KR20060005452A - Bake device of spinner device - Google Patents

Bake device of spinner device Download PDF

Info

Publication number
KR20060005452A
KR20060005452A KR1020040054239A KR20040054239A KR20060005452A KR 20060005452 A KR20060005452 A KR 20060005452A KR 1020040054239 A KR1020040054239 A KR 1020040054239A KR 20040054239 A KR20040054239 A KR 20040054239A KR 20060005452 A KR20060005452 A KR 20060005452A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
heating plate
baking
heating
plate
Prior art date
Application number
KR1020040054239A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이종화
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040054239A priority Critical patent/KR20060005452A/en
Publication of KR20060005452A publication Critical patent/KR20060005452A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 스피너설비에서 베이크 유니트의 가이드핀에 웨이퍼가 올라감으로 인한 티칭(Teaching)불량이 발생할 시 웨이퍼를 히팅플레이트에 안착시키는 기술이다.The present invention is a technique for seating the wafer on the heating plate when a teaching defect occurs due to the wafer rises on the guide pin of the baking unit in the spinner facility.

이를 위한 본 발명의 스피너설비의 베이크장치는, 웨이퍼가 얹혀지고 상기 웨이퍼를 가열하여 베이킹을 진행하기 위한 히팅플레이트와, 상기 히팅플레이트로부터 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 리프트부와, 상기 히팅 플레이트 상에 일정거리 간격마다 형성된 가이드 홈들과, 상기 가이드 홈들 내에 각각 삽입된 다수의 스프링과, 상기 다수의 스프링에 각각 지지되는 가이드핀들을 포함한다.
The baking apparatus of the spinner apparatus of the present invention for this purpose includes a heating plate on which the wafer is placed and heating the wafer to perform baking, a lift unit for loading / unloading the wafer from the heating plate, and on the heating plate. Guide grooves formed at regular intervals in the plurality of springs, a plurality of springs respectively inserted in the guide grooves, and guide pins respectively supported by the plurality of springs.

포토레지스트 도포, 스피너설비의 베이크장치, 베이크의 가열장치Photoresist coating, baking equipment for spinner equipment, baking equipment

Description

스피너설비의 베이크 장치{BAKE DEVICE OF SPINNER DEVICE} BAKE DEVICE OF SPINNER DEVICE}             

도 1은 일반적인 반도체 웨이퍼의 베이크장치 구성도1 is a block diagram of a baking apparatus of a general semiconductor wafer

도 2는 종래의 또 다른 반도체 웨이퍼 베이크장치의 개략적인 구성도2 is a schematic configuration diagram of another conventional semiconductor wafer baking apparatus;

도 3은 도 2중 히팅플레이트(120)의 평면도3 is a plan view of the heating plate 120 of FIG.

도 4는 웨이퍼가 가이드핀에 얹혀진 상태를 나타낸 도면4 is a view showing a state where a wafer is placed on a guide pin;

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 베이크장치 구성도5 is a configuration diagram of a baking apparatus of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼가 가이드핀에 얹혀질 때 히팅플레이트에 안착된 상태의 도면FIG. 6 is a view illustrating a state in which a wafer is seated on a heating plate when the wafer is placed on a guide pin according to an exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *          Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110: 챔버 112: 게이트110: chamber 112: gate

120: 히팅플레이트 130: 리프트부120: heating plate 130: lift unit

132: 리프트 핀 134: 실린더132: lift pin 134: cylinder

134a: 피스톤 140: 가이드 핀134a: piston 140: guide pin

142: 스프링 144: 가이드 홈 142: spring 144: guide groove

200: 웨이퍼
200: wafer

본 발명은 스피너설비의 베이크장치에 관한 것으로, 특히 스피너설비에서 베이크 유니트의 가이드핀에 웨이퍼가 올라감으로 인한 티칭(Teaching)불량이 발생할 시 웨이퍼를 히팅플레이트에 안착시키는 베이크장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking apparatus for a spinner apparatus, and more particularly, to a baking apparatus for seating a wafer on a heating plate when a teaching defect occurs due to a wafer being raised on a guide pin of the baking unit in the spinner apparatus.

일반적으로 반도체 소자는 이온주입 공정, 막 증착 공정, 확산공정, 사진공정, 식각공정 등과 같은 다수의 공정들을 거쳐 제조된다. 이러한 공정들 중에서, 원하는 패턴을 형성하기 위한 사진공정은 반도체 소자 제조에 필수적으로 요구되는 공정이다. In general, semiconductor devices are manufactured through a plurality of processes such as ion implantation, film deposition, diffusion, photography, and etching. Among these processes, a photo process for forming a desired pattern is an essential step for manufacturing a semiconductor device.

사진공정은 식각이나 이온주입이 될 부위와 보호될 부위를 선택적으로 정의하기 위해 마스크나 레티클의 패턴을 웨이퍼위에 만드는 것으로 크게, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 떨어뜨린 후 고속으로 회전시켜 웨이퍼 위에 원하는 두께로 입히는 도포공정, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼와 정해진 마스크를 서로 정렬시킨 후 자외선과 같은 빛이 상기 마스크를 통하여 웨이퍼 상의 포토레지스트에 조사되도록 하여 마스크 또는 레티클의 패턴을 웨이퍼에 옮기는 노광공정 및 상기 노광공정이 완료된 웨이퍼의 포토레지스트를 현상하여 원하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 현상공정으로 이루어진다.The photo process involves creating a pattern of masks or reticles on the wafer to selectively define the areas to be etched or implanted and the areas to be protected. Coating process, an exposure step of aligning the wafer to which the photoresist is applied and a predetermined mask with each other and then irradiating light such as ultraviolet rays to the photoresist on the wafer through the mask to transfer the pattern of the mask or reticle onto the wafer A photoresist of the completed wafer is developed to form a desired photoresist pattern.

상기 도포공정, 노광공정 및 현상공정 이외에 사진공정은, 포토레지스트와 웨이퍼간의 접착성을 향상시키기 위한 HMDS(Hexamethyl disilane) 처리 공정, 포토 레지스트 도포공정 전 웨이퍼 상의 수분이나 유기용제를 제거하고, 포토레지스트 도포 후, 포토레지스트 내에 함유된 용제를 제거하는 베이크 공정 등을 포함한다.In addition to the coating step, the exposure step and the developing step, the photographing step includes a process of hexamethyl disilane (HMDS) for improving the adhesion between the photoresist and the wafer, and removal of water or organic solvent on the wafer before the photoresist coating step, After application | coating, the baking process etc. which remove the solvent contained in a photoresist are included.

이러한 베이크 공정에서는 챔버 내의 핫플레이트 상에 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 장착하여 소정의 온도로 포토레지스트를 베이크하는 챔버식 베이크장치를 사용한다.In this baking process, a chamber-type baking apparatus which mounts a wafer coated with photoresist on a hot plate in a chamber and bakes the photoresist at a predetermined temperature.

최근 이와 같은 베이크장치는, 미세 패턴을 패터닝하는 경우, 포토레지스트의 베이크 온도 균일성이 사진공정이나 식각공정 시 커다란 영향을 미치기 때문에, 포토레지스트의 베이크 온도를 균일하게 유지되도록 하는 점이 더욱 요구되어지고 있다.Recently, such a baking apparatus is required to maintain the baking temperature of the photoresist uniformly, since the baking temperature uniformity of the photoresist greatly affects the photolithography or etching process when patterning a fine pattern. have.

즉, 웨이퍼가 챔버 내에 실장되었을 때, 웨이퍼를 일정온도까지 얼마나 빨리 그리고 미세한 오차를 가지는 균일한 베이크온도를 유지시킬 수 있느냐가 반도체 소자의 수율에 직접적인 영향을 미치므로 온도조절이 정밀하고, 온도 보상시간이 빠른 웨이퍼의 베이크장치가 요구되는 실정에 있다.In other words, when the wafer is mounted in the chamber, how fast the wafer can be maintained to a constant temperature and a uniform bake temperature with a small error directly affects the yield of the semiconductor device, so that temperature control is precise and temperature compensation. There is a need for a fast baking device for wafers.

도 1은 일반적인 반도체 웨이퍼의 베이크장치 구성도이다.1 is a configuration diagram of a baking apparatus of a general semiconductor wafer.

챔버(11)와, 상기 챔버(11)에 소정량의 N2가스를 공급하는 가스공급유니트(12)와, 상기 가스공급유니트(12)에 연결되어 N2가스를 소정온도로 가열시키는 가열유니트(13)를 구비한다.A chamber 11, a gas supply unit 12 for supplying a predetermined amount of N 2 gas to the chamber 11, and a heating unit 13 connected to the gas supply unit 12 to heat the N 2 gas to a predetermined temperature. ).

상기 가스공급유니트(12)는 작동유체인 N2가스를 저장 가능하고, 챔버(11) 내로 유입되는 가스를 단속할 수 있도록 설치하며, 설정된 시간에 따라 배출되는 가스량을 미세조절하는 가스유량조절수단(미도시)을 구비한다. 그리고, 상기 가스 공급유니트(12)는 후술되는 챔버(11)와 연통된 가스공급라인(14)을 구비한다. 여기서, 상기 가스유량조절수단은 가스의 유량조건을 정확히 측정할 수 있어야 하는데, 이는 공지된 바와 같이, 체적 내의 가스온도와 압력의 변화율을 측정하고 측정된 값으로부터 질량유량을 측정할 수 있다.The gas supply unit 12 is capable of storing N2 gas, which is a working fluid, is installed to control the gas flowing into the chamber 11, and finely regulates a gas flow rate adjusting means for controlling the amount of gas discharged according to a set time. C) is provided. In addition, the gas supply unit 12 includes a gas supply line 14 in communication with the chamber 11 to be described later. Here, the gas flow rate control means should be able to accurately measure the flow conditions of the gas, which is known, it is possible to measure the rate of change of the gas temperature and pressure in the volume and to measure the mass flow rate from the measured value.

상기 가열유니트(13)는 가스공급라인(14)의 중간 영역에 설치되어 가스공급유니트(12)와 상호 연결되는 것으로 가스공급라인(14)을 따라 공급되는 가스를 공정화에 필요한 소정온도로 가열시켜 챔버(11) 내로 공급한다. 여기서, 상기 가열유니트(12)는 챔버(11)로 유입되기 직전에 가스를 가열하기 위한 히팅존(미도시)을 구비한다. 즉, 상기 가열유니트(13)는 통과하는 가스를 히팅존에서 예열하여 챔버(11) 내로 직접 공급시키게 된다.The heating unit 13 is installed in the middle region of the gas supply line 14 and interconnected with the gas supply unit 12 to heat the gas supplied along the gas supply line 14 to a predetermined temperature necessary for process. It feeds into the chamber 11. Here, the heating unit 12 is provided with a heating zone (not shown) for heating the gas just before flowing into the chamber (11). That is, the heating unit 13 preheats the gas passing through the heating zone to directly supply the gas into the chamber 11.

상기 챔버(chamber)(11)는 원통형으로 되어 있으며 그 내부에 설치되는 베이스(15)와, 반도체 웨이퍼(W)가 수평방향으로 안착되도록 상기 베이스(15) 상에 설치되며 상기 웨이퍼(W)를 균일한 온도로 베이크하기 위하여 내부에 후술될 열선이 내설되어 있는 핫플레이트(hot plate)(16)와, 상기 챔버(11)의 상부에 마련되어 챔버(11)의 하부와 결합되는 커버부재(17)를 구비한다.The chamber 11 has a cylindrical shape and is installed on the base 15 so that the base 15 installed therein and the semiconductor wafer W are mounted in the horizontal direction. In order to bake at a uniform temperature, a hot plate 16 having a heating wire to be described later, and a cover member 17 provided at an upper portion of the chamber 11 and coupled to a lower portion of the chamber 11. It is provided.

상기 베이스(15)는 핫플레이트(16)를 안정적으로 지지하는 역할을 수행한다. 그리고, 상기 베이스(15)의 표면에는 챔버(11)의 외부와의 온도차이에 의해 챔버(11) 내부에서 대류현상이 발생되지 않도록 테프론 코팅되어 챔버(11) 내부에 유지되는 열이 외부로 방출되는 것을 차단하기 위한 단열층(18)이 형성되어 있다.The base 15 serves to stably support the hot plate 16. In addition, the surface of the base 15 is coated with Teflon so that convection does not occur inside the chamber 11 due to a temperature difference with the outside of the chamber 11, and the heat retained inside the chamber 11 is discharged to the outside. The heat insulation layer 18 for blocking what is formed is formed.

또한, 핫플레이트(16)의 윗면에는 웨이퍼(W)가 수평방향으로 놓이도록 지지 하여 웨이퍼(W)와의 접촉면을 최대로 감소시킬 수 있는 지지핀(P)이 설치되어 있어 그 지지핀(P)의 상면에 웨이퍼(W)를 얹어놓아 핫플레이트(16)와 웨이퍼(W)가 직접 접촉되지 않도록 한다.In addition, a support pin P is provided on the upper surface of the hot plate 16 to support the wafer W in a horizontal direction so that the contact surface with the wafer W can be reduced to the maximum. The wafer W is placed on an upper surface of the hot plate 16 so that the hot plate 16 and the wafer W do not directly contact each other.

상기 커버부재(17)는 웨이퍼(W)가 밀폐된 공간에 놓이도록 상기 챔버(11)의 상부에 결합된다. 즉, 상기 커버부재(17)는 상기 가스공급라인(14)과 연결되고 중앙부분에 다수의 가스 주입구(19a)가 형성되어 있는 가스공급플레이트(19)와, 상기 가스공급플레이트(19)와 소정간격 이격되도록 설치되며 다수의 구멍을 가지고 있는 제1완충플레이트(20)와, 상기 제1완충플레이트(20)와 소정간격 이격 되도록 설치되며 다수의 구멍을 가지고 있는 제2완충플레이트(21)로 구성된다.The cover member 17 is coupled to the upper portion of the chamber 11 so that the wafer W is placed in a closed space. That is, the cover member 17 is connected to the gas supply line 14 and the gas supply plate 19 is formed a plurality of gas inlet 19a in the central portion, the gas supply plate 19 and the predetermined The first buffer plate 20 is installed to be spaced apart and has a plurality of holes, and the second buffer plate 21 is installed to be spaced apart from the first buffer plate 20 and has a plurality of holes. do.

상기 가스공급플레이트(19)는 원형판의 중앙에 상기 가스공급라인을 통해 분사된 N2가스가 주입되도록 다수개의 주입구(19a)가 형성되어 있다. 즉, 가스공급유니트(12) 및 가열유니트(13)를 거친 N2가스는 상기 가스공급라인(14)을 통해 가스공급플레이트(19)의 주입구(19a)로 주입된다.The gas supply plate 19 has a plurality of injection holes 19a formed in the center of the circular plate so that the N 2 gas injected through the gas supply line is injected. That is, the N 2 gas passing through the gas supply unit 12 and the heating unit 13 is injected into the inlet 19a of the gas supply plate 19 through the gas supply line 14.

상기 제1완충플레이트(20)는 원형판의 전면에 다수의 구멍이 형성되어 있다. 상기 구멍은 원형판에 균일한 직경으로 형성된 것을 알 수 있다. 이는 가스공급플레이트(19)로부터 공급된 N2가스가 챔버(11)의 내부공간에 균일하게 분산될 수 있도록 하기 위함이다.The first buffer plate 20 is formed with a plurality of holes in the front of the circular plate. It can be seen that the hole is formed in a uniform diameter in the circular plate. This is to allow the N 2 gas supplied from the gas supply plate 19 to be uniformly dispersed in the internal space of the chamber 11.

상기 제2완충플레이트(21)는 상기 제1완충플레이트(20)와 소정간격 이격되게 설치되고, 원형판의 전면에 다수의 구멍이 형성되어 있다. 상기 다수의 구멍은 원형판의 중앙부로부터 가장자리로 갈수록 직경이 작아지는 것을 알 수 있다. 이는 가스공급플레이트(19)로부터 공급된 N2가스로 인해 웨이퍼(W)가 균일온도 분포를 유지하도록 중앙부분에서 많이 분사시키며, 중앙부분에 분사된 N2가스는 횡방향 유동을 형성하여 외각의 작은 구멍에서 공급되는 N2가스와 함께 외각으로 분출된다. 여기서, 상기 커버부재(17)는 그 밑면과 핫플레이트(16) 표면과의 간격이 일반적인 높이인 16㎜(L)를 유지하도록 한다.The second buffer plate 21 is installed to be spaced apart from the first buffer plate 20 by a predetermined interval, and a plurality of holes are formed in the front surface of the circular plate. It can be seen that the plurality of holes are smaller in diameter from the center to the edge of the circular plate. This is because the wafer W is sprayed a lot in the center part to maintain a uniform temperature distribution due to the N 2 gas supplied from the gas supply plate 19, and the N 2 gas injected in the center part forms a lateral flow to form a small hole in the outer shell. It is blown outward with N2 gas supplied from. Here, the cover member 17 is such that the distance between the bottom surface and the surface of the hot plate 16 maintains 16 mm (L) which is a general height.

또한 종래의 또 다른 베이크장치가 도 2 및 도 3에 개시되어 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 챔버(110)와, 웨이퍼(200)가 놓여지는 히팅 플레이트(120)와, 히팅플레이트(120)로부터 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 리프트부(136)와. 히팅플레이트(120)에 놓여진 웨이퍼의 유동(슬라이드 현상)을 방지하기 위한 가이드핀들(140)을 구비한다.In addition, another conventional baking apparatus is disclosed in FIGS. 2 and 3. 2 and 3, a chamber 110, a heating plate 120 on which the wafer 200 is placed, and a lift unit 136 for loading / unloading a wafer from the heating plate 120. Guide pins 140 are provided to prevent the flow (slide phenomenon) of the wafer placed on the heating plate 120.

상기 챔버(110)는 웨이퍼가 장입/인출되는 게이트(112)를 갖으며 내부에는 상기 히팅플레이트(120)가 설치된다. 리프트부(136)은 리프트핀(132)들과 이 리프트 핀들(132)을 상하 이동시키기 위한 실린더(134)를 갖는다. 상기 리프트 핀들(132)은 실린더(134)의 피스톤(134a)과 연결되어 있다. 상기 가이드 핀들(140)은 상기 히팅 플레이트(120)의 가장자리에 동심원을 가지며 일정간격으로 4개가 설치되어 있다. 상기 가이드 핀들(140)은 상기 히팅 플레이트(120)에 얹혀진 웨이퍼(200)의 측면을 지지한다. The chamber 110 has a gate 112 through which a wafer is charged / drawn, and the heating plate 120 is installed therein. The lift unit 136 has lift pins 132 and a cylinder 134 for moving the lift pins 132 up and down. The lift pins 132 are connected to the piston 134a of the cylinder 134. The guide pins 140 have concentric circles on the edge of the heating plate 120 and four are installed at regular intervals. The guide pins 140 support side surfaces of the wafer 200 mounted on the heating plate 120.

상기와 같이 구성된 베이크장치의 베이킹 공정을 설명하면, 웨이퍼(200)는 리프트 핀(132)이 상승된 상태에서 챔버(110)의 게이트(112)를 통해 반입된다. 챔버(110)의 내부로 반입된 웨이퍼(200)는 히팅플레이트(120) 상으로 상승된 3개의 리프트핀(132) 상에 놓여지게 된다. 이때 리프트핀(132)은 하강하게 되고 웨이퍼(200)는 상기 히팅플레이트(120)로 로딩된다. 상기 히팅플레이트(120)로 로딩된 웨이퍼(200)는 히팅플레이트(120)의 가열에 의해 베이킹 공정을 진행한다. Referring to the baking process of the baking apparatus configured as described above, the wafer 200 is carried through the gate 112 of the chamber 110 with the lift pin 132 raised. The wafer 200 carried into the chamber 110 is placed on three lift pins 132 that are lifted onto the heating plate 120. At this time, the lift pin 132 is lowered and the wafer 200 is loaded into the heating plate 120. The wafer 200 loaded into the heating plate 120 undergoes a baking process by heating the heating plate 120.

이와 같은 종래의 베이크장치는 베이킹공정을 진행하기 위해 웨이퍼(200)를 히팅플레이트(120) 상에 안착시킬 때 티칭(Teaching)불량으로 인해 도 4와 같이 웨이퍼(200)가 가이드핀(140) 상에 올라타게 되면 웨이퍼(200)의 베이킹이 균일하게 이루어지지 않게 되어 포토레지스트의 코팅의 두께(Thickness) 및 유니포미티(Uniformity)가 변화되어 웨이퍼 수율저하의 원인이 되는 문제가 있었다.
In this conventional baking apparatus, when the wafer 200 is seated on the heating plate 120 in order to proceed with the baking process, the wafer 200 is placed on the guide pin 140 as shown in FIG. 4 due to a teaching defect. If it is, the baking of the wafer 200 is not made uniform, the thickness (Thickness) and uniformity (Uniformity) of the coating of the photoresist is changed, there is a problem that causes the wafer yield decrease.

따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 스피너설비에서 베이크의 히팅플레이트에 웨이퍼를 로딩할 시 웨이퍼가 가이드핀에 얹혀지더라도 히티플레이트에 안착되도록 하여 베이킹 불균일을 방지하는 스피너설비의 베이크장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to bake a spinner facility to prevent baking unevenness by allowing the wafer to be seated on the hitty plate even when the wafer is placed on the guide pin when the wafer is loaded on the baking plate in the spinner facility to solve the above problems. In providing a device.

본 발명의 다른 목적은 베이크내의 웨이퍼의 부분적인 온도 불량에 의한 온도균일도를 개선하여 선폭불량을 개선할 수 있는 스피너설비의 베이크장치를 제공함에 있다.
It is another object of the present invention to provide a baking apparatus of a spinner device capable of improving line width defects by improving temperature uniformity caused by partial temperature failure of a wafer in a bake.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 스피너설비의 베이크장치는, 웨이퍼가 얹혀지고 상기 웨이퍼를 가열하여 베이킹을 진행하기 위한 히팅플레이트와, 상기 히팅플레이트로부터 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 리프트부와, 상기 히팅 플레이트 상에 일정거리 간격마다 형성된 가이드 홈들과, 상기 가이드 홈들 내에 각각 삽입된 다수의 스프링과, 상기 다수의 스프링에 각각 지지되는 가이드핀들을 포함하는 것을 특징으로 한다.The baking apparatus of the spinner apparatus of the present invention for achieving the above object includes a heating plate for loading the wafer and heating the wafer, and a lift unit for loading / unloading the wafer from the heating plate; And a plurality of guide grooves formed on the heating plate at intervals of a predetermined distance, a plurality of springs respectively inserted in the guide grooves, and guide pins respectively supported by the plurality of springs.

상기 가이드핀들은 웨이퍼가 얹혀질 때 웨이퍼의 하중에 의해 상기 스프링을 압축시켜 상기 얹혀진 웨이퍼를 상기 히팅플레이트에 안착시킴을 특징으로 한다.The guide pins are characterized in that when the wafer is mounted, the spring is compressed by the load of the wafer to seat the mounted wafer on the heating plate.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 베이크장치 구성도이다.5 is a block diagram of a baking apparatus of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

챔버(110)와, 웨이퍼(200)가 놓여지는 히팅 플레이트(120)와, 히팅플레이트(120)로부터 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 리프트부(136)와, 상기 히팅 플레이트(120) 상에 일정거리 간격마다 형성된 가이드 홈들(144)과, 상기 가이드 홈들(144) 내에 삽입된 스프링(142)과, 상기 스프링(142)에 지지되는 가이드핀들(140)을 구비한다.A chamber 110, a heating plate 120 on which the wafer 200 is placed, a lift unit 136 for loading / unloading a wafer from the heating plate 120, and a constant portion on the heating plate 120 Guide grooves 144 formed at distances therebetween, springs 142 inserted into the guide grooves 144, and guide pins 140 supported by the springs 142.

상기 챔버(110)는 웨이퍼가 장입/인출되는 게이트(112)를 갖으며 내부에는 상기 히팅플레이트(120)가 설치된다. 리프트부(136)은 리프트핀(132)들과 이 리프트 핀들(132)을 상하 이동시키기 위한 실린더(134)를 갖는다. 가이드핀들(140)은 히팅플레이트(120)에 놓여진 웨이퍼(200)의 유동(슬라이드 현상)을 방지하도록 웨이퍼(200)를 고정시킨다. 상기 리프트 핀들(132)은 실린더(134)의 피스톤(134a)과 연결되어 있다. 상기 가이드 핀들(140)은 상기 히팅 플레이트(120)의 가장자리에 동심원을 가지며 일정간격으로 4개가 설치되어 있다. 상기 가이드 핀들(140)은 상기 히팅 플레이트(120)에 얹혀진 웨이퍼(200)의 측면을 지지한다. The chamber 110 has a gate 112 through which a wafer is charged / drawn, and the heating plate 120 is installed therein. The lift unit 136 has lift pins 132 and a cylinder 134 for moving the lift pins 132 up and down. The guide pins 140 fix the wafer 200 to prevent the flow (slide phenomenon) of the wafer 200 placed on the heating plate 120. The lift pins 132 are connected to the piston 134a of the cylinder 134. The guide pins 140 have concentric circles on the edge of the heating plate 120 and four are installed at predetermined intervals. The guide pins 140 support side surfaces of the wafer 200 mounted on the heating plate 120.

상기와 같이 구성된 베이크장치의 베이킹 공정을 설명하면, 웨이퍼(200)는 리프트 핀(132)이 상승된 상태에서 챔버(110)의 게이트(110a)를 통해 반입된다. 챔버(110)의 내부로 반입된 웨이퍼(200)는 히팅플레이트(120) 상으로 상승된 3개의 리프트핀(132) 상에 놓여지게 된다. 이때 리프트핀(132)은 하강하게 되고 웨이퍼(200)는 상기 히팅플레이트(120)로 로딩된다. 상기 히팅플레이트(120)로 로딩된 웨이퍼(200)는 히팅플레이트(120)의 가열에 의해 베이킹 공정을 진행한다. Referring to the baking process of the baking apparatus configured as described above, the wafer 200 is carried through the gate 110a of the chamber 110 with the lift pin 132 raised. The wafer 200 carried into the chamber 110 is placed on three lift pins 132 that are lifted onto the heating plate 120. At this time, the lift pin 132 is lowered and the wafer 200 is loaded into the heating plate 120. The wafer 200 loaded into the heating plate 120 undergoes a baking process by heating the heating plate 120.

그런데 상기 웨이퍼(200)가 히팅플레이트(120)로 로딩될 때 이송로봇의 기계적인 오차 혹은 엔지니어의 포지션 설정 실수로 인하여 웨이퍼(200)가 가이드핀(140) 위에 얹혀지는 경우 도 6과 같이 웨이퍼(200)의 하중에 의해 스프링(142)이 압축되면서 가이드핀(140)이 히팅플레이트(120)의 내부로 다운되면서 웨이퍼(200)는 히팅플레이트(102)에 안착된다. 따라서 웨이퍼(200)는 베이킹 공정 시 각 부위별로 열처리가 균일하게 이루어지게 되어 포토레지스트의 두께 및 유니포미티의 불량을 방지할 수 있으며, 선폭불량으로 인한 수용저하를 방지할 수 있다.
However, when the wafer 200 is loaded on the guide pin 140 due to a mechanical error of the transfer robot or a position setting mistake of an engineer when the wafer 200 is loaded into the heating plate 120, the wafer ( As the spring 142 is compressed by the load of the 200, the guide pin 140 descends into the heating plate 120, and the wafer 200 is seated on the heating plate 102. Accordingly, the wafer 200 may be uniformly heat treated during each baking process, thereby preventing defects in thickness and uniformity of the photoresist, and preventing a decrease in capacity due to line width defects.

상술한 바와 같이 본 발명은 포토스피너 설비에서 베이크 히팅플레이트 상에 웨이퍼를 로딩할 시 이송로봇의 오차 혹은 엔지니어의 포지션 설정 실수로 인하여웨이퍼가 가이드핀 위에 얹혀진 경우에 웨이퍼의 하중에 의해 가이드핀이 스프링을 압축하여 웨이퍼가 히팅플레이트 상에 균일하게 안착되도록 하여 베이킹 공정 시 웨이퍼의 각 부위별로 포토레지스트의 두께 및 유니포미티의 불량을 방지할 수 있으며, 선폭불량으로 인한 수용저하를 방지할 수 있다.  As described above, in the present invention, when a wafer is placed on a guide pin due to an error of a transfer robot or an error in position setting by an engineer when loading a wafer on a baking heating plate in a photo spinner, the guide pin is spring-loaded due to the load of the wafer. By compressing the wafer so that the wafer is uniformly seated on the heating plate, it is possible to prevent the defect of the thickness and the uniformity of the photoresist for each part of the wafer during the baking process, and to prevent the reduction in capacity due to the line width defect.

또한 베이크 내의 히팅플레이트에 안착된 웨이퍼의 온도가 균일하게 유지되도록 하여 웨이퍼의 선폭(CD)불량 발생을 방지할 수 있는 이점이 있다.In addition, there is an advantage that the temperature of the wafer seated on the heating plate in the bake is maintained uniformly, thereby preventing the occurrence of a line width (CD) defect of the wafer.

Claims (2)

스피너설비의 베이크장치에 있어서,In the baking apparatus of a spinner installation, 웨이퍼가 얹혀지고 상기 웨이퍼를 가열하여 베이킹을 진행하기 위한 히팅플레이트와, A heating plate on which the wafer is placed and for heating the wafer to proceed with baking; 상기 히팅플레이트로부터 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 리프트부와, A lift unit for loading / unloading a wafer from the heating plate; 상기 히팅 플레이트 상에 일정거리 간격마다 형성된 가이드 홈들과, Guide grooves formed at predetermined distances on the heating plate; 상기 가이드 홈들 내에 각각 삽입된 다수의 스프링과, A plurality of springs respectively inserted into the guide grooves; 상기 다수의 스프링에 각각 지지되는 가이드핀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 스피너설비의 베이크장치. And a plurality of guide pins respectively supported by the springs. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가이드핀들은 웨이퍼가 얹혀질 때 웨이퍼의 하중에 의해 상기 스프링을 압축시켜 상기 얹혀진 웨이퍼를 상기 히팅플레이트에 안착시킴을 특징으로 하는 스피너설비의 베이크장치. And the guide pins compress the spring by the load of the wafer when the wafer is loaded to seat the loaded wafer on the heating plate.
KR1020040054239A 2004-07-13 2004-07-13 Bake device of spinner device KR20060005452A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040054239A KR20060005452A (en) 2004-07-13 2004-07-13 Bake device of spinner device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040054239A KR20060005452A (en) 2004-07-13 2004-07-13 Bake device of spinner device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060005452A true KR20060005452A (en) 2006-01-18

Family

ID=37117403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040054239A KR20060005452A (en) 2004-07-13 2004-07-13 Bake device of spinner device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060005452A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757847B1 (en) * 2006-05-26 2007-09-11 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for loading substrate in the apparatus
US9768051B2 (en) 2015-07-17 2017-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer clamping apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757847B1 (en) * 2006-05-26 2007-09-11 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for loading substrate in the apparatus
US9768051B2 (en) 2015-07-17 2017-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer clamping apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004109779A1 (en) Method for improving surface roughness of processed film of substrate and apparatus for processing substrate
KR19980080844A (en) Substrate temperature control device and method
KR102000021B1 (en) Substrate supporting unit, heat treatment unit and substrate treating apparatus including the same
JP7256159B2 (en) SUPPORT UNIT, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD USING THE SAME
KR20120139550A (en) Hydrophobizing device, hydrophobizing method and recordable medium for computer
KR100822372B1 (en) Bake process apparatus and method
JP2006060228A (en) Wafer baking apparatus
US7901149B2 (en) Substrate processing method, program, computer-readable recording medium, and substrate processing system
KR20070068596A (en) A baking apparatus
KR100549953B1 (en) Bake device of spinner device
KR100626395B1 (en) Apparatus and method for post exposure bake, and photo lithography system with the apparatus
KR20060005452A (en) Bake device of spinner device
KR101935940B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102573014B1 (en) Film forming method, storage medium, and film forming system
JP3971050B2 (en) Equipment for baking resist on semiconductor wafers
KR20080046436A (en) Apparatus for baking a layer on a substrate
KR20200141581A (en) Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus
KR20190080326A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20040019468A (en) Device for heating plate of bake of spinner device
KR102243242B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus
KR20060113158A (en) Spinner including bake unit
KR102175073B1 (en) Appparatus and Method for treating substrate
KR20190009701A (en) Substrate heating apparatus and substrate heating method
JP2001237155A (en) Heat treatment method and heat treatment device
KR20060028869A (en) Bake unit of semiconductor production device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination