KR20060006303A - Manufacturing method of al-ti alloy sputtering target for reflection layer of optical disk - Google Patents

Manufacturing method of al-ti alloy sputtering target for reflection layer of optical disk Download PDF

Info

Publication number
KR20060006303A
KR20060006303A KR1020040055239A KR20040055239A KR20060006303A KR 20060006303 A KR20060006303 A KR 20060006303A KR 1020040055239 A KR1020040055239 A KR 1020040055239A KR 20040055239 A KR20040055239 A KR 20040055239A KR 20060006303 A KR20060006303 A KR 20060006303A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sputtering target
alloy
recording medium
alloy sputtering
optical recording
Prior art date
Application number
KR1020040055239A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
나종갑
변지영
정순효
김원목
김경태
Original Assignee
키스타 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 키스타 주식회사 filed Critical 키스타 주식회사
Priority to KR1020040055239A priority Critical patent/KR20060006303A/en
Publication of KR20060006303A publication Critical patent/KR20060006303A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/266Sputtering or spin-coating layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • G11B2007/2581Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 광기록매체의 반사막을 형성하는 데 사용되는 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법으로서,주조에 의한 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타켓의 제조방법에 있어서, 상기 주형 내의 액상 Al-Ti 합금에 진동력을 인가하는 단계를 포함하여, 종래에 비하여 결정립의 크기가 더 작아지고, 제2상인 Al3Ti의 크기 감소 및 균일 분산, 결정립 크기의 미세화로 스퍼터링 시 스퍼터링 타겟 표면에서 발생하는 이상방전이 감소됨에 따라, 균일한 두께 균일도의 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟을 제조할 수 있는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조 방법을 제공한다. The present invention provides a method for manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target used to form a reflective film of an optical recording medium, the method of manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium by casting, wherein Sputtering target surface during sputtering by applying a vibration force to the liquid Al-Ti alloy, the size of the crystal grains is smaller than in the prior art, the size reduction and uniform dispersion of the second phase Al 3 Ti, and the refinement of the grain size According to the present invention, there is provided an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium capable of manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target having a uniform thickness uniformity.

광기록매체, Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟, 진동Optical record carrier, Al-Ti alloy sputtering target, vibration

Description

광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법 {MANUFACTURING METHOD OF Al-Ti ALLOY SPUTTERING TARGET FOR REFLECTION LAYER OF OPTICAL DISK}Manufacturing method of Al-Ti alloy sputtering target for reflection film formation of optical recording medium {MANUFACTURING METHOD OF Al-Ti ALLOY SPUTTERING TARGET FOR REFLECTION LAYER OF OPTICAL DISK}

도1은 본 발명에 따른 기계적 방식으로 주형에 진동력을 인가하는 모식도.1 is a schematic diagram of applying a vibration force to the mold in a mechanical manner according to the present invention.

도2는 본 발명에 따른 전자기적 방식으로 액상의 Al-Ti 합금에 전자기적으로 진동력을 인가하는 모식도.Figure 2 is a schematic diagram of applying the vibration force electromagnetically to the Al-Ti alloy of the liquid phase in an electromagnetic manner according to the present invention.

도3은 도2에 인가하는 전류의 파형을 도시한 그래프.3 is a graph showing waveforms of currents applied to FIG. 2;

도4는 도2의 전자기 방식이 적용된 주형의 형상으로 도시한 모식도.4 is a schematic diagram showing the shape of a mold to which the electromagnetic method of FIG. 2 is applied;

도5는 진동력을 인가하지 않고 단순 주조에 의한 종래 기술로 제조된 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 미세조직의 사진.Figure 5 is a photograph of the microstructure of the Al-Ti alloy sputtering target produced by the prior art by a simple casting without applying a vibration force.

도6은 도1에 도시된 방법으로 제조된 Al-Ti 합금 스퍼터링 타켓의 미세조직의 사진.Figure 6 is a photograph of the microstructure of the Al-Ti alloy sputtering target prepared by the method shown in FIG.

도7은 도2에 도시된 방법으로 제조된 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 미세조직의 사진.Figure 7 is a photograph of the microstructure of the Al-Ti alloy sputtering target prepared by the method shown in FIG.

본 발명은 광기록매체의 반사막을 형성하는 데 사용되는 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법에 관한 것으로, 특히 주조 중에 진동력을 인가하여 Al-Ti 합금에서의 제2상 입자의 크기 및 균일도와 결정립의 크기를 광기록매체 형성용 스퍼터링 타겟으로 사용하기에 적합하게 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target used to form a reflective film of an optical recording medium. In particular, the present invention relates to the size and uniformity of second phase particles in an Al-Ti alloy by applying vibration force during casting. The present invention relates to a method of controlling the size of grains to be suitable for use as a sputtering target for forming an optical recording medium.

일반적으로 상기 광기록매체의 Al-Si 합금 반사막은 Al-(1.3∼1.7wt.%)Ti를 함유한 Al 합금 타겟을 이용하여 스퍼터링 증착하여 형성된다. 스퍼터링에 의한 박막 형성에 있어서, 동일한 조성의 스퍼터링 타겟을 사용하더라도 결정립 크기와 같은 타겟의 물리적인 성질과, 제2상의 크기 및 균일도 등에 따라 스퍼터링 법으로 제조된 박막의 성질이 달라진다.In general, the Al-Si alloy reflective film of the optical recording medium is formed by sputter deposition using an Al alloy target containing Al- (1.3 to 1.7 wt.%) Ti. In the formation of a thin film by sputtering, even if a sputtering target having the same composition is used, the properties of the thin film manufactured by the sputtering method vary depending on the physical properties of the target such as grain size, the size and uniformity of the second phase, and the like.

미국특허공보 제 5,809,393 호는 스퍼터링 타겟의 결정립의 크기가 성막된 박막의 두께 균일도에 미치는 영향에 대하여 개시하고 있다. 미국특허공보 제 5,809,393 호에 의하면, 스퍼터링 타겟의 평균 결정립 크기가 110㎛ 이하가 되면 ±1% 범위로 두께 균일도를 얻을 수 있으나 130㎛ 범위에서는 ±1.5%, 150㎛에서는 ±2.2%가 된다고 기재되어 있다. 또한, 스프레이 포밍 (spray forming) 방법으로 제조된 스퍼터링 타겟의 결정립 크기는 20㎛ 이하로 되며, 여기에 ECAE (Equal Channel Angular Extrusion) 강가공 공정을 추가하면 1㎛ 정도까지 결정립 크기를 감소시킬 수 있다고 한다. 나아가, 미국특허공보 제 6,428,638 에 따르면, Al 합금의 경우 소성가공속도를 초당 100% 이상으로 하면 결정립 크기를 20㎛ 이하로 할 수 있고, 초당 6,000%인 경우 2㎛까지 결정립 크기를 감소시킬 수 있다고 한다. U.S. Patent No. 5,809,393 discloses the effect of the size of the grains of the sputtering target on the thickness uniformity of the deposited thin film. According to U.S. Patent No. 5,809,393, when the average grain size of the sputtering target is 110 µm or less, thickness uniformity can be obtained in a range of ± 1%, but it is ± 1.5% in the range of 130 µm and ± 2.2% in 150 µm. have. In addition, the grain size of the sputtering target manufactured by the spray forming method is 20 μm or less, and adding an ECAE (Equal Channel Angular Extrusion) steel processing process can reduce the grain size to about 1 μm. do. Furthermore, according to U.S. Patent No. 6,428,638, in the case of Al alloy, when the plastic working speed is 100% or more per second, the grain size can be 20 µm or less, and in the case of 6,000% per second, the grain size can be reduced to 2 µm. do.

그러나, 스프레이 포밍 공정법만에 의하거나, 스프레이 포밍 공정법과 ECAE 공정을 결합한 방법에 의하거나, 고속 소성가공 방법에 의하는 경우에, 결정립 크기가 작은 고품질의 Al 합금 스퍼터링 타겟을 제조할 수는 있지만, 단순 주조에 비해서는 고가의 부가적인 장비가 필요하여 스퍼터링 타겟의 가격을 상승시키는 문제점을 안고 있었다. 또한, 스프레이 포밍 공정은 금속 액상을 아토마이징 하여 형성되는 액적(droplet)을 기판에 적층하여 원재료를 제조하므로 액적의 비산에 의한 원재료 손실이 큰 문제점을 아울러 갖고 있었다.However, high quality Al alloy sputtering targets with small grain size can be produced by spray forming process alone, by combining spray forming process and ECAE process, or by high speed plastic working. As a result, the cost of the sputtering target was increased due to the need for expensive additional equipment compared to the simple casting. In addition, in the spray forming process, since droplets formed by atomizing a metal liquid are stacked on a substrate to prepare raw materials, the spray forming process has a large problem of loss of raw materials due to scattering of droplets.

한편, 미국특허공보 제 6,206,958 호는 스퍼터링 타겟 제2상 입자의 크기가 성막된 박막의 조성에 미치는 영향에 대하여 개시하고 있다. 이 공보에 따르면, 초정으로 생성된 바늘 형상의 Al3Ti 금속간 화합물의 크기가 200㎛ 보다 크면, 성막된 박막의 조성이 본래의 스퍼터링 타겟의 조성과 달라지므로, 스퍼터링 타겟 내 Al3Ti의 크기는 200㎛ 보다 작아야 한다고 한다. 따라서, 스퍼터링 타겟 내 Al3Ti의 크기를 200㎛ 보다 작게 하는 방안을 강구할 필요가 있다.On the other hand, US Patent No. 6,206,958 discloses the effect of the size of the sputtering target second phase particles on the composition of the formed thin film. According to this publication, if the size of the needle-shaped Al 3 Ti intermetallic compound formed by primary is larger than 200 μm, the composition of the deposited thin film is different from that of the original sputtering target, and thus the size of Al 3 Ti in the sputtering target. Should be less than 200 μm. Therefore, it is necessary to find a way to make the size of Al 3 Ti in the sputtering target smaller than 200 μm.

미국특허공보 제 6,206,958 호와 일본특허공개공보 특개평 제 12-178723 호는 단순 주조법으로 제조된 스퍼터링 타겟을 제조하는 것에 대하여 개시하고 있다. 그러나, 이와 같은 단순 주조법은 금속간 화합물의 조대화가 일어나 제2상의 균일도가 낮아지는 문제점을 갖고 있었다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 액상선 온도가 960℃로 알려져 있는 (티.비.마살스키(T.B. Masalski)의 Binary Phase Diagram, Vol. 1, ASM (1986) 제175면 참조) Al-1.5wt.%Ti 합금을 액상에서 고체 상태로 변화시키기 위해 온도를 낮추면, 960℃에서 초정으로 Al3Ti 금속간 화합물이 생성되 고, 고체/액체의 공존영역을 거쳐 660℃에 이르면 응고가 완료된다. 이 때, Al-1.5wt.%Ti 합금의 고체/액체의 공존영역의 응고 구간은 다른 Al 합금에 비하여 2배 내지 3배 정도 길기 때문에, 긴 응고 구간을 통과하는 중에 Al3Ti 금속간 화합물의 조대화가 일어나고, Al3Ti의 밀도가 액상의 합금 밀도인 2.3g/cm3 보다 큰 3.38g/cm3로 됨에 따라 응고 중에 중력에 의하여 주형의 바닥으로 침강하게 되고, 제조된 스퍼터링 타겟 내 제2상의 균일도가 낮아지는 문제점을 갖고 있었다.US Patent No. 6,206,958 and Japanese Patent Laid-Open No. 12-178723 disclose the manufacture of sputtering targets produced by a simple casting method. However, such a simple casting method has a problem in that coarsening of the intermetallic compound occurs and the uniformity of the second phase is lowered. More specifically, for example, the liquidus temperature is known as 960 ° C. (see Binary Phase Diagram of TB Masalski, Vol. 1, ASM (page 1986), page 175) Al-1.5 When the temperature is lowered to change the wt.% Ti alloy from the liquid phase to the solid state, Al 3 Ti intermetallic compounds are formed at 960 ° C. initially, and solidification is completed when the temperature reaches 660 ° C. through the coexistence area of the solid / liquid. . At this time, Al-1.5wt.% Of the co-coagulation segment region of the solid / liquid of the Ti alloy is of the Al 3 Ti intermetallic compound in passing through the long solidification period is longer approximately two to three times as compared to other Al-alloy the conversation is taking place within the tank, the density of the Al 3 Ti and the sedimentation to the bottom of the mold by gravity during the solidification of the liquid alloy as the density of 2.3g / cm 3 greater 3.38g / cm 3 than that of the produced sputtering target The uniformity of the two phases was lowered.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서,간단하고도 경제적인 방법으로 성막된 광기록매체의 Al-Ti 합금 반사막의 조성 및 두께의 균일성을 향상시킬 수 있는, 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타켓의 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, the optical recording, which can improve the uniformity of the composition and thickness of the Al-Ti alloy reflective film of the optical recording medium formed in a simple and economic way It is an object of the present invention to provide a method for producing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of a medium.

본 발명은 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 주조에 의한 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타켓의 제조방법에 있어서, 상기 주형 내의 액상 Al-Ti 합금에 진동력을 인가하는 단계를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법을 제공한다.The present invention provides a method of manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium by casting, in order to achieve the object as described above, applying a vibration force to the liquid Al-Ti alloy in the mold To; It provides a method of manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium, characterized in that it comprises a.

이는, 액상 Al-Ti 합금에 열 전달 및 물질 전달을 촉진함으로써, 초정으로 생성된 제2상 입자인 Al3Ti가 성장되는 것을 억제하고, 상기 입자가 밀도차에 의하여 주형 하부로 침강되어 제조된 주조 타켓 내 제2상 입자의 균일도가 저하되는 것을 방지하고, 결정립의 크기를 미세화 하기 위함이다.This promotes heat transfer and mass transfer to the liquid Al-Ti alloy, thereby suppressing the growth of Al 3 Ti, which is a second phase particle produced by primary crystals, and allowing the particles to settle under the mold due to density differences. This is to prevent the uniformity of the second phase particles in the casting target from decreasing and to refine the size of the crystal grains.

여기서, 상기 주형에 대한 진동력은 주형의 측벽이나 바닥벽을 기계적으로 진동하여 수평 또는 수직 방향으로 액상 Al-Ti합금에 진동이 발생하도록 하는 것이 바람직하다.Here, the vibration force for the mold is to mechanically vibrate the side wall or the bottom wall of the mold to cause vibration in the liquid Al-Ti alloy in the horizontal or vertical direction.

한편, 상기 주형의 측벽 외부에 형성된 솔레노이드 코일을 더 포함하여 구성되어, 상기 솔레노이드 코일에 전류를 인가함으로써 유도되는 전자기력에 의하여 상기 주형에 대하여 진동력을 발생시킬 수도 있다.On the other hand, it further comprises a solenoid coil formed on the outside of the side wall of the mold, it is possible to generate a vibration force for the mold by the electromagnetic force induced by applying a current to the solenoid coil.

이 때, 상기 솔레노이드 코일은 상기 주형을 감싸도록 형성된 것이 효과적이며, 코일의 감긴 방향은 임의로 할 수 있다. At this time, the solenoid coil is effectively formed to surround the mold, the winding direction of the coil can be arbitrarily.

또한, 상기 진동력은 상기 솔레노이드 코일에 교류 전류량 20-80A을 가하여 전자기적 방식에 의하여 인가되는 것이 바람직하다.In addition, the vibration force is preferably applied by an electromagnetic method by applying an alternating current amount of 20-80A to the solenoid coil.

그리고, 상기 진동력은 0.2 mm 내지 2.0 mm의 진폭으로 인가되는 것이 효과적이다. In addition, the vibration force is effective to be applied in an amplitude of 0.2 mm to 2.0 mm.

또한, 상기 주형의 측벽은 단열재로 형성된 것이 바람직하다.In addition, the side wall of the mold is preferably formed of a heat insulating material.

그리고, 상기 Al-Ti 합금은 Al-(1.3~1.7wt.%)Ti 합금인 것이 효과적이다.In addition, the Al-Ti alloy is an Al- (1.3 ~ 1.7 wt.%) Ti alloy is effective.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 실시예를 상술하기로 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은, 단순 주조법에 의하여 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟을 제조하는 경 우에는, 전술한 긴 응고 구간으로 인하여, Al3Ti 금속간 화합물의 조대화가 일어나고, Al3Ti의 밀도가 액상의 합금 밀도인 2.3g/cm3 보다 큰 3.38g/cm3로 됨에 따라 응고 중에 중력에 의하여 주형의 바닥으로 침강하게 되고, 제조된 스퍼터링 타겟 내 제2상의 균일도가 낮아지는 것을 방지하기 위하여, 냉각 속도를 종래보다 촉진시키는 수단을 제시한다. 이를 통해, 상기 Al-Ti합금의 제2상의 핵생성 구동력을 크게 하거나, 응고를 빠르게 진행시켜 생성된 입자가 바닥으로 침강하는 것을 방지할 수 있게 된다. In the present invention, when the Al-Ti alloy sputtering target is manufactured by a simple casting method, coarsening of the Al 3 Ti intermetallic compound occurs due to the long solidification section described above, and the density of Al 3 Ti is a liquid alloy. density of 2.3g / cm 3 and more by gravity during solidification as a large 3.38g / cm 3 sedimentation to the bottom of the mold, the cooling rate in order to prevent the produced sputtering target within the second on the uniformity is lowered The present invention proposes a means for promoting the present invention. Through this, it is possible to increase the nucleation driving force of the second phase of the Al-Ti alloy, or to accelerate the solidification to prevent the generated particles from settling to the bottom.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 주형 내의 액상의 Al-Ti 합금에 기계적인 또는 전자기적인 진동력을 가함으로써, 액상에서의 열전달 및 물질 전달을 촉진함으로써 초정으로 생성된 제2상 입자인 Al3Ti가 성장되는 것을 억제하고, 상기 입자가 밀도차에 의하여 주형 하부로 침강하여 제조된 주조 타켓 내의 제2상 입자의 균일도를 향상시킨다. 이 때, 주형을 진동시키는 방식은 기계적으로도 할 수 있으며, 전자기적으로도 할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, by applying a mechanical or electromagnetic vibration force to the liquid Al-Ti alloy in the mold, by promoting the heat transfer and mass transfer in the liquid phase Al 3 Al of the primary phase produced It suppresses the growth of Ti and improves the uniformity of the second phase particles in the cast target produced by sedimenting the particles to the lower part of the mold by the density difference. At this time, the method of vibrating the mold can be done mechanically and electromagnetically.

도 1은 본 발명에 따른 기계적 방식으로 주형에 진동력을 인가하는 모식도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 액상의 Al-Ti 합금을 주형에 붓는 것과 동시에 진동 모터(미도시)를 이용하여 수냉동판(1)을 진동시키면서 응고시킨다. 이 때, 수냉동판(1)의 진동은 수직 방향(4) 또는 수평 방향(5) 중 어느 쪽으로 해도 무방하며, 두 방향이 혼합되어도 무방하다. 1 is a schematic diagram of applying a vibration force to the mold in a mechanical manner according to the present invention. As shown in the figure, the liquid Al-Ti alloy is poured into the mold and solidified while vibrating the water cooling plate 1 using a vibration motor (not shown). At this time, the vibration of the water cooling plate 1 may be in either the vertical direction 4 or the horizontal direction 5, and the two directions may be mixed.

이와 같은 기계적 방식에 의하여 진동력을 인가하는 경우에, 주형에 대한 진 동력은 진폭 0.2~2.0 ㎜ 범위에서 인가되는 것이 바람직하다. 이는, 진폭이 0.2mm 미만이면 진동의 효과가 미미하여 제2상 입자 및 결정립 크기의 감소 효과가 충분하지 않고, 진폭이 2.0mm 초과하면 Al-Ti 합금 주조품과 주형과의 계면이 평활하지 않기 때문이다. 한편, 진동 주파수가 제2상 입자 및 결정립 크기의 감소 효과에 미치는 영향은 진폭에 비하여 미약하므로, 진동 주파수의 범위는 제한되지 않는 것이 효과적이다.In the case of applying the vibration force by such a mechanical method, the vibration power for the mold is preferably applied in the range of 0.2 ~ 2.0 mm amplitude. This is because when the amplitude is less than 0.2 mm, the effect of vibration is insignificant and the effect of reducing the second phase particles and grain size is not sufficient, and when the amplitude is more than 2.0 mm, the interface between the Al-Ti alloy casting and the mold is not smooth. . On the other hand, since the influence of the vibration frequency on the reduction effect of the second phase particles and grain size is weak compared to the amplitude, it is effective that the range of the vibration frequency is not limited.

도 2는 본 발명에 따른 전자기적 방식으로 액상의 Al-Ti 합금에 전자기적으로 진동력을 인가하는 모식도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 솔레노이드 코일(21)에 도3과 같은 교류/직류 혼합파형(27)을 갖는 전류를 인가하면, 솔레노이드 코일(21)이 감싸고 있는 금속 도체(26)에 직류 성분에 대응하는 자기력 BDC(23)와 교류 성분에 대응하는 자기력 BAC(22)가 유도된다. 이에 따라 BAC(22)에 수직한 방향으로 교류 JAC(24)가 유도되어 최종적으로 플레밍의 왼손 법칙에 따라 진동력(25)이 발생된다. 도면 부호 28은 솔레노이드 코일과 주형을 결합한 상태를 도시한 개략도이고, 이 경우 수냉동판에 수평 방향으로 진동력이 가해진다. Figure 2 is a schematic diagram of applying the vibration force electromagnetically to the liquid Al-Ti alloy in an electromagnetic manner according to the present invention. As shown in FIG. 2, when a current having an AC / DC mixed waveform 27 as shown in FIG. 3 is applied to the solenoid coil 21, the DC component is applied to the metal conductor 26 that the solenoid coil 21 wraps. A corresponding magnetic force B DC 23 and a magnetic force B AC 22 corresponding to the alternating current component are induced. Accordingly, AC J AC 24 is induced in a direction perpendicular to B AC 22, and finally a vibration force 25 is generated according to Fleming's left hand law. Reference numeral 28 is a schematic diagram showing a state in which the solenoid coil and the mold are coupled, in which case the vibration force is applied to the water cooling plate in the horizontal direction.

상기 전자기적 방식에 의하여 액상의 합금에 직접 진동력을 인가하는 경우에 있어서, 주형의 측벽(2)에 외부에 설치된 솔레노이드 코일(21)에 교류 전류량 20~80A을 가하여 전자기적 방식에 의하여 인가되는 것이 바람직하다. 이는, 전류량이 20A 미만이면 진동의 효과가 미미하여 제2상 입자 및 결정립 크기의 감소 효과가 충분하지 않으며, 전류량이 2.0mm 초과하면 용탕의 유동이 너무 심하게 되어 Al-Ti 합금 주조품과 주형과의 계면이 평활하지 않기 때문이다. 또한, 기계적 진동 방식과 마찬가지로, 제2상 입자 및 결정립 크기의 미세화의 관점에서 볼 때 진동 주파수의 영향은 미미하므로, 특별히 제한되지 않는 것이 효과적이다. 이 때, 전류량이나 진동 주파수는 상용 인버터에 의하여 조절될 수 있다.In the case of directly applying a vibration force to the liquid alloy by the electromagnetic method, an alternating current amount of 20 to 80 A is applied to the solenoid coil 21 provided on the outside of the side wall 2 of the mold and applied by the electromagnetic method. It is preferable. If the amount of current is less than 20A, the effect of vibration is insignificant, and the effect of reducing the size of the second phase particles and grains is not sufficient, and if the amount of current exceeds 2.0mm, the flow of the melt becomes too severe and the interface between the Al-Ti alloy casting and the mold Because it is not smooth. In addition, similarly to the mechanical vibration method, the influence of the vibration frequency is insignificant from the viewpoint of miniaturization of the second phase particles and the grain size, and therefore, it is effective that it is not particularly limited. At this time, the current amount or the vibration frequency can be adjusted by a commercial inverter.

한편, 솔레노이드 코일(21)의 감는 방향에 따라서 도면 부호 29로 표시된 진동 방향이 변경될 수 있다. 그리고, 도1 및 도2의 진동을 수반한 용융 Al-Ti 합금의 응고에 있어서, 상기 주형의 측벽(2)은 단열재로 이루어지는 것이 바람직하다. 이는, 주형의 측벽(2) 또는 그 주위에 단열재를 설치하면 합금의 일방향 응고가 가능하므로, 합금이 액상에서 고상으로 전환될 때 마지막으로 응고되는 중앙부에 응고 수축공이 발생하여 움푹 파인 형상으로 되는 것을 방지하기 위함이다. 따라서, 단열재로 주형의 측벽(2)이 형성된 경우에는, 합금의 고상/액상 계면이 수냉동판(1)에 평행하게 형성되어 응고가 수냉동판(1) 위쪽으로 진행하며, 이에 따라 응고 수축공의 발생이 억제되어 제조된 주조품의 상부는 평활하게 된다. Meanwhile, the vibration direction indicated by reference numeral 29 may be changed according to the winding direction of the solenoid coil 21. In the solidification of the molten Al-Ti alloy accompanied with the vibrations of Figs. 1 and 2, the side wall 2 of the mold is preferably made of a heat insulating material. This is because if the heat insulating material is installed on the side wall 2 of the mold or around it, one-way solidification of the alloy is possible, so that a solidification shrinkage hole is formed at the center of the last solidification when the alloy is converted from a liquid phase to a solid state, thereby forming a hollow shape. This is to prevent. Therefore, when the side wall 2 of the mold is formed of a heat insulating material, the solid / liquid interface of the alloy is formed parallel to the water cooling plate 1 so that solidification proceeds above the water cooling plate 1, whereby The occurrence is suppressed and the upper part of the manufactured casting becomes smooth.

한편, 일방향 응고의 경우에 있어서도, 대기와 접하는 용융 합금의 표면이 응고됨으로써 표면 직하에 응고 수축공이 발생될 가능성이 있지만, 본 발명은, 용융 합금의 표면으로의 열 및 물질 전달에 의하여 표면에서의 바람직하지 않은 응고가 효과적으로 방지되거나 최소한으로 유도할 수 있다는 장점을 갖는다. On the other hand, even in the case of unidirectional solidification, solidification shrinkage pores may be generated directly under the surface by solidification of the surface of the molten alloy in contact with the atmosphere. However, the present invention is directed at the surface by heat and mass transfer to the surface of the molten alloy. Undesired coagulation has the advantage that it can be effectively prevented or at least induced.

실시예Example 1 One

Al-(1.3~1.7wt.%)Ti 합금 3kg을 알루미나 도가니로 이루어진 고주파 유도 용해로에 장입하여 진공 분위기 하 온도 1050~1100℃ 범위에서 용해하였다. 그리고, 도 1에 개략적으로 도시된 형상의 주형을 진동 모터(미도시)를 이용하여 기계적으로 진동시켰다. 이 때, 진동 주파수는 10~60 ㎐ 범위로, 진폭은 0.1~5 ㎜ 범위로 변화시켰다. 또한 진동방향도 주형기준으로 상하 또는 좌우로 변화시켰다. 그 결과 10~60 ㎐ 범위의 진동주파수에서는 주파수의 영향은 거의 관찰되지 않았고, 진폭이 0.2~2.0 ㎜ 범위에서 초정 Al3Ti 및 결정립의 평균 크기는 100 ㎛ 이하가 되었으며, 이에 따라 제조된 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 미세 조직의 사진을 도6으로부터 확인할 수 있다. 3 kg of Al- (1.3-1.7 wt.%) Ti alloy was charged into a high frequency induction melting furnace made of alumina crucible and dissolved in a temperature range of 1050 to 1100 ° C. under vacuum atmosphere. And, the mold of the shape shown schematically in FIG. 1 was mechanically vibrated using a vibration motor (not shown). At this time, the vibration frequency was changed in the range of 10 to 60 Hz, and the amplitude was in the range of 0.1 to 5 mm. In addition, the vibration direction was changed up and down or left and right on the basis of the mold. As a result, the frequency effect was hardly observed at the vibration frequency in the range of 10 to 60 kHz, and the average size of primary Al 3 Ti and grains was less than 100 μm in the amplitude range of 0.2 to 2.0 mm. Photographs of the microstructure of the Ti alloy sputtering target can be seen from FIG. 6.

한편, 도5는 진동력을 인가하지 않고 단순 주조에 의한 종래 기술로 제조된 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 미세조직의 사진으로, 도6에 비하여 Al3Ti 및 결정립의 크기가 더 큰 것을 확인할 수 있다. On the other hand, Figure 5 is a photograph of the microstructure of the Al-Ti alloy sputtering target produced in the prior art by a simple casting without applying a vibration force, it can be seen that the size of Al 3 Ti and grains are larger than that of FIG. have.

실시예Example 2 2

실시예 1에서와 마찬가지로, Al-(1.3~1.7wt.%)Ti 합금 3kg을 알루미나 도가니로 이루어진 고주파 유도 용해로에 장입하여 진공 분위기 하에서 온도 1050~1100℃ 범위에서 용해하고, 도 2에 도시된 바와 같이, 주형 주위에서 전자기력을 가하여 액상의 합금에 직접적으로 진동력을 가하였다. 이 때, 진동주파수는 5~60 ㎐ 범위로, 인가전류는 10~100A 범위로 하였다. As in Example 1, 3 kg of an Al- (1.3-1.7 wt.%) Ti alloy was charged into a high frequency induction melting furnace made of alumina crucible and dissolved at a temperature in the range of 1050 to 1100 ° C. under a vacuum atmosphere, as shown in FIG. 2. Similarly, electromagnetic force was applied around the mold to directly vibrate the liquid alloy. At this time, the vibration frequency was in the range of 5 to 60 Hz, and the applied current was in the range of 10 to 100 A.

그 결과, 주파수 보다는 전류량에 변화에 따라 초정 및 결정립의 크기가 변화하였으며, 보다 구체적으로는, 전류량이 20~80A 범위에서 초정 Al3Ti 및 결정립의 평균 크기는 100 ㎛ 이하가 되었다. 도7에는 진동 주파수 30 ㎐, 전류량 50A로 전 자기 진동을 인가했을 때 얻어진 Al-(1.3~1.7wt.%)Ti 합금의 미세조직을 나타내었으며, 이는, 진동력을 인가하지 않고 단순 주조에 의한 종래 기술로 제조된 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 미세조직(도5)보다 Al3Ti 및 결정립의 크기가 더 작은 것을 확인할 수 있다. As a result, the size of primary crystals and grains was changed according to the change in the amount of current rather than frequency, and more specifically, the average size of primary Al 3 Ti and crystal grains was 100 μm or less in the range of 20 to 80 A. Fig. 7 shows the microstructure of Al- (1.3 ~ 1.7wt.%) Ti alloy obtained when electromagnetic vibration was applied at a vibration frequency of 30 Hz and a current amount of 50 A, which was obtained by simple casting without applying vibration force. It can be seen that the size of Al 3 Ti and grains is smaller than the microstructure of the Al-Ti alloy sputtering target prepared in the prior art (FIG. 5).

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절히 변경 가능한 것이다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described above by way of example, the scope of the present invention is not limited to these specific embodiments, and may be appropriately changed within the scope described in the claims.

예컨대, 본 발명에 따른 제조방법에 대한 기술적 사상은, 광기록매체 반사막용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟뿐만 아니라 금속간 화합물 등의 제2상 입자가 나타나는 합금계에도 동일하게 적용될 수 있다. 즉, Al에 Si, Zr, Ti, W, Pt, Au, Nb, Re, Sc, Co, Mo, Hf 원소 등이 첨가된 합금계의 스퍼터링 타겟을 제조할 때도 진동의 인가로 보다 양질의 스퍼터링 타겟을 보다 저렴하게 제조할 수 있다. 따라서, 단순히 대상 합금계나 진동 조건에 대한 수치의 한정 또는 변경은 특허청구범위로부터 파악되는 본 발명의 보호 범위에 속하는 것이다.For example, the technical idea of the manufacturing method according to the present invention can be equally applied to an alloy system in which a second phase particle such as an intermetallic compound, as well as an Al-Ti alloy sputtering target for an optical recording medium reflective film. That is, even when producing an alloy-based sputtering target in which Si, Zr, Ti, W, Pt, Au, Nb, Re, Sc, Co, Mo, Hf elements, etc. are added to Al, a higher quality sputtering target can be obtained by applying vibration. It can be produced cheaper. Therefore, the limitation or change of the numerical value about the target alloy system or vibration condition is simply within the protection scope of the present invention as grasped from the claims.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조 방법에 따르면, Al-(1.3~1.7wt.%)Ti 합금 액상의 응고 중 진동을 부여하는 방법으로 주조공정을 개선함으로써, 종래에 비하여 결정립의 크기가 더 작아지고, 제2상인 Al3Ti의 크기 감소 및 균일 분산, 결정립 크기의 미세화로 스 퍼터링 시 스퍼터링 타겟 표면에서 발생하는 이상방전이 감소됨에 따라, 균일한 두께 균일도의 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟을 제조할 수 있는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조 방법을 제공한다. As described above, according to the method for manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium according to the present invention, a method of imparting vibration during solidification of an Al- (1.3 to 1.7 wt.%) Ti alloy liquid phase By improving the casting process, the grain size is smaller than in the prior art, and the abnormal discharge occurring on the surface of the sputtering target during sputtering is reduced due to the size reduction, uniform dispersion, and refinement of the grain size of Al 3 Ti as the second phase. Accordingly, a method of manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium capable of producing an Al-Ti alloy sputtering target having a uniform thickness uniformity is provided.

Claims (10)

주조에 의한 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타켓의 제조방법에 있어서, In the manufacturing method of the Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium by casting, 상기 주형 내의 액상 Al-Ti 합금에 진동력을 인가하는 단계를;Applying a vibration force to the liquid Al-Ti alloy in the mold; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.A method of manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium, comprising: 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 주형에 대한 진동력은 주형의 벽면을 기계적으로 진동함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.The vibration force for the mold is a method of manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium, characterized in that the vibration of the mold wall surface mechanically. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 벽면은 상기 주형의 측벽인 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.And the wall surface is a side wall of the mold. 10. A method of manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 벽면은 상기 주형의 바닥벽인 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.And the wall surface is a bottom wall of the mold. 10. A method of manufacturing an Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주형의 측벽 외부에 형성된 솔레노이드 코일을 더 포함하여 구성되어, 상기 솔레노이드 코일에 전류를 인가함으로써 유도되는 전자기력에 의하여 상기 주형에 대하여 진동력을 발생시키는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.It further comprises a solenoid coil formed on the outside of the side wall of the mold, and generates a vibration force for the mold by the electromagnetic force induced by applying a current to the solenoid coil, Al for forming a reflective film of the optical recording medium -Ti alloy sputtering target manufacturing method. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 솔레노이드 코일은 상기 주형을 감싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.And the solenoid coil is formed to surround the mold, wherein the Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium is formed. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 진동력은 상기 솔레노이드 코일에 교류 전류량 20-80A을 가하여 전자기적 방식에 의하여 인가되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.The vibration force is applied to the solenoid coil by applying an alternating current amount of 20-80A, the manufacturing method of the Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of the optical recording medium, characterized in that applied. 제 2항 또는 제 5항에 있어서,The method according to claim 2 or 5, 상기 진동력은 0.2 mm 내지 2.0 mm의 진폭으로 인가되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.The vibration force is applied to the Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of an optical recording medium, characterized in that applied in an amplitude of 0.2 mm to 2.0 mm. 제 2항 또는 제 5항에 있어서,The method according to claim 2 or 5, 상기 주형의 측벽은 단열재로 형성된 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.The sidewall of the mold is formed of a heat insulating material, characterized in that the Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of the optical recording medium. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 Al-Ti 합금은 Al-(1.3~1.7wt.%)Ti 합금인 것을 특징으로 하는 광기록매체의 반사막 형성용 Al-Ti 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.The Al-Ti alloy is Al- (1.3 ~ 1.7wt.%) Ti alloy manufacturing method of the Al-Ti alloy sputtering target for forming a reflective film of the optical recording medium, characterized in that.
KR1020040055239A 2004-07-15 2004-07-15 Manufacturing method of al-ti alloy sputtering target for reflection layer of optical disk KR20060006303A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040055239A KR20060006303A (en) 2004-07-15 2004-07-15 Manufacturing method of al-ti alloy sputtering target for reflection layer of optical disk

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040055239A KR20060006303A (en) 2004-07-15 2004-07-15 Manufacturing method of al-ti alloy sputtering target for reflection layer of optical disk

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060006303A true KR20060006303A (en) 2006-01-19

Family

ID=37118015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040055239A KR20060006303A (en) 2004-07-15 2004-07-15 Manufacturing method of al-ti alloy sputtering target for reflection layer of optical disk

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060006303A (en)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01186240A (en) * 1988-01-20 1989-07-25 Tsuchiyoshi Sangyo Shokai:Kk Reduced pressure vibration casting method
KR930002289U (en) * 1991-07-31 1993-02-25 포항제철 주식회사 Vibration Casting Tester
JPH05335271A (en) * 1992-06-03 1993-12-17 Mitsubishi Kasei Corp Sputtering target and manufacture thereof as well as wiring of electronic device
JPH08103859A (en) * 1994-09-30 1996-04-23 Ube Ind Ltd Formation of half-melting metal
KR970023667A (en) * 1995-10-05 1997-05-30 이정성 Manufacturing method of alloy for sputtering target used in manufacturing thin film transistor liquid crystal display device
JPH10137904A (en) * 1996-09-12 1998-05-26 Fuji Photo Film Co Ltd Production of supporting body for planographic printing plate
US6253831B1 (en) * 1997-04-28 2001-07-03 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Casting process for producing metal matrix composite
KR20030094919A (en) * 2002-06-10 2003-12-18 한국기계연구원 A process and an apparatus for casting alloy using vibration

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01186240A (en) * 1988-01-20 1989-07-25 Tsuchiyoshi Sangyo Shokai:Kk Reduced pressure vibration casting method
KR930002289U (en) * 1991-07-31 1993-02-25 포항제철 주식회사 Vibration Casting Tester
JPH05335271A (en) * 1992-06-03 1993-12-17 Mitsubishi Kasei Corp Sputtering target and manufacture thereof as well as wiring of electronic device
JPH08103859A (en) * 1994-09-30 1996-04-23 Ube Ind Ltd Formation of half-melting metal
KR970023667A (en) * 1995-10-05 1997-05-30 이정성 Manufacturing method of alloy for sputtering target used in manufacturing thin film transistor liquid crystal display device
JPH10137904A (en) * 1996-09-12 1998-05-26 Fuji Photo Film Co Ltd Production of supporting body for planographic printing plate
US6253831B1 (en) * 1997-04-28 2001-07-03 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Casting process for producing metal matrix composite
KR20030094919A (en) * 2002-06-10 2003-12-18 한국기계연구원 A process and an apparatus for casting alloy using vibration

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7927434B2 (en) Co-Cr-Pt-B alloy sputtering target
JP4836244B2 (en) Casting method
JP4594336B2 (en) Solidification method
EP1526936A1 (en) Method of making rapidly solidified alloy for magnet
US20070102289A1 (en) Sputtering target material
JP5689502B2 (en) Co-Cr-Pt-B alloy sputtering target and method for producing the same
US20080145692A1 (en) Magnetic pulse-assisted casting of metal alloys & metal alloys produced thereby
WO1999029452A1 (en) Method and apparatus for casting molten metal, and cast piece
CN104911417A (en) High-purity aluminum magnesium alloy plate ingot for mechanical hard disk, and production method thereof
CN108436062B (en) Method for refining metal solidification structure through composite action of magnetic field and vibration
KR20060006303A (en) Manufacturing method of al-ti alloy sputtering target for reflection layer of optical disk
JP6427290B1 (en) Aluminum alloy substrate for magnetic disk, method of manufacturing the same, and magnetic disk using the aluminum alloy substrate for magnetic disk
JP4026767B2 (en) Co-Cr-Pt-B alloy sputtering target and method for producing the same
JP2001303150A (en) Metallic grain for casting, its producing method and injection-forming method for metal
JP2002294427A (en) Plated wire, and manufacturing method and apparatus therefor
CN108213391B (en) Method for improving metal solidification structure through multi-dimensional mechanical vibration
WO2021247813A1 (en) Aluminum-scandium composite, aluminum-scandium composite sputtering target and methods of making
JPH08176810A (en) Production of aluminum-high melting point metal alloy ingot and target material
JP3416503B2 (en) Hypereutectic Al-Si alloy die casting member and method of manufacturing the same
JPS643939B2 (en)
JPH0784626B2 (en) Method of applying ultrasonic vibration to molten metal
CN114507787B (en) Method for refining as-cast structure of aluminum alloy
JP2017060975A (en) Manufacturing method for aluminum-based hypoeutectic alloy ingot
CN114247874A (en) Aluminum casting using ultrasonic technology
JP2002018559A (en) Method for casting cast slab or cast block having fine solidified structure and its casting apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application