 렌즈를 리플로우 공정을 통하여 일정한 곡률을 갖도록 하는 것이 아니고, 이온 주입 및 확산을 통하여 빛을 중심부로 집속하는 분포의 굴절률을 갖도록 하는 것이다.
그 구성은 도 2a에서와 같이, 반도체 기판(도면에 도시하지 않음)에 적어도 하나 이상 형성되어 입사되는 광량에 따른 전하를 생성하는 포토 다이오드 영역들과 메탈 라인들이 형성되는 하부 소자층(Sub Layer)(21)과, 상기 하부 소자층(21)의 전면에 형성되는 층간 절연층(22)과, 층간 절연층(22)상에 형성되어 각각 특정의 파장대의 빛을 통과시키는 R,G,B의 칼라 필터층(23)과, 칼라 필터층(23)상에 형성되는 평탄화층(24)과, 평탄화층(24)상에 평판 형태로 구성되고 이온 주입 프로파일에 따른 굴절률 분포를 갖고 빛을 집속하여 대응하는 칼라 필터층(23)을 거쳐 포토 다이오드 영역으로 조사하는 마이크로 렌즈(25)로 구성된다.
본 발명에 따른 마이크로 렌즈는 광 픽업(Pick-Up) 등에 주로 사용되는 GRIN(GRadient INdex) Lens를 응용한 것으로서 리플로우 공정으로 통한 곡률 제어 및 마이크로 렌지들 사이의 CD 제어의 어려움을 해결하기 위하여 이온 주입 및 확 산에 의해 굴절률이 빛을 집속하는 분포를 갖도록한 것이다.
마이크로 렌즈층의 구성 형태는 평판 구조이지만, 이온 주입 프로파일에 의해 굴절률 분포는 도 2b에서와 같다.
이와 같은 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 공정에 관하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a내지 도 3c는 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 공정은 먼저, 도 3a에서와 같이, 복수개의 광감지 소자들 예를 들면, 포토 다이오드들 및 금속 배선이 형성된 하부 소자층(21)상에 층간 절연층(22)을 형성한다.
여기서, 층간 절연층(22)은 다층으로 형성될 수도 있고, 도시되지 않았지만, 하나의 층간 절연층 형성후에 포토 다이오드 영역 이외의 부분으로 빛이 입사되는 것을 막기 위한 차광층을 형성 한후에 다시 층간 절연층이 형성된다.
이어, 층간 절연층(22)상에 수분 및 스크래치로부터 소자를 보호하기 위한 평탄화된 보호막(도면에 도시하지 않음)을 형성하고, 가염성 레지스트를 사용하여 도포 및 패터닝 공정을 진행하여 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층(23)들을 형성한다.
이어, 칼라 필터층(23)상에 초점 거리 조절 및 렌즈층을 형성하기 위한 평탄도 확보 등을 위하여 평탄화층(24)을 형성한다.
그리고 도 3b에서와 같이, 렌즈 형성용 물질층을 증착하고 렌즈 형성용 물질 층을 선택적으로 패터닝하여 사각형태의 렌즈층을 형성한다.
이어, 사각 형태의 렌즈층의 중앙부가 오픈되는 마스크층(26)을 형성하고 불순물 이온 주입 공정을 진행한다.
그리고 도 3c에서와 같이, 마스크층(26)을 제거하고 렌즈층에 주입된 불순물 이온을 확산시켜 도 2b에서와 같은 굴절률 분포를 갖는 마이크로 렌즈층(25)을 형성한다.
이와 같은 마이크로 렌즈층(25)은 렌즈의 두께에 따라 초점이 맺히는 위치가 달라지므로 원하는 곳에 광 신호를 모으기 위해서는 두께의 설정이 중요한데, 두께 설정은 리플로우에 의한 곡률 제어보다는 훨씬 용이하다.
이와 같은 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법은 마이크로 렌즈층의 굴절률 제어를 위한 곡률 형성 공정(리플로우)을 하지 않고 이온 주입 프로파일 제어에 의해 굴절률을 제어하므로 공정의 재현성 및 용이성이 확보되고, 정확한 굴절률의 제어에 의해 빛의 집속 효율을 높일 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
이와 같은 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 마이크로 렌즈를 볼록 형택 아니고, 평판 형태로 형성하므로 곡률 제어 및 렌즈들간의 이격 CD 제어의 어려움을 해결할 수 있다.
둘째, 구면 렌즈의 곡률을 이용한 집광이 아니고, 이온 주입을 통한 굴절률 조절로 정밀한 광 집속의 제어가 가능하다.
이와 같이 광의 집속 효율이 높아지는 것에 의해 칼라 필터를 통과한 빛이 포토 다이오드에 많이 오게 되므로 색상의 구현이 더욱 확실하게 된다.
Claims (5)
- 반도체 기판에 형성되는 복수개의 광감지 소자들;상기 광감지 소자들 상에 형성되는 층간 절연층 그리고 상기 광감지 소자에 대응하여 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층들;상기 칼라 필터층상에 형성되는 평탄화층;상기 평탄화층상에 형성되고 이온 주입 프로파일에 따라 빛을 대응하는 광감지 소자로 집속하는 형태의 굴절률 분포를 갖는 마이크로 렌즈층을 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서, 마이크로 렌즈층을 평판 형태인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
- 복수개의 광감지 소자들이 형성된 반도체 기판상에 층간 절연층을 형성하는 단계;상기 층간절연층상에 각각의 광감지 소자에 대응되는 칼라 필터층들을 형성하는 단계;상기 칼라 필터층들상에 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층상에 렌즈 형성용 물질층을 증착하고 이온 주입 및 확산 공정으로 광감지 소자로 집속하는 형태의 굴절률 분포를 갖는 마이크로 렌즈층을 형성 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 렌즈 형성용 물질층내에 이온을 주입하고 확산시키는 공정을 렌즈 형성용 물질층을 각각의 광감지 소자에 대응하도록 사각 형태로 패터닝한 후에 진행하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 이온 주입 공정은 사각 형태로 패터닝된 렌즈 형성용 물질층의 중앙 영역이 오픈된 마스크층을 사용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040063032A KR100672680B1 (ko) | 2004-08-11 | 2004-08-11 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| JP2004376938A JP3992713B2 (ja) | 2004-08-11 | 2004-12-27 | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 |
| DE102004062954A DE102004062954A1 (de) | 2004-08-11 | 2004-12-28 | CMOS-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US11/024,312 US7223625B2 (en) | 2004-08-11 | 2004-12-29 | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040063032A KR100672680B1 (ko) | 2004-08-11 | 2004-08-11 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060014481A true KR20060014481A (ko) | 2006-02-16 |
| KR100672680B1 KR100672680B1 (ko) | 2007-01-22 |
Family
ID=35721599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040063032A KR100672680B1 (ko) | 2004-08-11 | 2004-08-11 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7223625B2 (ko) |
| JP (1) | JP3992713B2 (ko) |
| KR (1) | KR100672680B1 (ko) |
| DE (1) | DE102004062954A1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100825805B1 (ko) * | 2007-02-13 | 2008-04-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 소자 및 그 센서 소자의 제조방법 |
| KR100923595B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2009-10-23 | 주식회사 동부하이텍 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685881B1 (ko) * | 2004-06-22 | 2007-02-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100640972B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-11-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
| EP1944808A1 (fr) * | 2007-01-15 | 2008-07-16 | Stmicroelectronics Sa | Module optique imageur destiné à être associé à un composant semi-conducteur optique et procédé pour sa fabrication. |
| FR2930372B1 (fr) * | 2008-04-18 | 2011-05-27 | St Microelectronics Sa | Element et module optique imageur pour composant semi-conducteur optique, procede pour le traitement d'un element optique imageur et appareil de captation d'images |
| KR101033384B1 (ko) | 2008-08-06 | 2011-05-09 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR101038825B1 (ko) | 2008-11-05 | 2011-06-03 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR101776955B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2017-09-08 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 |
| JP5556122B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2014-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
| KR102302594B1 (ko) | 2014-09-16 | 2021-09-15 | 삼성전자주식회사 | 고 굴절지수의 마이크로 렌즈를 갖는 이미지 센서 |
| US10488560B2 (en) * | 2018-02-13 | 2019-11-26 | Visera Technologies Company Limited | Optical elements |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213067A (ja) | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Texas Instr Kk | レンズ領域を有する固体撮像装置 |
| JPH05228946A (ja) | 1992-02-21 | 1993-09-07 | Kuraray Co Ltd | 光学部品の製造法および光学部品複製用母型 |
| JP2860001B2 (ja) | 1992-06-29 | 1999-02-24 | シャープ株式会社 | 単板式液晶プロジェクション用液晶表示素子 |
| KR100239408B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2000-01-15 | 김영환 | 고체 촬상 소자의 제조 방법 |
| KR100359768B1 (ko) | 1999-03-18 | 2002-11-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 |
| JP4107800B2 (ja) | 2000-11-15 | 2008-06-25 | 株式会社リコー | 平板状レンズの製造方法 |
| JP4882182B2 (ja) | 2001-08-08 | 2012-02-22 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP4000802B2 (ja) | 2001-09-14 | 2007-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過反射表示パネル及びこれを用いた電気光学装置 |
| JP4136374B2 (ja) | 2002-01-11 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP2003222705A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロレンズの製造方法 |
-
2004
- 2004-08-11 KR KR1020040063032A patent/KR100672680B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-12-27 JP JP2004376938A patent/JP3992713B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-28 DE DE102004062954A patent/DE102004062954A1/de not_active Withdrawn
- 2004-12-29 US US11/024,312 patent/US7223625B2/en active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100825805B1 (ko) * | 2007-02-13 | 2008-04-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 소자 및 그 센서 소자의 제조방법 |
| KR100923595B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2009-10-23 | 주식회사 동부하이텍 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100672680B1 (ko) | 2007-01-22 |
| DE102004062954A1 (de) | 2006-02-23 |
| US20060033176A1 (en) | 2006-02-16 |
| JP2006054413A (ja) | 2006-02-23 |
| US7223625B2 (en) | 2007-05-29 |
| JP3992713B2 (ja) | 2007-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100731131B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US7262072B2 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
| US6940654B1 (en) | Lens array and method of making same | |
| US7388270B2 (en) | Method of fabricating CMOS image sensor | |
| US20070120163A1 (en) | Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same | |
| KR100640972B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR100672680B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR100628235B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100648997B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100720524B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100672702B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20040000877A (ko) | 오목형 및 볼록형 마이크로렌즈를 갖는 씨모스 이미지센서및 그 제조 방법 | |
| KR100685875B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100685874B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100649004B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100672697B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100710209B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100672716B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111220 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |