KR20050113936A - Apparatus and method for picking up semiconductor die - Google Patents

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KR20050113936A KR1020040039089A KR20040039089A KR20050113936A KR 20050113936 A KR20050113936 A KR 20050113936A KR 1020040039089 A KR1020040039089 A KR 1020040039089A KR 20040039089 A KR20040039089 A KR 20040039089A KR 20050113936 A KR20050113936 A KR 20050113936A
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transfer head
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vacuum
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천대상
이재혁
이정웅
전종근
신화수
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 다이(Die)를 픽업(Pick Up)하는 반도체 다이 픽업 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치는 반도체 다이를 픽업하는 트랜스퍼 헤드(Transfer Head)와, 트랜스퍼 헤드 하단에 형성되어 반도체 다이를 진공 흡착하는 콜렛(Collet), 및 트랜스퍼 헤드를 가열시키는 발열 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 방법은 접착 테이프가 예열되는 제 1 단계와, 가열된 트랜스퍼 헤드가 픽업되는 반도체 다이 상부로 이동되는 제 2 단계와, 콜렛에 의해 반도체 다이가 진공 흡착 및 가열되는 제 3 단계, 및 트랜스퍼 헤드에 의해 반도체 다이가 픽업되는 제 4 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 픽업되는 반도체 다이가 접착된 접착 테이프 부위만의 접착력이 국부적으로 상실됨으로써 픽업되지 않은 반도체 다이들이 접착 테이프 상에서 흐트러지지 않게 되고, 이에 따라 반도체 다이가 반도체 다이 픽업 장치에 의해 픽업되지 못하는 경우가 발생되거나 오염 및 손상되는 것이 방지된다. The present invention relates to a semiconductor die pick-up apparatus and method for picking up a semiconductor die. The semiconductor die pick-up apparatus according to the present invention includes a transfer head for picking up a semiconductor die, a collet formed at a lower end of the transfer head to vacuum-suction the semiconductor die, and a heat generating means for heating the transfer head. It is characterized by. In addition, the semiconductor die pick-up method according to the present invention includes a first step in which the adhesive tape is preheated, a second step in which the heated transfer head is picked up, and a semiconductor die vacuum-adsorbed and heated by the collet. And a fourth step of picking up the semiconductor die by the transfer head. According to this, when the adhesive force only on the portion of the adhesive tape to which the semiconductor die to be picked up is locally lost, the semiconductor dies that are not picked up are not disturbed on the adhesive tape, whereby the semiconductor die cannot be picked up by the semiconductor die pickup device. Is prevented from occurring or being contaminated and damaged.

Description

반도체 다이 픽업 장치 및 방법{Apparatus and Method for Picking Up Semiconductor Die} Apparatus and Method for Picking Up Semiconductor Die

본 발명은 반도체 다이 픽업(Pick-Up) 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼를 소정의 크기로 절단하는 절단(Sawing) 공정이 완료된 반도체 다이(Die)를 반도체 다이 픽업 장치를 이용하여 픽업하는 반도체 다이 픽업 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor die pick-up apparatus and method, and more particularly, to a semiconductor die having a sawing process of cutting a wafer to a predetermined size using a semiconductor die pickup apparatus. A semiconductor die pickup apparatus and method for picking up are provided.

일반적으로, 웨이퍼는 집적회로를 구성하는 여러 가지 공정을 거친 반도체 다이들이 전체면 상에 종횡으로 정연하게 배열되게 되고, 각 반도체 다이 사이에는 스크라이브선(Scribe Line)으로 불리는 일정한 축을 가진 영역이 형성되어 있으며, 절단 공정 시 블레이드(Blade)가 이 영역을 지나가며 절단하게 된다. In general, a wafer has semiconductor dies that have undergone various processes constituting an integrated circuit arranged vertically and horizontally on the entire surface, and regions having constant axes, called scribe lines, are formed between the semiconductor dies. In the cutting process, a blade cuts through this area.

절단 공정은 먼저 블레이드가 웨이퍼 전체면의 한쪽 방향의 스크라이브선을 완전히 절단한 후 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 척을 90° 회전시켜 다시 절단된 스크라이브선과 수직 방향으로 절단함으로써 웨이퍼가 각각의 반도체 다이로 분리되는 공정이다. 이 때, 웨이퍼는 각각의 반도체 다이로 분리된 후에도 흐트러지지 않고 정렬상태가 유지될 수 있도록 웨이퍼 하면에 접착력이 있는 접착 테이프가 부착되어 있다. 또한, 블레이드의 고속회전에 의해 웨이퍼 절단 시 블레이드와 웨이퍼의 마찰에 의해 높은 마찰열과 미세한 절단 부스러기 등 오염물질이 발생하게 되며, 마찰열과 절삭 부스러기 등 오염물질을 제거하기 위해 웨이퍼 절단부위에 순수(Distilled Water) 절삭수 및 세척수가 분사된다. The cutting process is performed by first cutting the scribe line in one direction of the entire surface of the wafer, and then rotating the wafer chuck on which the wafer is mounted by 90 ° to cut the wafer in the vertical direction again with the cut scribe line. It is a process. At this time, the adhesive tape is attached to the lower surface of the wafer so that the wafer is not disturbed even after being separated into the respective semiconductor dies. In addition, due to the high speed rotation of the blade, contaminants such as high frictional heat and fine cutting debris are generated by friction between the blade and the wafer when cutting the wafer. Water) Cutting water and washing water are sprayed.

이러한 절단 공정이 종료되면 웨이퍼에서 분리된 반도체 다이들은 다음 공정을 위해 반도체 다이 픽업 장치에 의해 픽업되어 후공정을 위한 반도체 장치로 이송된다.When this cutting process is completed, the semiconductor dies separated from the wafer are picked up by the semiconductor die pick-up apparatus for the next process and transferred to the semiconductor apparatus for the later process.

이하 첨부도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 장치를 이용한 반도체 다이 픽업 방법에 대해 설명하고자 한다.Hereinafter, a semiconductor die pickup method using a semiconductor die pickup apparatus according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 장치가 픽업되는 반도체 다이 상부로 이동된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 1b는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 플런져가 상승된 상태에서 반도체 다이가 콜렛에 의해 진공 흡착된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도이며, 도 1c는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 플런져가 복귀된 상태에서 반도체 다이가 콜렛에 의해 픽업된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 그리고, 도 2는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 방법의 일 예를 나타낸 순서도이다.1A is a configuration diagram schematically illustrating a state in which a semiconductor die pick-up apparatus according to the prior art is moved to an upper portion of a semiconductor die to be picked up, and FIG. 1B is a semiconductor die in a state in which the plunger of the semiconductor die pick-up apparatus according to the prior art is raised. Is a schematic diagram showing a state in which vacuum is sucked by a collet, and FIG. 1C is a schematic diagram showing a state in which a semiconductor die is picked up by a collet while a plunger of a semiconductor die pickup apparatus according to the prior art is returned. to be. 2 is a flowchart illustrating an example of a semiconductor die pickup method according to the related art.

도 1a, 도 1b, 도 1c, 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 장치(100)는 구동장치와 연결되어 반도체 다이(103)들을 후공정을 위한 공정설비로 낱장씩 이동시키는 트랜스퍼 헤드(Transfer Head)(101)와, 고무재질로 제작되어 트랜스퍼 헤드(101) 하단에 형성되고 반도체 다이(103)를 진공 흡입시키기 위한 콜렛(102)을 포함한다. 1A, 1B, 1C, and 2, the semiconductor die pick-up apparatus 100 according to the prior art is connected to a driving device to move the semiconductor die 103 sheet by sheet to a process facility for a later process. A transfer head 101 and a collet 102 formed of a rubber material and formed at a lower end of the transfer head 101 to suck the semiconductor die 103 under vacuum.

도 1a, 도 1b, 및 도 1c를 참조하면, 반도체 다이(103)는 하면이 접착 테이프(108)에 접착된 상태로 진공 스테이지(104) 상에 고정되어 있고, 이 때 사용된 접착 테이프(108)는 소정의 온도로 가열되면 접착력이 상실되는 특성을 지닌다. 1A, 1B, and 1C, the semiconductor die 103 is fixed on the vacuum stage 104 with the lower surface bonded to the adhesive tape 108, wherein the adhesive tape 108 used at this time is used. ) Has the property of losing adhesive strength when heated to a predetermined temperature.

그리고, 진공 스테이지(104)는 진공 펌프와 연결되어 진공 펌프 구동 시 내부의 공기가 외부로 배출되는 구조로서, 그 내부에는 다수 개의 플런져 핀(106)이 상면에 형성된 플런져(105)가 포함되어 있다. 또한, 진공 스테이지(104) 상부면에는 플런져 핀(106)이 투과 및 접착 테이프(108)가 진공 흡착될 수 있도록 복수의 홀이 형성되어 있으며, 하부에는 진공 스테이지(104)를 가열하기 위한 복수 개의 UV 램프가 구비된 발열판(107)이 형성되어 있다.In addition, the vacuum stage 104 is connected to a vacuum pump and has a structure in which the air inside is discharged to the outside when the vacuum pump is driven, and includes a plunger 105 having a plurality of plunger pins 106 formed thereon. It is. In addition, a plurality of holes are formed in the upper surface of the vacuum stage 104 to allow the plunger pin 106 to penetrate and the adhesive tape 108 to be vacuum-adsorbed, and a plurality of holes in the lower portion thereof to heat the vacuum stage 104. The heating plate 107 is provided with two UV lamps.

한편, 트랜스퍼 헤드(101)는 하단에 형성된 콜렛(102)이 진공 펌프와 연결되어 진공 펌프가 가동될 시 내부의 공기가 외부로 배출됨에 따라 물체를 흡착시킬 수 있는 흡착력을 지니게 되므로, 콜렛에 진공 흡착된 반도체 다이(103)를 전공정 반도체 장치에서 후공정 반도체 장치로 이송시키기 위해 구동 장치와 연결되어 상하·좌우로 구동될 수 있다. On the other hand, the transfer head 101 has a suction force to adsorb the object as the collet 102 formed at the lower end is connected to the vacuum pump and the air inside is discharged to the outside when the vacuum pump is operated, In order to transfer the adsorbed semiconductor die 103 from the preprocess semiconductor device to the postprocess semiconductor device, the semiconductor die 103 may be driven up, down, left, and right.

도 2를 참조하면, 이러한 구성을 갖는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 장치(100)를 이용한 반도체 다이 픽업 방법은 먼저, 진공 스테이지(104) 상면에 부착된 접착 테이프(108)가 가열되는 제 1 단계(201)와, 트랜스퍼 헤드(101)가 픽업되는 반도체 다이(103) 상부로 이동되는 제 2 단계(202)와, 플런져(105)가 상승되어 반도체 다이(103)가 콜렛(102)에 진공 흡착되는 제 3 단계(203), 및 플런져(105)가 복귀되고 반도체 다이(103)가 트랜스퍼 헤드(101)에 의해 픽업되는 제 4 단계(204)를 포함한다. Referring to FIG. 2, in the semiconductor die pick-up method using the semiconductor die pick-up apparatus 100 according to the related art having such a configuration, first, a first step in which the adhesive tape 108 attached to the upper surface of the vacuum stage 104 is heated. 201, the second step 202 of moving the upper portion of the semiconductor die 103 from which the transfer head 101 is picked up, and the plunger 105 are raised so that the semiconductor die 103 is vacuumed into the collet 102. A third step 203 to be adsorbed, and a fourth step 204 where the plunger 105 is returned and the semiconductor die 103 is picked up by the transfer head 101.

제 1 단계(201)는 진공 스테이지(104) 상의 접착 테이프(108)에 접착된 반도체 다이(103)가 접착 테이프(108)로부터 분리될 시 손상없이 분리될 수 있도록 접착 테이프(108)의 접착력을 감소시키기 위한 단계로서, 먼저 발열판(107)의 UV 램프가 가동되어 발열판(107)이 가열되고, 이에 발생된 전도열에 의해 진공 스테이지(104)가 가열되어 상면에 부착된 접착 테이프(108)가 가열된다. 이 때, 접착 테이프(108)의 가열 온도는 종류에 따라 접착력이 상실되는 온도인 120℃ 내지 150℃이고, 진공 스테이지(104) 내부는 진공 펌프에 의해 계속적으로 공기가 뽑혀지고 있는 상태이다. The first step 201 applies the adhesive force of the adhesive tape 108 so that the semiconductor die 103 adhered to the adhesive tape 108 on the vacuum stage 104 can be separated without damage when separated from the adhesive tape 108. As a step for reducing, first, the UV lamp of the heat generating plate 107 is activated to heat the heat generating plate 107, and the vacuum stage 104 is heated by the conductive heat generated thereby to heat the adhesive tape 108 attached to the upper surface. do. At this time, the heating temperature of the adhesive tape 108 is 120 ° C to 150 ° C, which is a temperature at which the adhesive force is lost depending on the type, and the air inside the vacuum stage 104 is continuously drawn out by the vacuum pump.

도 1a 및 도 2를 참조하면, 제 2 단계(202)는 트랜스퍼 헤드(101)가 진공 스테이지(104) 상면의 접착 테이프(108) 상에 고정된 반도체 다이(103)를 픽업하기 위해 픽업되는 반도체 다이(103) 상부로부터 소정거리 이격된 위치로 이동되는 단계이다. 이 때, 트랜스퍼 헤드(101) 하단의 콜렛(102)은 진공 펌프의 가동에 의해 내부 공기가 외부로 계속적으로 배출되는 상태이고, 진공 스테이지(104) 내부는 진공 펌프에 의해 계속적으로 공기가 뽑혀지고 있는 상태이다. 1A and 2, the second step 202 is a semiconductor in which the transfer head 101 is picked up to pick up the semiconductor die 103 fixed on the adhesive tape 108 on the top of the vacuum stage 104. The step of moving to a position spaced a predetermined distance from the top of the die 103. At this time, the collet 102 at the bottom of the transfer head 101 is a state in which the internal air is continuously discharged to the outside by the operation of the vacuum pump, the air inside the vacuum stage 104 is continuously drawn out by the vacuum pump It is in a state.

한편, 제 2 단계(202)에서 트랜스퍼 헤드(101)와 반도체 다이(103) 사이의 거리는 제 3 단계(203)에서 반도체 다이(103)를 콜렛(102)에 진공 흡입시키기 위해 플런져(105)가 상승되어 반도체 다이(103)와 콜렛(102)이 접촉될 시 반도체 다이(103)가 손상되지 않게 되는 거리이다. On the other hand, the distance between the transfer head 101 and the semiconductor die 103 in the second step 202 is the plunger 105 to vacuum suction the semiconductor die 103 into the collet 102 in the third step 203. Is a distance at which the semiconductor die 103 is not damaged when the semiconductor die 103 and the collet 102 contact each other.

도 1b 및 도 2를 참조하면, 제 3 단계(203)는 반도체 다이(103)가 플런져(105)가 상승됨으로 인해 제 2 단계(202)를 통해 픽업되는 반도체 다이(103) 상부로 이동된 트랜스퍼 헤드(101)의 콜렛(102)에 접촉되어 진공 흡착되는 단계이다. 여기서, 반도체 다이(103) 하면 전체가 접착 테이프(108) 상에 접촉되어 있게 된다면, 반도체 다이(103)는 콜렛(102)에 진공 흡착 후 트랜스퍼 헤드(101)에 의해 픽업되어 진공 스테이지(104) 상의 접착 테이프(108)와 분리될 시 접착 테이프(108)의 접착력 및 진공 스테이지(104)의 진공 흡입력에 의해 손상될 수 있다. 1B and 2, a third step 203 is performed in which the semiconductor die 103 is moved above the semiconductor die 103 picked up through the second step 202 as the plunger 105 is raised. Contacting the collet 102 of the transfer head 101 is a step of vacuum suction. Here, if the entire lower surface of the semiconductor die 103 is brought into contact with the adhesive tape 108, the semiconductor die 103 is picked up by the transfer head 101 after vacuum adsorption to the collet 102 and the vacuum stage 104. When separated from the adhesive tape 108 on the top, it may be damaged by the adhesive force of the adhesive tape 108 and the vacuum suction force of the vacuum stage 104.

따라서, 제 3 단계(203)에서는 플런져(105)가 상승되어 반도체 다이(103)가 플런져 핀(104)에 의해 들어 올려짐으로써 접착 테이프(108)와 반도체 다이(103)의 접촉 면적이 줄어들어 접착 테이프(108)의 반도체 다이(103)에 대한 접착력이 감소된다. 또한, 진공 스테이지(104) 상으로부터 소정의 거리로 이격된 위치에 놓이게 됨으로써 진공 스테이지(104)의 반도체 다이(103)에 대한 진공 흡입력도 줄어든다. 여기서, 진공 스테이지(104) 내부는 진공 펌프에 의해 계속적으로 공기가 뽑혀지고 있는 상태이다.Accordingly, in the third step 203, the plunger 105 is raised to lift the semiconductor die 103 by the plunger pin 104, thereby reducing the contact area between the adhesive tape 108 and the semiconductor die 103. The adhesion of the adhesive tape 108 to the semiconductor die 103 is reduced. In addition, the vacuum suction force on the semiconductor die 103 of the vacuum stage 104 is reduced by being placed at a position spaced apart from the vacuum stage 104 by a predetermined distance. Here, the inside of the vacuum stage 104 is a state where air is continuously drawn out by the vacuum pump.

도 1c 및 도 2를 참조하면, 제 4 단계(204)는 제 2 단계(202)에서 반도체 다이(103)가 콜렛(102)에 진공 흡착된 상태에서 플런져(105)가 하강되어 복귀되고, 트랜스퍼 헤드(101)가 상승 구동되어 반도체 다이(103)가 접착 테이프(108)로부터 분리되어 상부로 픽업되는 단계이다. 1C and 2, in a fourth step 204, the plunger 105 is lowered and returned while the semiconductor die 103 is vacuum-adsorbed to the collet 102 in the second step 202. The transfer head 101 is driven up and the semiconductor die 103 is separated from the adhesive tape 108 and picked up.

이러한 구성을 갖는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 방법에서는 트랜스퍼 헤드(101)가 접착 테이프(108)로부터 반도체 다이(103)를 손상없이 분리시켜 픽업하기 위해 진공 스테이지(104) 전체를 가열하며, 이 때 발생된 전도열에 의해 접착 테이프(108) 전체가 가열된다. In the semiconductor die pick-up method according to the prior art having such a configuration, the transfer head 101 heats the entire vacuum stage 104 in order to pick up the semiconductor die 103 from the adhesive tape 108 without damage. The entirety of the adhesive tape 108 is heated by the generated conductive heat.

그러나, 이러한 방법은 접착 테이프(108) 상의 모든 부위의 접착력이 감소하게 되어 반도체 다이(103)가 작업자의 부주의 등의 예상치 않은 변수로 인해 접착 테이프(108)로부터 분리되어 접착 테이프(108) 상에서 흐트러질 수 있고, 이에 따라 반도체 다이(103)의 위치 좌표에 따라 반도체 다이(103)를 자동으로 픽업하는 트랜스터 헤드(101)로부터 픽업되지 못하는 반도체 다이(103)가 발생되어 반도체 픽업 공정 중 에러가 발생될 수 있다. However, this method reduces the adhesion of all the portions on the adhesive tape 108 such that the semiconductor die 103 is separated from the adhesive tape 108 and scattered on the adhesive tape 108 due to unexpected variables such as inattention of an operator. Therefore, a semiconductor die 103 may be generated that cannot be picked up from the transfer head 101 which automatically picks up the semiconductor die 103 according to the positional coordinates of the semiconductor die 103. Can be generated.

또한, 플런져(105)의 상승 구동 시 반도체 다이(103)가 접착 테이프(108)로부터 분리되어 진공 스테이지(104) 상으로 떨어지게 되는 경우가 발생될 수 있고, 반도체 다이(103)로 인해 자체 및 주변의 반도체 다이(103) 내부에 마이크로 크랙(Micro Crack) 및 데미지(Damage)가 발생될 수 있다. 이는 더 나아가, 손상된 반도체 다이(103)가 제품화 되었을 경우 제품 불량이 초래될 수도 있다. In addition, there may occur a case where the semiconductor die 103 is separated from the adhesive tape 108 and falls onto the vacuum stage 104 when the plunger 105 is driven up, and the semiconductor die 103 itself and Micro cracks and damage may be generated inside the semiconductor die 103. This may further lead to product defects when the damaged semiconductor die 103 is commercialized.

따라서, 본 발명은 반도체 다이가 접착 테이프로부터 분리될 시 접착 테이프 전체 부위의 접착력을 상실시키는 것이 아니라, 픽업되는 반도체 다이를 접착하고 있는 접착 테이프 부위의 접착력만 국부적으로 감소시키는 반도체 다이 픽업 장치 및 방법을 제공함에 있다. Accordingly, the present invention does not lose the adhesive force of the entire portion of the adhesive tape when the semiconductor die is separated from the adhesive tape, but only locally reduces the adhesive force of the adhesive tape portion adhering the semiconductor die to be picked up. In providing.

본 발명은 진공 흡입력을 이용하여 발열판이 구비된 진공 스테이지 상의 접착 테이프에 고정된 다수 개의 반도체 다이들을 픽업하는 반도체 다이 픽업 장치로서, 구동 장치와 연결되어 상하·좌우로 구동되는 트랜스퍼 헤드와, 트랜스퍼 헤드 하단에 형성되어 반도체 다이를 진공 흡착하는 콜렛, 및 트랜스퍼 헤드에 결합되어 트랜스퍼 헤드를 가열시키는 발열 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention provides a semiconductor die pickup device for picking up a plurality of semiconductor dies fixed to an adhesive tape on a vacuum stage provided with a heating plate by using a vacuum suction force, a transfer head connected to a driving device and driven up, down, left and right, and a transfer head. It is characterized in that it comprises a collet which is formed at the bottom to vacuum suction the semiconductor die, and the heat generating means coupled to the transfer head to heat the transfer head.

한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 방법은 트랜스퍼 헤드의 진공 흡입력을 이용하여 발열판이 구비된 진공 스테이지 상의 접착 테이프에 고정된 다수 개의 반도체 다이들을 픽업하는 반도체 다이 픽업 장치를 이용한 반도체 다이 픽업 방법으로서, 접착 테이프가 소정의 온도로 예열되는 제 1 단계와, 픽업되는 반도체 다이 상부로 소정의 온도 이상으로 가열된 트랜스퍼 헤드가 이동되는 제 2 단계와, 반도체 다이가 트랜스퍼 헤드의 하단에 형성된 콜렛에 진공 흡착 및 가열되는 제 3 단계, 및 반도체 다이가 트랜스퍼 헤드의 구동에 의해 접착 테이프로부터 분리되어 픽업되는 제 4 단계를 포함한다.On the other hand, the semiconductor die pick-up method according to the present invention for achieving the above object using a semiconductor die pick-up apparatus for picking up a plurality of semiconductor die fixed to the adhesive tape on the vacuum stage with a heating plate using the vacuum suction force of the transfer head A semiconductor die pick-up method, comprising: a first step in which an adhesive tape is preheated to a predetermined temperature, a second step in which a transfer head heated above a predetermined temperature is moved above the semiconductor die to be picked up, and the semiconductor die is a lower end of the transfer head And a fourth step of vacuum adsorption and heating on the collet formed in the second step, and a fourth step in which the semiconductor die is separated from the adhesive tape and picked up by the drive of the transfer head.

본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 방법은 트랜스퍼 헤드 가열 온도가 접착 테이프의 접착력이 상실되는 온도로서, 접착 테이프의 종류에 따라 120℃ 내지 150℃인 것이 바람직하다.In the semiconductor die pick-up method according to the present invention, the transfer head heating temperature is a temperature at which the adhesive force of the adhesive tape is lost, and preferably 120 ° C to 150 ° C depending on the type of the adhesive tape.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 3a는 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 트랜스퍼 헤드가 반도체 다이 상부로 이동된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 3b는 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 트랜스퍼 헤드와 반도체 다이가 접촉되어 진공 흡착된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도이며, 도 3b는 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 트랜스퍼 헤드가 반도체 다이를 픽업한 상태를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 3A is a configuration diagram schematically illustrating a state in which a transfer head of a semiconductor die pick-up apparatus according to the present invention is moved to an upper portion of a semiconductor die, and FIG. 3B illustrates a contact between the transfer head and the semiconductor die of the semiconductor die pick-up apparatus according to the present invention. Fig. 3B is a block diagram schematically showing a state in which a vacuum die is picked up by a transfer head of a semiconductor die pick-up apparatus according to the present invention.

도 3a, 도 3b, 및 도 3c를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치(10)는 상하·좌우로 구동되어 반도체 다이(3)를 픽업하는 트랜스퍼 헤드(1)와, 반도체 다이(3)를 진공 흡착하는 콜렛(2), 및 트랜스퍼 헤드(1)를 가열시키는 발열 수단(9)을 포함한다.3A, 3B, and 3C, the semiconductor die pick-up apparatus 10 according to the present invention is driven up, down, left and right, and a transfer head 1 for picking up the semiconductor die 3, and a semiconductor die 3. ) Is a collet (2) for vacuum adsorption, and heat generating means (9) for heating the transfer head (1).

트랜스퍼 헤드(1)는 하단에 형성된 콜렛(2)이 진공 펌프와 연결되어 내부의 공기가 외부로 배출됨으로써 물체를 흡착할 수 있는 진공 흡입력을 갖게 된다. 이에, 트랜스퍼 헤드(1)는 콜렛(2)의 진공 흡입력을 이용하여 진공 스테이지(4) 상의 접착 테이프(8)에 의해 고정된 반도체 다이(3)를 픽업한 후 후공정을 위한 반도체 장치로 이송시키는 역할을 한다. 여기서, 트랜스퍼 헤드(1)는 반도체 다이(3)들의 위치가 입력된 제어 프로그램의 경로를 따라 이동되면서 반도체 다이(3)들을 낱장씩 이동시킨다. 한편, 반도체 다이(3)는 접착 테이프(8)에 하면이 접착된 상태로 진공 스테이지(4) 상부면에 놓여져 고정된 상태로서, 웨이퍼의 절단(Sawing) 공정을 통해 제작되었다. 또한, 접착 테이프(8)는 종류에 따라 120℃ 내지 150℃ 온도에서 접착력이 상실되는 성질을 갖고, 진공 스테이지(4)는 하부에 형성되어 있는 다수 개의 UV 램프가 구비된 발열판(7)에 의해 가열되는 구조이다. Transfer head 1 has a collet (2) formed at the bottom is connected to the vacuum pump has a vacuum suction force that can suck the object by the air inside is discharged to the outside. Accordingly, the transfer head 1 picks up the semiconductor die 3 fixed by the adhesive tape 8 on the vacuum stage 4 by using the vacuum suction force of the collet 2, and then transfers it to the semiconductor device for later processing. It plays a role. Here, the transfer head 1 moves the semiconductor dies 3 by sheet while the positions of the semiconductor dies 3 are moved along the path of the input control program. On the other hand, the semiconductor die 3 is placed on the upper surface of the vacuum stage 4 in a state in which the lower surface is adhered to the adhesive tape 8, and is fixed. The semiconductor die 3 is manufactured through a wafer cutting process. In addition, the adhesive tape 8 has a property that the adhesive force is lost at a temperature of 120 ℃ to 150 ℃ depending on the type, the vacuum stage 4 is by the heating plate 7 with a plurality of UV lamps formed at the bottom It is a structure to be heated.

콜렛(2)은 진공 펌프와 연결되고 트랜스퍼 헤드(1) 하단에 형성되어 트랜스퍼 헤드(1)가 반도체 다이를 픽업할 시 반도체 다이(3)를 진공 흡입력에 의해 진공 흡착한다. 여기서, 콜렛(2)은 반도체 다이(3)와 접촉 시 반도체 다이(3) 상에 스크래치(Scratch)를 유발시키지 않는 재질이며, 열 전도 효율이 높은 재질을 사용하는 것이 바람직하다. The collet 2 is connected to the vacuum pump and formed at the bottom of the transfer head 1 so that the semiconductor die 3 is vacuum-adsorbed by the vacuum suction force when the transfer head 1 picks up the semiconductor die. Here, the collet 2 is a material that does not cause scratches on the semiconductor die 3 when it is in contact with the semiconductor die 3, and it is preferable to use a material having high heat conduction efficiency.

발열 수단(9)은 중앙에 소정 크기의 홀이 형성된 원기둥 형상으로서, 홀에 트랜스퍼 헤드(1)가 삽입 고정되어 트랜스퍼 헤드(1)와 결합되어 트랜스퍼 헤드(1)가 반도체 다이(3)를 진공 흡착한 후 접착 테이프(8)로부터 분리시킬 시 접착 테이프(8)의 접착력에 의해 반도체 다이(3)가 손상되지 않도록 접착 테이프(8)의 접착력을 상실시키는 역할을 한다. 여기서, 발열 수단(9)은 전압이 가해짐으로써 발열되는 발열 소자인 것이 바람직하다. The heat generating means 9 has a cylindrical shape in which a hole having a predetermined size is formed at the center thereof, and the transfer head 1 is inserted into and fixed to the hole to be coupled with the transfer head 1 so that the transfer head 1 vacuums the semiconductor die 3. When it is separated from the adhesive tape 8 after adsorption, it serves to lose the adhesive force of the adhesive tape 8 so that the semiconductor die 3 is not damaged by the adhesive force of the adhesive tape 8. Here, it is preferable that the heat generating means 9 is a heat generating element which generates heat by applying a voltage.

한편, 발열 수단(9)이 접착 테이프(8)의 접착력을 상실시키는 원리에 대해 살펴보며, 먼저 발열 수단(9)에 전압이 가해져 발열 수단(9)가 접착 테이프(8)의 접착력이 상실되는 온도까지 상승되고, 이에 발생된 열이 발열 수단(9)과 결합된 트랜스퍼 헤드(1)로 전달된 후 트랜스퍼 헤드(9)의 콜렛(2)과 접촉된 반도체 다이(3)로 전달된다. 따라서, 발열 수단(9)에 의해 발생된 전도열을 통해 픽업되는 반도체 다이(3)가 가열되고, 이에 반도체 다이가(3)가 접착된 접착 테이프(8) 부위가 가열되어 이 부위의 접착력이 상실되게 된다. On the other hand, the heating means 9 will be described for the principle of losing the adhesive force of the adhesive tape 8, first the voltage is applied to the heat generating means 9 is the heating means 9 is lost the adhesive force of the adhesive tape 8 The temperature is raised, and the heat generated therefrom is transferred to the transfer head 1 coupled with the heat generating means 9 and then to the semiconductor die 3 in contact with the collet 2 of the transfer head 9. Therefore, the semiconductor die 3 picked up by the conductive heat generated by the heat generating means 9 is heated, and the portion of the adhesive tape 8 to which the semiconductor die 3 is bonded is heated, and the adhesive force of this portion is lost. Will be.

이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치(10)를 이용하는 경우를 예로하여 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 방법을 설명하고자 한다. The semiconductor die pick-up method according to the present invention will be described by taking the case of using the semiconductor die pick-up apparatus 10 according to the present invention having such a configuration as an example.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 방법을 나타낸 순서도이다. 4 is a flowchart illustrating a semiconductor die pickup method according to the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 방법은 접착 테이프(8)가 소정의 온도로 예열되는 제 1 단계(301)와, 픽업되는 반도체 다이(3) 상부로 트랜스퍼 헤드(1)가 이동되는 제 2 단계(302)와, 반도체 다이(3)가 트랜스퍼 헤드(1)의 하단에 형성된 콜렛(Collet)에 진공 흡착 및 가열되는 제 3 단계(303), 및 반도체 다이(3)가 트랜스퍼 헤드(1)의 구동에 의해 접착 테이프(8)로부터 분리되어 픽업되는 제 4 단계(304)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the semiconductor die pick-up method according to the present invention includes a first step 301 in which the adhesive tape 8 is preheated to a predetermined temperature, and a transfer head 1 is placed on the semiconductor die 3 to be picked up. The second step 302 being moved, the third step 303 where the semiconductor die 3 is vacuum adsorbed and heated to a collet formed at the bottom of the transfer head 1, and the semiconductor die 3 is transferred A fourth step 304 is picked up and separated from the adhesive tape 8 by the drive of the head 1.

도 3a 및 도 4를 참조하면, 제 1 단계(301)는 미리 발열판(7)으로부터 전달되는 전도열을 통해 진공 스테이지(4)가 소정의 온도로 예열되는 단계이다. 이 때, 예열 온도는 반도체 다이(3)들이 쉽게 분리되어 흐트러지지 않게 되는 온도이다. 여기서, 접착 테이프(8)는 진공 스테이지(4) 상에 진공 흡착된 상태이고, 반도체 다이(3)들은 접착 테이프(8) 상에 후면 전체 면이 접착된 상태이다.3A and 4, the first step 301 is a step in which the vacuum stage 4 is preheated to a predetermined temperature through conductive heat transferred from the heating plate 7 in advance. At this time, the preheating temperature is a temperature at which the semiconductor dies 3 are easily separated and are not disturbed. Here, the adhesive tape 8 is vacuum-adsorbed on the vacuum stage 4, and the semiconductor dies 3 are in a state where the entire rear surface of the semiconductor die 3 is adhered on the adhesive tape 8.

도 3a 및 도 4를 참조하면, 제 2 단계(302)는 트랜스퍼 헤드(1)가 구동 장치의 구동에 의해 픽업되는 반도체 다이(3) 상부로 이동되는 단계이다. 이 때, 콜렛(2)과 연결된 진공 펌프가 가동되어 콜렛(1)의 내부 공기가 계속적으로 외부로 배출됨으로써, 콜렛에서는 물체를 진공 흡착할 수 있는 진공 흡입력이 발생하게 된다. 여기서, 트랜스퍼 헤드(1)는 외주면을 둘러싸고 있는 발열 수단(9)에 의해 가열된 상태이고, 접착 테이프(8)는 진공 스테이지(4) 상에 진공 흡착된 상태이며, 반도체 다이(3)들은 접착 테이프(8) 상에 후면 전체 면이 접착된 상태이다.3A and 4, the second step 302 is a step in which the transfer head 1 is moved above the semiconductor die 3 to be picked up by the drive of the driving device. At this time, the vacuum pump connected to the collet 2 is operated so that the air inside the collet 1 is continuously discharged to the outside, whereby the collet generates a vacuum suction force capable of vacuum suction of the object. Here, the transfer head 1 is heated by the heat generating means 9 surrounding the outer circumferential surface, the adhesive tape 8 is vacuum adsorbed on the vacuum stage 4, and the semiconductor dies 3 are bonded The entire back surface is adhered on the tape 8.

도 3b 및 도 4를 참조하면, 제 3 단계(303)는 가열된 트랜스퍼 헤드(1)가 구동 장치에 의해 하강되어 반도체 다이(3)가 콜렛(2)에 접촉되고, 이에 반도체 다이(3)가 콜렛(2)에서의 진공 흡입력에 의해 진공 흡착 및 가열되는 단계이다. 이 때, 발열 수단(1)에 의해 가열된 트랜스퍼 헤드(1)로부터 전달되는 전도열에 의해 반도체 다이(3)가 가열되고, 이에 따라 반도체 다이(3)가 접착된 부위의 접착 테이프(8)는 접착력이 상실되게 된다. 여기서, 접착 테이프(8)는 진공 스테이지(4) 상에 진공 흡착된 상태이고, 콜렛(2)과 접촉되지 않은 반도체 다이(3)들은 접착력을 가진 접착 테이프(8) 상에 후면 전체 면이 접착된 상태이다.3B and 4, in a third step 303, the heated transfer head 1 is lowered by the driving device so that the semiconductor die 3 is in contact with the collet 2, whereby the semiconductor die 3 is connected. Is a step of vacuum adsorption and heating by the vacuum suction force in the collet (2). At this time, the semiconductor die 3 is heated by the conduction heat transmitted from the transfer head 1 heated by the heat generating means 1, whereby the adhesive tape 8 at the portion where the semiconductor die 3 is bonded is Adhesion will be lost. Here, the adhesive tape 8 is vacuum-adsorbed on the vacuum stage 4, and the semiconductor dies 3 which are not in contact with the collet 2 are adhered to the entire rear surface of the adhesive tape 8 with the adhesive force. It is in a state.

도 3c 및 도 4를 참조하면, 제 4 단계(304)는 콜렛(2)에 진공 흡착된 반도체 다이(3)가 트랜스퍼 헤드(1)가 구동 장치에 의해 상부로 구동됨에 따라 제 3 단계(303)에서 접착력이 상실된 접착 테이프(8)로부터 반도체 다이(3)가 분리되어 픽업되는 단계이다. 여기서, 접착 테이프(8)는 진공 스테이지(4) 상에 진공 흡착된 상태이다. Referring to FIGS. 3C and 4, the fourth step 304 includes a third step 303 as the semiconductor die 3 vacuum-adsorbed to the collet 2 is driven upward by the transfer head 1 by the driving device. In this step, the semiconductor die 3 is separated and picked up from the adhesive tape 8 whose adhesive force is lost. Here, the adhesive tape 8 is in a vacuum suction state on the vacuum stage 4.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치(10) 및 방법은 반도체 다이(3)를 접착 테이프(8)로부터 분리시켜 픽업할 시 접착 테이프(8)의 접착력으로 인해 반도체 다이(3)에 스트레스가 가해지지 않도록 하기 위해 진공 스테이지(4)를 가열하여 접착 테이프(8) 상의 모든 부위가 접착력이 상실되도록 하는 종래 기술과는 달리, 가열 장치(9)를 이용하여 발생되는 전도열에 의해 픽업되는 반도체 다이(3)를 가열시킴으로써, 이에 접착 테이프(8) 상의 가열된 반도체 다이(3)가 접착된 부위만이 국부적으로 가열되어 접착력이 상실되도록 하는 것이다. Accordingly, the semiconductor die pick-up apparatus 10 and the method according to the present invention stress the semiconductor die 3 due to the adhesive force of the adhesive tape 8 when the semiconductor die 3 is separated from the adhesive tape 8 and picked up. Unlike the prior art in which the vacuum stage 4 is heated to prevent it from being applied so that all parts on the adhesive tape 8 are lost, the semiconductor die picked up by the conduction heat generated using the heating device 9. By heating (3), only the portion to which the heated semiconductor die 3 on the adhesive tape 8 is adhered is locally heated so that the adhesive force is lost.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치(10) 및 방법은 접착 테이프 (8)전체가 가열되어 전 부위의 접착력이 상실될 시 반도체 다이(3)들이 작업자의 부주의 등의 예상치 못한 변수로 인해 접착 테이프(8)로부터 분리되어 흐트러져 흐트러진 반도체 다이(3)가 트랜스퍼 헤드(1)로부터 픽업되지 못하게 되는 경우가 발생되지 않는다. Therefore, the semiconductor die pick-up apparatus 10 and the method according to the present invention adhere to the semiconductor die 3 due to unexpected variables such as inadvertent operator's carelessness when the entire adhesive tape 8 is heated and the adhesive force of the entire region is lost. The case where the semiconductor die 3, which is separated from the tape 8 and is disturbed, is prevented from being picked up from the transfer head 1 does not occur.

또한, 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 방법은 도 1b에 나타낸 바와 같이 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 방법에서 반도체 다이(103) 픽업 시, 접착 테이프(108)의 접착력에 의해 반도체 다이(103)에 스트레스가 가해지지 않도록 반도체 다이(103)의 접착 테이프(108) 상의 접착 면적을 줄이기 위해 필요했던 플런져(105)의 구동단계가 생략된다. In addition, the semiconductor die pick-up method according to the present invention stresses the semiconductor die 103 by the adhesive force of the adhesive tape 108 when the semiconductor die 103 is picked up in the semiconductor die pick-up method according to the prior art as shown in FIG. 1B. The driving step of the plunger 105, which was necessary to reduce the adhesive area on the adhesive tape 108 of the semiconductor die 103 so as not to be applied, is omitted.

이에 따라, 플런져(105)의 상승 구동 시 플런져 핀(106) 상의 접착 테이프(108)의 접착력 약화로 플런져 핀(106) 상의 반도체 다이(103)가 접착 테이프(108)로부터 분리되어 진공 스테이지(104) 상의 픽업되지 않은 반도체 다이(103)로 떨어져 반도체 다이(103)의 오염이나 손상이 발생되는 것이 방지된다. Accordingly, the semiconductor die 103 on the plunger pin 106 is separated from the adhesive tape 108 by vacuum weakening of the adhesive tape 108 on the plunger pin 106 when the plunger 105 is driven up. Falling to the unpicked semiconductor die 103 on the stage 104 prevents contamination or damage of the semiconductor die 103.

이상에서와 같이, 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치 및 방법은 반도체 다이 픽업 시 픽업되는 반도체 다이가 접착된 접착 테이프의 접착력을 상실시킴으로써, 접착 테이프의 접착력에 의해 반도체 다이에 스트레스가 가해지는 것이 방지되고, 이에 따라 반도체 다이 내부에 마이크로 크랙(Micro Crack)이나 데미지(Damage)가 발생되는 것이 방지된다. As described above, the semiconductor die pick-up apparatus and method according to the present invention loses the adhesive force of the adhesive tape to which the semiconductor die picked up during the semiconductor die pick-up, thereby preventing stress from being applied to the semiconductor die by the adhesive force of the adhesive tape. This prevents the occurrence of micro cracks or damage inside the semiconductor die.

또한, 발열 수단을 이용하여 픽업되는 반도체 다이가 접착된 접착 테이프 부위만의 접착력만을 국부적으로 상실시킴으로써, 접착 테이프 전체면의 접착력이 상실되었을 시 발생되는 픽업되지 않은 반도체 다이가 접착 테이프 상에서 접착력 상실로 흐트러지거나, 이로 인해 반도체 다이 픽업 장치로부터 픽업되지 못하는 현상이 발생되지 않는다. In addition, by locally losing only the adhesive force only on the portion of the adhesive tape to which the semiconductor die picked up by the heat generating means is bonded, the unpicked semiconductor die generated when the adhesive force on the entire surface of the adhesive tape is lost is lost to the adhesive force on the adhesive tape. It is not disturbed or caused to fail to be picked up from the semiconductor die pickup device.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치 및 방법은 반도체 다이의 손상없이 반도체 다이가 픽업되도록 하여 손상된 반도체 다이가 제품화됨으로 인해 제품 불량이 발생되는 것이 방지되고, 이에 따라 제품 불량율이 줄이들며 생산 효율이 증가된다. Therefore, the semiconductor die pick-up apparatus and method according to the present invention allows the semiconductor die to be picked up without damaging the semiconductor die, thereby preventing the occurrence of product defects due to the production of the damaged semiconductor die, thereby reducing the product defect rate and producing efficiency. Is increased.

특히, 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치 및 방법은 두께가 아주 얇은 패키지나 MCP(Multi Chip Package)에 적용하게 되는 얇은 다이(Thin Die)를 픽업하는 경우에 그 효과가 더욱 크게 나타난다. In particular, the semiconductor die pick-up apparatus and method according to the present invention show a greater effect when picking up a thin die that is applied to a very thin package or a multi chip package (MCP).

도 1a는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 장치가 픽업되는 반도체 다이 상부로 이동된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도. 1A is a schematic view showing a state in which a semiconductor die pick-up apparatus according to the prior art is moved above a semiconductor die to be picked up;

도 1b는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 플런져가 상승된 상태에서 반도체 다이가 콜렛에 의해 진공 흡착된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도.1B is a schematic view showing a state in which a semiconductor die is vacuum-adsorbed by a collet in a state where a plunger of a semiconductor die pickup device according to the related art is raised;

도 1c는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 플런져가 복귀된 상태에서 반도체 다이가 콜렛에 의해 픽업된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도.1C is a schematic view showing a state in which a semiconductor die is picked up by a collet in a state in which a plunger of a semiconductor die pickup apparatus according to the prior art is returned;

도 2는 종래 기술에 따른 반도체 다이 픽업 방법을 나타낸 순서도.2 is a flow chart illustrating a semiconductor die pickup method according to the prior art.

도 3a는 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 트랜스퍼 헤드가 반도체 다이 상부로 이동된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도. 3A is a schematic view showing a state in which a transfer head of a semiconductor die pick-up apparatus according to the present invention is moved above a semiconductor die.

도 3b는 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 트랜스퍼 헤드와 반도체 다이가 접촉되어 진공 흡착된 상태를 개략적으로 나타낸 구성도.3B is a schematic view showing a state in which the transfer head and the semiconductor die of the semiconductor die pick-up apparatus according to the present invention are contacted and vacuum-adsorbed.

도 3b는 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 장치의 트랜스퍼 헤드가 반도체 다이를 픽업한 상태를 개략적으로 나타낸 구성도. 3B is a schematic view showing a state in which a transfer head of a semiconductor die pick-up apparatus according to the present invention picks up a semiconductor die;

도 4는 본 발명에 따른 반도체 다이 픽업 방법을 나타낸 순서도. 4 is a flow chart illustrating a semiconductor die pickup method in accordance with the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1, 101: 트랜스퍼 헤드 2, 102: 콜렛1, 101: transfer head 2, 102: collet

3, 103: 반도체 다이 4, 104: 진공 스테이지3, 103: semiconductor die 4, 104: vacuum stage

7, 107: 발열판 8, 108: 접착 테이프7, 107: heating plate 8, 108: adhesive tape

9: 발열 수단 10, 100: 반도체 다이 픽업 장치 9: heating means 10, 100: semiconductor die pick-up apparatus

105: 플런져 106: 플런져 핀105: plunger 106: plunger pin

Claims (3)

진공 흡입력을 이용하여 발열판이 구비된 진공 스테이지(Stage) 상의 접착 테이프에 고정된 다수 개의 반도체 다이(Die)들을 픽업(Pick Up)하는 반도체 다이 픽업 장치에 있어서,A semiconductor die pick-up apparatus for picking up a plurality of semiconductor dies fixed to an adhesive tape on a vacuum stage provided with a heating plate by using a vacuum suction force, 상기 반도체 다이들을 이송시키기 위해 구동 장치와 연결되어 상하·좌우로 구동되는 트랜스퍼 헤드;A transfer head connected to a driving device to move the semiconductor dies and driven up, down, left and right; 상기 트랜스퍼 헤드 하단에 형성되고 진공 펌프와 연결되어 상기 반도체 다이를 진공 흡착하는 콜렛; 및 A collet formed under the transfer head and connected to a vacuum pump to vacuum suck the semiconductor die; And 상기 트랜스퍼 헤드에 결합되어 상기 트랜스퍼 헤드를 가열시키는 발열 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치. And heat generating means coupled to the transfer head to heat the transfer head. 트랜스퍼 헤드의 진공 흡입력을 이용하여 발열판이 구비된 진공 스테이지 상의 접착 테이프에 고정된 다수 개의 반도체 다이들을 픽업하는 반도체 다이 픽업 장치를 이용한 반도체 다이 픽업 방법으로서,A semiconductor die pick-up method using a semiconductor die pick-up apparatus for picking up a plurality of semiconductor dies fixed to an adhesive tape on a vacuum stage provided with a heating plate by using a vacuum suction force of a transfer head, 상기 접착 테이프가 소정의 온도로 예열되는 제 1 단계;A first step of preheating the adhesive tape to a predetermined temperature; 픽업되는 반도체 다이 상부로 결합된 발열 수단에 의해 상기 소정의 온도 이상으로 가열된 상기 트랜스퍼 헤드가 이동되는 제 2 단계; A second step in which the transfer head heated above the predetermined temperature is moved by heat generating means coupled to an upper portion of the semiconductor die to be picked up; 상기 반도체 다이가 상기 트랜스퍼 헤드의 하단에 형성된 콜렛(Collet)에 진공 흡착 및 가열되는 제 3 단계; 및 A third step in which the semiconductor die is vacuum adsorbed and heated to a collet formed at a lower end of the transfer head; And 상기 반도체 다이가 상기 트랜스퍼 헤드의 구동에 의해 상기 접착 테이프로부터 분리되어 픽업되는 제 4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 방법.And a fourth step in which the semiconductor die is separated from the adhesive tape and picked up by the drive of the transfer head. 제 2항에 있어서, 상기 트랜스퍼 헤드 가열 온도는 상기 접착 테이프의 접착력이 상실되는 온도로서, 상기 접착 테이프의 종류에 따라 120℃ 내지 150℃인 것을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 방법.The method of claim 2, wherein the transfer head heating temperature is a temperature at which the adhesive force of the adhesive tape is lost, and is 120 ° C. to 150 ° C. according to the type of the adhesive tape.
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US7989266B2 (en) * 2009-06-18 2011-08-02 Aptina Imaging Corporation Methods for separating individual semiconductor devices from a carrier
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