KR20050116758A - Mask and grounding method thereof - Google Patents
Mask and grounding method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050116758A KR20050116758A KR1020040041987A KR20040041987A KR20050116758A KR 20050116758 A KR20050116758 A KR 20050116758A KR 1020040041987 A KR1020040041987 A KR 1020040041987A KR 20040041987 A KR20040041987 A KR 20040041987A KR 20050116758 A KR20050116758 A KR 20050116758A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- transparent substrate
- ground electrode
- chromium film
- forming
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
- H01L21/28194—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation by deposition, e.g. evaporation, ALD, CVD, sputtering, laser deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
본 발명은 마스크 및 그 접지방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 투명기판을 관통하는 관통홀을 도전체로 매입하여 크롬막과 기판지지대를 전기적으로 연결하여 접지시킴으로써 크롬막의 손상을 방지하고 파티클의 발생을 억제하면서도 간편하게 구현할 수 있는 마스크 및 그 접지방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask and a method of grounding the same, and more particularly, embeds a through-hole penetrating a transparent substrate as a conductor to electrically connect and ground the chromium film and the substrate support to prevent damage to the chromium film and to suppress particle generation. The present invention relates to a mask and a method of grounding the same, which can be easily implemented.
본 발명의 상기 목적은 투명기판을 관통하는 관통홀을 형성하는 단계, 상기 관통홀 내부에 접지전극을 형성하는 단계 및 상기 접지전극이 형성된 관통홀을 포함한 투명기판 상부에 크롬막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 접지방법에 의해 달성된다.The object of the present invention includes the steps of forming a through hole penetrating the transparent substrate, forming a ground electrode in the through hole and forming a chromium film on the transparent substrate including a through hole formed with the ground electrode It is achieved by a mask grounding method characterized in that.
따라서, 본 발명의 마스크 및 그 접지방법은 투명기판을 관통하는 관통홀을 도전체로 매입하여 크롬막과 기판지지대를 전기적으로 연결하여 접지시킴으로써 마스크 제조 내지는 측정 중에 전하의 축적을 방지하고 크롬막의 손상 및 파티클의 발생을 억제하여 마스크 제조시의 수율을 향상시키고 측정 에러를 최소화하는 효과가 있다. Therefore, the mask of the present invention and the grounding method of the present invention by embedding the through-hole penetrating the transparent substrate as a conductor to electrically connect the chromium film and the substrate support to ground, thereby preventing the accumulation of charge during mask manufacturing or measurement, and damage of the chromium film and By suppressing the generation of particles, there is an effect of improving the yield in manufacturing the mask and minimizing the measurement error.
Description
본 발명은 마스크 및 그 접지방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 투명기판을 관통하는 관통홀을 도전체로 매입하여 크롬막과 기판지지대를 전기적으로 연결하여 접지시킴으로써 크롬막의 손상을 방지하고 파티클의 발생을 억제하면서도 간편하게 구현할 수 있는 마스크 및 그 접지방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask and a method of grounding the same, and more particularly, embeds a through-hole penetrating a transparent substrate as a conductor to electrically connect and ground the chromium film and the substrate support to prevent damage to the chromium film and to suppress particle generation. The present invention relates to a mask and a method of grounding the same, which can be easily implemented.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 발전에 따라 반도체 소자 제조 기술도 비약적으로 발전하고 있다. 상기 반도체 소자는 집적도, 미세화, 동작속도 등을 향상시키는 방향으로 기술이 발전하고 있다. 이에 따라 집적도 향상을 위한 리소그래피 공정과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구 특성 또한 엄격해지고 있다. In recent years, with the rapid development of information media such as computers, semiconductor device manufacturing technology is also rapidly developing. The semiconductor device has been developed in the direction of improving the degree of integration, miniaturization, operating speed and the like. As a result, requirements for microfabrication techniques, such as lithography processes for improved integration, are becoming more stringent.
리소그래피 기술은 마스크(mask) 상에 형성된 패턴을 기판으로 전사하는 사진 기술로서 반도체 소자의 미세화 및 고집적화를 주도하는 핵심 기술이다. 일반적으로, 리소그래피 공정은 감광막을 도포하는 단계, 소프트베이크(softbake)하는 단계, 정렬 및 노광하는 단계, 노광후베이크(PEB : Post Exposure Bake)하는 단계 및 현상하는 단계를 포함하는 일련의 공정을 거쳐 수행된다.Lithography technology is a photographic technology for transferring a pattern formed on a mask to a substrate and is a core technology that leads to miniaturization and high integration of semiconductor devices. In general, the lithography process involves a series of processes including applying a photoresist, softbake, align and expose, post exposure bake (PEB), and develop. Is performed.
상기 노광을 위한 노광장치로는 스테퍼(stepper), 스캐너(scanner) 등이 존재한다. 1990년대 이후 많이 사용되고 있는 스테퍼는 하나의 샷(shot)을 노광한 후 기판을 X축, Y축으로 하나의 샷만큼 이동하여 다음 샷을 노광하는 방식으로 통상, 5 ~ 6 인치 정도의 마스크 사이즈를 가지며 샷 영역을 한정하기 때문에 균일도가 좋으며 스테퍼의 투영렌즈를 통과한 빛은 그 크기가 1/5로 축소되어 기판에 노광되는 것이 보통이다. 스캐너는 필드 내 슬릿을 이용하여 노광을 함으로써 보다 균일도를 향상시키고 칩 사이즈의 대형화에 대응 가능한 대형 필드를 구현할 수 있다는 장점 때문에 최근에 많이 사용되고 있다. 통상, 6인치 정도의 마스크 사이즈를 가지며 1/4 축소 노광을 한다.An exposure apparatus for the exposure includes a stepper, a scanner, and the like. Steppers, which have been widely used since the 1990s, typically expose a mask size of about 5 to 6 inches by exposing one shot and then moving the substrate by one shot on the X and Y axes to expose the next shot. It has good uniformity because it limits the shot area, and the light passing through the projection lens of the stepper is usually reduced to 1/5 and exposed to the substrate. Scanners have been used in recent years because of the advantage that the exposure by using the slits in the field to improve the uniformity and to implement a large field that can cope with the increase in chip size. Typically, a mask size of about 6 inches and a quarter reduction exposure.
도 1은 일반적인 노광 공정의 개념도이다. 1 is a conceptual diagram of a general exposure process.
광원(100)에서 송출된 광은 소정의 광학계(도시하지 않음)를 거친 후, 석영기판(102)과 크롬막(104)으로 구성되는 마스크(103)를 통과하면서 상기 마스크(103)의 크롬막(104)에 의해 형성되는 소정의 패턴을 가지게 된다. 이후, 투영렌즈(106)을 통해 기판(108) 상에 축소 투영되며 빛에 노출된 감광막을 현상하면 상기 소정의 패턴에 대응하는 감광막 패턴(110)이 형성된다.The light emitted from the light source 100 passes through a predetermined optical system (not shown), and then passes through a mask 103 composed of a quartz substrate 102 and a chromium film 104, and then the chromium film of the mask 103. It has a predetermined pattern formed by 104. Thereafter, when the photoresist film is reduced and projected onto the substrate 108 through the projection lens 106 and exposed to light, the photoresist pattern 110 corresponding to the predetermined pattern is formed.
마스크는 석영기판과 같은 투명기판 상에 반도체 소자 혹은 직접회로의 패턴을 형성한 것으로서 투명기판 상에 크롬막을 증착하고 패터닝하여 기판에 전사하고자 하는 소정의 패턴을 형성하는 것이 일반적이다. 상기 마스크의 제조시 정밀한 패턴형성을 위해 전자빔 노광장치를 이용하여 감광막을 패터닝하게 된다.The mask is a pattern of a semiconductor device or an integrated circuit formed on a transparent substrate, such as a quartz substrate, it is common to form a predetermined pattern to be transferred to the substrate by depositing and patterning a chromium film on the transparent substrate. In manufacturing the mask, the photosensitive film is patterned by using an electron beam exposure apparatus for precise pattern formation.
상기 전자빔 노광장치의 전자빔을 사용하여 노광을 할 때는 필연적으로 시료 위에 다량의 전하가 축적된다. 이렇게 시료 위에 축적된 전하들로 인하여 비정상적으로 패터닝되는 것을 막기 위해 마스크를 전자빔 노광장치에 로딩할 때 사용하는 기판지지대에 접지핀(ground pin)을 설치하여 사용하고 있다. 또한, 주사전자현미경(SEM : Scanning Electron Microscope)과 같은 전자현미경으로 측정할 경우에도 측정 원리상 전하가 감광막이나 크롬막에 축적되고 축적된 전하를 제거해 주지 않으면 축적된 전하가 전기장을 형성하여 전자들의 방향이 편향되기 때문에 측정불량이 발생한다.When exposing using the electron beam of the electron beam exposure apparatus, a large amount of charge is inevitably accumulated on the sample. In order to prevent abnormal patterning due to the charges accumulated on the sample, a ground pin is installed on a substrate support used to load a mask into an electron beam exposure apparatus. In addition, even when measured by an electron microscope such as a scanning electron microscope (SEM), if the charge is accumulated in the photosensitive film or the chromium film and does not remove the accumulated charge, the accumulated charge forms an electric field. Poor measurement occurs because the direction is deflected.
도 2는 종래 기술에 의한 마스크 접지방법을 나타낸 평면도이고, 도 3은 종래 기술에 의한 마스크 접지방법을 나타낸 단면도이다.2 is a plan view showing a mask grounding method according to the prior art, Figure 3 is a cross-sectional view showing a mask grounding method according to the prior art.
기판지지대(200) 상에는 마스크가 놓일 홈(210)이 파여 있으며 상기 홈(210)에 석영기판(220a), 크롬막(220b) 및 감광막(220c)으로 이루어진 마스크(220)를 위치시킨다. 상기 마스크(200)가 삽입되는 홈(210)에 마스크를 위치시키고 마스크(220)의 위치를 잡아주는 포지셔닝바(230)를 형성하여 기판지지대(200)에 상기 마스크(220)의 측면부분을 견고하게 고정한다. 종래의 마스크 및 그 접지방법은 접지핀(240)을 상기 마스크(220)의 상부에 설치하고 상기 접지핀(240)을 상기 감광막(220c)을 관통하여 크롬막(220b)에 접촉시키는 방식을 사용하고 있다. 상기 접지핀(240)은 'ㄱ'자 형태로 구부러진 핀지지부(250)를 통해 외부로 접지시키거나 상기 기판지지대(200)와 연결하여 접지시키는 방법을 취하고 있다.The groove 210 on which the mask is to be placed is formed on the substrate support 200, and the mask 220 including the quartz substrate 220a, the chromium film 220b, and the photosensitive film 220c is positioned in the groove 210. Positioning the mask in the groove 210 into which the mask 200 is inserted and forming a positioning bar 230 for holding the position of the mask 220 to firmly secure the side portion of the mask 220 to the substrate support 200 To be fixed. The conventional mask and its grounding method uses a method in which the ground pin 240 is installed on the mask 220 and the ground pin 240 is contacted with the chrome film 220b through the photosensitive film 220c. Doing. The ground pin 240 is grounded to the outside through the pin support portion 250 bent in a 'b' shape or connected to the substrate support 200 to ground.
그러나, 이러한 접지방법은 접지핀이 마스크에 접촉할 때의 압력을 미세하게 제어하여야 하며, 이것이 제대로 이루어지지 않을 경우, 종종 마스크의 손상 및 그로 인한 파티클이 발생하는 문제가 있으며 접지핀이 손상되기 때문에 자주 교체해주어야 한다. 이러한 손상을 최소화하기 위해 접지핀은 한 개를 설치하는 것이 보통이다.However, this grounding method must finely control the pressure when the grounding pin contacts the mask, and if this is not done properly, there is often a problem of damage to the mask and the resulting particles, and the grounding pin is damaged. It should be replaced frequently. To minimize this damage, one ground pin is usually installed.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해 대한민국 공개특허 제2003-0054269호는 마스크의 외측면에 측면크롬막을 형성하고 포지셔닝바에 전기가 통하는 배선을 연결하여 포지셔닝바가 그라운드의 역할을 대신하도록 하는 마스크 접지방법을 개시하고 있다. In order to solve the above problems, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-0054269 discloses a mask grounding method for forming a side chrome film on an outer surface of a mask and connecting an electrically conductive wiring to the positioning bar so that the positioning bar takes the role of ground. Doing.
그러나, 상기와 같은 마스크 접지방법은 마스크의 외측면에 형성된 측면크롬막이 박리되기 쉬우며 마스크 상부의 얇은 크롬막과 외측면의 측면크롬막의 접점이 쉽게 절단되는 문제가 있다.However, the mask grounding method as described above has a problem in that the side chromium film formed on the outer surface of the mask is easily peeled off and the contact between the thin chrome film on the mask and the side chrome film on the outer surface is easily cut.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 투명기판을 관통하는 관통홀을 도전체로 매입하여 크롬막과 기판지지대를 전기적으로 연결하여 접지시킴으로써 크롬막의 손상을 방지하고 파티클의 발생을 억제하면서도 간편하게 구현할 수 있는 마스크 및 그 접지방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다. Accordingly, the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, by embedding the through-hole penetrating the transparent substrate as a conductor to electrically connect and ground the chromium film and the substrate support to prevent damage of the chromium film and It is an object of the present invention to provide a mask and a grounding method thereof which can be easily implemented while suppressing occurrence.
본 발명의 상기 목적은 투명기판을 관통하는 관통홀을 형성하는 단계, 상기 관통홀 내부에 접지전극을 형성하는 단계 및 상기 접지전극이 형성된 관통홀을 포함한 투명기판 상부에 크롬막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 접지방법에 의해 달성된다.The object of the present invention includes the steps of forming a through hole penetrating the transparent substrate, forming a ground electrode in the through hole and forming a chromium film on the transparent substrate including a through hole formed with the ground electrode It is achieved by a mask grounding method characterized in that.
본 발명의 상기 목적은 투명기판 상부에 크롬막을 형성하는 단계, 상기 크롬막 및 투명기판을 관통하는 관통홀을 형성하는 단계 및 상기 관통홀 내부에 접지전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 접지방법에 의해서도 달성된다.The object of the present invention comprises the steps of forming a chromium film on the transparent substrate, forming a through hole through the chromium film and the transparent substrate and forming a ground electrode inside the through hole It is also achieved by the mask grounding method.
본 발명의 상기 목적은 리소그래피 공정용 마스크에 있어서, 투명기판을 관통하는 관통홀, 상기 구멍에 매입된 접지전극 및 상기 접지전극을 포함한 투명기판 상부에 형성된 크롬막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크에 의해서도 달성된다.The object of the present invention is a mask for a lithography process, the mask further comprising a through-hole penetrating the transparent substrate, a ground electrode embedded in the hole and a chromium film formed on the transparent substrate including the ground electrode Is also achieved.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.
도 4는 본 발명에 의한 마스크 접지방법을 나타낸 평면도이고, 도 5는 본 발명에 의한 마스크 접지방법을 나타낸 단면도이다.4 is a plan view showing a mask grounding method according to the present invention, Figure 5 is a cross-sectional view showing a mask grounding method according to the present invention.
기판지지대(300) 상에는 마스크(320)가 놓일 홈(310)이 파여 있으며 상기 홈(310)에 투명기판(320a), 크롬막(320b) 및 감광막(320c)으로 이루어진 마스크(320)를 위치시킨다. 본 발명은 투명기판(320a), 크롬막(320b) 및 감광막(320c)으로 이루어진 마스크(320)에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 상기 크롬막(320b)과 상기 감광막(320c) 사이에 산화크롬막이 형성된 마스크도 물론 가능하다. 상기 홈(310)에 마스크를 위치시키고 마스크(320)의 위치를 잡아주는 포지셔닝바(330)를 형성하여 기판지지대(300)에 상기 마스크(320)의 측면부분을 견고하게 고정한다.The groove 310 on which the mask 320 is to be placed is formed on the substrate support 300, and the mask 320 including the transparent substrate 320a, the chrome film 320b, and the photosensitive film 320c is positioned in the groove 310. . The present invention is not limited to the mask 320 formed of the transparent substrate 320a, the chrome film 320b, and the photosensitive film 320c. For example, a mask in which a chromium oxide film is formed between the chromium film 320b and the photosensitive film 320c may be possible. Positioning bar 330 for positioning the mask in the groove 310 and holding the position of the mask 320 is formed to firmly fix the side portion of the mask 320 to the substrate support 300.
상기 마스크(320)에는 투명기판(320a)을 관통하는 관통홀이 존재하며 상기 관통홀을 도전체로 매입하여 접지전극(340)을 형성한다. 상기 접지전극(340)은 마스크의 크롬막(320b)과 기판지지대(300)를 전기적으로 연결하며 상기 기판지지대(300)를 접지함으로써 상기 마스크(320)의 접지가 달성된다.The mask 320 has a through hole penetrating the transparent substrate 320a, and the ground hole 340 is formed by embedding the through hole as a conductor. The ground electrode 340 electrically connects the chromium film 320b of the mask and the substrate support 300 and grounds the substrate support 300 to achieve grounding of the mask 320.
상기 접지전극(340)용 물질로는 알루미늄, 금, 은, 구리, 텅스텐, 티타늄, 크롬 등과 같은 금속물질, 전기가 통하는 유기물 및 카본블랙 등을 사용할 수 있으며 그 물질에 제한이 있는 것은 아니다.As the material for the ground electrode 340, a metal material such as aluminum, gold, silver, copper, tungsten, titanium, chromium, or the like, an organic material through which electricity passes, and carbon black may be used, but the material is not limited thereto.
상기 접지전극(340)의 형성은 스퍼터링, 진공증착, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, 이하 CVD), 졸-겔법 등의 박막형성법 또는 페이스트를 매입한 후 소성하는 방법 등을 사용할 수 있다.The ground electrode 340 may be formed using a thin film formation method such as sputtering, vacuum deposition, chemical vapor deposition (CVD), or a sol-gel method, or a method of embedding and baking a paste.
스퍼터링은 고속의 Ar+ 이온으로 타겟을 때려 타겟 표면의 원자를 분리시켜 기판에 증착하는 것으로서 금속막의 형성에 많이 사용되는 방법이다. 전기적으로 전도성이 있는 금속물질의 스퍼터링은 직류전원을 사용하는 것이 바람직하다. CVD는 반응기 안에 기체를 주입하여 열이나 플라즈마 등의 에너지에 의해 화학반응시켜 박막을 형성하는 방법이다. 상기 투명기판 상의 관통홀을 메우기 위해서는 스텝 커버리지(step coverage)가 좋을 필요가 있으며 그러한 방법으로 적당한 것이 CVD이다. 특히, 스퍼터링으로 채워지지 않는 경우에는 CVD법이 적당하며, CVD를 사용하기 적당한 물질로는 텅스텐, 알루미늄 및 티타늄나이트라이드(TiN) 등을 들 수 있다.Sputtering is a method widely used for forming a metal film by hitting a target with high-speed Ar + ions to separate atoms on the target surface and depositing them on a substrate. Sputtering of the electrically conductive metal material is preferably using a direct current power source. CVD is a method of forming a thin film by injecting gas into the reactor and chemically reacting with energy such as heat or plasma. In order to fill the through holes on the transparent substrate, step coverage needs to be good, and CVD is a suitable method in such a manner. In particular, CVD method is suitable when it is not filled by sputtering, and suitable materials for using CVD include tungsten, aluminum and titanium nitride (TiN).
고가의 박막 증착장비를 사용하지 않더라도 접지전극을 간단하게 형성하는 것이 가능하다. 일례로, 금속 페이스트(paste)를 상기 관통홀에 매입한 후 400 ~ 700℃, 보다 바람직하게는 500 ~ 600℃에서 30분 내지 2시간 정도 소성함으로써 치밀화된 접지전극을 형성할 수 있다.It is possible to simply form a ground electrode without using expensive thin film deposition equipment. For example, after the metal paste is embedded in the through hole, the densified ground electrode may be formed by firing at 400 to 700 ° C., more preferably at 500 to 600 ° C. for about 30 minutes to 2 hours.
상기 접지전극(340)의 모양은 원기둥형, 타원기둥형, 원뿔형, 사각기둥형, 피라미드형 등이 가능하며 상기 유리기판(320a)의 가장자리에 한 개 이상 형성하거나 중앙에 한 개를 형성할 수도 있다. 중앙에 형성할 경우에는 마스크(320) 상에 형성될 패턴의 모양을 고려하여 영향을 주지 않는 범위에서 되도록이면 접지전극의 단면적을 크게 하여 저항을 줄이는 것이 바람직하다.The ground electrode 340 may have a cylindrical shape, an elliptic cylinder shape, a conical shape, a square pillar shape, a pyramid shape, or the like, and may be formed at one or more edges or at the center of the glass substrate 320a. have. In the case of forming in the center, it is preferable to reduce the resistance by increasing the cross-sectional area of the ground electrode as much as possible without considering the shape of the pattern to be formed on the mask 320.
상기 접지전극(340)은 상기 투명기판(320) 상의 크롬막(320)을 형성하기 전이나 후에 형성하는 방법이 가능하며 상기 투명기판(320) 상의 크롬막(320)과 동시에 형성하는 방법도 가능하다. 상기 투명기판(320) 상의 크롬막(320)과 동시에 접지전극을 형성하는 방법은 상기 크롬막(320) 증착시 상기 접지전극(340)에도 크롬막이 매입되도록 하는 방법으로서 추가적인 비용이나 시간이 필요하지 않다는 장점이 있으며 효율적으로 접지전극을 형성하기 위해서는 상기 접지전극(340)의 모양은 상기 크롬막(320)에 접촉하는 부분이 상기 기판지지대(300)에 접촉하는 부분보다 면적이 넓은 원뿔형 또는 피라미드형이 바람직하다.The ground electrode 340 may be formed before or after the formation of the chromium film 320 on the transparent substrate 320, or may be simultaneously formed with the chromium film 320 on the transparent substrate 320. Do. The method of forming the ground electrode at the same time as the chromium film 320 on the transparent substrate 320 is a method of allowing the chromium film to be embedded in the ground electrode 340 when the chromium film 320 is deposited. In order to efficiently form the ground electrode, the shape of the ground electrode 340 is conical or pyramid-shaped in which the area in contact with the chromium film 320 has a larger area than the area in contact with the substrate support 300. This is preferred.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.
따라서, 본 발명의 마스크 및 그 접지방법은 투명기판을 관통하는 관통홀을 도전체로 매입하여 크롬막과 기판지지대를 전기적으로 연결하여 접지시킴으로써 마스크 제조 내지는 측정 중에 전하의 축적을 방지하고 크롬막의 손상 및 파티클의 발생을 억제하여 마스크 제조시의 수율을 향상시키고 측정 에러를 최소화하는 효과가 있다. Therefore, the mask of the present invention and the grounding method of the present invention by embedding the through-hole penetrating the transparent substrate as a conductor to electrically connect the chromium film and the substrate support to ground, thereby preventing the accumulation of charge during mask manufacturing or measurement, and damage of the chromium film and By suppressing the generation of particles, there is an effect of improving the yield in manufacturing the mask and minimizing the measurement error.
도 1은 일반적인 노광 공정의 개념도.1 is a conceptual diagram of a general exposure process.
도 2는 종래 기술에 의한 마스크 접지방법을 나타낸 평면도.Figure 2 is a plan view showing a mask grounding method according to the prior art.
도 3은 종래 기술에 의한 마스크 접지방법을 나타낸 단면도.3 is a cross-sectional view showing a mask grounding method according to the prior art.
도 4는 본 발명에 의한 마스크 접지방법을 나타낸 평면도.4 is a plan view showing a mask grounding method according to the present invention.
도 5는 본 발명에 의한 마스크 접지방법을 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view showing a mask grounding method according to the present invention.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040041987A KR20050116758A (en) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | Mask and grounding method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040041987A KR20050116758A (en) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | Mask and grounding method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050116758A true KR20050116758A (en) | 2005-12-13 |
Family
ID=37290330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040041987A KR20050116758A (en) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | Mask and grounding method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050116758A (en) |
-
2004
- 2004-06-08 KR KR1020040041987A patent/KR20050116758A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7387855B2 (en) | Anti-ESD photomask blank | |
| US6723475B2 (en) | Reflection-type mask for use in pattern exposure, manufacturing method therefor, exposure apparatus, and method of manufacturing a device | |
| JP2004140071A (en) | Substrate holding device | |
| US5912468A (en) | Charged particle beam exposure system | |
| US8748313B2 (en) | Electroforming technique for mask formation | |
| JP5808723B2 (en) | Conductive element for electrically coupling an EUVL mask to a support chuck | |
| JP2005032963A (en) | Electron beam exposure apparatus | |
| KR20050116758A (en) | Mask and grounding method thereof | |
| KR100281854B1 (en) | Antistatic method for photomask using conductive pins and conductive pin mounting apparatus | |
| JP2023550384A (en) | electrostatic clamp | |
| US7252911B2 (en) | ESD-resistant photomask and method of preventing mask ESD damage | |
| JP3100582B2 (en) | Scanning electron microscope and pattern measurement method | |
| US20050019697A1 (en) | Method of treating wafers with photoresist to perform metrology analysis using large current e-beam systems | |
| JPH0226016A (en) | Lithography of circuit pattern | |
| JP2010074046A (en) | Charged particle beam-drawing method and charged particle beam-drawing device | |
| US20220365439A1 (en) | Surface charge release in lithography developing process | |
| KR100569264B1 (en) | Method of manufacturing field emission display device | |
| US6541782B2 (en) | Electron beam photolithographic process | |
| KR20000017439A (en) | Semiconductor-device manufacturing method having resist-film developing process according to wet treatment | |
| JP2004146654A (en) | Electron beam device | |
| KR920010430B1 (en) | Patterning method using electron rays of semiconductor device | |
| JPH01173717A (en) | Blank plate | |
| KR960008561B1 (en) | Wire layer step coverage improvement method | |
| JPS61125019A (en) | Manufacture of ic and photoconductive photoresist composite used therefor | |
| JPS6320375B2 (en) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |