KR20060002266A - Apparatus for manufacturing liquid crystal display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치의 제조장치에 관한 것으로서, 처리 대상 기판의 판면에 처리액을 공급하여 상기 기판의 표면을 처리하는 처리부와, 처리된 상기 기판을 이송하는 이송부와, 상기 기판의 이송방향을 따라 형성된 가로 노즐부를 가지고, 상기 기판의 표면에 세척액을 분사하는 세척부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 기판의 세척에 있어, 기판의 위치에 따라 처리액의 잔류시간이 달라지는 문제점을 감소시킬 수 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a processing unit for supplying a processing liquid to a plate surface of a substrate to be processed to treat the surface of the substrate; a transfer unit for transferring the processed substrate; It has a horizontal nozzle portion formed along, characterized in that it comprises a washing unit for spraying the cleaning liquid on the surface of the substrate. As a result, in the cleaning of the substrate, it is possible to reduce the problem that the residence time of the treatment liquid varies depending on the position of the substrate.

Description

액정표시장치의 제조장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY} Manufacturing apparatus of liquid crystal display device {APPARATUS FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

도 1은 본발명의 실시예에 따른 제조장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of the manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention,

도 2는 본발명의 실시예에 따른 세척부의 사시도이다.2 is a perspective view of a washing unit according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *Explanation of Signs of Major Parts of Drawings

100 : 기판 310 : 가로 아쿠아 나이프 311 : 가로 노즐부 320 : 세로 아쿠아 나이프 321 : 세로 노즐부 340 : 세척액Reference Signs List 100 substrate 310 horizontal aqua knife 311 horizontal nozzle part 320 vertical aqua knife 321 vertical nozzle part 340 washing liquid

400 : 이송부400: transfer unit

본 발명은, 액정표시장치의 제조장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 현상액 또는 식각액 등의 처리액으로 처리된 기판을 DI 워터(deionized water)로 세척하는 장치에 있어, 기판의 위치에 따라 처리액의 잔류시간이 달라지는 문제점이 감소된 액정표시장치의 제조장치를 제공하는 것이다. The present invention relates to an apparatus for manufacturing a liquid crystal display device. More specifically, in the apparatus for cleaning a substrate treated with a treatment liquid such as a developing solution or an etching solution with DI water, the problem that the remaining time of the treatment liquid varies according to the position of the substrate is reduced. It is to provide a manufacturing apparatus.

액정표시장치는 박막트랜지스터가 형성되어 있는 박막트랜지스터 기판과 컬러 필터층이 형성되어 있는 컬러필터 기판, 그리고 이들 사이에 액정층이 위치하고 있는 액정패널을 포함한다. 액정패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 후면에는 빛을 조사하기 위한 백라이트 유닛이 위치할 수 있다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정층의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다. The LCD includes a thin film transistor substrate on which a thin film transistor is formed, a color filter substrate on which a color filter layer is formed, and a liquid crystal panel on which a liquid crystal layer is positioned. Since the liquid crystal panel is a non-light emitting device, a backlight unit for irradiating light may be disposed on the rear surface of the thin film transistor substrate. Light transmitted from the backlight unit is adjusted according to the arrangement of the liquid crystal layer.

이외에 액정패널의 각 화소를 구동하기 위해서, 구동회로와, 구동회로로부터 구동신호를 받아 표시영역내의 데이터선과 게이트선에 전압을 인가하는 데이터 드라이버와 게이트 드라이버가 마련되어 있다. In addition, in order to drive each pixel of the liquid crystal panel, a driving circuit and a data driver and a gate driver for receiving a driving signal from the driving circuit and applying a voltage to the data line and the gate line in the display area are provided.

이러한 액정표시장치를 제조하는 과정에 있어, 특히 칼라필터 기판 또는 박막트랜지스터 기판의 제조시에는 여러 가지 처리액이 사용된다.In the process of manufacturing such a liquid crystal display, various processing liquids are used, particularly in the manufacture of a color filter substrate or a thin film transistor substrate.

처리액으로는 노광된 감광막을 현상하여 감광막 패턴을 형성하는데 사용하는 현상액과, 금속층 등을 식각하는데 사용하는 식각액 등이 있다.Examples of the processing liquid include a developer used to develop the exposed photosensitive film to form a photosensitive film pattern, an etchant used to etch a metal layer, and the like.

이중 식각액을 사용하는 습식 식각 방식으로는 딥 식각(dip etching) 방식과 스프레이 식각(spray etching)방식이 있다. 딥 식각은 기판을 식각액에 완전히 담그는 것으로 등방적(isotropic)으로 식각되는 경향이 있으며, 스프레이 방식은 식각하고자 하는 기판 위에 노즐을 통해 식각용액을 분사하여 식각하는 방식으로 이방적(anisotropic)으로 식각이 이루어진다.The wet etching method using the double etchant includes a dip etching method and a spray etching method. Deep etching tends to be etched isotropically by immersing the substrate completely in the etchant, and spraying method is anisotropically etching by spraying the etching solution through a nozzle onto the substrate to be etched. Is done.

이러한 현상과 식각 등의 공정에서 처리액을 사용하면 기판 표면에는 처리액이 잔존하는데, 이는 세척과정을 통하여 제거하여야 한다. 세척과정에서는 기판 표면에 DI워터를 분사하여 처리액을 DI워터로 치환한다. 이 과정에서 치환은 신속하게 이루어져야 하며, 그렇지 않은 경우 기판의 위치에 따라 처리액이 잔존하는 시 간이 달라져 기판에 얼룩이 발생할 수 있다.When the treatment liquid is used in such a phenomenon and etching process, the treatment liquid remains on the surface of the substrate, which must be removed by a washing process. In the washing process, DI water is sprayed on the surface of the substrate to replace the treatment liquid with DI water. In this process, the substitution should be performed quickly. Otherwise, the remaining time of the treatment liquid may vary depending on the position of the substrate, which may cause staining on the substrate.

이를 위해 세척과정에서는 스프레이를 통한 DI워터의 분사뿐만 아니라, 기판의 진행방향의 가로방향으로 형성된 노즐부를 가지는 아쿠아 나이프(aqua knife)를 통해 기판에 DI워터를 분사하고 있다.To this end, in the cleaning process, DI water is sprayed onto the substrate through an aqua knife having a nozzle portion formed in the transverse direction of the substrate as well as the DI water sprayed through the spray.

최근 기판의 크기가 커지고 있는데, 직사각형 형태의 기판에 있어 긴 변의 길이가 2M가 넘고 있다. 반면 이렇게 대형화된 기판을 현상, 식각 등이 이루어지는 처리부로부터 세척부로 이송하는 속도는 약 3M/분이다. 따라서 아쿠아 나이프를 지나가는 기판의 앞부분과 기판의 뒷부분사이에는 약 40초의 시간간격이 발생한다. 이에 따라 위에서 언급한 얼룩이 발생하는 문제가 심각해지고 있다. Recently, the size of the substrate is increasing, the length of the long side is more than 2M in the rectangular substrate. On the other hand, the transfer speed of the large-sized substrate from the processing unit where development, etching, etc. is performed is about 3M / min. Therefore, a time interval of about 40 seconds occurs between the front of the substrate passing through the aqua knife and the back of the substrate. As a result, the problem of occurrence of the above-mentioned stain is becoming serious.

따라서 본 발명의 목적은 기판의 세척에 있어, 기판의 위치에 따라 처리액의 잔류시간이 달라지는 문제점이 감소되는 액정표시장치의 제조장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an apparatus for manufacturing a liquid crystal display device, in which the problem that the residence time of the treatment liquid varies depending on the position of the substrate in cleaning the substrate is reduced.

상기의 목적은, 액정표시장치의 제조장치에 있어서, 처리 대상 기판의 판면에 처리액을 공급하여 상기 기판의 표면을 처리하는 처리부와, 처리된 상기 기판을 이송하는 이송부와,상기 기판의 이송방향을 따라 형성된 가로 노즐부를 가지고, 상기 기판의 표면에 세척액을 분사하는 세척부를 포함하는 것에 의하여 달성될 수 있다.The above object is, in the manufacturing apparatus of the liquid crystal display device, a processing unit for supplying a processing liquid to the plate surface of the substrate to be processed to treat the surface of the substrate, a transfer unit for transferring the processed substrate, and the transfer direction of the substrate By having a horizontal nozzle portion formed along the, it can be achieved by including a washing portion for spraying the cleaning liquid on the surface of the substrate.

상기 세척부는, 상기 기판의 이송방향에 가로방향으로 형성된 세로 노즐부를 더 포함하는 것이 바람직하다. The cleaning unit preferably further includes a vertical nozzle unit formed in the transverse direction in the transport direction of the substrate.                     

상기 가로 노즐부는 상기 기판의 일측변을 따라 배치되며, 상기 이송부는, 상기 세척부에서 상기 일측연이 상부에 오도록, 상기 기판을 상기 기판의 이송방향의 가로방향으로 경사지게 이송하는 것이 바람직하다.The horizontal nozzle unit is disposed along one side of the substrate, the transfer unit, it is preferable to transfer the substrate inclined in the transverse direction of the transfer direction of the substrate so that the one side edge in the washing unit.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본발명을 더욱 상세히 설명하겠다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본발명의 실시예에 따른 제조장치의 단면도이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제조장치 중 세척부의 단면도를 나타낸 것이다.1 is a cross-sectional view of the manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 shows a cross-sectional view of the washing unit of the manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 제조장치는 크게 기판(100), 처리부(200), 세척부(300), 이송부(400)로 나누어진다.Manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention is largely divided into a substrate 100, a processing unit 200, a washing unit 300, a transfer unit 400.

기판(100)은 처리부(200)에서 처리될 부분을 노출하고 있다. 처리가 현상일 경우에는 노광 처리된 감광막이 노출되어 있다. 처리가 식각일 경우에는 식각될 금속층, 전극층, 절연층 등이 노출되어 있으며, 식각이 되지 않을 부분은 감광막으로 덮여 있다.The substrate 100 exposes a portion to be processed by the processor 200. When the treatment is a development, the exposed photosensitive film is exposed. When the treatment is etched, the metal layer to be etched, the electrode layer, the insulating layer, and the like are exposed, and the portions not to be etched are covered with the photosensitive film.

처리부(200)는 배스 형식으로 되어 있으며, 기판(100)의 표면에 처리액 스프레이(210)를 통하여 처리액(220)을 분사한다. The processing unit 200 has a bath type, and sprays the processing liquid 220 on the surface of the substrate 100 through the processing liquid spray 210.

처리액(220)이 현상액일 경우, 메탈 성분이 포함되지 않는 유기 알카라인 용액 계열이 사용되며, 세척과정을 통하여 알카라인 성분은 완전 제거된다. 현상방식으로는 도시한 바와 같이 현상액을 일정 수준의 압력으로 분사 시켜주는 스프레이 방식과, 단순히 현상액 속에 딥핑(dipping)하는 방식, 퍼들(puddle)방식 등이 있으며, 현상 효과를 증대시키기 위하여 혼합된 방식도 사용된다.When the treatment solution 220 is a developer, an organic alkaline solution series containing no metal component is used, and the alkaline component is completely removed through a washing process. As a developing method, there are a spray method that injects the developer at a predetermined level as shown in the drawing, a method of simply dipping into the developer, a puddle method, and a mixed method to increase the development effect. Is also used.

처리액(220)이 식각액일 경우 식각 대상에 따라 그 성분이 달라진다. 알루미늄 이나 몰리브덴을 식각할 경우 식각액은 인산, 질산, 아세트산을 포함한다. 탄탈을 식각할 경우 식각액은 불산과 질산을 포함한다. 크롬을 식각할 경우 식각액은 질산암모니움세슘과 질산을 포함한다. 또한 ITO(indium tin oxide)를 식각할 경우 식각액은 염산, 질산, 염화철을 포함한다.When the treatment liquid 220 is an etching solution, its components vary depending on the etching target. When etching aluminum or molybdenum, the etchant contains phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. When tantalum is etched, the etchant contains hydrofluoric acid and nitric acid. When etching chromium, the etchant contains ammonium cesium nitrate and nitric acid. In addition, when etching indium tin oxide (ITO), the etchant includes hydrochloric acid, nitric acid, and iron chloride.

도시하지는 않았으나 처리부(200)는 처리액 저장탱크와, 처리액(220)을 처리액 스프레이(210)로 공급해주는 처리액 공급부를 더 포함한다.Although not shown, the processing unit 200 further includes a processing liquid storage tank and a processing liquid supply unit supplying the processing liquid 220 to the processing liquid spray 210.

이송부(400)는 콘베이어 벨트 타입으로 되어 있으며 기판(100)을 처리부(200)에서 세척부(300)로 이송한다. 기판(100)은 통상 직사각형 형상으로 되어 있는데, 이송부(400)는 기판(100)의 긴 변과 평행한 방향으로 기판(100)을 이송한다. 처리부(200)와 세척부(300) 사이에는 길쭉하게 마련된 통로(500)가 위치하며, 기판(100)은 이 부분을 통과하게 된다. 기판(100)이 세척부(300)를 지나갈 때, 이송부(400)는 기판(100)을 이송방향의 가로방향으로 일정각도(??) 기울여서 이송한다. 이는 처리액(220)이 기판(100)의 표면과 반응을 하는 시간이 필요한 처리부(200)와 달리, 세척부(300)에서는 세척액(340)이 기판(100) 표면을 세척하고 신속히 배출되는 것이 바람직하기 때문이다.The transfer unit 400 is of a conveyor belt type and transfers the substrate 100 from the processing unit 200 to the cleaning unit 300. The substrate 100 is generally rectangular in shape, and the transfer part 400 transfers the substrate 100 in a direction parallel to the long side of the substrate 100. An elongated passage 500 is positioned between the processing unit 200 and the cleaning unit 300, and the substrate 100 passes through the portion. When the substrate 100 passes the cleaning unit 300, the transfer unit 400 is inclined by a predetermined angle (??) in the transverse direction of the transfer direction. This is in contrast to the processing unit 200 that requires a time for the treatment liquid 220 to react with the surface of the substrate 100. In the cleaning unit 300, the cleaning liquid 340 cleans the surface of the substrate 100 and is quickly discharged. It is because it is preferable.

세척부(300) 역시 처리부(200)와 유사하게 배스 형식으로 되어 있으며, 가로 아쿠아 나이프(310), 세로 아쿠아 나이프(320), 세척액 스프레이(330)등을 포함한다.The washing unit 300 also has a bath type similar to the processing unit 200, and includes a horizontal aqua knife 310, a vertical aqua knife 320, a cleaning liquid spray 330, and the like.

가로 아쿠아 나이프(310)는 긴 봉형상이며, 그 단면은 오각형이다. 기판(100)을 향하는 부분에는 길이 방향으로 길게 형성된 가로 노즐부(311)가 마련되어 있다. 가로 아쿠아 나이프(310)는 세척액 탱크(도시하지 않음)으로부터 세척액 공급부(도 시하지 않음)를 통해 세척액(340)을 공급받는다. 공급받은 세척액(340)은 가로 노즐(311)을 통하여 기판(100)에 분사된다. The horizontal aqua knife 310 has a long rod shape, and its cross section is pentagonal. The horizontal nozzle part 311 formed long in the longitudinal direction is provided in the part which faces the board | substrate 100. As shown in FIG. The horizontal aqua knife 310 receives the washing liquid 340 from the washing liquid tank (not shown) through the washing liquid supply unit (not shown). The supplied washing liquid 340 is sprayed onto the substrate 100 through the horizontal nozzle 311.

가로 노즐(311)은 기판(100)의 일측변을 따라 배치된다. 바람직하게는 기판(100)의 긴 측변 중 어느 하나를 따라 배치되는 것이 좋다. 가로노즐(311)의 길이(L1)는 기판(100)의 긴 측변 길이(L2)의 50%내외가 적당하다. The horizontal nozzle 311 is disposed along one side of the substrate 100. Preferably it is disposed along any one of the long side of the substrate 100. The length L1 of the horizontal nozzle 311 is preferably about 50% of the long side length L2 of the substrate 100.

세로 아쿠아 나이프(320)는 긴 봉형상이며, 그 단면은 오각형이다. 기판(100)을 향하는 부분에는 길이 방향으로 길게 형성된 세로 노즐부(321)가 마련되어 있다. 세로 아쿠아 나이프(320)는 세척액 탱크(도시하지 않음)으로부터 세척액 공급부(도시하지 않음)를 통해 세척액(340)을 공급받는다. 공급받은 세척액(340)은 세로 노즐(321)을 통하여 기판(100)에 분사된다. The vertical aqua knife 320 has a long rod shape, and its cross section is pentagonal. The vertical nozzle part 321 formed in the longitudinal direction is provided in the part which faces the board | substrate 100. FIG. The vertical aqua knife 320 receives a washing liquid 340 from a washing liquid tank (not shown) through a washing liquid supply unit (not shown). The supplied washing liquid 340 is sprayed onto the substrate 100 through the vertical nozzle 321.

세로 노즐(321)은 기판(100)의 이송방향에 가로방향으로 배치된다. 즉 가로 노즐(311)과 세로 노즐(321)은 상호 직교하는 것이다. 세로노즐(321)의 길이(L3)는 기판(100)의 짧은 측면의 길이(L4)보다 다소 긴 것이 바람직하다. The vertical nozzle 321 is disposed in the transverse direction in the transport direction of the substrate 100. That is, the horizontal nozzle 311 and the vertical nozzle 321 are perpendicular to each other. The length L3 of the vertical nozzle 321 is preferably somewhat longer than the length L4 of the short side of the substrate 100.

가로 아쿠아 나이프(310)와 세로 아쿠아 나이프(320)의 후방에는 처리액 스프레이(220)과 유사한 세척액 스프레이(330)이 마련되어 있다. 세척액 스프레이(330)는 가로 아쿠아 나이프(310)와 세로 아쿠아 나이프(320)를 거친 기판(100)에 세척액(340)을 스프레이한다. At the rear of the horizontal aqua knife 310 and the vertical aqua knife 320, a cleaning liquid spray 330 similar to the processing liquid spray 220 is provided. The cleaning liquid spray 330 sprays the cleaning liquid 340 on the substrate 100 through the horizontal aqua knife 310 and the vertical aqua knife 320.

상기의 세척액(340)은 통상 DI 워터이다.The washing liquid 340 is usually DI water.

위의 실시예에서와 달리 가로 노즐부(311)는 복수의 분사공이 일렬로 나열되어 있는 형태일 수 있다. 또한 기판(100)과 가로 노즐부(311)의 상대적인 위치는 다소 변경될 수 있다. 세척의 효과를 높이기 위하여 가로 노즐부(311)와 세로 노즐부(321) 중 어느 하나, 또는 둘 모두 복수로 마련하는 것도 가능하다. 또한 가로 노즐부(311)과 세로 노즐부(321)가 일체로 형성되는 것도 가능하다.Unlike the above embodiment, the horizontal nozzle unit 311 may have a shape in which a plurality of injection holes are arranged in a line. In addition, the relative positions of the substrate 100 and the horizontal nozzle unit 311 may be changed somewhat. In order to enhance the cleaning effect, any one or both of the horizontal nozzle part 311 and the vertical nozzle part 321 may be provided in plural. In addition, the horizontal nozzle part 311 and the vertical nozzle part 321 may be formed integrally.

이와 같은 구성을 가지는 액정표시장치의 제조장치를 이용하여 기판(100)을 처리하고 세척하는 과정을 설명하면 다음과 같다. 설명을 위하여 기판(100)상에 게이트 배선을 형성하는 과정을 예로 들겠다.A process of treating and cleaning the substrate 100 by using the apparatus for manufacturing the liquid crystal display device having such a configuration will be described below. For example, a process of forming a gate wiring on the substrate 100 will be described.

기판소재 상에 게이트 금속층을 증착하고, 감광액을 도포한다. 이후 소프트 베이크 과정을 거쳐 감광액 내의 솔벤트를 제거하여 감광막을 형성한다. 솔벤트가 제거된 감광막에 일정한 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 노광을 실시한다. A gate metal layer is deposited on the substrate material, and a photosensitive liquid is applied. After the soft bake process, the solvent in the photoresist is removed to form a photoresist film. Exposure is performed using a mask having a predetermined pattern formed on the photoresist film from which the solvent is removed.

처리부(200)에서 감광막이 노광된 기판(100)을 현상한다. 처리부(200)에서는 이송부(400)에 의해 이송되고 있는 기판(100)의 표면에 처리액 스프레이(210)을 통해 처리액(220)을 분사한다. 이 때 처리액(220)은 현상액이며, 통상 금속이온 성분이 포함되지 않은 유기 알카라인 용액이다. 처리부(200)에서 기판(100)의 감광막은, 감광액이 네가티브일 경우 노광되지 않은 영역이 처리액(220)과 반응하여 용해되며, 감광액이 포지티브일 경우 노광된 영역이 처리액(220)과 반응하여 용해된다.The processing unit 200 develops the substrate 100 on which the photosensitive film is exposed. The processing unit 200 sprays the processing liquid 220 through the processing liquid spray 210 on the surface of the substrate 100 being transferred by the transfer unit 400. At this time, the treating solution 220 is a developing solution, and is usually an organic alkaline solution containing no metal ion component. In the processing unit 200, the photosensitive film of the substrate 100 reacts with the processing liquid 220 when the photosensitive liquid is negative and reacts with the processing liquid 220. When the photosensitive liquid is positive, the exposed area reacts with the processing liquid 220. Is dissolved.

이후 이송부(400)는 감광막이 현상 처리된 기판(100)을 세척부(300)로 이송하는데, 세척부(300)에서는 기판(100)의 진행방향의 가로방향으로 경사지게 이송한다.Thereafter, the transfer unit 400 transfers the substrate 100 on which the photoresist is developed to the washing unit 300, and in the washing unit 300, the transfer unit 400 is inclined in the horizontal direction of the traveling direction of the substrate 100.

통로(500)를 통해 세척부(300)로 들어온 기판(100)에, 가로 아쿠아 나이프(310)의 가로 노즐부(311)과 세로 아쿠아 나이프(320)의 세로 노즐부(321)에서 세척액(340)이 분사된다. 세척액(340)은, 처리액(220)과 반응하여 용해된 감광막을 기판(100)으로부터 제거한다.The cleaning liquid 340 in the horizontal nozzle portion 311 of the horizontal aqua knife 310 and the vertical nozzle portion 321 of the vertical aqua knife 320 to the substrate 100 that enters the cleaning part 300 through the passage 500. ) Is sprayed. The cleaning liquid 340 reacts with the processing liquid 220 to remove the dissolved photosensitive film from the substrate 100.

가로 아쿠아 나이프(310)는 기판(100)중에서 상부에 위치한 일측변을 따라 위치하고 있다. 따라서 가로 노즐부(311)을 통해 분사된 세척액(340)은 경사를 따라 기판(100)에서 흐려 내려간다. The horizontal aqua knife 310 is located along one side positioned at the top of the substrate 100. Therefore, the cleaning liquid 340 injected through the horizontal nozzle part 311 is clouded down from the substrate 100 along the inclination.

세로 노즐부(321)과 함께 가로 노즐부(311)로부터도 세척액(340)이 분사되기 때문에 기판(100)상의 처리액(220)이 빠른 속도로 제거될 수 있으며, 기판(100)상의 위치에 따른 처리액(220)의 잔류시간 간의 차이도 대폭 감소된다.Since the cleaning liquid 340 is also sprayed from the horizontal nozzle portion 311 together with the vertical nozzle portion 321, the processing liquid 220 on the substrate 100 can be removed at a high speed, and is located at a position on the substrate 100. The difference between the remaining times of the treatment liquid 220 is also greatly reduced.

가로 아쿠아 나이프(310)와 세로 아쿠아 나이프(320)을 통과한 기판(100)은 세척액 스프레이(330)을 거치면서, 처리액(220)은 완전히 제거된다.The substrate 100 passing through the horizontal aqua knife 310 and the vertical aqua knife 320 passes through the cleaning liquid spray 330, and the treatment liquid 220 is completely removed.

현상과 세척 후에 기판(100)상에 패턴을 이루며 형성된 감광막은 하드 베이크 과정을 통하여 접착력이 강화된다. 이후 기판(100)은 처리부(200)에서 식각과정을 거친다. 게이트 배선이 알루미늄이라면 처리액(220)은 인산, 질산, 아세트산의 혼합물이 된다.After development and cleaning, the photoresist formed in a pattern on the substrate 100 is strengthened through the hard bake process. Subsequently, the substrate 100 is etched by the processor 200. If the gate wiring is aluminum, the treatment liquid 220 is a mixture of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid.

구체적인 식각과 세척 과정은 현상의 경우와 유사하다. The specific etching and cleaning procedures are similar to those for development.

위에서는 현상과 식각이 동일한 처리부(200)와 세척부(300)에서 이루어지는 것으로 설명되었으나, 바람직하게는 현상과 식각이 별도의 처리부(200)와 세척부(300)에서 이루어지는 것이 좋다. 또한 처리부(200)의 구성과 처리방법은 본 실시예에 한정되지 않으며 다양한 변형이 가능하다.Although development and etching have been described above in the same processing unit 200 and washing unit 300, it is preferable that development and etching be performed in separate processing unit 200 and washing unit 300. In addition, the configuration and processing method of the processing unit 200 is not limited to this embodiment, various modifications are possible.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 본 발명의 목적은 기판의 세척에 있어, 기판의 위치에 따라 처리액의 잔류시간이 달라지는 문제점이 감소되는 액정표시장치의 제조장치가 제공된다. 이에 따라, 처리액의 잔류시간 차이로 인해 기판상에 발생할 수 있는 얼룩이 감소되며, 액정표시장치의 품질이 균일해진다. As described above, according to the present invention, an object of the present invention is to provide a manufacturing apparatus of a liquid crystal display device in which the problem that the remaining time of the processing liquid varies depending on the position of the substrate in cleaning the substrate is reduced. As a result, unevenness that may occur on the substrate due to the difference in the remaining time of the treatment liquid is reduced, and the quality of the liquid crystal display device is uniform.

Claims (3)

액정표시장치의 제조장치에 있어서,In the manufacturing apparatus of the liquid crystal display device, 처리 대상 기판의 판면에 처리액을 공급하여 상기 기판의 표면을 처리하는 처리부와;A processing unit supplying a processing liquid to a plate surface of a substrate to be processed to process a surface of the substrate; 처리된 상기 기판을 이송하는 이송부와;A transfer unit for transferring the processed substrate; 상기 기판의 이송방향을 따라 형성된 가로 노즐부를 가지고, 상기 기판의 표면에 세척액을 분사하는 세척부를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조장치.And a washing unit having a horizontal nozzle unit formed along a conveying direction of the substrate and spraying the washing liquid on the surface of the substrate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세척부는,The washing unit, 상기 기판의 이송방향에 가로방향으로 형성된 세로 노즐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조장치.And a vertical nozzle part formed in a transverse direction in the conveying direction of the substrate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가로 노즐부는 상기 기판의 일측변을 따라 배치되며,The horizontal nozzle unit is disposed along one side of the substrate, 상기 이송부는,The transfer unit, 상기 세척부에서 상기 일측변이 상부에 오도록, 상기 기판을 상기 기판의 이송방향의 가로방향으로 경사지게 이송하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제 조장치.And the substrate is inclined in the transverse direction of the transfer direction of the substrate such that the one side is positioned above the cleaning unit.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100851034B1 (en) * 2007-01-31 2008-08-12 주식회사 디엠에스 Apparatus for eliminating fluid
CN106140704A (en) * 2016-08-26 2016-11-23 芜湖明特威工程机械有限公司 Plate system washed by a kind of pipeline system sword plate
EP4345867A1 (en) * 2022-09-26 2024-04-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120053319A (en) * 2010-11-17 2012-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 Cleaning system for substrate and clening method for the same
CN102319699A (en) * 2011-06-29 2012-01-18 彩虹（佛山）平板显示有限公司 Cleaning device of TFT (Thin Film Transistor) substrate
CN104550157B (en) * 2014-12-24 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 Clean device
JP6937824B2 (en) 2016-09-08 2021-09-22 ノードソン コーポレーションＮｏｒｄｓｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Systems and methods for active adhesive recirculation control

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3937071A1 (en) * 1989-11-07 1991-05-08 Kopperschmidt Mueller & Co DEVICE AND METHOD FOR COATING PLATE-SHAPED SUBSTRATES, LIKE CIRCUIT BOARDS
JP2862458B2 (en) * 1993-06-15 1999-03-03 株式会社東芝 Method and apparatus for cleaning substrate to be cleaned
JPH09276773A (en) * 1996-04-10 1997-10-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device
JP3754905B2 (en) * 2001-09-10 2006-03-15 東京エレクトロン株式会社 Substrate dryer
JP2004074021A (en) * 2002-08-19 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate cleaning unit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100851034B1 (en) * 2007-01-31 2008-08-12 주식회사 디엠에스 Apparatus for eliminating fluid
CN106140704A (en) * 2016-08-26 2016-11-23 芜湖明特威工程机械有限公司 Plate system washed by a kind of pipeline system sword plate
EP4345867A1 (en) * 2022-09-26 2024-04-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus

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