KR20050118234A - 고주파-플라즈마 방사 소스 및 표면을 조사하는 방법 - Google Patents
고주파-플라즈마 방사 소스 및 표면을 조사하는 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (26)
- 플라즈마용 플라즈마 공간(3), 플라즈마를 점화하여 얻기 위한 전기 수단(8, 9), 플라즈마 공간(3)으로부터 플라즈마 방사(Ⅰ)를 인출하기 위해 고주파 전위로 존재하는 인출 그리드(4) 및 양호하게는 진공 챔버(7)쪽으로의 유출 개구를 포함하며, 인출 그리드(4)는 유출 개구 영역에 배치되는 고주파-플라즈마 방사 소스에 있어서,플라즈마 방사(Ⅰ)는 본질적으로 발산형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항에 있어서, 플라즈마 방사(Ⅰ)의 발산도는 플라즈마와 인출 그리드(4) 사이의 의도된 상호 작용을 통해 발생되는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 표면의 적어도 하나의 부분 영역에 대한 플라즈마 흐름 밀도의 높은 균일성을 달성하기 위해, 플라즈마 방사(Ⅰ)는 표면의 적어도 하나의 부분 영역의 형상에 맞추어지는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 인출 그리드(4)는 플라즈마 공간(3)에 대해 오목 또는 볼록하게 보이도록 형성되며, 양호하게는 인출 그리드의 표면의 적어도 하나의 부분 영역이 실린더 형상의 공간 몸체 쉘로 된 일부분인 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 인출 그리드(4)는 자체의 표면의 적어도 하나의 부분 영역에 대해 불균일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 공간(3)의 외부에 배치된 적어도 하나의 스크린이 구비되는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 유출 개구가 부분 영역에서 스크린에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 인출 그리드(4)는 인출 그리드(4)와 플라즈마 공간(3)의 플라즈마 사이의 공간 전하 영역의 두께보다 더 작은 메쉬 폭을 갖는 메쉬를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 인출 그리드(4)는 적어도 인출 그리드(4)와 플라즈마 공간(3)의 플라즈마 사이의 공간 전하 영역의 두께만큼 큰 메쉬 폭을 갖는 메쉬를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제9항에 있어서, 인출 그리드(4)는 플라즈마가 본질적으로 플라즈마 공간(3)에 유지되는 크기 이하의 크기인 메쉬 폭을 갖는 메쉬를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 플라즈마용 플라즈마 공간(3), 플라즈마를 점화하여 얻기 위한 전기 수단(8, 9), 플라즈마 공간(3)으로부터 플라즈마 방사(Ⅰ)를 인출하기 위해 고주파 전위로 존재하는 편평한 인출 그리드(4) 및 양호하게는 진공 챔버(7)쪽으로의 유출 개구를 포함하며, 인출 그리드(4)는 유출 개구 영역에 배치되는 고주파-플라즈마 방사 소스에 있어서,플라즈마 방사는 높은 평행도를 가지며, 플라즈마 공간(3) 외부에 배치된 적어도 하나의 스크린이 구비되며, 상기 스크린에 의해 플라즈마 방사(Ⅰ)는 천정부(11)의 표면의 적어도 하나의 부분 영역 상에 플라즈마 방사 밀도의 높은 균일성을 달성하도록 조절 가능한 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 방사(Ⅰ)의 조절을 위해 적어도 하나의 스크린에 전위가 공급되는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 코팅 챔버(7)에서, 유출 개구에 대해 본질적으로 대향된 상태로, 기판(10.1, 10.2, 10.3, 10.4, 10.5, 10.6)을 포함하는 만곡된 표면, 양호하게는 천정부(11)가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 고주파-플라즈마 방사 소스(1) 외에 증발 소스가 구비되는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 인출 그리드(4)는 와이어 강도가 대략 0,02 - 3 mm, 양호하게는 0,1 - 1 mm인 볼프람 그리드로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마를 플라즈마 공간(3) 영역에 가두기 위해 적어도 하나의 자석(5)이 구비되는 것을 특징으로 하는 고주파-플라즈마 방사 소스.
- 하우징(2), 고주파-플라즈마 방사 소스 및 조사될 표면을 포함하는 진공 챔버에 있어서,고주파-플라즈마 방사 소스(1)는 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 제17항에 있어서, 조사될 표면은 만곡형, 양호하게는 천정부(11)이며, 하나 이상의 기판(10.1, 10.2, 10.3, 10.4, 10.5, 10.6)을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 고주파-플라즈마 방사 소스의 플라즈마 방사에 의해 표면을 조사하는 방법에 있어서,발산형 플라즈마 방사(Ⅰ)가 사용되며, 고주파-플라즈마 방사 소스는 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서, 플라즈마 방사(Ⅰ)는 n=16 이하, 양호하게는 n=4인 발산 크기를 갖는 방사 특성을 포함하며, n은 코사인-분포 함수의 지수인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항 또는 제20항에 있어서, 플라즈마 방사(Ⅰ)의 방사 특성은 플라즈마와 인출 그리드(4) 사이의 의도된 상호 작용을 통해 발생되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 인출된 플라즈마와 플라즈마 공간(3) 외부에 배치된 적어도 하나의 스크린 사이의 의도된 상호 작용이 이용되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 표면의 적어도 하나의 부분 영역에 대한 플라즈마 방사 밀도의 높은 균일성을 달성하기 위해, 플라즈마 방사(Ⅰ)의 방사 특성은 조사된 표면의 적어도 하나의 부분 영역에 맞추어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 만곡형 표면, 양호하게는 천정부(11)가 구비되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 표면을 조사함으로써 표면의 코팅이 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 표면을 조사함으로써 표면의 조절 및/또는 세척이 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
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