KR20080046436A - Apparatus for baking a layer on a substrate - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래 기술에 따른 베이크 장치의 배기부를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view for explaining an exhaust of a baking apparatus according to the prior art.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view illustrating a baking apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 배기부를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 3 is a schematic plan view for describing the exhaust unit illustrated in FIG. 2.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100 : 베이크 장치 112 : 스테이지100: baking device 112: stage
130 : 배기부 132 : 배기 홀130: exhaust part 132: exhaust hole
134 : 배기 조절부 136, 138 : 제1, 제2 배기 라인134:
140 : 펌프 142 : 퍼지 가스 공급부140: pump 142: purge gas supply unit
본 발명은 베이크 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)와 같은 반도체 기판 상에 코팅되는 감광성 수지(photoresist)를 베이크하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a baking apparatus, and more particularly, to an apparatus for baking a photoresist coated on a semiconductor substrate, such as a silicon wafer.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a fabrication (fab) process for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor substrate, and an electrical die sorting (EDS) process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fabrication process. And a package process for encapsulating and individualizing the semiconductor devices with an epoxy resin, respectively.
상기 팹 공정은 다양한 단위 공정들을 포함하며, 상기 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 증착 공정을 통해 반도체 기판 상에 형성된 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정에서 사용되는 포토레지스트 패턴을 상기 막 상에 형성하기 위해 수행된다.The fab process includes various unit processes, and among the unit processes, the photolithography process includes forming a photoresist pattern used in an etching process for forming a film formed on a semiconductor substrate through a deposition process into a pattern having electrical characteristics. To form a phase.
상기 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 상기 포토레지스트 막에 포함된 용제의 휘발(volatilization)과 상기 포토레지스트 막을 고체화(solidification)를 위한 소프트(soft) 베이크 공정과, 상기 소프트 베이크 공정을 통해 고체화된 포토레지스트 막 상에 포토 마스크 패턴(photo mask pattern)을 전사하기 위한 노광 공정과, 상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 반도체 기판으로 조사되는 광의 산란에 의한 해상도 저하를 방지하기 위한 노광 후 베이크(post exposure bake; 이하 'PEB'라 한다) 공정과, 상기 노광 처리된 포토레지스트 막을 부분적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상 공정과, 상기 현상된 포토레지스트 패턴의 강화를 위한 하드(hard) 베이크 공정 등을 포함할 수 있다.The photolithography process includes a photoresist coating process for forming a photoresist film on a semiconductor substrate, volatilization of a solvent contained in the photoresist film, and a soft bake for solidification of the photoresist film. An exposure process for transferring a photo mask pattern onto the photoresist film solidified through the soft bake process, and resolution due to scattering of light irradiated onto the semiconductor substrate during the exposure process. A post exposure bake process to prevent degradation, a development process for forming a photoresist pattern by partially removing the exposed photoresist film, and the developed photoresist It may include a hard bake process for strengthening the pattern.
상기와 같은 베이크 공정들은 반도체 기판을 가열함으로써 수행될 수 있 다. 예를 들면, 상기 소프트 베이크 공정은 상기 반도체 기판을 약 80℃ 내지 120℃ 정도로 가열함으로써 수행될 수 있으며, 상기 PEB 공정은 상기 반도체 기판을 약 80℃ 내지 150℃ 정도로 가열함으로서 수행될 수 있으며, 상기 하드 베이크 공정은 상기 반도체 기판을 약 150℃ 내지 200℃ 정도로 가열함으로써 수행될 수 있다.Such baking processes may be performed by heating the semiconductor substrate. For example, the soft bake process may be performed by heating the semiconductor substrate at about 80 ° C. to 120 ° C., and the PEB process may be performed by heating the semiconductor substrate at about 80 ° C. to 150 ° C. The hard bake process may be performed by heating the semiconductor substrate to about 150 ° C to 200 ° C.
상기와 같은 베이크 공정을 수행하기 위한 종래의 베이크 장치는 기판을 지지하며 상기 기판 상에 형성된 막을 베이크하기 위한 히터를 내장하는 베이크 스테이지와, 상기 베이크 스테이지 상부에 이동 가능하도록 배치되어 상기 막을 베이크하기 위한 공간을 제공하는 커버와, 상기 스테이지와 상기 커버 사이에 공간에 잔류하는 가스를 배출하기 위한 배기부 등을 포함할 수 있다.The conventional baking apparatus for performing the baking process includes a bake stage for supporting a substrate and having a heater therein for baking a film formed on the substrate, and being disposed to be movable above the bake stage to bake the film. The cover may include a space, and an exhaust unit for discharging gas remaining in the space between the stage and the cover.
도 1은 종래 기술에 따른 베이크 장치의 배기부(12)를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view for explaining the
도 1을 참조하면, 상기 배기부(12)는 상기 기판(W)을 지지하기 위한 스테이지(10)의 가장자리에 배치되어 있으며, 상기 베이크 공정을 수행하는 도중에 발생된 흄을 베이크 공정이 수행되는 공간으로부터 외부로 배출시키는데 사용된다. 구체적으로, 상기 배기부(12)는 상기 기판(W)을 지지하기 위한 스테이지(10)의 상에 형성된 홀(14)과 배기압을 제공하는 펌프(16) 및 상기 배기압을 홀(14)로 전달하기 위한 배기 라인(18)을 포함하고 있다.Referring to FIG. 1, the
그러나 상기와 같이 배치된 배기부(12)는 상기 스테이지의 양측 상에 배치되어 있어, 상기 공간 내로 전달되는 배기압이 균일하지 못할 수 있다. 즉, 상기 배기부를 통해 흄을 배기시킬 때, 상기 배기부와 인접한 부분과 인접하지 않은 부분의 배기압의 편차가 발생하게 된다. However, the
상기 베이크 공정은 상기 스테이지(10)로부터 상기 기판(W)에 전달되는 온도에 따라 좌우될 수 있으며, 상기 배기압의 편차로 인하여 상기 기판(W) 전면에 균일한 열이 전달되지 못한다. 또한, 상기 공간 내부의 열이 상기 흄과 함께 배기되어 상기 공간 내의 온도가 저하될 수 있다. 결과적으로, 베이크 공정 후 형성된 패턴의 국부적인 불량이 발생될 수 있다. The baking process may depend on the temperature transferred from the
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 기판의 베이크 공정 시 기판의 온도를 균일하게 유지시킬 수 있는 베이크 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a baking apparatus that can maintain a uniform temperature of the substrate during the baking process of the substrate.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 막이 형성된 기판을 지지하며, 상기 막을 베이크하기 위한 히터가 내장된 스테이지와 상기 스테이지의 상부에 배치되며, 상기 막을 베이크하기 위한 공간을 한정하는 커버와 상기 스테이지와 연결되며, 상기 베이크 공정 시 발생하는 공정 부산물을 포함하는 가스를 배출하기 위한 다수의 배기 라인들과 상기 배기 라인들과 각각 연결되며, 상기 배기 라인들을 통해 배기되는 가스의 유량을 기 설정된 기준 유량으로 일정하게 조절하기 위한 조절부들을 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, the present invention supports a substrate on which a film is formed, and a cover having a built-in heater for baking the film and an upper portion of the stage, the cover defining a space for baking the film and the A plurality of exhaust lines connected to a stage and connected to the exhaust lines to discharge gas including process by-products generated during the baking process, and the flow rate of the gas exhausted through the exhaust lines And adjusting portions for constantly adjusting the flow rate.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 스테이지에는 상기 배기 라인들과 연통하는 다수의 홀들이 형성되어 있으며, 상기 홀들은 상기 스테이지의 가장자리를 따라 일정 간격으로 배치되어 있을 수 있다.According to one embodiment of the invention, the stage is formed with a plurality of holes in communication with the exhaust lines, the holes may be arranged at regular intervals along the edge of the stage.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 배기 라인들과 연결된 펌프를 더 포함하며, 상기 펌프와 상기 배기 라인들은 제2 배기 라인을 통해 연결될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the pump may further include a pump connected to the exhaust lines, and the pump and the exhaust lines may be connected through a second exhaust line.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 커버와 연결되며, 상기 공간으로 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부를 더 포함할 수 있으며, 상기 커버와 결합되며, 상기 퍼지 가스를 상기 공간으로 균일하게 공급하기 위한 샤워 플레이트를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the invention, it is connected to the cover, may further include a purge gas supply unit for supplying a purge gas to the space, is coupled to the cover, uniformly supply the purge gas to the space It may further include a shower plate for.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 베이크 장치는 공정 부산물을 배출하기 위한 배기부들을 일정 간격으로 다수 개 구비함으로써, 베이크 공정이 수행되는 공간 내의 배기 압력을 일정하게 한다. The baking apparatus according to the present invention configured as described above has a plurality of exhaust parts for discharging the process by-products at regular intervals, thereby making the exhaust pressure in the space where the baking process is performed constant.
또한, 상기 베이크 장치의 배기압이 조절부에 의해 일정하게 유지될 수 있다. 특히 베이크 공정이 진행되면서 발생되는 흄 등의 공정 부산물을 베이크 공정 단계에 따라 적절히 배기시킬 수 있다. 따라서 상기 기판 전면에 균일한 열이 전달되도록 함으로서 베이크 공정을 보다 안정화시킬 수 있다.In addition, the exhaust pressure of the baking apparatus can be kept constant by the adjusting unit. In particular, process by-products such as fumes generated during the baking process may be properly exhausted according to the baking process step. Therefore, the baking process may be more stabilized by allowing uniform heat to be transferred to the entire surface of the substrate.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 베이크 장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만. 본 발명이 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막), 영역, 개구, 전극, 패턴 또는 구조물의 치수 는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 영역, 개구, 전극, 패턴 또는 구조물이 기판, 각 층(막), 영역, 전극, 개구 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 영역, 전극, 개구, 패턴 또는 구조물이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 개구 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 전극, 다른 패턴 또는 다른 구조물이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.Hereinafter, a baking apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the following examples, and those skilled in the art may implement the present invention in various other forms without departing from the technical spirit of the present invention. In the accompanying drawings, the dimensions of the substrate, layer (film), region, opening, electrode, pattern or structure are shown to be larger than the actual for clarity of the invention. In the present invention, each layer (film), region, opening, electrode, pattern or structure is "on", "upper" or "bottom" of the substrate, each layer (film), region, electrode, opening or pattern. When referred to as being formed in, it means that each layer (film), region, electrode, opening, pattern or structure is directly formed on or below the substrate, each layer (film), region, opening or pattern, or Other layers (films), other regions, different electrodes, different patterns or other structures may additionally be formed on the substrate.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 배기부를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a baking apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic plan view illustrating the exhaust unit illustrated in FIG. 2.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 베이크 장치(100)는 챔버(100), 배기부(130) 및 퍼지 가스 공급부(142)를 포함하고 있다.2 and 3, the
상술한 구성을 갖는 베이크 장치(110)는 기판(W) 상에 형성된 막을 베이크 하기 위하여 사용된다. 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(W) 상에 형성된 감광성 수지막 또는 감광성 수지 패턴을 베이크 하기 위하여 사용될 수 있다.The
구체적으로, 상기 챔버(100)는 원형 캡(cap)형상을 가질 수 있으며, 상기 챔버(100)의 내부에는 막이 형성된 기판(W)을 지지하며, 상기 막을 베이크하기 위하여 상기 기판(W)을 가열하는 스테이지(112)와 상기 막에 대한 베이크 공정이 수행되는 공정 공간을 한정하는 커버(122)를 포함한다.Specifically, the
상기 스테이지(112)는 상기 챔버(110) 내부의 하부면에 배치되며, 상기 스테이지(112)는 상기 기판(W)을 균일하게 베이크 하기 위한 베이크 플레이트(114)를 안정적으로 지지하는 역할을 한다. 즉, 상기 스테이지(112)는 상기 베이크 플레이트(114)의 외측에서, 상기 베이크 플레이트(114)를 감싸도록 배치될 수 있다. The
이때, 상기 스테이지(112)의 표면에는 상기 챔버(110)의 외부와의 온도 차이에 의해 상기 챔버(110)의 내부에서 대류 현상이 발생되지 않도록 테프론 코팅이 되어 있고, 상기 챔버(110) 내부에 유지되는 열이 외부로 방출되는 것을 차단하기 위한 단열층이 형성되어 있을 수 있다. At this time, the surface of the
상기 베이크 플레이트(114)는 전체적으로 원반 형상을 가지며, 상기 베이크 플레이트(114) 상에 상기 기판(W)이 수평 방향으로 놓여지게 된다. 상기 베이크 플레이트(114) 내부에는 상기 베이크 플레이트(114) 전면을 가열하기 위한 열선(116)이 구비된다. The
상기 열선(116)은 상기 베이크 플레이트(114)의 중심을 기준으로 동심원 형태로 구비되며 상기 베이크 플레이트(114)를 균일하게 가열할 수 있으며, 이와는 다르게 상기 열선(116)은 나선 형태, 격자 형태 등 다양한 형태로 구비될 수 있다. The
또한, 상기 베이크 플레이트(114)의 온도를 검출하기 위한 온도 센서(118)가 구비되고, 상기 온도 센서(118)를 통해 검출된 온도가 설정된 온도에 비해 낮거나 높은 경우에, 상기 설정된 온도가 되도록 상기 열선(116)을 구동시킨다. In addition, a
또한, 상기 베이크 플레이트(114)의 윗면에는 상기 기판(W)이 수평 방향으로 놓여지도록 지지하는 다수의 일측이 지지핀(120)이 설치되어 있을 수 있다. 상 기 지지핀(120)들 상부면에 기판(W)이 놓여져서 상기 베이크 플레이트(114) 상부면에 상기 기판(W)이 직접 접촉되지 않는다. In addition, a plurality of
상기 커버(122)는 상기 챔버와 동일한 원형 캡 형상을 가질 수 있으며, 상기 챔버(110) 내부를 밀폐하거나 상기 챔버(110) 내부를 개방하는 기능을 한다. 상기 커버(122)는 상기 스테이지(110)의 상부에서 이동 가능하도록 배치되며, 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 위하여 개폐될 수 있다. 또한 도시하지는 않았지만 상기 커버(122)는 개폐를 위한 구동부와 연결되어 있을 수 있다. 상기 베이크 공정을 진행하는 동안 상기 커버(122)는 상기 구동부(도시되지 않음)에 의해 하강하여 상기 챔버(110)의 상부와 결합되며, 상기 커버(122)의 하부에는 상기 베이크 공정이 진행되는 내부 공간을 외부로부터 밀폐시키기 위한 실링 부재(124)가 장착된다. The
상기 커버(122)에는 상기 베이크 공정이 수행되는 공간으로 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부(142)가 연결되어 있다. 구체적으로 상기 퍼지 가스 공급부(142)는 상기 기판(W)의 로딩 및 언로딩이 수행되는 동안 퍼지 가스를 공급하기 위하여 구비되며, 질소 가스와 같은 불활성 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부(144) 및 상기 퍼지 가스 공급부(144)로부터 상기 공간 내로 상기 퍼지 가스를 전달하기 위한 퍼지 가스 공급라인(146)을 포함하고 있다. The
또한 도시되지 않았지만, 상기 퍼지 가스 공급부(142)에는 상기 공급 라인(146)을 따라 공급되는 퍼지 가스를 공정화에 필요한 소정온도로 가열시켜 상기 챔버(110) 내로 공급하기 위한 가열부가 구비되어 있을 수 있다. 상기 가열부는 상기 퍼지 가스를 상기 챔버(110)로 유입되기 직전에 가스를 예열하여 상기 챔 버(110) 내로 직접 공급하게 되므로, 상기 베이크 공정이 수행되는 동한 상기 공정 공간 내부의 온도에 영향을 주지 않는다.In addition, although not shown, the purge
상기 커버(122)에는 상기 가스 공급 라인(146)과 연결되고 중앙부분에 다수의 가스 주입구(124)가 형성되어 있는 가스 공급 플레이트(148), 상기 가스 공급 플레이트(148)와 소정간격 이격되도록 설치되며 다수의 구멍을 가지고 있는 제1 완충 플레이트(126) 및 상기 제1 완충 플레이트(126)와 소정간격 이격 되도록 설치되며 다수의 구멍을 가지고 있는 제2 완충 플레이트(128)로 구성된다.The
상기 가스 공급 플레이트(148)는 원형 형태의 판 중앙에 상기 가스 공급 라인(146)을 통해 분사된 질소 가스가 주입되도록 다수개의 가스 주입구가 형성되어 있다. 즉, 가스 공급 유닛 및 가열 유닛을 거친 질소 가스는 상기 가스 공급 라인을 통해 가스 공급 플레이트(148)의 가스 주입구로 주입된다.The
상기 제1 완충 플레이트(126)는 원형판의 전면에 다수의 구멍이 형성되어 있다. 상기 구멍은 원형판에 균일한 직경으로 형성된다. 따라서 상기 가스 공급 플레이트(148)로부터 공급된 질소 가스가 챔버(110)의 내부공간에 균일하게 분산된다. The
상기 제2 완충 플레이트(128)는 상기 제1 완충 플레이트(126)와 소정간격 이격되게 설치되고, 원형판의 전면에 다수의 구멍이 형성되어 있다. 상기 다수의 구멍은 원형판의 중앙부로부터 가장자리로 갈수록 직경이 작아진다. 따라서 상기 가스 공급 플레이트(148)로부터 공급된 질소 가스로 인해 기판(W)의 온도 분포를 균일하게 유지하도록 중앙부분에서 많이 분사되며, 중앙부분에 분사된 질소 가스는 횡방향 유동을 형성하여 외각의 작은 구멍에서 공급되는 질소 가스와 함께 외각으로 분출된다.The
상기 배기부(130)는 상기 스테이지(110)와 연결되어 상기 베이크 공정 시 발생하는 공정 부산물을 포함하는 가스를 배출하기 위하여 구비되어 있으며, 배기 홀(132), 배기 조절부(134), 제1 배기 라인(136) 및 제2 배기 라인(138)을 포함하고 있다.The
상기 배기 홀(132)은 상기 공간 내부로 배기압을 제공하며, 상기 스테이지(112)의 가장자리를 따라 배치되어 있다. 구체적으로, 상기 배기 홀(132)들은 상기 공간 내에 공급되는 배기압의 산포가 균일하도록 일정한 간격으로 다수개 배치되어 있다. 상기 배기 홀(132)에는 공정 부산물을 상기 챔버(110)의 외부로 배출하기 위한 다수의 제1 배기 라인(136)들이 연결되어 있다. 상기 제1 배기 라인(136)들은 상기 스테이지(112)의 상면으로부터 하방으로 형성되어 있으며, 배기압을 제공하기 위한 펌프(140)와 연결되어 있는 제2 배기 라인(138)으로부터 분기되어 형성되어 있다. 상기 배기 홀(132)들의 개수, 위치, 배치 관계들 및 상기 제1 배기 라인(136), 제2 배기 라인(138)들의 위치는 배기압을 균일하게 유지할 수 있는 정도에서 다양한 변경이 가능하다.The
상기 제1 배기 라인(136)들 상에는 상기 제1 배기 라인(136)들을 통해 배기되는 배기가스의 유량을 기 설정된 기준 유량으로 조절하기 위한 배기 조절부(134)들이 구비되어 있다. 상기 배기 조절부(134)는 상기 배기 가스의 유량을 측정한 후 기준 유량과 비교한다. 상기 비교 결과 상기 유량이 기 설정된 유량에 비해 높거나 낮은 경우 상기 제1 배기 라인(136)들을 개폐시킨다. 또한 도시되지는 않았지만, 상기 배기 조절부(134)는 상기 측정된 배기압에 따라 상기 제1 배기 라인(136)들을 개폐시키기 위한 밸브를 포함할 수 있다. 상기 배기부(130)는 배기가스의 유량 조건을 정확하게 측정할 수 있어서 하는데, 상기와 같은 배기 조절부(138)에 의하여, 상기 가스의 온도 및 압력 변화율을 측정하여 배기압을 조절할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이크 장치는 베이크 장치는 공정 부산물을 배출하기 위한 배기부들을 다수개 구비함으로써, 베이크 공정이 수행되는 공간 내의 배기 압력을 일정하게 한다. 따라서, 상기 기판 전면에 균일한 열이 전달되도록 한다.As described above, the baking apparatus according to the embodiment of the present invention has a plurality of exhaust parts for discharging the process by-products, thereby making the exhaust pressure in the space where the baking process is performed constant. Thus, uniform heat is transferred to the entire surface of the substrate.
또한, 상기 베이크 장치의 배기압이 배기부에 설치되는 조절부에 의해 일정하게 유지될 수 있다. 특히 베이크 공정이 진행되면서 발생되는 흄 등의 공정 부산물을 베이크 공정 단계에 따라 적절히 배기시킴으로써, 베이크 공정 시에 불량 발생을 최소화함으로서 베이크 공정의 불량 발생을 최소화할 수 있다.In addition, the exhaust pressure of the baking apparatus can be kept constant by the adjusting unit installed in the exhaust unit. In particular, by appropriately evacuating process by-products such as fumes generated during the baking process according to the baking process step, it is possible to minimize the occurrence of defects in the baking process by minimizing the occurrence of defects during the baking process.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
Claims (5)
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KR1020060115889A KR20080046436A (en) | 2006-11-22 | 2006-11-22 | Apparatus for baking a layer on a substrate |
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CN112420554A (en) * | 2019-08-23 | 2021-02-26 | 细美事有限公司 | Apparatus and method for processing substrate |
KR20210021779A (en) * | 2019-08-19 | 2021-03-02 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus |
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