KR20060004773A - 마이크로 가속도계 - Google Patents
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0897—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by thermal pick-up
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Abstract
본 발명에 의한 마이크로 가속도계는, 동일한 양의 가스가 충전된 대칭구조의 제 1 및 제 2 밀폐 캐비티를 포함한다. 멤브레인이 대칭구조의 캐비티를 분리한다. 캐비티에 온도센서가 각각 장착되어 캐비티 내의 가스 온도를 측정한다. 캐비티 내에 가속도의 영향이 미치지 않는한 온도차는 일어나지 않는다. 그러나, 선형 가속이 적용되면 멤브레인이 상하 방향으로 변형함으로써, 예컨대 제 1 캐비티 내의 가스가 압축되어 온도가 상승한다. 반면 가스가 팽창되는 제 2 캐비티의 온도는 하강한다. 제 1 및 제 2 캐비티간의 가스 온도차가 온도센서에 의해 전력저항변화로 측정되고, 이 온도차가 가속도의 함수로 적용된다.
마이크로, 가속도, 센서, 측정, MEMS, 멤브레인, 온도감지, 밀폐, 캐비티
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 마이크로 가속도계를 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 도 1의 마이크로 가속도계의 제 1 및 제 2 기판을 발췌하여 나타낸 평면도,
도 3은 도 1의 마이크로 가속도계의 제 2 기판을 발췌하여 나타낸 평면도,
도 4는 도 1의 마이크로 가속도계의 독출회로의 구성도, 그리고,
도 5a 및 5b는 본 발명의 일 실시예에 의한 마이크로 가속도계의 가속도 측정 원리를 설명하기 위하여 나타낸 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10;밀폐공간 11,12;제 1 및 제 2 캐비티
20;케이스부재 30,40,50;제 1 내지 제 3 기판
31,41,51,52;홈 32,33,42,43;패드
60;멤브레인 70,80;제 1 및 제 2 온도센서
90;파워 서플라이 100;독출회로
110;브리지회로 120;차동증폭기
130;로우패스회로 140;주파수 보상회로
본 발명은 가속도 및 그 밖의 힘들을 감지 및 측정하는 마이크로 가속도계에 관한 것이다.
마이크로 가속도계는 자동차 산업, 네비게이션 시스템, 군수 산업, 로봇 시스템, 전자기기 및 완구류 등의 각종 엔지니어링 응용분야에서 소형화, 저렴한 가격 및 고품질 기능 등으로 각광 받고 있다.
이러한 마이크로 가속도계는 대부분 표준질량(proof mass)과 그 표준질량의 동작을 감지하는 감지부를 포함하여 구성되며, 상기 감지부의 구조 및 감지방법에 따라 전기용량 감지형, 피에조 저항 감지형, 압전 감지형 및 광학 감지형 등으로 구분된다.
상기 전기용량 감지형 가속도계는 전력 및 공간 사용이 적고 높은 감도를 가진다는 장점이 있으나, 전자기 간섭 및 기생 전자력의 영향 등의 단점도 가지고 있다. 미국 등록 특허 번호 US 6,705,166, US 6,311,556 및 US 6,305,714 등에서 대표적 예를 찾아 볼 수 있다.
피에조 저항 감지형 가속도계는 제조가 간단하고 독출회로의 구성이 간결하다는 장점이 있으나, 감도가 떨어지고 주변온도에 영향을 미친다는 단점이 있다. 미국 등록 특허 번호 US 6,683,558, US 5,539,236 및 US 5,425,841 등에서 대표적 예를 찾아 볼 수 있다.
압전 감지형 가속도계는 제조 및 독출회로가 간단하다는 장점이 있으나, 전하 누출 및 주변 온도에 영향을 미친다는 단점을 가지고 있다. 미국 등록 특허 번호 US 6,655,211, US 6,038,924 및 US 5,869,762 등에서 대표적 예를 찾아 볼 수 있다.
마지막으로, 광학 감지형 가속도계는 감도가 높고 작동이 효율적이나, 단가가 비싸다는 단점이 있다. 미국 등록 특허 번호 US 6,628,400, US 6,581,465 및 US 6,473,187 등에서 대표적 예를 찾아 볼 수 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 여러 종류의 가속도계가 가지는 단점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 압축도 감지 기법(compressor sensing principle)에 기반을 둔 새로운 개념의 마이크로 가속도계를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은, 간결한 구성, 저렴한 가격, 간단한 독출회로 설계, 전자기 간섭 및 주변온도효과의 방지, 그리고, 우수한 감도를 가지는 마이크로 가속도계를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 마이크로 가속도계는, 하나의 밀폐공간을 대칭구조의 제 1 및 제 2 캐비티로 분리하며, 외력 작용시 변형하는 멤브레인; 상기 제 1 및 제 2 캐비티에 동일한 양으로 충전되며, 상기 멤브레인의 변형으로 압축 또는 팽창되는 작동유체; 상기 제 1 및 제 2 캐비티에서 압축 또는 팽창되는 상기 작동유체의 온도를 측정하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 캐비티에 각각 설치되는 제 1 및 제 2 온도센서; 및 상기 제 1 및 제 2 온도센서에 연결된 가속도 감지를 위한 독출회로;를 포함한다.
이러한 본 발명에 의한 마이크로 가속도계는, 캐비티 내에 가속도의 영향이 미치지 않는한 온도차는 일어나지 않는다. 그러나, 선형 가속이 적용되면 멤브레인이 상하 방향으로 변형함으로써, 예컨대 제 1 캐비티 내의 작동유체가 압축되어 온도가 상승하는 반면 작동유체가 팽창되는 제 2 캐비티의 온도는 하강한다. 제 1 및 제 2 캐비티간의 작동유체 온도차가 온도센서에 의해 전력저항변화로 측정되고, 이 온도차가 가속도의 함수로 적용된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 마이크로 가속도계는 상기 밀폐공간을 제공하는 절연재질의 케이스부재를 포함한다.
또, 상기 멤브레인은 절연재질로 형성된다.
또, 상기 작동유체는 압축되었을 때 바람직한 단열상수를 가지는, 예컨대 질소, 헬륨, 아르곤, 크세논, 네온 및 크립톤 가스 중에서 선택된 어느 하나로 구성될 수 있다.
또, 상기 제 1 및 제 2 온도센서는 백금저항 온도 감지기를 포함하며, 일정한 저항을 얻기 위해 S자형으로 설계되는 것이 좋다.
또한, 본 발명에 의한 마이크로 가속도계는 상기 제 1 및 제 2 온도센서에 전류를 공급하기 위한 파워 서플라이를 구비하며, 이에 의하면 감도를 높일 수 있다.
상기 독출회로는 브리지회로, 차동증폭기, 주파수 보상회로 및 로우패스 회 로를 포함한다. 여기서, 상기 브리지회로는 상기 제 1 및 제 2 온도센서 및 2개의 저항을 포함하여 구성된다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의하면, 마이크로 가속도계는 일정깊이 및 소정형상으로 에칭된 홈을 각각 가지는 제 1 및 제 2 기판 사이에 상기 홈들과 대칭구조의 제 2 홈을 가지는 제 3 기판이 본딩됨으로써 소정의 밀폐공간을 제공하는 케이스부재; 상기 밀폐공간을 대칭구조의 제 1 및 제 2 캐비티로 분리하도록 상기 제 3 기판에 양단이 본딩되어 설치되며, 외력의 작용시 변형되는 멤브레인; 상기 제 1 및 제 2 캐비티에 동일한 양으로 충전되며, 상기 멤브레인의 변형으로 압축 또는 팽창되는 가스; 상기 제 1 및 제 2 캐비티에서 압축 또는 팽창되는 상기 가스의 온도를 측정하기 위한 제 1 및 제 2 온도센서; 상기 제 1 및 제 2 온도센서에 소정의 전류를 공급하여 주기 위한 파워 서플라이; 및 상기 제 1 및 제 2 온도센서에 연결된 가속도 감지를 위한 독출회로;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제 1 및 제 2 온도센서는 제 1 및 제 2 캐비티의 정중앙에 위치하도록 제 1 및 제 2 기판과 동일한 높이를 유지하여 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 기판에는 상기 파워 서플라이 및 독출회로와의 연결을 위한 2개의 패드가 온도센서의 양측에 위치하도록 각각 형성된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 설명한다.
도 1 내지 도 4에는 본 발명의 일 실시예에 의한 마이크로 가속도계가 도시되어 있다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 마이크로 가속도계는 소정의 밀폐공간 (10)을 제공하는 케이스부재(20)를 포함한다. 이 케이스부재(20)는 절연성의 제 1 내지 제 3 기판(30)(40)(50)을 구비한다.
상기 제 1 및 제 2 기판(30)(40)은 대칭구조이며, 상기 제 3 기판(50)은 상기 제 1 및 제 2 기판(30)(40) 사이에 위치되어 서로 본딩된다.
상기 제 1 및 제 2 기판(30)(40)은 일정깊이 및 소정형상으로 에칭되어 형성되는 홈(31)(41)을 구비한다. 그리고, 상기 제 3 기판(50)은 상기 홈들(31)(41)과 대칭을 이루도록 형성되는 제 2 홈(51)(52)을 구비한다. 이러한 홈들(31)(41)(51)(52)을 가지는 제 1 내지 제 3 기판(30)(40)(50)이 본딩됨으로써 상기한 소정의 밀폐공간(10)을 가지는 케이스부재(20)가 제조된다.
상기 케이스부재(20)의 밀폐공간(10)은 멤브레인(60)에 의해 대칭구조의 제 1 및 제 2 캐비티(11)(12)로 분리된다. 상기 멤브레인(60)은 외력의 작용시 상하 방향으로 변형되는 매우 얇은 막이다. 이러한 멤브레인(60)은 상기 제 3 기판(50)의 제 2 홈(51)(52)의 중앙부에 위치하도록 그 양단이 제 3 기판(50)에 본딩되어 설치되며, 절연체로 형성된다.
또한, 상기 밀폐된 대칭구조의 제 1 및 제 2 캐비티(11)(12)에는 동일한 양 및 동일 종류의 작동유체, 예컨대, 가스가 충전된다. 이 가스는 상기 멤브레인(60)의 변형시 제 1 및 제 2 캐비티(11)(12)의 부피가 축소되거나 확장되는 것에 의해 압축 또는 팽창된다. 이러한 가스는 압축되었을 때 소정의 바람직한 단열상수를 가지는 것들, 예컨대 질소(nitrogen), 헬륨(helium), 아르곤(argon), 크세논(xenon), 네온(neon) 및 크립톤(krypton) 중 어느 하나가 사용될 수 있다.
제 1 및 제 2 온도센서(70)(80)는 상기 제 1 및 제 2 캐비티(11)(12)에 충전된 가스의 온도를 감지하도록 상기 제 1 및 제 2 기판(30)(40)에 각각 설치된다. 이러한 온도센서(70)(80)는 제 1 및 제 2 기판(30)(40)과 동일한 높이를 유지하도록 형성되며, 이에 의해 각각의 온도센서(70)(80)는 해당하는 캐비티(11)(12)의 상하 및 좌우방향 정중앙에 배치된다.
상기 제 1 및 제 2 온도센서(70)(80)로서, 본 실시예서는 백금저항 온도감지기를 사용하였으나, 이를 꼭 한정하는 것은 아니며, 소정의 밀폐된 공간 내에서 그 공간에 충전된 유체의 온도를 감지할 수 있는 것이면 어떤 것이어도 무방하다. 여기서, 상기 제 1 및 제 2 온도센서(70)(80)는 일정한 저항을 얻기 위해 S자형으로 설계되는 것이 좋다.
한편, 상기 제 1 및 제 2 기판(30)(40)에는 후술되는 파워 서플라이(90) 및 독출회로(100)와의 연결을 위한 제 1 및 제 2 패드(32)(33)(42)(43)가 상기 제 1 및 제 2 온도센서(70)(80)의 양측에 위치하도록 각각 형성된다.
상기 파워 서플라이(90)는 상기 제 1 패드(32)(42)를 통하여 상기 제 1 및 제 2 온도센서(70)(80)와 연결되며, 상기 온도센서(70)(80)에 소정의 낮고 일정한 전류를 공급한다.
그리고, 상기 독출회로(100)는 상기 제 2 패드(33)(43)를 통하여 상기 제 1 및 제 2 온도센서(70)(80)와 연결되며, 상기 온도센서(70)(80)로부터의 신호를 읽어 드린다.
이러한 상기 독출회로(100)는 도 4에서 보는 바와 같이, 상기한 제 1 및 제 2 온도센서(70)(80)와 2개의 저항(R1)(R2)을 가지는 브리지 회로(110), 이 브리지 회로(110)와 연결된 차동증폭기(120), 이 차동증폭기(120)의 출력단에 입력단이 연결된 로우패스 회로(130) 및 이 로우패스 회로(130)의 출력단에 입력단이 연결된 주파수 보상회로(140)를 포함한다.
이와 같이 구성되는 본 발명에 의한 마이크로 가속도계는 도 5a 및 5b에 도시된 바와 같이, 가속도가 주어지지 않을 경우 두 캐비티(11)(12)간의 온도차는 0이다. 가속도(a)가 주어지고 멤브레인(60)이 변형하면, 두 캐비티(11)(12)의 부피가 변화된다. 열역학법칙에 따라 두 개 캐비티(11)(12) 내의 가스 온도는 캐비티(11)(12)의 부피 변화에 따라 다르게 나탄난다. 멤브레인(60)의 변형은 주어진 가속도(a)에 따라 변경된다. 따라서, 주어진 가속도를 두 캐비티(11)(12)간에 측정된 온도차에 기준하여 측정할 수 있다.
수학적 도출을 통하여 상기한 바와 같은 본 발명에 의한 마이크로 가속도계의 메카니즘을 좀 더 자세히 설명한다.
도 5a는 본 발명의 가속도계에 가속도가 주어지지 않았을 때 가스의 상태를 도시한다. 캐비티(11)(12)의 대칭구조로 인해 그 안의 가스 상태도 거의 같다. 각 캐비티(11)(12) 내의 초기온도, 압력, 부피 및 중량을 T1
i, P1
i
, V1
i, m1 및 T2
i, P2
i
, V2
i, m2 라고 가정한다.
도 4b는 하방향 가속도(a)가 가속도계에 주어진 경우 가스의 상태를 보여준 다. 이 경우, 멤브레인(60)이 상방향으로 볼록하게 변형된다. 이러한 멤브레인(60)의 변형으로 제 1 캐비티(11)의 부피가 줄어들고 가스는 압축된다. 가스의 열역학적 성질도 T1
f, P1
f 및 V1
f로 변경된다. 동시에 제 2 캐비티(12) 내의 가스 역시 새로운 열역학적 상태인 T2
f, P2
f 및 V2
f
로 변경된다. 제 1 및 제 2 캐비티(11)(12)는 압축기적 구성이 동일하므로, 압축기의 전형적인 방정식이 가속도계의 현상태를 판단하기 위해 사용될 수 있다. 초기에 제 1 및 제 2 캐비티(11)(12)의 크기, 내부 가스의 종류 및 중량이 같았으므로, 위의 과정은 다음과 같이 표현될 수 있다.
T1
i = T2
i P1
i = P2
i V1
i = V2
i m1 = m2. (1)
P1
fV1
f = m1RT1
f P2
fV2
f = m2RT2
f. (3)
P1
iV1
i = m1RT1
i P2
iV2
i = m2RT2
i. (4)
ΔV = V2
f - V2
i = V1
i - V1
f. (5)
여기서, ΔV는 부피 변화이며, R은 가스 상수이고 이는 중량 및 가스의 물리적 성질에 기준한다.
n은 폴리트로픽 지수(polytropic exponent)이다. 그 값은 1과 2사이, 즉 1<n ≤2이다. 또한 이 값은 가스 특성 및 폴리트로픽 과정에 기준한다. 폴리트로픽 과정의 일반적인 한 방법인 단열 압축의 경우, n은 단열상수인 k와 동일하다.
방정식 (1)-(5)에 따라 제 1 및 제 2 캐비티(11)(12)간 온도차 ΔT는 다음의 근사 방정식에 의해 정리될 수 있다.
여기서, ΔT의 실질적 값은 방정식 (6)의 우항보다 조금 더 높아야 한다. 즉, 본 발명에 따른 가속도계의 감도, 즉 ΔT는 방정식(6)에 의해 약간 낮은 값으로 어림된다.
테일러 시리즈 익스팬션(Taylor series expansion)을 사용하면 방정식(6)은 다음과 같이 변경된다.
방정식(7)은 가속도의 입력이 있고 얻어지는 ΔT의 최종 근사치이다.
ΔV가 가속도계에 주어지는 가속도로 인한 박막의 이동에 따라 정해지므로 다음의 식이 만족된다.
식(7)을 (8)과 조합하면,
가 된다.
식(7)-(9)에 따라 외부 가속도를 두 캐비티간의 온도차를 감지함으로써 측정할 수 있음을 알 수 있다.
본 발명에 따른 가속도계의 감도를 높이기 위해서는 ΔT를 증가시켜야 한다. 식(9)에 따라 다음의 방법이 사용될 수 있다.
1) 캐비티의 초기 가스온도(T1
i )를 상승시킨다. 파워 서플라이(90)를 이용하여 온도센서(70)(80)에 소정의 낮고 일정한 전류를 입력함으로써 온도(Ti)를 상승시키는 작은 히터 역할을 하도록 한다. 작고 일정한 전류를 갖는 온도센서가 좋은 선형도를 가질 수 있다.
2) 폴리트로픽 지수(n)를 상승시킨다. 위에 언급한 바와 같이, n은 가스 타입과 압축과정에 의해 결정된다. 단열 압축 및 단일 원자가스의 경우 높은 n을 가질 수 있다. 단열 압축을 위해서는 패키징도 좋아야 한다.
3) ΔT/V1
i을 상승시킨다. 다음의 두가지 방법을 사용할 수 있다. 첫 번째는 캐비티의 부피(V1
i)를 줄이는 방법이다. MEMS 제조법에 따라 소형 캐비티를 얻을 수 있다. 두 번째 방법은 ΔV를 올리는 방법이다. ΔV는 멤브레인(60)의 변형에 따라 결정되며, 멤브레인(60)의 변형은 그의 재질, 크기 및 중량의 디자인에 따라 변경된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 구조가 간단할 뿐만 아니라 MEMS 기술을 이용한 제조의 용이성 및 대량 생산이 가능하여 저렴한 마이크로 가속도계를 제공할 수 있다.
또, 신호 분석을 위하여 널리 사용되는 브리지회로를 사용하기 때문에 간단한 독출회로 설계가 가능한 마이크로 가속도계를 제공할 수 있다.
또, 온도센서는 전자기 간섭에 영향을 받지 않으며, 신호 감지가 두 개의 센서로부터 얻어지는 온도차에 기반되므로 주변 온도 효과를 방지할 수 있는 등 전자기 간섭 및 주변온도효과에 영향을 받지 않는 마이크로 가속도계를 제공할 수 있다.
또, MEMS 제조 및 패키징 방식을 사용하기 때문에 우수한 감도를 가지는 마이크로 가속도계를 제공할 수 있다.
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려 첨부된 특허청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
Claims (19)
- 하나의 밀폐공간을 대칭구조의 제 1 및 제 2 캐비티로 분리하며, 외력 작용시 변형하는 멤브레인;상기 제 1 및 제 2 캐비티에 동일한 양으로 충전되며, 상기 멤브레인의 변형으로 압축 또는 팽창되는 작동유체;상기 제 1 및 제 2 캐비티에서 압축 또는 팽창되는 상기 작동유체의 온도를 측정하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 캐비티에 각각 설치되는 제 1 및 제 2 온도센서; 및상기 제 1 및 제 2 온도센서에 연결된 가속도 감지를 위한 독출회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 1 항에 있어서,상기 밀폐공간을 제공하는 절연재질의 케이스부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계;
- 제 1 항에 있어서,상기 멤브레인은 절연재질로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 1 항에 있어서,상기 작동유체는 압축되었을 때 바람직한 단열상수를 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 4 항에 있어서, 상기 작동유체는,질소, 헬륨, 아르곤, 크세논, 네온 및 크립톤 가스 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 온도센서는 백금저항 온도 감지기를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 온도센서는 S자형으로 구성됨을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 온도센서에 전류를 공급하기 위한 파워 서플라이를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 1 항에 있어서,상기 독출회로는 브리지회로, 차동증폭기, 주파수 보상회로 및 로우패스 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 9 항에 있어서,상기 브리지회로는 상기 제 1 및 제 2 온도센서와 2개의 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 일정깊이 및 소정형상으로 에칭된 홈을 각각 가지는 제 1 및 제 2 기판 사이에 상기 홈들과 대칭구조의 제 2 홈을 가지는 제 3 기판이 본딩됨으로써 소정의 밀폐공간을 제공하는 케이스부재;상기 밀폐공간을 대칭구조의 제 1 및 제 2 캐비티로 분리하도록 상기 제 3 기판에 양단이 본딩되어 설치되며, 외력의 작용시 변형되는 멤브레인;상기 제 1 및 제 2 캐비티에 동일한 양으로 충전되며, 상기 멤브레인의 변형으로 압축 또는 팽창되는 가스;상기 제 1 및 제 2 캐비티에서 압축 또는 팽창되는 상기 가스의 온도를 측정하기 위한 제 1 및 제 2 온도센서;상기 제 1 및 제 2 온도센서에 소정의 전류를 공급하여 주기 위한 파워 서플라이; 및상기 제 1 및 제 2 온도센서에 연결된 가속도 감지를 위한 독출회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 온도센서는 제 1 및 제 2 캐비티의 정중앙에 위치하도록 제 1 및 제 2 기판과 동일한 높이를 유지하여 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 기판에는 상기 파워 서플라이 및 독출회로와의 연결을 위한 2개의 패드가 온도센서의 양측에 위치하도록 각각 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 12 항에 있어서,상기 케이스부재 및 멤브레인은 절연재질로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계;
- 제 12 항에 있어서,상기 가스는 압축되었을 때 바람직한 단열상수를 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 14 항에 있어서, 상기 가스는,질소, 헬륨, 아르곤, 크세논, 네온 및 크립톤 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 온도센서는 백금저항 온도 감지기를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 온도센서는 S자형으로 구성됨을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 12 항에 있어서,상기 독출회로는 브리지회로, 차동증폭기, 주파수 보상회로 및 로우패스 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
- 제 18 항에 있어서,상기 브리지회로는 상기 제 1 및 제 2 온도센서와 2개의 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가속도계.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040052953A KR100552480B1 (ko) | 2004-07-08 | 2004-07-08 | 마이크로 가속도계 |
| US11/028,520 US7080553B2 (en) | 2004-07-08 | 2005-01-05 | Micro-accelerometer |
| JP2005163828A JP2006023290A (ja) | 2004-07-08 | 2005-06-03 | マイクロ加速度計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040052953A KR100552480B1 (ko) | 2004-07-08 | 2004-07-08 | 마이크로 가속도계 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060004773A true KR20060004773A (ko) | 2006-01-16 |
| KR100552480B1 KR100552480B1 (ko) | 2006-02-15 |
Family
ID=35539913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040052953A KR100552480B1 (ko) | 2004-07-08 | 2004-07-08 | 마이크로 가속도계 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7080553B2 (ko) |
| JP (1) | JP2006023290A (ko) |
| KR (1) | KR100552480B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2004
- 2004-07-08 KR KR1020040052953A patent/KR100552480B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-01-05 US US11/028,520 patent/US7080553B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-03 JP JP2005163828A patent/JP2006023290A/ja not_active Ceased
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100552480B1 (ko) | 2006-02-15 |
| JP2006023290A (ja) | 2006-01-26 |
| US20060005626A1 (en) | 2006-01-12 |
| US7080553B2 (en) | 2006-07-25 |
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Legal Events
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| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130115 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |